KR100186249B1

KR100186249B1 - Method of forming fed getter

Info

Publication number: KR100186249B1
Application number: KR1019950045644A
Authority: KR
Inventors: 선우진호
Original assignee: 엄길용; 오리온전기주식회사
Priority date: 1995-11-30
Filing date: 1995-11-30
Publication date: 1999-03-20

Abstract

본 발명은 FED의 소자 내부에 게터를 형성시키는 방법에 관한 것으로, 특히 스페이서 자체의 외주에 게터층을 형성시키는 방법에 관한 것으로, 그의 주요 방법은, 팁(11)을 보호하기 위한 보호재(12)의 피복단계, 게이트(13) 상부로 스페이서(14)를 형성하는 단계, 스페이서(14) 사이의 틈을 게터물질(15)로 도포하는 단계, 게터물질(15)을 식각에 의해 제거하는 스페이서(14) 외주에 게터층(16)이 형성되도록 하는 단계, 상기한 팁(11)을 보호하는 보호재(12)를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a getter in an element of an FED, and more particularly, to a method of forming a getter layer on the outer periphery of a spacer itself. The main method thereof is a protective material 12 for protecting a tip 11. Coating, forming a spacer 14 over the gate 13, applying a gap between the spacers 14 with the getter material 15, and removing the getter material 15 by etching. 14) the getter layer 16 is formed on the outer circumference, and the protective material 12 protecting the tip 11 is removed.

Description

FED getter formation method

제1도는 종래의 게터형성상태를 보여주는 도면.1 is a view showing a conventional getter formation state.

제2도(a)~(e)는 본 발명에 따른 게터형성방법을 보여주는 공정순서도.2 (a) to (e) is a process flow chart showing a getter forming method according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 팁 12 : 보호재11: tip 12: protective material

13 : 게이트 14 : 스페이서13 gate 14 spacer

15 : 게터물질 16 : 게터층15: getter material 16: getter layer

본 발명은 FED의 게터형성방법에 관한 것으로, 특히 스페이서 외주에 게터층을 형성시키는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a getter formation method of FED, and more particularly to a method for forming a getter layer on the outer circumference of a spacer.

일반적으로 FED에 설치되는 게터는 제1도에 도시한 바와 같이, 기판(1)의 한쪽에 통공(2)을 형성시키고, 그 아래에 게터챔버(3)를 취부하고, 게터챔버(3) 내에는 게터(4) 를 수용하였다.In general, the getter provided in the FED forms a through-hole 2 in one side of the substrate 1 as shown in FIG. 1, and mounts a getter chamber 3 under the getter chamber 3, as shown in FIG. Housed the getter (4).

이와같이, FED에 게터를 설치하는 이유는 소자 내부를 진공으로 만들기 위한 것으로, 내부의 진공도가 10^-6~ 10^-7토르가 되도록 진공배기한 후, 게터챔버(3)내의 게터(4) 를 활성화시켜 10^-8~ 10^-9토르로 진공을 유지하도록 하기 위한 것이다.As such, the reason why the getter is installed in the FED is to make the inside of the device vacuum, and after evacuating the inside to obtain a vacuum of 10 ^-6 to 10 ^-7 Torr, the getter 4 in the getter chamber 3 is activated. To maintain vacuum at 10 ⁻⁸ to 10 ⁻⁹ Torr.

종래의 상기한 바와 같은 게터의 구조은 기판(1)의 일부위만 통공(2)을 형성시켜 그 아래에 게터(4) 물질을 설치하였기 때문에 그 통공(2)을 통하여만 게터가 가스를 포획하는 등의 진공유지를 위한 작용을 하기 때문에 게터의 역활을 효과적으로 하지 못하는 단점이 있다.In the conventional structure of the getter as described above, since the getter 4 is formed only on a part of the substrate 1 and the getter 4 material is installed thereunder, the getter captures gas only through the through hole 2. Because of its function for maintaining the vacuum of the getter does not effectively act as a getter.

그리고, 게터물질이 많을수록 진공유지의 효과는 있지만 좁고 제한된 면적내에서 게터챔버(3)의 크기만 커지는 결과가 되므로 박판형을 요하는 FED의 소자로서는 결코 바람직하지 못한 것이다.In addition, the more getter material, the more effective the effect of maintaining the vacuum, but the larger the size of the getter chamber (3) within a narrow and limited area, which is never desirable as a device of the FED requiring a thin plate shape.

그리고, 기판(1)하부에 별도로 취부하는 게터챔버(3)는 FED소자의 두께를 증가시키는 원인으로도 되어 왔었다.In addition, the getter chamber 3 separately attached to the lower part of the substrate 1 has also been a cause of increasing the thickness of the FED element.

또한 기판(1)에 통공(2)을 뚫어서 게터챔버(3)를 취부하기 때문에 이 게터챔버 형성을 위한 구조가 오히려 소자내부의 진공 누설을 야기시켜 진공도을 유지못하게 하는 원인이 될 수도 있다.In addition, since the getter chamber 3 is mounted by drilling the through hole 2 in the substrate 1, the structure for forming the getter chamber may cause the vacuum leakage inside the device, thereby causing the vacuum degree to be maintained.

본 발면은 상기한 점들을 감안하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 게터를 충분히 소자 내부에 넓은 면적으로 형성시키고, 또한 진공누설의 원인도 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 게터챔버(3)로 인해 FED소자의 두께가 두꺼워지는 것도 방지할 수 있도록 한 것으로, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는, 스페이서 외주에 게터 물질이 형성되도록 하는 방법을 제공함으로서 고진공유지와 진공누설원인의 제거 그리고, FED 소자의 두께도 줄일 수 있게 한 것으로, 이하 본 발명의 방법에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다.The present invention has been devised in view of the above points, and an object of the present invention is not only to form a getter in a large area inside the device, but also to eliminate the cause of vacuum leakage, and to obtain the getter chamber 3. In order to prevent the thickness of the FED device from being thickened, in order to achieve the above object, the present invention provides a method for forming a getter material on the outer periphery of the spacer, thereby eliminating the cause of the high vacuum common material and the vacuum leakage, and Since the thickness of the FED element can be reduced, the method of the present invention will be described in more detail below.

제2도(a)~(e)는 본 발명에 따라 스페이서에 게테층을 형성하는 공정을 나타낸 것이다.2 (a)-(e) show a step of forming a gete layer on a spacer according to the present invention.

먼저, 제2도(a)에서 팁(11)을 보호하기 위한 팁 보호재(12)를 팁(11) 및 그 외주 전체에 피복한다.First, in FIG. 2A, a tip protective material 12 for protecting the tip 11 is coated on the tip 11 and its entire circumference.

팁(11)의 보호재(12)로 사용되는 물질은 수지계열의 물질을 사용한다.The material used as the protective material 12 of the tip 11 uses a resin-based material.

이 보호재(12)는 후술하는 스페이서 형성 및 게터층 형성공정에서 팁(11)을 보호하기 위해 피복하는 것이다.The protective material 12 is coated to protect the tip 11 in the spacer formation and getter layer formation steps described later.

그런 후, 제2도(b)에서 보듯이 게이트(13)상세 스페이서(14)를 형성시킨다.Thereafter, as shown in FIG. 2 (b), the gate spacer 13 is formed.

그리고, 그 위에 제2도(c)에서 보듯이, 게터물질(15)을 도포한다. 게터물질(15)은 페스트(paste)형태로 만들며, 재질은 지르코늄 산화물 계열을 사용한다.Then, as shown in FIG. 2C, the getter material 15 is applied. The getter material 15 is made in the form of a pest (paste), the material uses a zirconium oxide series.

그리고, 제2도(d)에서 보듯이, 게터물질(15)을 식각한다. 식각방법의 예로는 샌드 블라스트(Sand blast)방법을 사용한다. 샌드블라스트에 의한 식각은 미세정밀가공이 가능한 장점이 있다. 다른 식각방법으로는 감광성 물질을 게터물질(15)과 혼합하여 노광시키는 방법을 사용할 수도 있다.As shown in FIG. 2 (d), the getter material 15 is etched. An example of the etching method is a sand blast method. Etching by sandblasting has the advantage that fine precision processing is possible. As another etching method, a photosensitive material may be mixed with the getter material 15 to be exposed.

즉, 제2도(d)에 보듯이 스페이서(14) 외주에만 게터물질(15)이 남아 게터층(16)이 형성되도록 한다.That is, as shown in FIG. 2D, the getter material 15 remains only on the outer circumference of the spacer 14 to form the getter layer 16.

그리고 게이트(13)의 아래쪽의 팁(11)을 보호하고 있는 보호재(12)를 예로써 공지의 수지제거방법에 의해 제거한다. 그러면 최종(e)도에서 보듯이 모든 스페이서(14)의 외주에 게터층(16)이 형성된 형태가 이루어진다.And the protective material 12 which protects the tip 11 of the lower part of the gate 13 is removed by a well-known resin removal method, for example. Then, as shown in the final diagram (e), the getter layer 16 is formed on the outer circumference of all the spacers 14.

이상과 같은 본 발명의 방법에 따라 스페이서(14)에 게터층(16)을 형성한 FED소자는, 전체 디스플레이면 자체에서 넓은 면적에 걸쳐 게터작용이 이루어지므로 장기간 고진공을 확실히 유지해 줄 수 있는 효과가 있다.The FED element in which the getter layer 16 is formed on the spacer 14 according to the method of the present invention as described above has a getter action over a large area on the entire display surface itself, so that it is possible to reliably maintain high vacuum for a long time. have.

또한 별도의 부수적인 게터챔버 등의 취부물이 기판 하부에 취부되지 않으므로 구조가 간단해지고 FED 소자의 두께도 얇게 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, since an additional part such as a getter chamber is not attached to the lower part of the substrate, the structure can be simplified and the thickness of the FED element can be reduced.

그리고, 종래와 같이 기판 하부를 뚫는 통공가공 및 게터챔버 취부하는 가공이 불필요하므로 종래와 같은 구조에서 발생될 수 있는 진공누설의 문제도 전혀 없게 된다.In addition, there is no problem of vacuum leakage, which may occur in the structure as in the prior art, since it is unnecessary to process the hole and the getter chamber for mounting the lower part of the substrate as in the prior art.

Claims

In the method for forming a getter material in the spacer 14 of the FED, the step of coating the protective material 12 for protecting the tip 11, forming the spacer 14 over the gate 13, spacer 14 Applying a gap between the) with the getter material 15, removing the getter material 15 by etching to form a getter layer 16 on the outer circumference of the spacer 14, and the tip 11 described above. Getter formation method of the FED, characterized in that consisting of the step of removing the protective material 12.

2. The method according to claim 1, wherein the protective material (12) is made of a resin-based material.

2. The method according to claim 1, wherein the getter material (15) consists of a zircon oxide series.

4. The method according to claim 3, wherein the getter material (15) is in the form of a paste.

The method according to claim 1, wherein the method for removing the getter material (15) by etching is performed by sandblasting.

The method according to claim 1, wherein the method for removing the getter material (15) by etching includes mixing the photosensitive material with the getter material (15) and removing the same by the exposure method.