KR100279392B1 - 스핀밸브형 박막소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

먼저, 바이어스층 (6) 을 Y 방향으로 착자한다. 이 상태에서 레지스트 경화공정에서의 가열에 의해 교환이방성자계가 작아지거나 소멸되어도 고정자성층 (3) 의 자화 (E) 는 바이어스층 (6) 의 영향을 받아서 Y 방향으로 향하게 된다. 그 후, 상기 바이어스층 (6) 을 X 방향으로 착자한다. 이 제조방법에 의해 종래에 비하여 고정자성층 (3) 의 자화를 보다 Y 방향으로 고정할 수 있다.

Description

스핀밸브형 박막소자 및 그 제조방법
본 발명은 고정자성층 (핀자성층) 의 자화의 방향과 외부자계의 영향을 받는 프리 (free) 자성층의 자화의 방향의 관계에 의해 전기저항이 변화되는 이른바 스핀밸브형 박막소자에 관한 것으로서, 특히 고정자성층의 자화를 적절하게 높이방향으로 고정시킬 수 있도록 한 스핀밸브형 박막소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도 7 은 하드디스크 등의 기록매체로부터의 기록자계를 검출하는 스핀밸브형 박막소자 (스핀밸브형 박막자기헤드) 의 ABS (air bearing surface) 근방에서의 단면도, 도 8 은 슬라이더상에 형성된 박막자기헤드의 전체구조의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 7 에 나타내는 스핀밸브형 박막소자 (1) 는 거대자기저항효과를 이용한 GMR (giant magnetoresistive) 소자의 1 종으로서, 하드디스크 등의 기록매체로부터의 기록자계를 검출하는 것으로 사용된다.
도 7 에 나타내는 바와 같이 스핀밸브형 박막소자 (1) 는 밑에서부터 프리자성층 (5), 비자성도전층 (4), 고정자성층 (3) 및 반강자성층 (20) 이 적층되고, 그 양측에 하드바이어스층 (6,6) 이 형성되어 있다.
상기 반강자성층 (2) 에는 Fe-Mn (철-망간) 합금막이나 Ir-Mn (이리듐-망간) 합금막, 고정자성층 (3) 및 프리자성층 (5) 에는 Ni-Fe (니켈-철) 합금막, 비자성도전층 (4) 에는 Cu (구리) 막, 또한 하드바이어스층 (6,6) 에는 Co-Pt (코발트-백금) 합금막 등이 일반적으로 사용되고 있다. 그리고, 부호 (7,8) 는 Ta (탄탈) 등의 비자성재료로 형성된 하부층 및 보호층이다.
도 7 에 나타내는 바와 같이 상기 고정자성층 (3) 은 반강자성층 (20) 과 접하여 형성되어 있고, 자장중에서 막형성이 이루어짐으로써, 상기 고정자성층 (3) 과 반강자성층 (20) 의 계면에서 교환결합에 의한 교환이방성자계가 발생하며, 상기 고정자성층 (3) 의 자화는 도시 Y 방향 (높이방향 ; 기록매체로부터의 누설자계방향) 으로 단자구화(單磁區化)되어 고정된다.
상기 하부층 (7) 에서 보호층 (8) 까지의 6 층 (이하, 적층체라 함) 을 막형성한 후, 이온밀링 등의 에칭공정에 의해 상기 적층체의 측부가 경사면이 되도록 절삭되고, 상기 적층체의 양측에 하드바이어스층 (6,6) 이 막형성된다. 그리고, 상기 하드바이어스층 (6,6) 은 X 방향 (트랙폭방향) 으로 착자된다.
또한, 프리자성층 (5) 의 자화는 X 방향으로 자화되어 있는 하드바이어스층 (6,6) 의 영향을 받아 X 방향으로 향해져 있다.
상기 스핀밸브형 박막소자 (1) 에서는 하드바이어스층 (6,6) 상에 형성된 도전층 (9,9) 에서 고정자성층 (3), 비자성도전층 (4) 및 프리자성층 (5) 으로 정상전류 (센스전류) 가 부여된다. 하드디스크 등의 기록매체의 주행방향은 Z 방향으로서, 기록매체로부터의 누설자계가 Y 방향으로 부여되면 프리자성층 (5) 의 자화가 X 에서 Y 방향으로 향하여 변화한다. 이 프리자성층 (5) 내에서의 자화방향의 변동과 고정자성층 (3) 의 고정자화방향과의 관계에 의해 전기저항이 변화하고, 이 전기저항치의 변화에 의거한 전압변화에 의해 기록매체로부터의 누설자계가 검출된다.
상기 스핀밸브형 박막소자 (1) 는 도 8 에 나타내는 바와 같이, 슬라이더 (11) 의 트레일링측단면 (11a) 에 형성된 자성재료제의 하부실드층 (12) 상에, 비자성재료의 하부갭층 (도시하지 않음) 을 통하여 형성된다.
또한, 상기 스핀밸브형 박막소자 (1) 상에는 상부갭층 (도시하지 않음) 을 통하여 자성재료제의 상부실드층 (13) 이 형성되고, 그리고 하부실드층 (12) 에서 상부실드층 (13) 까지의 층이 판독헤드 (h1) 로 기능한다.
또한, 상기 상부실드층 (13) 은 인덕티브헤드 (h2) (기록용 헤드) 로서의 하부코어층으로도 기능하고 있다.
이 인덕티브헤드 (h2) 에서는 도 9 에 나타내는 바와 같이 상기 하부코어층 (13) 상에 Al2O3(알루미나) 등의 비자성재료로 형성된 갭층 (14) 이 형성되고, 나아가 상기 갭층 (14) 상에 레지스트층 (15) 이 형성된다.
상기 레지스트층 (15) 상에는 나선형상 (도 8 참조) 으로 형성된 코일층 (16) 이 형성되고, 나아가 코일층 (16) 상에는 레지스트층 (17) 이 형성되어 있다.
그리고, 상기 레지스트층 (17) 상에는 퍼멀로이 등의 자성재료가 도금되어 상부코어층 (18) 이 형성되어 있다.
이 인덕티브헤드 (h2) 에서는 코일층 (16) 으로 기록전류가 부여되고, 코일층 (16) 에서 상부코어층 (18) 및 하부코어층 (13) 으로 기록자계가 부여된다. 그리고, 자기갭 (G) 의 부분에서의, 하부코어층 (13) 과 상부코어층 (18) 사이에서의 누설자계에 의해 하드디스크 등의 기록매체에 자기신호가 기록된다.
이상과 같이, 도 7 에 나타내는 스핀밸브형 박막소자 (1) 의 프리자성층 (5), 비자성도전층 (4), 고정자성층 (3) 및 반강자성층 (20) 으로 이루어지는 적층체를 형성한 후, 즉 반강자성층 (20) 을 자장중에서 막형성하여 교환이방성자계를 발생시킨 후에 상기 적층체의 막 양측에 하드바이어스층 (6,6) 을 형성하고, 나아가 상기 하드바이어스층 (6,6) 을 X 방향 (트랙폭방향) 으로 착자하고 있다.
그 후에 도 9 에 나타내는 인덕티브헤드 (h2) 를 스핀밸브형 박막소자 (1) 상에 형성한다.
상기 인덕티브헤드 (h2) 의 제조공정에서는 도 9 에 나타내는 레지스트층 (15,17) 의 절연성을 향상시키기 위하여 상기 레지스트층 (15,17) 을 형성한 후, 가열하여 상기 레지스트층 (15,17) 을 경화시킬 필요가 있다.
그런데, 레지스트층 (15,17) 을 경화시키기 위한 가열을 하면 도 7 에 나타내는 Y 방향으로 고정되어 있던 고정자성층 (3) 의 자화가 X 방향으로 변동되어 스핀밸브형 박막소자 (1) 의 재생특성이 악화되는 문제가 발생한다.
이는 반강자성층 (20) 으로 사용되는 반강자성재료의 블로킹온도와, 레지스트층을 경화시키기 위한 가열온도의 관계 및 하드바이어스층 (6) 의 착자방향에 원인이 있다.
상기 종래의 반강자성층 (20) 은 Fe-Mn 합금막이나 Ir-Mn 합금막으로 형성되어 있는데, Fe-Mn 합금막의 블로킹온도 (교환이방성자계가 소멸되는 온도) 는 약 150 ℃, Ir-Mn 합금막의 블로킹온도는 약 260 ℃ 이다.
도 10 (a,b) 은 고정자성층 (3) 및 하드바이어스층 (6) 을 바로 위에서 본 경우의 모식도이고, 도 10 (a) 은 레지스트 경화공정전에 있어서의 고정자성층 (3) 및 하드바이어스층 (6) 의 자화방향을 나타내고, 도 10 (b) 은 레지스트 경화공정후에 있어서의 상기 고정자성층 (3) 및 하드바이어스층 (6) 의 자화방향을 나타내고 있다.
도 10 (a) 에 나타내는 바와 같이 레지스트 경화공정전 (가열전) 의 단계에서는, 고정자성층 (3) 의 중앙영역에 있어서의 자화 (B) 는 반강자성층 (20) 과의 계면에서 발생하는 Y 방향의 교환이방성자계에 의해 Y 방향 (높이방향) 으로 고정되어 있다.
단, 상기 고정자성층 (3) 의 양단영역에 있어서의 자화 (C) 는 인접하는 하드바이어스층 (6) 의 X 방향 (트랙폭방향) 의 자화 (A) 의 영향을 받기 쉽게 되어 있기 때문에 상기 자화 (C) 는 Y 방향에서 X 방향으로 경사진 방향으로 고정된다.
그리고, 도 10 (a) 에 나타내는 자화상태에서 레지스트층을 경화시키기 위한 가열을 하는데, 이 때의 가열온도는 약 250 ℃ 정도이기 때문에, 반강자성층 (20) (도 7 참조) 을 Fe-Mn 합금막으로 형성한 경우, Fe-Mn 합금막의 블로킹온도 (약 150 ℃) 보다 높은 온도로 가열을 하게 되거나, 혹은 상기 반강자성층 (20) 을 Ir-Mn 합금막으로 형성한 경우, Ir-Mn 합금막의 블로킹온도 (약 260 ℃) 와 같은 정도의 온도로 가열을 하게 된다.
그러나, 레지스트층 (15,17) 을 경화시키기 위하여 약 250 ℃ 의 가열을 하면 Y 방향으로 발생하고 있던 교환이방성자계가 소멸되기 때문에 상기 고정자성층 (3) 은 X 방향으로 자화되어 있는 하드바이어스층 (6) 의 영향을 강하게 받게 된다.
따라서, 장치내온도를 상온까지 낮추면서 고정자성층 (3) 과 반강자성층 (20) 의 계면에서 교환결합이 재형성되면 그 이방성에 분산이 발생하며, 도 10 (b) 에 나타내는 바와 같이, 특히 하드바이어스층 (6) 의 영향을 받는 고정자성층 (3) 의 양단영역의 자화 (C′,C′) 가 X 방향으로 고정되고, 또한 고정자성층 (3) 의 중앙영역의 자화 (B′) 도 Y 방향에서 X 방향으로 경사진 방향으로 고정된다.
이와 같이 스핀밸브형 박막소자 (1) 의 고정자성층 (3) 의 자화가 그 전영역에서, Y 방향으로 적절하게 고정되지 않음으로써, 헤드출력이 저하하거나, 또한 양호한 비대칭성이 얻어지지 않는 등 재생특성은 악화되어 있었다. 그리고, 비대칭성이란 재생출력파형의 상하비대칭성을 말한다.
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위한 것으로서, 특히 레지스트 경화공정후에도 고정자성층의 자화가 적절하게 높이방향으로 고정되도록 하여 양호한 재생특성을 얻을 수 있도록 한 스핀밸브형 박막소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태의 스핀밸브형 박막소자의 구조를 ABS 면측에서 본 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 제 2 실시형태의 스핀밸브형 박막소자의 구조를 ABS 면측에서 본 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 제 3 실시형태의 스핀밸브형 박막소자의 구조를 ABS 면측에서 본 단면도이다.
도 4 는 슬라이더상에 형성된 박막자기헤드의 형상을 나타내는 부분반단면사시도이다.
도 5 는 도 4 의 Ⅲ 방향에서 본 인덕티브헤드의 구조를 나타내는 부분단면도이다.
도 6 (a) 는 레지스트 경화공정전, 도 6 (b) 는 레지스트 경화공정후에 있어서의 본 발명의 고정자성층 및 하드바이어스층의 자화방향을 바로 위에서 본 경우의 모식도이다.
도 7 은 종래의 스핀밸브형 박막소자의 구조를 ABS 면측에서 본 단면도이다.
도 8 은 슬라이드상에 형성된 박막자기헤드의 형상을 나타내는 부분반단면사시도이다.
도 9 는 인덕티브헤드의 구조를 나타내는 부분단면도이다.
도 10 (a) 는 레지스트 경화공정전, (b) 는 레지스트 경화공정후에 있어서의 종래의 고정자성층 및 하드바이어스층의 자화방향을 바로 위에서 본 경우의 모식도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1: 스핀밸브형 박막소자 2: 반강자성층
3: 고정자성층 4: 비자성도전층
5: 프리자성층 6: 하드바이어스층
13: 하부코어층 15, 17: 레지스트층
16: 코일층 18: 상부 코어층
h1: 판독헤드 h2: 인덕티브헤드
본 발명은 반강자성층과, 이 반강자성층과 접하여 형성되어 상기 반강자성층과의 교환이방성자계에 의해 자화방향이 고정되는 고정자성층과, 상기 고정자성층에 비자성도전층을 통하여 형성된 프리자성층을 가지며, 또한 상기 프리자성층의 자화방향을 상기 고정자성층의 자화방향과 교차하는 방향으로 향하게 하는 바이어스층과, 고정자성층과 비자성도전층과 프리자성층에 검출전류를 부여하는 도전층이 형성되어 이루어지고, 상기 고정자성층의 중앙영역에 있어서의 자화는 높이방향으로 고정되고, 상기 고정자성층의 양측영역에 있어서의 자화는 높이방향에 대하여 비스듬히 경사진 방향으로 고정되어 있는 스핀밸브형 박막소자이다.
또한 본 발명은 상기 반강자성층이 PtMn 합금으로 형성된 것이 바람직하다.
또한, PtMn 합금 대신에 X-Mn 합금 (X ＝ Pd, Rh, Ru, Ir, Os) 혹은 Pt-Mn-X 합금 (X ＝ Ni, Pd, Rh, Ru, Ir, Cr, Co) 이 반강자성층으로 사용되어도 된다.
또한, 본 발명은 스핀밸브형 박막소자의 제조방법에 있어서,
반강자성층, 고정자성층, 비자성도전층 및 프리자성층을 가지는 적층체를 형성하고, 상기 반강자성층과의 교환결합에 의해 상기 고정자성층의 자화를 높이방향으로 고정하는 공정과,
상기 적층체의 양측에 바이어스층을 형성하고, 상기 바이어스층을 높이방향으로 착자하는 공정과,
상기 적층체와 바이어스층을 형성한 후의 가열공정과,
상기 가열공정후에 트랙폭방향으로 자장을 부여하여 상기 바이어스층을 트랙폭방향으로 재착자하는 공정을 가지는 것이다.
예컨대 상기 가열공정은 상기 적층체와 바이어스층으로 이루어지는 박막소자상에 인덕티브헤드를 형성할 때에, 이 인덕티브헤드의 절연층이 되는 레지스트층을 경화시키기 위한 것이다.
또한 본 발명에서는 상기 가열공정을 반강자성층의 블로킹온도 이하의 온도에서 수행하는 것이 필요하다.
본 발명에서는 반강자성층의 블로킹온도가 가열공정에서의 온도보다 높아지도록 상기 반강자성층을 PtMn 합금막으로 형성하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서는 PtMn 합금 대신에 X-Mn 합금 (X ＝ Pd, Rh, Ru, Ir, Os) 혹은 Pt-Mn-X 합금 (X ＝ Ni, Pd, Rh, Ru, Ir, Cr, Co) 을 반강자성층으로 사용하여도 된다.
스핀밸브형 박막소자상에 도 5 에 나타내는 인덕티브헤드 (h2) 가 적층된 이른바 복합형 박막자기헤드에서는 코일층 (16) 의 코어층 (13,18) 과의 절연성을 유지하기 위한 레지스트층 (15,17) 을 경화시키기 위하여 약 250 ℃ 의 가열을 한다.
본 발명에서는 레지스트 경화공정후 (가열후) 에도 스핀밸브형 박막소자의 고정자성층의 자화를 적절하게 높이방향으로 고정하기 위하여 레지스트 경화공정전에 있어서의 하드바이어스층을 높이방향으로 착자하고 있다.
따라서, 레지스트 경화공정에서 가열이 이루어지고, 고정자성층과 방강자성층의 계면에서 발생한 교환이방성자계가 소멸, 혹은 작아져도 고정자성층의 자화는 높이방향으로 착자된 하드바이어스층의 영향을 받게 된다.
장치내온도를 상온까지 낮추고, 상기 고정자성층과 반강자성층의 계면에서 교환결합이 재형성되면 상기 교환결합에 의한 교환이방성자계는 적절하게 높이방향으로 향하게 되고, 고정자성층의 자화는 높이방향으로 고정된다.
그 후, 하드바이어스층은 트랙폭방향으로 재착자되므로, 고정자성층의 양단영역의 자화는 상기 하드바이어스층의 영향을 받아서 트랙폭방향으로 경사지지만, 고정자성층의 중앙영역의 자화는 높이방향으로 향해진 교환이방성자계에 의해 적절하게 높이방향으로 고정되며, 따라서 종래에 비하여 높은 헤드출력, 양호한 비대칭성을 얻을 수 있다.
특히 본 발명에서는 반강자성층으로서 Pt-Mn (백금-망간) 합금막을 사용하는 것이 바람직하다.
Pt-Mn 합금막의 블로킹온도는 약 380 ℃ 로서, 레지스트 경화공정에 있어서의 가열온도 (약 250 ℃) 보다 높다.
따라서, 반강자성층으로서 Pt-Mn 합금막을 사용하면 레지스트 경화공정에서의 가열에 의해서도 교환이방성자계는 소멸되지 않고 고정자성층의 자화를 적절하게 높이방향으로 고정할 수 있으며, 반강자성층으로서 Fe-Mn 합금막이나 Ir-Mn 합금막을 사용한 경우에 비하여 높은 헤드출력 및 양호한 비대칭성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 제조방법을 사용하면 레지스트 경화공정의 가열온도 이하의 블로킹온도를 가지는 Fe-Mn 합금막이나 Ir-Mn 합금막 등의 반강자성재료를 반강자성층으로 사용하여도 종래에 비하여 헤드출력이나 비대칭성 등의 재생특성을 향상시킬 수 있다.
도 1 은 하드디스크 등의 기록매체로부터의 기록자계를 검출하는 본 발명의 제 1 실시형태를 나타내는 스핀밸브형 박막소자 (스핀밸브형 박막자기헤드) 의 ABS 면 근방에서의 단면도, 도 2 는 본 발명의 제 2 실시형태를 나타내는 스핀밸브형 박막소자의 ABS 면 근방에서의 단면도, 도 3 은 본 발명의 제 3 실시형태를 나타내는 스핀밸브형 박막소자의 ABS 면 근방에서의 단면도, 도 4 는 슬라이더상에 형성된 박막자기헤드의 전체구조의 개략을 나타내는 사시도, 도 5 는 인덕티브헤드의 구조를 나타내는 도 4 의 Ⅲ 방향에서 본 부분단면도이다.
도 1 내지 도 3 에 나타내는 스핀밸브형 박막소자 (1) 는 하드디스크장치에 형성된 도 4 에 나타내는 부상식 슬라이더 (11) 의 트레일링측단부 (11a) 등에 형성되어 하드디스크 등의 기록자계를 검출하는 것이다.
도 1 내지 도 3 의 가장 아래에 형성되어 있는 것은 Ta (탄탈) 등의 비자성재료로 형성된 하부층 (7) 이다.
도 1 에서는 이 하부층 (7) 상에 반강자성층 (2), 고정자성층 (핀자성층) (3), 비자성도전층 (4) 및 프리자성층 (5) 이 연속하여 적층되어 있다.
또한, 반대로 도 2 에 나타내는 바와 같이 상기 하부층 (7) 상에 프리자성층 (5), 비자성도전층 (4), 고정자성층 (3), 및 반강자성층 (2) 의 순으로 적층되어 있어도 된다.
또 도 3 에 나타내는 바와 같이 프리자성층 (5) 의 상하에 비자성도전층 (4) 이, 상기 비자성도전층 (4) 의 상하에 고정자성층 (3) 이, 상기 고정자성층 (3) 의 상하에 반강자성층 (2) 이 적층된 듀얼형의 스핀밸브형 박막소자라도 된다.
도 1 내지 도 3 에 나타내는 바와 같이 가장 위에 형성된 층은 Ta (탄탈) 등의 비자성재료로 형성된 보호층 (8) 이다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 하부층 (7) 에서 보호층 (8) 까지의 6 층 (이하, 적층체라 함) 및 도 3 에 나타내는 바와 같이 하부층 (7) 에서 보호층까지의 9 층 (이하, 적층체라 함) 은 그 측면이 경사면으로 형성되고, 상기 적층체의 양측에 하드바이어스층 (6,6) 및 도전층 (9,9) 이 적층되어 있다.
이어서 각층의 재질에 대하여 설명한다.
먼저 본 발명에서는 반강자성층 (2) 이 Pt-Mn (백금-망간) 합금막으로 형성되어 있다. Pt-Mn 합금막은 Fe-Mn 합금막, Ir-Mn 합금막 등에 비하여 블로킹온도가 높다.
Fe-Mn 합금막의 블로킹온도는 약 150 ℃, Ir-Mn 합금막의 블로킹온도는 약 260 ℃ 인데 비하여 Pt-Mn 합금막의 블로킹온도는 약 380 ℃ 이다.
또한, Pt-Mn 합금막을 반강자성층 (2) 으로 사용하면 도 1 에 나타내는 바와 같이 상기 반강자성층 (2) 이 고정자성층 (3) 의 아래쪽에 형성되어도, 혹은 도 2 에 나타내는 바와 같이 고정자성층 (3) 의 위쪽에 형성되어도, 모두 상기 고정자성층 (3) 과의 계면에서 교환이방성자계를 발생할 수 있다.
즉, Pt-Mn 합금막은 반강자성층 (2) 이 고정자성층 (3) 의 상하 어느쪽에나 형성될 수 있는 도 3 의 듀얼 밸브형 박막소자에는 가장 적합한 반강자성재료 중 하나라고 할 수 있다.
한편, Fe-Mn 합금막이나 Ir-Mn 합금막의 경우에는 도 7 에 나타내는 바와 같이, 반강자성층 (20) 이 고정자성층 (3) 의 위쪽에 형성되는 경우에만, 상기 고정자성층 (3) 과의 계면에서 교환이방성자계가 발생한다.
그 외에도 Pt-Mn 합금막은 내열성이 뛰어나고, 나아가 교환이방성자계 (Hex) 가 큰 등 반강자성재료로서 우수한 특성을 갖고 있다.
또한, 본 발명에서는 Pt-Mn 합금 대신에 X-Mn 합금 (X ＝ Pd, Ru, Ir, Os, Rh) 혹은 Pt-Mn-X 합금 (X ＝ Ni, Pd, Rh, Ru, Ir, Cr, Co) 을 반강자성층 (2) 으로 사용하여도 된다.
그리고, Pt-Mn 합금 및 X-Mn 합금의 조성비는 (Pt, X) : Mn ＝ 1 : 9 ∼ 3 : 7, 또는 1 : 0.7 ∼ 1 : 1.3 이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 : 1 이다.
이어서 본 발명에서는 고정자성층 (3) 및 프리자성층 (5) 은 Ni-Fe 합금막, Co-Fe 합금막, Co-Fe-Ni 합금막, Co 막으로 형성되어 있다.
또한, 비자성도전층 (4) 은 Cu 막, 상기 하드 바이어스층 (6,6) 은 예컨대 Co-Pt (코발트-백금) 합금막이나 Co-Cr-Pt (코발트-크롬-백금) 합금막, 나아가 도전층 (8) 은 Cr (크롬) 이나 Ta (탄탈) 등으로 형성되어 있다.
도 1 내지 도 3 에 나타내는 바와 같이 고정자성층 (3) 은 반강자성층 (2) 과 접하여 형성되고, 이 상태에서 도시 Y 방향 (높이방향 ; 기록매체로부터의 누설자계방향) 으로 자장을 가하면서 열처리가 이루어짐으로써, 양층의 계면에서 교환이방성자계가 얻어지고, 상기 고정자성층 (2) 의 자화방향이 Y 방향으로 단자구화되어 고정된다.
또한 상기 하드바이어스층 (6,6) 은 도시 X 방향 (트랙폭방향) 으로 자화되어 있고, 프리자성층 (5) 의 자화는 상기 하드바이어스층 (6,6) 의 영향을 받아서 X 방향으로 향하게 된다.
도 6 (b) 는 고정자성층 (3) 및 하드바이어스층 (6) 을 바로 위에서 본 경우의 모식도이다. 이 도 6 (b) 에 나타내는 고정자성층 (3) 의 자화방향이 본 발명의 특징이다.
도 6 (b) 에 나타내는 바와 같이 고정자성층 (3) 의 중앙영역에 있어서의 자화 (G) 는 Y 방향 (높이방향) 으로 고정되어 있다. 이는, X 방향 (트랙폭방향) 으로 자화되어 있는 하드바이어스층 (6) 으로부터 거리적으로 떨어져 있기 때문에, 상기 고정자성층 (3) 의 중앙영역에 있어서의 자화 (G) 는 상기 바이어스층 (6) 의 영향을 그다지 받지 않고 반강자성층 (2) (도 1 ∼ 도 3 참조) 과의 계면에서 발생한 Y 방향의 교환이방성자계의 영향을 보다 강하게 받기 때문이다.
이에 비하여, 상기 고정자성층 (3) 의 양단영역에 있어서의 자화 (H) 는 Y 방향에서 X 방향으로 경사진 방향으로 고정되어 있다. 이는 상기 양단영역에 있어서의 자화 (H) 는 Y 방향의 교환이방성자계뿐 아니라 인접하는 X 방향으로 자화되어 있는 하드바이어스층 (6) 의 영향도 받기 쉽게 되어 있기 때문이다.
도 1 내지 도 3 에 나타내는 스핀밸브형 박막소자는 도전층 (9) 에서 고정자성층 (3), 비자성도전층 (4) 및 프리자성층 (5) 으로 정상전류 (센스전류) 가 부여되고, 또한 기록매체에서 Y 방향으로 자계가 부여되면 프리자성층 (5) 의 자화방향이 X 방향에서 Y 방향으로 향하여 변화한다. 이 때, 프리자성층 (5) 과 고정자성층 (3) 중 한쪽의 층에서 다른쪽의 층으로 이동하고자 하는 전자가, 비자성도전층 (4) 과 고정자성층 (3) 의 계면, 또는 비자성도전층 (4) 과 프리자성층 (5) 의 계면에서 산란을 일으켜 전기저항이 변화한다. 따라서, 정상전류가 변화하여 검출출력을 얻을 수 있다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 스핀밸브형 박막소자에서는 전자산란이 일어나는 장소가 비자성도전층 (4) 과 프리자성층 (5) 의 계면, 및 비자성도전층 (4) 과 고정자성층 (3) 의 계면의 2 개소인데 비하여, 도 3 에 나타내는 듀얼 스핀밸브형 박막소자에서는 전자산란이 일어나는 장소가 비자성도전층 (4) 과 프리자성층 (5) 의 2 개소의 계면과, 비자성도전층 (4) 과 고정자성층 (3) 의 2 개소의 계면의 계 4 개소이므로, 듀얼 스핀밸브형 박막소자가 싱글 스핀밸브형 박막소자에 비하여 저항변화율은 커진다.
도 1 내지 도 3 에 나타내는 스핀밸브형 박막소자 (1) 는 도 4 에 나타내는 바와 같이 슬라이더 (11) 의 트레일링단부 (11a) 에 형성된 자성재료제의 하부실드층 (12) 상에 비자성재료제의 하부갭층 (도시하지 않음) 을 통하여 형성되고, 나아가 상기 스핀밸브형 박막소자 (1) 상에 비자성재료제의 상부갭층 (도시하지 않음) 을 통하여 자성재료제의 상부실드층 (13) 이 형성된다.
그리고, 상기 하부실드층 (11) 에서 상부실드층 (13) 까지의 층이 판독헤드 (h1) 로 기능하고 있다.
도 4 에 나타내는 박막자기헤드는 상기 판독헤드 (h1) 상에 기록용 인덕티브헤드 (h2) 가 적층된 이른바 복합형 박막자기헤드로서, 상기 상부실드층 (13) 이 인덕티브헤드 (h2) 의 하부코어층으로도 기능하고 있다.
이어서, 상기 인덕티브헤드 (h2) 의 구조에 대하여 도 5 를 참조하여 설명한다.
도 5 에 나타내는 바와 같이 상기 하부코어층 (13) 상에는 알루미나 등으로 형성된 갭층 (14) 이 형성되고, 나아가 상기 갭층 (14) 의 위에 레지스트층 (15) 이 형성되어 있다.
상기 레지스트층 (15) 의 위에는 평면적으로 나선형상으로 형성된 코일층 (16) (도 4 참조) 이 형성되고, 나아가 상기 코일층 (16) 상에 레지스트층 (17) 을 통하여 상부코어층 (18) 이 형성된다.
상기 하부코어층 (13) 에서 상부코어층 (18) 까지의 층이 인덕티브헤드 (h2) 로서 기능하고 있고, 상기 인덕티브헤드 (h2) 에서는 코일층 (16) 에 기록전류가 부여되고, 코일층 (16) 에서 하부코어층 (13) 및 상부코어층 (18) 으로 기록자계가 유도된다. 그리고, 자기갭 (G) 의 부분에서 하부코어층 (13) 과 상부코어층 (18) 사이의 누설자계에 의해 하드디스크 등의 기록매체에 자기신호가 기록된다.
상술한 바와 같이 코일층 (16) 과 코어층 (13,18) 사이에는 레지스트층 (15,17) 이 개재하고 있고, 이 레지스트층 (15,17) 에 의해 상기 코일층 (16) 과 코어층 (13,18) 사이의 절연성이 유지된다.
그리고, 절연성을 향상시키기 위하여 각 레지스트층 (15,17) 을 형성한 단계에서, 가열하고 혹은 가열과 함께 자외선 (UV) 을 조사하여 상기 레지스트층 (15,17) 을 경화시키고 있다.
본 발명에서는 레지스트경화공정후 (가열후) 의 고정자성층 (3) 의 자화를 적절하게 Y 방향 (높이방향) 으로 고정할 수 있도록 하기 위하여 다음에 설명하는 제조방법에 따라 스핀밸브형 박막소자 (1) 를 형성하였다.
먼저, 도 1 내지 도 3 에 나타내는 하부층 (7) 에서 보호층 (8) 까지의 적층체를 하부갭층 (도시하지 않음) 상에 막형성한다.
또한 본 발명에서는 도 1 내지 도 3 에 나타내는 반강자성층 (2) 을 블로킹온도가 약 380 ℃ 로 높은 Pt-Mn 합금막으로 형성하는 것이 바람직하다.
또한 Pt-Mn 합금막 대신에 X-Mn 합금 (X ＝ Pd, Rh, Ru, Ir, Os) 혹은 Pt-Mn-X 합금 (X ＝ Ni, Pd, Rh, Ru, Ir, Cr, Co) 을 반강자성층 (2) 으로 사용하여도 된다.
이어서, Y 방향으로 자장중 어닐 (열처리) 을 실시하고, 반강자성층 (2) 과 고정자성층 (3) 의 계면에서 교환이방성자계를 발생시켜 상기 고정자성층 (2) 을 Y 방향으로 고정한다.
그리고, Pt-Mn 합금막은 자장중에서 어닐처리를 실시함으로써, 교환이방성자계가 발생하지만, 만일 반강자성층 (2) 에 Fe-Mn 합금막이나 Ir-Mn 합금막을 사용한 경우, 자장중에서 막형성함으로써 교환이방성자계가 발생한다.
이어서, 상기 하부층 (7) 에서 보호층 (8) 까지의 적층체의 양측을 도 1 내지 도 3 에 나타내는 바와 같이 경사면으로 절삭하고, 상기 적층체의 양측에 하드바이어스층 (6,6) 및 도전층 (9,9) 을 적층한다.
종래에는 하드바이어스층 (6,6) 을 X 방향 (트랙폭방향) 으로 착자하였으나, 본 발명에서는 먼저 하드바이어스층 (6,6) 을 Y 방향으로 착자한다.
그 자화상태를 모식적으로 나타낸 것이 도 6 (a) 이다. 도 6 은 고정자성층 (3) 및 하드바이어스층 (6) 을 바로 위에서 본 경우의 모식도이다.
도 6 (a) 에 나타내는 바와 같이 고정자성층 (3) 의 자화 (E) 및 하드바이어스층 (6) 의 자화 (D) 는 모두 Y 방향으로 향해져있다.
이어서, 스핀밸브형 박막소자 (1) 상에 도 5 에 나타내는 하부코어층 (13), 갭층 (14) 및 레지스트층 (15) 을 적층하고, 그 후 가열하여 상기 레지스트층 (15) 을 경화시킨다.
레지스트 경화공정에서는 먼저 실온에서 약 250 ℃ 가 될 때까지 수분 ∼ 수십분 동안 서서히 장치내온도를 올리면서 약 250 ℃ 에서 수십분 유지한다.
이 때, 고정자성층 (3) 의 자화 (E) 는 Y 방향으로 고정된 채이다.
250 ℃ 까지 가열함으로써 고정자성층 (3) 과 반강자성층 (2) 의 계면에서 발생한 교환이방성자계는 작아지거나, 혹은 블로킹온도가 250 ℃ 이하의 반강자성재료를 반강자성층 (2) 으로 사용한 경우, 상기 교환이방성자계는 소멸되지만, 본 발명에서는 상술한 바와 같이 하드바이어스층 (6,6) 을 Y 방향으로 착자하고 있으며, 또한 상기 하드바이어스층 (6,6) 의 퀴리온도 (잔류자화가 소멸되는 온도) 는 매우 높다.
그래서, 도 6 (a) 에 나타내는 하드바이어스층 (6,6) 의 자화 (D) 는 약 250 ℃ 의 가열이 이루어져도 Y 방향으로 적절하게 향해져 있다.
따라서, 고정자성층 (3) 의 자화 (E) 는 하드바이어스층 (6,6) 의 자화 (D) 의 영향을 받아서 Y 방향으로 향해져 있고, 또한 본 발명과 같이 반강자성층 (2) 에 Pt-Mn 합금막을 사용하면 250 ℃ 의 가열하에서도 충분한 교환이방성자계가 얻어지므로, 고정자성층 (3) 의 자화 (E) 를 보다 적절하게 Y 방향으로 향하게 할 수 있다.
그리고, 장치내온도를 약 250 ℃에서 실온까지 수십분 동안 서서히 낮추어 가면 고정자성층 (3) 과 반강자성층 (2) 의 계면에서 Y 방향의 교환이방성자계가 다시 발생하여 고정자성층 (3) 의 자화 (E) 가 높이방향으로 고정된다.
도 5 에 나타내는 레지스트층 (15) 을 경화시킨 후, 코일층 (16) 을 형성하고, 또 레지스트층 (17) 을 형성한다.
이 레지스트층 (17) 에도 상술한 레지스트 경화공정을 실시하여 상기 레지스트층 (17) 을 경화시킨다.
그리고 도 5 에 나타내는 상부코어층 (18) 을 상기 레지스트층 (17) 상에 형성한다.
이어서, 본 발명에서는 상온에서 하드바이어스층 (6) 을 X 방향 (트랙폭방향) 으로 착자한다.
그 때의 고정자성층 (3) 의 자화방향 및 하드바이어스층 (6,6) 의 자화방향을 나타낸 것이 도 6 (b) 이다.
도 6 (b) 에 나타내는 바와 같이 하드바이어스층 (6,6) 을 X 방향으로 착자함으로써, 상기 하드바이어스층 (6) 과 인접하는 고정자성층 (3) 의 양단영역의 자화 (H) 는 Y 방향에서 X 방향으로 경사진 방향으로 고정되지만, 상기 고정자성층 (3) 의 중앙영역의 자화 (G) 는 상기 하드바이어스층 (6) 으로부터 거리적으로 떨어져 있기 때문에, 반강자성층 (2) 과의 계면에서 발생한 교환이방성자계에 의해 Y 방향으로 적절하게 고정된다.
이상과 같이 본 발명에서는 레지스트 경화공정전 (가열전) 에 하드바이어스층 (6) 을 Y 방향 (높이방향) 으로 착자해 놓고, 레지스트 경화공정후 (가열후) 에 하드바이어스층 (6) 을 X 방향 (트랙폭방향) 으로 재착자하고 있다.
그래서, 레지스트 경화공정에서의 가열에 의해 고정자성층 (3) 과 반강자성층 (2) 의 계면에서 발생한 교환이방성자계가 작아지거나 소멸되어도 고정자성층 (3) 의 자화는 하드바이어스층 (6) 의 Y 방향의 자화의 영향을 받아서 Y 방향으로 향해진다.
장치내온도를 상온까지 낮추고, 상기 고정자성층과 반강자성층의 계면에서 교환결합이 재형성되면 상기 교환결합에 의한 교환이방성자계는 적절하게 높이방향으로 향해져 고정자성층의 자화는 높이방향으로 고정된다.
그 후, 하드바이어스층은 트랙폭방향으로 재착자되므로, 고정자성층의 양단영역의 자화는 상기 하드바이어스층의 영향을 받아서 트랙폭방향으로 경사지지만, 고정자성층의 중앙영역의 자화는 높이방향으로 향해진 교환이방성자계에 의해 적절하게 높이방향으로 고정되며, 따라서 종래에 비하여 높은 헤드출력, 양호한 비대칭성을 얻을 수 있다.
특히 본 발명에서는 반강자성층으로 Pt-Mn 합금막을 사용하는 것이 바람직하고, 상기 반강자성층으로 Pt-Mn 합금막을 사용하면 레지스트 경화공정에서의 가열에 의해서도 교환이방성자계는 소멸되지 않고 고정자성층의 자화를 적절하게 높이방향으로 고정할 수 있으며, 반강자성층으로 Fe-Mn 합금막이나 Ir-Mn 합금막을 사용한 경우에 비하여 높은 헤드출력 및 양호한 비대칭성을 얻을 수 있다.
실시예
본 발명에서는 반강자성층에 Pt-Mn 합금막, Fe-Mn 합금막 및 Ir-Mn 합금막을 사용한 3 종류의 스핀밸브형 박막소자를 제조하고, 각 스핀밸브형 박막소자에 있어서의 재생특성의 하드바이어스층의 착자방향 의존성을 조사한다.
스핀밸브형 박막소자의 막구성은 3 종류 모두 다음과 같다.
보호층 : Ta (50) / 프리자성층 : NiFe (70) / 프리자성층 : Co (20) / 비자성도전층 : Cu (25) / 고정자성층 : Co (30) / 반강자성층 (250)
그리고, 괄호안의 수치는 막두께를 나타내며 단위는 옹스트롬이다.
또한, 하드바이어스층을 3 종류 모두 막두께 300 옹스트롬의 Co-Pt 합금막으로 형성한다. 그리고, Co-Pt 합금막의 보자력 (coercive force)(Hc) 은 1500 (Oe : 에르스텟), 잔류자화 (Mr) 는 1.0 (T : 테슬라), 퀴리온도는 700 ℃ 이었다.
또한 반강자성층으로 사용되는 Pt-Mn 합금막의 조성비를 (Pt : Mn) ＝ (50 : 50), Fe-Mn 합금막의 조성비를 (Fe : Mn) ＝ (50 : 50), Ir-Mn 합금막의 조성비를 (Ir : Mn) ＝ (25 : 75) 로 하였다.
그리고, Pt-Mn 합금막의 블로킹온도는 약 380 ℃, Fe-Mn 합금막의 블로킹온도는 약 150 ℃, Ir-Mn 합금막의 블로킹온도는 260 ℃ 이다.
실험에서는 각 스핀밸브형 박막소자의 하드바이어스층을 착자하지 않는 경우 (종례예 1), 트랙폭방향으로 착자한 경우 (종례예 2), 높이방향으로 착자한 경우 (실시예) 의 3 패턴에 대하여 실시하고, 레지스트 경화공정과 동일한 조건으로 스핀밸브형 박막소자를 가열하였다. 또한 하드바이어스층을 착자할 때의 외부자계의 크기는 1000 (Oe) 이었다.
가열조건은 장치내온도를 실온에서 250 ℃ 까지 약 15 분 동안 승온하고, 250 ℃ 에서 약 15 분간 유지하고, 실온에서 약 30 분 동안 강온하였다. 또한 이 공정을 3 회 반복하였다.
그 후, 하드바이어스층을 착자하지 않은 경우 (종례예 1) 및 하드바이어스층을 높이방향으로 착자한 경우 (실시예) 의 스핀밸브형 박막소자에 대하여, 1000 (Oe) 의 외부자계를 부여하고, 상기 하드바이어스층을 트랙폭방향으로 착자한다.
그리고, 각 스핀밸브형 박막소자에 있어서의 헤드출력치 (규격화치) 및 비대칭성 (실측치) 을 측정하여 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
하드바이어스막의 착자방향 헤드의 출력 (규격화치) 헤드의 비대칭성(실측치)(%)
Fe50Mn50 Ir25Mn75 Pt50Mn50 Fe50Mn50 Ir25Mn75 Pt50Mn50
Ave Ave Ave Ave/σ Ave/σ Ave/σ
종례예1 특별히 없음(랜덤) 20 50 97 －30/25 －20/15 －6/3
종례예2 트랙방향 10 40 95 －35/30 －25/20 －8/4
본발명 높이방향 40 70 100 －20/15 －15/10 ＋1/1
표 1 에 나타내는 출력치는 반강자성층에 Pt50Mn50을 사용하고, 또한 하드바이어스층을 높이방향으로 착자한 경우에 있어서의 헤드출력을 100 으로 한 경우의 비율이다.
또한 비대칭성의 란에서의 「Ave」의 수치가 비대칭성의 값을 나타내고, 「σ」은 표준편차이다. 비대칭성 및 표준편차 모두 0 (%) 에 가까운 것이 바람직하다.
표 1 에 나타내는 바와 같이 반강자성층에 Fe50Mn50을 사용한 경우, Ir50Mn50을 사용한 경우, Pt50Mn50을 사용한 경우, 모두 하드바이어스층을 높이방향으로 착자하는 것이 높은 헤드출력, 양호한 비대칭성을 얻을 수 있다는 점에서 바람직함을 알 수 있다.
또한, 하드바이어스층을 높이방향으로 착자한 경우에 있어서의 Fe50Mn50, Ir50Mn50, Pt50Mn50의 헤드출력 및 비대칭성을 보면 반강자성층에 Pt50Mn50을 사용한 경우가 가장 높은 헤드출력 및 양호한 비대칭성을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
이는 Pt50Mn50의 블로킹온도 (약 380 ℃) 가 Fe50Mn50의 블로킹온도 (약 170 ℃) 및 Ir50Mn50의 블로킹온도 (약 260 ℃) 보다 높기 때문이다.
이상 상술한 본 발명에 의하면 스핀밸브형 박막소자상에 기록용 인덕티브헤드가 적층되는 경우, 레지스트 경화공정전 (가열전) 에 있어서의 상기 스핀밸브형 박막소자의 하드바이어스층을 높이방향으로 착자해 놓음으로써, 가열에 의해 교환이방성자계가 작아지거나 소멸되어도 고정자성층의 자화를 높이방향으로 향하게 할 수 있다.
따라서, 장치내온도를 낮추면서 교환결합이 재형성되면 교환결합에 의한 교환이방성자계는 높이방향으로 향하고, 상기 고정자성층의 자화를 높이방향으로 적절하게 고정할 수 있다.
그 후, 하드바이어스층을 트랙폭방향으로 착자하므로, 고정자성층의 양단영역에 있어서의 자화는 상기 하드바이어스층의 영향을 받아서 높이방향에서 트랙폭방향으로 경사진 방향으로 고정되지만, 상기 하드바이어스층과 거리적으로 떨어진 고정자성층의 중앙영역의 자화는 높이방향으로 적절하게 고정되고, 따라서 종래에 비하여 높은 출력헤드 및 양호한 비대칭성을 얻을 수 있게 된다.
특히 본 발명에서는 상기 반강자성층에 Pt-Mn 합금막을 사용하는 것이 바람직하다. Pt-Mn 합금막은 종래부터 반강자성층으로 사용되고 있는 Fe-Mn 합금막 등의 블로킹온도보다 높은 블로킹온도를 가지고 있으므로, 레지스트 경화공정에 있어서의 가열에 의해서도 충분한 교환이방성자계를 얻을 수 있고, 보다 적절하게 고정자성층의 자화를 높이방향으로 고정할 수 있기 때문이다.

Claims (14)

  1. 반강자성층과, 이 반강자성층과 접하여 형성되어 상기 반강자성층과의 교환이방성자계에 의해 자화방향이 고정되는 고정자성층과, 상기 고정자성층에 비자성도전층을 통하여 형성된 프리자성층을 가지며, 또한 상기 프리자성층의 자화방향을 상기 고정자성층의 자화방향과 교차하는 방향으로 향하게 하는 바이어스층과, 고정자성층과 비자성도전층과 프리자성층에 검출전류를 부여하는 도전층이 형성되어 이루어지고, 상기 고정자성층의 중앙영역에 있어서의 자화는 높이방향으로 고정되고, 상기 고정자성층의 양측영역에 있어서의 자화는 높이방향에 대하여 비스듬히 경사진 방향으로 고정되어 있는 스핀밸브형 박막소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반강자성층이 PtMn 합금으로 형성된 스핀밸브형 박막소자.
  3. 제 2 항에 있어서, PtMn 합금 대신에 X-Mn 합금 (X ＝ Pd, Rh, Ru, Ir, Os) 이 사용된 스핀밸브형 박막소자.
  4. 제 2 항에 있어서, PtMn 합금 대신에 Pt-Mn-X 합금 (X ＝ Ni, Pd, Rh, Ru, Ir, Cr, Co) 이 사용된 스핀밸브형 박막소자.
  5. 반강자성층, 고정자성층, 비자성도전층 및 프리자성층을 가지는 적층체를 형성하고, 상기 반강자성층과의 교환결합에 의해 상기 고정자성층의 자화를 높이방향으로 고정하는 공정과,
    상기 적층체의 양측에 바이어스층을 형성하고, 상기 바이어스층을 높이방향으로 착자하는 공정과,
    상기 적층체와 바이어스층을 형성한 후의 가열공정과,
    상기 가열공정후에 트랙폭방향으로 자장을 부여하여 상기 바이어스층을 트랙폭방향으로 재착자하는 공정을 가지는 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 가열공정은, 상기 적층체와 바이어스층으로 이루어지는 박막소자상에 인덕티브헤드를 형성할 때에, 이 인덕티브헤드의 절연층이 되는 레지스트층을 경화시키기 위한 것인 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 가열공정을 반강자성층의 블로킹온도 이하의 온도에서 수행하는 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 가열공정을 반강자성층의 블로킹온도 이하의 온도에서 수행하는 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 반강자성층을 PtMn 합금막으로 형성하는 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 반강자성층을 PtMn 합금막으로 형성하는 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서, PtMn 합금 대신에 X-Mn 합금 (X ＝ Pd, Rh, Ru, Ir, Os) 을 사용하는 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서, PtMn 합금 대신에 Pt-Mn-X 합금 (X ＝ Ni, Pd, Rh, Ru, Ir, Cr, Co) 을 사용하는 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서, PtMn 합금 대신에 X-Mn 합금 (X ＝ Pd, Rh, Ru, Ir, Os) 을 사용하는 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
  14. 제 10 항에 있어서, PtMn 합금 대신에 Pt-Mn-X 합금 (X ＝ Ni, Pd, Rh, Ru, Ir, Cr, Co) 을 사용하는 스핀밸브형 박막소자의 제조방법.
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