KR0134165Y1 - 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명 장치 - Google Patents
웨이퍼 가장자리 노광 및 명명 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR0134165Y1 KR0134165Y1 KR2019950047304U KR19950047304U KR0134165Y1 KR 0134165 Y1 KR0134165 Y1 KR 0134165Y1 KR 2019950047304 U KR2019950047304 U KR 2019950047304U KR 19950047304 U KR19950047304 U KR 19950047304U KR 0134165 Y1 KR0134165 Y1 KR 0134165Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- exposure
- naming
- edge
- pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
- G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 고안은 감광막이 형성된 웨이퍼 가장자리 부분을 노광 및 명명하기 위한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에 있어서, 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼스테이지와, 웨이퍼스테이지와 구동축에 의해 연결되어 웨이퍼스테이지를 직진 및 회전구동시키기 위한 구동모터와, 웨이퍼스테이지 상단에 형성되어 회전구동되며, 가장자리에는 노광패턴과 명명패턴이 형성되고, 노광패턴 및 명명패턴과 중심 사이에는 위치 검출패턴이 다수 나열되어 형성된 노광 및 명명마스크와, 노광 및 명명마스크의 선택된 노광패턴 또는 명명패턴에 빛을 조사하여 웨이퍼 가장자리의 감광막이 노광 및 명명표시부위의 감광막이 노광되도록 하는 광을 조사하기 위한 광조사부를 포함하여 이루어진 것이 특징이다.
따라서, 본 고안은 하나의 노광 및 명명마스크를 이용하여 웨이퍼의 이동없이 동시적으로 웨이퍼의 가장자리 노광과 명명을 실시하고 있으므로, 전반적으로 작업시간이 단축되고, 종래의 기술에서 웨이퍼의 이송 중에 발생되었던 웨이퍼 뒷면 오염 및 긁힘 등의 현상이 방지되어 생산수율이 증대되고 있다.
또한, 본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에서는 웨이퍼 가장자리 노광 시에 광조사부에서 조사된 아이라인의 빛이 노광 및 명명마스크에 표시된 노광패턴을 통과하여 웨이퍼 표면의 감광막에 투과되도록 하고 있으므로, 산란광에 의한 노광 퍼짐현상이 방지되어 웨이퍼 상면 가장자리의 감광막의 들뜸으로 인한 오염격자 발생이 억제되면서, 가장자리 노광의 정확성이 향상된다.
Description
제1도는 종래의 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치의 일실시예를 도시한 도면.
제2도는 본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치의 일실시예를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 10', 20 : 웨이퍼 11, 11', 21 : 감광막
12, 12', 22 : 웨이퍼스테이지 13, 13', 23 : 구동축
14 : 명명마스크 24 : 노광 및 명명마스크
24-1 : 노광패턴 24-2 : 명명패턴
24-3 : 위치검출패턴
본 고안은 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼의 가장자리 노광과 명명을 동시에 진행시킬 수 있는 것에 적당하도록 한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에 관한 것이다.
제1도는 종래의 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치의 일실시예를 도시한 도면으로, 제1a도는 종래의 웨이퍼 가장자리 노광장치의 정면도이고, 제1b도는 종래의 웨이퍼 명명장치의 정면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 종래의 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치의 구성 및 동작을 설명하겠다.
종래의 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에서 웨이퍼 가장자리 노광장치는 제1a도에 도시된 바와 같이, 표면에 감광막(photoresist)(11)이 형성된 웨이퍼(10)가 안착되는 웨이퍼스테이지(wafer stage)(12)와, 웨이퍼스테이지와 구동축(13)에 의해 연결되어 웨이퍼스테이지를 직진 및 회전구동시키는 구동모터와, 웨이퍼스테이지 상단에 설치되어 상면에 안착된 웨이퍼 가장자리에 빛을 조사시키는 광조사부를 포함하여 이루어진다.
즉, 종래의 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에서 웨이퍼 가장자리 노광장치에서는 웨이퍼스테이지에 안착되어 직진 및 회전하게 되며, 표면에 감광막이 형성된 웨이퍼의 가장자리에 광조사부에서 아이라인(i-line)의 빛을 조사하여 웨이퍼 상면에 형성된 감광막의 가장자리가 노광되도록 하고 있다.
그리고, 종래의 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에서 웨이퍼 명명장치는 제1b도에 도시된 바와 같이, 표면에 감광막(11')이 형성된 웨이퍼(10')가 안착되는 웨이퍼스테이지(12')와, 웨이퍼스테이지와 구동축(13')에 의해 연결되어 웨이퍼스테이지를 직진 및 회전구동시키는 구동모터와, 웨이퍼 상단에 형성되어 회전구동하며, 문자 및 숫자 또는 특수기포 등의 명명패턴(naming pattern)이 가장자리에 형성되어 있는 명명마스크(naming mask)(14)와, 명명마스크의 선택된 패턴에 빛을 조사하여 웨이퍼의 명명표시부위에 노광되도록 하는 광조사부를 포함하여 이루어진다.
즉, 종래의 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에서 웨이퍼 명명장치에서는 명명마스크에 형성된 패턴에서, 선택된 패턴에만 빛이 통과되도록 하여 일반적인 웨이퍼 명명표시부위인 웨이퍼 플랫존(safer flat zone)부위의 감광막을 선택된 패턴에 대응되도록 노광시키고 있으며, 이때 하나의 패턴이 노광되면, 명명마스크는 회전하면서 웨이퍼스테이지는 직진구동되어 차례대로 다른 패턴을 노광시켜서 웨이퍼 명명을 실시한다.
그러나, 종래의 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에서는 웨이퍼 가장자리 노광장치 및 웨이퍼 명명장치가 각각으로 구성되어 있으며, 웨이퍼 명명장치에서 웨이퍼 명명실시 후에, 웨이퍼 가장자리 노광장치로 이송하여 웨이퍼 가장자리 노광을 실시하고 있으므로, 전반적인 처리속도가 제한되었으며, 이송 중에 웨이퍼 뒷면이 오염되거나 긁힘이 발생되기도 하였다.
그리고, 종래의 웨이퍼 가장자리 노광장치에 있어서는, 장치내에 광조사부에서 웨이퍼 가장자리로 노광되는 빛 정렬용 조절기구가 없기 때문에 노광의 정확성이 불안정하였으며, 또한 가장자리 노광 시에 산란 광에 의한 노광 퍼짐현상 즉, 레인보우(rain-bow)현상에 의한 웨이퍼 상면 가장자리의 감광막의 들뜸으로 오염격자가 발생되었다.
본 고안은 이러한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 웨이퍼의 가장자리 노광과 명명을 동시에 진행시킬 수 있으면서, 웨이퍼의 가장자리 노광 시에 노광의 정확성 및 노광 퍼짐 현상 등이 방지되는 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치를 제공하려는 것이다.
본 고안은 감광막이 형성된 웨이퍼 가장자리 부분을 노광 및 명명하기 위한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에 있어서, 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼스테이지와, 웨이퍼스테이지와 구동축에 의해 연결되어 웨이퍼스테이지를 직진 및 회전구동시키기 위한 구동모터와, 웨이퍼스테이지 상단에 형성되어 회전구동되며, 가장자리에는 노광패턴과 명명패턴이 형성되고, 노광패턴 및 명명패턴과 중심 사이에는 위치 검출패턴이 다수 나열되어 형성된 노광 및 명명마스크와, 노광 및 명명마스크의 선택된 노광패턴 또는 명명패턴에 빛을 조사하여 웨이퍼 가장자리의 감광막이 노광 및 명명표시부위의 감광막이 노광되도록 하는 광을 조사하기 위한 광조사부를 포함하여 이루어진 것이 특징이다.
제2도는 본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치의 일실시예를 도시한 도면으로, 제2a도는 본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치의 정면도이고, 제2b도는 본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에서 노광 및 명명마스크의 일실시예의 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치의 구성 및 동작을 설명하면 다음과 같다.
본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치는 제2a도와 b도에 도시된 바와 같이, 표면에 감광막(21)이 형성된 웨이퍼(20)가 안착되는 웨이퍼스테이지(22)와, 웨이퍼스테이지와 구동축(23)에 의해 연결되어 웨이퍼스테이지를 직진 및 회전구동시키는 구동모터와, 웨이퍼스테이지 상단에 형성되어 회전구동하며, 가장자리에는 각각의 면적이 틀린 다수의 사각형의 형태로 형성된 노광패턴(24-1) 및 문자 및 숫자 또는 특수기호 등으로 형성된 명명패턴(24-2)이 나열되어 형성되고, 노광패턴 및 명명패턴과 중심 사이에는 위치검출패턴(24-3)이 다수 나열되어 형성되어 있는 노광 및 명명마스크(24)와, 노광 및 명명마스크의 선택된 노광패턴 또는 명명패턴에 빛을 조사하여 웨이퍼 가장자리의 감광막이 노광되도록 하거나 명명표시부위의 감광막이 노광되도록 하는 광조사부를 포함하여 이루어진다.
이때, 노광 및 명명마스크는 유리판으로 형성되되, 노광패턴 및 명명패턴 그리고 위치검출패턴이 형성된 부위에만 빛이 투과되도록 투명하게 형성되고, 그 위의 부분에는 크롬(Cr)으로 코팅(coating)되어 있다.
이하, 본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.
본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명자치에서는 우선, 표면에 감광막이 도포되어 형성된 웨이퍼가 로보트팔(arm)등에 의해 웨이퍼스테이지 상면에 안착되면, 웨이퍼스테이지를 회전시켜서 웨이퍼 플랫존을 일정한 방향으로 하는 웨이퍼 정렬을 실시한다.
그 후에는, 노광 및 명명마스크를 회전시켜서 노광패턴을 웨이퍼 상에 정렬시키고, 광조사부에서 조사된 아이라인의 빛이 투과되도록 하고, 웨이퍼스테이지를 회전 및 직진시킴에 따라 회전 및 직진 이동하게 되는 웨이퍼 상면 가장자리의 감광막을 노광하는 가장자리 노광을 실시한다.
이어서 노광 및 명명마스크를 다시 회전시켜서 명명패턴에서 웨이퍼에 표시하고자 하는 문자, 숫자 또는 특수기호 등이 웨이퍼 상에 정렬되도록 한 후에, 광조사부에서 조사된 아이라인의 빛이 투과되도록 하고, 웨이퍼스테이지를 회전 또는 직진시킴에 따라 회전 또는 직진 이동하게 되는 웨이퍼 명명표시부위의 감광막을 선택된 명명패턴에 대응되도록 노광시키고 있으며, 그리고 하나의 명명패턴이 노광되면, 노광 및 명명마스크는 회전하면서 다른 명명패턴을 웨이퍼 상에 정렬시키고, 웨이퍼스테이지는 회전 또는 직진하여 웨이퍼 명명표시부위에 최초로 노광된 부위와 틀린 부위의 감광막을 노광시켜서 웨이퍼의 명명을 실시하고 있다.
즉, 본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에서는 하나의 노광 및 명명마스크를 이용하여 웨이퍼의 이동없이 동시적으로 웨이퍼의 가장자리 노광과 명명을 실시하고 있으므로, 전반적으로 작업시간이 단축되고, 종래의 기술에서 웨이퍼의 이송 중에 발생되었던 웨이퍼 뒷면 오염 및 긁힘 등의 현상이 방지되어 생산수율이 증대되고 있다.
또한, 본 고안에 의한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에서는 웨이퍼 가장자리 노광 시에 광조사부에서 조사된 아이라인의 빛이 노광 및 명명마스크에 표시된 노광패턴을 통과하여 웨이퍼 표면의 감광막에 투과되도록 하고 있으므로, 산란광에 의한 노광 퍼짐현상이 방지되어 웨이퍼 상면 가장자리의 감광막의 들뜸으로 인한 오염격자 발생이 억제되면서, 가장자리 노광의 정확성이 향상된다.
Claims (2)
- 감광막이 형성된 웨이퍼 가장자리 부분을 노광 및 명명하기 위한 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치에 있어서, 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼스테이지와, 상기 웨이퍼스테이지와 구동축에 의해 연결되어 웨이퍼스테이지를 직진 및 회전 구동시키기 위한 구동모터와, 상기 웨이퍼스테이지 상단에 형성되어 회전구동되며, 가장자리에는 노광패턴과 명명패턴이 형성되고, 상기 노광패턴 및 상기 명명패턴과 중심 사이에는 위치검출패턴이 다수 나열되어 형성된 노광 및 명명마스크와, 상기 노광 및 명명마스크의 선택된 노광패턴 또는 명명패턴에 빛을 조사하여 상기 웨이퍼 가장자리의 감광막이 노광 및 명명표시부위의 감광막이 노광되도록 하는 광을 조사하기 위한 광조사부를 포함하여 이루어지는 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치.
- 제1항에 있어서, 상기 노광 및 명명마스크에서 상기 노광패턴은 각각의 면적이 틀린 다수의 사각형의 형태로 형성되는 것이 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950047304U KR0134165Y1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950047304U KR0134165Y1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970045369U KR970045369U (ko) | 1997-07-31 |
| KR0134165Y1 true KR0134165Y1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=19438211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019950047304U KR0134165Y1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0134165Y1 (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR2019950047304U patent/KR0134165Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970045369U (ko) | 1997-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2502939B2 (ja) | 回路パタ―ン露光装置 | |
| US4998134A (en) | Exposure apparatus | |
| US5760881A (en) | Exposure apparatus with light shielding portion for plotosensitive elements | |
| KR970023647A (ko) | 웨이퍼 주변 노광방법 및 장치 | |
| JP2005505147A (ja) | ワークピースを機械的にマスクするための方法および装置 | |
| US4477182A (en) | Pattern exposing apparatus | |
| JPH0464454B2 (ko) | ||
| JP4674105B2 (ja) | 回路パターン転写装置及び方法 | |
| KR0134165Y1 (ko) | 웨이퍼 가장자리 노광 및 명명 장치 | |
| JP3056206B1 (ja) | ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法 | |
| KR960032586A (ko) | 기판 등의 정렬방법 및 그 장치 | |
| JP3326863B2 (ja) | 周辺露光装置及び方法 | |
| JPH10261559A (ja) | 半導体装置の製造方法および露光装置 | |
| JPH11154639A (ja) | 周辺露光装置およびその方法 | |
| US6869155B1 (en) | Method and apparatus for masking a workpiece with ink | |
| JPH08335545A (ja) | 露光方法および装置 | |
| KR100515368B1 (ko) | 쉬프트 패터닝에 의하여 반도체 소자의 미세패턴을형성하는 노광장치 및 그 방법 | |
| JP7520615B2 (ja) | マーク形成方法、パターン形成方法、及びリソグラフィ装置 | |
| KR20010077238A (ko) | 웨이퍼 정렬 장치 및 이에 적합한 정렬 방법 | |
| CN216118388U (zh) | 交错式双光罩滚轮光刻设备 | |
| JP3087209B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3151915B2 (ja) | アライメント用レーザービームを備えた電子ビーム露光装置 | |
| JP3383166B2 (ja) | 周辺露光装置 | |
| JP2535657Y2 (ja) | 露光装置 | |
| US5796468A (en) | Apparatus used to align and mark wafers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040920 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |