JPWO2021158269A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. キュービットデバイスであって、
   基材上に固定化されたナノ結晶と、
   前記ナノ結晶の下面と接触しているか、またはそれと並置されたバック電極と、
   前記ナノ結晶中の電子電流を測定するように構成された電子電流検知手段と、を含み、
   前記ナノ結晶が、前記ナノ結晶と関連付けられた電子電流の重ね合わせ状態または基底状態を有し、
   前記ナノ結晶が、電荷対対称性を含み、前記電子電流が、前記ナノ結晶の上面と下面とを分離する晶癖面内で、時計回りの、反時計回りの、またはその両方の方向に移動し、
   前記電子電流が前記電子電流検知手段によって測定されるまで前記電子電流が未知であるように、前記ナノ結晶中の前記電流を、前記バック電極を使用して重ね合わせの状態にすることができ、
   前記ナノ結晶中の前記電子電流の前記方向を、前記電子電流検知手段によって検知して、論理ゼロまたは論理１に対応するバイナリ出力を産生することができる、キュービットデバイス。
2. 前記電子電流検知手段が、
   前記ナノ結晶の上面上の第１の場所と接触しているか、またはそれと並置された第１の電極と、
   前記ナノ結晶の上面上の第２の場所と接触しているか、またはそれと並置された第２の電極と、を含み、
   前記第１および第２の電極が、前記電子電流の方向を検知するように構成されている、請求項１に記載のキュービットデバイス。
3. 前記ナノ結晶が、遷移金属ジカルコゲニド（ＴＭＤ）を含む、請求項１に記載のキュービットデバイス。
4. 前記ナノ結晶の中央の外縁部に沿って形成された金属ドーパントナノ粒子をさらに含み、前記金属が、銅、銀、金、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項３に記載のキュービットデバイス。
5. 前記重ね合わせ状態が、－８０℃～２５℃の温度で前記基底状態から生成される、請求項１に記載のキュービットデバイス。
6. 前記ナノ結晶と接触しているか、またはそれと並置されて、コントローラおよび／または検知素子との機能的接続を提供する、２つ以上の追加の電気リードをさらに含む、請求項１に記載のキュービットデバイス。
7. 請求項１に記載の複数のキュービットデバイスを含む量子レジスタであって、前記キュービットデバイスが、前記キュービットの電荷量子間の結合を介して量子エンタングルし、前記キュービットデバイスが、直接物理的には接続されていない、量子レジスタ。