KR0137462Y1 - 방전가공기의 칩제거장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 방전가공기의 칩제거장치에 관한 것이다.

종래의 방전가공은 가공액중에서 전극과 공작물 사이에 0.04-0.05mm정도의 미세간극을 두고 100V정도의 전압을 걸므로서 발생되는 방전에 의해 공작물을 가공하는 것인바, 방전가공도중에 발생하는 칩이 가공액중에 분산되고 이로인해 단락현상 및 헌팅현상이 발생하여 가공효율 및 능력이 현저히 저하되며 아크형상이 발생하여 가공면에 심각한 손상을 주었다.

상기한 문제해결을 위하여 본원출원인은 수중방전가공 방법 및 그 장치(특허출원 제91-4802)를 창안한바 있으나 상기한 본원출원인의 선발명에 의한 칩제거장치는 그 구조상 평면에 적합하도록 되어 있었다.

본 고안은 곡면가공에도 사용할 수 있도록 한 칩제거장치로써 상판에 볼록한 공간부를 형성하고 상기 공간부가 형성된 상판에 주름부 및 접합부를 두어 곡면의 가공에도 적합하도록 구성한 것에 그 특징이 있다.

Description

방전가공기의 칩제거장치

제1도는 본 고안의 칩제거장치의 일부를 절결한 사시도.

제2도는 제1도의 다른 실시예도.

제3도는 제1도의 또 다른 실시예도.

제4도는 제2도의 다른 실시예도.

제5도는 제3도의 다른 실시예도.

제6도는 본 고안의 또 다른 실시예도.

제7도는 본 고안의 사용상태도로써 ,

(a)는 방전가공 준비상태도이고,

(b)는 방전가공에 의하여 본 고안의 칩제거장치의 전극형상에 일치하도록 가공된 상태도이며,

(c)는 피가공물 까지 반전가공이 진행된 상태도이다.

제8도는 본 고안의 다른 실시예의 사용상태도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 칩제거장치 2 : 상판

3 : 접합부 4,4' : 공간형성부

5 : 공급구 5' : 배출구

6 : 저판 7,7' : 공간부

8,8' : 주름부 9,9' : 접점부

본 고안은 방전가공에 관련된 거으로, 특히 곡면공작물의 방전가공시 가공액을 공작물과 전극 사이로 공급 및 배출시켜 칩을 효과적으로 제거하므로서 가공정도가 높으며, 밀폐된 상태에서 방전가공이 이루어짐으로 화재의 위험성이 없게 되는 방전가공기의 칩제거 장치에 관한 것이다.

일반적으로 방전가공은 전극과 공작물을 가공액중에서 0.04-0.05㎜정도의 미세한 간극을 두고 이에 100V 정도의 전압을 인가하면 전극과 공작물 사이에 발생되는 발생, 소호(消弧), 공작물의 냉각, 칩 입자의 배출등인데, 방전회로에 따라 절연성이 높은 가공액과 전해하여 절연피막을 형성하기 쉬운 전해액의 가공액이 있으며, 전자에는 등유 변합기용 절연유, 머시인유, 물등이 있고 후자에는 일반적으로 물유리(water glass) 수용액을 사용한다.

상기 방전가공에서 가공액을 등유로 사용하는 경우는 정교한 가공면, 즉 정밀도가 높은 제품을 얻을 수 있으나 공작물과 전극 사이에 아크가 발생되면 화재의 위험성이 매우 높은 것이며, 가공액을 물로 사용하는 경우는 화재의 위험성은 없으나 정교한 가공면을 얻을 수 없다는 것이 단점으로 지적되었다.

이러한 기술과 관련된 종래의 방전가공은 가공액에 공작물이 침지된 상태에서 전극에 의해서 공작물이 가공되고 가공중에 필연적으로 발생되는 칩을 제거하기위해 공작물과 전극사이에 간극에 노즐을 통하여 가공액을 강제적으로 공급하게 되어 있었다.

그러나, 이러한 종래의 구성에 의해서는 강제공급되는 가공액이 공작물과 전극에 충돌, 분산되어 소량의 가공액 만이 간극내로 주입되기 때문에 칩의 배출에 의한 제거가 원활치 못한 것이었다.

따라서, 방전가공도중에 발생된 제거되지 않은 칩에 의하여 전극과 가공물의 단락이 발생하고 가공이 불안전한 상태로 되며 이로인해 헌팅현상이 발생되어 가공효율 및 가공능력이 현저히 저하되는 것이다. 특히, 칩으로 인해 공작물과 전극사이에 아크현상이 발생되면 가공면에 심한 손상을 주어 가공정도가 떨어질 뿐만 아니라 가공액이 경유와 같은 유류를 사용하는 경우 화재의 위험서이 매우 높은 것이 었다.

이러한 이유로 본원 출원인은 상기한 바와같은 종래의 제반 문제점을 감안하여 공작물과 전극사이에 가공액을 강제적으로 공급, 흡입하여 공작물에서 발생하는 칩을 효과적으로 배출시킬수 있고, 이로인해 가공효율 및 가공정도가 향상되도록 한 수중방전가공 방법 및 그 장치(특허출원 제91-4802호)를 창안한 바 있다.

상기 본 고안 출원인의 선발명 장치의 칩제거장치는 가공액을 수용할 수 있는 내부 공간을 갖도록 원판이 절곡성형되고 공작물이 표면과 접속되는 플랜지가 형성되며, 상기 원판의 양측단부에 내부공간과 연통되는 공급구와 흡인구가 천공되어 있는 캡형의 칩제거장치로 구성되어 있는바, 그 구성상 평면의 가공에는 적합하다 하겠으나 그 저면이 편평한 상태이기 때문에 곡면가공시에는 부적합 하였었다.

본 고안은 상기한 제반 문제점을 감안하여 안출한 것으로 평면가공 뿐만 아니라 곡면 가공에도 사용할 수 있는 칩 제거장치를 제공함에 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 고안은 테두리부와 중앙부에 접합부가 형성되고 가공액을 수용할 수 있는 2개의 공간부를 갖도록 상방으로 블록하게 공간형성부를 프레스 가공한 상판과,

상기 상판의 테두리 크기와 동일 크기의 평편한 저판을 서로 맞대어 상기 접합부에서 용착시켜서 형성되는 2개의 공간부에 연통되도록 양측단에 각각의 공급구와 흡인구를 부착하여서 구성된 것으로, 상기 공간부가 형성된 상판에는 주름부를 형성하거나 스폿용접으로 접점부를 형성하여서 이루어 이를 공작물의 곡면에 부착하기 위해 구부릴때 무리가 없도록 할 수도 있는 것이다.

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 고안을 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 고안의 칩제거 장치(1)는 테두리부와 중앙부에 접합부(3)가 형성되고 양측에 상방으로 볼록한 공간형성부(4)(4')가 형성되되, 공급부(5)와 배출부(5')가 장착되어 이루는 상판(2)과,

상기 상판(2)의 테두리 크기와 동일 크기의 저판(6)을 상기한 접합부(3)와 용착시켜서 공간부(7)(7')를 구획 형성하여 이루어 진다.

이때 상기 칩제거 장치(1)의 상판(2)에 형성되어 있는 공간형성부(4)(4')를 제2도에 도시한 바와 같이 주름부(8)(8')로 형성시킬 수 있고 제3도에 도시된 바와 같이 스폿용접으로 접점부(9,9')를 형성할 수도 있다.

또한, 상기한 칩제거장치(1)는 제4도 및 제5도에서 도시된 바와같이 사용목적에 따라서 중간의 접합부(3)에서 반으로 잘라 일측만을 사용할 수도 있다.

또한, 상기한 공간성형부(4,4')를 형성하지 않고 제6도에 도시된 바와 같이 평평한 박판상의 상판(2')에 공급공(51)과 배출공(51')을 천공하며 공급구(5)와 배출구(5')를 외부에서 부착시키되 상기 상판(2')의 테두리와 동일 크기의 저판(6)을 맞댄 상태에서 테두리와 중앙을 시임용접하여 접합부(3)을 형성하고 스폿용접으로 접접부(9)를 다수 형성한 것이다.

이와 같이 구성되어 있는 본 고안의 작용 및 효과를 제7도를 참조하여 살펴보면 본고안의 칩제거장치(1)의 저판(6)의 저면에 도전성 접착제를 발라 공작물(10)의 방전가공부위에 부착하고 전극(11)을 하강시켜 전극의 형상대로 가공하게 되는 것으로 상기 공작물(10)을 양극으로 하고 전극(11)을 음극으로하여 100V정도의 전압을 인가하여 전극(11)을 하강시키면 방전가공의 시작과 동시에 전극(11)이 칩제거장치(1)를 전극(11)의 형상대로 천공하게 된다(제7도 b 참조)

이때, 칩제거장치(1)의 공급구(5)를 통하여 가공액이 높은 압력으로 강제적으로 공급되고,

계속하여 전극(11)을 하강시키면 전극(11)과 공작물 사이에 미세간극을 형성하되 가공이 진행되고 이 미세간극을 통하여 가공액이 강제로 밀려나면서 가공중 발생되는 칩을 제거하게 되는 것이다.(제7도c참조).

제8도는 상기한 바와 같은 과정에서 발생되는 칩을 보다 효과적으로 제거하기 위한 것으로 상기 공급구(5)에 대향되게 배출구(5')을 형성한 칩제거장치(1)을 사용하여 공작물(10)을 가공하는 것이다.

이때 공급구(5)을 통하여 공그된 가공액은 전극(11)과 공작물(10)사이에 방전가공으로 형성된 미세간극을 통과하여 칩을 제거하게 되는데 미세간극이 짧은 경우에는 가공액을 공급구(5)을 통하여 강제적으로 밀어주어도 칩제거에 충분하다 하겠으나 미세간극의 길이가 길면 즉 가공면적이 넓을 경우에는 가공액의 공급압력이 떨어져 공급구(5)의 반대쪽 공급액의 공급압이 미치지 못하여 칩이 쌓이는 경우가 있는데 이것을 방지하기 위하여 공급구(5)에 대향하여 배출구(5')을 마련하여 가공액을 외부로 부터 흡인해 주는 것으로 펌프(도시되지 않았음)를 이용하여 공급액을 공급 및 강제배출 공정을 순환시켜 칩을 제거하게 되는 것이다.

이때 중앙의 접합부(3)는 가공액이 공작물(10)과 전극(11)사이 미세간극으로 공급되지 않고 전극(11)의 둘레로서 공간부(7)로부터 상기 공간부(7')로 직접 돌아가는 것을 방지하여 주는 것이다.

이러한 방전가공은 상기 공급부(5)를 통하여 가공액을 강제적으로 공급하게 되고 본 고안 장치에 내부에서 전극(11)과 공작물(10) 사이에 형성된 미세간극을 통하여 가공액을 공급하면서 배출구(5')로 가공칩을 강제적으로 배출시키도록 되어 있는 바,

상기 가공액의 공급압력이 높기 때문에 상기 상판(2)에 형성되는 전극 형상의 가공구멍 즉, 상기 전극(11)과 상기 상판(2)의 가공구멍 사이의 미세간극을 통하여 가공액이 새어나갈 염려가 있다.

따라서, 제8도의 (b)와 같이 상기 전극(11)과 이 전극에 의하여 가공된 상기 상판(2)의 가공구멍 사이의 미세간극 부분을 따라 통상의 기밀유지용 실리콘재와 같은 실링재(13)을 쏴서 충진하여 줌으로서 상기 전극(11)과 상판(2)과의 미세간극을 실링한 상태에서 방전가공을 행하여 가공액이 새어나가는 것을 방지할 수 있다.

한편, 상판(2)에 형성된 주름부(8,8')및 스포트용접에 의한 접합부(9,9')는 공작물(10)의 곡면에 본원의 칩제거장치(1)를 부착할 때 구부림이 원할 하도록 된 거으로 주름부(8,8')는 상판(2)이 늘어날 수 있도록 하는 역할을 하며 접합부(9,9')는 칩제거 장치를 구부릴때 상판(2)과 저판(6)이 맞닿는 것을 방지하여 주는 것이다.

또한, 첨부된 도면 제6도의 실시예와 같이 공작물(10)에 도전성접착제로 저판(6)을 부착한 다음 상판(2')에 부착된 공급구(5)와 배출구(5')에 가공액을 강제 공급하여서 그압력에 의하여 박판상의 상판(2')이 부풀어 오르면서 미리 제3도에서와 같이 공간성형부(4)(4')을 형성하여 공간부(7)(7')를 구획형성하 상태에서 작업을 행할 수 있다.

또한, 상기 칩제거장치(1)는 통상의 와이어 컷 방전가공기를 이용하여 방전가공기의 전극(11)의 윤곽형상으로 잘라낸 다음 도전성접착제가 아닌 일반접착제로서 공작물(10)에 부착시키고 상기 전극(10)의 형상대로 공작물(10)의 방전가공을 행하는것도 가능할 것이다.

미설명부호 12는 작업대이다.

상기와 같이된 본 고안의 칩제거 장치는 종래의 단수히 원판형으로 이루어지고 외주연에 플랜지가 형성된 가공액공급장치가 평면의 가공에만 적당할 뿐 곡면의 가공에는 불편함이 있었던 단점을 개선한 것으로 접합부와 주름부 및 접점부를 통하여 곡면을 가지는 공작물에도 쉽게 구부려 부착함으로써 곡면의 가공에도 사용할 수 있도록 한 신규 유용의 고안이다.

Claims (4)

1. 방전가공기의 칩제거 장치에 있어서, 테두리부와 중앙부에 접합부(3)가 형성되고, 양측에 상방으로 볼록한 공간성형부(4)(4')가 형성되되, 공급구(5)와 배출구(5')가 장착되어 이루는 상판(2)과, 상기 상판(2)의 테두리크기와 동일크기의 저판(6)을 상기한 접합부(3)와 용착시켜서 공간부(7)(7')를 구획형성하여 이루어지는 것을 특징을 하는 방전가공기의 칩제거장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 상판(2)의 공간성형부(4,4')는 주름부(8,8')가 형성되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방전가공기의 칩제거장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상판(2)은 통상의 스폿용접에 의한 접점부(9,9')가 형성되어 이루는 것을 특징으로 하는 방전가공기의 칩제거장치.
4. 제3항에 있어서, 상기 상판(2)은 평판형 박판상의 상판(2')로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방전가공기의 칩제거장치.