KR0132508B1 - 다이나모-일렉트릭 머신 및 그에 사용하기 위한 회전자용 적층판 - Google Patents

다이나모-일렉트릭 머신 및 그에 사용하기 위한 회전자용 적층판

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KR0132508B1
KR0132508B1 KR1019880002037A KR880002037A KR0132508B1 KR 0132508 B1 KR0132508 B1 KR 0132508B1 KR 1019880002037 A KR1019880002037 A KR 1019880002037A KR 880002037 A KR880002037 A KR 880002037A KR 0132508 B1 KR0132508 B1 KR 0132508B1
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야얀티랄 간디 데파쿠마르
윌리암 뉴만 토마스
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아더 엠. 킹
제너럴 일렉트릭 캄파니
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Abstract

내용없음.

Description

다이나모-일렉트릭 머신 및 그에 사용하기 위한 회전자용 적층판
제1도는 본 발명이 실시되는 다이나모 일렉트릭 머신 부분 단면을 도시한 측면도.
제2도는 제1도 다이나모 일렉트릭 머신의 정 단면도.
제3도는 본 발명의 한 실시예에 따른 회전자 적층판의 편면도.
제4도는 제3도의 적층판에서 닫힌 슬롯의 확대도.
제5도는 제4도내 슬롯의 상부 영역에 대한 확대도.
제6도는 본 발명의 제2실시예에 다른 회전자 적층판의 평면도.
제7도는 제6도의 적층판내 슬롯의 확대도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 다이나모 일렉트릭 머신 14 : 고정자
18 : 회전자 22 : 샤프트부
본 발명은 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 닫힌 슬롯 회전자 적층판 또는 펀칭에 관한 것으로서, 특히 슬롯이 V-형 상부 단부를 갖도록 형성되는 적층판에 관한 것이다.
각 적층판의 주변에 서로 등거리 간격으로 배치된 닫힌 슬롯을 갖는 적층판의 적층으로 형성된 회전자는 미합중국 특허 제2,794,138호(1957년 5월 28일) 및 제3,401,280호(1968년 9월 10일)에 공지되어 있는데, 상기 두 특허는 본 발명의 양수인에게 양도되었다.
그러한 회전자는 유도성 AC모터에 보통 사용되는데, 여기서 적층된 적층판의 정렬된 슬롯을 통해 회전자를 따라서 축방향으로 연장되는 전도성 부재는 상기 회전자의 외주와 상기 기계 고정자의 내주 사이의 에어 갭(air gap)에서 발생된 회전자장과 상호 작용한다. 상기 에어 갭에 인접하여, 방사상으로 내부에 돌출한 고정자의 이(teeth) 사이의 슬롯에 삽입된 권선은 AC 전원에 접속되며, 고정자 권선도선은, 상기 에어 갭에서 자속을 전원의 주파수와 동기로 회전시키기 위해 상기 고정자 슬롯을 통과한다.
상기 회전자에 대한 보통 회전 속도 상태 동안 높은 효율을 얻기 위해, 회전자 슬롯내 도전성부재 또는 바아는 최소의 저항을 갖어야 한다. 그러나, 낮은 회전자 저항은 높은 출발 전류 및 낮은 출발 전력 요소를 갖는 낮은 출발 토크를 발생한다. 모터 시동시 높은 회전자 저항을 얻기 위한 한 방법은 소위 더블 스퀴럴케이지 회전자 바아 장치를 사용하는 것으로, 이 장치에서 두개의 평행한 도전성 바아가 더 작은 단면적 및 높은 저항을 갖는 상부 바아(즉, 회전자 주변에 더 근접한 바아)를 갖으며 상기 슬롯내에서 더 깊이 장치된, 즉 상기 회전자의 축에 더 근접한 하부 바아를 갖는 각·획전자 슬롯을 통과한다. 상부 바아 및 하부 바아는 모두 회전자의 축단부에서 서로 쇼트된다.
소위 슬롯의 넥크부를 형성하기 위해 방사 방향으로 상부 및 하부 바아 사이의 회전자 슬롯을 축소시키므로써, 상기 하부 바아는 상부 바아와 비교해서 훨씬 큰 인덕턴스를 갖으며, 에어 갭 플럭스가 회전자 바아에 비해 가장 빠른 속도로 회전할때 비교적 작은 전류가 모터 시동시에 하부 바아에 유도된다. 시동시의 유효회전자 저항은 상부 바아의 저항과 비슷하며, 유효 시동 토크를 얻을 수 있다. 그러나 상기 회전자가 보통 구동 속도에 접근할 때, 에어 갭 필드는 매우 낮은 주파수로 회전자 바와 상호 작용하여 하부 바아의 인덕턴스는 더 낮아진다. 하부 바아의 더 낮은 저항은 더 큰 작동 효율을 제공하며, 실제 회전자 저항은 평행한 상부 및 하부 바아의 저항과 비슷하다.
더블 케이지 변형의 닫힌 슬롯 회전자는 통상적으로, 슬롯의 상부와 적층판의 외주 사이에 좁은 브리지부를 발생하는 V의 중심을 갖는 슬롯의 상부에 일반적으로 V자형 에지로 형성된 회전자 적층판내에 통상적으로 슬롯을 갖는다. 또한, V의 각 레그와 슬롯의 방사 중심 라인에 수직으로 도시된 라인 사이에 한정된 각은 통상적으로 약 40 내지 45 도 사이이다. V형 에지에 대한 40 및 45도의 각은 동일한 성능을 제공하기 위해 더 좁은 브리지부를 요구하며, 따라서 회전자 적층판의 주변에서 닫힌 슬롯 가공이 어려워진다.
본 발명의 목적은 비싼 제조 과정을 부과하지 않고도 제작될 수 있는 닫힌 슬롯 회전자 적층판을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 V자형 상부를 갖는 닫힌 슬롯 회전자 적층판을 제공하는 것으로 여기서 V의 각은 최적의 전자기적 성능을 허용한다.
본 발명의 또다른 목적은 슬롯의 네크부가 기계 성능을 최적화하기 위해 배치되는 닫힌 슬롯 회전자 적층판을 제공하는 것이다.
본 발명에 따라서, 반전-전기 기계에서 회전자를 형성하기 위해 사용되는 적층판은, 플레이트의 외부 주변 부근에서 방사상으로 연장되는 등거리 원주에 배치된 다수의 닫힌 슬롯을 갖는 강자성 물질로 된 평평한 원형 플레이트를 포함한다.
본 기술에 숙련된 사람이라면 이해할 수 있듯이, 다수의 플레이트(펀칭 또는 적층판이라고도 하는)가 함께 적층될 때 상기 슬롯은 회전자를 따라 연장되는 도전성부재를 포함하며 대응하는 슬롯은 서로 통하도록 배치된다. 각 슬롯은 상부 슬롯 영역에서 대체로 V자형이며 방사 중심 라인에 대해 대칭이다. V의 레그는 플레이트의 중심으로 가면서 서로 벌어지며, V의 각 레그는 술롯의 방사 중심 라인에 수직으로 도시된 라인에 대해 약 30도의 각을 형성한다.
본 발명을 특징짓는 신규의 여러 특징들은 특히 본 명세서의 일부이며 첨부 되어 있는 청구범위에 지적되어 있다. 본 발명과 본 발명의 작동 잇점 및 그것을 사용하여 얻게 되는 특별한 목적을 더 쉽게 이해하기 위해서, 첨부 도면 및 본 발명의 양호한 실시예가 기술된 상세 설명을 참조하여야 한다.
제1도는 다이나모 일렉트릭 머신(10)의 측면도를 부분적으로 도시한 도면으로, 여기서 본 발명이 실시된다. 다이나모 일레트릭 머신(10)의 정면도는 제2도에 도시된다.
기본적으로, 다이나모 일렉트릭 머신(10)은 일반적으로 원통형 외부 케이싱(12)과, 외부 케이싱(1)내에 동축으로 고정되었으며 동축 고정자 보어(16)를 갖는 원통형 고정자(14)를 포함한다. 회전자(18)는, 회전자 보어(16)내에서 축방향으로 확장하며, 상기 보어 축에 대해 회전운동을 하도록 케이싱(12)의 전후에서 적당한 베어링(20a,20b)에 의해 지지된다. 도시된 특별한 예에서 회전자(18)의 샤프트부(22)는 상기 머신(10)의 선단 차폐(24)로부터 축방향으로 확장되며, 상기 샤프트부(22)의 전으로부터 축방향으로 어느정도 거리로 절단되는 리세스로부터 축방향으로 외부로 돌출하는 키(26)를 갖는다. 키(26)는 샤프트부(22)를 구동부재(되시되지 않음)예를들면, 팬내에서 절단된 대응 키 방식으로 잠그기 위해 사용되는데, 그 구동부재로 회전 운동력이 다이나모 일렉트릭 머신(10)에 의해 공급된다.
케이싱(12), 후단 차폐(28)(제1도) 및 선단 차폐(24)는 고정자(14), 회전자(18) 및 결합된 도전성 권선을 유지 및 보호한다. 도시된 예에서, 머신 냉각팬(30)은 후단 차폐(28) 외부로 연장되는 회전자 스팁부(32)에 장착되며 케이싱상에 공기 흐름을 유도한다.
제1도에 도시된 바와같이, 상기 회전자(18)의 샤프트부(22)는 상기 머신 케이싱(12)을 통해 축방향으로 연장되며, 전방 및 후방 베어링(20a,20b)의 사이에서 샤프트(22)상에 동축으로 고정된 회전자 적층판(50)의 적층을 갖는다. 도전성 바아(52) 셋트는 각 적층판(50)의 외부 주변 부근에서 회전자(18)내에 형성되었으며 축방향으로 연장되는 슬롯을 통과한다. 상기 바(52)는 단부링(54a,54b) 셋트에 의해 적층판(50)의 적층의 축단부에서 서로 쇼트된다.
제3도는 회전자 적층판(50)중 하나의 평면도이다. 상기 적층판은 강자성 물질로 된 평평한 원형 플레이트로 형성된다. 상기 플레이트 적층판(50)은, 상기 적층판(50)의 외부 주변 부근 영역에서 방사 중심 라인에 대해 대칭으로 연장되는 다수의(예를들어, 28) 균일하게 원주상에 배치된 닫힌 슬롯(56)을 갖는다. 슬롯(56)은 적층판(50)이 서로 통하도록 배치된 대응 슬롯(56)에 대해 페이스 대 페이스로(face-to-face) 적층될 때 상기 회전자(18)의 축에 대체로 평행하게 연장되는 도전성 바아(52)(제1도)를 포함하도록 형성된다. 각 슬롯(56)은 제4도 및 5도에 도시된 바와같이 상부 슬롯 영역(58)에서 대체로 V자형이다. 상부 슬롯 영역(58)을 형성하는 V자형 상부 에지(60)는 방사 중심 라인에 대해 대칭이며, 상기 적층판(50)의 중심쪽 방향으로 가면서 서로 벌어지는 V의 레그를 갖는다.
제5도에 도시한 바와같이 양호한 형태에서, 에지(60)를 제한하는 V의 각 레그는, 슬롯(56)의 방사 중심 라인에 수직으로 도시된 라인에 대해 약 30 도를 형성한다. 또한, V자형 상부 에지(60)의 중심은 상부 에지(60)의 직선 레그들 사이의 제1반경 R1에서 굴곡된다. 브리지 영역(62)은 상부 슬롯 영역(58)과 적층판(50)의 외주 사이에 형성된다. 양호하게, 브리지 영역(62)의 가장 좁은 부분의 반경 규격은 적어도 0.25mm이며, 약 0.25mm 내지 약 0.4mm 의 영역에 있다.
제4도에서 더 명백히 볼 수 있듯이, 각 슬롯(56)의 에지는, 지점(66a,66b)에 대해 V자형 상부 에지(60)의 직선 레그인 말단부(64a,64b) 사이의 제2반경 R2에서 연속으로 굴곡된 대향 에지를 갖는 슬롯의 방사 중심 라인쪽으로 축소되는데, 여기서 상기 슬롯 에지를 방사 중심 라인에 수직인 공동 접선(T)를 갖는다.
접선 라인(T)으로부터, 상기 슬롯의 대향 에지는, 슬롯(56)의 네크부(70)의 상부를 한정하는 지점(68a,68b)의 제2셋트에 대해 90도의 원호상에서 중심 라인으로 향해 축소되기 위해 제3반경 R3에서 연속적으로 굴곡된다. 슬롯(56)의 넥크부(70)의 상부는 도전성 바아(52)가 제1도에서와 같이 더블 케이지 회전자를 형성하기 위해 적층판 적층의 슬롯(56)의 상부 및 하부 영역에 삽입될 때 전자기 성능을 최적화하기 위해 적층판(50)의 여러 지점에 방사적으로 배치된다. 어떤 특정한 경우에, 반경 R2, R3를 결합 또는 연결시키는 슬롯 외형의 세그멘트는 극히 작거나 그러한 세그멘트의 길이가 측정할 수 없을 정도로 제한된다.
아래 표1은 제5도에 표시된 30도 각을 형성하는 V자형 에지(60)와 함께 제1, 제2 및 제3반경 R1, R2, R3에 대한 양호한 값을 나타낸다.
Figure kpo00001
아래의 표2는, 넥크부(70) 상부의 양호한 위치, 즉, 적층판(50)의 중심 제3 또는 6도의 지점(C)으로부터 슬롯(56)의 방사 중심 라인에 수직한 라인까지의 거리를 나타내는데 그 라인은 제4도의 지점(68a,68b)의 제2셋트를 교차한다.
도시된 바와같이, 넥크부(70)의 상부 위치는 적층판(50)의 직경에 따라 양호하게 변동한다.
Figure kpo00002
제6도 및 7도는 본 발명의 제2실시예에 따른 닫힌 슬롯 회전자 적층판을 도시한다. 제3 내지 5도의 실시예에 도시된 것에 대응하는 부품은 동일한 도면부호를 갖는다. 그러나, 제7도에 도시된 바와같이 V자형 에지(60)의 직선레그의 말단부로부터 나오는 상부 영역(58')내 슬롯(56')의 에지는, 그러한 에지가 이(tooth) 중심 라인에 평행하며 제2반경 R에서 슬롯 중심 라인으로 굴곡되기전에 어떤 거리 L로 이(tooth) 중심 라인에 평행하게 연장되며, 상기 라인T'에 접촉할 때까지 제2반경 R에서 부분적으로만 굴곡된다. 적층판(50')에 대한 직경 115mm에 있어서, 거리 L은 양호하게 약 0.531mm 인데, 0.932mm의 제1반경 R과 0.76mm의 제1 및 제2반경 R, R를 갖는다. 넥트부(70')의 상부는 원형적층판(50')의 중심으로부터 양호하게 52.5mm의 거리이다.
본 발명에 따른 적층판을 포함하는 더불 케이지 회전자로 구성된 머신은, 브레이크다운 토크, 록킹된 회전자 토크, 최대 부하 속도 및 최대 부하 효율에 대해 약 45도의 각을 제한하는 V자형 에지의 슬롯을 갖는 회전자 상에서 탁월하게 수행하였다. 본 발명에 따라 30도의 각을 제공하는 것을 브리지 영역(62)(또는 62')의 충분한 물질이 상기 적층판(50)(또는 50')을 조립하기 위한 비싼 가공 또는 캐스팅 절차를 피하도록 허용하며, 상부 슬롯 영역(58)내 상부 도전성 바아가 보통 실행속도로 하부 바아 저항을 제공하도록 한다. 또한 도전성 바아(52)에 대한 바람직하지 않은 리액턴스 효과는 본 발명의 슬롯 구성에 따라 감소되는 것이 알려졌다.
여기서 천공된 직경, 및 상기 적층판의 외경에 대한 직경을 참조한다. 이와 관련해서, 천공된 직경은 펀치 프레스에 의해 천공된 것을 의미하며, 완성된 표면을 한정하는 에어 갭을 설정하기 위한 마무리 작업을 의미하지 않는다.
그리하여, 약 150mm의 플레이트 직경에 대한 참조는 천공된 공칭 직경 150mm를 갖는 천공된 적층판을 포함하며, 150mm이하인 공칭 완성된 외경을 갖는 완성된 회전자내에 적층판을 포함한다(그리하여 적당한 에어 갭이 회전자와 고정자 사이에 유지된다.)
전술된 설명이 본 발명의 양호한 실시예를 나타내는 반면, 본 발명의 진정한 의미 및 범위를 벗어나지 않는한, 본 기술에 숙련된 사람이라면 여러가지로 변경 및 수정이 가능하다는 것이 명백하다.

Claims (21)

  1. 다이나모 일레트릭 머신의 회전자를 형성하는 적층판 스택에 사용하기 위한 적층판에 있어서, 평평한 원형판(50)의 외부 주변 부근 영역내에서 방사상으로 연장되며 원주상에 동일 간격으로 배치된 다수의 닫힌 슬롯(56)을 갖는 강자성 물질로 된 평평한 원형판(50)과, 상기 원형판(50)들이 대응되는 슬롯이 서로 통하여 연통하는 상태로 페이스 대 페이스로 적층될 때 상기 회전자를 따라서 축방향으로 연장되는 도전성 부재(52)를 포함하도록 형성되는 상기 슬롯(56)을 포함하며, 상기 슬롯(56)은 각각 상기 원형판(50)의 주변 근처의 상부 슬롯 영역(58)에서는 대체로 V자형이며 방사상 중심 라인에 대해 대칭인 상부 에지(60)를 가지며, 상기 상부 에지(60)중에서 V의 레그에 대응되는 부분은 상기 원형판(50)의 중심 방향으로 가면서 서로 벌어지며, 상기 V의 레그에 대응되는 상부 에지(60) 부분은 상기 슬롯(56)의 방사상 중심 라인에 수직인 라인에 대해 약 30도의 각을 형성하며, 상기 원형판(50)은 상기 슬롯 영역(58)과 상기 원형판(50)의 외부 주변사이의 브리지 영역(62)을 갖으며,상기 슬롯(58)의 상부 에지(60)의 중심 영역은 각각의 슬롯(56)에 대해 브리지 영역(62)을 한정하기 위해 V의 레그에 대응되는 에지부 사이의 제1반경에서 굴곡되며, 상기 슬롯(56)은, 대향 에지가 상기 방사 중심 라인에 수직인 공동접선을 갖는 제1셋트의 점(66a,66b)과 상기 상부 에지(60)의 말단부 사이의 제2반경에서 연속해서 굴곡된 상태에서 방사상 중심 라인쪽으로 향해 축소되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 슬롯(56)의 상부 에지의 중심 영역이 각 브리지 영역(62)의 가장 좁은 부분을 형성하며, 상기 가장 좁은 부분의 반경 규격은 약 0.25mm 내지 약 0.4mm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 슬롯(56)의 대향 에지는 상기 공통 접선라인으로부터 상기 중심 라인쪽으로 향하여 축소되도록 제3반경으로 연속적으로 그리고 상기 슬롯(56)의 네크부(70)의 상부를 한정하는 제2셋트의 점(68a,68b)으로 향해 90도의 원호상에서 방사상으로 내부로 굴곡되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  4. 제3항에 있어서, 상기 네크부(70)의 상부는 상기 원형판(50)의 여러 지점에 방사상으로 위치 되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1반경은 약 0.932mm 이며, 상기 제 2반경은 약 0.813mm 이며, 상기 제 3반경은 약 0.7mm인 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제1반경은 약 0.892mm이며, 상기 제2반경은 약 0.919mm이며, 상기 제3반경은 약 0.76mm인 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제1반경은 약 0.933mm이며, 상기 제2반경은 약 0.715mm 이며, 상기 제3반경은 약 0.76mm 인것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  8. 제3항에 있어서, 상기 제1반경은 약 0.934mm이고, 상기 제2반경은 약 1.105mm이고, 상기 제3반경은 약 0.762mm인 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  9. 제4항에 있어서, 상기 원형판(50)은 약 95mm의 직경을 갖으며, 상기 넥크부(70)의 상부는 악 43.462mm 의 반경에 위치되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  10. 제4항에 있어서, 상기 원형판(50)은 약 122mm 의 직경을 갖으며, 상기 넥크부(70)의 상부는 약 56.9mm 의 반경에 위치되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적충판.
  11. 제4항에 있어서, 상기 원형판(50)은 약 150mm 의 직경을 갖으며, 상기 넥크부(70)의 상부는 약 70mm 의 반경에 위치되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신에 사용하기 위한 회전자용 적층판.
  12. 다이나모 일렉트릭 머신에 있어서, 일반적으로 원통형인 케이싱과, 상기 케이싱에 고정되었으며, 강자성 물질의 적층판의 스택으로 이루어지고, 원통형 보어를 갖는 고정자와, 상기 보어의 원주로부터 방사상으로 외부로 연장되는 고정자 슬롯내에 끼워진 고정자 권선과, 강자성 물질로된 회전자 적층판의 스택으로 구성되고, 상기 보어의 축에 대해 회전 운동을 하도록 상기 보어내에서 상기 케이싱에 의해 지지되며, 상기 회전자는 상기 고정자 권선이 외부 전원에 의해 여기될 때 자계와 상호 작용하도록 도전성 수단을 포함하는 회전자를 포함하며, 각각의 회전자 적층판은, 평평한 원형판의 외주 주변 부근영역에서 방사상으로 연장되며 원주상에 동일 간격으로 배치된 다수의 닫힌 슬롯을 갖는 강자성 물질로 된 평평한 원형판과, 상기 원형판들이 대응되는 슬롯이 서로 정렬된 상태로 페이스 대 페이스로 적응될 때 상기 회전자를 따라서 축방향으로 연장되는 도전성 부재를 포함하도록 형성되는 상기 슬롯을 포함하며, 상기 슬롯은 각각 상기 원형판의 주변 근처의 상부 슬롯 영역에서 대체로 V자형이며 방사상 중심 라인에 대해 대칭인 상부 에지를 가지며, 상기 상부 에지중에서 상기 V 의 레그에 대응되는 부분은 상기 원형판의 중심으로 가면서 서로 벌어지며, 상기 V의 각 레그에 대응되는 상부 에지 부분은 상기 슬롯의 방사상 중심 라인에 수직인 라인에 대해 약 30도의 각을 형성하며,상기 원형판(50)은 상기 상부 슬롯 영역과 상기 원형판의 외부 주변 사이에서 브리지 영역을 갖으며, 상기 슬롯의 상부 에지의 중심 영역은 각각의 슬롯에 대해 브리지 영역을 한정하기 위해 V 의 레그에 대응되는 에지부 사이의 제1반경에서 굴곡되며, 상기 슬롯은 대향 에지가 상기 방사 중심 라인에 수직인 공통 접선을 갖는 제1셋트의 점과 상기 상부 에지의 말단부 사이의 제2반경에서 연속해서 굴곡된 상태에서 방사상 중심 라인쪽으로 향해 축소되도록 형성되고, 상기 슬롯의 상부 에지의 중심영역은 각 브리지 영역의 가장 좁은 부분을 형성하며, 상기 가장 좁은 부분의 반경 규격은 약 0.25mm 내지 약 0.4mm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신.
  13. 제12항에 있어서, 상기 슬롯의 대향 에지는 상기 공통 접선으로부터 상기 중심 라인쪽으로 향하여 축소되도록 제3반경으로 연속적으로 그리고 상기 슬롯의 넥크부의 상부를 한정하는 제2셋트의 점으로 향해 90도의 원호상에서 방사상으로 내부로 굴곡되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신.
  14. 제13항에 있어서, 상기 넥크부의 상부는 전자기 성능을 최적화하기 위해 상기 원형판의 여러지점에 방사상으로 위치되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1반경은 약 0.932mm 이며, 상기 제2반경은 약 0.813mm 이며, 상기 제3반경은 약 0.7mm 인 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1반경은 약 0.892mm이며, 상기 제2반경은 약 0.919mm이며, 상기 제3반경은 약 0.76mm인 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신.
  17. 제13항에 있어서, 상기 제1반경은 약 0.933mm 이며, 상기 제2반경은 약 0.715mm이며. 상기 제3반경은 약 0.76mm인 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신.
  18. 제13항에 있어서, 상기 제1반경은 약 0.934mm 이며, 상기 제2반경은 약 1.105mm 이며, 상기 제3반경은 약 0.762mm 인 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신.
  19. 제14항에 있어서, 상기 원형판은 약 95mm의 직경을 갖으며, 상기 넥크부의 상부는 약 43.462mm의 반경에 위치되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신.
  20. 제14항에 있어서, 상기 원형판은 약 122mm의 직경을 갖으며, 상기 넥크부의 상부는 약 56.9mm의 반경에 위치되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일렉트릭 머신.
  21. 제14항에 있어서, 상기 원형판은 약 150mm의 직경을 갖으며, 상기 넥크부의 상부는 약 70mm의 반경에 위치되는 것을 특징으로 하는 다이나모 일레트릭 머신.
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