KR0134441Y1 - 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링 - Google Patents

Abstract

본 고안은 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링에 관한 것으로, 트랜스포머(10)의 외주에 감겨져 상기 트랜스포머(10)에서 누설되는 플럭스를 차단하는 쉴드링(20)의 길이가 차단하고자 하는 주파수의 반파장의 정수승에 해당하는 길이로 형성된 구조로 되어, 트랜스포머에서 누설되는 플럭스 중에서 차단하고자 하는 주파수의 누설 플럭스에 대해 차단 효과를 증가시킬 수 있는 것이다.

Description

트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링

제1도는 종래의 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링이 감겨진 트랜스포머의 사시도.

제2도는 본 고안에 따른 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링이 감겨진 트랜스포머의 사시도.

제3도는 본 고안에 따른 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링의 사시도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 트랜스포머 20 : 쉴드링

22 : 공동

본 고안은 트랜스포머에서 누설되는 플럭스(flux)를 차단하기 위한 쉴드링(shield ring)에 관한 것으로, 특히 트랜스포머에서 누설되는 플럭스 중에서 차단하고자 하는 주파수의 누설 플럭스에 대해 차단효과를 증가시키는 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링에 관한 것이다.

일반적으로, 모니터에는 30KHz 이상의 고주파 신호를 사용함에 따라 유해 전자파가 많이 유출되며, 이러한 전자파는 주변 부품에 악 영향을 주는 바, 상기와 같이 유출되는 유해 전자파가 전자파 방해(EMC) 기준 규격을 넘지 않도록 하여야 한다.

즉, 상기 전자파 방해(EMI : Electromagnetic Interference)는 상기 전자파 방해는 무전기나 TV 처럼 의도적으로 발생시키는 전자파 외에 전자기기의 동작과정에서 필연적으로 발생하는 불필요한 전자파 잡음이 타 기기에 영향을 주는 것을 말하며, 크게 전도 방해(CE : Conducted Emission)와 방사 방해(RE : Radiated Emission)로 나누어 진다.

상기 전도 방해는 제어선 및 신호선 또는 DC 파워 리드 등에서 발생되며, 상기 방사 방해는 회로 소자에서 발생되는 것을 말한다.

한편, 모니터의 트랜스포머에서도 브로드 밴드(broad band) 의 유해 전자파, 즉 누설 플럭스가 발생됨에 따라 주변 부품에 악 영향을 주게 된다.

따라서, 종래에는 상기와 같이 발생되는 누설 플럭스를 차단하기 위해 쉴드링을 설치하였다.

즉, 제1도에 도시된 바와 같이, 트랜스포머(2)의 외주를 따라 쉴드링(4)이 감겨져 고정된 구조로 되어, 상기 쉴드링(4)이 상기 트랜스포머(2)에서 발생되는 전 주파수 대역의 전자파에 대해 누설 플럭스를 차단하는 것이다.

이때, 상기 쉴드링(4)의 재질은 금속으로 이루어지는 것이 일반적이며, 은의 경우에 전자파 쉴드율을 10으로 했을 때, 알루미나는 9, 알루미늄은 8, 그리고, 주로 사용되는 동의 경우에는 5이다.

따라서, 전자파 쉴드율(shield rate)이 높은 은이나 알루미나 또는 알루미늄을 사용하는 것이 바람직하나, 상기 은이나 알루미나는 고가이기 때문에 사용하기 어렵고, 상기 알루미늄은 연성이 약해 트랜스포머에 감기 어려우므로, 주로 동을 사용한다.

그러나, 상기와 같은 쉴드링은 전 주파수 대역의 전자파에 대해 누설 플럭스를 차단하기는 하나, 누설 플럭스 차단율이 떨어지는 문제점이 있었다.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 제 문제점을 해소하기 위한 것으로, 트랜스포머에서 누설되는 플럭스 중에서 차단하고자 하는 주파수의 누설 플럭스에 대해 차단효과를 증가시키는 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링을 제공하는데 그 목적이 있다.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 모니터의 누설 플럭스 쉴드링은, 트랜스포머의 외주에 감겨져 상기 트랜스포머에서 누설되는 플럭스를 차단하는 쉴드링에 있어서, 상기 쉴드링의 길이가 차단하고자 하는 주파수의 반파장의 정수승에 해당하는 길이로 형성된 구조로 된 것을 특징으로 한다.

따라서, 트랜스포머에서 발생되는 전 주파수 대역에 대해 누설 플럭스를 차단할 수 있을 뿐만 아니라, 특정 주파수의 누설 플럭스를 보다 효과적으로 차단할 수 있는 것이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 상세히 설명한다.

제2도는 본 고안에 따른 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링이 감겨진 트랜스포머의 시사도이고, 제3도는 본 고안에 따른 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링의 사시도로서, 트랜스포머(10)의 외주에 감겨져 상기 트랜스포머(10)에서 누설되는 플럭스를 차단하는 쉴드링(20)의 길이가 하기 제1식에 의해 차단하고자 하는 주파수에 해당하는 길이로 형성된 구조로 된다.

λ)ⁿ……………(제1식)

상기에 있어서, λ은 파장, n은 정수이다.

그리고, 상기 쉴드링(20)은 소정 간격으로 세로 방향의 공동(22)이 형성된 구조로 된다.

상기와 같은 구조의 본 고안에 따른 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링의 작용 및 효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 고안에 따른 트랜스포머(10)의 누설 플럭스 쉴드링의 길이는 상기 제1식에 의해 설정된다.

예를 들어, 특히 문제가 되는 주파수가 300MHz 일 경우에는 상기 주파수의 파장은 1m 이므로, 상기 쉴드링(20)의 길이를 50cm, 또는 25cm, 12.5cm 중 어느 하나를 선택하면 되는 것이다.

이때, 상기 트랜스포머(10)에서 누출되는 브로드 밴드(broad band)주파수의 플럭스중에서 크게 문제가 되는 주파수는 1개 내지 2개이므로 이 주파수에 해당하는 길이로 형성하면 되는 것이다.

그리고, 상기와 같은 형성된 길이의 쉴드링(20)을 트랜스포머(10)의 외주를 따라 감았을 경우에 쉴드링(20)의 길이와 트랜스포머(10)의 외주가 일치하지 않게 되므로, 상기 쉴드링(20)에 소정 간격으로 세로방향의 공동(cavity : 22)을 형성시켜 쉴드링(20)의 길이와 상기 트랜스포머(10)의 외주가 일치하도록 하여 고정하는 것이다.

이때, 상기 쉴드링(20)에 형성된 공동(22)이 공진 공동(resonance cavity) 역할을 함에 따라, 상기 공동(22)의 공진 주파수에 해당하는 누설 플럭스가 상기 공동(22)에서 공진하면서 자체적으로 감소하는 것이다.

따라서, 본 고안의 트랜스포머의 누설 플럭스 차단링은 전 주파수 대역에 대해 누설 플럭스를 차단함과 더불어, 특정 주파수의 누설 플럭스를 차단하는 효과가 큰 것이다.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 고안에 따르면, 트랜스포머에서 누설되는 플럭스 중에서 차단하고자 하는 주파수의 누설 플럭스에 대해 차단 효과를 증가시킬 수 있는 것이다.

Claims (2)

1. 트랜스포머(10)으 외주에 감겨져 상기 트랜스포머에서 누설되는 플럭스를 차단하는 쉴드링(20)에 있어서, 상기 쉴드링(20)의 길이가 차단하고자 하는 주파수의 반파장의 정수승에 해당하는 길이로 형성된 구조로 된 것을 특징으로 하는 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링.
2. 제1항에 있어서, 상기 쉴드링(20)은, 소정 간격으로 세로방향의 공동(22)이 형성된 구조로 된 것을 특징으로 하는 트랜스포머의 누설 플럭스 쉴드링.