KR100271701B1 - 열화진단기능을 구비한 반도체기억장치 - Google Patents

Abstract

전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 반도체메모리를 기억매체로 하는 기억장치에 관한 것으로서, 메모리의 열화의 평균화를 실행하기 위해 소거시간이나 라이트시간을 측정해서 이들 간에 의해 메모리내의 셀의 편차의 영향을 제거하여 실질적인 열화도를 정밀도 높게 진단해서 고신뢰, 고효율의 기억장치를 실현하기 위해, 전기적으로 리라이트 가능한 불휘발성 메모리의 리라이트에 있어서 소거시간과 라이트시간을 측정하는 수단, 소거시간값을 기준시간값 저장수단내의 간과 비교하는 수단, 비교결과에서 라이트시간을 보정하는 시간보정수단 및 그 결과에 의해 열화도를 진단하는 수단을 구비하는 것으로 하였다.

이렇게 하는 것에 의해, 각 셀의 실질적인 열화를 파악할 수 있으므로 열화의 진행이 빠른 메모리는 그다지 사용하지 않고 열화의 진행이 느린 메모리는 사용빈도를 높이는 등의 제어가 가능하게 되어, 신뢰성을 향상시키고 또 메모리의 사용한계 근방까지 사용할 수 있다는 효과가 얻어진다.

Description

열화진단기능을 구비한 반도체기억장치

현재의 퍼스널컴퓨터 등의 정보처리장치에 있어서의 파일데이타의 기억장치는 자기디스크장치가 주류로 되어 있다. 자기디스크장치에는 저가격, 대용량, 고신뢰성, 고성능 등 많은 우수한 점이 있어 가장 널리 보급되고 있다. 그러나, 점차 소형화, 휴대성향상, 소비전력의 저감 등의 요구도 강해지고 있어, 자기디스크장치에 대해 휴대성, 저소비전력의 점에서 우위인 반도체를 기억매체로 하는 반도체기억장치가 각광을 받기 시작하고 있다.

불휘발성 메모리를 기억매체로 한 파일장치는 일본국 특허공개 공보 평성 5-27924호에 개시되어 있다. 이 기술은 플래시메모리를 기억매체로 한 기억장치에 관한 것으로서, 특히 리라이트시에 필요한 소거회수에 제한이 있는 플래시 메모리를 장수명으로 하는 방식을 개시하고 있다. 구체적으로는 국소적으로 리라이트가 진행하기 쉬운 파일기억장치에 있어서 전체 영역에 대해 소거회수가 평균화되도록 해서 외관상 수명을 연장시키는 것이다.

상기 발명에 있어서는 소거회수를 플리시메모리셀의 열화를 나타내는 지표로 하고 있고, 플래시메모리의 특성데이타로서 명시되어 있는 소거회수의 보증값에 따라서 고려하고 있다. 그러나, 각종 플래시메모리마다 표시되어 있는 소거회수의 보증값은 특성적으로 평균값이나 최소간이고, 실제의 소거가능회수는 메모리셀마다 다르다. 즉, 보증값의 소거회수에 달하면 모든 셀이 반드시 사용할 수 없게 되는 것은 아니다. 따라서, 소거회수를 계수해서 셀의 열화의 지표로 하는 것은 가능하지만, 메모리셀을 최대한 유효하게 이용하고 있다고는 할 수 없는 경우가 있다.

본 발명의 목적은 상기 전기적으로 소거/리라이트가능한 불휘발성 메모리의 소거/리라이트의 보증회수나 현재의 회수를 의식하지 않고 메모리의 열화를 파악할 수 있는 방법 또는 반도체기억장치, 더 나아가서는 그것을 사용해서 메모리관리를 실행하는 방법, 또는 반도체기억장치를 제공하는 것이다.

또, 본 발명의 다른 목적은 상기 전기적으로 소거/리라이트 가능한 불휘발성 메모리를 상기 검출한 실제의 소거/리라이트 가능한계까지 사용할 수 있는 방법 또는 반도체기억장치를 제공하는 것이다.

또, 본 발명의 또 다른 목적은 상기 전기적으로 소거/리라이트가능한 불휘발성 메모리의 실제의 소거/리라이트 가능회수를 검출하는 방법 또는 반도체기억장치를 제공하는 것이다.

본 발명은 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 반도체메모리를 기억매체로 하는 기억장치에 관한 것이다.

제1도는 제1 발명을 실현하는 전체구성을 도시한 도면.

제2도는 원칩 마이크로컴퓨터를 사용한 제1 발명의 실시예의 구성도.

제3도는 제2도의 실시예에 있어서의 마이크로컴퓨터의 제어프로그램의 흐름도를 도시한 도면.

제4도는 본 발명에 의해 진단한 열화도를 영역단위에 적용한 열화도 및 논리어드레스의 기록예를 도시한 도면.

제5도는 제1 발명에서 사용한 불휘발성 메모리의 변화에 따른 라이트시간과 소거시간의 변화를 도시한 도면.

제6도는 제1 발명에서 사용한 불휘발성 메모리에 있어서의 환경조건이 변화한 경우의 라이트시간의 보정예를 도시한 도면.

제7도는 전원전압 및 온도의 측정에 의해 환경특성을 파악해서 라이트시간을 보정하는 발명의 구성예를 도시한 도면.

제8도는 본 발명의 기억장치를 보조기억장치로 해서 정보처리장치에 적용한 전체구성도.

제9도는 제8도의 정보처리장치의 동작흐름도를 도시한 도면.

제10도는 제8도의 정보처리장치에 있어서의 보조기억장치의 동작흐름을 도시한 도면.

제11도는 열화의 진행에 따라 소거시간이 길어지는 불휘발성 메모리의 열화상관곡선을 도시한 도면.

제12도는 열화의 진행에 따라 소거시간이 길어지는 불휘발성 메모리에 있어서의 환경조건이 변화한 경우의 소거시간의 보정예를 도시한 도면.

제13도는 열화의 진행에 따라 소거시간이 길어지는 불휘발성 메모리를 사용한 경우의 본 발명의 전체구성도.

제14도는 열화의 진행에 따라 소거시간이 증대하는 불휘발성 메모리를 사용한 경우의 마이크로컴퓨터의 제어프로그램의 흐름을 도시한 도면.

제15도는 환경특성을 전원전압 및 온도의 측정에 의해 파악해서 소거시간을 보정하는 발명의 구성예를 도시한 도면.

제16도는 본 발명의 열화진단장치를 응용한 보조기억장치의 구성도.

[발명의 개시]

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리를 기억매체로 하는 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리의 소거에 필요한 시간을 측정하는 소거시간 측정수단, 상기 소거시간 측정수단이 측정한 소거시간을 소거시간의 기준값과 비교해서 환경특성을 판단하는 특성검출수단, 상기 불휘발성 메모리의 라이트에 필요한 시간을 측정하는 라이트시간 측정수단, 상기 라이트시간 측정수단이 측정한 라이트시간을 상기 특성검출수단이 판단한 환경특성에 따라서 보정하는 보정수단 및 상기 보정한 라이트시간에 의해 상기 불휘발성 메모리의 리라이트부분에 있어서의 열화도를 검출하는 불휘발성 메모리 열화 진단수단을 구비하는 것이다.

또, 본 발명은 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리를 기억매체로 하는 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리에 인가되는 전원전압값을 검출하는 전원전압 검출수단, 상기 반도체기억장치의 주위온도를 검출하는 온도검출수단, 상기 전원전압 검출수단과 온도검출수단의 검출간에서 환경특성을 판단하는 특성검출수단, 상기 불휘발성 메모리의 라이트에 필요한 시간을 측정하는 라이트시간 측정수단, 상기 라이트시간 측정수단이 측정한 라이트시간을 상기 특성검출수단이 판단한 환경특성에 따라서 보정하는 보정수단 및 상기 보정한 라이트시간에 의해 상기 불휘발성 메모리의 리라이트부분에 있어서의 열화도를 검출하는 불휘발성 메모리 열화 진단수단을 구비하는 것이다.

또, 본 발명은 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리를 기억매체로 하는 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리의 소거에 필요한 시간을 측정하는 소거시간 측정수단, 상기 불휘발성 메모리의 라이트에 필요한 시간을 측정하는 라이트시간 측정수단, 상기 라이트시간 측정수단이 측정한 라이트시간을 라이트시간의 기준값과 비교해서 환경특성을 판단하는 특성검출수단, 상기 소거시간 측정수단이 측정한 소거시간을 상기 특성검출수단이 판단한 환경특성에 따라서 보정하는 보정수단 및 상기 보정한 소거시간에 의해 상기 불취발성 메모리의 리라이트부분에 있어서의 열화도를 검출하는 불휘발성 메모리 열화 진단수단을 구비하는 것이다.

또, 본 발명은 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리를 기억매체로 하는 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리에 인가되는 전원전압값을 검출하는 전원전압 검출수단, 상기 반도체기억장치의 주위온도를 검출하는 온도검출수단, 상기 전원전압 검출수단과 온도검출수단의 검출값에서 환경특성을 판단하는 특성검출수단, 상기 불휘발성 메모리의 소거에 필요한 시간을 측정하는 소거시간 측정수단, 상기 소거시간 측정수단이 측정한 소거시간을 상기 특성검출수단이 판단한 환경특성에 따라서 보정하는 보정수단 및 상기 보정한 소거시간에 의해 상기 불휘발성 메모리의 리라이트부분에 있어서의 열화도를 검출하는 불휘발성 메모리 열화 진단수단을 구비하는 것이다.

또, 본 발명은 상기 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단이 검출하는 각 영역의 열화 정도를 여러 단계로 나누고, 각 영역마다 열화의 정도를 기록하는 열화도 기억수단, 각 영역의 리라이트시에 검출된 열화도를 상기 열화도 기억수단에 기록된 전회의 리라이트로 검출된 열화도와 비교하는 열화도 비교수단, 전체 영역에서 가장 열화도가 낮은 영역을 검출하는 저열화도 영역 검색수단, 상기 열화도 비교수단이 비교한 결과, 열화가 진행한 것이 판명된 영역의 저장데이타와 상기 저열화도 영역 검색수단이 검출한 영역의 저장데이타를 교체하는 데이타 교체수단을 구비하는 것이다.

또, 본 발명은 상기 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단은 보정한 소거시간 또는 보정한 라이트시간이 정해진 값을 초과한 경우에는 열화도를 사용불능상태의 열화도라 판단하고, 상기 단계별로 나눈 열화도중의 최대열화도를 상기 사용불능상태의 열화도로서 취급하고, 이후의 데이타저장을 금지하는 것이다.

또, 본 발명은 상기 열화도 검출수단을 상기 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리 내부에 구비하는 것이다.

또, 본 발명은 프로그램이나 데이타의 처리연산을 실행하는 중앙처리장치, 상기 중앙처리장치가 사용하는 상기 프로그램이나 데이타를 일시적으로 기억하는 주메모리, 기동시의 프로그램이나 기본적인 입출력명령 등의 프로그램을 저장한 기본프로그램 메모리, 동작상태나 처리결과 등을 표시하는 표시제어수단 및 표시수단, 처리요구를 입력하기 위한 입력수단, 다른 정보처리장치와의 데이타교환 등을 실행하는 통신제어수단으로 이루어지는 정보처리장치에 있어서, 상기 반도체기억장치를 보조기억장치로서 구비하는 것이다.

불휘발성 메모리는 기억장치의 기억매체로서 다양한 데이타가 있는 영역단위, 또는 칩단위로 리라이트된다 불휘발성 메모리는 리라이트에 있어서 소거동작과 라이트동작이 필요하게 되고, 각각에 있어서 메모리에 대해 결정된 신호의 입력 또는 제어와 어느정도의 시간을 필요로 한다. 또, 불휘발성 메모리는 열화의 진행에 대해 소거동작 소요시간의 변화가 비교적 작고 라이트동작 소요시간의 변화가 매우 크거나, 또는 그와는 반대로 라이트동작 소요시간의 변화가 비교적 작고 소거동작 소요시간의 변화가 매우 크다는 성질을 갖는 것이 많다.

이러한 성질을 이용해서 상기 라이트시간 측정수단, 또는 소거시간 측정수 단은 기억매체인 불휘발성 메모리의 라이트시간 또는 소거시간의 변화를 측정하는 것에 의해 실질적인 열화도를 검지할 수 있다. 즉, 특성편차를 고려한 각 셀의 열화도를 얻는 것이 가능하게 된다. 따라서, 신뢰성을 향상시킴과 동시에 메모리를 수명한도 근방까지 사용하는 것이 가능하게 된다.

또, 불휘발성 메모리는 전원전압간, 주위온도 등 환경조건의 영향을 받기 쉽지만, 소거동작 소요시간, 라이트동작 소요시간은 그 환경조건의 영향을 받는 방식과 어느 정도의 상관관계가 있다. 이 성질을 이용하면, 예를 들면 상술한 소거동작 소요시간의 변화가 비교적 작고, 라이트동작 소요시간의 변화가 매우 큰 경우에는 소거동작 소요시간의 변화는 환경조건의 영향으로 간주할 수 있다. 이 변화를 이용해서 라이트동작 소요시간을 보정하면, 환경조건의 영향을 제거해서 열화를 판단하는 것이 가능하게 된다.

또, 불휘발성 메모리 열화 진단수단이 전원전압이나 주위온도 등의 환경조건을 직접 측정해서 라이트시간 또는 소거시간의 변동을 보정해서 열화를 판단해도 좋다. 이것에 의해 열화도의 정밀도가 더욱 향상하여 실용적이다. 또, 이것에 의해 라이트동작 소요시간도 소거동작 소요시간도 열화에 의해 현저히 변화해 버리는 성질을 갖는 메모리에도 대응할 수 있다.

이상의 수단이 검출한 열화도에 따라서 각 셀의 열화도의 평균화를 도모하는 것에 의해 고신뢰, 장수명화가 대폭으로 향상된다.

또, 이와 같은 반도체기억장치를 정보처리장치의 보조기억장치로 하는 것에 의해 정보처리장치 자체의 신뢰성향상과 장수명화가 가능하게 된다.

[발명의 실시하기 위한 최량의 형태]

제1도는 본 발명의 제1 실시예의 구성도로서, 도면 중 (1)은 본 발명의 기억장치의 기억매체인 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리이고, 제5도에 도시한 바와 같이 열화의 진행에 대해 소거동작 소요시간의 변화가 비교적 작고 라이트동작 소요시간의 변화가 큰 성질을 갖는다.

(2)는 불휘발성 메모리(1)의 일부 또는 전부의 데이타를 소거할 때에 불휘발성 메모리(1)에 대해 제어를 실행하는 소거제어수단, (3)은 소거제어수단(2)에 의해 소거를 실행할 때에 소요된 계측하는 소거시간 측정수단, (4)는 미리 불휘발성 메모리(1)의 소거시간의 기준값이 저장되어 있는 기준시간값 저장수단, (5)는 소거시간 측정수단(3)에 의해 측정한 소거시간값과 기준시간값 저장수단(4)에 저장되어 있는 기준시간값을 비교해서 환경특성계수를 검출하는 특성검출수단(이하, 시간비교수단이라 한다), (6)은 불휘발성 메모리(1)에 데이타의 라이트를 실행할 때에 불휘발성 메모리(1)에 대해 제어를 실행하는 라이트제어수단, (7)은 라이트제어수단(6)에 의해 라이트를 실행할 때에 소요된 시간을 계측하는 라이트시간 측정수단, (8)은 시간비교수단(5)가 구한 환경특성계수에 따라 라이트시간 측정수단(7)에 의해 계측한 시간값을 보정하는 시간보정수단, (9)는 시간보정수단(8)에 의해 보정한 시간값에서 대상으로 하는 불휘발성 메모리(1)의 영역 또는 칩의 열화도를 진단하고 출력하는 열화진단수단, (10)은 이상의 수단을 모두 포함하는 열화진단장치이다.

다음에 동작을 설명한다. 호스트로 되는 정보기기(이하 호스트라 한다)가 실행하는 불휘발성 메모리(1)의 리라이트동작에 따라서 후술하는 섹터관리장치가 소거제어수단(2) 및 라이트제어수단(6)에 대해 불휘발성 메모리(1)의 제어개소의 소거동작, 라이트동작을 지시한다. 소거제어수단(2)와 라이트제어수단(6)이 각각 소거와 라이트를 실행하고, 소거시간 측정수단(3), 라이트시간 측정수단(7)이 각각 소요시간을 측정한다. 소요시간의 측정은 각각 메모리(1)이 출력하는 동작상황을 나타내는 신호를 진단하는 것에 의해 가능하다.

시간비교수단(5)는 측정된 소거시간과 소거시간의 기준값과의 비교를 실행하고, 환경조건의 영향을 나타내는 환경특성계수를 구한다. 또, 시간보정수단(8)이 그 환경특성계수에 따라 라이트시간을 보정하고, 열화진단수단(9)가 라이트 시간의 측정결과에서 실제의 열화의 진행 정도를 파악하고 출력한다. 또한, 상기 각 수단은 반도체를 사용한 논리소자의 조합에 의해 실현할 수 있다. 또, 라이트시간 측정수단과 소거시간 측정수단을 1개의 시간계측수단에 의해 실현할 수도 있다.

본 실시예에 의하면, 상기 각 수단은 논리소자의 조합에 의해 실현할 수 있으므로 메모리칩의 내부에 구축할 수 있다. 즉, 불휘발성 메모리(1)의 칩내부에 상기 열화진단장치의 일부 또는 전부를 내장하면, 장치전체의 부품점수를 삭감하는 것이 가능하게 된다.

또, 본 실시예의 다른 효과로서 기준시간값 저장수단내의 기준시간값을 변경하면 여러가지 특성의 메모리칩에 대응할 수 있다. 또, 시간보정수단의 보정 방법을 변경하는 것에 의해 여러가지의 효과가 얻어진다.

다음에, 본 발명을 마이크로프로세서에 의한 제어와 논리소자의 조합회로에 의해 실현하는 실시예를 설명한다.

제2도는 이것을 실현하는 구성도로서, 도면중 (11)은 전기적으로 리라이트 가능한 불휘발성 메모리(1)의 제어신호를 생성하는 메모리제어회로, (12)는 마이크로 프로세서 및 그 주변회로 등을 원칩에 수납한 원칩 마이크로컴퓨터, (13)은 마이크로컴퓨터(12)내의 마이크로프로세서(이하, CPU라 한다), (14)는 CPU(13)이 실행하는 처리내용을 프로그램으로서 저장한 프로그램메모리(이하, ROM이라 한다), (15)는 CPU(13)의 처리에 있어서 필요로 되는 워크메모리(이하, RAM이라 한다), (16)은 원칩마이크로컴퓨터(12)에 탑재된 시간계측용의 타이머회로이다.

제3도는 CPU(13)이 실행하는 처리, 즉 ROM(14)에 저장되어 있는 프로그램의 내용을 흐름도로 한 것이다. 본 실시예에서는 CPU(13)이 상기 실시예의 각 수단의 동작을 이 프로그램에 따라 실행한다.

다음에 제3도의 흐름도를 중심으로 사용해서 동작을 설명한다.

도시하고 있지 않은 호스트로부터의 액세스요구에 따라서 본 발명의 기억장치는 동작한다. 제3도에서는 호스트로부터의 특정의 논리어드레스에 대한 라이트액세스요구를 받은 이후의 동작을 도시하고 있다.

우선, 액세스요구의 논리 어드레스에 따라 액세스개소의 특정을 실행한다(스텝201). 다음에, 액세스대상의 영역 또는 칩의 소거를 실행할 때에 필요로 하는 시간을 측정하기 위해 타이머(16)을 기동한다(스텝202).

그리고, 액세스개소의 소거를 메모리제어회로(11)에 지시하고, 메모리제어회로(11)은 불휘발성 메모리(1)에서 출력되는 신호를 진단하면서 소거의 종료를 대기 한다(스텝203).

소거가 종료하면, 타이머(16)에서 소거에 필요한 시간을 리드해서 ROM(14)내 등에 미리 설정되어 있던 기준소거시간과의 비교를 실행한다(스텝204). 그리고 그 비교에 따라 환경특성계수를 산출한다(스텝205).

다음에, 소거를 실행한 영역 또는 칩에 대해 라이트동작을 실행하지만, 그때에 필요로 하는 시간을 측정하기 위해 타이머(16)을 재차 기동한다(스텝206).

그리고, 메모리제어회로(11)에 라이트동작을 지시하고, 소거와 마찬가지로 라이트종료를 대기한다(스텝207).

라이트가 종료하면, 먼저 구한 환경특성계수에 의해 계측된 라이트시간을 보정하고(스텝208), 보정한 라이트시간값에 의해 열화도를 진단한다(스텝209).

이상에 의해 열화도의 진단동작을 완료한다 또한, 본 도면의 원칩마이크로컴퓨터(12)의 내부구성은 일예이고, 타이머(16)이 탑재되어 있지 않는 것도 있다. 타이머는 CPU(13)의 프로그램실행에 의해서 대용할 수 있고, 원칩마이크로컴퓨터(12) 외부에 회로로서 마련하는 것도 가능하다. 또, CPU(13), ROM(14), RAl7(15)등이 원칩에 수납되어 있지 않는 구성으로도 실현할 수 있다. 본 실시예에 의하면, 메모리(1)의 다양한 특성에 ROM(14)의 프로그램에 의해 대응할 수 있으므로 유연한 열화도의 진단처리가 가능하게 된다.

제16도에는 상기 제1도, 제2도의 실시예의 반도체기억장치를 사용한 보조기억장치의 구성도를 도시한다. 도면중, (71)은 제1도 또는 제2도에 도시한 열화진단장치, (72)는 열화진단장치(71)의 진단결과에 따라 파일데이타를 섹터단위로 관리하는 섹터관리장치이다. 또한, 섹터라고 하는 단위는 파일데이타를 취급하는데에 있어서의 기억데이타용량의 단위임과 동시에 전기적으로 리라이트 가능한 불휘발걱 메모리의 리라이트단위이다. (73)은 호스트와 정보의 교환을 실행하기 위한 인터페이스버스, (74)는 호스트인터페이스버스(73)을 거쳐서 호스트가 불휘발성 메모리(1)의 저장데이타를 액세스하기 위한 설정레지스터나 입출력신호등을 제어하기 위한 호스트인터페이스회로로서, 예를 들면 PCMCIA규격에 준거한 인터페이스회로가 이것에 상당한다. (75)는 불휘발성 메모리(1)과 상기 장치, 회로로 구성된 보조기억장치로서 예를 들면 IC메모리카드가 이것에 상당한다.

호스트는 호스트 인터페이스회로(74)내부의 설정레지스터에 액세스내용을 설정하고, 임의의 액세스요구를 실행한다. 이것을 받은 호스트 인터페이스회로(74)는 섹터관리장치(72)에 대헤 액세스요구의 어드레스를 전달하고, 섹터관리장치(72)는 요구의 어드레스를 불휘발성 메모리(1)의 물리 어드레스로 변환한다. 섹터관리장치(72)는 불휘발성 메모리(1)의 각 물리섹터의 상태를 파악하고 있어 그 상태에 따라 라이트액세스에 있어서의 라이트섹터를 결정한다. 그리고, 열화진단장치(71)내의 소거제어수단(2) 또는 라이트제어수단(6)에 액세스대상의 물리섹터 어드레스를 지정하고, 액세스를 실행시킨다.

액세스가 종료되면, 열화진단장치(71)은 열화의 진단결과를 출력하고, 섹터관리장치(72)는 이것을 기록한다. 열화상태는 섹터관리장치(72)내에 마련된 불휘발성의 기억영역에 기록한다. 불휘발성 메모리(1)내에 섹터단위로 열화상태등을 기억하는 영역이 마련되어 있으면, 그곳에 기록해도 좋다. 또한, 파일관리의 방식에 의해 파일데이타를 취급하는 데에 있어서의 기억데이타 용랑의 단위와 전기적으로 리라이트 가능한 불휘발성 메모리의 리라이트 단위를 다르게 취급할 수도 가능하다.

다음에, 상기 섹터관리장치(72)의 데이타관리방법의 실시예를 설명한다. 제4도는 열화의 진행 정도인 열화도를 4단계로 나누어서 관리하고 있는 예를 도시한 도면이다. 제4(a)도는 열화도가 가장 진행된 상태를 사용불가상태로 해서 이후의 사용을 중지하고 있는 예, 제4(b)도는 열화도가 4단계째에 도달했으면 열화도가 가장 진행하고 있지 않은 영역과 교체를 실행하기 위해 어드레스를 교체하고, 물리 어드레스와 논리 어드레스를 나누어서 관리하고 있는 예이다. 어느쪽도 기억매체인 불휘발성 메모리(1)을 4K바이트의 영역마다 열화도를 파악해서 관리하고 있다. 도면중, (21)은 열화상태를 관리하고 있는 기억수단의 내용으로서, 제16도의 설명도에서 설명한 바와 같이, 섹터 관리를 위해 본 데이타를 불휘발성의 메모리에 기록하고 있다. 이 기억장소로서 불휘발성 메모리의 영역에 부수된 기억영역에 저장해도 좋고, 다른 기억수단에 저장해도 좋다.

(22)는 (a)의 예에 있어서의 불휘발성 메모리에 할당된 물리 어드레스로서, 이 예에서는 논리 어드레스도 겸하고 있다. 단, 파일 기억장치에서는 섹터등의 큰 단위로 데이타를 관리하는 것이 일반적이고, 이 예에서는 4K바이트마다의 데이타관리에 적용할 수 있다. 이것은 (b)의 예에 있어서의 논리 어드레스(27)에도 마찬가지라고 할 수 있다. (23)은 각 영역마다의 열화상태의 내용이고, 2비트의 기억용량으로 4단계로 나누고 있다. (24)는 (b)의 예에 있어서의 열화상태의 기억수단으로서, (21)과 마찬가지이다. (a)에 있어서의 사용불가의 상태를 열화제3도으로 하고 있다. (25)는 불휘발성 메모리에 할당된 물리 어드레스이다. (26)은 열화상태의 내용이고 (23)과 마찬가지로 2비트이다.

(27)은 상술한 바와 같이 데이타관리의 논리 어드레스로서, 파일기억장치라면 물리 어드레스와 동일한 자리수는 필요없게 된다. (a)의 예에서 열화도2를 초과해 버린 것은 섹터관리장치(72)가 사용불가의 상태로서 등록하고, 이 영역에 대한 액세스요구는 접수하지 않도록 한다. 또, 파일의 리라이트에 있어서는 열화도의 진행을 체크하면서 열화가 진행하지 않은 영역을 선택하면서 실행해간다. (b)의 예에서는 열화도를 4단계로 하여 열화도가 3으로 되어 버린 영역은 그 이상 열화가 진행하지 않도록 섹터관리장치(72)가 열화가 진행하고 있지 않았던 열화도0의 영역과 어드레스를 교체해서 취급한다.

이것에 의해 열화가 진행하고 있지 않았던 즉 리라이트가 빈번하게 실행되지 않는 영역에 할당되게 되어 열화의 진행을 억제할 수 있다. 이 경우, 논리 어드레스를 교체하게 되므로 불휘발성 메모리의 각 영역은 열화도와 논리 어드레스값의 2개를 대응해서 기록해 둔다. 이 기억수단도 불휘발성 메모리(1)내에 있어서도 좋고, 다른 기억수단에 대응시켜서 기억해도 좋다.

또한, 어드레스의 교체를 열화도가 1단계 진행할 때 실행하도록 하면 열화도를 3이상으로 나눈 효과가 나온다. 예를 들면, 열화도1로 되면 열화도0과 교체되고, 열화도2로 되면, 열화도0의 것이 있으면 교체되고 없으면 열화도1의 것과 교체하는 것에 의해 평균화가 보다 정밀도 좋게 실행된다.

또, (a), (b) 모두 열화도를 4단계로 하고 있지만, 8단계, 16단계로 하면, 보다 정밀도 좋게 실행할 수 있다. 또, (b)에서는 열화가 가장 진행한 단계를 사용불가상태로 하면 안정성이 증가한다.

제5도, 제6도에서는 제1 실시예에 있어서의 실제의 열화도의 진단예를 도시하고 있다. 제1 실시예의 불휘발성 메모리(1)은 열화의 진행에 따라 라이트시간이 증대하고, 소거시간은 비교적 변화하지 않는 특성을 갖는다.

제5도는 소거회수의 증가에 따른 일반적인 라이트시간과 소거시간의 변화를 도시한 도면이다. 도면 중, (41)은 소거회수이다. 소거회수가 증대하면 열화도 진행하지만, 소거회수와 열화 진행의 상관관계는 메모리구조, 칩특성, 메모리칩내에서의 영역에 따라 다르다. 또한, 전원전압이나 주위온도 등의 환경조건은 변화하지 않는 것으로 한다. (42)는 라이트시간이다. (43)은 각각의 상관곡선이다. (44)는 제4도와 마찬가지로 열화도를 4단계로 나누었을 때의 분할선으로, 좌측부터 열화도0, 1, 2로 하고, 우측끝은 열화도3 또는 사용불가상태이다. (45)는 소거시간이고, (46)은 소거회수와 소거시간의 상판곡선이다. 라이트시간은 어느정도까지는 완만하게 시간이 증대하고, 어느 시점부터 급격하게 증대하는 경향을 나타낸다 또, 소거시간은 전체적으로 변화가 적다.

제116도는 환경조건이 변화한 경우의 상관곡선의 변동을 도시한 도면이다. (47)은 평균적인 조건에서의 상관곡선으로, 기준값으로 되는 것이다. (48)은 환경조건이 다를 때의 곡선으로, 임의의 사용조건에서의 측정값이다. (49)는 임의의 열화상태에서의 기준소거시간값a, (50)은 동일 열화상태에서의 측정소거시간 값b이다. (51)은 (48)의 소거시간의 곡선과 동일조건에서 측정한 라이트시간 측정곡선, (52)는 (49)의 기준소거시간값a와 (50)의 측정소거시간값b의 비율에 따라 보정한 라이트시간 보정곡선이다. (53)은 임의의 열화상태에서의 라이트시간측정값이고, (54)는 임의의 열화상태에서의 라이트시간 보정값이다. 임의의 열화상태와 임의의 환경조건에 있어서의 소거시간값(50)과 라이트시간값(53)을 얻으면, 보정한 라이트시간값(54)를 얻을 수 있다.

또한, 곡선에서 얻는 열화도는 4단계일 필요는 없고, 8단계, 16단계로 해도 좋다. 또, 도면에서는 열화도의 곡선상에서의 분할방식을 소거회수에 대해서 대략 등간격으로 하고 있지만, 메모리의 특성이나 제어방법에 맞게 예를 들면 시간의 증대에 따라 구분을 미세하게 해도 좋다.

또, 메모리에 따라서는 열화의 진행에 대해 라이트시간의 변화가 적고, 소거시간의 변화가 큰 것도 고려된다. 그 경우는 제11도, 제12도의 상관곡선과 같이 되고, 제13도의 전체구성과 제14도의 흐름도와 같이 구성하면 좋다.

다음에, 환경조건을 직접 검지해서 그것에 의한 보정을 실행하는 실시예를 설명한다. 제7도는 본 실시예를 실현하기 위한 구성도로서, (61)은 전원전압 Vcc, (62)는 Vcc(61)을 디지탈값으로 변환하는 A/D변환회로, (63)은 온도를 저항값 또는 전류값, 전압값으로 변환하는 온도검지소자, (64)는 온도검지소자로부터의 측정간을 디지탈값으로 변환하는 A/D변환회로, (65)는 A/D변환회로(63), (64)로부터의 디지탈간에 따라 라이트시간값의 보정을 실행하는 보정연산수단, (66)은 상기 각 수단이 구성되는 열화진단장치이다. 다른 번호는 상술한 바와 같다.

이 실시예에서는 전원전압, 주위온도를 직접 측정해서 환경조건의 변화를 파악하기 때문에 정밀도가 향상하고 또 소거시간을 측정할 필요가 없어진다. 이것은 소거와 라이트를 계속해서 실행하지 않는 경우, 즉 시간을 두고 실행하는 경우에 유효하다. 또, 환경조건의 변화에 의해 소거시간의 변화와 라이트시간의 변동에 상관관계가 없는 경우, 또는 열화도의 진행에 따라 라이트시간, 소거시간 모두 크게 변동해 버리는 경우에 유효하다. 또, 불휘발성 메모리의 특성에 따라서는 소거시간을 열화의 진단의 대상으로 한 쪽이 적절한 경우가 있지만, 그 경우의 구성은 제15도에 도시한 바와 같이 되며, 소거시간을 측정해서 환경특성에 의한 보정을 라이트시간에 대해 실행하는 것에 의해 마찬가지의 효와가 얻어진다. 본 실시예는 열화진단장치(66)을 제2도와 마찬가지로 CPU를 사용하는 것에 의해 회로규모를 축소하는 것이 가능하다.

제8도는 본 기억장치를 응용한 호스트로 되는 정보처리장치의 전체 구성도이다. 제8도와 같이 시스템버스(110)에는 호스트로 되는 정보처리장치의 중앙연산유닛(101)(이하, CPU(101)이라 한다)바 주변장치의 입출력을 실행하기 위한 기본 입출력 프로그램이 저장되어 있는 메모리(이하, BIOSROM이라 한다)(103), 주메모리(102)가 접속되어 있다. I/O버스(111)에는 표시제어장치(105), 입력제어장치(107), 퉁신제어장치(109), 보조기억장치(75)가 접속되어 있다. 표시제어장치(105)에는 표시장치(106)이 접속되어 있다. 입력제어장치(107)에는 입력장치(108)이 접속되어 있다. 본 실시예에서는 제16도에서 설명한 보조기억장치(75)를 본 발명의 기억장치로서 사용한다.

본 실시예의 정보처리장치가 기동되면, 제9도의 흐름도에 도시한 바와 같이, CPU(101)은 BIOSROM(103)내에 기억되어 있는 장치의 기동(이하, 부트라 한다)을 실행하는 부트프로그램을 실행한다(스텝301). 이것에 의해 보조기펴장치(75)가 액세스가능하게 된다. CPU(101)은 부트동작의 상태 등을 표시장치(106)에 표시시키고(스텝302), 다음에 보조기억장치(75)에서 정보처리장치 전체의 관리소프트(이하, OS라 한다)를 주메모리(102)에 로드하고(스텝303), 주메모리(102)에 로드된 OS를 실행한다(스텝304). 그리고, 명령입력 대기상태로 되고(스텝305), 어플리케이션의 실행 등의 지시가 사용자 등으로부터 있었던 경우에는 이것을 실행한다(스텝306).

제10도는 보조기억장치(102)의 파일의 라이트/리드동작에 대해서 도시한 흐름도이다. CPU(101)은 시스템버스(110)을 통해서 보조기억장치(75)에 대해 데이타의 리드 라이트의 요구동작, 그리고 데이타, 더 나아가서는 그 데이타의 라이트할 논리 어드레스의 지시를 보낸다. 이것을 받으면, 보조기억장치(75)은 명령대기의 상태(스텝311)부터 요구된 액세스에 따라서 처리를 개시한다. 리드의 요구이면, 보내진 논리 어드레스에 따라 물리 어드레스를 검색하고(스텝312), 해당 개소의 리드를 실행한단(스텝313). 한편, 라이트 액세스이면, 마찬가지로 보내진 논리 어드레스에 따라 물리 어드레스를 검색 또는 결정하고(스텝314), 해당 개소의 소거를 실행하고(스텝315), 보내진 데이타를 라이트한다(스텝316). 이 때에 열화도의 진단을 실행해서 사용불가상태로 된 경우(스텝317)에는 다른 영역(섹터)을 할당해서 소거라이트를 실행한다(스텝318). 이 때 미사용 섹터가 존재하지 않으면 라이트에러처리로 된다(스텝319). 상술한 바와 같이 소거라이트의 루틴시에는 항상 발명의 열화진단을 실행하고, 열화가 진행한 경우에는 어드레스 스워핑(swappig : 교환) 등을 실행하는 경우도 있다. 모든 처리가 종료하면 보조기억장치(75)는 재차 명령대기의 상태로 되돌아간다.

본 발명에 의하면, 불휘발성 메모리의 영역 또는 칩마다 소거시간, 라이트 시간을 보정해서 열화의 진단을 실행할 수 있다. 따라서, 특성의 견차에 의한 영향을 적게 하고, 실질적인 열화를 진단할 수 있다. 그 결과, 불휘발성 메모리의 신뢰성을 향상하고 불휘발성 메모리를 사용한계까지 완전히 사용하는 것이 가능하게 된다. 또, 본 발명의 불휘발성 메모리를 사용하면, 고신뢰성, 장수명의 보조기억장치를 실현할 수 있다.

Claims (20)

1. 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리를 기억매체로서 사용하는 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리의 소거에 필요한 소거시간을 측정하는 소거시간 측정수단; 상기 소거시간 측정수단에 의해 측정된 소거시간을 소거시간의 기준값과 비교해서 환경특성을 판단하는 특성검출수단; 상기 불휘발성 메모리의 라이트에 필요한 라이트시간을 측정하는 라이트 시간 측정수단; 상기 라이트시간 측정수단에 의해 측정된 라이트시간을 상기 특성검출수단에 의해 판단된 환경특성에 따라서 보정하는 보정수단 및; 상기 보정된 라이트시간에 의해 상기 불휘발성 메모리의 리라이트영역에 있어서의 열화도를 진단하는 불휘발성 메모리 열화진단수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
2. 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리를 기억매체로서 사용하는 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리에 인가되는 전원전압값을 검출하는 전원전압 검출 수단; 상기 반도체기억장치의 주위온도를 검출하는 온도검출수단; 상기 전원전압 검출수단과 상기 온도검출수단의 검출값에서 환경특성을 판단하는 특성검출수단; 상기 불휘발성 메모리의 라이트에 필요한 라이트시간을 측정하는 라이트 시간 측정수단; 상기 라이트시간 측정수단에 의해 측정된 라이트시간을 상기 특성검출수단에 의해 판단된 환경특성에 따라서 보정하는 보정수단 및; 상기 보정된 라이트시간에 의해 상기 불휘발성 메모리의 리라이트영역에 있어서의 열화도를 진단하는 불휘발성 메모리 열화진단수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
3. 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리를 기억매체로서 사용하는 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리의 소거에 필요한 소거시간을 측정하는 소거시간 측정수단; 상기 불휘발성 메모리의 라이트에 필요한 라이트시간을 측정하는 라이트 시간 측정수단; 상기 라이트시간 측정수단에 의해 측정된 라이트시간을 라이트시간의 기준값과 비교해서 환경특성을 판단하는 특성검출수단; 상기 소거시간 측정수단에 의해 측정된 소거시간을 상기 특성검출수단에 의해 판단된 환경특성에 따라서 보정하는 보정수단 및; 상기 보정된 소거시간에 의해 상기 불휘발성 메모리의 리라이트영역에 있어서의 열화도를 진단하는 불휘발성 메모리 열화진단수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
4. 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리를 기억매체로서 사용하는 반도체기억장치에 있어서, 상기 불휘발성 메모리에 인가되는 전원전압값을 검출하는 전원전압 검출수단; 상기 반도체기억장치의 주위온도를 검출하는 온도검출수단; 상기 전원전압 검출수단과 상기 온도검출수단의 검출값에서 환경특성을 판단하는 특성검출수단; 상기 불휘발성 메모리의 소거에 펼요한 소거시간을 측정하는 소거시간 측정수단; 상기 소거시간 측정수단에 의해 측정된 소거시간을 상기 특성검출수단에 의해 판단된 환경특성에 따라서 보정하는 보정수단 및; 상기 보정된 소거시간에 의해 상기 불휘발성 메모리의 리라이트영역에 있어서의 열화도를 진단하는 불휘발성 메모리 열화진단수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단에 의해 진단되는 각 영역마다의 열화정도를 여러개의 단계로 분리하고 또한 각 영역마다 열화 정도를 기억하는 열화도 기억수단; 각 영역의 리라이트시에 진단된 열화도를 상기 열화도 기억수단에 기록되고 또한 전회의 리라이트시 진단된 열화도와 비교하는 열화도 비교수단; 전체영역 중에서 가장 열화도가 낮은 영역을 검출하는 저열화도영역 검색수단; 상기 열화도 비교수단에 의해 실행된 비교 결과, 열화가 진행한 것이 판명된 영역의 저장데이타 및; 상기 저열화도영역 검색수단에 의해 검출된 영역의 저장데이타를 교체하는 데이타 교체수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
6. 제5항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단은 상기 보정된 소거시간 또는 보정된 라이트시간이 정해진 값을 초과한 경우에는 열화도를 사용불능상태의 열화도라 판단하고, 상기 여러개의 단계로 분리된 열화도의 최대열화도를 상기 사용불능상태의 열화도로서 취급하고 이후의 데이타저장을 금지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 열화도 진단수단은 상기 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리의 내부에 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
8. 프로그램 또는 데이타의 처리연산을 실행하는 중앙처리장치; 상기 중앙처리장치에 의해 사용될 상기 프로그램 또는 데이타를 일시적으로 기억하는 주메모리; 기동시의 프로그램 및 기본적인 입출력명령 등의 프로그램을 저장한 기본 프로그램; 적어도 동작상태 및 처리결과를 표시하는 표시제어수단 및 표시수단; 처리요구를 입력하기 위한 입력수단; 다른 정보처리시스템과의 데이타교환 등을 실행하는 통신제어수단 및; 보조기억장치로서 사용된 상기 특허청구의 범위 제6항에 기재된 반도체기억장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보처리시스템.
9. 제2항에 있어서, 상기 열화도 진단수단은 상기 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리의 내부에 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
10. 제2항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단에 의해 진단되는 각 영역마다의 열화정도를 여러개의 단계로 분리하고 또한 각 영역마다 열화 정도를 기억하는 열화도 기억수단; 각 영역의 리라이트시에 진단된 열화도를 상기 열화도 기억수단에 기억되고 또한 전회의 리라이트시 진단된 열화도와 비교하는 열화도 비교수단; 전체영역 중에서 가장 열화도가 낮은 영역을 검출하는 저열화도영역 검색수단; 상기 열화도 비교수단에 의해 실행된 비교 결과, 열화가 진행한 것이 판명된 영역의 저장데이타 및; 상기 저열화도영역 검색수단에 의해 검출된 영역의 저장데이타를 교체하는 데이타 교체수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
11. 제10항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단은 상기 보정된 소거시간 또는 보정된 라이트시간이 정해진 값을 초과한 경우에는 열화도를 사용불능상태의 열화도라 판단하고, 상기 여러개의 단계로 분리된 열화도의 최대열화도를 상기 사용불능상태의 열화도로서 취급하고 이후의 데이타저장을 금지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
12. 프로그램 또는 데이타의 처리연산을 실행하는 중앙처리장치, 상기 중앙처리장치에 의해 사용될 상기 프로그램 또는 데이타를 일시적으로 기억하는 주메모리; 기동시의 프로그램 및 기본적인 입출력명령 등의 프로그램을 저장한 기본프로그램; 적어도 동작상태 및 처리결과를 표시하는 표시제어수단 및 표시수단; 처리요구를 입력하기 위한 입력수단; 다른 정보처리시스템과의 데이타교환 등을 실행하는 통신제어수단 및; 보조기억장치로서 사용된 상기 특허청구의 범위 제11항에 기재된 반도체 기억장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보처리시스템.
13. 제3항에 있어서, 상기 열화도 진단수단은 상기 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리의 내부에 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
14. 제3항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단에 의해 진단되는 각 영역마다의 열화정도를 여러개의 단계로 분리하고 또한 각 영역마다 열화 정도를 기억하는 열화도 기억수단; 각 영역의 리라이트시에 진단된 열화도를 상기 열화도 기억수단에 기억되고 또한 전회의 리라이트시 진단된 열화도와 비교하는 열화도 비교수단; 전체영역 중에서 가장 열화도가 낮은 영역을 검출하는 저열화도영역 검색수단; 상기 열화도 비교수단에 의해 실행된 비교결과, 열화가 진행한 것이 판명된 영역의 저장데이타 및; 상기 저열화도영역 검색수단에 의해 검출된 영역의 저장데이타를 교체하는 데이타 교체수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
15. 제14항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단은 상기 보정된 소거시간 또는 보정된라이트시간이 정해진 값을 초과한 경우에는 열화도를 사용불능상태의 열화도라 판단하고, 상기 여러개의 단계로 분리된 열화도의 최대열화도를 상기 사용불능상태의 열화도로서 취급하고 이후의 데이타저장을 금지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
16. 프로그램 또는 데이타의 처리연산을 실행하는 중앙처리장치; 상기 중앙처리장치에 의해 사용될 상기 프로그램 또는 데이타를 일시적으로 기억하는 주메모리; 기동시의 프로그램 및 기본적인 입출력명령 등의 프로그램을 저장한 기본프로그램; 적어도 동작상태 및 처리결과를 표시하는 표시제어수단 및 표시수단; 처리요구를 입력하기 위한 입력수단; 다른 정보처리시스템과의 데이타교환 등을 실행하는 통신제어수단 및, 보조기억장치로서 사용된 상기 특허청구의 범위 제15항에 기재된 반도체기억장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보처리시스템.
17. 제4항에 있어서, 상기 열화도 진단수단은 상기 전기적으로 리라이트가능한 불휘발성 메모리의 내부에 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
18. 제4항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단에 의해 진단되는 각 영역마다의 열화정도를 여러개의 단계로 분리하고 또한 각 영역마다 열화 정도를 기억하는 열화도 기억수단; 각 영역의 리라이트시에 진단된 열화도를 상기 열화도 기억수단에 기억되고 또한 전회의 리라이트시 진단된 열화도와 비교하는 열화도 비교수단; 전체영역 중에서 가장 열화도가 낮은 영역을 검출하는 저열화도영역 검색수단; 상기 열화도 비교수단에 의해 실행된 비교 결과, 열화가 진행한 것이 판명된 영역의 저장데이타 및, 상기 저열화도영역 검색수단에 의해 검출된 영역의 저장데이타를 교체하는 데이타 교체수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
19. 제18항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 열화진단수단은 상기 보정된 소거시간 또는 보정된 라이트시간이 정해진 값을 초과한 경우에는 열화도를 사용불능상태의 열화도라 판단하고, 상기 여러개의 단계로 분리된 열화도의 최대열화도를 상기 사용불능상태의 열화도로서 취급하고 이후의 데이타저장을 금지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
20. 프로그램 또는 데이타의 처리연산을 실행하는 중앙처리장치; 상기 중앙처리장치에 의해 사용될 상기 프로그램 또는 데이타를 일시적으로 기억하는 주메모리; 기동시의 프로그램 및 기본적인 입출력명령 등의 프로그램을 저장한 기본프로그램; 적어도 동작상태 및 처리결과를 표시하는 표시제어수단 및 표시수단; 처리요구를 입력하기 위한 입력수단; 다른 정보처리시스템과의 데이타교환 등을 실행하는 통신제어수단 및; 보조기억장치로서 사용된 상기 특허청구의 범위 제19항에 기재된 반도체기억장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보처리시스템.

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