KR20030077835A - Wafer carrier inspection jig - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 캐리어 검사 지그에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조공정 중 사용되는 더미 웨이퍼(Dummy wafer)의 두께를 측정하여 규격 미달의 더미 웨이퍼를 선별할 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼 캐리어의 휨이나 뒤틀림 등의 변형을 체크(Check)하여 이로 인한 웨이퍼 브로큰(Brocken)을 미연에 방지할 수 있도록 한 웨이퍼 캐리어 검사 지그에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer carrier inspection jig, and more specifically, to measure the thickness of the dummy wafer used in the semiconductor manufacturing process, not only to select the substandard wafers, but also to warp or warp the wafer carrier. The present invention relates to a wafer carrier inspection jig that checks a deformation of the back and prevents wafer cracking due to this.
일반적으로, 반도체소자는 순수 웨이퍼 상에 사진, 증착, 확산, 식각, 이온주입 등 일련의 제조공정을 거쳐 완성된다.In general, a semiconductor device is completed through a series of manufacturing processes such as photo, deposition, diffusion, etching, ion implantation on a pure wafer.
이와 같은 공정으로 제조되는 반도체소자는 패턴(Pattern)의 미세화와 고집적화가 되어감에 따라 공정 중에 발생하는 불순 파티클(Particle)이나 각종 오염물에 의한 미세오염으로 제품수율이나 신뢰성에 상당한 영향을 받게 된다. 이에 반도체소자를 제조하기 위한 공정 진행중에는 모든 웨이퍼가 항상 청결한 상태로 유지되어야 하며, 불순 파티클은 모두 제거되어야 한다.As the semiconductor device manufactured by such a process becomes finer and more integrated in a pattern, fine contamination caused by impurity particles or various contaminants generated during the process significantly affects product yield or reliability. Therefore, during the process of manufacturing a semiconductor device, all wafers should be kept clean at all times, and all impurities should be removed.
그러나, 종종 반도체소자를 제조하기 위한 공정 진행중에 웨이퍼 브로큰이 발생되어 공정 진행중이던 제반 웨이퍼는 물론 공정 진행설비를 모두 오염시키게 되는 문제가 발생된다.However, there is often a problem that a wafer is broken during the process of manufacturing a semiconductor device, which contaminates all the wafers that are in the process as well as the process equipment.
예를 들면, 반도체소자를 제조하는 제조공정 중에 공정 불량여부 확인 및 설비 안정화를 위해 간헐적으로 더미 웨이퍼를 이용하여 공정을 진행하게 되는데, 이와 같은 더미 웨이퍼는 일정시간 또는 일정횟수 사용된 다음 케미컬(Chemical)에 의해 그 표면이 소정 두께만큼 깍여진 후 재사용하게 된다. 그런데 이와 같이 계속해서 그 표면을 깍아낸 후 사용할 경우 더미 웨이퍼의 두께가 처음 0.660∼0.669mm 정도에서 약 0.500mm 이하까지 얇아져 결국에는 공정 진행중에 용이하게 브로큰되어 공정 진행설비를 모두 오염되게 되는 문제점이 발생된다.For example, during the manufacturing process of manufacturing a semiconductor device, the process is performed intermittently using a dummy wafer to check whether there is a process defect and to stabilize the equipment. Such a dummy wafer is used for a predetermined time or a predetermined number of times and then chemical ) The surface is cut to a predetermined thickness and then reused. However, when the surface is continuously scraped and used, the thickness of the dummy wafer becomes thin from about 0.660 to 0.669 mm to about 0.500 mm or less, and eventually it is easily broken during the process and contaminates all the process equipments. Is generated.
또한, 반도체소자를 제조하기 위해서는 앞에서 설명한 바와 같이 일련의 공정을 거쳐야 되는 바, 선행공정을 수행한 웨이퍼는 대부분 약 25매 정도의 용량을 갖는 웨이퍼 캐리어에 끼워져서 후속공정으로 이송되게 된다. 이때, 제반 공정들은 웨이퍼에 소정 반응이 발생되도록 하는 고온, 고압 등의 독특한 환경으로 구현되는 바, 이러한 웨이퍼를 운송되게 하는 웨이퍼 캐리어도 이 고온, 고압에 쉽게 노출되게 되어 로더(Loader)부 또는 척(Chuck) 등에 의해 변형이 이루어지게 된다. 이에 반도체소자를 제조하기 위한 공정을 진행할 때 이와 같이 웨이퍼 캐리어의 변형이 이루어질 경우 웨이퍼 캐리어에 끼워진 웨이퍼 중 일부는 브로큰되어 공정 진행설비 및 타 웨이퍼까지 모두 오염시키게 되는 문제점이 발생된다.In addition, in order to manufacture a semiconductor device, as described above, a series of processes are required. As a result, the wafers subjected to the previous process are mostly inserted into wafer carriers having a capacity of about 25 sheets, and then transferred to a subsequent process. At this time, the various processes are implemented in a unique environment such as high temperature and high pressure such that a predetermined reaction occurs in the wafer, and the wafer carrier for transporting the wafer is also easily exposed to the high temperature and high pressure so that the loader part or the chuck Deformation is made by (Chuck) or the like. Therefore, when the wafer carrier is deformed in the process of manufacturing a semiconductor device, some of the wafers inserted in the wafer carrier are broken and contaminate all process processing equipment and other wafers.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 더미 웨이퍼의 두께를 측정하여 브로큰되기 용이한 규격 미달의 더미 웨이퍼를 미연에 선별할 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼 캐리어의 뒤틀림이나 변형 등을 체크하여 웨이퍼 캐리어의 변형으로 인한 웨이퍼의 브로큰을 미연에 방지할 수 있는 웨이퍼 캐리어 검사 지그를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to measure the thickness of a dummy wafer and to select a dummy wafer of less than a specification that is easy to be broken, as well as warping or deformation of the wafer carrier. Checking to provide a wafer carrier inspection jig that can prevent the broken of the wafer due to the deformation of the wafer carrier in advance.
도 1은 일반적인 웨이퍼 캐리어를 도시한 사시도.1 is a perspective view showing a typical wafer carrier.
도 2는 도 1에 도시한 웨이퍼 캐리어에 웨이퍼가 끼워진 것을 도시한 사시도.FIG. 2 is a perspective view showing that a wafer is inserted into the wafer carrier shown in FIG. 1. FIG.
도 3은 본 발명의 일실시예인 웨이퍼 캐리어 검사 지그를 도시한 사시도.Figure 3 is a perspective view showing a wafer carrier inspection jig according to one embodiment of the present invention.
도 4는 도 3에 도시한 웨이퍼 캐리어 검사 지그에 웨이퍼 캐리어가 안착된 것을 도시한 사시도.4 is a perspective view showing that the wafer carrier is seated on the wafer carrier inspection jig shown in FIG.
이와 같은 목적은 구현하기 위한 본 발명 웨이퍼 캐리어 검사 지그는 수평평판과 이 수평평판에 수직되게 결합되는 수직평판으로 구성된 지그몸체와, 수평평판에 형성되며 웨이퍼 캐리어의 밑면 변형을 감지하는 밑면변형 감지수단과, 수직평판에 설치되며 웨이퍼 캐리어의 측면 변형을 감지하는 측면변형 감지수단과, 측면변형 감지수단과 연결되어 웨이퍼 캐리어의 측면변형 여부를 외부에 알려주는 알람수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.The wafer carrier inspection jig of the present invention for implementing the above object is a jig body consisting of a horizontal plate and a vertical plate coupled vertically to the horizontal plate, and the bottom deformation detection means formed on the horizontal plate to detect the deformation of the bottom of the wafer carrier And a side deformation detection means installed on a vertical plate and detecting side deformation of the wafer carrier, and an alarm means connected to the side deformation detection means to inform the outside of whether the wafer carrier is deformed.
나아가, 상기 밑면변형 감지수단은 수평평면의 상면에 형성되되 웨이퍼 캐리어의 밑면이 변형되지 않았을 경우 웨이퍼 캐리어의 밑면에 형성된 한쌍의 지지레그(Leg)가 삽입되도록 하고, 웨이퍼 캐리어의 밑면이 변형되었을 경우 지지레그가삽입되는 것이 방지되도록 형성된 한쌍의 게이지(Gauge) 홈인 것을 특징으로 한다.Further, the bottom deformation detection means is formed on the upper surface of the horizontal plane, but if the bottom of the wafer carrier is not deformed so that a pair of support legs (Leg) formed on the bottom of the wafer carrier is inserted, and the bottom of the wafer carrier is deformed And a pair of gauge grooves formed to prevent the support legs from being inserted.
더 나아가, 상기 측면변형 감지수단은 웨이퍼 캐리어와의 거리를 감지함으로 웨이퍼 캐리어의 측면변형을 감지하는 다수개의 근접센서(Sensor)와 웨이퍼 캐리어의 빛 반사량을 감지함으로 웨이퍼 캐리어의 측면변형을 감지하는 다수개의 광센서로 구성된 것을 특징으로 한다.Furthermore, the side strain detection means detects the distance between the wafer carrier and a plurality of proximity sensors for detecting the side strain of the wafer carrier and the light reflection of the wafer carrier to detect the side strain of the wafer carrier. It is characterized by consisting of two photosensors.
한편, 상기 알람수단은 측면변형 감지수단으로부터 웨이퍼 캐리어의 측면변형 여부를 전송받는 제어유닛과, 제어유닛과 연결되어 웨이퍼 캐리어의 측면이 변형되었을 경우 발광되는 발광램프(Lamp)인 것을 특징으로 한다.On the other hand, the alarm means is characterized in that the control unit receives whether or not the side deformation of the wafer carrier from the side deformation detection means, and the light emitting lamp (Lamp) that is emitted when the side of the wafer carrier is connected to the control unit is deformed.
그리고, 상기 수평평판에는 웨이퍼 캐리어에 끼워지는 더미 웨이퍼의 두께를 측정할 수 있도록 웨이퍼 두께측정수단이 더 설치된 것을 특징으로 한다.And, the horizontal flat plate is characterized in that the wafer thickness measuring means is further installed to measure the thickness of the dummy wafer to be inserted into the wafer carrier.
또한, 상기 웨이퍼 두께측정수단은 한쌍의 게이지 홈 사이에 설치되는 웨이퍼 두께측정블럭과, 웨이퍼 두께측정블럭의 상면에 형성되어 더미 웨이퍼의 두께가 소정 두께 이하일 경우에만 삽입되도록 형성된 게이지 슬롯(Gauge slot)인 것을 특징으로 한다.In addition, the wafer thickness measuring means is a wafer thickness measurement block installed between a pair of gauge grooves, and a gauge slot (Gauge slot) formed on the upper surface of the wafer thickness measurement block to be inserted only when the thickness of the dummy wafer is less than a predetermined thickness It is characterized by that.
이하, 도면을 참조하여 일반적인 웨이퍼 캐리어 및 본 발명의 일실시예인 웨이퍼 캐리어 검사 지그에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a general wafer carrier and a wafer carrier inspection jig according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 1과 도 2를 참조하여 반도체소자 제조공정에 사용되는 일반적인 웨이퍼 캐리어(10)에 대해 구체적으로 설명하면, 일반적인 웨이퍼 캐리어(10)는 전체적으로 보아 웨이퍼(20)가 끼워질 수 있도록 소정 수납공간을 갖는 보우트(Boat) 형상의 캐리어 몸체(11)와, 캐리어 몸체(11)의 밑면에서 하측으로 일체로 연장형성되되 캐리어 몸체(11)를 하측 좌우방향에서 각각 지지하는 한쌍의 지지레그(17)로 구성된다.First, referring to FIGS. 1 and 2, the general wafer carrier 10 used in the semiconductor device manufacturing process will be described in detail. The general wafer carrier 10 is generally housed in a predetermined manner so that the wafer 20 can be inserted. A carrier-shaped carrier body 11 having a space having a space and a pair of support legs 17 integrally extending downward from the bottom of the carrier body 11 and supporting the carrier body 11 in the lower left and right directions, respectively. It consists of
이때, 캐리어 몸체(11)의 상면은 캐리어 몸체(11) 내부로 웨이퍼(20)가 입출될 수 있도록 전면 개구되며, 캐리어 몸체(11)의 밑면은 캐리어 몸체(11) 내부로 끼워진 웨이퍼(20)의 하단부가 밑면을 통해 하측 방향으로 소정 길이 노출될 수 있도록 일부 개구된다. 그리고, 캐리어 몸체(11)의 내부 양측면에는 다수개의 웨이퍼(20)가 순차적 또는 일정간격으로 나란히 끼워질 수 있도록 각각 한쌍으로 상호 대향되게 형성된 다수개의 슬롯(12)이 형성된다.At this time, the upper surface of the carrier body 11 is opened to the front so that the wafer 20 can be entered into the carrier body 11, the bottom surface of the carrier body 11 is inserted into the carrier body 11 wafer 20 The lower end of the opening is partially opened so that a predetermined length can be exposed downward through the bottom surface. In addition, a plurality of slots 12 are formed on both inner side surfaces of the carrier body 11 so that the plurality of wafers 20 may be inserted in parallel with each other in a sequential or predetermined interval.
또한, 캐리어 몸체(11)의 외부 일 측면에는 캐리어 몸체(11)의 휨이나 비틀림 등의 변형을 외부에서 용이하게 감지할 수 있도록 하기 위한 가이드 바(Guide bar,14)가 소정 길이 돌출형성된다. 이하, 가이드 바(14)가 형성된 캐리어 몸체(11)의 일 측면을 'H면(13)'이라 칭하기로 한다.In addition, a guide bar 14 for protruding a predetermined length may be formed on an outer side of the carrier body 11 so as to easily detect deformation such as bending or twisting of the carrier body 11 from the outside. Hereinafter, one side of the carrier body 11 on which the guide bar 14 is formed will be referred to as an 'H surface 13'.
한편, 이와 같은 웨이퍼 캐리어(10)의 변형 및 웨이퍼(20)의 두께를 측정할 수 있도록 구성된 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)를 도 3과 도 4를 참조하여 구체적으로 설명하면, 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)는 전체적으로 보아 웨이퍼 캐리어(10)가 안착되는 지그몸체(110)와, 웨이퍼 캐리어(10)의 측면인 H면(13)의 휨이나 비틀림 등을 감지하는 측면변형 감지수단과, 웨이퍼 캐리어(10)의 밑면 휨이나 비틀림 그리고 폭변형 등을 감지하는 밑면변형 감지수단과, 웨이퍼 캐리어(10)가 변형되었을 경우 이를 외부에 알려주는 알람수단 및 더미 웨이퍼(20)의 두께를 측정하는 웨이퍼 두께측정수단으로 구성된다.Meanwhile, the wafer carrier inspection jig 100 configured to measure the deformation of the wafer carrier 10 and the thickness of the wafer 20 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. As a whole, the jig body 110 on which the wafer carrier 10 is seated, the side deformation detection means for detecting the bending or torsion of the H surface 13, which is the side surface of the wafer carrier 10, and the wafer carrier ( Bottom deformation detection means for detecting the bottom bending, twisting and width deformation of the bottom surface 10, the alarm means for notifying the outside when the wafer carrier 10 is deformed and the wafer thickness measurement to measure the thickness of the dummy wafer 20 Means.
보다 구체적으로 설명하면, 지그몸체(110)는 하나의 수평평판(112) 끝단부에 하나의 수직평판(114)이 수직으로 결합된 형상으로, 수평평판(112)의 상면에는 웨이퍼 캐리어(10)의 밑면에 형성된 한쌍의 지지레그(17)가 꼭 맞게 삽입될 수 있도록 지지레그(17)의 길이 및 두께와 동일한 크기로 형성된 한쌍의 게이지 홈(145)이 형성되며, 수평평판(112)에 대향되는 방향의 수직평판(114) 전면에는 웨이퍼 캐리어(10)의 변형을 감지할 수 있는 다수개의 센서가 설치되도록 제 1설치돌기(117)와 제 2설치돌기(118) 및 중앙홈(116)이 형성된다.More specifically, the jig body 110 has a shape in which one vertical flat plate 114 is vertically coupled to an end of one horizontal flat plate 112, and the wafer carrier 10 is disposed on an upper surface of the horizontal flat plate 112. A pair of gauge grooves 145 are formed to have a size equal to the length and thickness of the support legs 17 so that the pair of support legs 17 formed at the bottom of the support body 17 can be inserted into each other, and face the horizontal flat plate 112. The first mounting protrusion 117, the second mounting protrusion 118, and the central groove 116 are installed on the front surface of the vertical flat plate 114 in the direction in which the plurality of sensors are installed to detect the deformation of the wafer carrier 10. Is formed.
여기에서, 한쌍의 게이지 홈(145)은 웨이퍼 캐리어(10)의 밑면에 형성된 한쌍의 지지레그(17)가 꼭 맞게 삽입될 수 있는 크기로 형성되는 바, 웨이퍼 캐리어(10)의 지지레그(17)가 휘어질 경우 웨이퍼 캐리어(10)의 지지레그(17)는 이 게이지 홈(145)에 삽입되지 않으므로 유저(User)는 웨이퍼 캐리어(10)의 밑면이 휘어졌음을 알 수 있다. 따라서, 수평평판(112)의 상면에 형성된 게이지 홈(145)은 웨이퍼 캐리어(10)의 밑면 휨이나 비틀림 등의 변형여부를 검사할 수 있는 밑면변형 감지수단의 역할을 하게 된다.Here, the pair of gauge grooves 145 are formed to a size such that a pair of support legs 17 formed on the bottom surface of the wafer carrier 10 can fit snugly, so that the support legs 17 of the wafer carrier 10 are provided. When () is bent, the support leg 17 of the wafer carrier 10 is not inserted into the gauge groove 145, so that the user knows that the bottom surface of the wafer carrier 10 is bent. Accordingly, the gauge groove 145 formed on the upper surface of the horizontal flat plate 112 serves as a bottom deformation detection means for inspecting whether the bottom surface of the wafer carrier 10 is deformed, such as bending or torsion.
그리고, 이와 같이 수평평판(112) 상면에 형성된 한쌍의 게이지 홈(145) 사이에는 웨이퍼 캐리어(10)의 지지레그(17)가 게이지 홈(145)에 삽입될 경우 웨이퍼 캐리어(10)에 끼워진 더미 웨이퍼(20)의 두께를 측정할 수 있는 웨이퍼 두께측정수단인 웨이퍼 두께측정블럭(Block,150)이 착탈가능하게 설치된다. 즉, 웨이퍼 두께측정블럭(150)은 수평평판(112)에 형성된 한쌍의 게이지 홈(145) 사이에서 게이지 홈(145)의 길이방향을 따라 설치될 수 있는 비교적 좁은 폭을 갖는 평판 형상으로그 상면에는 웨이퍼 캐리어(10)에 끼워진 더미 웨이퍼(20)가 선택적으로 끼워질 수 있도록 다수개의 게이지 슬롯(156)이 형성된다.In addition, when the support leg 17 of the wafer carrier 10 is inserted into the gauge groove 145 between the pair of gauge grooves 145 formed on the upper surface of the horizontal flat plate 112, the dummy inserted into the wafer carrier 10. A wafer thickness measuring block (Block) 150, which is a wafer thickness measuring means capable of measuring the thickness of the wafer 20, is detachably installed. That is, the wafer thickness measurement block 150 is a flat plate having a relatively narrow width that can be installed along the longitudinal direction of the gauge groove 145 between the pair of gauge grooves 145 formed on the horizontal plate 112. A plurality of gauge slots 156 are formed in the dummy carrier 20 to be selectively fitted to the wafer carrier 10.
이때, 게이지 슬롯(156)의 간격은 다수의 더미 웨이퍼(20) 중 반도체소자 제조공정 중에 용이하게 브로큰될 수 있는 더미 웨이퍼(20)와 그렇지 않는 더미 웨이퍼(20)를 제조공정 진행 전에 분리할 수 있도록 적정 크기로 형성됨이 바람직한 바, 본 발명에서는 일실시예로 약 0.55∼0.60mm 정도로 형성된다. 따라서, 웨이퍼 캐리어(10)가 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)에 안착될 경우 웨이퍼 캐리어(10)에 끼워진 더미 웨이퍼(20) 중 게이지 슬롯(156)의 간격보다 두꺼운 두께를 갖는 더미 웨이퍼(20)는 이 게이지 슬롯(156)에 삽입되지 않으며, 게이지 슬롯(156)의 간격보다 얇은 두께를 갖는 더미 웨이퍼(20)는 이 게이지 슬롯(156)에 삽입되게 된다.In this case, the gap between the gauge slots 156 may separate the dummy wafer 20 and the dummy wafer 20 which may be easily broken during the semiconductor device manufacturing process among the plurality of dummy wafers 20 before the manufacturing process. It is preferable to form the appropriate size so that in one embodiment of the present invention is formed about 0.55 ~ 0.60mm. Accordingly, when the wafer carrier 10 is seated on the wafer carrier inspection jig 100, the dummy wafer 20 having a thickness thicker than the gap between the gauge slots 156 of the dummy wafers 20 inserted in the wafer carrier 10 may be formed. The dummy wafer 20 that is not inserted into the gauge slot 156 and has a thickness thinner than the gap of the gauge slot 156 is inserted into the gauge slot 156.
이에, 유저는 이 게이지 슬롯(156)에 삽입된 더미 웨이퍼(20)가 있을 경우 이 더미 웨이퍼(20)를 공정 진행 전에 웨이퍼 캐리어(10) 내에서 분리하게 된다. 왜냐하면 게이지 슬롯(156)에 삽입된 더미 웨이퍼(20)는 게이지 슬롯(156)의 간격보다 얇은 두께인 0.55mm 미만이어서 반도체소자를 제조하기 위한 공정 진행중에 용이하게 브로큰될 수 있기 때문이다.Thus, when there is a dummy wafer 20 inserted into the gauge slot 156, the user separates the dummy wafer 20 in the wafer carrier 10 before the process proceeds. This is because the dummy wafer 20 inserted into the gauge slot 156 is less than 0.55 mm, which is thinner than the gap between the gauge slots 156, so that it may be easily broken during the process of manufacturing a semiconductor device.
한편, 지그몸체(110) 중 수직평판(114)의 전면에는 웨이퍼 캐리어(10)의 측면인 H면(13)을 감지하여 웨이퍼 캐리어(10)의 휨이나 비틀림 등의 변형을 감지하는 측면변형 감지수단이 설치되게 된다. 이때, 측면변형 감지수단은 웨이퍼 캐리어(10)의 H면(13)에 형성된 가이드 바(14)의 거리를 감지함으로써 웨이퍼 캐리어(10)의 휨이나 비틀림을 감지하는 제1 근접센서(131), 제2 근접센서(132), 제3근접센서(133) 및 웨이퍼 캐리어(10)에 빛을 조사한 후 이 빛의 반사량을 통해 웨이퍼 캐리어(10)의 휨이나 비틀림을 감지하는 제1 광센서(136)와 제2 광센서(137)가 그 역할을 하게 된다.On the other hand, the front surface of the vertical flat 114 of the jig body 110 detects the H surface 13, which is the side of the wafer carrier 10 to detect the deformation of the side of the wafer carrier 10, such as bending or twisting deformation The means will be installed. At this time, the side deformation detection means is a first proximity sensor 131 for detecting the bending or torsion of the wafer carrier 10 by detecting the distance of the guide bar 14 formed on the H surface 13 of the wafer carrier 10, After irradiating light to the second proximity sensor 132, the third proximity sensor 133, and the wafer carrier 10, the first optical sensor 136 which detects bending or torsion of the wafer carrier 10 through the amount of reflection of the light. ) And the second optical sensor 137 play a role.
즉, 지그몸체(110) 중 수직평판(114) 전면 중앙에는 상하 방향으로 길이가 긴 소정 깊이의 중앙홈(116)이 형성되고, 이 중앙홈(116)의 좌우 방향에는 각각 중앙홈(116)에서 소정 거리 이격되어 상하 방향으로 길이가 긴 직사각형 로드(Rod) 형상의 제1설치돌기(117)와 제2설치돌기(118)가 상호 대칭되게 형성되는 바, 중앙홈(116)의 중간부분에는 제1 근접센서(131)가 설치되고, 제1 설치돌기(117)의 상측과 제2 설치돌기(118)의 상측에는 각각 제2 근접센서(132)와 제3 근접센서(133)가 설치되며, 제1 설치돌기(117)의 하측과 제 2설치돌기(118)의 하측에는 각각 제1 광센서(136)와 제2 광센서(137)가 설치된다.That is, among the jig body 110, the center groove 116 of a predetermined depth, which is long in the vertical direction, is formed in the center of the front surface of the vertical flat plate 114, and the center groove 116 is formed in the left and right directions of the center groove 116, respectively. The first installation protrusion 117 and the second installation protrusion 118 of the rectangular rod shape long in the vertical direction spaced apart by a predetermined distance from the symmetrical mutually formed bar, in the middle portion of the central groove 116 The first proximity sensor 131 is installed, and the second proximity sensor 132 and the third proximity sensor 133 are installed on the upper side of the first installation protrusion 117 and the upper side of the second installation protrusion 118, respectively. The first optical sensor 136 and the second optical sensor 137 are installed below the first installation protrusion 117 and below the second installation protrusion 118, respectively.
또한, 웨이퍼 캐리어(10)가 휨이나 비틀림 등으로 변형되었을 경우 이를 외부에 알려주는 알람수단은 다시 작은 원통형상의 제어유닛(Unit,170)과, 이 제어유닛(170)의 전면에 설치된 발광램프(177)로 나누어지게 된다.In addition, the alarm means for notifying the outside when the wafer carrier 10 is deformed due to warpage or torsion is again a small cylindrical control unit (Unit, 170) and the light emitting lamp (installed on the front of the control unit 170) 177).
이때, 제어유닛(170)은 지그몸체(110) 중 수직평판(114)의 상면에 장착되며, 각 센서와 전기적으로 연결되어 각 센서에 의해서 웨이퍼 캐리어(10)의 변형이 감지되었을 경우 발광램프(177)에 전원을 인가하여 발광램프(177)가 점등되도록 하는 역할을 한다. 여기에서 발광램프(177)는 LED(Light-Emitting Diode)로 설치됨이 바람직하다.At this time, the control unit 170 is mounted on the upper surface of the vertical flat plate 114 of the jig body 110, is electrically connected to each sensor, when the deformation of the wafer carrier 10 is detected by each sensor light emitting lamp ( The power is applied to the 177 so that the light emitting lamp 177 is turned on. Here, the light emitting lamp 177 is preferably installed as a light-emitting diode (LED).
구체적으로 설명하면, 제어유닛(170)에는 조금도 변형되지 않은 기준 웨이퍼캐리어(10)가 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)에 정확히 안착되었을 경우의 데이타(Data;이하, '기준 데이타'라 한다)인 각 근접센서(131,132,133)에서의 가이드 바(14)까지 거리 및 각 광센서(136,137)에서의 수광되는 빛의 반사량 등이 기억되어 있게 된다. 따라서, 제어유닛(170)은 각 근접센서(131,132,133)와 각 광센서(136,137)가 공정 진행전의 일반 웨이퍼 캐리어(10)를 감지하였을 경우의 데이타(이하, '측정 데이타'라 한다)가 기준 데이타와 다를 경우 발광램프(177)를 점등되도록 하여 외부에서 웨이퍼 캐리어(10)의 변형을 알수 있도록 하게 된다.Specifically, the control unit 170 is data (Data; hereinafter referred to as 'reference data') when the reference wafer carrier 10 which is not deformed at all is correctly seated on the wafer carrier inspection jig 100. The distance from the proximity sensors 131, 132, 133 to the guide bar 14, the amount of light reflected by the optical sensors 136, 137, and the like are stored. Therefore, the control unit 170 includes reference data (hereinafter, referred to as 'measurement data') when the respective proximity sensors 131, 132, 133 and each optical sensor 136, 137 detect the general wafer carrier 10 before the process proceeds. If different from the light emitting lamp 177 is turned on so that the deformation of the wafer carrier 10 can be seen from the outside.
여기에서, 제어유닛(170)은 기준 데이타에 일정 범위의 허용오차를 두고 측정 데이타가 이 기준 데이타의 허용오차를 넘어설 경우에만 발광램프(177)인 LED를 점등시키는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the control unit 170 turns on the LED, which is the light emitting lamp 177, only when the measurement data exceeds a tolerance of a predetermined range in the reference data and the measurement data exceeds the tolerance of the reference data.
이하, 본 발명의 일실시예인 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation and effect of the wafer carrier inspection jig 100 which is an embodiment of the present invention will be described in detail.
먼저, 유저는 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)를 구비한 후 더미 웨이퍼(20)가 끼워진 웨이퍼 캐리어(10)를 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)에 안착시키게 된다. 이때, 유저는 웨이퍼 캐리어(10)의 측면인 H면(13)이 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)의 수직평판(114)을 향하도록 한 후 웨이퍼 캐리어(10)를 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)로 안착시켜야 한다.First, the user is provided with a wafer carrier inspection jig 100 and then seats the wafer carrier 10 on which the dummy wafer 20 is fitted to the wafer carrier inspection jig 100. At this time, the user directs the H surface 13, which is a side surface of the wafer carrier 10, to the vertical plate 114 of the wafer carrier inspection jig 100, and then moves the wafer carrier 10 to the wafer carrier inspection jig 100. It must be seated.
이에, 밑면이 변형되지 않은 웨이퍼 캐리어(10)일 경우 웨이퍼 캐리어(10)의 밑면에 형성된 한쌍의 지지레그(17)는 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)에 형성된 게이지 홈(145)에 정확히 삽입되게 된다. 그리고, 웨이퍼 캐리어(10)에 삽입된 더미웨이퍼(20) 중 0.55mm 미만의 두께를 갖는 더미 웨이퍼(20)가 있을 경우 이 더미 웨이퍼(20)는 웨이퍼 두께측정블럭(150)의 게이지 슬롯(156)에 삽입되게 된다.Thus, in the case where the bottom surface of the wafer carrier 10 is not deformed, the pair of support legs 17 formed on the bottom surface of the wafer carrier 10 are correctly inserted into the gauge groove 145 formed in the wafer carrier inspection jig 100. . In addition, when there is a dummy wafer 20 having a thickness less than 0.55 mm among the dummy wafers 20 inserted into the wafer carrier 10, the dummy wafer 20 is a gauge slot 156 of the wafer thickness measurement block 150. ) Will be inserted.
이후, 웨이퍼 캐리어(10)가 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)에 정확히 삽입되게 되면, 제1 근접센서(131)와 제2 근접센서(132) 및 제3 근접센서(133)는 웨이퍼 캐리어(10)에 형성된 가이드 바(14)의 거리를 측정하게 되며, 제1 광센서(136)와 제2 광센서(137)는 웨이퍼 캐리어(10)에 소정 빛을 조사한 후 이 빛의 반사량을 측정하게 된다.Thereafter, when the wafer carrier 10 is correctly inserted into the wafer carrier inspection jig 100, the first proximity sensor 131, the second proximity sensor 132, and the third proximity sensor 133 may be connected to the wafer carrier 10. The distance of the guide bar 14 formed in the first bar sensor 14 is measured, and the first optical sensor 136 and the second optical sensor 137 irradiate a predetermined light on the wafer carrier 10, and then measure the reflection amount of the light.
이때, 이와 같이 웨이퍼 캐리어(10)를 측정한 측정 데이타는 제어유닛(170)에 의해 기준 데이타와 비교되게 되며, 이 측정 데이타가 기준 데이타의 허용오차를 넘어섰을 경우 발광램프(177)인 LED는 점등되게 된다.At this time, the measurement data measured in this way the wafer carrier 10 is compared with the reference data by the control unit 170, when the measurement data exceeds the tolerance of the reference data LED light emitting lamp 177 is It will light up.
여기에서, 유저는 발광램프(177)인 LED가 점등될 경우 웨이퍼 캐리어(10)의 변형되었음을 알수 있고, 또 더미 웨이퍼(20)가 게이지 슬롯(156)에 삽입되었을 경우 0.55mm 미만의 더미 웨이퍼(20)가 웨이퍼 캐리어(10) 내에 끼워져 있는 것을 알수 있다.Here, the user can know that the wafer carrier 10 is deformed when the LED of the light emitting lamp 177 is turned on, and when the dummy wafer 20 is inserted into the gauge slot 156, the dummy wafer smaller than 0.55 mm ( It can be seen that 20 is sandwiched in the wafer carrier 10.
이상과 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)는 하나의 검사 지그로써 브로큰되기 용이한 규격 미달의 더미 웨이퍼(20)를 미연에 선별할 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼 캐리어(10)의 뒤틀림이나 변형 등을 체크하여 웨이퍼 캐리어(10)의 변형으로 인한 웨이퍼(20)의 브로큰을 미연에 방지할 수 있다.As described above, the wafer carrier inspection jig 100 according to the present invention may not only select a dummy wafer 20 that does not meet the specification easily easily broken by one inspection jig, but also may cause distortion of the wafer carrier 10. The deformation of the wafer 20 may be prevented by breaking the wafer 20 due to the deformation of the wafer carrier 10.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 캐리어 검사 지그(100)는 웨이퍼 캐리어(10)의 변형만을 측정하고자 할 경우에는 탈착가능한 웨이퍼 두께측정블럭(150)을 웨이퍼캐리어 검사 지그(100)에서 이탈시킨 후 사용할 수 있게 된다.In addition, the wafer carrier inspection jig 100 according to the present invention may be used after detaching the detachable wafer thickness measurement block 150 from the wafer carrier inspection jig 100 when only the deformation of the wafer carrier 10 is to be measured. Will be.
이상과 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 캐리어 검사 지그는 하나의 검사 지그로써 브로큰되기 용이한 규격 미달의 더미 웨이퍼를 미연에 선별할 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼 캐리어의 뒤틀림이나 변형 등을 체크하여 웨이퍼 캐리어의 변형으로 인한 웨이퍼의 브로큰을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, the wafer carrier inspection jig according to the present invention can not only sort out dummy wafers that are not easily broken by one inspection jig, but also check the distortion or deformation of the wafer carrier to deform the wafer carrier. There is an effect that can be prevented in advance due to the broken wafer.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020016783A KR20030077835A (en) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Wafer carrier inspection jig |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020016783A KR20030077835A (en) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Wafer carrier inspection jig |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030077835A true KR20030077835A (en) | 2003-10-04 |
Family
ID=32376855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020016783A KR20030077835A (en) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Wafer carrier inspection jig |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030077835A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101026834B1 (en) * | 2008-12-31 | 2011-04-07 | (주)구일엔지니어링 | LCD panel measuring device |
-
2002
- 2002-03-27 KR KR1020020016783A patent/KR20030077835A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |