JPWO2021166762A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2021166762A5
JPWO2021166762A5 JP2022501834A JP2022501834A JPWO2021166762A5 JP WO2021166762 A5 JPWO2021166762 A5 JP WO2021166762A5 JP 2022501834 A JP2022501834 A JP 2022501834A JP 2022501834 A JP2022501834 A JP 2022501834A JP WO2021166762 A5 JPWO2021166762 A5 JP WO2021166762A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
peak
endothermic
reaction
range
exothermic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022501834A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2021166762A1 (https=
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2021/004956 external-priority patent/WO2021166762A1/ja
Publication of JPWO2021166762A1 publication Critical patent/JPWO2021166762A1/ja
Publication of JPWO2021166762A5 publication Critical patent/JPWO2021166762A5/ja
Priority to JP2024208568A priority Critical patent/JP2025027095A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2022501834A 2020-02-17 2021-02-10 Pending JPWO2021166762A1 (https=)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024208568A JP2025027095A (ja) 2020-02-17 2024-11-29 接合体の製造方法およびセラミックス回路基板の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020024184 2020-02-17
PCT/JP2021/004956 WO2021166762A1 (ja) 2020-02-17 2021-02-10 ろう材、接合体、セラミックス回路基板、及び接合体の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024208568A Division JP2025027095A (ja) 2020-02-17 2024-11-29 接合体の製造方法およびセラミックス回路基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2021166762A1 JPWO2021166762A1 (https=) 2021-08-26
JPWO2021166762A5 true JPWO2021166762A5 (https=) 2022-10-19

Family

ID=77390793

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022501834A Pending JPWO2021166762A1 (https=) 2020-02-17 2021-02-10
JP2024208568A Pending JP2025027095A (ja) 2020-02-17 2024-11-29 接合体の製造方法およびセラミックス回路基板の製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024208568A Pending JP2025027095A (ja) 2020-02-17 2024-11-29 接合体の製造方法およびセラミックス回路基板の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12343820B2 (https=)
EP (1) EP4108377A4 (https=)
JP (2) JPWO2021166762A1 (https=)
CN (2) CN119501220A (https=)
WO (1) WO2021166762A1 (https=)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7717699B6 (ja) * 2020-07-27 2025-08-27 株式会社東芝 接合体、回路基板、半導体装置、及び接合体の製造方法
CN121042767B (zh) * 2025-11-03 2026-03-17 广州坤江汽车配件工业制造有限公司 一种用于钎焊工艺的高硅钎焊剂及其制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214076A (en) 1975-07-24 1977-02-02 Sharp Corp Washing machine
DE3635369A1 (de) * 1986-10-17 1988-04-28 Degussa Verfahren zum beschichten von oberflaechen mit hartstoffen
JPH04305073A (ja) * 1991-03-29 1992-10-28 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk セラミックス接合用ろう材
JP3222514B2 (ja) * 1991-11-19 2001-10-29 福田金属箔粉工業株式会社 セラミックスと金属の接合用ペースト組成物
JPH0782050A (ja) * 1993-09-14 1995-03-28 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk セラミックスと金属の接合方法
JP4077888B2 (ja) * 1995-07-21 2008-04-23 株式会社東芝 セラミックス回路基板
JPH11130555A (ja) * 1997-10-28 1999-05-18 Kyocera Corp セラミックス−銅接合用ろう材
JP5016756B2 (ja) * 2001-07-19 2012-09-05 東芝マテリアル株式会社 窒化物系セラミックス部材と金属部材の接合体およびそれを用いた窒化物系セラミックス回路基板
JP4812985B2 (ja) * 2001-08-23 2011-11-09 電気化学工業株式会社 セラミック体と銅板の接合方法
JP4168114B2 (ja) * 2001-09-28 2008-10-22 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 金属−セラミックス接合体
US8241436B2 (en) * 2005-04-01 2012-08-14 Asahi Kasei Emd Corporation Conductive filler and solder material
CN101332545A (zh) * 2008-06-23 2008-12-31 哈尔滨工业大学 活性钎料及其制备方法
US9012783B2 (en) * 2009-05-27 2015-04-21 Kyocera Corporation Heat dissipation base and electronic device
JP5743503B2 (ja) * 2010-11-29 2015-07-01 京セラ株式会社 ろう材およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置
JP6100501B2 (ja) * 2012-10-31 2017-03-22 デンカ株式会社 セラミック回路基板および製造方法
JP2014091673A (ja) * 2012-11-07 2014-05-19 Denki Kagaku Kogyo Kk 窒化物系セラミックス回路基板
JP6127833B2 (ja) * 2013-08-26 2017-05-17 三菱マテリアル株式会社 接合体の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法
JP5720839B2 (ja) 2013-08-26 2015-05-20 三菱マテリアル株式会社 接合体及びパワーモジュール用基板
EP3053899B1 (en) * 2013-09-30 2019-11-06 Mitsubishi Materials Corporation Cu/ceramic bonded body, method for manufacturing cu/ceramic bonded body, and power module substrate
EP3358614B1 (en) * 2015-09-28 2022-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate and semiconductor device
EP3492441B1 (en) * 2016-07-28 2024-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Joined body, circuit board and semiconductor device
KR102516917B1 (ko) 2017-04-25 2023-03-31 덴카 주식회사 세라믹스 회로 기판 및 그 제조 방법과 그것을 사용한 모듈
WO2019022133A1 (ja) * 2017-07-25 2019-01-31 デンカ株式会社 セラミックス回路基板及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2021166762A5 (https=)
Kim et al. Thermal decomposition behavior of calcium borohydride Ca (BH4) 2
Zhao et al. Tunable Metal‐Hydrogen Bonding in Cu‐Ru Catalysts Enables Selective Hydrogen Storage Reactions in Mg‐Based Composite
JP6367477B2 (ja) 水素発生材料のＣａＭｇ２系合金水素化物およびその調製方法、並びにその応用
CN109321210A (zh) 一种制备金属包壳高温相变储热微胶囊的方法以及由此得到的储热微胶囊
Wohlwend et al. Effects of titanium-containing additives on the dehydrogenation properties of LiAlH4: A computational and experimental study
JP2009544553A (ja) シランの熱変換による水素及びエネルギーの獲得
Ekimov et al. A new orthorhombic boron phase B51. 5–52 obtained by dehydrogenation of “α-tetragonal boron”
CN110791671B (zh) 一种Al-Ti-C-SiC复合材料及其制备方法
JP6725096B2 (ja) シリコン系溶融組成物およびこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法
Singh et al. Hydrogen vacancies facilitate hydrogen transport kinetics in sodium hydride nanocrystallites
Klaveness et al. Formation enthalpies of NaMgH3 and KMgH3: A computational study
Choi et al. Reaction mechanisms in the Li3AlH6/LiBH4 and Al/LiBH4 systems for reversible hydrogen storage. Part 1: H capacity and role of Al
Phung et al. Atomic layer deposition of Ruthenium on a titanium nitride surface: A density functional theory study
Marashdeh et al. NaAlH4 clusters with two titanium atoms added
CN111039314A (zh) 一种中温钎焊材料氟铝酸铯的制备方法
Maj et al. Theoretical design of catalysts for the heterolytic splitting of H2
Paduani et al. A DFT study on the hydrogen desorption from the lithium borohydride and aluminohydride upon the addition of nanostructured carbon catalyzing agent
US9663360B2 (en) Obtaining a solid form containing heat-stabilized borazane, said solid form, and the use thereof for generating hydrogen
US4324777A (en) Material and method to dissociate water at controlled rates
JP3620645B2 (ja) ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム誘導体の製造方法及びその製造方法により製造されるビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム誘導体並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の製造方法
Bratanich et al. Phase transformations in Ti2Cu under destructive hydrogenation and recombination
WO2006103930A1 (ja) 窒化アルミニウム含有物の製造方法
JPH0343203B2 (https=)
JPS58135103A (ja) 水の分解法