KR0130201B1

KR0130201B1 - N+ 주입 마스크(Implant Mask)를 이용한 출력선택 회로

Info

Publication number: KR0130201B1
Application number: KR1019890009285A
Authority: KR
Inventors: 김상룡
Original assignee: 이만용; 금성반도체주식회사
Priority date: 1989-06-30
Filing date: 1989-06-30
Publication date: 1998-04-06
Also published as: KR910001753A

Abstract

내용없음

Description

N+주입 마스크(Implant Mask)를 이용한 출력선택 회로

제1도는 본 발명의 회로도.

제2도는 본 발명을 설명하기 위한 각부동작 상태를 나타낸 도면.

제3도는 종래의 출력선택 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1, 2 : 데이타 입력단자 3 : 데이타 선택부

4 : 출력단자 5 : CMOS 및 오픈 드레인선택부

G₁-G₅: CMOS 반전기 Q₁-Q₄,Q₇: NMOS FET

Q₅,Q₆: PMOS FET

본 발명은 N⁺주입 마스크(Implant Mask)를 이용한 출력선택회로에 관한 것으로서, 특히 N⁺주입 마스크만을 이용하여 ROM 데이타와 출력을 선택할 수 있도록 한 출력선택회로에 관한 것이다.

종래의 출력선택회로는 제3도에 나타낸 바와 같이 단자(31), (32)와 단자(33) 사이를 각각 연결하여 데이타(A), (B)를 선택할 때 금속(Metal)마스크를 사용하게 되고, 단자(34), (35) 사이를 금속마스크를 이용하여 연결하게 되면 CMOS 출력이 되며, 이와는 반대로 연결하지 않게 되면 NMOS 오픈드레인 출력이 된다.

또한, CMOS 반전기(GA), (GB)의 입력단자에 연결된 단자(33)와 단자(31) 사이 및 단자(34), (35) 사이를 금속으로 연결하고, 단자 (32), (33) 사이를 연결하지 않게 되면 데이타(A)가 '하이' 상태에 있을 때 CMOS 반전기(GA), (GB)의 출력은 '로우'가 됨에 따라 PMOS FET(QA)를 통해 전원(Vcc)전압이 출력단자(36)에 나타나게 되고, 데이타(A)가 '로우'이면 CMOS 반전기(GA),(GB)의 출력이 '하이'가 됨에 따라 PMOS FET(QA)는 오프되고, NMOS FET(QB)는 온이 되어 출력단자(36)에는 '로우'신호가 나타나게 된다.

한편, 단자(32), (33) 사이와 단자(34), (35) 사이가 금속으로 연결되고 단자(31), (33) 사이가 개방되면 상기와 같은 동작을 하게 되고, 단자(31), (32)와 단자(33) 사이는 연결되고 단자(34), (35) 사이가 개방되면 NMOS FETIQBO의 드레인이 오픈된 상태로 동작하게 되나, 수요자의 요구에 따라 금속 마스크와 N⁺주입 마스크(즉 ROM 마스크)를 사용해야 하기 때문에 마스크가 2장이 필요하게 되어 제작기간 및 제조원가가 상승하게 되는 단점이 있었다.

본 발명은 이와 같은 종래의 단점을 해소시키기 위하여 금속 마스트는 사용하지 않고 N⁺주입 마스크 한장만을 이용하여 출력을 선택하므로서 제작기간 및 제조원가를 대폭 절감시킬 수 있는 N⁺주입 마스크를 이용한 출력선택회로를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서, 이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도에 나타낸 바와 같이 본 발명의 구성은 데이타 입력단자(1), (2)가 각각 입력단자에 연결된 CMOS 반전기(G₁), (G₂)의 출력단자는 NMOS FET(Q₁), (Q₂)로 구성된 데이타 선택부(3)의 입력단자(I₁), (I₂)에 각각 연결하고 , 데이타 선택부(3)의 출력단자에 입력단자가 연결된 CMOS 반전기(G₃)의 출력단자는 CMOS 반전기(G₄), (G₅)를 통해 각각 PMOS FET(Q₅)와 NMOS FET(Q₇)의 게이트에 연결하며, 출력단자(4)와 공접된 NMOS FET(Q₇)의 드레인에 소오스가 연결되고 PMOS FET(Q₅)의 소오스에 드레인이 연결되어 PMOS FET(Q₆)의 게이트는 NMOS FET(Q₃), (Q₄)로 구성된 CMOS 및 오픈드레인 선택부(5)는 N⁺주입 마스크를 사용한 것이다.

이와 같이 구성된 본 발명의 작용효과를 제3도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

먼저, NMOS FET(Q₁)-(Q₄)의 게이트는 접지시켜 놓음에 따라 디플랙션(Depletion)형이 아닌 상태에서는 턴온 되지 않게 한다. 이에 따라 사용자가 출력단자(4)에 데이타 입력단자(1)로부터 입력되는 데이타를 출력시킴과 동시에 CMOS 형의 출력단을 원할 경우에는 NMOS FET(Q₁), (Q₄)를 각각 N⁺주입 마스크를 이용하여 디플랙션 형으로 함에 따라 NMOS FET(Q₁), (Q₄)는 턴온된 상태를 유지하게 되고, NMOS FET(Q₂), (Q₃)는 턴오프된 상태를 유지하게 되어 데이타 입력단자(1)를 통해 입력된 신호는 CMOS 반전기(G₁)(G₃)-(G₅)를 통해 출력단자(4)에 출력되는데, 이때 A점은 접지상태가 되어 PMOS FET(Q₆)는 턴온됨에 따라 전체는 CMOS 형이 되는 것이다.

또한, 데이타 입력단자(2)를 통해 입력되는 신호를 CMOS 형으로 출력시키고져 할 때에는 전술한 바와는 반대로 제2도에서와 같이 NMOS FET(Q₂), (Q₄)를 대플랙션 형으러 하면되고, 데이타 입력단자(1)를 통해 입력되는 신호를 NMOS 오픈드레인 형으로 출력시키고져 할 때에는 NMOS FET(Q₁), (Q₃)를 대플랙션형으로 하면되며, 이와는 반대로 NMOS FET(Q₂), (Q₃)를 대플랙션형으로 하게 되면 데이타 2도에서 0는 대플랙션형 NMOS를 나타내고 X는 통상의 NMOS를 나타낸 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면 수요자의 요구에 따라 IC를 제작할 때 N⁺주입 마스크(즉 ROM 데이타용) 한장만으로 출력을 선택할 수 있음에 따라 수요자 요구에 따라 각각의 마스크를 별도 제작할 필요가 없게 되어 금속 마스크를 제작하는데 필요한 제조경비 및 제조기간을 대폭 절감할 수 있는 것이다.

Claims

데이타 입력단자(1), (2)가 각각 입력단자에 연결된 CMOS 반전기(G₁), (G₂)의 출력단자는 NMOS FET(Q₁), (Q₂)로 구성된 데이타 선택부(3)의 입력단자(I₁), (I₂)에 각각 연결하고 , 데이타 선택부(3)의 출력단자에 입력단자가 연결된 CMOS 반전기(G₃)의 출력단자는 CMOS 반전기(G₄), (G₅)를 통해 각각 PMOS FET(Q₅)와 NMOS FET(Q₇)의 게이트에 연결하며, 출력단자(4)와 공접된 NMOS FET(Q₇)의 드레인에 소오스가 연결되고 PMOS FET(Q₅)의 소오스에 드레인이 연결된 PMOS FET(Q₆)의 게이트는 NMOS FET(Q₃), (Q₄)로 구성된 CMOS 및 오픈드레인 선택부(5)의 출력단자(A)에 연결하여서 구성된 N⁺주입 마스크(Implant Mask)를 이용한 출력선택회로.