KR100222962B1 - Wafer position bolting sensing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 공정 중 웨이퍼 위치 이탈 감지장치 및 방법에 관한 것으로, 웨이퍼가 플레튼의 패드부에 정확하게 위치하지 않음으로써 웨이퍼의 일부가 깨어지거나 웨이퍼의 패턴 부분이 불균일하게 이온 주입되어 웨이퍼 불량이 발생하는 것을 방지하는데 목적이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and method for detecting wafer position deviation during a semiconductor process, wherein a portion of the wafer is broken or a pattern portion of the wafer is unevenly implanted due to the wafer not being accurately positioned in the pad portion of the platen, resulting in wafer defects. The purpose is to prevent that.
이를 위해 본 발명은 림부 및 상기 림부에 수직으로 부착된 복수개의 클램프 링 핀으로 구성된 클램프 링과, 상부면에 웨이퍼가 위치하는 소정의 크기의 패드부가 돌출 형성되고 상기 패드부의 중앙에 리프트 삽입공이 관통 형성되며 상기 패드부 이외의 부분에 상기 클램프 링 핀이 삽입되는 클램프 링 핀 삽입공이 관통 형성된 플레튼으로 이루어진 웨이퍼 고정장치에서, 상기 패드부 위에 상기 웨이퍼의 위치 이탈을 감지하는 수단이 형성된 것을 특징으로 한다.To this end, the present invention is a clamp ring consisting of a rim portion and a plurality of clamp ring pins vertically attached to the rim portion, and a pad portion of a predetermined size on which the wafer is located on the top surface is formed to protrude and the lift insertion hole penetrates the center of the pad portion. And a platen formed of a platen having a clamp ring pin insertion hole through which the clamp ring pin is inserted into a portion other than the pad portion, wherein a means for detecting a positional deviation of the wafer is formed on the pad portion. do.
플레튼의 패드부위에 센서를 설치하거나 클램프 링의 림부 자체에 센서를 설치하여 웨이퍼의 위치 이탈을 감지함으로써 웨이퍼의 파손을 방지하고 웨이퍼의 파손에 의해 발생하는 미세한 웨이퍼의 입자에 의해 다른 웨이퍼가 오염되는 것을 막을 수 있으며 위치 이탈로 인해 웨이퍼에 불균일하게 이온 주입함으로써 발생하는 웨이퍼의 불량으로 감소시키는 효과가 있다.By installing a sensor on the platen of the platen or by installing a sensor on the rim of the clamp ring itself to prevent the wafer from being broken, other wafers are contaminated by fine wafer particles generated by the wafer breakage. It can be prevented and the effect of reducing the wafer defect caused by non-uniform ion implantation into the wafer due to positional deviation.
Description
제1도는 종래의 웨이퍼 고정장치의 구조를 나타내는 분해 사시도이고,1 is an exploded perspective view showing the structure of a conventional wafer holding apparatus;
제2도는 종래에 플레튼에 장착된 웨이퍼의 위치 이탈 상태를 표현한 단면도이 고,2 is a cross-sectional view representing a positional deviation state of a wafer conventionally mounted on a platen,
제3도는 본 발명에 일실시예에 의한 웨이퍼의 위치 이탈 감지 장치의 분해 사시도이고,3 is an exploded perspective view of a wafer deviation detection apparatus according to an embodiment of the present invention,
제4도는 본 발명에 일실시예에 의한 웨이퍼의 위치 이탈 감지 장치의 단면도이고,4 is a cross-sectional view of a wafer deviation detection apparatus according to an embodiment of the present invention,
제5도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 웨이퍼의 위치 이탈 감지장치의 단면도이고,5 is a cross-sectional view of a wafer deviation detection apparatus according to another embodiment of the present invention,
제6도는 본 발명에 의한 웨이퍼의 위치 이탈 감지 방법을 나타낸 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a method of detecting a wafer positional deviation according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 림(rim)부 2 : 클램프 링 핀(Pin)1: Rim 2: Clamp Ring Pin
3 : 리프트 삽입공 4 : 플레튼 패드부3: lift insertion hole 4: platen pad portion
5 : 웨이퍼 6 : 웨이퍼 리프트 핀5: wafer 6: wafer lift pin
7 : 클램프 링 핀 삽입공 8, 8' : 센서7: Clamp ring pin insertion hole 8, 8 ': sensor
9, 9' : 센서 삽입공 10 : 플레튼9, 9 ': sensor insertion hole 10: platen
11 : 제어부 12 : 표시부11 control unit 12 display unit
본 발명은 웨이퍼 위치 이탈 감지장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조 공정 중 웨이퍼에 불순물을 주입시키는 이온 주입 공정에서 웨이퍼가 장착되는 플레튼이나 클램프 링에 접촉 감지 센서를 장착하여 웨이퍼의 정해진 위치에서 이탈하는 경우 이를 감지할 수 있는 웨이퍼 위치 이탈 감지장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for detecting a wafer position deviation, and more particularly, a contact detection sensor is mounted on a platen or clamp ring on which a wafer is mounted in an ion implantation process in which impurities are injected into a wafer during a semiconductor manufacturing process. The present invention relates to a wafer position deviation detecting apparatus and method capable of detecting a deviation from a predetermined position.
일반적으로 이온 주입 공정은 반도체에 불순물을 첨가하여 원하는 도전형과 비저항을 갖는 반도체를 얻는 방법의 하나로 반도체를 불순물 가스가 통하고 있는 고온로 속에 위치시키고 불순물을 이온화한 후 이온화된 불순물에 고전계를 걸어서 반도체 결정 속에 이온화된 불순물을 주입시키며 전계의 크기에 따라서 고체 표면으로부터 이온화된 불순물의 침투 깊이를 정밀하게 컨트롤할 수 있다.In general, the ion implantation process is a method of obtaining a semiconductor having a desired conductivity type and specific resistance by adding impurities to the semiconductor, placing the semiconductor in a high temperature furnace through which impurity gas flows, ionizing the impurities, and then applying a high electric field to the ionized impurities. By implanting ionized impurities into the semiconductor crystals, the depth of penetration of ionized impurities from the solid surface can be precisely controlled according to the size of the electric field.
이온 주입 공정을 하기 전에는 이온주입시킬 위이퍼를 고정하기 위한 웨이퍼 고정장치가 사용된다. 웨이퍼 고정장치는 통상 웨이퍼가 장착되는 플레튼 (platen)과 플레튼 상면에 장착된 웨이퍼를 유동하지 않도록 웨이퍼의 가장자리를 고정하는 클램프 링(clamp ring)으로 구성된다.Before the ion implantation process, a wafer holding device for fixing the wiper to be ion implanted is used. The wafer holding device usually consists of a platen on which the wafer is mounted and a clamp ring that fixes the edge of the wafer so as not to flow the wafer mounted on the platen top surface.
이와 같은 종래의 이온 주입 공정 중 이용되는 웨이퍼 고정장치를 제1도를 참조하여 상세히 설명한다.A wafer holding device used during such a conventional ion implantation process will be described in detail with reference to FIG.
플레튼(10)은 소정 두께를 갖고 있으며 상면에는 웨이퍼(5)가 장착되는 패드부(4)가 돌출 형성되어 있다. 패드부(4)는 소정의 높이를 갖으며 대략 웨이퍼와 같은 원형으로 웨이퍼와 동일하거나 다소 크게 형성된다. 패드부(4)의 중앙에는 플레튼(3)이 관통되는 리프트 삽입공(3)이 형성되어 웨이퍼 리프트 핀(6)이 삽입된다. 또한 플레튼(3)상면에서 패드부(4)가 형성되지 않은 가장자리에는 원주방향을 따라 등각으로 클램프 링 핀 삽입공(7)이 형성되어 있다.The platen 10 has a predetermined thickness, and a pad portion 4 on which the wafer 5 is mounted is projected on the upper surface. The pad portion 4 has a predetermined height and is formed approximately the same as the wafer or slightly larger than the wafer in a circular shape. A lift insertion hole 3 through which the platen 3 penetrates is formed in the center of the pad part 4, and the wafer lift pin 6 is inserted therein. In addition, the clamp ring pin insertion hole 7 is formed at an angle along the circumferential direction at the edge where the pad portion 4 is not formed on the upper surface of the platen 3.
클램프 링(20)은 일정한 넓이를 갖는 림부(1)와 이 림부(1)에 수직으로 부착된 클램프 링 핀(2)으로 구성되며, 클램프 링 핀(2)은 상기한 삽입공(7)에 삽입되어 상승, 하강운동을 한다.The clamp ring 20 is composed of a rim portion 1 having a constant width and a clamp ring pin 2 attached perpendicularly to the rim portion 1, and the clamp ring pin 2 is inserted into the insertion hole 7. Inserted up and down.
이와 같이 구성된 종래의 웨이퍼 고정장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the conventional wafer holding device configured as described above are as follows.
먼저, 클램프 링 핀(2)은 도시되지 않은 구동장치에 의해 상승되고 이에 따라 클프 링(20)의 림부(1)와 패드부(4)사이에는 일정한 간격이 생긴다. 다음에 이온주입될 웨이퍼가 이송되어 패드부(4)상에 적재되는데 패드부(4)는 대략 웨이퍼와 같은 원형이고 직경이 웨이퍼와 동일하거나 다소 크기 때문에 웨이퍼 전체를 수용하게 된다. 이어서 상기 구동장치의 의해 클램프 링 핀(2)이 하강하게 되면 일정한 넓이를 갖는 림부(1)가 웨이퍼의 플랫존(flat zone)을 누른다. 이에 따라 웨이퍼(5)는 패드부(4)와 림부(1)의 사이에 밀착되어 고정된다. 이후 웨이퍼내로 이온이 주입되어 공정이 완료된 다음, 클램프 링 핀(2)은 상기 구동장치에 의해 상승되고 웨이퍼(5)는 패드부(4)로부터 분리되어 후속 공정으로 이동된다.First, the clamp ring pin 2 is lifted by a driving device (not shown), whereby a constant distance is generated between the rim portion 1 and the pad portion 4 of the clamp ring 20. The wafer to be ion implanted is then transported and loaded onto the pad portion 4, which accommodates the entire wafer because the pad portion 4 is approximately circular like a wafer and the diameter is the same or somewhat larger than the wafer. Subsequently, when the clamp ring pin 2 is lowered by the driving device, the rim 1 having a constant width presses the flat zone of the wafer. As a result, the wafer 5 is tightly fixed between the pad portion 4 and the rim portion 1. After the ion is injected into the wafer to complete the process, the clamp ring pin 2 is lifted by the driving device and the wafer 5 is separated from the pad portion 4 and moved to the subsequent process.
그러나 이와 같은 종래의 웨이퍼 플레튼 장치는 제2도에 도시된 바와 같이, 웨이퍼가 플레튼의 패드부위에 적재된 후, 클램프 링이 하강되어 클램프 링의 림부가 웨이퍼의 플랫존을 눌러 웨이퍼를 고정시킬 때 웨이퍼가 지정된 위치에 셋팅되지 못하면 웨이퍼는 패드부 외측으로 일부가 돌출된다. 따라서 이 상태에서 클램프 링의 림부가 웨이퍼를 누를 경우 패드부 외측으로 돌출된 부분에서는 웨이퍼가 깨어지게 된다. 이에 따라 깨어진 웨이퍼의 미세 파편들은 인접한 다른 웨이퍼를 오염시키게 되고 오염된 웨이퍼들은 불량으로 처리되는 문제점이 있었다.However, in the conventional wafer platen apparatus as shown in FIG. 2, after the wafer is loaded on the pad portion of the platen, the clamp ring is lowered so that the rim of the clamp ring presses the flat zone of the wafer to fix the wafer. If the wafer is not set at the designated position when the wafer is made, a portion of the wafer protrudes out of the pad portion. Therefore, in this state, when the rim portion of the clamp ring presses the wafer, the wafer breaks at the portion protruding outside the pad portion. As a result, the fine fragments of the broken wafers contaminate other adjacent wafers, and the contaminated wafers are treated as defective.
또 다른 문제점으로는 웨이퍼가 플레튼의 패드상에 지정된 위치를 이탈하는 경우 클램프의 림부가 웨이퍼의 플랫존이 아닌 웨이퍼의 패턴 부분에 밀착되기 때문에, 이 상태로 이온 주입 공정 이 진행되면 림부에 의해 가려진 웨이퍼의 패턴 부분에는 이온 주입이 되지 않아 동일 웨이퍼 상에 불균일하게 이온 주입이 발생하게 됨으로써 웨이퍼 전체를 사용할 수 없었다.Another problem is that when the wafer deviates from the designated position on the platen of the platen, the rim of the clamp is in close contact with the pattern portion of the wafer rather than the flat zone of the wafer. Since the ion implantation was not performed on the patterned portion of the masked wafer, non-uniform ion implantation occurred on the same wafer, so that the entire wafer could not be used.
따라서 본 발명은 웨이퍼가 플레튼의 패드부에 정확하게 위치하지 않음으로써 웨이퍼의 일부가 깨어지거나 웨이퍼의 패턴 부분이 불균일하게 이온 주입되어 웨이퍼 불량이 발생하는 것을 방지하는데 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to prevent wafer defects from occurring because a portion of the wafer is broken or a pattern portion of the wafer is unevenly implanted because the wafer is not accurately positioned on the pad portion of the platen.
이를 위해 본 발명은 림부 및 림부에 수직으로 부착된 복수개의 클램프 링 핀으로 구성된 클램프 링과, 상부면에 웨이퍼가 위치하는 소정의 크기의 패드부가 돌출 형성되고 패드부의 중앙에 리프트 핀 삽입공이 관통 형성되며 패드부 이외의 부분에 클램프 링 핀이 삽입되는 클램프 링 핀 삽입공이 관통 형성된 플레튼을 포함하며, 클램프 링에 대향하는 패드부의 상면중 웨이퍼가 놓여질 소정 위치에는 적어도 1 개 이상의 수납 공간이 형성되고, 수납 공간에는 웨이퍼의 위치 이탈을 감지하는 웨이퍼 위치 이탈 감지수단이 설치된다.To this end, the present invention is a clamp ring consisting of a rim portion and a plurality of clamp ring pins vertically attached to the rim portion, and a pad portion of a predetermined size on which the wafer is located on the top surface is formed to protrude and the lift pin insertion hole is formed in the center of the pad portion. And a platen having a clamp ring pin insertion hole through which a clamp ring pin is inserted into a portion other than the pad portion, wherein at least one storage space is formed at a predetermined position on which a wafer is to be placed on an upper surface of the pad portion opposite to the clamp ring. In the storage space, a wafer position deviation detecting means for detecting a positional deviation of the wafer is provided.
이하 본 발명의 웨이퍼 위치 이탈 감지장치를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the wafer position departure detecting apparatus of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
제3도는 본 발명의 웨이퍼 위치 이탈 감지장치의 일실시예의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view showing the configuration of an embodiment of the wafer position departure detection device of the present invention.
플레튼(10)은 소정 두께를 갖고 있으며 상면에는 웨이퍼(5)가 장착되는 패드부(4)가 돌출 형성된다. 패드부(4)는 소정의 높이를 갖으며 대략 웨이퍼와 같은 원형으로 웨이퍼와 동일하거나 다소 크게 형성된다. 패드부(4)의 중앙에는 플레튼(10)을 관통하는 리프트 삽입공(3)이 형성되어 웨이퍼 리프트 핀(6)이 삽입된다.The platen 10 has a predetermined thickness, and the pad portion 4 on which the wafer 5 is mounted is protruded from the upper surface. The pad portion 4 has a predetermined height and is formed approximately the same as the wafer or slightly larger than the wafer in a circular shape. A lift insertion hole 3 penetrating the platen 10 is formed in the center of the pad portion 4 to insert the wafer lift pin 6.
또한 패드부(4) 위의 소정의 위치에는 플레튼(10)을 관통하여 센서 삽입공(9)이 형성되어 있고, 여기에 센서(8)가 삽입된다. 센서 삽입공(8)은 바람직하게는 패드부(4)의 가장자리에 형성되며, 더욱 바람직하게는 클램프 링(20)의 림부(1)에 대향하는 패드부(4)상에 형성된다. 또한 형성되는 개수에는 어떠한 한정이 없으나 바람직하게는 2개 이상으로 상호 동일 간격을 이루도록 배치하는 것이 좋으며, 3개의 삽입공을 120° 등각으로 형성하는 것이 가장 바람직하다.In addition, the sensor insertion hole 9 is formed through the platen 10 at a predetermined position on the pad portion 4, and the sensor 8 is inserted therein. The sensor insertion hole 8 is preferably formed at the edge of the pad portion 4, more preferably on the pad portion 4 opposite the rim 1 of the clamp ring 20. In addition, there is no limitation to the number formed, but preferably two or more are arranged so as to form the same distance from each other, it is most preferable to form three insertion holes 120 degrees isometric.
센서(8)는 센서 삽입공(9)에 삽입되며 웨이퍼와의 접촉에 의해 온/오프 신호를 발생하는 통상의 접촉 감지 센서가 사용된다.The sensor 8 is inserted into the sensor insertion hole 9 and a conventional touch sensing sensor that generates an on / off signal by contact with the wafer is used.
또한 센서(8)는 제어부(11)에 연결되고 제어부(11)는 센서로부터의 온/오프 신호를 받아 표시부(12)에 경고 메시지를 디스플레이하거나 경고음을 발생하며 웨이퍼의 위치 이탈 여부에 따라 공정의 진행 여부를 판단하여 공정을 제어한다.In addition, the sensor 8 is connected to the control unit 11, the control unit 11 receives the on / off signal from the sensor to display a warning message on the display unit 12 or to generate a warning sound, depending on whether the wafer is out of position Determine the progress and control the process.
또한 플레튼(10) 상면에서 상기한 바와 같이 패드부(4)가 형성되지 않은 가장자리에 원주방향을 따라 등각으로 클램프 링 핀 삽입공(7)이 형성되어 있다.In addition, as described above, the clamp ring pin insertion hole 7 is formed at an edge along the circumferential direction at the edge where the pad part 4 is not formed, as described above.
클램프 링(20)은 일정한 넓이를 갖는 림부(1)과 이 림부(1)에 수직으로 부착된 클램프 링 핀(2)으로 구성되며, 클램프 링 핀(2)은 상기한 삽입공(7)에 삽입되어 상승, 하강운동을 한다.The clamp ring 20 is composed of a rim portion 1 having a constant width and a clamp ring pin 2 attached perpendicularly to the rim portion 1, the clamp ring pin 2 is inserted into the insertion hole 7 described above. Inserted up and down.
이와 같은 구성의 본 발명의 작용에 대해 제4도와 제6도를 참고하여 설명하면 다음과 같다.The operation of the present invention having such a configuration will be described with reference to FIGS. 4 and 6 as follows.
클램프 링 핀(2)은 도시되지 않은 구동장치에 의해 상승되고 이에 따라 클램프 링(20)의 림부(1)과 패드부(4)사이에는 일정한 간격이 생긴다. 다음에 이온 주입될 웨이퍼가 이송되어 패드부(4)상에 적재되고 이어서 상기 구동장치에 의하여 클램프 링 핀(2)이 하강하게 되면 일정한 넓이를 갖는 림부(1)가 웨이퍼의 플랫존(flat zone)을 누른다(단계 S1). 이에 따라 웨이퍼(5)는 패드부(4)와 림부(1)에 밀착되어 고정된다.The clamp ring pin 2 is lifted by a driving device, not shown, and thus a constant distance is generated between the rim portion 1 and the pad portion 4 of the clamp ring 20. Next, when the wafer to be ion implanted is transferred and loaded on the pad portion 4, and then the clamp ring pin 2 is lowered by the driving device, the rim portion 1 having a constant width has a flat zone of the wafer. Is pressed (step S1). As a result, the wafer 5 is tightly fixed to the pad portion 4 and the rim portion 1.
다음에 센서(8)는 센서에 대향하여 패드부(4)위에 웨이퍼(5)가 위치하는지를 감지하여 온/오프 신호를 제어부(11)로 보낸다(단계 S2).Next, the sensor 8 senses whether the wafer 5 is positioned on the pad portion 4 facing the sensor, and sends an on / off signal to the controller 11 (step S2).
이때 웨이퍼가 플레튼의 패드부(4)위에 정확하게 위치하면 센서(8)가 웨이퍼에 접촉되어 온(on) 신호를 발생하고 웨이퍼가 정확한 위치에 셋팅되어 있음을 제어부에 전달하여 후속 공정을 진행한다(단계 S5).At this time, if the wafer is correctly positioned on the pad portion 4 of the platen, the sensor 8 contacts the wafer to generate an on signal, and transmits the signal to the controller that the wafer is set at the correct position and proceeds to the subsequent process. (Step S5).
반면에 센서(8)가 오프(off)상태라면 오프 신호를 발생하여 웨이퍼가 지정 위치를 이탈하였음을 제어부에 전달하며 제어부는 이에 따라 공정을 정지하고(단계 S3), 되고 메시지를 디스플레이하거나 경고음을 발생한다(단계 S4). 이에 따라 단계 S1으로 복귀하여 플레튼의 패드부(4)의 웨이퍼의 위치를 다시 셋팅하여 후속 공정을 진행한다.On the other hand, if the sensor 8 is in the off state, an off signal is generated to inform the controller that the wafer has left the specified position, and the controller accordingly stops the process (step S3), and displays a message or sounds a beep. Occurs (step S4). Accordingly, the process returns to step S1 and the position of the wafer of the pad portion 4 of the platen is set again to proceed to the subsequent process.
제5도는 본 발명의 웨이퍼 위치 이탈 감지장치의 다른 실시예의 구성을 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing the configuration of another embodiment of the wafer position deviation detecting apparatus of the present invention.
도시된 바와 같이 상기 일실시예와 다른 점은 센서 삽입공(9')이 림부(1)에 형성되고 센서(8')가 그 내부에 삽입된다.As shown, a difference from the above embodiment is that the sensor insertion hole 9 'is formed in the rim 1 and the sensor 8' is inserted therein.
이와 같은 구조의 실시예에서는 센서(8')가 림부(1) 자체에 형성되어 있기 때문에 웨이퍼의 위치 이탈을 더욱 정확히 감지해 낼 수 있다. 즉, 림부(1) 자체의 폭이 좁고 일정하기 때문에 웨이퍼의 미세한 위치 이탈도 감지해낼 수 있다. 따라서 림부(1)의 폭이 웨이퍼의 플랫존에 상당한 경우에 상호 대향되게 2개의 센서(8')를 설치하면, 상기 일실시예에 의해 한 쪽의 웨이퍼의 위치가 이탈되지 않은 것으로 감지되지만 실제적으로 웨이퍼의 반대쪽에서 림부(1)가 웨이퍼의 패턴 영역을 누르고 있을 경우 이를 감지할 수 있어 더욱 효과적으로 웨이퍼의 불량을 방지할 수 있다.In this embodiment of the structure, since the sensor 8 'is formed on the rim 1 itself, the positional deviation of the wafer can be detected more accurately. That is, since the width of the rim 1 itself is narrow and constant, the minute positional deviation of the wafer can be detected. Therefore, if two sensors 8 'are provided so as to face each other when the width of the rim 1 corresponds to the flat zone of the wafer, the position of one wafer is sensed not to be dislodged by the above embodiment, but the actual As a result, when the rim 1 pushes the pattern area of the wafer on the opposite side of the wafer, it can detect the wafer more effectively.
이상에서 상세히 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 플레튼의 패드부위에 센서를 설치하거나 클램프 링의 림부 자체에 센서를 설치하여 웨이퍼의 위치 이탈을 감지함으로써 웨이퍼의 파손을 방지하고 웨이퍼의 파손에 의해 발생하는 미세한 웨이퍼의 입자에 의해 다른 웨이퍼가 오염되는 것을 막을 수 있으며 위치 이탈로 인해 웨이퍼에 불균일하게 이온 주입함으로써 발생하는 웨이퍼의 불량으로 감소시키는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, by installing a sensor on the pad portion of the platen or by installing a sensor on the rim of the clamp ring itself, it is possible to prevent the wafer from being broken by detecting the positional deviation of the wafer and to cause the wafer to be broken. It is possible to prevent other wafers from being contaminated by the particles of the fine wafers and to reduce the defects of the wafers caused by uneven ion implantation into the wafers due to positional deviation.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960011802A KR100222962B1 (en) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | Wafer position bolting sensing apparatus |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| KR100222962B1 true KR100222962B1 (en) | 1999-10-01 |
Family
ID=19456068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019960011802A KR100222962B1 (en) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | Wafer position bolting sensing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-04-18 KR KR1019960011802A patent/KR100222962B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970072278A (en) | 1997-11-07 |
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