KR100249211B1 - 박막인덕터의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막인덕터의 제조방법에 관한 것으로 특히, 박막인덕터의 코일을 형성할 때 코일을 평탄하게 하는 폴리이미드막을 얇게 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체기판 위에 하부자성막과 금속을 연속으로 증착하는 단계와, 금속을 소정의 마스크로 패터닝하여 씨드층을 형성하는 단계와, 씨드층이 형성된 하부자성막 위에 제1폴리이미드를 증착하는 단계와, 제1폴리이미드를 패터닝하여 씨드층이 노출되도록 하는 단계와, 노출된 씨드층에 금속을 도금하여 코일이 형성되도록 하는 단계와, 코일과 제1폴리이미드 위에 제2폴리이미드를 증착하는 단계, 그리고 제2폴리이미드 위에 상부자성막을 형성하는 단계가 포함된 것을 특징으로 한다.

Description

박막인덕터의 제조방법

본 발명은 박막인덕터의 제조방법에 관한 것이다.

최근 휴대용 통신기기의 급속한 보급에 따라 이에 대한 소형, 경량, 박형화의 요구가 증대되고 있다. 이를 위해서는 전원부의 소형화, 박형화가 필수적인데, 이를 위해 박막인덕터를 채용한 DC-DC 변환기(converter)에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다.

박막인덕터는 기존의 벌크타입(Bulk Type) 인덕터와 달리 고특성 자성층을 박막으로 형성하고, 코일(Coil)도 도금 또는, 진공증착하여 박막으로 제작하여 두께가 기존 벌크타입의 두께(3∼5mm)보다 훨씬 얇은 0.5∼1mm정도로 제작할 수 있고, 자성박막을 사용하여 사용주파수를 높임으로써 DC-DC 변환기의 크기를 대폭 줄일 수 있다.

인덕터 제조공정 중, 가장 중요한 요소는 코일의 형성방법이다. 현재 여러가지 방법이 시도되고 있으나, 가장 일반적인 것은 구리를 도금하여 형성하는 방법과 스퍼터(sputter)를 이용하여 구리를 증착시키는 방법이 있다. 대부분의 박막인덕터는 그 모양은 달라도 그 제조공정과 구성물질은 비슷하다. 일반적인 박막인덕터의 제조방법을 첨부된 도면을 참조로 설명하겠다. 도1a∼도1g는 종래의 박막인덕터의 제조방법이 도시된 도면이다.

먼저 도1a와 같이 실리콘 웨이퍼(10) 위에 하부자성막(11)을 형성하고, 씨드층(seed layer)(12)를 연속하여 형성한다. 그리고, 도1b와 같이 씨드층 위에 포토레지스트(13)를 증착하고, 도1c와 같이 포토레지스트를 소정의 형상으로 노광하여 현상한다.

이어서 도1d에 나타낸 것과 같이 패터닝된 포토레지스트가 포함된 실리콘 위이퍼 위에 금속(14)으로 코일을 도금한다. 그러면, 포토레지스트에 의해 가려진 부분을 제외한 부분에만 코일이 도금된다. 즉, 외부에 노출된 부위의 씨드층 위에 코일이 도금되는 것이다.

그리고, 도1e에 나타낸 것과 같이 포토레지스트를 식각하면서 그 하부의 씨드층도 함께 식각한다. 그러면, 하부자성막 위에는 코일(14')과 그 코일 하부에 위치한 씨드층(12')의 일부만 남게된다. 그리고, 코일로 인해 울퉁불퉁해진 표면을 평탄화시키기 위해 도1f에 나타낸 것과 같이 코일층 위를 덮도록 폴리이미드막(15)을 증착한다. 마지막으로 도1g에 나타낸 것과 같이 폴리이미드막 위에 상부자성막(16)을 형성하면, 박막인덕터가 완성된다.

도1a부터 도1g에 나타낸 공정으로 형성된 박막인덕터는 코일이 형성된 층의 상하 각 층에는 자성막이 형성되어 있다. 바로 이 자성막이 형성되려면, 코일이 형성된 층이 평탄하게 형성되어야 한다. 이 코일의 평탄화 공정에서 사용되는 물질은 보통 폴리이미드가 대부분인데, 코일 사이의 빈틈을 완전히 메꾸어야 하므로, 여러번 코팅하여 평탄화를 이루어야 한다.

그러나, 이 코일의 평탄화 과정에서 여러번의 코팅으로 인해 폴리이미드가 상당히 두껍게 형성될 수 있다. 왜냐하면, 폴리이미드 코팅제는 약간 걸쭉한 액체상태에서 코일의 높낮이에 따라 울퉁불퉁하게 코팅되므로, 평탄하게 하기 위해서는 코일의 높이보다 더 높도록 두껍게 코팅해야 하기 때문이다. 이렇게 폴리이미드가 두껍게 형성되면, 상부자성막과 하부자성막 사이의 간격이 멀어질 뿐만 아니라, 자성막과 코일 사이의 간격도 상당히 멀어져 박막인덕터의 동작특성이 나빠지는 결과를 초래한다.

게다가 종래의 박막인덕터 제조방법은 공정시간이 길어지고, 수율도 낮아진다. 왜냐하면, 인덕터로서 작동하기 위해 필요한 자성을 갖는 박막인덕터의 자성막의 형성속도가 매우 느리고, 폴리이미드를 두껍게 형성하기 위한 폴리이미드의 형성시간이 상당히 길어지기 때문이다.

그래서, 양산효율이 낮아지는 문제가 있다. 그러므로, 인덕터의 동작특성을 최대한 살리고, 평탄화가 용이한 제조방법이 필요하다.

본 발명은 박막인덕터의 제조방법에 있어서, 폴리이미드층을 얇게 하여 코일을 형성하기 위한 도금의 장점을 살리고, 코일의 평탄화를 용이하게 이루는 데에 그 목적이 있다.

도 1a 내지 도 1g는 종래의 박막인덕터 제조방법을 도시한 공정도.

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 박막인덕터 제조방법을 도시한 공정도.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

100 : 실리콘 웨이퍼(반도체) 110 : 하부자성막

115 : 상부자성막 120 : 씨드층(구리)

120' : 패터닝된 씨드층 130 : 제1폴리이미드

135 : 제2폴리이미드 140 : 코일

본 발명의 박막인덕터 제조방법은 반도체기판 위에 하부자성막과 금속을 연속으로 증착하고 금속을 소정의 마스크로 패터닝하여 씨드층을 형성하는 단계와, 씨드층이 형성된 하부자성막 위에 제1폴리이미드를 증착하는 단계와, 제1폴리이미드를 패터닝하여 씨드층이 노출되도록 하는 단계와, 노출된 씨드층에 금속을 도금하여 코일이 형성되도록 하는단계와, 코일 및 제1폴리이미드 위에 제2폴리이미드를 증착하여 평탄화하는 단계 그리고, 제2폴리이미드 위에 상부자성막을 형성하는 단계가 포함된 것이 특징이다. 이 때, 상기 씨드층과 코일을 형성하는 금속은 구리(Cu)와 같은 물질을 사용할 수 있고, 동일한 금속으로 형성할 수도 있다. 또, 상기 씨드층과 제1폴리이미드를 패터닝하는 마스크로 동일한 모양의 것을 사용해도 된다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면과 함께 설명하도록 한다.

(실시예)

먼저 도2a에 나타낸 것과 같이 실리콘 웨이퍼(100) 위에 하부자성막(110)을 형성하고, 연속해서 구리로 씨드층(seed layer)(120)를 형성한다. 그리고, 도2b에 나타낸 것과 같이 씨드층을 적당한 마스크로 패터닝한다. 이 때, 그 마스크의 모양은 추후 형성될 코일과 동일한 것을 사용하는 것이 좋다. 왜냐하면, 추후 공정에서 패터닝된 씨드층(120') 위에 코일이 형성되기 때문이다.

이어서, 도2c에 나타낸 것과 같이 씨드층이 포함된 하부자성막 위를 제1폴리이미드(130)로 코팅한다. 씨드층은 매우 얇게 형성되어 있으므로, 제1폴리이미드는 적은 양으로도 그 표면이 쉽게 평탄화된다. 이 때, 제1폴리이미드의 두께는 추후 형성될 코일의 두께보다 약간 두껍게 한다. 그리고, 도2d에 나타낸 것과 같이 이 제1폴리이미드를 상기 씨드층이 노출되도록 패터닝한다. 이 때, 제1폴리이미드의 패터닝에 사용된 마스크와 씨드층의 패터닝에 사용된 마스크는 동일한 모양의 것을 사용할 수 있다. 다만, 씨드층과 제1폴리이미드는 식각되는 부분이 서로 반대이다. 즉, 씨드층이 양각(positive)으로 패터닝되었다면, 제1폴리이미드는 씨드층과 동일한 마스크를 사용하되, 음각(negative)으로 패터닝된다는 것이다.

그리고, 도2e에 나타낸 것과 같이 제1폴리이미드를 제거하지 않은 상태에서 구리로 도금공정을 실시하여 노출된 씨드층에 구리가 도금되도록 한다. 이 도금되는 구리가 본 발명을 통해 제조되는 박막인덕터의 코일(140)이다. 구리를 사용하는 이유는 구리는 가격이 싸면서도 저항이 낮기 때문이다. 이 때, 도금되는 구리가 인접해 있는 제1폴리이미드 위에 넘치지 않도록 도금시간과 도금양을 조절한다. 이 때, 씨드층과 코일은 서로 다른 금속으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 씨드층은 금(Au)으로 형성되고, 코일은 구리(Cu)로 형성될 수도 있다. 씨드층을 금으로 하는 이유는 씨드층은 두께가 매우 얇기 때문에 소요되는 양이 적어 제조단가에 큰 영향을 미치지 않기 때문이다.

도2e에 나타낸 공정을 통하여 적당량의 구리가 도금되어 코일이 완성되면, 도2f에 나타낸 것과 같이 제1폴리이미드와 코일 위에 제2폴리이미드(135)를 증착한다. 이 때, 제1폴리이미드와 코일 사이에 발생된 층간 격차는 매우 작으므로, 제2폴리이미드를 얇게 형성해도 그 표면이 평탄하게 된다. 마지막으로 도2g에 나타낸 것과 같이 평탄화된 제2폴리이미드 위에 자성물질을 증착시켜 상부자성막(115)을 형성함으로써 본 발명을 통한 박막인덕터가 완성된다.

본 발명의 박막인덕터 제조방법에 의해 형성된 박막인덕터는 제1폴리이미드와 코일과의 층간 격차가 작아 얇은 두께의 제2폴리이미드만 따로 코팅하면 되므로, 전체적인 폴리이미드 층의 두께가 종래에 비해 얇다. 따라서, 코일과 자성막 사이의 간격을 줄일 수 있어 자기장(magnetic flux)의 손실이 작아져 박막인덕터의 특성이 향상된다.

Claims (3)

1. 반도체기판 위에 하부자성막과 금속을 연속으로 증착하는 단계;

   상기 금속을 소정의 마스크로 패터닝하여 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계;

   상기 씨드층이 형성된 하부자성막 위에 제1폴리이미드를 증착하는 단계;

   상기 제1폴리이미드를 패터닝하여 상기 씨드층을 노출시키는 단계;

   상기 노출된 씨드층에 금속을 도금하여 코일을 형성하는 단계;

   상기 코일과 제1폴리이미드 위에 제2폴리이미드를 증착하여 평탄화하는 단계; 그리고,

   상기 제2폴리이미드 위에 상부자성막을 형성하는 단계가 포함된 박막인덕터의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 씨드층과 코일을 형성하는 금속으로 동일한 물질이 사용된 것을 특징으로 하는 박막인덕터의 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 씨드층과 제1폴리이미드를 패터닝하는 마스크가 동일한 것을 특징으로 하는 박막인덕터의 제조방법.

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