KR100218826B1 - 박막 작동식 미러 장치 - Google Patents

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KR100218826B1
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지정범
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전주범
대우전자주식회사
카시오, 안토니 티.
오러 시스템즈, 인코포레이티드
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Abstract

작동식 미러장치(10)용의 박막 작동식 미러는 기둥(14)과 이 기둥으로 부터 캔틸레버식으로 지지된 적어도 하나의 압전 구조체(12)를 포함한다. 압전 구조체는 2개의 대향표면(24,26)을 가진 하나의 압전 물질층(18)을 포함한다. 2개의 금속전극(20,22)은 각각 압전 물질층의 상기 대향표면중 하나에 각각 장착된다. 전극들 사이의 압전물질을 통하여 인가된 전기신호는 압전물질을 변형시킨다. 박막 작동식 미러는 미러표면이 압전 물질층의 변형에 응답하여 변형하게끔 압전 물질층에 상호접속된 미러표면(32)을 또한 포함한다.

Description

박막 작동식 미러 장치
특정 타입인 광학 투사 비디오 디스플레이 시스템에 있어서, 작동식 미러 장치는 각 픽셀에 대한 광 변조를 제어하는데 사용된다. 어떤 유형의 시스템에 있어서, 미러 장치는 광 에너지의 광원에 의해 조명된다. 전기적인 제어하에서, 장치내의 각 미러의 방향은 각 미러로부터 반사되는 광 빔에 대한 전파 경로를 결정하도록 변화를 줄 수 있다. 광학 투사 비디오 디스플레이 시스템의 한 예가 제1도에 도시되어 있다. 제1도에 도시된 시스템에 있어서, 광은 광원(120)으로부터 방사되어 Schlieren 스톱 미러(122)에서 작동식 미러 장치(124)로 향하는 각으로 반사된다.
광은 작동식 미러 장치로부터 제어된 각으로 반사된다. 이 각은 미러 장치의 작동을 통해 제어된다. 미러 장치(124)로부터 반사된 광은 제2렌즈(126)를 통과하고, Schlieren 스톱 미러를 피해, 제3렌즈(128)를 통과하여 스크린까지 진행한다. 본 발명은 이러한 광학 투사 비디오 디스플레이 시스템에서 사용된 미러 장치용 작동식 미러를 개시한다.
유니모프(unimorph)는 금속박의 외부에 접착된 압전 소자이다. 금속박은 압전 물질의 양단에 DC 전기신호를 인가함으로써 제어되며, 이러한 DC 전기신호는 압전 물질의 형태를 변경시킨다. 압전 물질의 형태가 변경됨으로 인해, 금속박이 압전 물질의 이동을 방해하게 되어, 금속박에서 축 버클링(axial buckling)이나 휨(deflection)이 발생하는 원인이 된다. 금속박에서의 버클링의 정도는 DC전기신호의 진폭에 의해 제어된다. 바이모프(bimorph)는 압전 소자의 2개의 층을 포함한다. 금속박을 압전 소자에 부착하기 위해 접착제를 사용하여 유니모프 및 바이모프 압전 소자를 생성하는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 공지된 것이다.
예컨대, 미국 특허 번호 제5,085,497호에는 광학 투사 시스템에 사용되는 미러 장치를 제조하는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 공지된 작동식 미러 장치가 갖는 문제점은 미러 장치를 제조하기 어렵다는 것이다. 다른 문제점으로서는 미러의 변위가 원하는 것만큼 크기 않다는 것이다.
이러한 문제점들을 해결하기 위해 향상된 작동식 미러 장치가 필요하게 되었다.
본 발명은 광학 투사 비디오 시스템에 사용되는 작동식 미러 장치에 관한 것으로서, 특히 광학 투사 시스템용 박막 작동식 미러 장치에 관한 것이다.
제1도는 박막 작동식 미러 장치를 광학적으로 구현한 도면.
제2도는 박막 작동식 미러 장치의 제1실시예를 유니모프 형태로 나타낸 평면도.
제3도는 제2도에 도시된 유니모프 형태의 작동식 미러 장치의 제1실시예를 비작동 상태로 나타낸 측면도.
제4도는 제2도에 도시된 유니모프 형태의 작동식 미러 장치의 제1실시예를 작동 상태로 나타낸 측면도.
제5도는 박막 작동식 미러 장치의 제2실시예의 측면도.
제6도는 박막 작동식 미러 장치의 제3실시예의 평면도.
제7도는 제6도의 작동식 미러 장치의 제3실시예를 작동 상태로 나타낸 측면도.
제8도는 박막 작동식 미러 장치의 제4실시예의 평면도.
제9도는 제8도의 박막 작동식 미러 장치의 제4실시예의 사시도.
제10도는 박막 작동식 미러 장치의 제5실시예의 평면도.
제11도는 제10도에 도시된 박막 작동식 미러 장치의 제5실시예의 측면도.
따라서, 본 발명의 기본 목적은 종래 기술의 여러가지 단점과 제한을 해결하는데 있다. 본 발명의 중요한 목적은 높은 필 팩터(fill factor)를 갖는 작동식 미러 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 관점은 박막 기술을 이용하여 작동식 미러 장치를 용이하게 제고하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 넓은 관점에 따라, 작동식 미러 장치에 사용되는 박막 작동식 미러는 기둥과 이 기둥으로부터 캔틸리버(cantilever)된 압전 구조체를 구비한다. 압전 구조체는 2개의 대향표면이 있는 압전 물질층을 포함한다. 2개의 금속 전극 각각은 압전 물질층의 대향표면위에 각각 탑재된다. 전기신호는 전극 사이와 압전 물질의 양단에 인가되며, 압전 물질의 변형을 야기한다. 박막 작동식 미러 장치는 압전 물질에 접속된 미러표면을 추가로 구비함으로써 미러표면은 압전 재료층의 변형에 대해 변형된다.
본 발명의 특징은 박막 작동식 미러 장치가 용이하게 제조될 수 있다는 것이다.
본 발명의 다른 특징은 박막 작동식 미러 장치가 미러 영역을 이용하는데 효율적이라는 것이다.
본 발명의 전술한 내용과, 기타의 목적 및 특징은 본 발명에 관한 기술분야의 당업자가 첨부 도면을 참조하여 발명의 아래 설명을 고찰해 보면 더욱 명확해질 것이다.
먼저, 제2, 3 및 4도를 참조하여 보면, 본 발명인 박막 작동식 미러 장치의 제1실시예(10)가 개시되어 있다. 제1실시예(10)는 압전 구조체(12), 기둥 부재(14) 및 기판(16)을 포함한다. 압전 구조체(12)는 제1금속층(20)과 제2금속층(22) 사이에 배치된 압전 물질층(18)을 포함한다. 압전 물질층(18)에는 상부면(24)과 하부면(26)이 있다. 제1금속층(20)은 압전 물질층의 상부면(24)과 접촉하여, 반사 미러표면(32) 및 금속 전극과 같은 기능을 한다. 반사 미러표면(32)은 박막 작동식 미러 장치의 행렬의 길이를 교차하여 접지에 결합한다. 제2금속층(22)은 압전 물질층의 하부면(26)에 접촉하여, 금속 전극으로서의 기능을 한다. 압전 구조체(12)는 기둥 부재(14)에 의해 캔틸레버 방식으로 지지된다. 기둥 부재(14)는 기판(16)에 결합된다.
본 발명의 제1실시예에 있어서, 압전 구조체(12)는 기둥 부재(14)에 장착된 제1부(28)와 기둥 부재(14)로부터 캔틸레버된 제2부(30)를 구비한다. 전계는 전기신호를 도전시키는 기둥 부재(14)를 통해 기판 능동 매트릭스로부터 압전 구조체(12)의 양단에 인가된다. 이러한 전계로 인해, 압전 물질의 폴링(poling)에 대한 전계의 극성에 영향을 받게 되어, 압전 물질은 수축되거나 팽창된다. 이 예에 있어서, 만일 전계의 극성이 압전 물질의 극성에 대응한다면, 압전 물질은 수축될 것이다. 만일 전계의 극성이 압전 물질의 극성과 반대라면, 압전 물질은 팽창될 것이다.
제3도 및 제4도를 참조하여보면, 압전 물질의 극성이 인가된 전계의 극성과 대응함으로써, 압전 물질은 수착하게 된다. 수동 제1금속층(20)은 수축하지 않기 때문에, 압전 구조체(12)는 제4도에 도시된 바와 같이, 아래쪽으로 휘어진다. 제3도 및 제4도를 참조하여, 제4도의 작동된 압전 구조체의 미러표면(32)에 부딪치는 광은 제3도에 도시된 비작동된 압전 구조체의 미러표면(32)으로부터 편향된 광 보다 큰 각으로 편향된다.
또한, 반대 극성의 전계는 압전층(18)의 양단에 인가될 수 있으며, 이로인해 압전물질은 팽창된다. 이 예에 있어서, 수동 제1금속층은 팽창되지 않고, 그 결과로서, 압전 구조체(12)는 위쪽(도시 안됨)으로 휘어진다. 작동된 압전 구조체(12)의 위쪽으로 미러표면(32)에 부딪치는 광은 제3도에 도시된 비작동된 압전 구조체의 미러표면(32)로부터 편향된 광 보다 작은 각으로 편향된다.
제2도에 잘 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예는 반사 미러표면(32)에 있는 미러 분할 슬롯(34)을 포함한다. 이 미러 분할 슬롯은 반사 미러표면(32)을 복수의 미러 세그멘트 32(a), 32(b) 및 32(c)로 분할한다. 미러 분할 슬롯(34)은 픽셀사이의분할에 대응하므로, 미러 세그멘트는 픽셀에 대응하게 된다. 미러 분할 슬롯(34)으로 인해, 각각의 미러 세그멘트가 개별적으로 이동할 수 있으므로, 각 픽셀의 반응에 영향을 받지 않는다. 그러나, 미러 분할 슬롯(34)은 각각의 미러 세그멘트들을 완전하게 비접속시키기는 못하므로, 공통 접지에 접속할 수 있다.
본 발명에 따른 제1실시예의 제조방법은 이하에서 개시할 것이다. 먼저, 능동 매트릭스 기판(16)이 제공된다. 이어서 제2층이 상기 기판(16)에 도포된다. 상기 제2층의 제1영역은 기둥 부재(14)에 대응한다. 제2층의 제2영역은 압전 구조(12)의 제2부분(30)의 영역에 대응한다. 상기 제2층의 제2영역은 손실성 층이 되도록 처리된다. 그러므로 제2층의 제2영역은 화학적 에칭 또는 도포에 의해 제거될 수 있다. 이어서 제2금속 박막층(22), 압전 물질층(18), 및 제1금속 박막층(20)이 제2층상에 각각 증착된다. 상기 금속층 및 압전 물질층은 스퍼터링, 졸 겔, 증발, 에칭 및 마이크로-매칭과 같은 공지된 박막 기술로 증착 및 패턴될 수 있다. 다음에 제2층의 손실성 제2영역은 상기 기판으로부터 떨어져서 공간 이격된 압전 구조의 제2부분의 3개의 층을 남겨두고 화학적 도포에 의해 용해되거나 또는 제거된다. 그 결과 상기 압전 구조는 기둥 부재(14)로부터 캔틸레버식으로 구성된다.
다시 제5도를 참조하면, 박막 작동식 미러 장치의 제2실시예(36)가 도시되어 있다. 제2실시예(36)는 2개의 변형 구조로 구성된다. 보다 구체적으로 상기 2개의 변형 구조는 상부 압전 물질층(40a), 하부 압전 물질층(40b), 제1금속층(42), 제2금속층(44) 및 제3금속층(46)을 갖는 2개의 변형 압전 구조(38)를 포함한다. 상부 압전 물질층(40a)은 상부면(48)과 하부면(50)으로 한정된다.
제1금속층(42)은 상부면(48)과 접촉하여 배치되며, 반사경 면(32)으로 기능을 한다. 하부 압전 물질층(40b)은 상부면(52)과 하부면(54)으로 한정된다. 제2금속층(44)은 하부면(54)과 접촉하여 배치되며, 금속 전극으로서의 기능을 한다. 제3금속층(46)은 상부 압전 물질층의 하부면(50)과 하부 압전 물질층의 상부면(52)과 접촉하여 그 중간에 배치된다.
제5도의 본 발명의 제2실시예(36)에 있어서, 2개의 변형 압전 구조(38)는 상기 기둥 부재(14)에 탑재된 제1부분(28)과 상기 기둥 부재(14)로부터 캔틸레버된 제2부분(30)을 포함한다. 상기 압전 물질층(40a), (40b)의 양단에 전계가 인가되면, 상기 압전 구조(38)는 압전 물질의 폴링 및 전계의 극성에 따라서 위쪽 또는 아래쪽으로 휘어질 수 있다. 예컨대, 극성이 상부 압전 물질층(40a)을 수축시키고 하부 압전 물질층(40b)을 팽창시키면, 상기 압전 구조(38)는 위쪽으로 휘어질 것이다. 이 위치에서 입사하는 광은 동작하지 않는 압전 구조에서 편향되는 광 보다 동작되는 압전 구조로부터 유사한 각으로 편향된다. 그러나, 압전 물질의 극성 및 전계가 상부 압전 물질층(40a)을 팽창시키고 하부 압전 물질층(40b)을 수축시키면, 상기 압전 구조(38)는 아래쪽으로 휘어질 것이다. 이 위치에서 입사하는 광은 동작하지 않는 압전 구조에서 편향되는 광 보다 동작되는 압전 구조에서 보다 큰 각으로 편향된다.
제2실시예(36)는 제1실시예(10)와 유사한 방법으로 제조된다. 제2층은 기판(16)에 도포된다. 제2층은 기둥 부재(14)에 대응하는 제1영역과, 압전 구조(12)의 제2부분에 대응하는 제2처리 영역을 포함한다. 제2금속 박막층(44), 제2압전 물질층(40b), 제3금속층(46), 제1압전 물질층(40a), 제1금속 층 및 제 금속 박막층(42)은 제2층상에 각각 증착된다. 금속 및 압전 물질층은 공지된 박막 기술로서 증착 및 패턴화될 수 있다. 다음에 제2층의 손실성 제2영역은 기둥 부재(14)로부터 캔틸레버되는 2개의 변형 압전 구조(38)를 남기고 화확적 도포에 의해 용해되거나 또는 제거될 수 있다.
제6도 및 제7도를 참조하면, 박막 작동식 미러 장치의 제3실시예(56)가 단일 압전 구조(58)로 도시되어 있다. 압전 구조(58)는 압전 물질층(60), 제1금속층(62), 제2금속층(64), 스페이서(66) 및 미러층(68)을 포함한다. 상기 압전 물질층(60)은 상부면(70)과 하부면(72)로 한정된다. 제1금속층(62)은 상부면(70)과 접촉하여 증착된다. 제2금속층(64)은 하부면(72)과 접촉하여 증착된다. 상기 제1 및 제2금속층(62,64)은 금속 전극으로 작용한다. 압전 구조는 압전 물질층의 인접 단부(74)에서 기둥 부재(14)에 탑재되며, 상기 스페이서(66)는 상기 압전 물질층의 말단(76)상에 배치된다. 미러층(68)의 제1부분(78)은 미러층(68)의 제2부분(80)이 기둥 부재(14)로부터 캔틸레버되도록 상기 스페이서에 고정된다.
제7도에 도시한 바와 같이, 압전 물질의 양단에 전계가 인가되면, 압전 구조(58)는 위쪽으로 휘어지게 되어 미러(68)는 소정의 각으로 위쪽으로 비스듬하게 경사지지만 평면을 유지한다. 그 결과로서, 미러(68)의 효율적인 길이는 미러의 전체 길이가 도니다. 이와 비교하여, 만일 미러층(68)이 압전 물질층에 직접 고정된다면, 기둥에 고정된 미러부는 전계의 반응에 따라 변형되지는 않지만, 대신에 제자리에 고정된채로 있게 된다. 그 결과로서, 미러의 효율적인 길이는 기둥에 고정된 압전 재료의 부분의 길이보다 작은 미러의 길이가 된다. 제7도에 도시된 실시예에서 스페이서(88)와 미러층(68)의 구현은 필 팩터와 미러 장치의 효율성을 증대시킨다.
부가적인 이점으로는 미러층(68)의 두께가 용이하게 변동될 수 있다는 것이다.
제8도 및 제9도에는 박막 작동식 미러 장치의 제4실시예(82)가 도시되어 있다. 이 실시예에 있어서, 각각의 미러 세그멘트는 제2도를 참조하여 기술된 것처럼, 복수의 미러 분할 슬롯(34)에 의해 분할된다. 각각의 미러 세그멘트(32)는 중앙 탭부(84)의 형태로 된 압전 구조체를 추가로 포한한다. 중앙 탭부(84)는 기둥 부재(14)에 고정된다. 중앙 탭부는 2개의 연장된 대향 측면(86a) 및 (86b)와 제1 또는 근접 단부(88) 및 제2 또는 원단부(90)를 한정한다. 중앙 탭부(84)의 근접단부(88)는 기둥 부재(14)에 직접 부착된다. 2개의 연장된 측면은 좁은 개구(92)에 의해 미러 세그멘트로부터 각각 분리된다. 그러므로, 중앙 탭부(84)의 근접단부(88) 및 2개의 연장된 측면(86a) 및 (86b)를 둘러싸는 미러 세그멘트(32)는 기둥 부재(14)에 직접 부착되지 않고, 미러 세그멘트는 중앙 탭부의 원단부(90)에 직접 고정된다.
중앙 탭부(84)는 2개의 금속 전극층의 중간에 배치된 압전 물질층으로 이루어진다.
따라서, 압전 물질층 탭부(84)에 전계가 인가되면 탭부는 압전 물질의 폴링 또는 전계극성에 따라 상향 또는 하향으로 휘어진다. 중앙탭부(84)가 상향으로 휘어지면 미러 세그멘트(32)는 실질적으로 평평하게 유지되지만 각도상으로는 상향으로 기울어지거나 회전한다. 중앙탭부(84)가 하향으로 휘어지면 미러 세그멘트(32)는 실질적으로 평평하게 유지되지만 각도상으로는 하향으로 기울어지거나 회전한다.
미러 세그멘트(32)는 압전탭부(84)에 직접적으로 고정되어 있지 않고 그대신 탭부의 말단(90)에 대하여 힌지형태의 관계를 갖고 있기 때문에 미러 세그멘트(32)의 전체 영역은 빛의 굴절에 이용되어 진다. 그 결과 미러장치의 효율은 미러 세그멘트가 압전물질에 대해 고정된 관계를 가지며 미러 세그멘트(32)의 경사각이 최대로 되어 있는 경우보다 더 높다.
제10도 및 제11도에는 박막 작동식 미러장치의 제5실시예(94)가 도시되어 있다.
참고로 이 실시예에서는 미러 세그멘트가 2개의 대향측면(108a), (108b)을 구성하고 있다. 압전구조체는 2개의 측면 탭부(96a), (96b)로 구성되어 있는데, 상기 측면탭부는 각 미러 세그멘트의 2개의 미러 세그멘트 측면(108a), (108b)과 대응하여 정렬되어 있다. 제10도에 도시되어 있는 바와 같이, 각각의 측면 탭부(96a), (96b)는 제1의 길게 연장된 측면(98), 제2의 반대쪽의 길게 연장된 측면(100), 제1 또는 근접단부(102), 및 제2 또는 원단부(104)를 한정한다. 제1의 길게 연장된 측면(98)은 미러 세그멘트를 분리하는 슬롯(34)에 인접해 있다.
제2의 반대쪽 측면(100)은 좁은 개방슬릿(106)에 의해 미러 세그멘트(32)로 부터 분리되어 있다.
각 측면탭부(96a), (96b)의 제2 또는 원단부(104)는 기둥부재(14)에 고정된다.
따라서, 기둥은 제11도에 잘 나타나 있는 바와 같이 미러 세그멘트 아래의 대략 중앙에 위치되어 있다. 각 측면탭부(96a), (96b)의 제1 또는 근접단부(104)는 미러 세그멘트(32)에 직접 연결된다. 그러나, 각 측면탭부(96a), (96b)의 원단부(104)와 긴 측면(98,100)은 미러 세그멘트(32)에 직접 연결되지 않는다. 측면탭부(96a), (96b)는 2개의 급속전극의 중간에 배치된 압전 물질층으로 이루어져 있다. 그러므로, 전계가 압전 물질 탭부재에 인가될 때 탭부재는 압전물질의 폴링 및 전계극성에 따라 상향 또는 하향으로 휘어진다. 탭부재가 상향으로 휘어지면 관련 미러 세그멘트는 각도상으로 상향으로 경사 또는 회전되지만 실질적으로 그 평탄성은 유지된다. 탭부재가 하향으로 휘어지면 관련 미러 세그멘트는 각도상으로 하향으로 경사 또는 회전되지만 실질적으로 그 평탄성은 유지된다. 따라서 2개의 측면탭부(96)는 각각의 미러 세그멘트에 대하여 힌지와 같이 작용한다. 그 결과, 미러장치의 효율은 미러 세그멘트가 압전물질에 대하여 고정관계로 있는 경우 보다 더 크다.
본 발명의 제3, 제4, 제5실시예들은 바이모프 구조를 이용할 수도 있다. 또 상기 실시예의 설명에서는 압전물질을 인용하여 설명하였지만 다른 형태의 움직임 포함물질을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 소망하는 수축 팽창성을 얻기 위하여 전기병형 또는 자기변형 물질을 이용할 수 있다.
지금까지 본 발명의 원리에 따른 박막 작동식 미러장치의 몇가지 양호한 실시예를 설명하였다. 그러나, 이 기술에 숙련된 자라면 본 발명의 개념으로 부터 벗어남이 없이 상기한 실시예에 대해 몇가지 사용요소를 부가하거나 제거하는 것이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명은 이하의 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 것으로 한다.

Claims (20)

  1. 기둥과; 상기 기둥으로 부터 캔틸레버식으로 지지된 적어도 하나의 압전 구조체를 포함하는데, 상기 압전 구조체는 2개의 대향하는 표면을 가진 압전 물질층과 2개의 금속전극을 포함하며, 상기 전극들은 각각 상기 압전물질의 상기 대향표면상에 각각 장착되고 상기 전극들 사이의 상기 압전물질을 통해 인가된 전기신호가 상기 압전 물질층을 변형시키며; 상기 압전물질층의 변형에 응답하여 변형을 일으키게끔 상기 압전 구조체에 상호접속되어 있는 미러표면을 포함한 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  2. 제1항에 있어서, 상기 미러표면은 상기 금속전극중 하나에 직접 장착되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  3. 제1항에 있어서, 상기 압전 구조체와 상기 미러표면의 중간에 장착되는 스페이서 부재를 추가로 포함한 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  4. 제3항에 있어서, 상기 압전 구조체는 근접단부와 원단부를 포함하고, 상기 압전 구조체의 근접단부에서 기둥에 장착되며, 상기 스페이서 부재는 상기 압전 구조체의 원단부에 장착되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  5. 제1항에 있어서, 상기 압전 구조체는 바이모프 구조체인 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  6. 제1항에 있어서, 상기 압전 구조체는 근접단부와 원단부를 포함하고, 상기 기둥은 상기 압전 구조체의 근접단부에 장착되며, 상기 미러표면은 상기 압전 구조체의 원단부에 상호접속되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  7. 제1항에 있어서, 상기 압전물질층은 전기변형 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  8. 제1항에 있어서, 상기 압전물질층은 자기변형 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  9. 제1항에 있어서, 상기 압전물질층은 움직임 포함물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  10. 제1항에 있어서, 상기 압전 구조체는 제1 및 제2의 길게 연장된 측면과 근접단부와 원단부를 포함하며, 상기 미러표면은 상기 압전 구조체의 상기 원단부에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  11. 제10항에 있어서, 상기 압전 구조체는 상기 압전 구조체의 근접단부에서 기둥에 장착되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  12. 제11항에 있어서, 상기 압전 구조체의 상기 제1 및 제2의 연장된 측면은 작은 개구에 의해 미러표면으로 부터 분리되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  13. 제1항에 있어서, 상기 압전 구조체는 근접단부 및 원단부를 포함하고, 상기 미러 표면은 상기 압전 구조체의 상기 근접단부에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  14. 제13항에 있어서, 상기 압전 구조체는 상기 압전 구조체의 원단부에서 기둥에 장착되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  15. 제1항에 있어서, 상기 압전 구조체는 제1압전 구조체 및 제2압전 구조체를 포함하고, 상기 미러표면은 제1측면과 제2의 대향측면을 포함하며, 상기 제1압전 구조체는 미러표면의 제1측면과 정렬되고 상기 제2압전 구조체는 상기 미러표면의 제2대향측면과 정렬되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  16. 제15항에 있어서, 상기 압전 구조체는 각각 근접단부 및 원단부를 포함하고, 상기 미러표면은 상기 압전 구조체의 상기 근접단부에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  17. 제15항에 있어서, 상기 압전 구조체는 상기 압전 구조체의 원단부에서 기둥에 장착되는 것을 특징으로 하는 박막 작동식 미러.
  18. 광학 투사 시스템용의 박막미러를 제조하는 방법에 있어서, 능동 매트릭스 기판을 제공하는 단계와; 박막미러의 기둥부재에 대응하는 제1영역 및 박막미러의 나머지 영역에 대응하는 제2의 희생영역을 포함하는 제2층을 상기 기판에 퇴적하는 단계와; 제거가능하게 상기 제2층의 상기 제2의 희생영역을 처리하는 단계와; 제2층상에 금속 박막층을 퇴적하는 단계와; 금속 박막층상에 박막의 압전 물질층을 퇴적하는 단계와; 압전 물질층상에 제2금속 박막층을 퇴적하는 단계와; 제2층의 상기 제2의 희생영역을 제거하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 박막미러 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제2층의 제2의 희생영역을 제거하는 단계는 제2층의 제2의 희생영역을 화학물질로 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막미러 제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제2층의 제2의 희생영역을 제거하는 단계는 제2층의 제2의 희생영역을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막미러 제조방법.
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