KR0120391Y1

KR0120391Y1 - Device for removimge chemical of wafer-cleaning apparatus

Info

Publication number: KR0120391Y1
Application number: KR2019910023418U
Authority: KR
Inventors: 전원섭
Original assignee: 문정환; 엘지반도체주식회사
Priority date: 1991-12-23
Filing date: 1991-12-23
Publication date: 1998-08-01
Also published as: KR930016170U

Abstract

본 고안은 웨이퍼 크린장비의 캐미컬 제거장치에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로는 캐미컬을 분무(spray)형태로 하여 웨이퍼를 크린시킨 후 이송라인상에 남아 있게 되는 캐미컬을 제거시켜 양질의 웨이퍼를 얻을 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a chemical removal device of a wafer clean equipment, and more specifically, to remove the chemicals remaining on the transfer line after cleaning the wafer by spraying the chemical in the form of a spray, To get it.

이를 위해, 본고안은 이송관(3)상에 남아 있는 캐미컬을 제거시키기 위한 흡출기(20)와, 상기 흡출기의 탈이온수 흐름을 조절하는 조절밸브(22)와, 상기 흡출기와 이송관을 차단시키는 차단밸브(23)와, 저압의 질소를 공급하기 위한 저압질소공급밸브(24)로 구성하여서 된 것이다.To this end, the subject matter of this invention is an aspirator 20 for removing the chemical remaining on the delivery pipe 3, a control valve 22 for controlling the flow of deionized water of the aspirator, and the aspirator and the delivery pipe And a low pressure nitrogen supply valve 24 for supplying low pressure nitrogen.

Description

Chemical Removal Device for Wafer Cleaner

제 1도는 종래 웨이퍼 크린장비를 나타낸 개략도.1 is a schematic view showing a conventional wafer clean equipment.

제 2도는 종래 크린장비에서 캐미컬 스탭을 나타낸 상태도.Figure 2 is a state diagram showing the chemical staff in the conventional clean equipment.

제 3도는 종래 크린장비에서 캐미컬 스탭 후 질소 퍼지시를 나타낸 상태도.3 is a state diagram showing the nitrogen purge after the chemical staff in the conventional clean equipment.

제 4도는 본고안 장치가 설치된 웨이퍼 크린장비의 개략도.4 is a schematic diagram of a wafer clean equipment in which the present device is installed.

제 5도는 본고안 크린장비에서 캐미컬 스탭후 질소 퍼지시를 나타낸 상태도.5 is a state diagram showing the nitrogen purge after the chemical step in the clean equipment of the present issue.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

3 : 이송관 20 : 흡출기3: transfer pipe 20: aspirator

22 : 조절밸브 23 : 차단밸브22: control valve 23: shutoff valve

24 : 저압질소 공급밸브24: low pressure nitrogen supply valve

본고안은 웨이퍼 크린장비의 캐미컬 제거장치에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로는 캐미컬을 분무(spray)형태로 하여 웨이퍼를 크린시킨 후 이송라인상에 남아 있게되는 캐미컬을 제거시켜 양질의 웨이퍼를 얻을 수 있도록 한 것이다.This paper relates to a chemical removal device of a wafer clean equipment. More specifically, the chemicals are sprayed to remove the chemicals remaining on the transfer line after cleaning the wafers. To get it.

종래의 웨이퍼 크린 장비는 제 1도와 같은 형태로서, 캐미컬과 웨이퍼의 접촉성을 양호하게하기 위한 고온의 탈이온수(85∼97°C)양을 조절하는 3방향밸브(1)와, 캐미컬 종류를 콘트롤 하기 위한 캐미컬 밸브(2) 그리고 상기 이송관(3)을 질소(N₂)로 퍼지(purge)시키기 위한 2방향밸브(4) 및 탈이온수를 플러싱(flushing)하기 위한 2방향밸브(5)가 설치되어 있어 캐미컬 밸브(2)이 조작으로 캐미컬이 이송관(3)을 따라 공급되어 스프레이 포스트(6)에 설치된 노즐(7)을 통해 분사되도록 되어 있다.Conventional wafer clean equipment is of the form as shown in FIG. Chemical valve (2) for controlling the type, two-way valve (4) for purging the transfer pipe (3) with nitrogen (N ₂ ) and two-way valve for flushing deionized water (5) is provided, and the chemical valve 2 is operated so that the chemical is supplied along the feed pipe 3 to be injected through the nozzle 7 provided in the spray post 6.

그리고 고압질소의 양을 조절하여 캐미컬을 분무형태로 만드는 질소조절밸브(8)가 이송관(9)에 설치되어 상기 이송라인(9)이 캐미컬 이송관(3)과 연결되어 있어 이송관(9)을 통해 질소가 공급되면 스프레이 포스트(6)에 설치된 노즐(10)을 통해 분사되도록 되어 있으며, 그 일측으로는 탈이온수를 노즐(11)로 분사시켜 고압린스를 하는 탈이온수밸브(12)가 설치되어 있어 탈이온수가 이송관(13)을 통해 노즐(10)로 분사시키도록 되어 있다.In addition, a nitrogen control valve (8) is formed in the transfer pipe (9) to control the amount of high-pressure nitrogen in the form of a spray, so that the transfer line (9) is connected to the chemical transfer pipe (3). When nitrogen is supplied through (9), it is to be injected through the nozzle (10) installed in the spray post (6), one side of the deionized water valve 12 for high-pressure rinse by spraying deionized water to the nozzle (11) ) Is installed so that deionized water is injected into the nozzle (10) through the transfer pipe (13).

한편, 회전가능하게 설치된 턴테이블(14)의 챔버커버(도시는 생략함)에 설치된 스플레이 포스트(6)에는 길이방향으로 무수히 작은 구멍(15)이 형성되어 있어 각 노즐을 통해 탈이온수나 질소 그리고 캐미컬이 분사될 때 턴테이블(14)이 회전하므로서 웨이퍼 카세트(16)에 담겨진 웨이퍼(17)와 상기 공급제가 균일하게 접촉하게 된다.On the other hand, the splay post 6 provided in the chamber cover (not shown) of the turntable 14 which is rotatably installed is formed with an infinite number of small holes 15 in the longitudinal direction, so that deionized water, nitrogen, and cami through each nozzle are formed. As the curl is ejected, the turntable 14 rotates to bring the wafer 17 contained in the wafer cassette 16 into uniform contact with the feed agent.

그리고 턴테이블(14)내에는 구멍(18)이 형성되어 있어 탈이온수의 공급시에 보울(19)내부에 묻어있는 캐미컬 성분을 제거시키도록 되어 있다.A hole 18 is formed in the turntable 14 to remove the chemical component in the bowl 19 when the deionized water is supplied.

따라서 턴테이블(14)을 회전시키기 위한 모터(도시는 생략함)에 전원을 인가하여 턴테이블(14)을 구동시키면서 고온의 탈이온수를 공급하기 위한 3방향밸브(1)를 개방함과 동시에 질소조절밸브(8)를 개방시키면 고압질소에 의해 고온의 탈이온수가 분무형태로 웨이퍼(17)전면과 접촉하여 온도를 상승시키므로서 다음 공정에서 캐미컬과 웨이퍼(17)의 접촉성을 양호하게 한다.Therefore, while driving the turntable 14 by applying power to a motor (not shown) for rotating the turntable 14, the three-way valve 1 for supplying high temperature deionized water is opened and a nitrogen control valve Opening (8) improves the contact between the chemical and the wafer 17 in the next step while the hot deionized water is contacted with the front surface of the wafer 17 in the form of a spray by high pressure nitrogen to raise the temperature.

그후 캐미컬을 공급하기 위한 캐미컬 밸브(2)가 개방되면 해당 캐미컬이 스프레이 포스트(6)에 설치된 노즐(7)을 통해 분출됨과 동시에 계속해서 고압의 질소가 노즐(10)을 통해 제 2도와 같이 분사되므로 웨이퍼(17)의 전면에 골고루 분무된다.Thereafter, when the chemical valve 2 for supplying the chemical is opened, the chemical is ejected through the nozzle 7 installed in the spray post 6 while the high pressure nitrogen is continuously discharged through the nozzle 10. Since it is sprayed together with the tiles, it is evenly sprayed on the entire surface of the wafer 17.

이와같이 캐미컬을 웨이퍼의 전면에 분무시킨 다음 캐미컬밸브(2)을 폐쇄시키고 이송관(3)상에 남아 있는 캐미컬을 퍼지시키기 위해 2방향밸브(4)가 개방되면 이송관(3)상에 남아 있는 캐미컬이 퍼지됨과 동시에 탈이온수밸브(12)의 개방으로 탈이온수가 노즐(11)을 통해 분사되므로 웨이퍼(17)가 린스(Rinse)된다.In this way, the chemical is sprayed onto the front surface of the wafer, and then the two-way valve 4 is opened to close the chemical valve 2 and purge the remaining chemical on the transfer pipe 3. The chemical remaining in the purge and the deionized water is injected through the nozzle 11 by opening the deionized water valve 12, so that the wafer 17 is rinsed.

그후 탈이온수를 플러싱하기 위한 2방향밸브(5)가 개방되면 탈이온수가 탈이온수밸브(12)와 연결된 이송관(13)을 통해 공급되는 탈이온수와 함께 스프레이 포스트(6)에 형성된 구멍(15)을 통해 분사되어 린스를 하게 됨과 동시에 여러 공정을 거치면서 순차적으로 린스와 드라이 공정을 실시한 후 크리닝공정을 종료하게 된다.Then, when the two-way valve 5 for flushing the deionized water is opened, the hole 15 formed in the spray post 6 together with the deionized water supplied through the transfer pipe 13 connected to the deionized water valve 12. After rinsing and rinsing, the rinsing and drying process is performed sequentially and then the cleaning process is finished.

그러나 이러한 종래의 크린장비는 이송관(3)을 통해 캐미컬을 분무한 후 질소로 퍼지시키는 공정에서 이송관(3)내에 남아있던 캐미컬이 질소의 압력에 의해 제 3도에 도시한 바와 같이 방울 형태로 웨이퍼(17)에 접촉하게 되어 린스공정에서 상기 방울이 세정되지 못하게 되므로 다음 공정에서 방울이 공정가스와 반응되어 헤이즈(Haze)를 발생시키게 되는 문제점이 있었다.However, in the conventional clean equipment, the chemical remaining in the delivery pipe 3 in the process of spraying the chemical through the delivery pipe 3 and purging with nitrogen, as shown in FIG. Since the droplets are not in contact with the wafer 17 in the form of droplets, the droplets are not cleaned in the rinsing process, and in the next process, the droplets react with the process gas to generate haze.

본고안은 종래의 이와같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 질소 퍼지 및 탈이온수 플러싱 공정전에 이송관상에 남아 있는 캐미컬을 완전 제거시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.The purpose of the present invention is to solve such problems in the related art, and to provide a complete removal of chemicals remaining on the transfer pipe before the nitrogen purge and deionized water flushing process.

상기 목적을 달성하기 위한 본고안의 형태에 따르면, 이송관상에 남아 있는 캐미컬을 제거시키기 위한 흡출기와, 상기 흡출기의 탈이온수 흐름을 조절하는 조절밸브와, 상기 흡출기와 이송관을 차단시키는 밸브와, 저압의 질소를 공급하기 위한 저압질소공급밸브로 구성된 웨이퍼 크린장비의 캐미컬 제거장치가 제공된다.According to this aspect of the present invention for achieving the above object, an aspirator for removing the chemical remaining on the delivery pipe, a control valve for regulating the flow of deionized water of the aspirator, a valve for blocking the aspirator and the delivery pipe and In addition, there is provided a chemical removal device of a wafer clean equipment, which is composed of a low pressure nitrogen supply valve for supplying low pressure nitrogen.

이하, 본고안을 일실시예로 도시한 첨부된 도면 제 4도 내지 제 5도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 4 to 5 of the accompanying drawings.

첨부도면 제 4도는 본고안 장치가 설치된 웨이퍼 크린장비의 개략도이고, 제 5도는 캐미컬 스탭후 질소 퍼지시를 나타낸 상태도로서, 본고안은 웨이퍼 크린장비의 구성은 종래의 구성과 동일하고 단지 상기 구성중에 이송관(3)에 남아있는 캐미컬을 제거시키기 위한 장치를 설치한 것이다.FIG. 4 is a schematic diagram of a wafer clean equipment in which the present device is installed, and FIG. 5 is a state diagram showing nitrogen purge time after a chemical step. The present design of the present invention is the same as that of the conventional device. An apparatus for removing the chemical remaining in the conveying pipe 3 is installed.

캐미컬이 이송되는 이송관(3)상에 캐미컬을 제거시키기 위한 흡출기(20)가 연결관(21)으로 연결되어 있고 흡출기(20)에는 상기 흡출기(20)로 공급되는 탈이온수를 조절하기 위한 조절밸브(22)가 설치되어 있으며 연결관(21)상에는 이송관(3)과 흡출기(20)를 차단시키기 위한 차단밸브(23)가 설치되어 있다.An aspirator 20 for removing the chemical is connected to the connection pipe 21 on the transfer pipe 3 through which the chemical is transported, and the deionized water supplied to the aspirator 20 is supplied to the aspirator 20. A control valve 22 for adjusting the pressure is provided and a shutoff valve 23 for blocking the transfer pipe 3 and the aspirator 20 is installed on the connection pipe 21.

그리고 탈이온수를 플러싱하기 위한 2방향밸브(5)의 일측에 이송관(3)으로 저압의 질소를 공급하기 위한 저압질소 공급밸브(24)가 설치되어 있고 연결관(25)상에는 레귤레이터(26)와 역류를 방지하기 위한 체크 밸브(27)이 설치되어 있다.And a low pressure nitrogen supply valve 24 for supplying low pressure nitrogen to the feed pipe (3) is provided on one side of the two-way valve (5) for flushing deionized water and the regulator 26 on the connection pipe (25) And a check valve 27 for preventing backflow.

이와같이 구성된 본고안의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.The operational effects of the proposed paper thus constructed are as follows.

먼저 턴테이블(14)내에 웨이퍼(17)가 담겨진 웨이퍼 카세트(16)를 넣은 다음 모터를 구동시키면 3방향밸브(1)가 개방됨과 동시에 질소조절밸브(8)가 개방되어 고온의 탈이온수가 스프레이포스트(6)에 형성된 구멍(15)을 통해 분무형태로 분사되어 웨이퍼(17)를 가열시키게 되므로 다음 공정에서 캐미컬과 웨이퍼(7)의 접촉성을 양호하게 한다.First, the wafer cassette 16 containing the wafer 17 is placed in the turntable 14, and then the motor is driven to open the three-way valve 1 and the nitrogen control valve 8 to open the sprayed hot water. It is sprayed in the form of a spray through the hole 15 formed in (6) to heat the wafer 17, so that the contact between the chemical and the wafer 7 is improved in the next step.

그후 종래의 공정과 동일하게 캐미컬 밸브(2)를 개방시켜 웨이퍼(17)의 저면에 분무시킨 다음 캐미컬 밸브(2)가 폐쇄되고 나면 차단밸브(23)와 탈이온수를 조절하기 위한 조절밸브(22)가 동시에 개방되어 흡출기(20)로 탈이온수가 흐르게 되므로 차단밸브(23)를 통해 이송관(3)내에 남아 있던 캐미컬이 신속하게 빠져 나가게 된다.Thereafter, the chemical valve 2 is opened and sprayed on the bottom surface of the wafer 17 in the same manner as the conventional process, and after the chemical valve 2 is closed, a control valve for adjusting the shutoff valve 23 and deionized water Since the deionized water flows to the aspirator 20 at the same time, the 22 remaining at the same time quickly exits the chemical remaining in the transfer pipe 3 through the shutoff valve 23.

이와같이 이송관(3)에 남아 있던 캐미컬을 흡출기(20)로 빨아낸 다음 저압질소공급밸브(24)를 개방시켜 이송관(3)상에 저압의 질소를 흘러 보내게 되는데, 이때 차단밸브(23)는 5∼10초후에 자동적으로 폐쇄된다.In this way, the chemical remaining in the transfer pipe 3 is sucked out by the aspirator 20, and then the low pressure nitrogen supply valve 24 is opened to flow nitrogen of low pressure onto the transfer pipe 3, wherein the shutoff valve (23) is automatically closed after 5 to 10 seconds.

상기한 바와같은 저압 질소의 압력은 레귤레이터(26)에 의해 조절 가능하게 되므로 미세한 양을 이송관(3)으로 흘러 보내게 되고, 이에따라 이송관(3)상에 남아있는 소량의 캐미컬을 제 5도에 도시한 바와같이 웨이퍼(17)와 접촉하지 않고 보울(19)바닥으로 떨어지게 된다.Since the pressure of the low pressure nitrogen as described above is adjustable by the regulator 26, a small amount flows into the feed pipe 3, and accordingly, a small amount of chemical remaining on the feed pipe 3 is transferred to the fifth. As shown in the figure, the bottom surface of the bowl 19 is not contacted with the wafer 17.

그후 저압질소공급밸브(24)는 자동적으로 폐쇄되므로 종래의 공정과 동일하게 질소를 퍼지시키기 위한 2방향밸브(4)가 개방되어 고압의 질소가 노즐(10)을 통해 흘러가 완전히 퍼지시키게 된다.After that, since the low pressure nitrogen supply valve 24 is automatically closed, the two-way valve 4 for purging nitrogen is opened in the same manner as the conventional process so that high pressure nitrogen flows through the nozzle 10 to completely purge.

상기한 바와같은 공정이 완료된 후에는 탈이온수를 플러싱하기 위한 2방향밸브(5)와 탈이온수밸브(12)가 개방되므로 웨이퍼(17)를 세정할 수 있게 되는 것이다.After the process as described above is completed, the two-way valve 5 and the deionized water valve 12 for flushing the deionized water are opened so that the wafer 17 can be cleaned.

이상에서와 같이 본고안 장치는 이송관(3)상에 남아 있는 캐미컬을 완전제거 시킨 상태에서 웨이퍼(17)를 세정하게 되므로 미세한 세정불량시에도 웨이퍼(17)에 남아 있는 캐미컬의 잔존현상을 방지할 수 있게 됨은 물론 이에 따라 다음 공정시에 공정가스와 반응하여 헤이즈가 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있게 되는 효과를 가지게 된다.As described above, the device of the present invention cleans the wafer 17 in a state in which the chemical remaining on the transfer pipe 3 is completely removed. Thus, the residual phenomenon of the chemical remaining on the wafer 17 even in the case of minute cleaning failure In addition, it is possible to prevent this, and thus has the effect of preventing the generation of haze by reacting with the process gas in the next process.

Claims

An aspirator 20 for removing the chemical remaining on the delivery pipe 3, a control valve 22 for controlling the flow of deionized water of the aspirator, and a shutoff valve for blocking the aspirator and the delivery pipe ( 23) and a chemical removal device for wafer clean equipment comprising a low pressure nitrogen supply valve (24) for supplying low pressure nitrogen.