KR100238229B1 - 포토마스크 제조를 위한 보조틀 및 포토마스크 제조방법 - Google Patents

포토마스크 제조를 위한 보조틀 및 포토마스크 제조방법 Download PDF

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Abstract

포토 마스크 제조를 위한 보조틀에 대해 기재되어 있다. 이는, 포토 마스크 기판보다 큰 다양한 모양의 외변을 갖으며, 내부에는 포토 마스크 기판의 외곽과 같은 형상을 갖는 중공(中空)을 구비하며, 중공 내에 포토 마스크 기판이 끼워지는 것을 특징으로 하며, 아델(Ardel), 테플론(Teflon), Lexan, Ultem, Vespel 등의 불소수지나 알루미늄(Al) 등의 금속성 물질 되어 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 포토 마스크의 식각 또는 도포 균일도를 개선할 수 있다.

Description

포토 마스크 제조를 위한 보조틀 및 포토 마스크 제조 방법{Guard plate for photomask manufacturing and manufacturing method of photomask}
본 발명은 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 제조방법에 관한 것으로, 특히포토 마스크 기판의 식각 또는 도포(deposition uniformity) 균일도를 개선할 수 있는 포토 마스크 제조를 위한 보조틀 및 포토 마스크 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 고집적화에 따라 사진공정에 사용되는 포토 마스크(photo mask)의 중요성이 절실히 대두되고 있다. 현재는 크롬(Cr)을 습식식각하여 포토 마스크를 제조하는 공정을 많이 이용하고 있으나, 일부 회사 및 당사에서도 건식 식각 공정 적용을 검토중이다.
특히, 위상 반전 마스크(Phase Shifter Mask; PSM) 제작시 쉬프터 물질의 건식 식각 공정은 필수적인 것인데, 이는, 위상 쉬프터를 위해서는 포토 마스크 기판을 소정 깊이로 식각해야하기 때문이다. 일반적으로, 석영(Qz) 식각형 교류 위상 반전 마스크(Alternating PSM)에서 n값을 1.5로 놓았을 때 가장 적정한 식각 깊이는 2,480Å 정도이다.
한편, 6×6인치 크기의 포토 마스크의 경우, 256M DRAM 및 1G DRAM 제조를 위해서는 거의 5×5인치 영역이 패턴 형성영역으로 사용되어야 하므로 위상 쉬프터를 위한 상기한 건식 식각은 5×5인치 영역에 걸쳐 행해져야 한다.
도 1의 (a) 및 (b)는 각각 종래의 전극 상에 놓여진 포토 마스크 기판을 도시한 단면도 및 평면도로서, 도면부호 "10"은 전극(electrode)을, 그리고 "20"은 포토 마스크 기판을 나타낸다.
전극(10)은 식각 및 도포를 위한 챔버(도시되지 않음) 내에 장착되어 있고, 포토 마스크 기판(20)은 상기 전극(10) 상에 놓여진다. 이때, 상기 전극(10)은 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이 원형의 평면 형상이고, 상기 포토 마스크 기판(20)은 사각형의 평면 형상이다.
도 2는 보조틀을 사용하지 않은 상태에서 포토 마스크 기판을 식각한 경우의 식각 경향(etch trende)을 도시한 그래프로서, 5mT의 압력, 150 라디오 주파수(RF) 및 50iCP(inductive Coupled Plasma)의 챔버 조건에서 CHF3와 O2가스를 각각 28sccm(standard cubic centi per minute)과 2sccm의 용적(volume)만큼 플로우시켜 6×6인치 포토 마스크 기판을 식각한 경우이다.
상기 그래프에서, X 및 Y축은 포토 마스크 기판의 식각 영역을 나타내는 것으로 각각의 칸이 0.5인치이므로 전체적으로 5×5인치 영역의 식각 상태를 나타낸다. 또한, Z축은 식각깊이를 나타내는 것으로 짙은 색깔이 옅은 색깔보다 더 깊게 식각됨을 의미한다.
도 2의 그래프에 의하면, 6×6인치 포토 마스크 기판을 건식 식각할 때 식각 균일도의 경향은 전극(10)의 둥근 형상을 따라가는 것이 아니라 사각형의 포토 마스크 기판의 형상을 따라 간다는 것을 알 수 있다. 또한, 4×4인치 영역에서는 매우 균일한 식각 경향을 갖지만 5×5인치 영역에서는 급격히 균일도가 나빠지는 것을 알 수 있다. 이러한 현상은, 포토 마스크 기판 식각을 위해 사용되는 플라즈마가 포토 마스크 기판 가장자리에서는 불균일하게 공급되기 때문인 것으로 추정된다. 즉, 포토 마스크 기판은 250mil (250/1000 inch) 정도의 두께를 가지는데, 이러한 포토 마스크 기판의 두께는 포토 마스크 기판의 가장자리로 공급되는 플라즈마의 균일도를 급격히 저하시키는 역할을 한다.
도 2의 그래프를 참조하면, 4×4인치 영역에서는 매우 균일한 식각 경향(식각 균일도가 약 79Å 정도이다. 이는, 4×4인치 영역에서는 가장 깊이 식각되는 깊이와 가장 얕게 식각되는 깊이 사이에 최대 79Å의 차이가 있음을 의미한다.)을 가지므로 이 영역에 형성되는 위상 쉬프터로는 신뢰도 높은 소자를 제조할 수 있으나, 5×5인치 영역에서는 약 167Å 정도의 낮은 균일도의 식각 경향을 가지므로 이 영역에 형성되는 위상 쉬프터로는 신뢰도 높은 소자를 제조할 수 없다.
포토 마스크의 신뢰도는 포토 마스크 기판에 형성되는 패턴들(예컨대, 위상 쉬프터들)의 전체적인 균일도에 의해 결정되므로 어느 한 부분이 다른 부분보다 더 균일하게 형성된다고 해서 전체적인 신뢰도가 개선된다고 할 수 없다. 따라서, 위상 쉬프터 형성을 위한 포토 마스크 기판 식각의 균일도는 상기한 위상 쉬프터가 형성되는 영역, 통상 6×6인치 포토 마스크의 경우 5×5인치 영역 전체의 균일도에 의해 좌우되므로 포토 마스크 내에서의 전체적인 균일도를 개선시키지 않고서는 교류 위상 반전 마스크의 실제 적용은 어렵다.
본 발명의 목적은 포토 마스크 기판의 식각 또는 도포 균일도를 개선할 수 있는 포토 마스크 제조를 위한 보조틀을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 포토 마스크 기판의 식각 또는 도포 균일도를 개선할 수 있는 포토 마스크 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1의 (a) 및 (b)는 각각 종래의 전극 상에 놓여진 포토 마스크 기판을 도시한 단면도 및 평면도이다.
도 2는 보조틀을 사용하지 않은 상태에서 포토 마스크 기판을 식각한 경우의 식각 경향(etch trende)을 도시한 그래프이다.
도 3의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 일 실시예에 의한 전극 상에 놓여진 포토 마스크와 보조틀을 도시한 단면도 및 평면도이다.
도 4 및 도 5는 원형 보조틀을 사용한 상태에서 식각 조건을 달리하여 포토 마스크를 식각한 경우의 식각 경향을 도시한 그래프이다.
도 6의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 다른 실시예에 의한 전극 상에 놓여진 포토 마스크 기판과 보조틀을 도시한 단면도 및 평면도이다.
도 7은 사각형 보조틀을 사용한 상태에서 포토 마스크 기판을 식각한 경우의 식각 경향을 도시한 그래프이다.
도 8는 사각형 보조틀의 일예를 도시한 것으로, (a),(b) 및 (c)는 각각 평면도, 보조틀과 포토 마스크 기판의 두께가 같은 경우의 단면도 및 보조틀이 포토 마스크 기판보다 두꺼운 경우의 단면도이다.
도 9는 사각형 보조틀의 다른 예를 도시한 것으로, (a),(b) 및 (c)는 각각 평면도, 보조틀과 포토 마스크 기판의 두께가 같은 경우의 단면도 및 보조틀이 포토 마스크 기판보다 두꺼운 경우의 단면도이다.
도 10 내지 도 12의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 전극 상에 놓여진 포토 마스크 기판과 보조틀을 도시한 단면도들 및 평면도들이다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 포토 마스크 제조를 이한 보조틀은, 포토 마스크 기판보다 큰 다양한 모양의 외변을 갖으며, 내부에는 포토 마스크 기판의 외곽과 같은 형상을 갖는 중공(中空)을 구비하며, 상기 중공 내에 포토 마스크 기판이 끼워지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 포토 마스크 기판은 그 외곽이 사각형이고, 상기 보조틀의 외변은 원형, 사각형, 상기 포토 마스크 기판의 모서리 및 변에 대응하는 부분이 각각 변이되는 팔각형, 상기 포토 마스크 기판의 모서리 및 변에 대응하는 부분이 각각 변이되는 팔각형과 상기 포토 마스크 기판의 모서리에 대응하는 부분이 모서리가 되는 사각형이 중첩되어 있는 모양인 것이 바람직하다.
또한, 상기 보조틀은 상기 포토 마스크 기판과 같은 두께이거나 더 두껍게 형성되어 있는 것이 바람직하며, 아델(Ardel), 테플론(Teflon), Lexan, Ultem, Vespel 등의 불소수지 및 알루미늄(Al) 등의 금속성 물질 중 어느 하나로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 포토 마스크 제조방법은, 포토 마스크 기판 외곽에 상기 포토 마스크 기판보다 큰 다양한 모양의 외변을 갖으며, 내부에는 포토 마스크의 외곽과 같은 형상을 갖는 중공(中空)을 구비하는 보조틀을 끼우는 단계와, 상기 포토 마스크를 부분적으로 식각하거나 포토 마스크 상에 소정의 물질을 도포하는 등의 공정을 행함으로써 포토 마스크를 제조하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 포토 마스크 제조를 위한 보조틀 및 포토 마스크 제조방법에 대해 상세하게 설명하고자 한다. 계속해서 소개되는 도면들에 있어서, 도 1에서 설명한 참조부호와 동일한 참조부호는 동일 부분을 나타낸다.
도 3의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 일 실시예에 의한 전극 상에 놓여진 포토 마스크 기판과 보조틀을 도시한 단면도 및 평면도로서, 도면부호 "30"은 원형 보조틀을 나타낸다.
전극(10)은 식각 및 도포를 위한 챔버(도시되지 않음) 내에 장착되어 있고, 원형 보조틀(30) 및 포토 마스크 기판(20)은 상기 원형 보조틀(30)에 상기 포토 마스크 기판(20)이 끼워진 형태로 상기 전극(10) 상에 놓여진다. 이때, 상기 전극(10)은 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 원형의 평면 형상이고, 상기 포토 마스크 기판(20)은 사각형의 평면 형상이며, 상기 원형 보조틀(30)은 상기 포토 마스크 기판(20)의 외곽과 같은 형상(즉, 사각형)을 갖는 내변과 포토 마스크 기판(20)의 상기 외곽보다 큰 외변을 갖으며(즉, 상기 보조틀의 원형은 상기 포토 마스크 기판의 사각형 보다 크다), 중공(中空) 형상이다.
이때, 상기 전극(10)의 지름은 통상 11인치 정도이고, 상기 포토 마스크 기판(20)은 6×6인치 크기이다. 또한, 상기 원형 보조틀(30)은 아델(Ardel), 테플론(Teflon), Lexan, Ultem, Vespel 등의 불소수지 또는 알루미늄(Al) 등의 금속성 물질로 이루어진다.
도 4 및 도 5는 원형 보조틀을 사용한 상태에서 식각 조건을 달리하여 포토 마스크 기판을 식각한 경우의 식각 경향을 도시한 그래프로서, 도 4는 5mT의 압력, 150RF 및 50iCP의 챔버 조건에서 CHF3와 O2가스를 각각 28sccm과 2sccm의 용적 만큼 플로우시켜 6×6인치 포토 마스크 기판을 식각한 경우이고, 도 5는 15mT의 압력, 225RF 및 50iCP의 챔버 조건에서 CHF3와 O2가스를 각각 28sccm과 2sccm의 용적 만큼 플로우시켜 6×6인치 포토 마스크 기판을 식각한 경우이다.
상기 그래프들에서, X 및 Y축은 포토 마스크 기판의 식각 영역을 나타내는 것으로 각각의 칸이 0.5인치이므로, 전체적으로 5×5인치 영역의 식각 상태를 나타낸다. 또한, Z축은 식각깊이를 나타내는 것으로 짙은 색깔이 옅은 색깔보다 더 깊게 식각됨을 의미한다.
원형 보조틀을 사용하여 포토 마스크 기판을 식각한 경우의 식각 경향을 나타내는 도 4 및 도 5를 참조하면, 전체적인 식각 균일도가 원형 보조틀을 사용하지 않은 경우보다 개선되었음을 알 수 있다. 구체적으로, 도 2의 경우엔, 4×4 및 5×5인치 영역에서 각각 79Å 및 167Å의 식각 균일도를 보여주는데 반하여, 도 4의 경우엔, 4×4 및 5×5인치 영역에서 각각 101Å 및 131Å의 식각 균일도를 보여주고, 도 5의 경우엔, 4×4 및 5×5인치 영역에서 각각 36Å 및 82Å의 식각 균일도를 보여주므로, 도 2에 비하여 도 4 및 도 5는 4×4인치 영역과 5×5인치 영역 사이의 식각 균일도 차이가 크지않다는 것을 알 수 있다.
이때, 도 2의 경우, 4×4인치 영역에서의 식각 균일도는 도 4의 4×4인치 영역 보다 개선되어 있으나, 전체적인 균일도가 도 4의 경우보다 낮으므로 포토 마스크의 신뢰도는 도 4의 경우가 도 2의 경우보다 높다.
또한, 도 2를 참조하면, 식각 경향이 사각형의 포토 마스크 기판 형태를 따르나, 도 4 및 도 5를 참조하면, 원형 보조틀을 따라 원형의 형태를 띄고 있으므로, 식각 경향은 전극 상에 놓여지는 물체의 전체적인 외곽을 따름을 알 수 있다.
도 6의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 다른 실시예에 의한 전극 상에 놓여진 포토 마스크 기판과 보조틀을 도시한 단면도 및 평면도로서, 도면부호 "40"은 사각형 보조틀을 나타낸다.
상기 사각형 보조틀(40)은 도 3에서 도시한 원형 보조틀(30)과 같이 그 내부에 포토 마스크 기판(20)이 끼워진 상태로 전극(10) 상에 놓여진다. 이때, 상기 사각형 보조틀(40)은 상기 포토 마스크 기판(20)의 외곽과 같은 형상(즉, 사각형)을 갖는 내변과 포토 마스크 기판(20)의 상기 외곽보다 큰 외변을 갖으며(즉, 상기 보조틀의 사각형은 상기 포토 마스크 기판의 사각형 보다 크다), 중공(中空) 형상이다. 또한, 상기 사각형 보조틀(40)은, 도 3에서 설명한 바와 같이, 아델(Ardel), 테플론(Teflon), Lexan, Ultem, Vespel 등의 불소수지 또는 알루미늄(Al) 등의 금속성 물질로 이루어진다.
도 7은 사각형 보조틀을 사용한 상태에서 포토 마스크 기판을 식각한 경우의 식각 경향을 도시한 그래프로서, 대부분의 영역에서는 식각 경향이 균일하게 나타나나, 점선으로 표시한 부분(A)에서는 급격하게 균일도가 저하되어 있음을 알 수 있다 (A부분에서의 등고선들은 다른 부분에서 보다 좁게 형성되어 있다).
A부분에서의 식각 균일도가 저하되는 문제를 해결하기 위하여, 도 10 내지 도 12 (이후에 설명됨)에서 개선된 사각형 보조틀을 소개한다.
도 8는 사각형 보조틀의 일예를 도시한 것으로, (a),(b) 및 (c)는 각각 평면도, 보조틀과 포토 마스크 기판의 두께가 같은 경우의 단면도 및 보조틀이 포토 마스크 기판보다 두꺼운 경우의 단면도이고, 도 9는 사각형 보조틀의 다른 예를 도시한 것으로, (a),(b) 및 (c)는 각각 평면도, 보조틀과 포토 마스크 기판의 두께가 같은 경우의 단면도 및 보조틀이 포토 마스크 기판보다 두꺼운 경우의 단면도이다.
도 8의 (a)의 사각형 보조틀(42)은 사각형의 포토 마스크 기판(10)의 네 모서리에 대응하는 부분이 각각 모서리가 되는 단순 사각 형상이다. 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 보조틀(42a)의 두께가 포토 마스크 기판(10)의 두께와 같게 하여 공정을 진행할 수도 있고, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이 보조틀(42b)의 두께가 포토 마스크 기판(10)보다 두껍게 하여 공정을 진행할 수도 있다.
도 9의 (a)의 사각형 보조틀(40)은 사각형의 포토 마스크 기판(10)의 네 모서리에 대응하는 부분을 라운드지게 처리한 변형된 사각 형상이다. 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이 보조틀(40a)의 두께가 포토 마스크 기판(10)의 두께와 같게 할 수도 있고, 도9의 (c)에 도시된 바와 같이 보조틀(40b)의 두께가 포토 마스크 기판(10)보다 두껍게 할 수도 있다.
보조틀을 포토 마스크 기판의 두께보다 두껍게 형성하는 것을 본 실시예에서는 사각형 보조틀에 한정하여 설명하였으나, 사각형 보조틀 외에 원형, 팔각형 등의 여러 가지 모양의 보조틀들도 포토 마스크 기판보다 두껍게 형성할 수 있음은 물론이다.
도 10 내지 도 12의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 전극 상에 놓여진 포토 마스크 기판과 보조틀을 도시한 단면도들 및 평면도들로서, 사각형 보조틀을 사용할 경우 포토 마스크 기판의 네 모서리에서 급격하게 식각 균일도가 나빠지는 현상을 해결하기 위한 것으로, 변형된 사각형 보조틀들이다.
도 7을 참조하면, 3×3인치 및 4×4인치 영역에서의 식각 균일도는 보조틀을 사용하지 않은 경우보다 개선되나, 사각형 포토 마스크 기판의 네 모서리에서 급격한 식각율 변화가 발생하여 전체적인 식각 균일도는 개선이 되지 않음을 알 수 있다. 이러한 현상은 포토 마스크 기판의 네 변에서는 포토 마스크 기판과 보조틀 사이의 간격이 일정하나 포토 마스크 기판의 네 모서리에서는 포토 마스크 기판과 보조틀 사이의 간격이 상기한 네 변에서보다 크기 때문인 것으로 추정된다. 따라서, 본 실시예에서는 사각형 보조틀의 모양을 변형하는 것에 의해 식각 균일도를 개선하고자 한다.
도 10은 그 내변은 사각형 포토 마스크 기판의 외곽과 동일한 형상이고 그 외변은 상기 외변은 사각형 포토 마스크 기판의 모서리 및 변에 대응하는 부분이 각각 변이되는 팔각형 보조틀(50)이고, 도 11은 그 내변은 사각형 포토 마스크 기판의 외곽과 동일한 형상이고 그 외변은 사각형 포토 마스크 기판의 모서리 및 변에 대응하는 부분이 각각 변이되는 팔각형과 사각형 포토 마스크 기판의 모서리에 대응하는 부분이 모서리가 되는 사각형이 중첩되어 있는 형상의 보조틀(60)이며, 도 12는 단순 원형의 보조틀로서, 포토 마스크 기판을 알루미늄 플레이트(Al plate) 위에 올린 후 원형 보조틀을 사용한 경우이다.
본 발명에서는 보조틀 사용을 식각 공정에 한정하여 설명하였으나, 화학 기상 증착법 및 스퍼터링 공정 시에도 상기한 보조틀들을 사용할 수 있음은 물론이다. 또한, 보조틀을 사용할 때 챔버의 조건을 달리하여 더 나은 효과를 얻을 수 있음은 물론이다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.
본 발명에 의한 포토 마스크 제조를 위한 보조틀 및 포토 마스크 제조방법에 의하면, 식각 및 도포 공정을 진행할 때 여러 가지 형상의 보조틀을 사용함으로써 식각 및 도포 균일도를 개선할 수 있다.

Claims (8)

  1. 포토 마스크 기판보다 큰 다양한 모양의 외변을 갖으며, 내부에는 포토 마스크 기판의 외곽과 같은 형상을 갖는 중공(中空)을 구비하며, 상기 중공 내에 포토 마스크 기판이 끼워지는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조를 위한 보조틀.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 외변은 원형 및 사각형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조를 위한 보조틀.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 포토 마스크 기판의 외곽은 사각형인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조를 위한 보조틀.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 외변은 상기 포토 마스크 기판의 모서리 및 변에 대응하는 부분이 각각 변이되는 팔각형인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조를 위한 보조틀.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 외변은 상기 포토 마스크 기판의 모서리 및 변에 대응하는 부분이 각각 변이되는 팔각형과 상기 포토 마스크 기판의 모서리에 대응하는 부분이 모서리가 되는 사각형이 중첩되어 있는 모양인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조를 위한 보조틀.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 보조틀은 상기 포토 마스크 기판과 같은 두께이거나 더 두껍게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조를 위한 보조틀.
  7. 제1항에 있어서, 상기 보조틀은,
    아델(Ardel), 테플론(Teflon), Lexan, Ultem, Vespel 등의 불소수지 및 알루미늄(Al) 등의 금속성 물질 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조를 위한 보조틀.
  8. 포토 마스크 기판 외곽에 상기 포토 마스크 기판보다 큰 다양한 모양의 외변을 갖으며, 내부에는 포토 마스크의 외곽과 같은 형상을 갖는 중공(中空)을 구비하는 보조틀을 끼우는 단계; 및
    상기 포토 마스크를 부분적으로 식각하거나 포토 마스크 상에 소정의 물질을 도포하는 등의 공정을 행함으로써 포토 마스크를 제조하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조방법.
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KR101704753B1 (ko) 2016-06-29 2017-02-22 (주)엠에스코리아 냉매용 스테인리스강 배관의 마감부재 및 이의 마감방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH08330222A (ja) * 1995-03-28 1996-12-13 Canon Inc Ｘ線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08330222A (ja) * 1995-03-28 1996-12-13 Canon Inc Ｘ線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101704753B1 (ko) 2016-06-29 2017-02-22 (주)엠에스코리아 냉매용 스테인리스강 배관의 마감부재 및 이의 마감방법

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