JPWO2021054174A5

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Publication number: JPWO2021054174A5
Application number: JP2021546616A
Authority: JP
Filing date: 2020-09-07
Publication date: 2022-05-20
Anticipated expiration: 2040-09-07

Claims

条件１～３のいずれも満たし、液晶化合物が配向してコレステリック液晶相の状態となったコレステリック液晶層Ａを形成する工程Ｘと、
前記工程Ｘにより得られた前記コレステリック液晶層Ａ中の前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、前記コレステリック液晶層Ａの主面の法線方向に対する、前記コレステリック液晶層Ａ中の主面に垂直な断面において観察される前記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向の傾斜角を大きくする又は小さくする工程Ｙと、を有する、コレステリック液晶層の製造方法。
条件１：前記コレステリック液晶層Ａは、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有する。
条件２：前記液晶化合物の分子軸は、コレステリック液晶層Ａの両主面において、前記コレステリック液晶層Ａの主面に対して傾斜している。
条件３：走査型電子顕微鏡によって観察される前記コレステリック液晶層Ａの主面に垂直な断面において、前記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、前記コレステリック液晶層Ａの主面の法線に対して傾斜している。
前記コレステリック液晶層Ａがキラル剤を含み、
前記キラル剤が、光照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤、及び、温度変化により螺旋誘起力が変化するキラル剤からなる群より選ばれるいずれかのキラル剤を含み、
前記キラル剤が光照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤である場合、前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理が、前記コレステリック液晶層Ａに光照射を施す処理であり、
前記キラル剤が温度変化により螺旋誘起力が変化するキラル剤である場合、前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理が、前記コレステリック液晶層Ａに温度変化を施す処理である、請求項１に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
前記工程Ｘが、
液晶化合物及びキラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に下記条件４、下記条件５、又は下記条件６を満たす組成物層を形成する工程Ｘ１と、
前記組成物層に対して、前記組成物層中の前記液晶化合物をコレステリック配向させる処理を施して、前記コレステリック液晶層Ａを形成する工程Ｘ２と、を有する、請求項１又は２に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
条件４：前記組成物層中の前記液晶化合物の少なくとも一部が、前記基板面に対して、傾斜配向している
条件５：前記組成物層中の前記液晶化合物のチルト角が厚み方向に沿って連続的に変化するように、前記液晶化合物が配向している
条件６：前記組成物層中の前記液晶化合物の少なくとも一部が、前記基板面に対して、垂直配向している
前記工程Ｘ１の前記組成物層において、前記キラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が０．０～１．５μｍ^-1である、請求項３に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
前記液晶組成物は、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含み、
前記工程Ｘ２における前記液晶化合物をコレステリック配向させる処理が、前記組成物層に対して光照射を施す処理であり、
前記工程Ｙにおける前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理が、前記コレステリック液晶層Ａに光照射を施す処理である、請求項３又は４に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
前記液晶組成物が、２種の光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含み、
前記工程Ｘ２における光照射処理の光の波長と、前記工程Ｙにおける光照射処理の光の波長とが異なる、請求項５に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
前記液晶組成物が、光照射により螺旋誘起力が増加し始め、光照射を継続すると螺旋誘起力が減少する感光性キラル剤を含み、
前記工程Ｘ２における光照射処理の光の波長と、前記工程Ｙにおける光照射処理の光の波長とが同じである、請求項５に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
前記感光性キラル剤が、イソソルビド部分構造、イソマンニド部分構造、及びビナフチル部分構造からなる群より選ばれる部分構造を含む、請求項５～７のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
前記感光性キラル剤が、分子内に光異性化反応又は光二量化反応を示す二重結合を有する、請求項５～８のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
前記光異性化反応又は光二量化反応を示す二重結合が、シス構造である、請求項９に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
前記感光性キラル剤が、スチルベン、カルコン、及びシンナモイルからなる群より選ばれる部分構造を含む、請求項５～１０のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
前記工程Ｙにおいて前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大させる処理を実施した場合、前記コレステリック液晶層Ａの主面の法線方向に対する、前記コレステリック液晶相に由来する明部のなす線および暗部のなす線の配列方向の傾斜角は大きくなり、
前記工程Ｙにおいて前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小させる処理を実施した場合、前記コレステリック液晶層Ａの主面の法線方向に対する、前記コレステリック液晶相に由来する明部のなす線および暗部のなす線の配列方向の傾斜角は小さくなる、請求項１～１１のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
液晶化合物が配向してコレステリック液晶相の状態となったコレステリック液晶層であって、
前記コレステリック液晶層は、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有し、
前記液晶化合物の分子軸が、コレステリック液晶層の両主面において、前記コレステリック液晶層の主面に対して傾斜しており、且つ、
走査型電子顕微鏡によって観察される前記コレステリック液晶層の主面に垂直な断面において、前記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、前記コレステリック液晶層の主面の法線に対して、３１°以上傾斜している、コレステリック液晶層。
前記液晶配向パターンにおける、前記液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さを１周期Λとした際に、前記１周期Λが１μｍ以下である、請求項１３に記載のコレステリック液晶層。
前記１周期Λが０．５μｍ以下である、請求項１３又は１４に記載のコレステリック液晶層。
コレステリック液晶層の螺旋ピッチが、面内方向及び膜厚方向の少なくとも一方で変化している、請求項１３～１５のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層。
前記コレステリック液晶層が、更にキラル剤を含み、
前記キラル剤が、右螺旋を誘起するキラル化合物と、左螺旋を誘起するキラル化合物とを含む、請求項１３～１６のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層。
前記キラル剤が、イソソルビド部分構造、イソマンニド部分構造、及びビナフチル部分構造からなる群より選ばれる部分構造を含む、請求項１３～１７のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層。
前記コレステリック液晶層は、前記液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有する、請求項１３～１８のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層。
前記コレステリック液晶層の全体にわたって、前記液晶化合物の分子軸が同一の方向に傾斜配向する、請求項１９に記載のコレステリック液晶層。
請求項１３～２０のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層を含む光学異方体。
請求項１３～２０のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層を含む反射膜。