KR0175947B1 - 경화성 실리콘 조성물 및 그의 경화물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, (A) 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산, (B) 오르가노하이드로겐폴리실록산, (C) 백금족 금속계 촉매, 및 (D) 산화알루미늄 분말 및 실리카 분말로 이루어진 군에서 선택되는 최소한 일종을 함유하는 경화성 실리콘 조성물 및 이 경화성 실리콘 조성물을 경화시킴으로써 얻어지는 경화물에 관한 것이다.
또한, 본 발명을 IC 등의 전기·전자 부품의 소자, 배선의 보호나 봉지재로서 사용한 때에는 소자 등에서 발생하는 열을 효율있게 방산할 수 있으며, 소자, 배선이 마모에 의해 파괴 또는 절단되는 일은 없다. 또, 경화물에서 이온성 불순물이 용출하여 소자나 배선이 부식하는 일도 없다.

Description

경화성 실리콘 조성물 및 그의 경화물
본 발명은 IC 등의 전기·전자 부품의 보호재, 봉지재 등으로서 사용되는 경화성 실리콘 조성물 및 그의 경화물에 관한 것이다.
경화성 실리콘 조성물 및 그의 경화물은 IC 등의 전기·전자 부품의 보호재, 봉지재 등으로서 사용되고 있다. 그러나, 일반적으로 실리콘은 열전도율이 작기 때문에, 특히 대용량의 소자를 봉지하는 봉지재로서 사용한 경우에는, 소자의 발열을 효과적으로 방산할 수 없다. 이로 인해, 땜납이나 소자에 대한 열의 영향을 억제할 수 없으며, 신뢰성이 결여되는 면이 있었다.
따라서, 종래에는 실리콘 봉지재의 열전도성을 개량하기 위해, 이 실리콘 봉지재에 열전도성이 양호한 충전제를 충전하는 일이 행해지고 있었다. 열전도성이 양호한 충전제로서는, 예를 들 실리카 분말, 알루미나 분말, 탄화규소 분말, 질화규소 분말, 산화마그네슘 분말, 다이아몬드 분말, 철, 스테인레스강, 구리 등의 금속 분말, 카본 분말 등이 있다.
이들 충전제 중 금속 분말, 카본 분말 등은 전기전도성이 있기 때문에, 전기 절연을 목적으로 하는 IC 봉지용의 실리콘 조성물 등에는 사용할 수 없다. 이에 대해서, 실리카 분말, 알루미나 분말, 탄화규소 분말, 질화규소 분말, 산화마그네슘 분말, 다이아몬드 분말 등의 결정성 분말은, 전기절연성이 있고, 열전도성도 양호하기 때문에, 이러한 점에서 보면 충전제로서 적합하다. 그러나 이들 결정성 분말로 조성되는 충전제 중에 이온성 불순물이 함유되어 있는 경우에는, 이 이온성 불순물이 실리콘을 투과해 오는 수증기에 용해하여 소자 등의 표면에 용출하는 일이 있기 때문에, 장기적으로는 소자 등의 부식이 촉진된다. 이로 인해, 이미 전기·전자 부품의 봉지재로서 사용되고 있는 실리콘겔, 실리콘 포팅재 등에는, 이와 같은 이온성 불순물을 극력 제거한 결정성 분말이 충전제로서 사용되고 있다.
그러나, 종래의 봉지재에 사용되고 있는 실리콘은 열팽창이 크고, 또한 상기 결정성 분말은 경도가 높기 때문에, 이와 같은 경도가 높은 충전제가 충전된 실리콘이 봉지재로서 사용된 경우에는, 봉지된 소자나 배선이 마모되어 파괴나 절단을 일으킬 우려가 있다.
즉, 전기·전자 부품의 소자 등은 사용시에 발열되기 때문에, 그 열로 실리콘 봉지재가 열팽창한다. 그리고, 그의 열팽창 및 냉각시의 수축에 수반해서 실리콘 봉지재 중의 결정성 분말이 이동함으로써, 이 결정성 분말의 에지 부분이 소자, 배선 등을 마모시키기 때문에, 이로 인해 소자의 파괴나 배선 절단이 생기는 일이 있다.
본 발명의 목적은 전기절연성 및 열전도성이 양호하고, 또한 봉지된 소자나 배선의 마모나 부식을 일으키는 일이 없는 경화성 실리콘 조성물 및 그의 경화물을 제공함에 있다.
즉, 본 발명은 상기 목적을 달성하는 것으로서, (A) 한 분자 중에 알케닐기를 평균 0.5개 이상 함유하고 있는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산, (B) 한 분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 2개 이상 함유하고 있는 오르가노하이드로겐폴리실록산, (C) 백금족 금속계 촉매, 및 (D) 평균 입자지름 50㎛ 이하, 장단 지름비 1.0-1.4의 구상이며, 또한 121℃, 2기압, 100% RH하에서 추출되는 알칼리 금속 이온 및 할로겐 이온의 함유량이 10ppm 이하인 산화알루미늄 분말 및 실리카 분말로 이루어진 군에서 선택되는 일종 이상을 함유하고, 또한, 상기 (D)성분의 배합 비율이 전체의 25-90중량%이고, 상기 (A), (B) 양 성분에 함유되는 히드로실릴기와 알케닐기의 비가 0.5/1 - 1.5/1인 경화성 실리콘 조성물을 제공한다.
또, 본 발명은 상기 경화성 실리콘 조성물을 경화시킴으로써 얻어지는 경화물을 제공한다.
[(A) 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산]
(A)성분의 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산은 하기 일반식(1)로 표시되는 실리콘, 및 이 일반식(1)로 표시되는 2종 이상의 실리콘 혼합물이다.
상기 식 중, R은 수소 원자 또는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기 등의 알킬기; 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 부테닐기 등의 알케닐기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 등의 아릴기; 벤질기, 페닐에틸기 등의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3,3,3-트리플루오르 프로필기 또는 식 C4F9CH2CH2-, C8F17CH2CH2- 등으로 표시되는 할로겐 치환 탄화수소기; 식 C3F7O[CF2(CF3)CF-O-]ℓCH2CH2-(단, ℓ은 0-5의 정수) 등으로 표시되는 할로겐 치환 폴리에테르기 등의 탄소수 1-20, 바람직하기로는 1-12의 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기를 나타내며, a는 1.9-2.4이다.
상기 일반식(1)로 표시되는 일케닐기 함유 오르가노폴리 실록산은 R3SiO1/2단위 및 R2SiO 단위만으로 이루어진 직쇄상 분자이지만, 이들 단위 외에 RSiO3/2단위 및(또는) SiO4/2단위를 함유하는 분지상 분자라도 좋다.
이 (A)성분은 한 분자 중에 비닐기 등의 알케닐기를 평균 0.5개 이상 함유하고 있음이 필요하다. 또한, 이와 같은 알케닐기는 본 발명의 조성물의 경화시에 가교점이 되기 때문에, 기본적으로는 이 알케닐기를 한 분자 중에 2개 이상 함유하고 있는 분자가 없으면 본 발명의 조성물은 경화되지 않는다. 따라서, 여기에서 말하는 알케닐기의 수는 (A)성분이 한 분자 중에 알케닐기를 0, 1, 2개 또는 그 이상 함유하고 있는 분자의 혼합물인 경우의 평균적인 알케닐기의 수이고, (A)성분이 단독 화합물로 조성되는 경우에는 한 분자 중에 알케닐기를 2개 이상 함유하고 있는 것이 필요하다.
상기의 R은 기본적으로는 전술한 어떠한 기라도 좋으나, 알케닐기로서는 비닐기가 바람직하고, 그밖의 기로서는 메틸기가 바람직하다. 내용제성이 필요한 경우에는, 불소 함유기를 함유한 기가 바람직하다. 또, 저온에 있어서의 가소성이 필요한 경우에는, 종래 알려져 있듯이 1-10 mol% 정도의 페닐메틸실록시 단위 또는 디페닐 단위를 도입하는 것이 효과적이고, 또, 트리플루오로프로필 단위 또는 메틸 단위를 5-80 mol% 도입하는 것이 효과적이다. 또는, 주쇄에 RSiO3/2단위를 1-5 mol% 정도 도입하는 것도 유효하지만, 분자량이 커지면 겔화할 수 있기 때문에, 2-3 mol% 정도 도입하는 것이 다른 특성과의 밸런스상 가장 효과적이고, 그 경우에는 경화 속도도 현저하게 개선된다.
이와 같은 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산은 공지의 제조 방법, 예를 들면, 오르가노시클로폴리실록산과 말단기로 되는 R3SiO1/2단위를 갖는 화합물을 알칼리 또는 산 촉매 존재하에서 평형화 반응시킴으로써 얻어진다.
구체적으로, 디메틸비닐실록시 편말단 봉쇄의 오르가노폴리 실록산은, 예를 들면, 트리메틸실록시리튬을 개시제로 사용하여 1,3,5-트리스(3,3,3-트리플루오로프로필) 트리메틸시클로트리실록산 또는 헥사메틸시클로트리실록산 등의 환상 실록산 3 량체를, 가열 또는 테트라히드로푸란, 디메틸술폭사이드, 디메틸포름아미드 등의 극성 용매 존재하의 비교적 저온하에서 개환 중합하고, 디메틸비닐클로로실란으로 중화함으로써 얻어진다.
또, 일본국 특허 공고(소) 제45-1,070호에 개시되어 있는 것과 같은 규소 5배위 화합물, 예를 들면 하기 일반식
의 화합물의 존재하에서 0-50℃의 온도 범위에서 아세토니트릴 등의 극성 용매를 사용하고, 트리메틸히드록실실란을 개시제로 사용하여 3,3,5-트리스(3,3,3-트리플루오로프로필)트리메틸시클로트리실록산 등의 환상 실록산 3량체를 개환 중합하고, 디메틸비닐클로로실란으로 중화함으로써, 또는 동일한 방법에 있어서 개시제로서 디메틸비닐히드록실실란을 사용하여 개환 중합하고, 아세트산으로 중화함으로써도 얻어진다.
또한, (A)성분의 제조 방법으로서는, 상기의 방법과 같이 알케닐기 함유 실록시기로 편말단 봉쇄된 오르가노폴리실록산만이 합성되는 방법 뿐만 아니라, 복수종의 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산의 혼합물로서 합성되는 방법도 있다. 이와 같은 합성 방법으로서는, 예를 들면, 말단기가 되는 CH2=CHSi(R2)O1/2단위 및(또는) R3SiO1/2단위를 갖는 화합물과, 옥타메틸시클로테트라실록산 등의 환상 실록산을 알칼리 촉매 또는 산 촉매 존재하에서 평형화시키는 방법 등이 있다. 그러나, 이 방법으로 합성하는 경우에는, 생성되는 모든 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산의 구조를 미리 파악해 둘 필요가 있다. 상기 방법에서 생성되는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산으로서는, 예를 들면, 하기 일반식으로 표시되는 것 등이 열거된다.
상기 식 중, R'는 상기의 말단기가 되는 실록산 단위에 함유되어 있는 치환기 R, 또는 상기 환상 실록산이 갖고 있는 치환기이고, 알케닐기 이외의 기이다. 구체적으로, 이 R'는 수소 원자; 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 등의 아릴기; 3,3,3-트리플루오로프로필기 또는 식 C4F9CH2CH2-,C8F17CH2CH2- 등으로 표시되는 할로겐 치환 탄화수소기; 또는 식 C3F7O[CF2(CF3)CF]ℓCH2CH2-(단,ℓ은 0-5의 정수) 등으로 표시되는 할로겐 치환 폴리에테르기이다. 또, m 및 n은 양의 정수이다.
[(B) 오르가노하이드로겐폴리실록산]
(B)성분의 오르가노하이드로겐폴리실록산은 한 분자 중에 수소 원자가 직접 결합하고 있는 규소 원자를 2개 이상 함유하고 있는 직쇄상, 분지상, 환상 또는 망상의 분자로 이루어진 실리콘이다. 이 (B)성분은 상기의 (A)성분과 반응해서 가교제로서 작용하는 것이다.
(B)성분의 규소 원자에 결합한 수소 원자 이외의 치환기는 상기 일반식(1)의 R과 동일한 기이다. 이 (B)성분의 첨가량은, (A)성분에 함유되는 알케닐기 1개에 대해서, 보통 0.5-1.5 당량이 되는 양, 바람직하기로는 0.8-1.2 당량이 되는 양이다. 0.5 당량보다 적은 경우에는 가교 밀도가 너무 적어지고, 경화된 실리콘겔의 내열성에 악영향을 준다. 또, 1.5 당량보다 많은 경우에는, 탈수소 반응에 의해 발포될 문제가 생기거나, 또는 내열성에 악영향을 준다.
이와 같은 오르가노하이드로겐폴리실록산은 공지된 제조 방법에 의해 용이하게 얻어진다. 일반적으로는, 예를 들면, 테트라하이드로테트라메틸시클로테트라실록산 및(또는) 옥타메틸시클로테트라실록산과 말단기가 되는 (CH3)3SiO1/2단위 및(또는) H(CH3)2SiO1/2단위를 갖는 화합물을 황산, 트리플루오로메탄술폰산, 메탄술폰산 등의 촉매 존재하, -10℃ 내지 +40℃ 정도에서 평형화시킴으로써 제조된다.
[(C) 백금족 금속계 촉매]
(C)성분인 백금족 금속계 촉매는 상기 (A)성분과 (B)성분과의 부가 반응(하이드로사일레이션)을 촉진시키기 위한 촉매이고, 이 종류의 부가 반응 촉매로서 공지된 것이다. 구체적으로, 이 (C)성분은 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐 등의 백금족 원소로 이루어진 금속 단체 및 이들 금속의 화합물이다. 이들 (C)성분 중 특히 바람직한 것은 백금계 촉매이고, 구체적으로는, 예를 들면, 백금 블랙, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 변성물, 염화백금산과 올레핀, 알데히드, 비닐실록산 또는 아세틸렌 알코올류와 착체 등이 열거된다.
이 (C)성분의 첨가량은 희망하는 경화 속도에 따라서 적당히 선택하면 좋으나, 보통은 (A)성분에 대해서 백금량으로 0.1-500ppm, 바람직하기로는 1-200ppm 범위로 하면 좋다.
[(D) 산화알루미늄 분말 및(또는) 실리카 분말]
(D)성분인 산화알루미늄 분말 및(또는) 실리카 분말은 산화 알루미늄 분말, 실리카 분말, 또는 이들 분말의 혼합물이며, 본 발명의 실리콘 조성물의 열전도성을 높이는 작용을 하는 충전제이다.
이 (D)성분은 상기의 (A) 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산 및 (B)오르가노하이드로겐폴리실록산의 열팽창에 의한 소자 등에로의 물리적 손상을 경감하기 위해, 그 입자 형상이 모나지 않은 구상에 가까운 형상인 것이 필요하다. 이들 조건을 만족시키기 위해, (D)성분의 분말은 평균 입자 지름 50㎛ 이하, 장단 지름비 1.0-1.4의 구상 입자로 이루어지고, 또한, 121℃, 2기압, 100% RH하에서 추출되는 알칼리 금속 이온 및 할로겐 이온의 함유량이 10ppm 이하, 바람직하기로는 2ppm 이하로 되어 있다.
이와 같은 (D)성분은, 예를 들면 금속 규소 분말 또는 금속 알루미늄 분말을 용융하여 산화시킴으로써 얻어진다. 바람직한 (D)성분으로서는, 예를 들면 아도마텍스사(주) 제품의 고순도 합성 구상 실리카 SO-25R, SO-25H 및 고순도 알루미나 등이 열거된다.
본 발명의 조성물 중에 있어서 (D)성분의 첨가량은 보통 조성물 전체에 대해서 25-90 중량%, 바람직하기로는 60-80 중량%이다. (D)성분의 첨가량이 25 중량% 미만이면, 열방산, 저팽창화 정도가 적기 때문에, 본 발명의 목적을 충분히 달성할 수 없다. 또한, 90 중량%를 초과하면, 조성물의 유동성이 부족해지기 때문에, 전기·전자 부품에 유입될 때 등의 작업성에 문제가 생긴다.
[그밖의 성분]
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은, 상기 (A), (B), (C) 및 (D)성분 외에, 이 조성물의 경화 속도, 보존 안정성 등을 조절할 목적으로, 각종 첨가제를 첨가하는 것도 가능하다. 첨가할 수 있는 첨가제로서는, 예를 들면 메틸비닐시클로테트라실록산 등의 비닐기 함유 오르가노폴리실록산; 트리알릴이소시아누레이트, 알킬말레에이트, 아세틸렌 알코올, 및 그의 실란 변성물 또는 실록산 변성물; 하이드로퍼옥사이드, 테트라메틸에틸렌디아민, 및 이들의 혼합물 등이 열거된다. 이들 첨가제의 조성물 중에 있어서의 바람직한 첨가량은 100-100,000ppm이다.
[경화성 실리콘 조성물의 제조 방법]
본 발명의 경화성 실리콘 조성물을 제조할 경우에는, 상기 (A), (B), (C) 및 (D)의 각 성분을 소정량 배합함으로써 얻어진다.
구체적으로는, 예를 들면, (A), (B), (C) 및 (D) 성분을 단지 혼합함으로써 얻을 수 있고, 각 성분의 첨가 순서는 특히 한정되지 않는다. 또한, 혼합물 제조시에 열처리 공정을 도입하는 것이 바람직하고, 이 경우에는, 미리, (A) (B) 및 (D)성분, 또는 (A) 및 (D)성분을 혼합하여, 열처리를 행하는 것이 바람직하다. 열처리 온도는 보통 100-180℃에서 행할 수 있고, 이와 같은 열처리 공정을 도입하면, 열전도율이나 점도 등의 특성이 더욱 안정된 조성물을 얻을 수 있다.
[경화물의 제조 방법]
본 발명의 경화물은 상기의 경화성 실리콘 조성물을 예를 들면 성형 주형 등에 유입하고, 실온 경화, 가열 경화 등의 공지의 기술에 의해 경화시켜서 얻어지는 것이며, 바람직하기로는, 예를 들면 150℃에서 30-60분의 가열 경화에 의해 얻어진다.
본 발명의 경화물은 고순도, 고열전도성이며 또한 저팽창이기 때문에, IC 등의 전기·전자부품 등의 포팅재 등으로서 유용하다.
이하, 본 발명의 실시예를 열거하지만, 본 발명은 이 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 2에 나타낸 실록산 단위에 있어서 Me는 메틸기, Vi는 비닐기이다.
[실시예 1]
25℃에서 점도 800cP의 디메틸비닐실록시 양말단 봉쇄의 폴리디메틸실록산 27 중량부, 25℃에서 점도 800cP의 트리메틸실록시 양말단 봉쇄의 디메틸폴리실록산 40 중량부, 25℃에서 점도 800cP의 트리메틸실록시 및 디메틸비닐실록시로 각 말단을 봉쇄한 디메틸비닐실록시 편말단 봉쇄의 디메틸폴리실록산 33 중량부, 및 표 1에 나타내는 No.1의 산화알루미늄 분말 350 중량부를 150℃에서 1시간 혼련하였다. 냉각 후, 에티닐시클로헥사놀 0.015 중량부를 균일하게 혼합한 후에 염화백금산의 비닐실록산 착체(백금 함유량 1 중량%) 0.05 중량부를 첨가해서 균일하게 혼합하고, 점도 8cP(25℃)에서 규소 원자에 결합한 수소 원자를 0.54% 함유하는 디메틸하이드로겐실록시 양말단 봉쇄의 메틸하이드로겐폴리실록산 0.87 중량부를 균일하게 혼합해서 경화성 실리콘 조성물을 조제하였다. 이 조성물을 150℃에서 30분간 가열하여 경화시킨 바, 침입도가 64(ASTM D 1403)인 겔상 물질이 되었다.
[실시예 2]
Me2SiO 단위 94.24mol%, ViMe2SiO1/2단위 0.52mol%, Me2SiO1/2단위 2.24mol% 및 MeSiO3/2단위 3mol%로 조성되는 점도 1500cP(25℃)의 비닐기 함유 오르가노폴리실록산 71 중량부, Me2SiO 단위 94mol%, Me3SiO1/2단위 3mol% 및 MeSiO3/2단위 3mol%로 조성되는 점도 500cP(25℃)의 오르가노폴리실록산 29 중량부, 및 표 1에 나타내는 No.2의 산화알루미늄 분말 350 중량부를 150℃에서 1시간 혼련하였다. 냉각 후, 에티닐시클로헥사놀 0.03 중량부를 균일하게 혼합한 후에 염화백금산의 비닐실록산 착체(백금 함유량 1 중량%) 0.06 중량부를 첨가하여 재차 균일하게 혼합하고, Me2HSiO1/2단위 10mol% 및 MeSiO 단위 90mol%로 이루어진 점도 18cP(25℃)의 메틸하이드로겐폴리실록산 4.3 중량부, 및 Me2HSiO1/2단위 2.5mol%, Me3SiO1/2단위 2.5mol% 및 Me2SiO 단위 95mol%로 이루어진 점도 35cP(25℃)의 메틸하이드로겐폴리실록산 6.7 중량부를 균일하게 혼합해서 경화성 실리콘 조성물을 조제하였다. 이 조성물을 150℃에서 30분간 가열하여 경화시킨 바, 침입도가 60(ASTM D 1403)인 겔상 물질이 되었다.
[비교예 1]
실시예 1에 있어서 표 1에 표시한 산화알루미늄 분말 No.1 대신에 No.3을 사용한 것 이외는 모두 실시예 1과 동일하게 해서 조성물을 조제하였다. 이 조성물을 150℃ 에서 30분간 가열해서 경화시킨 바, 침입도가 60(ASTM D 1403)인 겔상 물질이 되었다.
[비교예 2]
실시예 1에 있어서 표 1에 표시한 산화알루미늄 분말 No.1 대신에 No.4를 사용한 것 이외는 모두 실시예 1과 동일하게 해서 조성물을 조제하였다. 이 조성물을 150℃ 에서 30분간 가열해서 경화시킨 바, 침입도가 55(ASTM D 1403)인 겔상 물질이 되었다.
각 실험예 및 비교예에서 얻어진 경화물의 열전도율을 측정하였다. 결과를 표 2에 표시한다.
또, 각 경화물로 나동선(裸銅線)을 피복했을 때의 나동선의 부식성을 하기와 같이 조사하였다.
테프론판 위에 0.1의 나ㅌ동선을 감아, 그 위에 각각 실시예 1,2, 비교예 1,2의 조성물을 경화시킨다. 이와 같이 해서 얻어진 시험편을 120℃에서 습도 85%의 시험조 두개에 넣은 후, 100V의 직류 전압을 500시간 인가하여 부식 흔적을 조사하였다. 결과를 표 2에 표시한다. O표는 전혀 부식이 없는 것, X표는 부식의 흔적이 있었던 것이다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은 열팽창이 작은 실리콘 소재와 열전도성이 높고, 또한 입자 형상이 구상에 가까우며, 모서리가 없는 입자 형상의 분말로 이루어지며, IC 등의 전기·전자 부품의 소자나 배선의 보호재나 봉지재로서 사용한 때에 소자 등에서 발생하는 열을 효율있게 방산할 수 있는 것 외에도, 소자나 배선이 마모에 의해 파괴 또는 절단되는 일이 없다. 또, 상기 분말은 이온성 불순물 함유량이 지극히 적기 때문에, 이 조성물의 경화물에서 이온성 불순물이 용출하여 소자나 배선이 부식하는 일도 없다.

Claims (2)

  1. (A) 한 분자 중에 알케닐기를 평균 0.5개 이상 함유하고 있는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산, (B) 한 분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 2개 이상 함유하고 있는 오르가노하이드로겐폴리실록산, (C) 백금족 금속계 촉매, 및 (D) 평균 입자 지름 50㎛ 이하, 장단 지름비 1.0-1.4의 구상이고, 또한 121℃, 2기압, 100% RH하에서 추출되는 알칼리 금속 이온 및 할로겐 이온의 함유량이 10ppm 이하인 산화알루미늄 분말 및 실리카 분말로 이루어진 군에서 선택되는 일종 이상을 함유하고, 또한, 상기 (D)성분의 배합 비율이 전체의 25-90 중량%이고, 상기 (A), (B) 양 성분에 함유되는 히드로실릴기와 알케닐기의 비가 0.5/1 - 1.5/1인 경화성 실리콘 조성물.
  2. 제1항에 기재한 경화성 실리콘 조성물을 경화시킴으로써 얻어지는 경화물.
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