KR100255673B1 - 음극선관의 금속막 형성방법 및 이 방법에의해 형성된 금속막을 구비한 음극선관 - Google Patents

Abstract

본 발명은 음극선관의 금속막을 형성하는 방법과 이 방법에 의해 형성된 음극선관을 개시한다. 고분자막에 금속막을 증착시켜 이층막을 형성하는 단계, 블랙매트릭스 및 형광막이 형성되어 있는 음극선관 패널의 형광막과 상기 이층막의 금속막이 서로 대향하도록 위치시킨 다음 소정 간격 이격된 상태로 부착시키는 단계, 및 가열처리에 의해 상기 고분자막을 제거함으로써 형광막과 소정 간격 이격된 채로 금속막을 형성하는 본 발명의 방법에 따르면, 필르밍막 형성공정을 생략함에 따라 음극선관 제조공정의 단순화가 가능하고, 거울면과 같이 평탄하고 깨끗한 금속막을 얻을 수 있기 때문에 휘도도 상당히 개선된다.

Description

음극선관의 금속막 형성방법 및 이 방법에 의해 형성된 금속막을 구비한 음극선관

본 발명은 음극선관에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 막의 팽윤현상 없이 음극선관의 금속막을 형성하는 방법과 이 방법에 의해 형성되어 표면 평탄성이 매우 우수한 금속막을 구비하고 있는 음극선관에 관한 것이다.

도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 금속막 제조공정을 설명하기 위한 공정도인데, 이를 참조하여 일반적인 음극선관용 스크린막의 구조 및 그 제조공정을 간략하게 설명하면 다음과 같다.

먼저, 패널 (10)의 내부에 화소 형성 영역을 제외한 나머지 부분에 블랙 매트릭스 (11)를 형성하고, 상기 화소 형성 영역에 적색 (R), 녹색 (G) 및 청색 (B)의 형광체를 사용하여 스트라이프 또는 도트 패턴의 형광막 (12)을 형성한다 (도 1a 참조). 그런 다음, 상기 형광막 (12)의 상부에 필르밍액을 도포 또는 스프레이하여 필르밍막 (13)을 형성한 후 (도 1b 참조), 금속막 (14)을 형성한다 (도 1c 참조). 이어서, 열처리공정을 거쳐 상기 필르밍막 (13)을 제거함으로써 음극선관의 스크린막이 완성된다. 여기서, 금속막 (14)은 전자총에서 발사된 전자가 형광막층의 형광체 입자와 충돌하여 빛을 방사할 때 스크린막의 후면으로 방사되는 빛을 전면으로 반사시켜 주어 스크린막 전면에서의 휘도를 크게 향상시켜 주는 역할을 하며, 비중이 작아서 높은 에너지의 전자를 에너지 손실없이 투과시킬 수 있는 알루미늄을 이용하여 형성된 알루미늄막이 주로 금속막 (14)으로서 이용되고 있다.

이러한 금속막 (14)을 형광막 (12)의 상부에 직접 형성하게 되면 형광막 (12) 표면이 평탄하지 않고 요철을 이루고 있어서 R, G, B 형광체 사이로 알루미늄이 들어갈 수가 있고, 균일하고 평탄하며 연속적인 반사막을 제조하기가 곤란하게 된다. 따라서, 불연속적인 점을 통하여 빛이 새어나가게 되므로 정반사량이 감소되고 형광체의 발광 휘도를 충분히 향상시키지 못하게 된다. 또한, 전자총에서 발사되는 전자와 각각의 형광체와의 충돌에 의해 빛이 방사될 때, 스크린막의 후면으로 방사되는 빛을 전면으로 효율적으로 반사시키기 위해서는 금속막을 형광막과 소정간격 이격된 상태로 평탄하게 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 가열에 의해 분해되는 유기물로 된 필르밍막 (13)을 형광막층의 상부에 형성하고, 그 상부에 금속막 (14)을 증착시킨후, 상기 유기물층이 분해될 수 있는 온도로 가열하여 유기물을 제거함으로써 형광막 (12) 상부에 소정 간격으로 이격된 평탄한 금속막 (14)을 형성하고 있다.

그러나, 필르밍막 (13)을 제거하는 공정에서, 유기물이 완전히 연소되지 않는 경우, 형광막쪽의 금속막 표면에 잔탄이 남게 되고 가스의 발생으로 금속막의 팽윤현상이 일어나게 된다. 따라서, 음극선관의 수명, 휘도 등의 특성에 악영향을 미치게 된다.

본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하여 형광막쪽의 금속막 표면에 잔탄의 발생이 전혀 없고 금속막의 팽윤 현상이 없이 거울면과 같이 깨끗한 금속막을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 방법에 의해 형성된, 평탄성이 우수한 금속막을 구비하고 있어서 휘도 특성이 개선된 음극선관을 제공하는 것이다.

도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따라 금속막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 금속막 형성방법을 설명하기 위한 공정도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10, 20. 패널 11, 21. 블랙 매트릭스

12, 22. 형광막 13, 필르밍막

14, 24. 금속막 25. 고분자막

본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, (a) 고분자막에 금속막을 증착시켜 이층막을 형성하는 단계, (b) 블랙매트릭스 및 형광막이 형성되어 있는 음극선관 패널의 형광막과 상기 이층막의 금속막이 서로 대향하도록 위치시킨 다음 소정 간격 이격된 상태로 부착시키는 단계, 및 (c) 가열처리에 의해 상기 고분자막을 제거하는 단계를 포함하는, 음극선관의 금속막 형성방법이 제공된다.

본 발명의 다른 목적은 상기 방법에 의해 형성된 금속막을 채용하고 있는 음극선관에 의해 달성된다.

상기 금속막은 반사효율이 좋은 것이라면 특별히 제한되지 않으나, 그 중에서도 알루미늄막인 것이 바람직하며, 그 두께는 100 내지 10,000Å, 특히 1,000-5,000Å 범위인 것이 바람직하다.

상기 고분자막은 당해 기술분야에서 통상적으로 이용되는 고분자를 이용하여 형성하며, 그 두께는 1 내지 10㎛인 것이 바람직하다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 금속막 형성방법을 설명하기 위한 공정도이다.

먼저, 고분자막 (25)을 기재로 하여 그 위에 금속막 (24)을 증착시켜 이층막을 형성한다 (도 2a 참조). 상기 금속막은 전자빔의 투과성이 좋은 것이라면 특별히 제한되지 않으나, 그 중에서도 알루미늄막이 바람직하게 이용된다. 또한, 그 두께는 100 내지 10,000Å, 특히 1,000-5,000Å 범위인 것이 바람직한데, 이와 같은 두께는 종래에 비해 1/5 내지 1/10에 불과한 것으로 본 발명에 의하면, 금속막의 두께를 크게 줄일 수 있고, 이로 인해 전자빔의 투과율도 향상되는 효과를 부수적으로 얻을 수 있다. 또한, 상기 고분자막의 두께는 특별히 한정되지는 않지만 1 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 이 고분자막은 평탄한 금속막, 예를 들어 알루미늄막의 형성을 위한 기재로서만 작용할 뿐이며, 후공정인 소성공정에서 열처리에 의해 제거될 수 있는 고분자라면 특별히 제한되지 않는다. 고분자막에 금속막을 형성하는데 있어서는 증착방법이 평탄한 금속막을 형성하는데 바람직하기는 하지만, 증착방법으로만 제한되는 것은 아니다.

이어서, 블랙매트릭스 (21)와 형광막 (22)이 형성되어 있는 음극선관 패널 (20)의 형광막과 상기 이층막의 금속막이 서로 대향하도록 위치시킨 다음 (도 2b 참조), 소정 간격 이격된 상태로 부착시킨다 (도 2c 참조). 이때, 부착방법은 특별히 한정되지 않는다. 그런 다음, 음극선관의 제조공정 중 소성공정에 의한 열처리에 의해 상기 고분자막 (25)을 제거함으로써, 그 결과 형광막 (22)과 소정 간격 이격된 상태로 금속막 (24)이 형성된다.

이와 같은 방법에 의해 형성되는 금속막은 전술한 바와 같이 종래에 비해 그 두께를 얇게 할 수 있기 때문에 전자빔의 투과율이 향상되어 휘도를 향상시킨다. 실제로, 종래의 방법에 따라 필르밍막을 형성하는 경우의 휘도를 100%로 했을 때, 본 발명의 방법에 따라 알루미늄막을 형성하는 경우에는 그 두께에 따라 휘도값이 달라지는 것으로 나타났는데, 두께가 1,000Å, 2,000Å, 3,000Å인 경우에 얻어지는 휘도는 각각 105%, 108%, 115% 였다.

또한, 필르밍막의 형성공정을 생략할 수 있어서 공정이 단순해짐은 물론 형광막쪽의 금속막 표면이 거울면과 같이 깨끗하고 평탄하며, 유기물 잔탄도 전혀 없다. 게다가, 공정의 특성상 형광막과 금속막 사이에 필르밍막이 없기 때문에 금속막의 팽윤도 당연히 없고 개스의 발생도 없다.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 금속막 형성방법에 의하면, 필르밍막 형성공정을 생략함에 따라 음극선관 제조공정의 단순화가 가능하고, 거울면과 같이 평탄하고 깨끗한 금속막을 얻을 수 있기 때문에 휘도도 상당히 개선된다.

Claims (6)

1. (a) 고분자막에 금속막을 증착시켜 이층막을 형성하는 단계,

   (b) 블랙매트릭스 및 형광막이 형성되어 있는 음극선관 패널의 형광막과 상기 이층막의 금속막이 서로 대향하도록 위치시킨 다음 소정 간격 이격된 상태로 부착시키는 단계, 및

   (c) 가열처리에 의해 상기 고분자막을 제거하는 단계를 포함하는, 음극선관의 금속막 형성방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 금속막이 알루미늄막인 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제 2항에 있어서, 상기 알루미늄막의 두께는 100 내지 10,000Å인 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제 3항에 있어서, 상기 알루미늄막의 두께는 1,000-5,000Å 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제 1항에 있어서, 상기 고분자막은 그 두께가 1 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제 1항 내지 5항 중 어느 한항의 방법에 의해 형성된 금속막을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 음극선관.

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