JPWO2023234370A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPWO2023234370A5
JPWO2023234370A5 JP2024524924A JP2024524924A JPWO2023234370A5 JP WO2023234370 A5 JPWO2023234370 A5 JP WO2023234370A5 JP 2024524924 A JP2024524924 A JP 2024524924A JP 2024524924 A JP2024524924 A JP 2024524924A JP WO2023234370 A5 JPWO2023234370 A5 JP WO2023234370A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
treating
substrate
etching
substrate according
surface modification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2024524924A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2023234370A1 (https=
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2023/020356 external-priority patent/WO2023234370A1/ja
Publication of JPWO2023234370A1 publication Critical patent/JPWO2023234370A1/ja
Publication of JPWO2023234370A5 publication Critical patent/JPWO2023234370A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2024524924A 2022-06-02 2023-05-31 Pending JPWO2023234370A1 (https=)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022090144 2022-06-02
PCT/JP2023/020356 WO2023234370A1 (ja) 2022-06-02 2023-05-31 基材の処理方法、および基材の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2023234370A1 JPWO2023234370A1 (https=) 2023-12-07
JPWO2023234370A5 true JPWO2023234370A5 (https=) 2026-03-12

Family

ID=89024938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024524924A Pending JPWO2023234370A1 (https=) 2022-06-02 2023-05-31

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20260018421A1 (https=)
EP (1) EP4535406A4 (https=)
JP (1) JPWO2023234370A1 (https=)
KR (1) KR20250019097A (https=)
CN (1) CN119278503A (https=)
TW (1) TW202407796A (https=)
WO (1) WO2023234370A1 (https=)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025105151A1 (en) * 2023-11-13 2025-05-22 Fujifilm Corporation Method of manufacturing treated substrate and method of manufacturing semiconductor
WO2025182440A1 (ja) * 2024-02-26 2025-09-04 セントラル硝子株式会社 基材の製造方法、および含Ｇｅ酸化物用エッチング液
WO2025191844A1 (ja) * 2024-03-15 2025-09-18 株式会社Kokusai Electric 処理方法、半導体装置の製造方法、処理装置、およびプログラム

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5550143B2 (ja) * 2010-10-25 2014-07-16 富士フイルム株式会社 親水性薄膜の製造方法
JP5782279B2 (ja) 2011-01-20 2015-09-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5611884B2 (ja) * 2011-04-14 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
JP5821784B2 (ja) * 2012-05-31 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置及び記憶媒体
JP7193892B2 (ja) 2018-03-22 2022-12-21 長谷川工業株式会社 梯子兼用脚立
JP2019220494A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 株式会社Adeka 膜形成用組成物、膜付基板、その製造方法及び薄膜の製造方法
SG11202105360UA (en) * 2018-11-22 2021-06-29 Central Glass Co Ltd Bevel portion treatment agent composition and method of manufacturing wafer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2023234370A5 (https=)
JP2019510379A5 (https=)
JPH08264500A (ja) 基板の洗浄方法
TWI388657B (zh) 利用清潔溶液清潔半導體晶圓的方法
JP2643814B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP6575643B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
CN108305831A (zh) 一种高能离子注入后光刻胶的去除方法
JP2610844B2 (ja) 半導体ウエハの洗浄方法
JP2006270032A5 (https=)
CN101699615A (zh) 一种浸蚀硅片方法
CN110610852A (zh) 一种金属表面残胶的去除方法
CN116721908A (zh) 硅片背面清洗方法
JP2906416B2 (ja) シリコンのエッチング方法
JP2001319914A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP5208658B2 (ja) 半導体ウェハの洗浄方法、および、半導体ウェハ
JPWO2023054055A5 (https=)
TW200413501A (en) Solution for removal residue of post dry etch
JPH10199847A (ja) ウエハの洗浄方法
JPH07153728A (ja) 温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法
KR100537944B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 산화막 상의 팔라디움촉매 형성방법
JP4357456B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
JPH04103124A (ja) 半導体基板の汚染除去方法
KR950001904A (ko) 게이트전극 형성방법
CN109309143B (zh) 一种湿法清洗制绒工艺
KR19980084217A (ko) 웨이퍼 세정 방법