JPWO2021257328A5 - - Google Patents
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Description
フッ素含有プラズマ段階(工程516)が完了した後、フッ素含有残留物ポンプアウト段階が提供される(工程520)。フッ素含有残留物ポンプアウト段階は、不活性ガス(アルゴンなど)を提供し、揮発した残留物と共に不活性ガスをポンプアウトしてよい。図4Dは、フッ素含有残留物ポンプアウト段階(工程520)が完了した後のプラズマ処理チャンバ304の一部を示す拡大断面図である。SiO2含有残留物408の一部が除去される。SiO2含有残留物408の一部の除去およびポンプアウトは、Ru含有残留物412、揮発性化学物質タイプ残留物416、および、金属ハロゲン化物タイプ残留物420の一部をおそらく除去する。
フッ素含有残留物ポンプアウト段階(工程520)が完了した後、金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階が提供される(工程524)。金属ハロゲン化物タイプ残留物420は、揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階(工程508)およびフッ素含有プラズマ段階(工程516)中にハロゲン化物に変換された金属から形成される。この実施形態において、金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階(工程524)は、最初にプラズマ処理チャンバ304に水素含有ガスを流す工程を含む。この実施形態において、水素含有ガスは純粋なH2を含む。他の実施形態において、水素含有ガスは、H2、メタン(CH4)、および、NH3、の内の1または複数を含んでよい。水素含有ガスは、プラズマに変換される。この実施形態において、RF電力は、13.5MHzの周波数で500Wより高い。プラズマは、金属ハロゲン化物タイプ残留物420の一部を揮発させる。水素含有ガスの流れが停止され、金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階(工程524)が終了する。
以上、いくつかの好ましい実施形態を参照しつつ本開示について説明したが、本開示の範囲内で、代替物、置換物、変形物、および、様々な代替等価物が存在する。また、本開示の方法および装置を実施する別の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、添付の特許請求の範囲は、本開示の真の趣旨および範囲内に含まれる全てのかかる代替物、置換物、および、様々な代替等価物を含むものとして解釈される。本明細書で用いられているように、「A、B、または、C」という表現は、非排他的な論理和ORを用いて、論理(AまたはBまたはC)を意味すると解釈されるべきであり、「AまたはBまたはCの内の1つのみ」という意味であると解釈されるべきではない。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
プラズマ処理チャンバを洗浄するための方法であって、1または複数のサイクルを備え、各サイクルは、
i)酸素含有プラズマ洗浄段階を実行する工程と、
ii)揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階を実行する工程と、
iii)フッ素含有プラズマ洗浄段階を実行する工程と、
を備える、方法。
適用例2:
適用例1の方法であって、前記洗浄は、前記プラズマ処理チャンバ内で第1ウエハを処理した後で、前記プラズマ処理チャンバ内で第2ウエハを処理する前に実行される、方法。
適用例3:
適用例1の方法であって、カバーが、前記洗浄前に前記プラズマ処理チャンバ内に配置される、方法。
適用例4:
適用例1の方法であって、前記酸素含有プラズマ洗浄段階は、酸素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、前記酸素含有ガスをプラズマ化する工程と、を備える、方法。
適用例5:
適用例1の方法であって、前記フッ素含有プラズマ洗浄段階は、フッ素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、前記フッ素含有ガスをプラズマ化する工程と、を備える、方法。
適用例6:
適用例1の方法であって、前記プラズマ処理チャンバの前記洗浄は、さらに、前記フッ素含有プラズマ段階の後に、金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階を備える、方法。
適用例7:
適用例6の方法であって、前記金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階は、
水素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記水素含有ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。
適用例8:
適用例6の方法であって、前記金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階は、さらに、金属ハロゲン化物ポンプアウトを備える、方法。
適用例9:
適用例1の方法であって、前記プラズマ処理チャンバの前記洗浄は、さらに、前記フッ素含有プラズマ段階の後に、フッ素残留物ポンプアウト段階を備える、方法。
適用例10:
適用例1の方法であって、さらに、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階の後に、揮発性化学物質タイプ残留物ポンプアウト段階を備える、方法。
適用例11:
適用例1の方法であって、前記酸素含有プラズマ段階は、ルテニウム含有残留物を揮発させ、金属含有残留物(鉄またはコバルトなど)を酸化させる、方法。
適用例12:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
塩素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記塩素含有ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。
適用例13:
適用例12の方法であって、前記塩素含有ガスは、(i)Cl 2 、BCl 3 、TiCl 4 、SiCl 4 、SiHCl 3 、SiH 2 Cl 2 、SiH 3 Cl、または、PF 3 、もしくは、それらの任意の組み合わせと、(ii)PCl 3 と、を含む、方法。
適用例14:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
前記プラズマ処理チャンバを少なくとも100℃の温度に加熱する工程と、
リガンド蒸気を前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
を備え、
前記リガンド蒸気は、少なくとも1つの金属含有残留物とリガンド錯体を形成し、前記リガンド錯体は、少なくとも100℃の温度で揮発する、方法。
適用例15:
適用例14の方法であって、前記リガンド蒸気は、acac、hfac、金属アセチルアセトネート、および、アミジン、の内の少なくとも1つを含む、方法。
適用例16:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
CO、H 2 O、MeOH、または、ギ酸、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む揮発性化学物質ガスを、前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記揮発性化学物質ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。
適用例17:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
CO、H 2 O、NH 3 、メタノール(MeOH)、または、ギ酸、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む揮発性化学物質ガスを、前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記揮発性化学物質ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。
適用例18:
適用例1の方法であって、前記酸素含有ガスは、O 2 、O 3 、CO、CO 2 、または、H 2 O、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む、方法。
適用例19:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、少なくとも1つの金属含有残留物を揮発させる、方法。
適用例20:
適用例1の方法であって、前記フッ素含有ガスは、NF 3 、SF 6 、または、CF 4 、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む、方法。
適用例21:
プラズマ処理チャンバ内で複数の処理ウエハを処理するための方法であって、複数のサイクルを備え、各サイクルは、
a)前記プラズマ処理チャンバ内で前記複数の処理ウエハの内の1つの処理ウエハを処理する工程と、
b)前記プラズマ処理チャンバを洗浄する工程であって、
i)酸素含有プラズマ段階、
ii)揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階、および、
iii)フッ素含有プラズマ段階を備える、工程と、
を備える、方法。
適用例22:
適用例21の方法であって、さらに、前記プラズマ処理チャンバから前記処理ウエハを取り出す工程を備える、方法。
適用例23:
適用例21の方法であって、さらに、前記プラズマ処理チャンバ内にカバーを配置する工程を備える、方法。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
プラズマ処理チャンバを洗浄するための方法であって、1または複数のサイクルを備え、各サイクルは、
i)酸素含有プラズマ洗浄段階を実行する工程と、
ii)揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階を実行する工程と、
iii)フッ素含有プラズマ洗浄段階を実行する工程と、
を備える、方法。
適用例2:
適用例1の方法であって、前記洗浄は、前記プラズマ処理チャンバ内で第1ウエハを処理した後で、前記プラズマ処理チャンバ内で第2ウエハを処理する前に実行される、方法。
適用例3:
適用例1の方法であって、カバーが、前記洗浄前に前記プラズマ処理チャンバ内に配置される、方法。
適用例4:
適用例1の方法であって、前記酸素含有プラズマ洗浄段階は、酸素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、前記酸素含有ガスをプラズマ化する工程と、を備える、方法。
適用例5:
適用例1の方法であって、前記フッ素含有プラズマ洗浄段階は、フッ素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、前記フッ素含有ガスをプラズマ化する工程と、を備える、方法。
適用例6:
適用例1の方法であって、前記プラズマ処理チャンバの前記洗浄は、さらに、前記フッ素含有プラズマ段階の後に、金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階を備える、方法。
適用例7:
適用例6の方法であって、前記金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階は、
水素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記水素含有ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。
適用例8:
適用例6の方法であって、前記金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階は、さらに、金属ハロゲン化物ポンプアウトを備える、方法。
適用例9:
適用例1の方法であって、前記プラズマ処理チャンバの前記洗浄は、さらに、前記フッ素含有プラズマ段階の後に、フッ素残留物ポンプアウト段階を備える、方法。
適用例10:
適用例1の方法であって、さらに、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階の後に、揮発性化学物質タイプ残留物ポンプアウト段階を備える、方法。
適用例11:
適用例1の方法であって、前記酸素含有プラズマ段階は、ルテニウム含有残留物を揮発させ、金属含有残留物(鉄またはコバルトなど)を酸化させる、方法。
適用例12:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
塩素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記塩素含有ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。
適用例13:
適用例12の方法であって、前記塩素含有ガスは、(i)Cl 2 、BCl 3 、TiCl 4 、SiCl 4 、SiHCl 3 、SiH 2 Cl 2 、SiH 3 Cl、または、PF 3 、もしくは、それらの任意の組み合わせと、(ii)PCl 3 と、を含む、方法。
適用例14:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
前記プラズマ処理チャンバを少なくとも100℃の温度に加熱する工程と、
リガンド蒸気を前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
を備え、
前記リガンド蒸気は、少なくとも1つの金属含有残留物とリガンド錯体を形成し、前記リガンド錯体は、少なくとも100℃の温度で揮発する、方法。
適用例15:
適用例14の方法であって、前記リガンド蒸気は、acac、hfac、金属アセチルアセトネート、および、アミジン、の内の少なくとも1つを含む、方法。
適用例16:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
CO、H 2 O、MeOH、または、ギ酸、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む揮発性化学物質ガスを、前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記揮発性化学物質ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。
適用例17:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
CO、H 2 O、NH 3 、メタノール(MeOH)、または、ギ酸、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む揮発性化学物質ガスを、前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記揮発性化学物質ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。
適用例18:
適用例1の方法であって、前記酸素含有ガスは、O 2 、O 3 、CO、CO 2 、または、H 2 O、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む、方法。
適用例19:
適用例1の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、少なくとも1つの金属含有残留物を揮発させる、方法。
適用例20:
適用例1の方法であって、前記フッ素含有ガスは、NF 3 、SF 6 、または、CF 4 、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む、方法。
適用例21:
プラズマ処理チャンバ内で複数の処理ウエハを処理するための方法であって、複数のサイクルを備え、各サイクルは、
a)前記プラズマ処理チャンバ内で前記複数の処理ウエハの内の1つの処理ウエハを処理する工程と、
b)前記プラズマ処理チャンバを洗浄する工程であって、
i)酸素含有プラズマ段階、
ii)揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階、および、
iii)フッ素含有プラズマ段階を備える、工程と、
を備える、方法。
適用例22:
適用例21の方法であって、さらに、前記プラズマ処理チャンバから前記処理ウエハを取り出す工程を備える、方法。
適用例23:
適用例21の方法であって、さらに、前記プラズマ処理チャンバ内にカバーを配置する工程を備える、方法。
Claims (23)
- プラズマ処理チャンバを洗浄するための方法であって、1または複数のサイクルを備え、各サイクルは、
i)酸素含有プラズマ洗浄段階を実行する工程と、
ii)揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階を実行する工程と、
iii)フッ素含有プラズマ洗浄段階を実行する工程と、
を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記洗浄は、前記プラズマ処理チャンバ内で第1ウエハを処理した後で、前記プラズマ処理チャンバ内で第2ウエハを処理する前に実行される、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、カバーが、前記洗浄前に前記プラズマ処理チャンバ内に配置される、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記酸素含有プラズマ洗浄段階は、酸素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、前記酸素含有ガスをプラズマ化する工程と、を備える、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記フッ素含有プラズマ洗浄段階は、フッ素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、前記フッ素含有ガスをプラズマ化する工程と、を備える、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバの前記洗浄は、さらに、前記フッ素含有プラズマ洗浄段階の後に、金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階を備える、方法。
- 請求項6に記載の方法であって、前記金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階は、
水素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記水素含有ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。 - 請求項6に記載の方法であって、前記金属ハロゲン化物タイプ残留物洗浄段階は、さらに、金属ハロゲン化物ポンプアウトを備える、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバの前記洗浄は、さらに、前記フッ素含有プラズマ洗浄段階の後に、フッ素残留物ポンプアウト段階を備える、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階の後に、揮発性化学物質タイプ残留物ポンプアウト段階を備える、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記酸素含有プラズマ洗浄段階は、ルテニウム含有残留物を揮発させ、金属含有残留物(鉄またはコバルトなど)を酸化させる、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
塩素含有ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記塩素含有ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、前記塩素含有ガスは、(i)Cl2、BCl3、TiCl4、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、または、PF3、もしくは、それらの任意の組み合わせと、(ii)PCl3と、を含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
前記プラズマ処理チャンバを少なくとも100℃の温度に加熱する工程と、
リガンド蒸気を前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
を備え、
前記リガンド蒸気は、少なくとも1つの金属含有残留物とリガンド錯体を形成し、前記リガンド錯体は、少なくとも100℃の温度で揮発する、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、前記リガンド蒸気は、acac、hfac、金属アセチルアセトネート、および、アミジン、の内の少なくとも1つを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
CO、H2O、MeOH、または、ギ酸、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む揮発性化学物質ガスを、前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記揮発性化学物質ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、
CO、H2O、NH3、メタノール(MeOH)、または、ギ酸、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む揮発性化学物質ガスを、前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
前記揮発性化学物質ガスをプラズマ化する工程と、
を備える、方法。 - 請求項4に記載の方法であって、前記酸素含有ガスは、O2、O3、CO、CO2、または、H2O、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階は、少なくとも1つの金属含有残留物を揮発させる、方法。
- 請求項5に記載の方法であって、前記フッ素含有ガスは、NF3、SF6、または、CF4、もしくは、それらの任意の組み合わせを含む、方法。
- プラズマ処理チャンバ内で複数の処理ウエハを処理するための方法であって、複数のサイクルを備え、各サイクルは、
a)前記プラズマ処理チャンバ内で前記複数の処理ウエハの内の1つの処理ウエハを処理する工程と、
b)前記プラズマ処理チャンバを洗浄する工程であって、
i)酸素含有プラズマ段階、
ii)揮発性化学物質タイプ残留物洗浄段階、および、
iii)フッ素含有プラズマ段階を備える、工程と、
を備える、方法。 - 請求項21に記載の方法であって、さらに、前記プラズマ処理チャンバから前記処理ウエハを取り出す工程を備える、方法。
- 請求項21に記載の方法であって、さらに、前記プラズマ処理チャンバ内にカバーを配置する工程を備える、方法。
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