KR100223271B1 - 반도체 장치의 감광막 제거 방법 - Google Patents

반도체 장치의 감광막 제거 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 공정시 식각 공정 또는 이온 주입 공정 후 감광막을 제거하기 의해 높은 반응성을 갖는 SO3기화 개스 및 드라이 에어(Dry air) 또는 N2개스를 혼합한 혼합 개스를 사용하여 감광막을 제거 하도록 한 반도체 장치의 감광막 제거 방법에 관한 것이다.

Description

[발명의 명칭]
반도체 장치의 감광막 제거 방법
[발명의 상세한 설명]
[발명의 목적]
[발명이 속하는 종래 기술 분야 및 그 분야의 종래기술]
본 발명은 반도체 소자 제조 공정시 식각 공정 또는 이온 주입 공정 후 감광막을 제거하는 기술에 관한 것으로, 특히 높은 반응성을 갖는 SO3기화 개스와 드라이 에어(Dry air) 또는 N2개스를 혼합한 혼합 개스를 사용하여 감광막을 제거하도록 한 반도체 장치의 감광막 제거 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조시 식각 공정 또는 이온 주입 공정에 사용된 감광막을 제거하기 위한 종래의 기술은 O2또는 O2+CF4혼합 개스의 플라즈마를 이용하여 감광막을 제거하게 된다. 그러나, 이러한 종래 기술은 반도체 소자가 플라즈마에 노출됨으로써, 프라즈마 슨상(Dannge)에 의한 소자의 특성 열화를 유발하는 단점이 있다.
[발명이 이루고자 하는 기술적 과제]
따라서, 본 발명은 30∼60℃ 의 온도에서 높은 반응성을 갖는 S03기화(Vaporized) 개스를 사용하여 감광막을 제거 하도록 한 반도체 장치의 감광막 제거 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치의 감광막 제거 방법은 소정의 공정을 거친 웨이퍼를 반응기 내에 삽입한 후, SO3기화 개스와 드라이에어 또는 N2개스를 혼합한 혼합 개스를 사용하여 감광막을 제거하도록 하는 단계와, 일정시간이 경과하여 상기 감광막이 완전히 제거되면 워이퍼를 반응기로 부터 꺼내어 순수로 세정하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
[발명의 구성 및 작용]
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 공정시 식각 공정 또는 이온 주입 공정 후 마스크로서 사용된 감광막을 제거하기 위한 공정을 설명하면 다음과 같다.
식각 공정 또는 이온 주입 공정이 끝난 위이퍼를 반응기 내에 삽입한 후, SO3기화 개스와 드라이 에어(Dry air) 또는 N2개스를 혼합한 혼합 개스를 불어넣어 감광막을 제거한다.
이때, 감광막을 제거하기 위한 반응기 내의 온도를 30∼60℃ 의 온도로 유지한다. 반응기의 압력은 가능한 높게하고, 워이퍼의 온도는 30℃ 이상으로 유지한다.
일정시간이 경과하여 감광막이 완전히 제거되면 워이퍼를 반응기로 부터 꺼내어 워이퍼를 순수(DI)로 세정(Rinse) 한다.
[발명의효과]
상술한 바와 같이 본 발명은 반도체 소자 제조 공정시 식각 공정 또는 이온주입 공정 후 감광막을 제거하는 반도체 소자 제조 공정 중, 높은 반응성을 갖는 SD3기화 개스와 드라이 에어(Dry air) 또는 N2개스를 혼합한 혼합 개스를 사용하여 감광막을 제거 하도록 함으로써, 반도체 소자가 플라즈마에 노출됨으로 인한 소자의 특성 열화를 방지 함으로써, 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 탁월한 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 소정의 공정을 거친 웨이퍼를 반응기 내에 삽입한 후, SO3기화 개스와 드라이 에어 또는 N2개스를 혼합한 혼합 개스를 사용하여 감광막을 제거하도록 하는 단계와,
    일정시간이 경과하여 상기 감강막이 완전히 제거되면 워이퍼를 반응기로 부터 꺼내어 순수로 세정하는 단계로 이루어전 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 감광막 제거 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 감광막을 제거하기 위한 반응기 내의 온도는 30 ∼60℃ 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 감광막 제거 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 감강막을 제거하기 위한 반응기 내의 압력은 고압을 유지하고, 웨이퍼의 온도는 30℃ 이상으로 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 감광막 제거 방법.
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