KR100249891B1 - 반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents

반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100249891B1
KR100249891B1 KR1019980010408A KR19980010408A KR100249891B1 KR 100249891 B1 KR100249891 B1 KR 100249891B1 KR 1019980010408 A KR1019980010408 A KR 1019980010408A KR 19980010408 A KR19980010408 A KR 19980010408A KR 100249891 B1 KR100249891 B1 KR 100249891B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
mask pattern
resist
wavelength
photomask
Prior art date
Application number
KR1019980010408A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980080670A (ko
Inventor
테츠야 하타이
히로키 타부치
마사시 이노우에
Original Assignee
마찌다 가쯔히꼬
샤프 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마찌다 가쯔히꼬, 샤프 가부시키가이샤 filed Critical 마찌다 가쯔히꼬
Publication of KR19980080670A publication Critical patent/KR19980080670A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100249891B1 publication Critical patent/KR100249891B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

반도체 제조용의 포토마스크는 마스크 패턴으로서 작용하는 크롬 패턴을 포함한다. 이 크롬 패턴은 파장과 실질적으로 동일한 간격, 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 크기를 갖도록 형성된다. 이 크롬 패턴은 밴드형 제 1 크롬 패턴과, 상기 제 1 크롬 패턴의 길이 방향 측과 실질적으로 직교하는 폭 방향 측을 갖는 제 2 크롬 패턴을 포함한다. 이어, 노출광의 파장 이하의 크기를 갖고 노출광을 감광하거나 또는 노출광의 위상을 변경하는 작용을 하는 보조패턴을 제 2 크롬 패턴의 측면의 양쪽 각부에서 제 2 크롬 패턴과 부분적으로 중첩되게 형성한다. 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 크기의 레지스트 패턴 또는 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 간격의 레지스트 패턴을 형성할 때, 상술한 포토마스크는 보조 패턴에 상응하는 제 1 레지스트 패턴의 각부의 후퇴를 억제함과 동시에 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 거리로 각부로 부터 떨어져 위치하는 제 2 레지스트 패턴의 변형을 억제한다.

Description

반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴 형성방법
본 발명은 고정밀도의 미세 패터닝(patterning)을 실현하는 반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것이다.
최근, 정밀도 및 소형화의 향상에 대한 요건을 충족시키기 위하여 반도체 집적회로의 제조공정에서 보다 미세한 패터닝 공정을 실현하는 수법이 더욱 요청되고 있다. 이러한 미세 패턴을 형성하기 위한 방법으로, 다양한 포토리소그래피 기술이 검토되어 실용화되고 있다.
반도체 기판상에 배선등과 같은 패턴을 형성하기 위하여, 이하의 방법이 일반적으로 채용된다. 즉, 배선 등은 폴리실리콘 막, 금속 막 등과 같은 막상에 내에칭용 마스크 패턴을 먼저 형성시킨 후 에칭을 실시하는 것에 의해 형성된다. 여기서, 포토리소그래피 공정은 에칭에 대한 마스크로서 작용하는 패턴을 형성하는 공정을 제시한다. 내에칭용 마스크 패턴으로서는 레지스트(감광성 수지막)가 흔히 사용된다.
이어, 반도체 기판상에 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관하여 간단히 설명한다.
첫째, 배선용의 막을 갖는 반도페 기판을 회전시키면서 레지스트 용액을 반도체 기판상에 도포한다. 여기서, 반도체 기판이 회전되기 때문에 레지스트 용액은 반도페 기판의 전면상에 도포될 수 있다. 그 결과, 반도체 기판상에 레지스트가 도포되어 레지스트 막을 형성하게된다.
둘째, 레지스트 막을 갖는 상기 반도체 기판을 노출 처리시킨다. 여기서, 사용하는 노출 장치(스테퍼)에는 Cr 등의 차광재료로 구성된 소정의 마스크 패턴(이하, 크롬 패턴이라 칭함)을 갖는 포토마스크가 설정된다. 이 노출 처리에서, 노출 광은 자외선의 파장 보다 크지 않는 파장을 갖는 균일한 위상의 광을 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 소망하는 광의 예는 다음을 포함한다: i선 (365 nm), KrF 엑시머 레이저 (248 nm), ArF 엑시머 레이저 (193 nm) 등.
마지막으로, 상기 레지스트 막을 갖는 반도체 기판을 노출시킨 후, 프리베이킹 처리 및 현상처리를 실행함으로써 레지스트 막의 노출 영역만을 반도체 기판으로 부터 제거한다. 그 결과, 포토마스크의 마스크 패턴과 동일한 형상을 갖고 또 축소형 렌즈에 의해 소정의 비율로 축소된 레지스트 패턴이 반도체 기판상에 형성될 수 있다.
이하에서, 포지티브 포토레지스트를 사용하여 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 종래의 포토리소그래피 공정에 있어서(a) 포토마스크의 마스크 패턴과 (b) 각 마스크 패턴을 전사시킨 레지스트 패턴과의 관계를 도 5(a) 내지 도 8(b)를 참조하여 설명한다.
[종래예 1]
도 5(a)에 도시한 바와 같이, 1/5 축소 투영용의 포토마스크의 마스크 패턴으로서 폭 1.25 ㎛의 크롬 패턴(101)을 투명 기판상에 형성한다.
이 크롬 패턴(101)을 파장 248 nm의 KrF 엑시머 레이저를 사용하여 반도체 기판상의 포지티브 포토레지스트 막으로 전사한다. 그 결과, 도 5(b)에 도시한 바와 같이, 크롬 패턴(101)을 레지스트 막상에 1/5로 축소 도포함으로써 폭이 0.25 ㎛인 레지스트 패턴(102)을 형성한다.
상기 크롬 패턴(101)은 Cr으로 제조된다. 그러므로 레지스트 패턴(102)의 선단부는 Cr로 제조된 크롬 패턴(101)에 의해 규정된다.
레지스트 패턴(102)의 폭이 도 5(b)에 도시한 바와 같이 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 경우, 레지스트 패턴(102)의 선단부는 크롬 패턴(101)의 축소 투영도를 도시하는 도 5(a)의 선단부에 상응하는 위치로 부터 후퇴량 "d" (0.13 ㎛) 만큼 후퇴하게된다. 이것은 레지스트 패턴(102)의 폭이 좁아서 노출광이 크롬 패턴(101)의 선단부에서 3방향으로 회전하기 때문이다.
상술한 레지스트 패턴의 후퇴를 억제하기 위한 방법으로서 이하의 2가지 방법이 제안되었다.
제 1 방법은 도 6(a) 내지 도 7(b)에 도시한 바와 같이, 노출광의 파장보다 크지 않은 차광 재료로된 크롬 보조 패턴을 마스크 패턴인 크롬 패턴에 부가하는 방법이다. 이 크롬 보조 패턴은 크기가 노출광의 파장 이하이기 때문에 해상되지 않는다.
한편, 제 2 방법은 도 8(a) 및 도 8(b)에 도시한 바와 같이 위상 변경 마스크를 사용하여 레지스트 패턴의 크기와 형상을 조정하는 방법이다.
이하의 종래예 2 및 3에서는 제 1 방법에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 도 6(a) 내지 도 7(b)를 참조하여 설명한다.
[종래예 2]
도 6(a)에 도시한 바와 같이, 1/5 축소 투영용 포토마스크의 마스크 패턴으로서 폭이 1.25 ㎛인 크롬 패턴(103, 104)을 각기 직교하는 방향으로 투명 기판상에 형성시킨다. 크롬 패턴(103, 104)의 간격 "a"는 1.25 ㎛이다. 이어, 0.20 ㎛각의 크롬 보조 패턴(105, 106)을 상기 크롬 패턴(103)의 선단부에 0.05 ㎛각 만큼 크롬 패턴(103)과 중첩하여 형성한다.
이 마스크 패턴을 파장 248 nm의 KrF 엑시머 레이저를 사용하여 반도체 기판상에 포지티브 포토레지스트 막에 전사한다. 그 결과, 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 마스크 패턴을 1/5 축소하여 레지스트 막에 도포하여 폭이 0.25㎛인 레지스트 패턴(107, 108)을 형성하게된다.
마스크 패턴 및 크롬 보조 패턴(105, 106)으로 작용하는 크롬 패턴(103, 104)은 모두 Cr로 제조된다. 따라서, 레지스트 패턴(106)의 선단부는 Cr로 제조된 마스크 패턴에 의해 규정된다. 그러나, 크롬 보조 패턴(105, 106)은 노출광의 파장 이하의 크기를 갖기 때문에, 크롬 보조 패턴(105, 106) 형상의 패턴은 레지스트 패턴(107)의 각부(109)에서 형성되지 않는다.
도 6(b)에 도시한 바와 같이, 크롬 보조 패턴(105, 106)의 영향에 의해 선단부의 후퇴량 "e"는 약 0.05 ㎛ 정도로 규정된다.
그러나 레지스트 패턴(107)의 선단부와 인접하게 배치된 레지스트 패턴(108)의 영역(110)이 약 0.05 ㎛ 정도의 팽창량 "f"에 의해 변형되는 문제가 새로이 생긴다.
이러한 레지스트 패턴(108)의 영역(110)의 팽창에 기인한 변형은 i) 크롬 보조 패턴(105, 106)의 간격으로 형성되고 또 ii) 크롬 패턴(104)은 노출광의 파장 보다 작기 때문에 생기며, i) 및 ii) 사이의 영역의 해상은 달성되기 어렵다. 극단적인 경우 레지스트 패턴(107, 108)은 팽창에 의한 상술한 변형에 의해 연속될 수 있다.
[종래예 3]
도 7(a)에 도시한 바와 같이, 1/5 축소 투영용 포토마스크의 마스크 패턴으로서, 폭이 1.25 ㎛인 L-형의 크롬 패턴(111, 112)은, 굴곡부의 각부가 상호 인접하도록 평행하게 투명 기판상에 형성된다. 여기서 크롬 패턴(111, 112)은 1.25 ㎛의 간격으로 위치된다. 이어 0.20㎛ 각도의 크롬 보조 패턴(113)이, 0.05㎛각으로 크롬 패턴(111)과 부분적으로 중첩되도록 크롬 패턴(111)의 각부에서 형성된다. 생성한 마스크 패턴은 파장 248 nm의 KrF 엑시머 레이저를 사용하여 반도체 기판상에 포지티브 포토레지스트 막상으로 전사된다. 그 결과, 도 7(b)에 도시한 바와 같이, 마스크 패턴은 레지스트 막상에 1/5 축소 투영됨으로써 폭 0.25 ㎛의 레지스트 패턴(114, 115)을 형성한다.
마스크 패턴 및 크롬 보조 패턴(113)으로 작용하는 크롬 패턴(111, 112)은 모두 Cr로 제조된다. 따라서, 레지스트 패턴(114)의 각부 (116)는 Cr로 제조된 마스크 패턴에 의해 규정된다. 그러나 크롬 보조 패턴(113)이 노출광의 파장 이하의 크기를 갖기 때문에 레지스트 패턴(114)의 각부(116)에서는 크롬 보조 패턴(113) 형상의 패턴이 형성되지 않는다.
따라서, 도 7(b)에 도시한 바와같이, 크롬 보조 패턴(113)의 영향에 의한 레지스트 패턴(114)의 각부(116)의 변형은 관찰되지 않는다. 그러나, 인접하는 레지스트 패턴(115)의 각부(117)가 팽창에 의해 원형으로 변형되는 다른 문제가 생긴다.
레지스트 패턴(115)의 각부(117)의 팽창에 의한 이러한 변형은 ① 크롬 보조 패턴(113)과 ② 크롬 패턴(112) 사이의 간격이 노출광 파장 이하이기 때문에 생기며, ①과 ② 사이의 영역에서 해상은 달성되기 어렵다. 극단적인 경우, 레지스트 패턴(114)의 각부(116)와 레지스트 패턴(115)의 각부(117)는 상술한 팽창에 의해 연속될 수 있다.
이하의 종래예 4에서는 레지스트 패턴의 후퇴를 억제하기 위한 제 2 방법을 채용하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 도 8(a) 및 도 8(b)를 참조하여 설명한다.
[종래예 4]
제 2 방법은 위상 변경 마스크를 사용하여 레지스트 패턴의 크기 또는 형상을 조정하는 것이다. 위상 변경 방법으로서는 광의 위상차를 이용하여 노출시의 콘트라스트를 높이는 것이다.
위상 변경법에 사용하기 위한 위상 변경기는 투과광의 위상을 원래 위상으로 부터 180°정도 벗어나도록 설정되어 있다. 따라서, 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 크기의 위상 변경기를 레지스트에 노출시키면, 위상 변경기를 통과한 광과 위상 변경기 주변을 투과한 광이 간섭하여 차광 상태로되기 때문에 노출이 실시되지 않는다. 따라서 레지스트 패턴은 위상 변경기 자체의 형태로 형성된다. 부가적으로, 크롬 패턴에 비하여 노출 공정에서 높은 콘트라스트를 달성할 수 있어 향상된 정밀도를 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
도 8(a) 및 도 8(b)에 도시한 바와 같이, 마스크 패턴에 위상 변경기를 사용하여 레지스트 패턴을 보정하는 방법이 채용된다.
도 8(a)에 도시한 바와 같이, Cr 등의 차광 재료로 제조된 크롬 패턴(119)은 소정 형상을 갖는 마스크 패턴(118)의 주요부에서 형성된다. 또한 마스크 패턴의 선단부에 SOG(spin on glass) 막, MoSiOxNy 막 등으로 제조된 위상 변경기(120)를 형성한다. 투명 기판상에 1.25 ㎛ 폭의 마스크 패턴(118)을 형성하기 위하여, 크롬 패턴(119)의 폭이 1.25 ㎛일 때 위상 변경기 (120)는 1.25 x 1.00 ㎛ 크기로 형성된다.
마스크 패턴(118)은 파장 248 nm의 KrF 엑시머 레이저를 사용하여 반도체 기판상에 포지티브 포토레지스트 막으로 전사된다. 그 결과, 도 8(b)에 도시한 바와 같이, 마스크 패턴(118)은 레지스트 막상에 1/5 축소 투영되므로 폭 0.25 ㎛의 레지스트 패턴(121)을 형성하게된다.
여기서, 마스크 패턴(118)의 주요부는 크롬 패턴(119)에 의해 형성된다. 따라서, 레지스트 패턴(121)의 주요부는 크롬 패턴(119)에 의해 규정된다. 부가적으로 마스크 패턴(119)의 선단부는 위상 변경기(120)에 의해 조절된다.
따라서, 도 8(b)에 도시한 바와 같이, 상술한 종래예에 따르면, 도 6(a) 및 도 6(b)에서 설명된 종래예 2를 채용하는 경우와 비교하여 레지스트 패턴(121)의 선단부의 후퇴를 억제할 수 있다. 그러나 후퇴량 "g"는 여전히 크다(0.09 ㎛).
상술한 바와 같이, 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 레지스트 패턴이 포지티브 포토레지스트를 사용하여 형성되는 KrF 엑시머 레이저를 이용한 포토리소그래피 공정에서는 도 5(b)에 도시한 바와 같이, 레지스트 패턴(102)은 패터닝후에 약 0.13 ㎛의 후퇴량 "d"만큼 후퇴한다. 이 후퇴량 "d"는 노출광의 파장의 1/2에 해당하기 때문에 설계상의 마진(margin)을 확실히 할 수 없다.
레지스트 패턴의 후퇴를 억제하기 위한 상술한 종래 방법은 이하의 결점을 갖는다.
[1] 크롬 보조 패턴을 채용하는 방법 (종래예 2 및 종래예 3)
도 6(a) 및 도 6(b)에 나타낸 종래예 2에서, 크롬 보조 패턴(105, 106)의 영향에 의하여 레지스트 패턴(107)의 선단부의 후퇴량 "e"은 0.05 ㎛ 정도로 현저히 감소될 수 있다.
그러나, 인접하는 레지스트 패턴(108)의 영역(110)은 팽창에 의해 후퇴량 "f"가 0.05 ㎛ 정도로 변형된다. 극단적인 경우, 레지스트 패턴(107)의 선단부 및 레지스트 패턴(108)의 영역(110)이 연속될 수 있다.
도 7(a) 및 도 7(b)에 도시한 종래예 3에서는 레지스트 패턴(115)의 각부(117)는 원형으로 변형된다. 이어 극단적인 경우, 레지스트 패턴(114)의 각부(116) 및 레지스트 패턴(115)의 각부(117)는 상술한 팽창에 의해 연속될 수 있다.
레지스트 패턴의 팽창에 의한 변형은 크롬 보조 패턴과 크롬 패턴 사이의 간격이 노출광의 파장 이하이기 때문에 생기며, 그 간격에서의 영역은 해상되지 않는다.
[2] 위상 변경기를 채용한 방법 (종래예 4)
도 8(a) 및 도 8(b)에 도시된 상술한 종래예 4에서는 위상 변경기(120)의 영향에 의해 패터닝을 실시한 후 레지스트 패턴(121)의 선단부의 후퇴량이 종래예 1(도 5(a) 및 도 5(b))의 경우와 비교하여 억제될 수 있다. 그러나 후퇴량 "g"는 여전히 크다(0.09 ㎛).
상술한 바와 같이, 반도체 제조용 종래 포토마스크 및 레지스트 패턴을 형성하기 위한 방법에서는 마스크 패턴의 선단부가 후퇴하고 또 설계상의 어라인먼트 마진이 감소하거나 팽창에 의해 인접 레지스트 패턴이 변형되어 인접하는 각 레지스트 패턴이 연속하게되는 문제가 생길 수 있다.
고정밀도의 미세 패터닝을 실현하는 반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴 형성방법을 제공하는 것이 본 발명의 기술적 과제이다.
도 1(a)는 본 발명의 일개 실시예에 따른 마스크 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 1(b)는 도 1(a)의 마스크 패턴에 상응하는 레지스트 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일개 실시예에 따른 다른 마스크 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 3(a)는 본 발명의 일개 실시예에 따른 다른 마스크 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 3(b)는 도 3(a)의 마스크 패턴에 상응하는 레지스트 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 4(a)는 본 발명의 일개 실시예에 따른 다른 마스크 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 4(b)는 도 4(a)의 마스크 패턴에 상응하는 레지스트 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 5(a)는 종래예의 마스크 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 5(b)는 도 5(a)의 마스크 패턴에 상응하는 레지스트 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 6(a)는 다른 종래예의 마스크 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 6(b)는 도 6(a)의 마스크 패턴에 상응하는 레지스트 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 7(a)는 다른 종래예의 마스크 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 7(b)는 도 7(a)의 마스크 패턴에 상응하는 레지스트 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 8(a)는 다른 종래예의 마스크 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
도 8(b)는 도 8(a)의 마스크 패턴에 상응하는 레지스트 패턴의 요부를 도시하는 개략적 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1, 2, 8, 9, 18, 101, 103, 104, 111, 112, 119: 크롬 패턴
5, 6, 11, 12, 102, 107, 108, 114, 115: 레지스트 패턴
3a, 4a, 10, 19, 20, 105, 106, 113: 보조 패턴
7, 13, 14, 23, 109, 116, 117: 각부
15, 118: 마스크 패턴
17, 120: 위상 변경기
상술한 바와 같은 과제는 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 패턴을 형성하거나 또는 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 간격으로 패턴을 형성할 때 레지스트 패턴의 단부의 후퇴 및 단부로 부터 노출광의 파장과 동일 정도 떨어진 위치에 있는 레지스트 패턴의 변형을 억제하는 것에 의해 달성할 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 제조용 포토마스크는 노출광을 차광하여 레지스트 패턴을 형성하기 위한 마스크 패턴;과 상기 마스크 패턴의 단부에 상기 노출광을 감광하는 기능을 갖는 상기 노출광의 파장 이하의 크기의 보조 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 구성에 의하면, 노출광을 감광하는 기능을 갖는 소재에 의해 형성된 보조 패턴에 의해 레지스트 패턴의 단부 근방의 광을 감광할 수 있다. 그 결과, 노출 공정에서, 레지스트 패턴의 단부에서의 노출광의 증가가 다른 부분 보다 크게되는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 노출후의 레지스트 패턴의 폭이 마스크 패턴의 폭(축소 투영의 경우, 마스크 패턴의 폭 x 축소율)과 일치하도록 노출시키는 경우에도 레지스트 패턴의 단부의 후퇴량이 억제되며 또 노출광의 파장 이하의 거리 만큼 단부로 부터 떨어져 위치하는 레지스트 패턴의 변형을 방지할 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 다른 반도체 제조용 포토마스크는 노출광을 차광하는 레지스트 패턴을 형성하는데 사용하기 위한 마스크 패턴; 및 마스크 패턴의 단부에서 형성된 노출광의 파장 이하의 크기를 갖고 노출광의 위상을 변경하는 작용을 갖는 보조 패턴을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 따라 노출광의 위상을 변경하는 작용을 갖는 소재로 제조된 보조 패턴을 형성함으로써, 예컨대 레지스트 패턴의 단부 근방에서 광의 위상을 반전시키는 것에 의해 광의 회전을 억제할 수 있다. 그 결과, 노출시 다른 부분 보다 훨씬 큰 레지스트 패턴의 단부에서 노출광 양의 증가가 억제될 수 있다.
따라서, 노출후의 레지스트 패턴의 폭이 마스크 패턴의 폭(축소투영된 경우는 마스크 패턴의 폭 x 축소율)과 일치하도록 노출하는 경우에도 레지스트 패턴의 단부의 후퇴가 억제되고 또 보조 패턴으로 부터 노출광의 파장 이하의 거리 정도 떨어진 위치에 있는 레지스트 패턴의 변형을 방지할 수 있다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레지스트 패턴 형성방법은 반도체 기판에 레지스트층을 형성하는 단계와 상기 레지스트층에 대하여 상기 포토마스크를 통하여 노출광을 조사하여 상기 반도체 기판상에 상기 포토마스크의 마스크 패턴에 대한 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 레지스트 형성방법에 따르면, 소망하는 레지스트 패턴에 따라서 포토마스크에 보조 패턴을 설치하고 적당한 파장의 노출광을 조사하는 것에 의해 레지스트 패턴의 단부의 후퇴, 및 단부로 부터 노출광의 파장과 동일 정도 떨어진 위치에 있는 레지스 패턴의 변형을 억제할 수 있다.
따라서, 상술한 반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴을 형성하는 방법은 고정밀도의 패터닝을 제공하므로 고정밀도의 신뢰성이 높은 반도체를 제공할 수 있다.
본 발명의 특징과 이점을 보다 자세하게 이해하기 위하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
[제 1 실시예]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일개 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
본 실시예의 반도체 제조용 포토마스크는 Cr막 및 MoSiOxNy막으로된 차광 재료로 제조된 마스크 패턴을 투명 유리 기판상에 형성시켜 제조한 것이다. 이 포토마스크는 패터닝에 사용하기 위한 감광성 포지티브 포토레지스트가 도포된 반도체 기판상에 파장 248 nm의 KrF 엑시머 레이저를 조사하는 것에 의해 1/5 축소 투영되어 레지스트상에 상기 마스크 패턴에 상응하는 패턴 전사를 실행한다.
상술한 패터닝에 처리될 반도체 기판은 예컨대 약 8 nm의 얇은 SiO2층상에 두께 0.2 ㎛의 폴리실리콘층이 형성된 실리콘 기판이다. 이어, 상기 반도체 기판의 표면에 패터닝용 포지티브 포토레지스트를 막 두께 0.77 ㎛로 스핀 도포한다. 이후, 상기 반도체 기판을 90℃에서 90초로 베이킹 처리한다. 포지티브 포토레지스트의 경우, 통상 알칼리 가용성 페놀 수지와 나프토퀴논 디아지도의 혼합물이고 본 실시예는 도쿄 오카 고교 컴패니 리미티드가 제조한 TDUR-P009를 사용한다.
상기 포토마스크는 투명한 유리 기판상에 Cr막과 MoSiOxNy막을 순서대로 적층시킨 것이다. MoSiOxNy막의 경우 감광형의 KrF 엑시머 레이저를 6 내지 8% 투과한 것이나 i선을 4 내지 8% 투과한 것 또는 위상 변경형을 사용한다.
이어, 마스크 패턴의 노출,전사 및 현상 공정은 이하와 같다.
마스크 패턴이 형성된 포토마스크를 반도체 제조용의 노출 장치에 설치하고 파장이 248 nm인 KrF 엑시머 레이저를 사용하여 상기 반도체 기판의 레지스트상에 축소 투영법에 의해 패턴 전사를 실시한다. 이 때, 폭 0.25 ㎛의 라인패턴으로 전사된 레지스트 패턴을 얻기 위하여 포지티브 포토레지스트상의 패턴에서 폭의 변경양이 거의 0이 되도록 광을 예컨대 310 J/m2정도 조사한다. 이어 상기 반도체 기판을 (1) 107.5℃에서 90초간 베이킹 처리하고, (2) TMAH(테트라메틸암모늄 하이드라이드) 2.38%의 알칼리 현상액을 사용하여 24℃에서 60초간 현상 처리한 다음 15초간 수세 처리를 실시한 후 스핀 건조 처리를 실시한다.
이상의 공정에 의해서, 상기 마스크 패턴은 레지스트막상에 1/5 축소투영되게 도포됨으로써 상기 반도체 기판상에 밴드폭 0.25μm의 레지스트 패턴을 형성한다.
그 후, 상기 레지스트 패턴을 마스크 패턴으로하여, 공지 방법에 의해 폴리실리콘막을 에칭하고, 약 0.25μm 폭의 소정의 미세한 배선 패턴을 고정밀도로 형성할 수가 있다.
본 실시예에 따른 포토마스크의 마스크 패턴은 제 2 마스크 패턴의 폭방향 측이 제 1 마스크 패턴의 길이 방향측과 인접하고 또 실질적으로 직교하도록 배치되고 또 보조 패턴은 제 1 마스크 패턴 근방에 위치하는 제 2 마스크 패턴의 2개 각부에서 설치되도록 형성된다.
우선, 보조 패턴이 포토마스크에 사용된 차광 재료로 이루어지는 마스크 패턴의 각부에 설치되는 경우에 관해서 도 1(a), 도 1(b) 및 도 2를 참조하여 설명한다.
도 1(a)에 도시한 바와 같이, 1/5 축소투영용의 포토마스크로 작용하는 마스크 패턴은 폭이 1.25μm인 크롬 패턴(1,2)이 1.25μm의 간격 "a"로 배치되도록 투명 기판상에 형성된다. 특히, 제 1 마스크 패턴으로 작용하는 크롬 패턴(2)과 제 2 마스크 패턴으로 작용하는 크롬 패턴(1)은, 도 1(a)에 도시한 바와 같이, 크롬 패턴(1)의 폭방향 측이 크롬 패턴(2)의 길이 방향측과 인접하고 또 실질적으로 직교하도록 배치된다. 또한 노출광을 감소시키거나 또는 노출광의 위상을 변경하는 작용을 갖는 0.15μm 각의 정방형 보조 패턴(3a 및 4a)이 상기 크롬 패턴(1)의 선단부 양쪽 각부에서 전체 면적의 1/9인 0.05μm 각 정도 부분적으로 중첩되도록 형성된다.
또한 상기 보조 패턴(3a, 4a)의 인접하는 2개 측은 길이 방향의 각부에서 2개 측과 등간격으로 평행하게 형성되어있다. 즉, 상기 보조 패턴(3a, 4a)은 상기 양쪽 각부에서 각 측에 따른 노출광의 광로가 노출광의 파장 보다 작은 폭의 영역을 가로지르도록 배치되어 있다.
여기서, 도 1(b)에 도시한 바와 같이 상기 마스크 패턴(1)에 상응하는 레지스트 패턴(5)의 선단부에 있는 각부(7)는 상기 마스크 패턴의 크롬 패턴(1) 및 보조 패턴(3a, 4a)에 의해 규정된다. 그러나, 보조 패턴(3a, 4a)은 노출광의 파장 보다 작은 폭을 갖고 또 광 축소형 또는 위상 변경형 소재로 제조된다. 따라서 보조 패턴(3a, 4a)의 형상은 레지스트 패턴(5)의 선단부의 각부(7)로 전사되지 않는다.
도 1(b)에 도시한 바와 같이, 보조 패턴(3a,4a)의 영향에 의해 레지스트 패턴(5)의 선단부의 후퇴량 "b"는 약 0.05μm 정도로 억제되어 있다. 또, 이 후퇴량 "b"는 상술한 종래예2의 경우와 같은 정도이다. 또한, 레지스트 패턴(5)의 선단부의 각부(7)는 상기 보조 패턴(3a, 4a)에 의해 원형으로 변형되거나 후퇴되지 않으므로 상기 마스크 패턴에 따라 투영 각부를 형성한다. 또한 종래예 3과 같이, 보조 패턴(3b, 4b)의 영향에 의해 상기 마스크 패턴(1)에 상응하는 레지스트 패턴(6)의 팽창에 기인한 변형은 상기 보조 패턴에 의해 방지된다.
도 1(a)에 도시한 바와 같이, 상기 설명한 마스크 패턴은 보조 패턴(3a, 4b)이 크롬 패턴(1) 위에서 부분적으로 겹치도록 형성되어 있다. 그러나, 이것은 크롬 패턴(1)이 도 2에 도시한 바와 같이 보조 패턴(3b, 4b)와 부분적으로 중첩되도록 배치될 수도 있다.
다음에, 노출광의 위상을 바꾸는 기능을 갖는 소재로 형성된 마스크 패턴의 각부에 보조 패턴이 설치되는 경우에 관해서 도 3(a)을 참조하여 설명한다.
도 3(a)에 도시한 바와 같이, 1/5 축소 투영용의 포토마스크의 마스크 패턴은 1.25μm 폭의 마스크 패턴(15)과 크롬 패턴(18)이 각각 1.25μm의 간격 "a"로 배치되도록 투명 기판상에 형성된다. 특히 제 1 마스크 패턴으로 작용하는 크롬 패턴(18) 및 제 2 마스크 패턴으로 작용하는 마스크 패턴(15)은, 도 3(a)에 도시한 바와 같이, 크롬 패턴(15)의 폭 방향 측이 마스크 패턴(18)의 길이 방향측과 인접하고 또 실질적으로 직교하게 배치된다. 이 마스크 패턴(15)은 Cr 등과 같은 차광 재료로 제조된 크롬 패턴(16)으로 실질적으로 구성되며 또 마스크 패턴(15)의 선단부에 MoSiOxNy 막으로 이루어진 1.25 x 1.00 μm 크기의 위상 변경기(17)를 포함한다.
또한, 노출광 감광 작용 또는 위상 변경 작용을 갖는 0.15 ㎛ 각 보조 패턴(19, 20)은 마스크 패턴(15)의 선단부인 위상 변경기(17)의 양쪽 각부에, 상기 보조 패턴(19,20)의 일부, 예컨대 1/9인 0.05μm 각 정도 중첩되게 설치된다.
상기 포토마스크는 투명 유리 기판 위에 Cr 막과 MoSiOxNy 막을 적층한 것이다. MoSiOxNy 막의 경우 감광형으로 KrF 엑시머 레이저를 6∼8% 투과한 것, 또는 i선을 4∼8% 투과한 것, 또는 위상 변경한 것을 사용한다.
도 1(a) 및 도 1(b)에서 설명한 것과 동일한 수순에 따라서, 반도체 기판상의 포지티브 포토레지스트막에 파장 248 nm의 KrF 엑시머 레이저를 사용하여 마스크 패턴을 전사한다. 그 결과, 상기 마스크 패턴은 레지스트막상에 1/5 축소투영되고, 도 3(b)에 도시한 바와 같이 폭 0.25μm의 레지스트 패턴이 형성된다.
여기서, 도 3(b)에 도시한 바와 같이, 상기 마스크 패턴(15)에 상응하는 레지스트 패턴(21)의 선단부의 각부(23)는 상기 마스크 패턴(15)의 위상 변경기(17) 및 보조 패턴(19,20)에 의해 규정된다. 그러나, 상기 보조 패턴(19,20)은 크기가 노출광의 파장 이하이고, 더구나 감광형 또는 위상 변경형 소재로 제조되고있다. 이것 때문에, 보조 패턴(19,20)은 레지스트 패턴(21)의 선단부의 각부(23)에서 형성되지 않는다.
도 3(b)에 도시한 바와 같이, 상기 위상 변경기(17) 및 보조 패턴(19,20)의 영향에 의해서, 레지스트 패턴(21)의 선단부의 후퇴량 "c"는 0.02μm 정도로 억제된다. 상기 레지스트 패턴(21)의 선단부의 양쪽 각부(23)는 상기 보조 패턴(19,20)에 의해서 원형으로 변형되거나 후퇴되지 않기 때문에 마스크 패턴에 따라서 투영 각부를 형성한다. 또한 종래예 2와 마찬가지로, 보조 패턴의 영향에 의한 상기 마스크 패턴(18)에 상응하는 레지스트 패턴(22)의 팽창에 의한 변형이 상기 보조 패턴(19,20)에 의해서 방지된다.
도 3(a)에 도시한 바와 같이, 상술한 마스크 패턴은 보조 패턴(19,20)이 크롬 패턴(17)상에서 부분적으로 중첩되게 배치되어 있다. 그러나 크롬 패턴(17)이 보조 패턴(19,20)과 부분적으로 중첩하도록 형성될 수 있다.
이상으로 설명한 마스크 패턴은 크롬 패턴에 대하여 노출광이 3방향으로 회전하는 경우이었다. 본 발명의 다른 실시예로서 이하에서는 노출광이 크롬 패턴에 대하여 2개 방향으로 회전하는 경우에 대하여 설명한다.
[제 2 실시예]
이하의 설명은 도 4(a) 및 도 4(b)를 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 설명한다.
본 실시예에 따른 포토마스크의 마스크 패턴은 L-형 제 2 마스크 패턴이 L-형 제 1 마스크 패턴의 내부에 형성되어 평행으로 서로 근접하게 배치된다. 또한 보조 패턴은 제 1 마스크 패턴 근방의 제 2 마스크 패턴의 각부에 배치된다.
도 4(a)에 도시한 바와 같이, 1/5 축소 투영용의 포토마스크의 마스크 패턴은 폭 1.25μm의 크롬 패턴(8,9)이 간격 1.25μm로 배치되도록 투명 기판상에 형성된다. 특히, 제 2 마스크 패턴으로 작용하는 L-형 크롬 패턴은 제 1 마스크 패턴으로 작용하는 L-형 마스크 패턴(9)과 서로 평행하도록 형성된다. 또한 0.20μm 각의 보조 패턴(10)은 상기 크롬 패턴(8)의 각부에서 일부, 예컨대 전체 면적의 1/16 정도 중첩되게 형성된다.
이어, 도 1(a) 및 도 1(b)에서 설명한 것과 동일한 수순에 따라서, 파장 248 nm의 KrF 엑시머 레이저를 사용하여 반도체 기판상의 포지티브 포토레지스트 막에상기 마스크 패턴을 전사한다. 그 결과, 상기 마스크 패턴은 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 레지스트막상에 1/5축소 도포되고 그에 의해 폭 0.25㎛의 레지스트 패턴(11, 12)을 형성한다.
여기서, 상기 레지스트 패턴(11)의 각부(13)는 상기 마스크 패턴의 크롬 패턴(8) 및 보조 패턴(10)에 의해 규정되며 또 상기 레지스트 패턴(12)의 각부(14)는 해당 마스크 패턴의 크롬 패턴(9)에 의해 규정된다. 그러나, 보조 패턴(10)은 크기가 노출광의 파장 이하이고 또 감광형 또는 위상 변경형 소재로 제조된다. 그러므로, 보조 패턴(10)은 레지스트 패턴(10)상에 형성되지 않는다.
도 4(b)에 도시한 바와 같이, 상기 보조 패턴(10)의 영향에 의해, 레지스트 패턴(11)의 각부(13)는 원형으로 변형되거나 또는 후퇴하지 않으므로 마스크 패턴에 따른 투영 각부를 형성한다. 또한 레지스트 패턴(12)의 각부(14)는 원형으로 변형되지 않으므로 마스크 패턴에 따른 凹부를 형성한다. 따라서, 굴곡부에서 접점을 형성할 때 얼라인먼트 마진을 확보할 수 있게된다.
도 4(a)에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 마스크 패턴은 보조 패턴이 이하의 이유로 인하여 굴곡부의 각부 이외에서 형성되지 않도록 배치된다. 즉, 크롬 패턴(9)이 형성되면, 이 크롬 패턴(8)의 각부에서 노출광의 회전 영향은 3방향에서 2방향으로 감소되고 또 크롬 패턴(8)의 연재부 방향으로의 후퇴가 고립한 패턴의 경우와 비교해서 적어지기 때문이다.
도 4(a)에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서 채용된 마스크 패턴은 보조 패턴(10)이 크롬 패턴(8)과 부분적으로 중첩되도록 배치된다. 그러나, 크롬 패턴(8)이 보조 패턴(10)과 중첩되게 배치될 수도 있다.
상술한 본 발명의 포토마스크는 노출광의 파장과 거의 동일한 폭 또는 노출광의 파장과 거의 동일한 간격을 갖도록 레지스트 패턴을 노출광을 이용하여 제조할 때 생기는 후퇴량을 팽창에 의한 인접 레지스트 패턴의 변형없이 상술한 종래예 2의 수준과 동일하게 억제한다.
도 1(a) 내지 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 포토마스크는 노출광의 파장 이하의 크기이고 노출광을 감광시키거나 노출광의 위상을 변경하는 기능을 갖는 보조 패턴이 마스크 패턴의 각부에서 형성되도록 배치된다.
노출광을 감광하는 작용을 갖는 보조 패턴에 있어서는, 노출광에 대하여 약10% 이하의 투과율을 갖는 것을 채용함으로써 상술한 바람직한 실시예로 부터 달성될 수 있는 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다. 노출광의 위상을 변경하는 작용을 갖는 위상 변경형 소재의 경우, 노출광의 위상을 180°정도 변경할 수 있는 소재를 채용하는 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명은 상술한 소재에 한정되지 않으며 위상을 어느 정도 변경할 수 있는 작용을 갖는 것이면 채용할 수 있다.
본 발명에서는, 레지스트막으로 전사된 패턴에서 노출광의 파장과 동일한 레지스트 패턴의 폭의 경우, 각 레지스트 패턴의 폭은 KrF 엑시머 레이저(248 nm)를 사용할 때 약 0.30 ㎛ 이하이고 또 ArF 엑시머 레이저(193 nm)를 이용하여 노출하는 경우는 약 0.25 ㎛ 이하이다.
본 발명에 사용하기 위한 포지티브 포토레지스트는 특별히 한정되지 않는다. 일반적으로 사용되는 포지티브 포토레지스트가 사용될 수 있다. 각기 바람직한 구체예로서는 축소율의 예를 들었지만, 본 발명에서는 이들 축소율에 한정되는 것이 아니다.
또한 상술한 각기 바람직한 실시예에서, 정방형의 보조 패턴(3a, 4a, 3b, 4b, 10, 19 및 20)이 채용될 수 있다. 그러나 보조 패턴의 형상은 본 발명에서 한정되지 않으며, 각부에서 형성된 이들의 형상은 노출광의 파장 이하의 폭을 갖는 영역에서 마스크 패턴의 각 측에 따른 광로를 가로지르는 형상이 사용될 수 있다.
상술한 본 발명의 2개의 실시예로 부터 분명한 바와 같이, 반도체 제조용 포토마스크 및 이들의 패턴 형성방법은 금속 규화물, 알루미늄 계열 금속 또는 금속 합금 등과 같은 폴리실리콘 이외의 다른 소재로된 패턴을 형성하는 경우에도 적용할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명은 다양한 방식으로 변형될 수 있다. 이러한 변형은 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않는 것으로 이러한 모든 변형은 당업자라면 첨부한 특허청구의 범위내에 포함되는 것임을 잘 알 수 있을 것이다.
본 발명에 의한 반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴 형성방법을 이용하면 고정밀도의 미세 패터닝이 가능하다.

Claims (15)

  1. 노출광을 차광하여 레지스트 패턴을 형성하하기 위한 마스크 패턴; 및
    노출광의 파장 이하의 크기를 갖고 상기 마스크 패턴의 단부에 형성되며, 노출광을 감광시키는 작용을 하는 보조 패턴을 포함하는 반도체 제조용 포토마스크.
  2. 노출광을 차광하여 레지스트 패턴을 형성하기 위한 마스크 패턴; 및
    노출광의 파장 이하의 크기를 갖고 상기 마스크 패턴의 단부에 형성되며, 노출광의 위상을 변경하는 작용을 하는 보조 패턴을 포함하는 반도체 제조용 포토마스크.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 보조 패턴이 상기 노출광의 위상을 변경하는 작용을 갖는 반도체 제조용 포토마스크.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 마스크 패턴이, 상기 보조 패턴이 형성되어 있는 마스크 패턴의 단부에 노출광의 위상을 변경하기 위한 위상 변경부를 포함하는 반도체 제조용 포토마스크.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 위상 변경부가 노출광의 파장 이하의 크기를 갖는 포토마스크.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 마스크 패턴은, 상기 제 2 마스크 패턴의 폭방향 일측이 상기 제 1 마스크 패턴의 길이 방향측 근방에 위치하도록 밴드형 제 1 마스크 패턴 및 제 2 마스크 패턴을 포함하고, 또
    상기 보조 패턴이 상기 제 2 마스크 패턴의 2개 각부에서 상기 제 1 마스크 패턴과 인접하여 형성되어 있는 포토마스크.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 마스크 패턴이 굴곡부를 갖는 제 1 마스크 패턴, 및 상기 제 1 마스크 패턴의 굴곡부 근처에 위치된 굴곡부를 갖고, 상기 제 1 마스크 패턴의 내측에 형성된 제 2 마스크 패턴을 포함하고, 또
    상기 보조 패턴이 상기 제 2마스크 패턴의 굴곡부의 각부에 형성되고, 그 각부는 제 1 마스크 패턴의 근방에 위치하고 있는 포토마스크.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 레지스트 패턴의 폭이 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 포토마스크.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 레지스트 패턴이 노출광의 파장과 실질적으로 동일한 간격으로 형성되어 있는 포토마스크.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 보조 패턴이 MoSiOxNy에 의해 형성되어 있는 포토마스크.
  11. 제 4항에 있어서, 상기 위상 변경부가 MoSiOxNy에 의해 형성되어 있는 포토마스크.
  12. 반도체 기판에 레지스트층을 형성하는 단계; 및
    노출광을 상기 포토마스크를 통하여 상기 레지스트 층에 투영함으로써 제 1항에 정의된 상기 포토마스크의 마스크 패턴에 따라 상기 반도체 기판상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 레지스트 패턴의 형성방법.
  13. 제 12항에 있어서, 노출광의 파장이 상기 레지스트 패턴의 폭을 기준하여 설정되는 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 노출광의 파장이 상기 레지스트 패턴의 폭과 실질적으로 동일하게 설정되는 방법.
  15. 제 12항에 있어서, 노출광의 파장이 상기 레지스트 패턴의 간격과 실질적으로 동일한 방법.
KR1019980010408A 1997-03-21 1998-03-20 반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴 형성방법 KR100249891B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6861597A JP3241628B2 (ja) 1997-03-21 1997-03-21 半導体装置の製造装置
JP9-68615 1997-03-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980080670A KR19980080670A (ko) 1998-11-25
KR100249891B1 true KR100249891B1 (ko) 2000-06-01

Family

ID=13378852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980010408A KR100249891B1 (ko) 1997-03-21 1998-03-20 반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴 형성방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6103428A (ko)
JP (1) JP3241628B2 (ko)
KR (1) KR100249891B1 (ko)
TW (1) TW407302B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000206674A (ja) * 1998-11-11 2000-07-28 Oki Electric Ind Co Ltd マスク及び半導体装置の製造方法
TW460755B (en) * 1998-12-16 2001-10-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus
JP2001230186A (ja) * 2000-02-17 2001-08-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US7811720B2 (en) * 2004-05-10 2010-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Utilizing compensation features in photolithography for semiconductor device fabrication
JP2006235515A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Sharp Corp フォトマスクおよび表示パネルの製造方法
JP4359581B2 (ja) * 2005-08-04 2009-11-04 富士フイルム株式会社 黒白熱現像感光材料
JP4838836B2 (ja) * 2008-11-10 2011-12-14 富士通セミコンダクター株式会社 リソグラフィ用データ補正装置及びその装置での処理をコンピュータにて行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体
JP2011248347A (ja) 2010-04-28 2011-12-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フォトマスク
CN113296352B (zh) * 2020-02-22 2023-01-24 长鑫存储技术有限公司 应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05323569A (ja) * 1992-05-25 1993-12-07 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JPH06118617A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US5786113A (en) * 1995-06-29 1998-07-28 Nec Corporation Photo-mask used in aligner for exactly transferring main pattern assisted by semi-transparent auxiliary pattern and process of fabrication thereof
US5840447A (en) * 1997-08-29 1998-11-24 International Business Machines Corporation Multi-phase photo mask using sub-wavelength structures

Also Published As

Publication number Publication date
TW407302B (en) 2000-10-01
JP3241628B2 (ja) 2001-12-25
US6103428A (en) 2000-08-15
JPH10268505A (ja) 1998-10-09
KR19980080670A (ko) 1998-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5413898A (en) Method of forming a pattern on a substrate having a step change in height
JP3518275B2 (ja) フォトマスクおよびパターン形成方法
KR0128828B1 (ko) 반도체 장치의 콘택홀 제조방법
GB2291207A (en) Method for forming deep resist patterns
JPH07209851A (ja) リソグラフィ露光マスクおよびその製造方法
JPS6262520A (ja) パタ−ン形成方法
KR100249891B1 (ko) 반도체 제조용 포토마스크 및 레지스트 패턴 형성방법
JP2877200B2 (ja) 露光用フォトマスクおよびその製造方法
JPH10123692A (ja) フォトマスクおよびその製造方法
KR20020074546A (ko) 반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조방법
JPH06289589A (ja) 位相シフトマスクとその製造方法そしてそれに用いるブランク
US5908718A (en) Phase shifting photomask with two different transparent regions
JPH09288346A (ja) フォトマスク
JP3110801B2 (ja) フォトマスクの製造方法及びフォトマスク
KR100278917B1 (ko) 반도체 소자의 콘택 마스크 제조방법
JP3422054B2 (ja) 光学マスクおよびその製造方法
JPH04368947A (ja) 位相シフトマスクの作成方法
KR970006928B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR940001503B1 (ko) 자기정렬 위상시프트 마스크 제조방법
JPH05142751A (ja) フオトマスクおよび投影露光方法
JPH11202469A (ja) 縮小投影露光用マスク
KR100824904B1 (ko) 고립 라인 주위에 노치가 형성된 반사형 마스크
JP2773718B2 (ja) フォトマスクおよびパターン形成方法
KR100228341B1 (ko) 미세 패턴 형성을 위한 마스크 패턴 형성 방법
JPH06118617A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131218

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee