JPWO2021096155A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2021096155A5
JPWO2021096155A5 JP2022554168A JP2022554168A JPWO2021096155A5 JP WO2021096155 A5 JPWO2021096155 A5 JP WO2021096155A5 JP 2022554168 A JP2022554168 A JP 2022554168A JP 2022554168 A JP2022554168 A JP 2022554168A JP WO2021096155 A5 JPWO2021096155 A5 JP WO2021096155A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
substrate surface
dimethylamino
group
carbon atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022554168A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2023502179A (ja
Publication date
Priority claimed from KR1020200145671A external-priority patent/KR20210056910A/ko
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/KR2020/015361 external-priority patent/WO2021096155A1/ko
Publication of JP2023502179A publication Critical patent/JP2023502179A/ja
Publication of JPWO2021096155A5 publication Critical patent/JPWO2021096155A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2022554168A 2019-11-11 2020-11-05 原子層蒸着および化学気相蒸着用基板表面改質剤およびこれを利用した基板表面の改質方法 Pending JP2023502179A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20190143703 2019-11-11
KR10-2019-0143703 2019-11-11
KR1020200145671A KR20210056910A (ko) 2019-11-11 2020-11-04 원자층 증착 및 기상 증착용 기판 표면 개질제 및 이를 이용한 기판 표면의 개질 방법
KR10-2020-0145671 2020-11-04
PCT/KR2020/015361 WO2021096155A1 (ko) 2019-11-11 2020-11-05 원자층 증착 및 기상 증착용 기판 표면 개질제 및 이를 이용한 기판 표면의 개질 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023502179A JP2023502179A (ja) 2023-01-20
JPWO2021096155A5 true JPWO2021096155A5 (ko) 2023-11-09

Family

ID=76142900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022554168A Pending JP2023502179A (ja) 2019-11-11 2020-11-05 原子層蒸着および化学気相蒸着用基板表面改質剤およびこれを利用した基板表面の改質方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220259722A1 (ko)
JP (1) JP2023502179A (ko)
KR (1) KR20210056910A (ko)
TW (1) TW202118769A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024047283A (ja) * 2022-09-26 2024-04-05 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11735422B2 (en) Method of forming a photoresist underlayer and structure including same
JP7320544B2 (ja) Si含有膜形成組成物およびその使用方法
JP6466897B2 (ja) 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法
TWI722301B (zh) 在金屬材料表面上沉積阻擋層的方法
KR102188750B1 (ko) 콘포말한 금속 또는 메탈로이드 실리콘 니트라이드 막을 증착시키는 방법 및 얻어진 막
JP6864086B2 (ja) 酸化ケイ素膜の堆積のための組成物及び方法
KR101582773B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
TWI623543B (zh) 含硼化合物、組合物及含硼膜的沉積方法
JP6730429B2 (ja) コンフォーマルな金属又はメタロイド窒化ケイ素膜の堆積方法
KR20080050510A (ko) 배치 ald 반응기에 대한 처리 공정
KR101398334B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR20140034071A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
SG183291A1 (en) VAPOR DEPOSITION METHODS OF SiCOH LOW-K FILMS
JP2015103729A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
TW202118769A (zh) 用於原子層沉積和氣相沉積的基板表面改質劑及利用該改質劑的基板表面改質方法
JPWO2021096155A5 (ko)
TWI700385B (zh) 製備薄膜的方法
US20220216059A1 (en) Method of treating a substrate
TWI798765B (zh) 用於鍺種子層的組合物及使用其的方法
JP2024027734A (ja) 酸化物表面への窒化膜形成の阻害剤、酸化物表面への窒化膜形成の阻害方法、及び、窒化物表面と酸化物表面とが混在した表面における窒化物表面への選択的な窒化膜の形成方法