JPWO2021067357A5 - - Google Patents

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Claims (23)

基板上に形成された少なくとも1つのメサと、
前記少なくとも1つのメサの少なくとも上部を覆う微小レンズ層から形成された微小レンズであって、
前記微小レンズ層の材料が、前記少なくとも1つのメサの材料とは異なり、
前記微小レンズ層は、前記少なくとも1つのメサに直接物理的に接触している、微小レンズと、
を含む、発光ピクセルユニット。
at least one mesa formed on the substrate;
A microlens formed from a microlens layer covering at least an upper portion of the at least one mesa, the microlens comprising:
The material of the microlens layer is different from the material of the at least one mesa,
the microlens layer is in direct physical contact with the at least one mesa;
including a light-emitting pixel unit.
前記微小レンズが、前記少なくとも1つのメサの前記上部の周りに個々に形成されている、請求項1に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit of claim 1, wherein the microlenses are individually formed around the top of the at least one mesa. 前記少なくとも1つのメサと前記微小レンズとの間に、同じ前記微小レンズ層からスペーサが形成されている、請求項1又は2に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit according to claim 1 or 2, wherein a spacer is formed between the at least one mesa and the microlens from the same microlens layer. 前記スペーサの材料が、前記微小レンズの材料と同じである、請求項3に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit according to claim 3, wherein the material of the spacer is the same as the material of the microlens. 前記微小レンズが誘電材料で構成される、請求項1に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit according to claim 1, wherein the microlens is made of dielectric material. 前記微小レンズの材料がフォトレジストである、請求項1に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit according to claim 1, wherein the material of the microlens is a photoresist. 前記微小レンズの高さが2マイクロメートル以下である、請求項1に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit according to claim 1, wherein the height of the microlens is 2 micrometers or less. 前記微小レンズの幅が4マイクロメートル以下である、請求項1に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit according to claim 1, wherein the width of the microlens is 4 micrometers or less. 前記基板上で、前記少なくとも1つのメサが、メサアレイのマトリックス内にあり、前記微小レンズが、前記メサアレイの配置に従って配置された微小レンズアレイのマトリックス内にある、請求項1に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit of claim 1, wherein on the substrate, the at least one mesa is in a matrix of mesa arrays, and the microlenses are in a matrix of microlens arrays arranged according to the arrangement of the mesa arrays. . 前記少なくとも1つのメサの前記上部が平坦であり、前記微小レンズの形状が半球である、請求項1に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit according to claim 1, wherein the upper part of the at least one mesa is flat and the shape of the microlens is hemispherical. 前記少なくとも1つのメサが少なくとも発光デバイスを含む、請求項1に記載の発光ピクセルユニット。 The light emitting pixel unit of claim 1, wherein the at least one mesa includes at least a light emitting device. 基板を設けることと、
前記基板上に少なくとも1つのメサを形成することと、
前記少なくとも1つのメサの少なくとも上部に微小レンズ材料層を直接堆積させることであって、前記微小レンズ材料層は、前記少なくとも1つのメサの形状に適合し、前記少なくとも1つのメサ上に半球の形状を有することと、
を含む、発光ピクセルユニットを製造する方法。
Providing a substrate;
forming at least one mesa on the substrate;
directly depositing a layer of microlens material on at least the top of the at least one mesa, the layer of microlens material conforming to the shape of the at least one mesa and depositing a hemispherical shape on the at least one mesa; and
A method of manufacturing a light emitting pixel unit, comprising:
前記微小レンズ材料層が化学蒸着技術により堆積される、請求項12に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。 13. The method of manufacturing a light emitting pixel unit according to claim 12, wherein the layer of microlens material is deposited by chemical vapor deposition techniques. 前記基板の電極領域を露出させるために前記微小レンズ材料層をパターニングすることを更に含む、請求項12に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。 13. The method of manufacturing a light emitting pixel unit according to claim 12, further comprising patterning the microlens material layer to expose electrode areas of the substrate. 前記パターニングすることが、
微小レンズ材料の表面上にマスクを形成することと、
フォトリソグラフィプロセスによって前記マスクをパターニングして前記マスクに開口部を形成し、前記少なくとも1つのメサの前記電極領域の上の前記微小レンズ材料層を露出させることと、
所定位置にマスク保護がなされた状態で、前記開口部により露出された前記微小レンズ材料層の一部分をエッチングすることと、
を更に含む、請求項14に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。
The patterning may include:
forming a mask on the surface of the microlens material;
patterning the mask by a photolithographic process to form openings in the mask to expose the layer of microlens material above the electrode area of the at least one mesa;
etching a portion of the microlens material layer exposed by the opening with mask protection provided at a predetermined position;
The method of manufacturing a light emitting pixel unit according to claim 14, further comprising:
エッチングすることが、ウェットエッチング法である、請求項15に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。 The method of manufacturing a light emitting pixel unit according to claim 15, wherein the etching is a wet etching method. 基板を提供することと、
前記基板上に少なくとも1つのメサを形成することと、
前記少なくとも1つのメサの少なくとも上部に微小レンズ材料層を直接堆積させることであって、前記微小レンズ材料層は前記少なくとも1つのメサの前記上部を覆い、微小レンズ材料の上部表面は平坦である、ことと、
前記微小レンズ材料層を上から下にパターニングし、それにより、前記微小レンズ材料層を貫通することなく前記微小レンズ材料層に少なくとも半球を形成することであって、前記半球は前記少なくとも1つのメサの上に配置されていることと、
を含む、発光ピクセルユニットを製造する方法。
providing a substrate;
forming at least one mesa on the substrate;
directly depositing a layer of microlens material on at least the top of the at least one mesa, the layer of microlens material covering the top of the at least one mesa, and the top surface of the microlens material being flat; And,
patterning the microlens material layer from top to bottom, thereby forming at least a hemisphere in the microlens material layer without penetrating the microlens material layer, the hemisphere forming at least one hemisphere in the microlens material layer; be placed on top of the
A method of manufacturing a light emitting pixel unit, comprising:
前記微小レンズ材料層がスピンコーティングにより堆積される、請求項17に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。 18. The method of manufacturing a light emitting pixel unit according to claim 17, wherein the layer of microlens material is deposited by spin coating. 前記少なくとも1つのメサを形成した後、前記微小レンズ材料層を堆積する前に、パターニングプロセスにおいて前記微小レンズ材料層に位置合わせするためのマークを有するマーク層を形成することを更に含む、請求項17に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。 After forming the at least one mesa and before depositing the layer of microlens material, the method further comprises forming a mark layer having marks for aligning the layer of microlens material in a patterning process. 18. A method of manufacturing the light emitting pixel unit according to 17. 前記微小レンズ材料層をパターニングした後、前記基板の電極領域を露出させるために前記微小レンズ材料層をパターニングすることを更に含む、請求項17に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。 18. The method of manufacturing a light emitting pixel unit according to claim 17, further comprising patterning the microlens material layer to expose an electrode region of the substrate after patterning the microlens material layer. 前記微小レンズ材料層の前記表面上にマスク層を堆積することと、
前記マスク層をパターニングして、前記マスク層に半球パターンを形成することと、
前記半球パターンをマスクとして使用して、前記微小レンズ材料層をエッチングして、前記微小レンズ材料層内に半球を形成することと、
を更に含む、請求項17に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。
depositing a mask layer on the surface of the microlens material layer;
patterning the mask layer to form a hemispherical pattern in the mask layer;
etching the microlens material layer using the hemispherical pattern as a mask to form a hemisphere within the microlens material layer;
The method of manufacturing a light emitting pixel unit according to claim 17, further comprising:
前記微小レンズ材料層がエッチングされた後、前記微小レンズ材料層に、前記少なくとも1つのメサの上部表面を露出させる貫通するエッチングがなされておらず、それにより、前記少なくとも1つのメサの前記上部にスペーサが形成される、請求項21に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。 After the microlens material layer is etched, the microlens material layer is not etched through to expose the top surface of the at least one mesa, thereby causing the top surface of the at least one mesa to be etched. 22. The method of manufacturing a light emitting pixel unit according to claim 21, wherein spacers are formed. 前記マスク層が、最初にフォトリソグラフィプロセスにより、次いでリフロープロセスによりパターニングされる、請求項21のいずれか一項に記載の発光ピクセルユニットを製造する方法。 22. The method of manufacturing a light emitting pixel unit according to any one of claims 21 to 22, wherein the mask layer is first patterned by a photolithographic process and then by a reflow process.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210159373A1 (en) * 2019-11-22 2021-05-27 Facebook Technologies, Llc Light extraction for micro-leds
US11757074B2 (en) * 2020-06-12 2023-09-12 Apple Inc. Light-emitting diode display pixels with microlens stacks over light-emitting diodes
CN113219666A (en) * 2021-04-30 2021-08-06 歌尔股份有限公司 Optical module and head-mounted display device
US20230221479A1 (en) * 2022-01-13 2023-07-13 Google Llc Lenslet-based microled projectors
CN114420803A (en) * 2022-01-19 2022-04-29 深圳市思坦科技有限公司 Preparation method of Micro-LED display module, display module and display device
CN116504882A (en) * 2022-04-29 2023-07-28 福建兆元光电有限公司 Manufacturing method of Micro LED light projection chip for vehicle

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2962750B2 (en) 1989-12-28 1999-10-12 株式会社リコー Laser beam irradiation method in optical element manufacturing by laser CVD method
WO1999052647A1 (en) * 1998-04-16 1999-10-21 The University Of New Mexico Non-planar micro-optical structures
US6699729B1 (en) * 2002-10-25 2004-03-02 Omnivision International Holding Ltd Method of forming planar color filters in an image sensor
JP4127533B2 (en) * 2003-11-26 2008-07-30 株式会社リコー LIGHT EMITTING ELEMENT ARRAY, OPTICAL WRITE UNIT AND IMAGE FORMING APPARATUS PROVIDED WITH THE LIGHT EMITTING ELEMENT ARRAY, AND METHOD FOR PRODUCING THE LIGHT EMITTING ELEMENT ARRAY
US7029944B1 (en) * 2004-09-30 2006-04-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of forming a microlens array over a substrate employing a CMP stop
US20090020924A1 (en) * 2007-02-21 2009-01-22 Iowa State University Research Foundation, Inc. Drying-mediated self-assembly of ordered or hierarchically ordered micro- and sub-micro scale structures and their uses as multifunctional materials
KR20090061310A (en) * 2007-12-11 2009-06-16 주식회사 동부하이텍 Image sensor and method for manufacturing thereof
JP5429615B2 (en) * 2008-12-12 2014-02-26 Nltテクノロジー株式会社 Lens sheet and display panel
US9484504B2 (en) * 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
EP3916786A3 (en) * 2013-05-21 2022-03-09 Photonic Sensors & Algorithms, S.L. Monolithic integration of plenoptic lenses on photosensor substrates
JP6450965B2 (en) * 2014-10-07 2019-01-16 セイコーエプソン株式会社 Microlens array substrate, electro-optical device including microlens array substrate, and projection display device
KR102520955B1 (en) * 2015-08-31 2023-04-13 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device
DE102016116119B4 (en) * 2015-08-31 2021-03-18 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device
US10304811B2 (en) * 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
KR101739771B1 (en) * 2015-11-30 2017-05-26 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US10325791B1 (en) * 2017-12-13 2019-06-18 Facebook Technologies, Llc Formation of elastomeric layer on selective regions of light emitting device
CN109256455B (en) * 2018-09-19 2020-06-12 福州大学 Full-color Micro-LED display structure with light effect extraction and no pixel interference and manufacturing method thereof

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