KR100278479B1 - 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법_ - Google Patents
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Abstract
본 발명은 엑스레이 디텍터에 관한 것으로서, 엑스레이 디텍터 패널과 구동집적회로 사이의 접속 공정시간을 단축하고, 좁은 거리의 접속단자도 접속하도록 하고, 접속 면적도 감소시키는 데 그 목적이 있다.
본 발명은 기판 상에 행으로 배열된 게이트 배선의 끝단에 연결된 게이트 패드와, 열로 배열된 데이터 배선의 끝단에 연결된 데이터 패드와, 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분에 배열된 스위칭소자와, 스위칭소자를 구동하기 위한 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩을 포함하는 엑스레이 디텍터에 있어서, 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩에 돌기전극을 형성하는 단계와, 폴리이미드 필름을 구비하는 단계와, 폴리이미드 필름 상에 위치하는 인너리드 전극과 폴리이미드 필름의 바깥쪽에 위치하는 아웃터리드 전극을 가지는 제 1 및 제 2 리드전극을 형성하는 단계와, 게이트 패드 및 데이터 패드와 제 1 및 제 2 리드전극의 아웃터리드 전극을 연결하고, 스캐닝 및 데이터 집적회로의 돌기전극에 제 1 및 제 2 리드전극의 인너리드전극을 접촉하는 단계를 포함하는 엑스레이 디텍터 제조방법을 개시하고 있다.
Description
본 발명은 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 엑스레이 디텍터 패널과 구동 집적회로 사이의 전기적인 연결을 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package) 또는 칩온글래스(Chip On Glass)방법으로 패키지하는 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
엑스레이 디텍터에 있어서, 외부 집적회로(Integrated Circuit) 칩(Chip)과 엑스레이 디텍터를 접속하는 패키지는 전기적인 접속뿐만 아니라, 전기적 신호전달, 기계적인 지지, 작동중 생성되는 열의 방출 등의 역할을 하게 된다. 최근, 칩 자체의 신호 전달 속도를 패키지가 따라가지 못해 패키지에서 소요되는 신호지연시간이 전체 엑스레이 디텍터의 성능을 결정하게 되어 패키지의 중요성이 점점 더해가고 있다.
엑스레이 디텍터의 패키지 방식은 와이어본딩(Wire Bonding) 방법이 적용되고 있으며, 이는 금(Au), 알루미늄(Al)등의 와이어(Wire)로 칩과 리드프레임에 형성된 패드를 연결하는 방법으로서 일반적인 집적회로 칩에 사용되며 넓은 공정조건을 수용하고 있어 신뢰성이 우수한 본딩방법이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 엑스레이 디텍터 패널(1) 상에서 박막트랜지스터(2)의 게이트 배선(3) 또는 데이터 전극 배선(4)은 집적회로(5)와 와이어(6)로 연결되어 있고, 집적회로(5)와 프린트 회로 기판(7)도 와이어(6)에 의해 접속되어 있다.
그러나, 와이어본딩 방식은 접속단자 하나하나를 접속해 가는 이른바 순차식 접속방법으로써, 엑스레이 디텍터와 같이 접속단자의 접속수가 매우 많은 경우는 시간이 많이 걸리고 접속단자 사이의 거리가 좁으면 연결이 불가능하다. 또한, 와이어 루프의 높이로 인해 접속 면적이 늘어나는 문제점이 있다.
상술한바와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 엑스레이 디텍터 패널과 구동 집적회로 사이의 접속 공정시간을 단축하고, 좁은 거리의 접속단자도 접속하도록 하고, 접속 면적도 감소시키는 데 그 목적이 있다.
도 1은 엑스레이 디텍터 패널과 집적회로가 와이어 본딩방법으로 접속된 단면도.
도 2는 엑스레이 디텍터 패널과 집적회로가 본 발명의 제 1 실시예에 따라 접속된 상태를 도시한 단면도.
도 3은 엑스레이 디텍터 패널의 한쪽 구석을 확대하여 게이트 패드 및 데이터 패드를 나타낸 평면도.
도 4는 엑스레이 디텍터 패널과 집적회로가 본 발명의 제 2 실시예에 따라 접속된 상태를 도시한 단면도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 기판 (Glass) 2 : 박막트랜지스터
6 : 와이어 7 : 프린트 회로 기판
10 : 엑스레이 디텍터패널 2, 11 : 박막트랜지스터
14 : 스캐닝 집적회로 15 : 데이터 집적회로
16 : 돌기전극 17 : 인너리드
18 : 아웃터리드 19 : 테이프 캐리어
20 : 폴리이미드 필름 21 : 이방성도전필름
30 : 게이트 배선 31 : 게이트 전극
32 : 데이터배선 36 : 공통전극
37 : 화소전극 38 : 데이터 패드
40 : 게이트 패드
상술한바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위해 기판 상에 행으로 배열된 게이트 배선의 끝단에 연결된 게이트 패드와, 열로 배열된 데이터 배선의 끝단에 연결된 데이터 패드와, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분에 배열된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 동일 평면상에 상기 스위칭소자와 연결된 스토리지 캐패시터와, 상기 스위칭소자를 구동하기 위한 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩을 포함하는 엑스레이 디텍터를 제조하는 방법에 있어서,
상기 스캐닝 및 상기 데이터 집적회로 칩에 돌기전극을 형성하는 단계와, 상기 스캐닝 및 상기 데이터 집적회로 칩을 구동하도록 각각 제 1 및 제 2 프린트 회로 기판을 구비하는 단계와, 이방성 도전필름과, 폴리이미드 필름을 구비하는 단계와, 상기 폴리이미드 필름 상에 위치하는 인너리드 전극과 상기 폴리이미드 필름의 바깥쪽에 위치하는 아웃터리드 전극을 가지는 제 1 리드전극을 형성하는 단계와, 상기 폴리이미드 필름 상에 위치하는 인너리드 전극과 상기 폴리이미드 필름의 바깥쪽에 위치하는 아웃터리드 전극을 가지는 제 2 리드전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 패드와 상기 제 1 리드전극의 아웃터리드 전극을 상기 이방성 도전필름을 매개로 접촉하고, 상기 스캐닝 집적회로 칩의 돌기전극에 상기 제 1 리드전극의 인너리드 전극 및 상기 제 2 리드전극의 인너리드 전극을 접촉하는 단계와, 상기 제 1 프린트 회로 기판과 상기 제 2 리드전극의 아웃터리드 전극을 접촉하는 단계와, 그리고/또는 상기 데이터 패드와 상기 제 1 리드전극의 아웃터리드 전극을 상기 이방성 도전필름을 매개로 접촉하고, 상기 데이터 집적회로 칩의 돌기전극에 상기 제 1 리드전극의 인너리드 전극 및 제 2 리드전극의 인너리드 전극을 접촉하는 단계와, 상기 제 2 프린트 회로 기판과 상기 제 2 리드전극의 아웃터리드 전극을 접촉하는 단계를 포함하는 엑스레이 디텍터 제조방법을 제시하고 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 행으로 배열된 게이트 배선의 양 끝단에 연결된 게이트 패드와, 상기 게이트 패드의 동일 평면상에 형성된 제 1 게이트 패드와, 상기 제 1 게이트 패드와 전기적으로 연결된 제 2 게이트 패드와, 열로 배열된 데이터 배선의 양 끝단에 연결된 데이터 패드와, 상기 데이터 패드의 동일 평면상에 형성된 제 1 데이터 패드와, 상기 제 1 데이터 패드와 전기적으로 연결된 제 2 데이터 패드와, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분에 배열된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 동일 평면상에 상기 스위칭소자와 연결된 스토리지 캐패시터와, 상기 스위칭소자를 구동하기 위한 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩을 포함하는 엑스레이 디텍터를 제조하는 방법에 있어서,
상기 스캐닝 및 상기 데이터 집적회로 칩을 구동하도록 각각 제 1 및 제 2 플렉시블 프린트 회로 기판을 구비하는 단계와, 이방성 도전필름을 구비하는 단계와; 상기 스캐닝 집적회로 칩에 게이트 패드와 접촉되는 제 1 돌기전극 및 제 2 게이트 패드와 접촉되는 제 2 돌기전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 패드와 상기 스캐닝 집적회로 칩의 제 1 돌기전극을 접촉하는 단계와, 상기 제 1 게이트 패드와 상기 스캐닝 집적회로 칩의 제 2 돌기전극을 접촉하는 단계와, 상기 이방성 도전필름을 매개로 상기 제 1 플렉시블 프린트 회로 기판과 상기 제 2 게이트 패드를 접촉하는 단계와, 그리고/또는 상기 데이터 집적회로 칩에 데이터 패드와 접촉되는 제 1 돌기전극 및 제 2 데이터 패드와 접촉되는 제 2 돌기전극을 형성하는 단계와, 상기 데이터 패드와 상기 데이터 집적회로 칩의 제 1 돌기전극을 접촉하는 단계와, 상기 제 1 데이터 패드와 상기 데이터 집적회로 칩의 제 2 돌기전극을 접촉하는 단계와, 상기 이방성 도전필름을 매개로 상기 제 2 플렉시블 프린트 회로 기판과 상기 제 2 데이터 패드를 접촉하는 단계를 포함하는 엑스레이 디텍터 제조방법을 제시하고 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 구성과 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명의 제 1 실시예인 테이프 캐리어 패키지 방법은 미세회로 선이 형성된 테이프를 사용하여 칩과 기판사이에 형성된 패드를 전기적, 기계적으로 연결하는 방식으로 1960년도 미국 GE(General Electric)사에 의해 처음으로 개념이 도입되었다가 1980년대 이후 많은 기술적인 발전이 있어 왔다.
일반적인 조립 공정을 크게 나누면 인너리드본딩(ILB : Inner Lead Bonding)공정, 캡슐화(Encapsulation)공정, 아우트리드본딩(OLB : Outer Lead Bonding) 공정으로 나눌 수 있는 데 인너리드본딩 공정은 릴투릴(Reel to Reel) 방식으로 이송되는 테이프캐리어와 기판 상의 칩을 위치 정렬하여 열에너지와 압력을 이용하여 접속한다.
캡슐화(Encapsulation) 공정은 인너리드본딩 공정후 칩에 에폭시계 수지를 피막 하여 주위환경으로부터 칩과 인너리드(Inner Lead)를 보호해 주는 역할을 하는 공정이며 아우트리드본딩 공정은 캡슐화 공정 후에 전기적 테스트를 마친 다음에 아우트리드(Outer Lead)를 인쇄회로기판(PCB : Printed Circuit Board) 상에 형성된 패드에 연결하는 공정이다.
해상도가 증가할수록 패드의 정밀도가 높아져 패드 전극의 피치(pitch)가 점점 좁아지기 때문에 접속공정 조건이 갈수록 어려워지고 있다. 또, 이러한 방법에 의한 집적회로 실장방식은 최근 다 핀화, 박형, 소형, 경량화의 요망에 따라 급격히 용도가 넓어지고 있으며 집적회로 칩을 일괄 본딩하는 방식으로 접속 공정이 단순화되어 리페어(repair)가 용이하고 접속불량을 감소시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 테이프 캐리어 패키지(TCP : Tape Carrier Package)를 사용한 엑스레이 디텍터의 부분 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 폴리이미드(Polyimide)필름(20) 상에 스트라이프 형태의 구리 전극을 붙인 도출전극(17, 18)을 부착한다. 이 도출전극(17, 18)은 엑스레이 디텍터 패널(10)측 또는 프린트 회로 기판측(Printed Circuit Board : 23)에 접속하는 아웃터리드(18)와, 스캐닝 집적회로 칩(14) 또는 데이터 집적회로 칩(15)에 접속하는 인너리드(17)로 구성된다. 이 인너리드(17)와 스캐닝 집적회로 칩(14) 및 데이터 집적회로 칩(15)의 접속을 위해 범프라 불리는 돌기전극(16)을 미리 집적회로(14, 15)에 형성해 둘 필요가 있다. 이 돌기전극(16)을 인너리드(17)에 압착하고 가열해서 스캐닝 집적회로 칩(14) 및 데이터 집적회로 칩(15)을 접속한다. 최후에 수지(24)로 캡슐화하고 테이프캐리어를 완성한다.
또한, 이방성 도전필름(21, ACF : Anisotropic Coductive Film)은 열 경화성 수지막 중에 도전성 입자가 분산된 것이기 때문에, 아웃터리드(18)와 게이트 배선 또는 데이터 배선에 연결된 게이트 패드(12) 또는 데이터 패드(13)를 각각 전기적으로 접속한다. 이때, 테이프 캐리어패키지(19) 및 이방성 도전필름(21)의 재질에 따라 적절한 열과 압력을 가할 필요가 있다.
다음에, 구동회로 부품이 실장된 반대의 프린트 회로 기판(23)과 테이프 캐리어 패키지의 아웃터리드(18)는 이방성 도전필름(21) 또는 솔더링(22)을 사용하여 접속하고 구동 테스트를 한다. 검사에서 불량이 발견된 것은 리페어 공정으로 보내어 불량 집적회로를 교체하게 된다.
도 3은 엑스레이 디텍터 패널의 게이트 패드(12) 및 데이터 패드(13) 부분을 확대하여 나타낸 평면도로서 상기 설명된 테이프 캐리어 패키지 방법에 의하여 게이트 패드(12)와 데이터 패드 (13)에 접속되는 부분을 설명하기 위한 도면이다.
도 3에는 박막트랜지스터의 게이트 배선(30), 게이트 전극(31), 데이터 배선 (32), 소스 전극(33), 드레인 전극(34),공통전극(36), 화소전극(37), 게이트 패드(40) 및 콘택홀(41), 데이터 패드(38) 및 콘택홀(39) 등이 나타나 있다.
패널의 한쪽 부분만이 도시되어 있기 때문에, 전 패널의 배선을 볼 수는 없지만 게이트 배선(30)을 행으로 배열하여 각 배선마다 게이트 전극(31)이 연결되어 있고, 그 상부에 데이터 배선(32)을 열로 배열하여 각 배선마다 소스 전극(33)이 연결되어 있다. 또, 소스 전극(33)의 맞은 편에 드레인 전극(34)이 설치되어 박막트랜지스터를 구성하도록 되어 있다.
또한, 드레인 전극(34)에는 콘택홀 (35)이 형성되어 공통전극(36)과 연결되어 있고, 박막트랜지스터 상부에는 화소전극(37)이 설치되어 공통전극(36)과 함께 전하를 저장하는 스토리지 캐패시터를 구성하도록 되어 있다.
스토리지 캐패시터는 엑스레이 광을 받아들여 광 감광물질(도시하지 않음) 내에 형성된 전자 및 정공 페어를 화소전극(37)에 모아 저장한다. 이때, 스캐닝 집적회로 칩(도시하지 않음)은 게이트 배선(30)에 스캐닝 신호를 주어 임의의 게이트 전극(31)에 순차적으로 전압을 인가하고, 데이터 집적회로 칩(도시하지 않음)은 선택된 게이트 전극(31)을 지나는 데이터 배선(32)에 전압을 인가하여 드레인 전극(34)의 콘택홀(35)을 통해 스토리지 캐패시터에 저장된 전하를 외부로 흐르게 한다.
게이트 배선(30)에 스캐닝 신호를 주고 스토리지 캐패시터에 저장된 전하를 외부의 데이터 집적회로 칩으로 흐르게 하기 위해서는 게이트 배선(30)의 게이트 패드(40)와 스캐닝 집적회로(14)를 도 2에 도시된 방법으로 연결하고, 또 데이터 배선(32)의 데이터 패드(38)도 데이터 집적회로 칩(15)과 동일한 방법으로 연결한다. 이러한 접속은 용도에 따라 칩온글래스 등의 다른 방법으로 할 수 있다.
동일한 방법으로 데이터 배선(32)에 연결된 데이터 패드(38)를 얼라인하여 접속하는 경우는 설명이 동일하기 때문에 생략한다.
이하에는 엑스레이 디텍터의 제 2 실시예에 따른 칩온글래스(COG : Chip On Glass) 방식을 설명한 것으로, 본 실시예는 패널과 외부의 스캐닝 집적회로 칩과 데이터 집적회로 칩과의 연결을, 집적회로 칩이 필름 상에 실장되는 테이프 캐리어 패키지 구조와는 달리 패널 상에 직접 실장되도록 한다.
칩온글래스(Chip On Glass) 방식은 집적회로 칩내의 알루미늄 전극부에 반구상의 범프(bump)라 불리는 돌기전극을 설치하고, 이것을 뒤집어 기판의 접속단자와 위치를 맞추어 열 압착에 의해 접속하는 방식이다. 또한, 칩 면적 전체에 범프를 형성할 수 있으며 전극 수에 관계없이 한꺼번에 접속 가능하기 때문에 고밀도 실장을 단시간에 달성할 수 있다. 또한, 가열하여 범프가 녹을 때 표면장력의 작용에 의해, 다소의 위치 어긋남이 있어도 자동적으로 정확한 위치로 돌아오는 성질이 있어서, 자동화가 쉬운 독특한 성질이 있다. 이때, 범프는 실리콘 칩의 단면에서만이 아니라, 어느 곳에서도 나올 수 있기 때문에 단자가 200개 이상이 되면 단연 유리하다.
도 3, 4에 도시된 바와 같이, 엑스레이 디텍터 기판(10) 상에 스캐닝 집적회로 칩(14)에 접속을 위해 범프라 불리는 돌기전극(16)을 미리 집적회로(14, 15)에 형성해 둘 필요가 있다. 이 돌기전극(16)을 기판(10) 상의 게이트 배선(30)에 연결된 게이트 패드(12, 40)에 얼라인하여 열 압착한다. 집적회로 칩이 패널(10) 상에 접속됨으로써 테이프 캐리어 패키지와 같은 부재는 필요 없게 된다. 여기서, 데이터 집적회로 칩(15)도 스캐닝 집적회로(14)와 동일한 방법으로 접속할 수 있고, 용도에 따라 테이프 캐리어 패키지 등의 다른 방법으로 접속할 수 있다. 동일한 방법으로 데이터 배선(32)에 연결된 데이터 패드(38)를 얼라인하여 직접 접속하는 경우는 설명이 동일하기 때문에 생략한다.
다음에, 플렉시블 프린트 회로 기판(25, FPC : Flexible PCB)이 이방성 도전필름(21)을 매개로 직접 기판(10)상에서 접속된다. 이방성 도전필름(21)은 일종의 열 경화성 수지필름 상에 도전성입자가 들어 있어 접착을 하려는 패널(10)과 플렉시블 프린트 회로 기판(25)과 게이트 패드 및 데이터 패드(40, 38)를 정렬하고 열 압착을 하면 수직방향으로 전기적인 접촉을 하게 된다. 이 기술은 제품의 해상도가 높아질수록 고정세 피치가 요구되는 제품에 사용할 수 있고, 칩온글래스 방식의 가장 큰 장점은 코스트 절감과 신뢰성이 향상된다는 것이다.
상술한바와 같이, 본 발명은 엑스레이 디텍터에 있어서, 엑스레이 디텍터 패널과 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩 간의 전기적인 연결을 본 발명의 제 1 실시예인 테이프 캐리어 패키지 또는, 본 발명의 제 2 실시예인 칩온글래스 방법으로 패키지함으로써, 공정시간을 단축하고 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 테이프 캐리어 패키지의 경우는 고분자필름 상에 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩을 실장하는 패키지이기 때문에, 경박단소의 패키지를 할 수 있다.
또한, 해상도가 증가할수록 고 정밀도가 되므로 전극의 피치가 점점 좁아지더라도 실장할 수 있고, 불량이 발생하더라도 리페어가 용이한 효과가 있다.
한편, 칩온글래스(COG : Chip On Glass) 방식은 집적회로 칩을 패널 상에 직접 실장함으로써, 접속안정이 우수하고 접속단자의 부가가 없어 미세 피치의 실장을 할 수 있다. 또한, 접속을 위한 부가 자재가 없으므로 경량화가 가능하고 코스트를 절감할 수 있다.
상술한바와 같은 접속 방법에 의한 집적회로 실장방식은 최근 다 핀화, 박형화, 소형화, 경량화의 요망에 따라 급격히 용도가 넓어지고 있으며, 집적회로 칩을 일괄 본딩하는 방식으로 작업능률의 향상과 고신뢰성의 효과가 있다.
Claims (10)
- 기판 상에 행으로 배열된 게이트 배선의 각 끝단에 연결된 게이트 패드와, 열로 배열된 데이터 배선의 각 끝단에 연결된 데이터 패드와, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분에 배열된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 동일 평면상에 상기 스위칭소자와 연결된 스토리지 캐패시터와, 상기 스위칭소자를 구동하기 위한 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩을 포함하는 엑스레이 디텍터를 제조하는 방법에 있어서,상기 스캐닝 및 상기 데이터 집적회로 칩에 돌기전극을 형성하는 단계와,상기 스캐닝 및 상기 데이터 집적회로 칩을 구동하도록 각각 제 1 및 제 2 프린트 회로 기판을 구비하는 단계와,이방성 도전필름과, 폴리이미드 필름을 구비하는 단계와,상기 폴리이미드 필름 상에 위치하는 인너리드 전극과 상기 폴리이미드 필름의 바깥쪽에 위치하는 아웃터리드 전극을 가지는 제 1 리드전극을 형성하는 단계와,상기 폴리이미드 필름 상에 위치하는 인너리드 전극과 상기 폴리이미드 필름의 바깥쪽에 위치하는 아웃터리드 전극을 가지는 제 2 리드전극을 형성하는 단계와,상기 게이트 패드와 상기 제 1 리드전극의 아웃터리드 전극을 상기 이방성 도전필름을 매개로 접촉하고, 상기 스캐닝 집적회로 칩의 돌기전극에 상기 제 1 리드전극의 인너리드 전극 및 상기 제 2 리드전극의 인너리드 전극을 접촉하는 단계와,상기 제 1 프린트 회로 기판과 상기 제 2 리드전극의 아웃터리드 전극을 접촉하는 단계를 포함하는 엑스레이 디텍터 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 스위칭소자는 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 스캐닝 집적회로 칩의 돌기전극에 상기 제 1 리드전극의 인너리드 전극 및 상기 제 2 리드전극의 인너리드 전극을 접촉하는 단계후에, 상기 스캐닝 집적회로 칩과 상기 제 1 리드전극의 인너리드 전극과 상기 제 2 리드전극의 인너리드 전극을 수지로 캡슐화 하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터 제조방법.
- 기판 상에 행으로 배열된 게이트 배선의 각 끝단에 연결된 게이트 패드와, 열로 배열된 데이터 배선의 각 끝단에 연결된 데이터 패드와, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분에 배열된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 동일 평면상에 상기 스위칭소자와 연결된 스토리지 캐패시터와, 상기 스위칭소자를 구동하기 위한 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩을 포함하는 엑스레이 디텍터를 제조하는 방법에 있어서,상기 스캐닝 및 상기 데이터 집적회로 칩에 돌기전극을 형성하는 단계와,상기 스캐닝 및 상기 데이터 집적회로 칩을 구동하도록 각각 제 1 및 제 2 프린트 회로 기판을 구비하는 단계와,이방성 도전필름과, 폴리이미드 필름을 구비하는 단계와,상기 폴리이미드 필름 상에 위치하는 인너리드 전극과 상기 폴리이미드 필름의 바깥쪽에 위치하는 아웃터리드 전극을 가지는 제 1 리드전극을 형성하는 단계와,상기 폴리이미드 필름 상에 위치하는 인너리드 전극과 상기 폴리이미드 필름의 바깥쪽에 위치하는 아웃터리드 전극을 가지는 제 2 리드전극을 형성하는 단계와,상기 데이터 패드와 상기 제 1 리드전극의 아웃터리드 전극을 상기 이방성 도전필름을 매개로 접촉하고, 상기 데이터 집적회로 칩의 돌기전극에 상기 제 1 리드전극의 인너리드 전극 및 제 2 리드전극의 인너리드 전극을 접촉하는 단계와,상기 제 2 프린트 회로 기판과 상기 제 2 리드전극의 아웃터리드 전극을 접촉하는 단계를 포함하는 엑스레이 디텍터 제조방법.
- 청구항 4에 있어서,상기 스위칭소자는 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터 제조방법.
- 청구항 4에 있어서,상기 데이터 집적회로 칩의 돌기전극에 상기 제 1 리드전극의 인너리드 전극 및 상기 제 2 리드전극의 인너리드 전극을 접촉하는 단계후에, 상기 데이터 집적회로 칩과 상기 제 1 리드전극의 인너리드 전극과 상기 제 2 리드전극의 인너리드 전극을 수지로 캡슐화 하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터 제조방법.
- 기판 상에 행으로 배열된 게이트 배선의 각 끝단에 연결된 게이트 패드와, 상기 게이트 패드의 동일 평면상에 형성된 제 1 게이트 패드와, 상기 제 1 게이트 패드와 전기적으로 연결된 제 2 게이트 패드와, 열로 배열된 데이터 배선의 각 끝단에 연결된 데이터 패드와, 상기 데이터 패드의 동일 평면상에 형성된 제 1 데이터 패드와, 상기 제 1 데이터 패드와 전기적으로 연결된 제 2 데이터 패드와, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분에 배열된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 동일 평면상에 상기 스위칭소자와 연결된 스토리지 캐패시터와, 상기 스위칭소자를 구동하기 위한 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩을 포함하는 엑스레이 디텍터를 제조하는 방법에 있어서,상기 스캐닝 및 상기 데이터 집적회로 칩을 구동하도록 각각 제 1 및 제 2 플렉시블 프린트 회로 기판을 구비하는 단계와,이방성 도전필름을 구비하는 단계와,상기 스캐닝 집적회로 칩에 게이트 패드와 접촉되는 제 1 돌기전극 및 제 2 게이트 패드와 접촉되는 제 2 돌기전극을 형성하는 단계와,상기 게이트 패드와 상기 스캐닝 집적회로 칩의 제 1 돌기전극을 접촉하는 단계와,상기 제 1 게이트 패드와 상기 스캐닝 집적회로 칩의 제 2 돌기전극을 접촉하는 단계와,상기 이방성 도전필름을 매개로 상기 제 1 플렉시블 프린트 회로 기판과 상기 제 2 게이트 패드를 접촉하는 단계를포함하는 엑스레이 디텍터 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 스위칭소자는 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
- 기판 상에 행으로 배열된 게이트 배선의 각 끝단에 연결된 게이트 패드와, 상기 게이트 패드의 동일 평면상에 형성된 제 1 게이트 패드와, 상기 제 1 게이트 패드와 전기적으로 연결된 제 2 게이트 패드와, 열로 배열된 데이터 배선의 각 끝단에 연결된 데이터 패드와, 상기 데이터 패드의 동일 평면상에 형성된 제 1 데이터 패드와, 상기 제 1 데이터 패드와 전기적으로 연결된 제 2 데이터 패드와, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분에 배열된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 동일 평면상에 상기 스위칭소자와 연결된 스토리지 캐패시터와, 상기 스위칭소자를 구동하기 위한 스캐닝 및 데이터 집적회로 칩을 포함하는 엑스레이 디텍터를 제조하는 방법에 있어서,상기 스캐닝 및 상기 데이터 집적회로 칩을 구동하도록 각각 제 1 및 제 2 플렉시블 프린트 회로 기판을 구비하는 단계와,이방성 도전필름을 구비하는 단계와,상기 데이터 집적회로 칩에 데이터 패드와 접촉되는 제 1 돌기전극 및 제 2 데이터 패드와 접촉되는 제 2 돌기전극을 형성하는 단계와,상기 데이터 패드와 상기 데이터 집적회로 칩의 제 1 돌기전극을 접촉하는 단계와,상기 제 1 데이터 패드와 상기 데이터 집적회로 칩의 제 2 돌기전극을 접촉하는 단계와,상기 이방성 도전필름을 매개로 상기 제 2 플렉시블 프린트 회로 기판과 상기 제 2 데이터 패드를 접촉하는 단계를포함하는 엑스레이 디텍터 제조방법.
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