KR100289180B1

KR100289180B1 - 박막자기헤드의 보호층 제조방법

Info

Publication number: KR100289180B1
Application number: KR1019940016469A
Authority: KR
Inventors: 이재욱
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1994-07-08
Filing date: 1994-07-08
Publication date: 2001-05-02
Also published as: KR960005430A

Abstract

본 발명은 박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 상기 방법은 각기 다른 주파수를 가지는 주파수 발생기가 부착된 PECVD 장비를 사용하여 인장응력막과 압축응력막을 교대로 반복 적층하여 SiO₂보호층을 형성시키는 것으로 이루어진다. 본 발명의 또다른 방법은 주파수 발생기가 부착된 PECVD 장비를 사용하여 Ar 가스흐름을 변화시켜 인장응력막과 압축응력막을 교대로 반복 적층하여 SiO₂보호층을 형성시키는 것으로, 전체적인 내부응력을 낮출 수 있고 생-산성을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.

Description

박막자기헤드의 보호층 제조방법

제1도는 종래의 방법에 따라 제작된 박막 자기헤드의 단면도이고,

제2도는 본 발명의 방법에 따라 제작된 박막 자기헤드의 단면도이며,

제3도는 종래 및 본 발명에 따른 보호층의 성막시간에 따른 성막두께를 나타낸 그래프이다.

본 발명은 박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 HDD(Hard Disk Drive), VTR, AUDIO등의 기기에 널리 사용되는 박막 자기헤드내 다층박막의 내열, 내습 및 내마모성을 증대시키기 위한 보호층을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)공정에 의해 내부응력을 조절하면서 SiO₂로 제작하므로써 전체적인 내부응력이 낮고 생산성이 우수한 박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 관한 것이다.

박막 자기헤드는 HDD, VTR, AUDIO등의 고기록 밀도의 요구추세에 부응하여 그의 필요성은 널리 확대되고 있지만, 박막 제조기술과 보호층 제조기술의 미흡으로 생산 수율면에서 그 신뢰도가 매우 낮은 편이다. 특히, 박막 자기헤드의 보호층은 재현성이 우수하고 제조조건의 조절이 용이하다는 장점 때문에 통상 스퍼터링방법에 의해 Al₂O₃를 30∼70㎛두께범위로 제조하여 사용하고 있지만, 이때 사용되는 타겟(target)이 산화물인 관계로 높은 투입전력을 가해도 스퍼터링 수율은 매우 낮은 문제점이 있었다.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 통상의 다이오드 스퍼터링방법에서 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)방법을 채용하고 타겟내 부식(errosion)되는 영역을 넓히기 위하여 타겟 후면의 자석배열을 변화시키거나, 또는 타겟의 크기를 늘려서 증착시키는 등 다양한 스퍼터링방법이 적용되고 있는 실정이다.

그러나, 이상과 같은 스퍼터링방법을 적용할 경우에는 스퍼터링 수율을 최대 2∼3배로 향상시킬 수는 있지만, 높은 Ar 충돌에너지에 의하여 성막된 조직은 결함이 많은 다공성 조직으로 성장된다. 이에 따라, 성막되는 기판위치에도 수냉식이 아닌 특수 냉각장치를 부착하여 증착을 실시하고 있지만, 이러한 기능을 갖춘 장비는 고가이고 1㎛이상 성막시 발생되는 오렌지 필(orange peel)현상은 그대로 발생되기 때문에 실제적인 해결방법이 되지는 못하였다. 또한, PECVD공정에 의해 SiO₂로 수㎛ 단위의 막을 형성시에는 한방향으로 쌓이는 내부응력(주로 인장응력)에 의해 막형성이 불가능한 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결할 뿐만 아니라 내부 응력을 낮추고 생산성을 높일 수 있는 박막 자기헤드의 보호층 제조방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 박막 자기헤드의 보호층 제조방법은, 박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 있어서, 각기 다른 주파수를 가지는 주파수 발생기가 부착된 PECVD 장비를 사용하여 인장응력막과 압축응력막을 교대로 반복 적층하여 SiO₂보호층을 형성시키는 것으로 이루어진다.

본 발명에 따른 박막 자기헤드 보호층의 또 다른 제조방법은, 박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 있어서, 주파수 발생기가 부착된 PECVD 장비를 사용하여 Ar 가스흐름을 변화시켜 인장응력막과 압축응력막을 교대로 반복 적층하여 SiO₂보호층을 형성시키는 것으로 이루어진다.

이하 본 발명의 구성을 첨부된 도면을 참조하여 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.

HDD, VRT, AUDIO등의 고기록 밀도의 요구추세에 부응하여 필요성이 널리 확대되고 있는 박막 자기헤드는 박막 제조기술과 보호층 제조기술의 미흡으로 생산 수율면에서 그 신뢰도가 상당히 떨어지는 문제점이 있었다. 특히, 박막 자기헤드의 보호층의 경우에는 내부응력이 증가하고 표면 및 단면의 형상이 좋지 못한 문제점이 있었다.

본 발명자는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 연구를 거듭한 결과, PECVD공정에 의해 SiO₂층을 30~70㎛두께로 제조하여 생산수율이 높고 내부응력이 매우 낮은 본 발명의 박막 자기헤드의 보호층 제조방법을 개발한 것이다.

간략히 말해서, 본 발명은 박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 있어서, 각기 다른 주파수를 가지는 주파수 발생기가 부착된 PECVD 장비를 사용하여 인장응력과 압축응력을 가지는 SiO₂막을 고대로 반복 적층하여 SiO₂보호층을 형성시키는 것에 특징이 있다.

본 발명은 또한, 박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 있어서, 주파수 발생기가 부착된 PEVCD 장비를 사용하여 Ar 가스흐름을 변화시켜 인장응력과 압축응력을 가지는 SiO₂막을 교대로 반복 적층하여 SiO₂보호층을 형성시키는 것에 그 특징이 있다.

제1도 및 제2도는 각각 종래 및 본 발명의 방법에 따라 제작된 박막 자기헤드의 단면도이다.

제1도에 의하면, 종래의 박막 자기헤드는 기판상에 자성층, 도전층 및 절연층을 성막, 에칭과 같은 통상적인 공정을 거쳐 제작한 다음, 통상적인 스퍼터링방법으로 보호층을 형성시켜 제작한 것이다.

반면에, 제2도에 의한 본 발명의 박막 자기헤드는 종래의 방법과는 달리 PECVD공정에 의해 인장응력과 압축응력을 가지는 SiO₂막을 교대로 반복 적층하여 내부응력을 조절하면서 SiO₂보호층을 형성시켜 제작한 것이다.

이하 본 발명의 박막 자기헤드의 보호층 제조방법을 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저 Al₂O₃-TiC와 같은 비자성 기판상에 성막, 에칭과 같은 통상적인 공정을 거쳐 자성층, 도전층 및 절연층등을 제작한다. 즉, MR층을 NiFe를 사용하여 300∼500Å두께로 형성시키고 Mo/Au/Mo 바버폴 바이어스층을 600Å/2000Å/600Å의 두께로 형성시킨 다음 SiO₂절연층을 형성시키고 NiFe 공유층(shared pols)을 0.5∼1.0㎛ 두께로 형성시킨다. 그 위에 다시 SiO₂절연층을 형성시키고 Cu 코일층을 형성시켜 PR 캡슐레이션(capsulation) 처리후 NiFe 상부자성층을 3∼5㎛두께로 형성시킨 다음, PECVD방법으로 SiO₂보호층을 제작한다. 이때 PECVD 공정의 주반응 가스는 SiH₄와 N₂O이며, 캐리어 가스인 Ar을 함께 투입하여 세정공정을 유발한다.

SiO₂보호층을 제작하기 위해선, 먼저 13.56㎒정도의 RF 발생기가 부착된 PECVD장비를 이용하여 투입전력 10∼20watt에서 SiH₄1.7∼13.6sccm, N₂O 50∼400sccm, Ar 0∼92.5sccm의 범위로 반응가스를 투입한 다음 16∼84분간 반응시켜 1.5㎛두께의 SiO₂막을 형성시킨다. 이때 공정압력은 350∼400mTorr이고 기판온도는 250∼300℃범위이다.

이렇게 제작된 SiO₂막의 내부응력은 3×10⁷∼9×10⁷dyne/㎠의 인장응력을 나타낸다.

1.5㎛ 두께의 SiO₂막을 형성시킨 후, 300㎑정도의 중간주파수(MF) 발생기를 이용하여 투입전력 100∼200watt범위에서 SiH₄1.7∼13.6sccm, N₂O 50∼400sccm, Ar 200∼400sccm의 범위로 반응가스를 투입한 다음 10∼20분간 반응시켜 0.5㎛두께의 SiO₂막을 형성시킨다.

이렇게 제작된 SiO₂막의 내부응력은 1.4×10⁸∼4.1×10⁸dyne/㎠의 압축응력을 나타낸다.

이러한 방법으로 연속적층하여 2㎛를 형성시키게 되면, 압축응력과 인장응력은 서로 상쇄되어 거의 응력이 없는 막이 제조된다.

이상과 같은 공정을 15회이상 반복하여 SiO₂막을 연속적으로 적층시키면 최종적으로 낮은 압축응력을 가지는 30∼70㎛두께의 SiO₂보호층을 제작할 수 있는 것이다.

한편, 전술한 공정에 의하면, 본 발명에서는 PEVCD 장비를 사용하여 내부응력이 낮은 SiO₂보호층을 제조하는 것을 목적으로 2개의 주파수 발생기(고주파 발생기, 중간주파수 발생기)가 장착된 장비를 사용하고 있다. 즉, 다시 말해서 스퍼터링 또는 CVD와 같은 박막 증착기술을 이용하여 박막을 형성시킬 때에는 막조직 및 응력과 같은 특성이 Ar 가스에 의해 지배를 받게 된다.

이에 따라, 13.56㎒정도의 RF 주파수를 이용하여 플라즈마를 형성시키게 되면, 상부전극과 하부전극간의 (+),(-)극 변화가 너무 빠르기 때문에 오히려 아르곤 이온은 플라즈마내에서 양극으로의 이동없이 멈춰있는 상태를 유지하면서 아르곤 이온에 의한 충동효과는 줄어들게 된다.

반면에, 300㎑의 중간주파수를 이용하여 플라즈마를 형성시키게 되면, Ar⁺이온의 기판으로의 이동속도가 상부전극과 하부전극간의 극변화속도보다 빠르기 때문에 기판에서 SiO₂막의 성막시 충돌효과를 증대시켜 압축응력을 유발시킨다.

따라서, 본 발명에선 13.56㎒정도의 주파수를 지닌 RF 발생기로 1.5㎛의 인장응력막을 성막할 경우에는 SiH₄: N₂O = 6.8 : 200sccm의 기본비율에서 아르곤 가스는 50sccm이하로 적게 투입하고, 0.5㎛의 압축응력막을 성막할 경우에는 아르곤 가스를 200∼400sccm의 범위로 높게 투입하여 충돌효과를 증대시킨다. 이는 중간주파수(300㎑)의 주파수 발생기에서 얻어지는 낮은 성막속도를 증대시키는 목적도 있다.

한편, 본 발명에 따른 박막 자기헤드 보호층의 또 다른 제조방법을 설명하면 다음과 같다.

Al₂O₃-TiC와 같은 비자성 기판상에 자성층, 도전층 및 절연층들을 성막, 에칭과 같은 통상적인 공정을 거쳐 제작한다. 즉, MR층을 NiFe를 사용하여 300∼500Å두께로 형성시키고 Mo/Au/Mo 바버폴 바이어스층을 600Å/2000Å/600Å의 두께로 형성시킨 다음 SiO₂절연층을 형성시키고 NiFe 공유층을 0.5∼1.0㎛ 두께로 형성시킨다. 그 위에 다시 SiO₂절연층을 형성시키고 Cu 코일층을 형성시켜 PR 캡슐레이션 처리후 NiFe 상부자성층을 3∼5㎛두께로 형성시킨 다음, 전술한 공정과 마찬가지로 PECVD방법으로 SiO₂보호층을 제작한다. 또한, 이때 사용되는 주반응 가스는 SiH₄와 N₂O이며, 캐리어 가스인 Ar은 함께 투입하여 세정공정을 유발시킨다.

본 발명에 따른 SiO₂보호층을 제작하기 위해선, 먼저 13.56㎒정도의 RF 발생기가 부착된 PECVD 장비를 이용하여 투입전력 200∼250watt에서 SiH₄6∼10sccm, N₂O 100∼400sccm의 범위로 반응가스를 투입한 다음 50∼60분간 반응시켜 2.5㎛두께의 SiO₂막을 형성시킨다. 이때 공정압력은 350∼400mTorr이고 기판온도는 250∼300℃이다.

이렇게 제작된 SiO₂막의 내부응력은 2.7×10⁷∼7.3×10⁷dyne/㎠의 인장응력을 나타낸다.

2.5㎛ 두께의 SiO₂막을 형성시킨 후, 주반응 가스인 SiH₄10∼20sccm, N₂O 100∼400sccm범위외에 캐리어 가스인 Ar을 250∼300sccm범위로 추가로 혼입하여 RF 투입전력 150∼250watt에서 20∼30분간 반응시켜 0.5㎛두께의 SiO₂막을 형성시킨다. 이때의 공정압력 및 기판온도는 상기와 동일 조건으로 공정을 진행하여 1배치(batch)내에서 연속으로 공정을 가능하게 한다. 한편, 0.5㎛두께의 SiO₂막 성막시 Ar에 의한 충돌효과를 증대시킬 수 있도록 기판에 바이어스 전압을 인가할 수도 있다.

이렇게 제작된 SiO₂막의 내부응력은 4×10⁸∼8.5×10⁸dyne/㎠의 압축응력을 나타낸다.

따라서, 상기 2.5㎛ 두께의 SiO₂막과 0.5㎛두께의 SiO₂막을 연속으로 적층시 인장응력과 압축응력은 서로 상쇄되어 3㎛두께의 SiO₂막의 경우에는 매우 낮은 내부응력을 나타낸다(8×10⁶∼3.2×10⁷dyne/㎠ 압축응력).

이상과 같은 2.5㎛ 두께의 SiO₂인장응력막과 0.5㎛두께의 SiO₂압축응력막의 적층공정을 10회이상 반복하게 되면 내부응력이 매우 낮은 30∼70㎛두께의 SiO₂보호층을 제작할 수 있다.

한편, 전술한 공정에서는 PECVD 장비를 사용하여 내부응력이 낮고 생산성이 우수한 SiO₂후막을 제조하는 것을 목적으로, SiO₂막의 형성시 제조조건을 변화시켜 내부응력을 조절하고 있다.

이미 위에서 기술한 바와 같이, 13.56㎒의 고주파 발생기를 사용하면, 아르곤 이온의 양극으로의 이동도(mobility)가 느리기 때문에 아르곤 이온에 의한 충돌은 매우 줄어들어 인장응력이 막에 유기된다. 이에 따라, 본 발명에서는 2.5㎛ 두께의 SiO₂인장응력막 제조시에는 주반응 가스만을 투입하고 캐리어 가스인 아르곤을 투입하지 않고 막의 두께도 두껍기 때문에 이러한 경향은 더욱 더 강해진다.

반면에, 0.5㎛두께의 SiO₂압축응력막 제조시는 동일 공정압력에서 아르곤 가스를 200sccm이상으로 투입하기 때문에 상대적으로 성막속도는 느려지지만 아르곤 이온에 의한 충돌은 증대된다. 특히, 성막되는 하부전극(기판)에 바이어스 전압을 인가하기 때문에 충돌효과는 증대되는 것이다. 또한, 두께를 0.5㎛로 하는 것은 두께에 따라서도 응력의 종류가 변화되기 때문인데, 두께에 따라 기판에 도달한 인접원자(adatom)들이 중심으로부터 이동하면서 성장하기 때문에 인장응력이 유기되기 때문이다.

이하 실시예를 통하여 본 발명을 좀 더 상세히 설명하지만, 이것이 본 발명의 범주에 한정하는 것은 아니다.

[실시예 1]

Al₂O₃-TiC 비자성 기판상에 자성층, 도전층 및 절연층을 성막, 에칭과 같은 통상적인 공정을 거쳐 제작하였다. 즉, MR층을 NiFe를 사용하여 400Å두께로 형성시키고 Mo/Au/Mo 바버폴 바이어스층을 600Å/2000Å/600Å의 두께로 형성시킨 다음 SiO₂절연층을 형성시키고 NiFe 공유층을 0.5∼1.0㎛ 두께로 형성시켰다. 그 위에 다시 SiO₂절연층을 형성시키고 Cu 코일층을 형성시켜 PR 캡슐레이션 처리후 NiFe 상부자성층을 3㎛두께로 형성시켰다.

13.56㎒의 RF 발생기를 이용하여 투입전력 15watt에서 SiH₄6.8sccm, N₂O 200sccm, Ar 10sccm의 범위로 반응가스를 투입한 다음 40분간 반응시켜 1.5㎛두께의 SiO₂막을 PECVD공정에 의해 제작하였다. 이때 공정압력은 380mTorr이고 기판온도는 250℃로 하였다.

이렇게 제작된 SiO₂막의 내부응력은 7.7×10⁷dyne/㎠의 인장응력을 나타내었다.

1.5㎛ 두께의 SiO₂막을 제작한 후, 300㎑의 중간주파수(MF) 발생기를 사용하여 투입전력 150watt에서 SiH₄13.6sccm, N₂O 400sccm, Ar 300sccm의 범위로 반응가스를 투입한 다음 15분간 반응시켜 0.5㎛두께의 SiO₂막을 제작하였다.

이렇게 제작된 SiO₂막의 내부응력은 3.2×10⁸dyne/㎠의 압축응력을 나타내었다.

이상과 같은 공정을 15회 반복하여 SiO₂막을 연속적층시켜 30㎛두께의 SiO₂보호층을 제작하였다.

[실시예 2]

Al₂O₃-TiC 비자성 기판상에 자성층, 도전층 및 절연층등을 성막, 에칭과 같은 통상적인 공정을 거쳐 제작하였다. 즉, MR층을 NiFe를 사용하여 400Å두께로 형성시키고 Mo/Au/Mo 바버폴 바이어스층을 600Å/2000Å/600Å의 두께로 형성시킨 다음 SiO₂절연층을 형성시키고 NiFe 공유층을 0.5∼1.0㎛ 두께로 형성시켰다. 그 위에 다시 SiO₂절연층을 형성시키고 Cu 코일층을 형성시켜 PR 캡슐레이션 처리후 NiFe 상부자성층을 3㎛두께로 형성시켰다.

13.56㎒의 RF 발생기가 부착된 PECVD 장비를 이용하여 투입전력 200watt에서 SiH₄6.8sccm, N₂O 200sccm의 범위로 반응가스를 투입한 다음 55분간 반응시켜 2.5㎛두께의 SiO₂막을 제작하였다. 이때 공정압력은 380mTorr이고 기판온도는 250℃로 하였다.

이렇게 제작된 SiO₂막의 내부응력은 5.8×10⁷dyne/㎠의 인장응력을 나타내었다.

2.5㎛ 두께의 SiO₂막을 제작한 후, 주반응 가스인 SiH₄6.8sccm, N₂O 200sccm외에 캐리어 가스인 Ar 250sccm을 추가로 혼입하고 기판에 바이어스 전압을 인가하여 성막시 Ar에 의한 충돌효과를 증대시켰다. 이때 RF 투입전력은 200watt이고 20분간 반응시켜 0.5㎛두께의 SiO₂막을 제작하였다. 이때의 공정압력 및 기판온도는 상기와 동일한 조건으로 하였다.

이렇게 제작된 SiO₂막의 내부응력은 6.1×10⁸dyne/㎠의 압축응력을 나타내었다.

이상과 같은 공정을 10회 반복하여 SiO₂막을 연속적층시켜 30㎛두께의 SiO₂보호층을 제작하였다.

[비교예 1]

본 비교예는 본 발명과의 비교를 위하여 도입한 것으로, 이하 비교예들도 마찬가지이다.

본 비교예에서는 통상의 스퍼터링방법인 RF 마그네트론 스퍼터링법을 사용하였는데, 2㎾의 RF 투입전력과 Ar 압력 2mTorr의 스퍼터링 조건에서 기판정지 모드로 냉각시간없이 15시간 연속 스퍼터링하여 30㎛두께의 SiO₂후막을 형성시켜 박막 자기헤드의 보호층을 제작하였다. 그 이외의 공정은 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.

[비교예 2]

본 비교예에서는 비교예 1에서의 통상의 스퍼터링방법인 RF 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 2㎾의 RF 투입전력과 Ar 압력 2mTorr의 스퍼터링 조건으로 5시간 성막후 3시간 냉각하는 공정을 연속 반복하여 30㎛두께의 SiO₂후막을 형성시켜 박막 자기헤드의 보호층을 제작하였다. 그 이외의 공정은 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.

[비교예 3]

본 비교예에서는 특수 냉각장치가 부착된 고속용 Al₂O₃스퍼터링 전용장비를 사용하여 30㎛두께의 SiO₂후막을 형성시켜 박막 자기헤드의 보호층을 제작하였다. 이때, 8″크기의 타겟에는 4㎾의 투입전력을 가하였으며 Ar 압력을 5mTorr로 유지하였고 기판에는 수냉식 냉각장치와 He 가스를 이용한 칠러(chiller)를 부착하여 성막시 기판을 계속적으로 냉각시켜 주었다. 그 이외의 공정은 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.

[비교예 4]

본 비교예에서는 통상의 PECVD공정에 의해 SiH₄6.8sccm, N₂O 200sccm 및 Ar 100sccm을 투입하여 RF 출력 15W에서 30㎛두께의 SiO₂후막을 형성시켜 박막 자기헤드의 보호층을 제작하였다. 이때 공정압력은 380mTorr이고 12시간 성막하였다. 그 이외의 공정은 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.

하기 표 1에는 실시예 1과 비교예 1∼4에 따라 제조된 박막 자기헤드의 보호층의 내부응력과 표면 및 단면 형상이 기재되어 있다.

[표 1]

상기 표 1에 의하면, 본 발명의 방법에 의해 제조된 박막 자기헤드 보호층이 종래의 방법에 의해 제조된 것보다 내부응력이 적고 표면 및 단면형상이 양호하게 나타난다는 것을 알 수 있다.

제3도는 종래(비교예 1∼4) 및 본 발명(실시예 1 및 2)에 따른 보호층의 성막시간에 따른 성막두께를 나타낸 그래프이다.

제3도에 의하면, 본 발명에 따른 실시예 1 및 2가 종래의 것(비교예 1∼3)에 비해 성막시간에 따른 성막두께의 증가가 크다. 한편, 비교예4의 경우에는 실시예 1 및 2보다 성막시간에 따른 성막두께의 증가가 큰 반면에 5㎛이상의 두께에 이르게 되면 박리현상이 발생한다.

그러므로, PECVD공정을 이용한 본 발명의 박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 의하면, 통상의 스퍼터링방법에 비해 생산성이 높고 내부응력이 매우 낮은 SiO₂후막의 제조가 가능하다. 또한, 종래의 방법에 의해 Al₂O₃후막에서 발생하는 오렌지 필과 같은 결함을 제거할 수 있고 가스에 의해 공정이 진행되므로 두께균일도가 우수한 후막을 얻을수 있으며, 특이한 설비가 필요없이 간단한 제조조건의 변화로 용이하게 제조할 수 있다는 장점이 있다.

Claims

박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 있어서, 각기 다른 주파수를 가지는 주파수 발생기가 부착된 PECVD 장비를 사용하여 인장응력막과 압축응력막을 교대로 반복 적층하여 SiO₂보호층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 보호층 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 인장응력막과 압축응력막을 각각 1.5㎛, 0.5㎛두께로 15회이상 반복 적층하여 SiO₂보호층을 제작하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 보호층 제조방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 인장응력막의 제조시 반응가스를 SiH₄: 1.7∼13.6sccm, N₂O : 50∼400sccm, Ar : 0∼92.5sccm 범위로 투입하고, 압축응력막의 제조시 반응가스를 SiH₄: 1.7∼13.6sccm, N₂O : 50∼400sccm, Ar : 200∼400sccm범위로 투입하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 보호층 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 SiO₂보호층의 제조시 공정압력이 350∼400mTorr이고 기판온도가 250∼300℃인 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 보호층 제조방법.
박막 자기헤드의 보호층 제조방법에 있어서, 주파수 발생기가 부착된 PECVD 장비를 사용하여 Ar 가스흐름을 변화시켜 인장응력막과 압축응력막을 교대로 반복 적층하여 SiO₂보호층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 보호층 제조방법.
제5항에 있어서, 상기 인장응력막과 압축응력막을 각각 2.5㎛, 0.5㎛두께로 10회이상 반복 적층하여 SiO₂보호층을 제작하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 보호층 제조방법.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 인장응력막의 제조시 반응가스를 SiH₄: 6∼10sccm, N₂O : 100∼400sccm범위로 투입하고, 압축 응력막의 제조시 반응가스를 SiH₄: 10∼20sccm, N₂O : 100∼400sccm, Ar : 200∼300sccm범위로 투입하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 보호층 제조방법.
제5항에 있어서, Ar에 의한 충돌효과를 증대시킬 수 있도록 상기 압축응력막 제조시 -50∼100V범위의 바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 보호층 제조방법.