KR100207515B1 - Y/c 간섭 제거회로 - Google Patents
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Abstract
Y/C 간섭 현상을 제거하기 위한 Y/C 간섭 제거회로를 공개한다. 그 회로는 전원 단자와 각각 일측이 연결되는 제1 및 제2저항과, 접지 단자와 각각 일측이 연결되는 제3 및 제4저항과, 인버팅된 콤퍼지트 칼라신호를 베이스 입력으로 하고 이미터측이 상기 제1저항의 타측과 연결되는 제1트랜지스터와, 콤퍼지트 칼라신호를 베이스 입력으로 하고 이미터측이 상기 제2저항의 타측과 연결되는 제2트랜지스터와, 베이스측이 상기 제1트랜지스터의 컬렉터와 연결되고 컬렉터측이 상기 전원 단자와 연결되는 제3트랜지스터와, 컬렉터측이 상기 제1트랜지스터의 컬렉터와 연결되고 베이스측이 상기 제3트랜지스터의 이미터와 연결되고 이미터측이 상기 제3저항과 연결되는 제4트랜지스터와, 컬렉터측이 상기 제2트랜지스터의 컬렉터와 연결되고 베이스측이 상기 제4트랜지스터의 베이스와 연결되고 이미터측이 상기 제4저항과 연결되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 Y/C 간섭 제거회로에 관한 것으로, 특히 화면에 디스플레이시 선이 얇은 화이트 라인일 경우, 흰 라인에 칼라가 착색되는 현상을 제거하는 Y/C 간섭 제거회로에 관한 것이다.
도 1은 종래의 Y/C 간섭 제거회로를 설명하기 위한 회로도를 도시한 것으로, 도면 부호 10은 R-Y 변조부를, 20은 B-Y 변조부를, 30은 크로마 증폭부를, R0∼R11은 저항을, Q1∼Q22는 트랜지스터를 각각 나타낸 것이다.
R-Y 변조부(10)는 전원 단자(Vcc)와 연결되고 전류를 공급하는 액티브 로드(1)와, R-Y 색차신호에 대하여 I 신호를 중첩시켜 R-Y 변조를 수행하는 변조부(3)와, 바이어스부(5)로 구성되어 있다. 이때, 액티브 로드(1)는 전원 단자(Vcc)와 연결되는 저항(R0)과, 베이스와 컬렉터가 연결된 트랜지스터(Q1)로 구성된다. 변조부(3)는 길벗 승산기(Gilbert Multiplier Circuit)로 구성되며, 변조 이득은 매우 작게 설정되었다. 바이어스부(5)는 베이스가 공통 연결된 트랜지스터(Q8, Q9)와 접지 단자(GND)와 연결되는 저항(R2, R3)으로 구성되어 있다.
B-Y 변조부(20)는 전원 단자(Vcc)와 연결되고 전류를 공급하는 액티브 로드(21)와, B-Y 색차신호에 대하여 Q 신호를 중첩시켜 B-Y 변조를 수행하는 변조부(3)와, 바이어스부(5)로 구성되어 있다. 이때, 액티브 로드(21)는 전원 단자(Vcc)와 연결되는 저항(R4)과, 베이스와 컬렉터가 연결된 트랜지스터(Q12)로 구성된다. 변조부(3)는 길벗 승산기(Gilbert Multiplier Circuit)로 구성되며, 변조 이득은 매우 작게 설정되었다. 바이어스부(25)는 베이스가 공통 연결된 트랜지스터(Q17, Q18)와 접지 단자(GND)와 연결되는 저항(R6, R7)으로 구성되어 있다.
크로마 증폭부(30)는 콤퍼지트 칼라신호(CC)를 입력받아 소정 증폭율로 증폭한다.
상기 구성에 따른 동작을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, R-Y 변조부(10) 및 B-Y 변조부(20)를 통해 발생되는 R-Y 및 B-Y 색차신호는 다음 식에 따라 콤퍼지트 칼라신호로 벡터 합성된다.
그런데, R-Y 및 B-Y 색차신호를 상기 식에 의해 벡터 합성을 수행할 때, 변조부(3)(23)의 각 트랜지스터의 스위칭 동작시 발생되는 노이즈는 그대로 크로마 증폭부(30)에 입력되어 증폭된다. 따라서, 결국, 증폭된 콤퍼지트 칼라신호(OK)에는 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 증폭된 잡음을 포함하고 있어서, 화면에 디스플레이시 선이 얇은 화이트 라인(White line)일 경우, 흰 라인에 칼라가 착색되는 Y/C 간섭 현상이 발생된다.
본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 Y/C 간섭 현상을 방지할 수 있는 Y/C 간섭 제거회로를 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 Y/C 간섭 제거회로를 설명하기 위한 회로도.
도 2는 본 발명에 따른 Y/C 간섭 제거회로를 설명하기 위한 회로도.
도 3은 Y/C 간섭 제거회로의 동작을 설명하기 위한 파형도.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 Y/C 간섭 현상을 제거하기 위한 Y/C 간섭 제거회로에 있어서, 전원 단자와 각각 일측이 연결되는 제1 및 제2저항; 접지 단자와 각각 일측이 연결되는 제3 및 제4저항; 인버팅된 콤퍼지트 칼라신호를 베이스 입력으로 하고 이미터측이 상기 제1저항의 타측과 연결되는 제1트랜지스터; 콤퍼지트 칼라신호를 베이스 입력으로 하고 이미터측이 상기 제2저항의 타측과 연결되는 제2트랜지스터; 베이스측이 상기 제1트랜지스터의 컬렉터와 연결되고 컬렉터측이 상기 전원 단자와 연결되는 제3트랜지스터; 컬렉터측이 상기 제1트랜지스터의 컬렉터와 연결되고 베이스측이 상기 제3트랜지스터의 이미터와 연결되고 이미터측이 상기 제3저항과 연결되는 제4트랜지스터; 및 컬렉터측이 상기 제2트랜지스터의 컬렉터와 연결되고 베이스측이 상기 제4트랜지스터의 베이스와 연결되고 이미터측이 상기 제4저항과 연결되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 따른 Y/C 간섭 제거회로를 설명하기 위한 회로도를 도시한 것으로, 도면 부호 40은 R-Y 변조부를, 50은 B-Y 변조부를, 60은 노이즈 제거부, 70은 크로마 증폭부를, R20∼R37은 저항을, Q30∼Q58은 트랜지스터를 각각 나타낸 것이다.
R-Y 변조부(40)는 전원 단자(Vcc)와 연결되고 전류를 공급하는 액티브 로드(41)와, R-Y 색차신호에 대하여 I 신호를 중첩시켜 R-Y 변조를 수행하는 변조부(43)와, 바이어스부(45)로 구성되어 있다. 이때, 액티브 로드(41)는 전원 단자(Vcc)와 연결되는 저항(R20)과, 베이스와 컬렉터가 연결된 트랜지스터(Q30)로 구성된다. 변조부(43)는 길벗 승산기(Gilbert Multiplier Circuit)로 구성되며, 변조 이득은 매우 작게 설정되었다. 바이어스부(45)는 베이스가 공통 연결된 트랜지스터(Q37, Q38)와 접지 단자(GND)와 연결되는 저항(R22, R23)으로 구성되어 있다.
B-Y 변조부(50)는 전원 단자(Vcc)와 연결되고 전류를 공급하는 액티브 로드(51)와, B-Y 색차신호에 대하여 Q 신호를 중첩시켜 B-Y 변조를 수행하는 변조부(53)와, 바이어스부(55)로 구성되어 있다. 이때, 액티브 로드(21)는 전원 단자(Vcc)와 연결되는 저항(R27)과, 베이스와 컬렉터가 연결된 트랜지스터(Q43)로 구성된다. 변조부(53)는 길벗 승산기(Gilbert Multiplier Circuit)로 구성되며, 변조 이득은 매우 작게 설정되었다. 바이어스부(55)는 베이스가 공통 연결된 트랜지스터(Q46, Q47)와 접지 단자(GND)와 연결되는 저항(R25, R26)으로 구성되어 있다.
노이즈 제거부(60)는 인버팅된 콤퍼지트 칼라신호()를 베이스 입력으로 하고 이미터측이 저항(R28)을 통해 전원 단자(Vcc)와 연결되는 PNP 트랜지스터(Q48)와, 콤퍼지트 칼라신호(CC)를 베이스 입력으로 하고 이미터측이 저항(R29)을 통해 전원 단자(Vcc)와 연결되는 PNP 트랜지스터(Q49)와, 베이스측이 트랜지스터(Q48)의 컬렉터와 연결되고 컬렉터측이 전원 단자(Vcc)와 연결되는 NPN 트랜지스터(Q51)와, 컬렉터측이 트랜지스터(Q48)의 컬렉터와 연결되고 이미터측이 저항(R31)을 통해 접지 되며 베이스측이 트랜지스터(Q51)의 이미터와 연결되는 NPN 트랜지스터(Q52)와, 컬렉터측이 트랜지스터(Q49)의 컬렉터와 연결되고 베이스측이 트랜지스터(Q52)의 베이스와 연결되고 이미터측이 저항(R32)을 통해 접지 되는 NPN 트랜지스터(Q53)로 구성되어 있다. 이때, 노이즈 제거부(60)는 콤퍼지트 칼라신호()와 인버팅된 콤퍼지트 칼라신호()에 포함되는 동상의 노이즈 성분을 제거한다. 즉, R-Y 변조부(40) 및 B-Y 변조부(50)에서 트랜지스터의 스위칭 동작시 발생되는 노이즈 성분은 콤퍼지트 칼라신호()와 인버팅된 콤퍼지트 칼라신호()에 각각 동상으로 나타난다. 노이즈 제거 동작을 살펴보면, 트랜지스터(Q48)를 통해 흐르는 전류(I1)와 트랜지스터(Q49)를 통해 흐르는 전류(I2)는 상술한 바와 같이, 동상의 노이즈 성분을 가지게 된다. 이때, 트랜지스터들(Q52, Q53)은 트랜지스터(Q51)를 통해 베이스 전류를 공급받게 되며 따라서 동일한 전류 구동 능력을 가진다. 그러므로, 전류(I2)에 포함된 동상의 노이즈 성분은 트랜지스터(Q53)를 통해 전류(I4)로 흐르게 되고 크로마 증폭부(70)에는 노이즈 성분이 제거된 전류(I3)만이 유입되게 된다.
크로마 증폭부(70)는 콤퍼지트 칼라신호()중에서 노이즈 성분이 제거된 신호(I3)를 입력받아 소정 이득율로 증폭하여 출력단자(OK)를 통해 출력한다. 구성을 살펴보면, 이미터측이 저항(R30)을 통해 전원 단자(Vcc)와 연결되는 PNP 트랜지스터(Q50)와, 컬렉터측이 저항(R34)을 통해 전원 단자(Vcc)와 연결되고 베이스측이 트랜지스터(Q50)의 이미터와 연결되는 NPN 트랜지스터(Q56)와, 컬렉터측이 트랜지스터(Q56)의 베이스와 연결되고 이미터측이 저항(R33)을 통해 접지 되는 NPN 트랜지스터(Q54)와, 컬렉터측이 트랜지스터(Q56)의 이미터와 연결되고 베이스측이 컬렉터측과 연결됨과 동시에 트랜지스터(Q54)의 베이스와 연결되고 이미터측이 저항(R36)을 통해 접지되는 NPN 트랜지스터(Q57)와, 이미터측이 저항(R35)와 연결되고 베이스측이 컬렉터측과 연결됨과 동시에 트랜지스터(Q50)의 베이스와 연결되는 PNP 트랜지스터(Q55)와, 컬렉터측이 트랜지스터(Q55)의 컬렉터와 연결되고 베이스측이 트랜지스터(Q47)의 베이스와 연결되고 이미터측이 저항(R37)을 통해 접지되는 NPN 트랜지스터(Q58)로 구성되어 있다. 이때, 크로마 증폭부(70)는 입력 전류(I3)를 입력받아 소정 이득율로 증폭하는 동작을 수행하게 된다. 이때, 트랜지스터(Q55)을 통해 흐르는 전류에 의해서 증폭 동작의 범위가 결정된다.
상기 구성에 따른 동작을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, R-Y 변조부(40)는 R-Y 색차신호에 대하여 차동 입력되는 I신호()(도 3의 (a))를 중첩시켜 R-Y 변조를 수행하고, B-Y 변조부(50)는 B-Y 색차신호에 대하여 차동 입력되는 Q 신호()를 중첩시켜 B-Y 변조를 수행한다. 이어서, R-Y 변조부(40) 및 B-Y 변조부(50)는 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, R-Y 및 B-Y 색차신호는 다음 식에 따라 콤퍼지트 칼라신호로 벡터 합성된다.
그런데, R-Y 및 B-Y 색차신호를 상기 식에 의해 벡터 합성을 수행할 때, R-Y 변조부(40) 및 B-Y 변조부(50)의 각 트랜지스터의 스위칭 동작으로 인하여 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 차동 입력되는 콤퍼지트 칼라신호()에 동상의 노이즈가 발생된다. 이러한 동상의 노이즈는 노이즈 제거부(60)에 입력되어 상술한 동작을 통하여 제거된 후, 크로마 증폭부(70)에 의해 소정 이득율로 증폭된다. 따라서, 증폭된 신호는 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, Y/C 간섭 현상에 의한 발생되는 노이즈 성분이 제거된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 차동 입력되는 콤퍼지트 칼라신호에 포함된 동상의 노이즈를 제거함으로써, Y/C 간섭 현상을 없앨 수 있다.
Claims (1)
- Y/C 간섭 현상을 제거하기 위한 Y/C 간섭 제거회로에 있어서,전원 단자와 각각 일측이 연결되는 제1 및 제2저항;접지 단자와 각각 일측이 연결되는 제3 및 제4저항;인버팅된 콤퍼지트 칼라신호를 베이스 입력으로 하고 이미터측이 상기 제1저항의 타측과 연결되는 제1트랜지스터;콤퍼지트 칼라신호를 베이스 입력으로 하고 이미터측이 상기 제2저항의 타측과 연결되는 제2트랜지스터;베이스측이 상기 제1트랜지스터의 컬렉터와 연결되고 컬렉터측이 상기 전원 단자와 연결되는 제3트랜지스터;컬렉터측이 상기 제1트랜지스터의 컬렉터와 연결되고 베이스측이 상기 제3트랜지스터의 이미터와 연결되고 이미터측이 상기 제3저항과 연결되는 제4트랜지스터; 및컬렉터측이 상기 제2트랜지스터의 컬렉터와 연결되고 베이스측이 상기 제4트랜지스터의 베이스와 연결되고 이미터측이 상기 제4저항과 연결되는 것을 특징으로 하는 Y/C 간섭 제거회로.
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