JPWO2021099880A5

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Publication number: JPWO2021099880A5
Application number: JP2021558029A
Authority: JP
Filing date: 2020-11-09
Publication date: 2023-11-14

Claims

トランジスタ、発光ダイオード、第１の導電層、第２の導電層、第１乃至第５の絶縁層を有し、
前記トランジスタは、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層は、前記トランジスタ上に位置し、
前記第１の絶縁層は、前記トランジスタ上に位置し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層上に位置し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層上に位置し、
前記第３の絶縁層は、前記トランジスタと前記第１の絶縁層との間に位置し、
前記第４の絶縁層は、前記発光ダイオードと前記第２の絶縁層との間に位置し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、それぞれ、酸化シリコン膜を有し、
前記第３の絶縁層及び前記第４の絶縁層は、それぞれ、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、及び、窒化シリコン膜のうち少なくとも一つを有し、
前記トランジスタは、金属酸化物層、及びゲート電極を有し、
前記金属酸化物層は、チャネル形成領域を有し、
前記ゲート電極の上面の高さは、前記第５の絶縁層の上面の高さと概略一致しており、
前記発光ダイオードは、前記第２の絶縁層上の第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記発光層上の第２の電極と、を有し、
前記第２の電極は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層の前記第２の導電層側の面の高さは、前記第１の絶縁層の前記第２の絶縁層側の面の高さと概略一致し、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とは、直接接合しており、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層の開口内部に位置し、かつ、前記第１の導電層と電気的に接続されている、表示装置。
トランジスタ、発光ダイオード、第１の導電層、第２の導電層、第１乃至第５の絶縁層を有し、
前記トランジスタは、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層は、前記トランジスタ上に位置し、
前記第１の絶縁層は、前記トランジスタ上に位置し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層上に位置し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層上に位置し、
前記第３の絶縁層は、前記トランジスタと前記第１の絶縁層との間に位置し、
前記第４の絶縁層は、前記発光ダイオードと前記第２の絶縁層との間に位置し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、それぞれ、酸化シリコン膜を有し、
前記第３の絶縁層及び前記第４の絶縁層は、それぞれ、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、及び、窒化シリコン膜のうち少なくとも一つを有し、
前記トランジスタは、金属酸化物層、ゲート絶縁層、ゲート電極、第３の導電層、及び第４の導電層を有し、
前記金属酸化物層は、チャネル形成領域を有し、
前記金属酸化物層は、前記第３の導電層と重なる第１の領域と、前記第４の導電層と重なる第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間の第３の領域と、を有し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、前記金属酸化物層上に互いに離間して位置し、
前記第５の絶縁層は、前記第３の導電層上及び前記第４の導電層上に位置し、
前記第５の絶縁層は、前記第３の領域と重なる開口を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記開口の内側に位置し、かつ、前記第５の絶縁層の側面及び前記第３の領域の上面と重なり、
前記ゲート電極は、前記開口の内側に位置し、かつ、前記ゲート絶縁層を介して、前記第５の絶縁層の側面及び前記第３の領域の上面と重なる領域を有し、
前記発光ダイオードは、前記第２の絶縁層上の第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記発光層上の第２の電極と、を有し、
前記第２の電極は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層の前記第２の導電層側の面の高さは、前記第１の絶縁層の前記第２の絶縁層側の面の高さと概略一致し、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とは、直接接合しており、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層の開口内部に位置し、かつ、前記第１の導電層と電気的に接続されている、表示装置。
請求項１又は２において、
さらに、駆動回路を有し、
前記駆動回路は、回路用トランジスタを有し、
前記回路用トランジスタは、半導体基板にチャネル形成領域を有し、
前記トランジスタ、前記発光ダイオード、前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第１の絶縁層、及び、前記第２の絶縁層は、それぞれ、前記半導体基板上に位置する、表示装置。
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記発光ダイオードは、マイクロ発光ダイオードである、表示装置。
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記発光ダイオードは、第１３族元素及び第１５族元素を含む化合物を有する、表示装置。
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記発光ダイオードは、窒化ガリウムを有する、表示装置。
請求項１乃至６のいずれか一において、
さらに、機能層を有し、
前記機能層は、前記発光ダイオード上に位置し、
前記発光ダイオードが発する光は、前記機能層を介して、前記表示装置の外部に取り出され、
前記機能層は、着色層及び色変換層の一方又は双方を有する、表示装置。
請求項１乃至７のいずれか一に記載の表示装置と、
光学部材と、
フレームと、
筐体と、を有し、
前記筐体は、タッチセンサを有する、電子機器。
請求項１乃至８のいずれか一に記載の表示装置と、
コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。
請求項９に記載の表示モジュールと、
アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、及び操作ボタンのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。
第１の基板上に、複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタ上に、それぞれ前記複数のトランジスタの少なくとも一つと電気的に接続される複数の第１の導電層を形成し、
前記複数のトランジスタ上に、第１の絶縁層を形成し、
第２の基板上に、導電膜、第１の半導体膜、発光体、第２の半導体膜、及び、第２の絶縁層を、この順で形成し、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とを直接接合させることで、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせ、
前記第２の基板を前記第１の基板から剥離し、
前記導電膜、前記第１の半導体膜、前記発光体、及び、前記第２の半導体膜を加工することで、複数の第１の電極、複数の第１の半導体層、複数の発光層、及び、複数の第２の半導体層をマトリクス状に形成し、
前記第２の絶縁層に、それぞれ前記複数の第１の導電層の少なくとも一つに達する、複数の開口を形成し、
それぞれ前記複数の開口の少なくとも一つの内部に位置する、複数の第２の導電層を形成し、
それぞれ、前記複数の第２の半導体層の少なくとも一つ、及び、前記複数の第２の導電層の少なくとも一つと電気的に接続される、複数の第２の電極を形成することで、複数の発光ダイオードを形成する、表示装置の作製方法。
請求項１１において、
前記複数のトランジスタを形成する工程には、少なくとも１回の平坦化処理を用いる、表示装置の作製方法。
請求項１１または１２において、
第３の基板上に、着色層、色変換層、及びタッチセンサのうち少なくとも一つを形成し、
前記複数の発光ダイオード上に、前記第３の基板を貼り合わせる、表示装置の作製方法。
請求項１１または１２において、
前記複数の発光ダイオードの少なくとも一つの上に、着色層、色変換層、及びタッチセンサのうち少なくとも一つを形成する、表示装置の作製方法。
請求項１１乃至１４のいずれか一において、
前記複数の発光ダイオードの少なくとも一つは、マイクロ発光ダイオードである、表示装置の作製方法。
請求項１１乃至１５のいずれか一において、
前記複数のトランジスタの少なくとも一つは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する、表示装置の作製方法。
請求項１１乃至１６のいずれか一において、
前記複数のトランジスタの少なくとも一つは、チャネル形成領域にシリコンを有する、表示装置の作製方法。