WO2021054174A1

WO2021054174A1 - コレステリック液晶層の製造方法、コレステリック液晶層、光学異方体、反射膜

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Publication number: WO2021054174A1
Application number: PCT/JP2020/033780
Authority: WO
Inventors: 啓祐小玉; 優子鈴木; 峻也加藤
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2019-09-20
Filing date: 2020-09-07
Publication date: 2021-03-25
Also published as: JPWO2021054174A1; US20220204850A1; JP7336530B2

Abstract

本発明の課題は、コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向の、コレステリック液晶層の主面の法線に対する傾斜角度を自在に制御できる、コレステリック液晶層の製造方法、コレステリック液晶層、光学異方体及び反射膜を提供することである。　本発明のコレステリック液晶層の製造方法は、条件１～３のいずれも満たし、液晶化合物が配向してコレステリック液晶相の状態となったコレステリック液晶層Ａを形成する工程Ｘと、工程Ｘにより得られたコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、コレステリック液晶層Ａの主面の法線方向に対する、コレステリック液晶層Ａ中の主面に垂直な断面において観察されるコレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向の傾斜角を大きくする又は小さくする工程Ｙと、を有する。

Description

コレステリック液晶層の製造方法、コレステリック液晶層、光学異方体、反射膜

　本発明は、コレステリック液晶層の製造方法、コレステリック液晶層、光学異方体、及び反射膜に関する。

　コレステリック液晶層は、特定の波長域において右円偏光及び左円偏光のいずれか一方を選択的に反射する性質を有する層として知られている。そのため、種々の用途へ展開されており、例えば、投影スクリーン等の投映像表示用部材（例えば、反射素子）として用いられている。
　また、昨今では、コレステリック液晶層に反射異方性を付与する試みもなされている。コレステリック液晶層が反射異方性を有する場合、例えば、コレステリック液晶層の法線方向から光が入射した場合、法線方向とは異なる方向に反射する。

　このような反射異方性を有する光学素子として、例えば、特許文献１では、「第１の円盤状液晶化合物を含む液晶組成物の硬化層である第１の光学異方性層を備え、上記第１の円盤状液晶化合物の光学軸が、上記第１の光学異方性層の面に平行であり、且つ、該第１の光学異方性層が、該第１の光学異方性層の面内の少なくとも一方向に沿って配列された液晶配向パターンであって、上記第１の円盤状液晶化合物の上記光学軸の向きが、連続的に回転変化した液晶配向パターンを有し、上記光学軸の向きが０．５μｍ～５μｍの周期で１８０°回転している光学素子。」を開示している。なお、特許文献１には、上記第１の光学異方性層において、上記第１の円盤状液晶化合物が厚み方向にコレステリック配向している（すなわち第１の光学異方性層がコレステリック液晶層である）ことが開示されている。

国際公開第２０１９/０９３２２８号

　一方で、従来技術においては、コレステリック液晶層におけるコレステリック液晶相に由来する反射面とコレステリック液晶層の主面とのなす角度（言い換えると、走査型電子顕微鏡によって観察されるコレステリック液晶層の主面に垂直な断面において、コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向の、コレステリック液晶層の主面の法線に対する傾斜角度）を簡便に制御できる方法はなかった。上記角度を容易に制御できれば、反射光が出射される角度を自在に制御できるため、各種用途への応用がしやすくなる。
　また、本発明者らは、特許文献１に記載された光学素子（コレステリック液晶層）について検討したところ、上記コレステリック液晶層で反射する光（反射光）の円偏光度をより一層高める余地があることを知見した。

　本発明は、走査型電子顕微鏡によって観察されるコレステリック液晶層の主面に垂直な断面において、コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向の、コレステリック液晶層の主面の法線に対する傾斜角度を自在に制御できる、コレステリック液晶層の製造方法を提供することを課題とする。
　また、本発明は、反射光の円偏光度がより高いコレステリック液晶層を提供することも課題とする。
　また、本発明は、反射光の円偏光度がより高いコレステリック液晶層を含む光学異方体及び反射膜を提供することも課題とする。

　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見いだした。

　〔１〕　条件１～３のいずれも満たし、液晶化合物が配向してコレステリック液晶相の状態となったコレステリック液晶層Ａを形成する工程Ｘと、
　上記工程Ｘにより得られた上記コレステリック液晶層Ａ中の上記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、上記コレステリック液晶層Ａの主面の法線方向に対する、上記コレステリック液晶層Ａ中の主面に垂直な断面において観察される上記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向の傾斜角を大きくする又は小さくする工程Ｙと、を有する、コレステリック液晶層の製造方法。
条件１：上記コレステリック液晶層Ａは、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有する。
条件２：上記液晶化合物の分子軸は、コレステリック液晶層Ａの両主面において、上記コレステリック液晶層Ａの主面に対して傾斜している。
条件３：走査型電子顕微鏡によって観察される上記コレステリック液晶層Ａの主面に垂直な断面において、上記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、上記コレステリック液晶層Ａの主面の法線に対して傾斜している。
　〔２〕　上記コレステリック液晶層Ａがキラル剤を含み、
　上記キラル剤が、光照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤、及び、温度変化により螺旋誘起力が変化するキラル剤からなる群より選ばれるいずれかのキラル剤を含み、
　上記キラル剤が光照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤である場合、上記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理が、上記コレステリック液晶層Ａに光照射を施す処理であり、
　上記キラル剤が温度変化により螺旋誘起力が変化するキラル剤である場合、上記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理が、上記コレステリック液晶層Ａに温度変化を施す処理である、〔１〕に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔３〕　上記工程Ｘが、
　液晶化合物及びキラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に下記条件４、下記条件５、又は下記条件６を満たす組成物層を形成する工程Ｘ１と、
　上記組成物層に対して、上記組成物層中の上記液晶化合物をコレステリック配向させる処理を施して、上記コレステリック液晶層Ａを形成する工程Ｘ２と、を有する、〔１〕又は〔２〕に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　条件４：上記組成物層中の上記液晶化合物の少なくとも一部が、上記基板面に対して、傾斜配向している
　条件５：上記組成物層中の上記液晶化合物のチルト角が厚み方向に沿って連続的に変化するように、上記液晶化合物が配向している
　条件６：上記組成物層中の上記液晶化合物の少なくとも一部が、上記基板面に対して、垂直配向している
　〔４〕　上記工程Ｘ１の上記組成物層において、上記キラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が０．０～１．５μｍ^-1である、〔３〕に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔５〕　上記液晶組成物は、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含み、
　上記工程Ｘ２における上記液晶化合物をコレステリック配向させる処理が、上記組成物層に対して光照射を施す処理であり、
　上記工程Ｙにおける上記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理が、上記コレステリック液晶層Ａに光照射を施す処理である、〔３〕又は〔４〕に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔６〕　上記液晶組成物が、２種の光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含み、
　上記工程Ｘ２における光照射処理の光の波長と、上記工程Ｙにおける光照射処理の光の波長とが異なる、〔５〕に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔７〕　上記液晶組成物が、光照射により螺旋誘起力が増加し始め、光照射を継続すると螺旋誘起力が減少する感光性キラル剤を含み、
　上記工程Ｘ２における光照射処理の光の波長と、上記工程Ｙにおける光照射処理の光の波長とが同じである、〔５〕に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔８〕　上記感光性キラル剤が、イソソルビド部分構造、イソマンニド部分構造、及びビナフチル部分構造からなる群より選ばれる部分構造を含む、〔５〕～〔７〕のいずれかに記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔９〕　上記感光性キラル剤が、分子内に光異性化反応又は光二量化反応を示す二重結合を有する、〔５〕～〔８〕のいずれかに記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔１０〕　上記光異性化反応又は光二量化反応を示す二重結合が、シス構造である、〔９〕に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔１１〕　上記感光性キラル剤が、スチルベン、カルコン、及びシンナモイルからなる群より選ばれる部分構造を含む、〔５〕～〔１０〕のいずれかに記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔１２〕　液晶化合物が配向してコレステリック液晶相の状態となったコレステリック液晶層であって、
　上記コレステリック液晶層は、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有し、
　上記液晶化合物の分子軸が、コレステリック液晶層の両主面において、上記コレステリック液晶層の主面に対して傾斜しており、且つ、
　走査型電子顕微鏡によって観察される上記コレステリック液晶層の主面に垂直な断面において、上記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、上記コレステリック液晶層の主面の法線に対して、３１°以上傾斜している、コレステリック液晶層。
　〔１３〕　上記液晶配向パターンにおける、上記液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さを１周期Λとした際に、上記１周期Λが１μｍ以下である、〔１２〕に記載のコレステリック液晶層。
　〔１４〕　上記１周期Λが０．５μｍ以下である、〔１２〕又は〔１３〕に記載のコレステリック液晶層。
　〔１５〕　コレステリック液晶層の螺旋ピッチが、面内方向及び膜厚方向の少なくとも一方で変化している、〔１２〕～〔１４〕のいずれかに記載のコレステリック液晶層。
　〔１６〕　上記コレステリック液晶層が、更にキラル剤を含み、
　上記キラル剤が、右螺旋を誘起するキラル化合物と、左螺旋を誘起するキラル化合物とを含む、〔１２〕～〔１５〕のいずれかに記載のコレステリック液晶層。
　〔１７〕　上記キラル剤が、イソソルビド部分構造、イソマンニド部分構造、及びビナフチル部分構造からなる群より選ばれる部分構造を含む、〔１２〕～〔１６〕のいずれかに記載のコレステリック液晶層。
　〔１８〕　〔１２〕～〔１７〕のいずれかに記載のコレステリック液晶層を含む光学異方体。
　〔１９〕　〔１２〕～〔１７〕のいずれかに記載のコレステリック液晶層を含む反射膜。

　本発明によれば、走査型電子顕微鏡によって観察されるコレステリック液晶層の主面に垂直な断面において、コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向の、コレステリック液晶層の主面の法線に対する傾斜角度を自在に制御できる、コレステリック液晶層の製造方法を提供できる。
　また、本発明によれば、反射光の円偏光度がより高いコレステリック液晶層を提供できる。
　また、本発明によれば、反射光の円偏光度がより高いコレステリック液晶層を含む光学異方体及び反射膜を提供できる。

図１Ａは、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる前の状態を示す模式図である。図１Ｂは、図１Ａに示すコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大させた場合の変化を示す模式図である。図２Ａは、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる前の状態を示す模式図である。図２Ｂは、図２Ａに示すコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小させた場合の変化を示す模式図である。コレステリック液晶層ＡのＸ－Ｙ面の模式図である。コレステリック液晶層ＡのＸ－Ｚ面の模式図である。コレステリック液晶層ＡのＸ－Ｚ面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）にて観察した際の模式図である。条件１を満たす組成物層の実施態様の一例を説明するための断面模式図である。キラル剤の組み合わせの一例を示す図であり、各々のキラル剤について、螺旋誘起力（ＨＴＰ： Helical Twisting Power）（μｍ^-1）×濃度（質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。図７Ａに示すキラル剤の組み合わせから得られる加重平均螺旋誘起力を示す模式図である。キラル剤の組み合わせの一例を示す図であり、各々のキラル剤について、螺旋誘起力（ＨＴＰ： Helical Twisting Power）（μｍ^-1）×濃度（質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。図８Ａに示すキラル剤の組み合わせから得られる加重平均螺旋誘起力を示す模式図である。キラル剤の組み合わせの一例を示す図であり、各々のキラル剤について、螺旋誘起力（ＨＴＰ： Helical Twisting Power）（μｍ^-1）×濃度（質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。図９Ａに示すキラル剤の組み合わせから得られる加重平均螺旋誘起力を示す模式図である。キラル剤の組み合わせの一例を示す図であり、各々のキラル剤について、螺旋誘起力（ＨＴＰ： Helical Twisting Power）（μｍ^-1）×濃度（質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。図１０Ａに示すキラル剤の組み合わせから得られる加重平均螺旋誘起力を示す模式図である。キラル剤の組み合わせの一例を示す図であり、各々のキラル剤について、螺旋誘起力（ＨＴＰ： Helical Twisting Power）（μｍ^-1）×濃度（質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。図１１Ａに示すキラル剤の組み合わせから得られる加重平均螺旋誘起力を示す模式図である。キラル剤の組み合わせの一例を示す図であり、各々のキラル剤について、螺旋誘起力（ＨＴＰ： Helical Twisting Power）（μｍ^-1）×濃度（質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。図１２Ａに示すキラル剤の組み合わせから得られる加重平均螺旋誘起力を示す模式図である。キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂの各々について、螺旋誘起力（ＨＴＰ：Helical Twisting Power）（μｍ^-1）×濃度（質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂを併用した系において、加重平均螺旋誘起力（μｍ^-1）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。従来のコレステリック液晶層のＸ－Ｙ面の模式図である。従来のコレステリック液晶層のＸ－Ｚ面の模式図である。特定コレステリック液晶層の変形例を示す模式図であって、特定コレステリック液晶層のＸ－Ｚ面において、螺旋ピッチが膜厚方向で変化している形態を示す図である。

　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
　なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　また、本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート及びメタクリレートの両方を表す表記であり、「（メタ）アクリロイル基」とは、アクリロイル基及びメタクリロイル基の両方を表す表記であり、「（メタ）アクリル」とは、アクリル及びメタクリルの両方を表す表記である。

　本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。
　本明細書において、単に置換基という場合、置換基としては、例えば、下記置換基Ｔが挙げられる。

（置換基Ｔ）
　置換基Ｔとしては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等）、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基（アルキルアミノ基及びアニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル又はアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル又はアリールスルフィニル基、アルキル又はアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール又はヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、及び重合性基を含む基等が挙げられる。

　本明細書において表記される二価の基の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「Ｌ－Ｍ－Ｎ」なる一般式で表される化合物中の、Ｍが－ＯＣＯ－Ｃ（ＣＮ）＝ＣＨ－である場合、Ｌ側に結合している位置を＊１、Ｎ側に結合している位置を＊２とすると、Ｍは、＊１－ＯＣＯ－Ｃ（ＣＮ）＝ＣＨ－＊２であってもよく、＊１－ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）－ＣＯＯ－＊２であってもよい。また、例えば、Ｍが－ＣＯＯ－である場合、Ｌ側に結合している位置を＊１、Ｎ側に結合している位置を＊２とすると、Ｍは、＊１－ＣＯＯ－＊２であってもよく、＊１－ＯＣＯ－＊２であってもよい。

　本明細書において、「同一」は、技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含むものとする。また、本明細書において、角度についての「同一」とは、特に記載がなければ、厳密な角度との差異が５度未満の範囲内であることを意味する。厳密な角度との差異は、４度未満であることが好ましく、３度未満であることがより好ましい。

　本明細書において、「光」とは、活性光線又は放射線を意味し、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光：Extreme Ultraviolet）、Ｘ線、紫外線、及び電子線（ＥＢ：Electron Beam）等を意味する。なかでも、紫外線が好ましい。

　本明細書において、「螺旋誘起力の増加及び減少」とは、キラル剤の各々の初期（光照射前）の螺旋方向を「正」としたときの増減を表す。したがって、光照射により螺旋誘起力が減少し続け、０を超えて螺旋方向が「負」となった場合（つまり、初期（光照射前）の螺旋方向とは逆の螺旋方向の螺旋を誘起する場合）にも、「螺旋誘起力が減少するキラル剤」に該当する。

［コレステリック液晶層の製造方法］
　本発明のコレステリック液晶層の製造方法は、下記工程Ｘ及び下記工程Ｙを有する。
　工程Ｘ：条件１～３のいずれも満たし、液晶化合物が配向してコレステリック液晶相の状態となったコレステリック液晶層Ａを形成する工程
　工程Ｙ：工程Ｘにより得られたコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、コレステリック液晶層Ａの主面の法線方向に対する、コレステリック液晶層Ａ中の主面に垂直な断面において観察されるコレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向の傾斜角（以下、単に「特定傾斜角」ともいう。）を大きくする又は小さくする工程
条件１：コレステリック液晶層Ａは、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有する。
条件２：液晶化合物の分子軸は、コレステリック液晶層Ａの両主面において、コレステリック液晶層Ａの主面に対して傾斜している。
条件３：走査型電子顕微鏡によって観察されるコレステリック液晶層Ａの主面に垂直な断面において、コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、コレステリック液晶層Ａの主面の法線に対して傾斜している。

　今般、本発明者らは、上記工程Ｘの後に工程Ｙを実施した場合、工程Ｘによってコレステリック液晶層Ａの面内に一旦形成された液晶配向パターンの周期長（液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ））が、工程Ｙでのコレステリック液晶相の螺旋ピッチの変化に関わらずほぼ一定に保たれることを明らかとした。更に、工程Ｙにおいて、コレステリック液晶層Ａのコレステリック液晶相は、上記周期長を保持したまま螺旋ピッチを変化させるため、走査型電子顕微鏡によって観察されるコレステリック液晶相に由来する明部のなす線及び暗部のなす線（以下、これらを総称して「明暗線」ともいう。）のコレステリック液晶層の主面に対する傾斜角度を変化させて安定な状態を保持することを明らかとした。
　すなわち、上記工程Ｘの後に工程Ｙを実施した場合、コレステリック液晶層Ａ中の液晶配向パターンにおける液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）は略変化せずに、コレステリック液晶相に由来する明暗線の配列方向の、コレステリック液晶層の主面の法線に対する傾斜角度のみが大きくなる又は小さくなる。
　より詳細には、工程Ｙにおいてコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大させる工程を実施した場合、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、コレステリック液晶相に由来する明暗線の配列方向の、コレステリック液晶層の主面の法線に対する傾斜角度は、大きくなる。なお、図１Ａが工程Ｙを実施する前の状態であり、図１Ｂが螺旋ピッチを拡大させた後の状態を示す。
　また、工程Ｙにおいてコレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小させる工程を実施した場合、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、コレステリック液晶相に由来する明暗線の配列方向の、コレステリック液晶層の主面の法線に対する傾斜角度は、小さくなる。なお、図２Ａが工程Ｙを実施する前の状態であり、図２Ｂが螺旋ピッチを縮小させた後の状態を示す。
　なお、工程Ｙの具体的な手順については、後段で詳述するが、例えば、コレステリック液晶層Ａ中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値を増加又は減少させる方法が挙げられる。

〔コレステリック液晶層Ａ〕
　次に、上述した工程Ｘにて形成されるコレステリック液晶層Ａについて詳述する。
　図３及び図４に、コレステリック液晶層Ａ中の液晶化合物の配向状態を概念的に示す模式図を示す。
　図３は、主面１１及び主面１２からなる一対の主面１３を有するコレステリック液晶層Ａ１０の、主面１１及び主面１２の面内における液晶化合物の配向状態を示す模式図である。また、図４は、主面１１及び主面１２に垂直な断面におけるコレステリック液晶相の状態を示す断面模式図である。以下においては、コレステリック液晶層Ａ１０の主面１１及び主面１２をＸ－Ｙ面とし、このＸ－Ｙ面に対して垂直な断面をＸ－Ｚ面として説明する。つまり、図３は、コレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｙ面の模式図に相当し、図４は、コレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｚ面の模式図に相当する。
　なお、以下においては、液晶化合物として棒状液晶化合物の態様を例に挙げて説明する。

　図３に示すように、コレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｙ面において、液晶化合物１４は、Ｘ－Ｙ面内の互いに平行な複数の配列軸Ｄ₁に沿って配列しており、それぞれの配列軸Ｄ₁上において、液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁の向きは、配列軸Ｄ₁に沿った面内の一方向に連続的に回転しながら変化している。つまり、コレステリック液晶層Ａ１０は、その２つの主面において、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有する。
　ここで、説明のため、配列軸Ｄ₁がＸ方向に向いているとする。また、Ｙ方向においては、分子軸Ｌ₁の向きが等しい液晶化合物１４が等間隔で配向している。
　つまり、コレステリック液晶層Ａ１０は、上述した条件１（コレステリック液晶層Ａは、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有する）を満たす。

　なお、「液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁の向きが配列軸Ｄ₁に沿った面内の一方向に連続的に回転しながら変化している」とは、液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁と配列軸Ｄ₁とのなす角度が、配列軸Ｄ₁方向の位置により異なっており、配列軸Ｄ₁に沿って分子軸Ｌ₁と配列軸Ｄ₁とのなす角度がθ₁からθ₁＋１８０°あるいはθ₁－１８０°まで徐々に変化していることを意味する。つまり、配列軸Ｄ₁に沿って配列する複数の液晶化合物１４は、図３に示すように、分子軸Ｌ₁が配列軸Ｄ₁に沿って一定の角度ずつ回転しながら変化する。
　また、本明細書において、液晶化合物１４が棒状液晶化合物である場合、液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁は、棒状液晶化合物の分子長軸を意図する。一方、液晶化合物１４が円盤状液晶化合物である場合、液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁は、円盤状液晶化合物の円盤面に対する法線方向に平行な軸を意図する。

　また、図３に示すように、コレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｙ面において、液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁の向きが１８０°回転する長さを１周期Λとした際に、１周期Λは、１μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
　１周期Λを１μｍ以下とすることで、明暗線の配列方向を、コレステリック液晶層の主面の法線に対してより傾斜させやすい。言い換えると、上記明暗線の配列方向と、コレステリック液晶層の主面の法線とのなす角度をより大きくできる。
　なお、１周期Λは、コレステリック液晶層Ａ１０の主面１１及び主面１２の両主面において上記範囲となるのが好ましい。

　上記１周期Λは、面内方向における、走査型電子顕微鏡によって観察されるコレステリック液晶相に由来する明線と明線との間隔又は暗線と暗線との間隔に相当する。上述した１周期Λの値は、走査型電子顕微鏡における面内方向の明暗線における上記の間隔をコレステリック液晶層の両主面についてそれぞれ１０点測定して算出平均した値である。

　図４に、コレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｚ面の模式図を示す。なお、図４は、図３のＸ軸方向に沿った線でコレステリック液晶層Ａ１０を切断した場合の断面図である。つまり、図４は、上述した液晶配向パターンが延びる方向に沿い、且つ、主面に対して垂直にコレステリック液晶層Ａ１０を切断した場合の断面図である。
　図４に示すコレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｚ面において、液晶化合物１４は、主面１１及び主面１２（Ｘ－Ｙ面）に対して、その分子軸Ｌ₁が傾斜して配向している。
　つまり、コレステリック液晶層Ａ１０は、条件２（上記液晶化合物の分子軸は、コレステリック液晶層Ａの両主面において、上記コレステリック液晶層Ａの主面に対して傾斜している）を満たす。

　液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁と主面１１及び主面１２（Ｘ－Ｙ面）とのなす平均角度（平均チルト角）θ₂（不図示）は特に制限されないが、５～８０°の場合が多い。なかでも、後述する明部及び暗部の配列方向が主面の法線に対して３１°以上傾斜しているコレステリック液晶層を形成しやすい点で、平均角度（平均チルト角）θ₂は１０°以上が好ましく、１５°以上がより好ましく、２０°以上が更に好ましい。なお、平均角度θ₂は、コレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｚ面を偏光顕微鏡観察することにより測定できる。なかでも、コレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｚ面において、液晶化合物１４は、主面１１及び主面１２（Ｘ－Ｙ面）に対して、その分子軸Ｌ₁が同一の方向に傾斜配向することが好ましく、コレステリック液晶層Ａ１０全体にわたって液晶化合物１４は、その分子軸Ｌ₁が同一の方向に傾斜配向することがより好ましい。
　なお、上記平均角度は、コレステリック液晶層断面の偏光顕微鏡観察において、液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁と主面１１及び主面１２とのなす角度を任意の５か所以上で測定して、それらを算術平均した値である。
　分子軸Ｌ₁が上述した配向をとることで、図４に示すように、コレステリック液晶層Ａ１０において、コレステリック液晶相由来の螺旋軸Ｃ₁は、主面１１及び主面１２（Ｘ－Ｙ面）に対して所定角度で傾斜している。つまり、コレステリック液晶層Ａ１０の反射面（螺旋軸Ｃ₁に直交し、方位角が等しい液晶化合物が存在する平面）Ｔ₁は、主面１１及び主面１２（Ｘ－Ｙ面）に対して略一定の方向に傾斜している。
　なお、「方位角が等しい液晶分子」とは、主面１１及び主面１２（Ｘ－Ｙ面）に投影したときに、分子軸の配向方向が同一にある液晶分子をいう。

　図４に示すコレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｚ面を走査型電子顕微鏡にて観察すると、図５に示すような明部１５と暗部１６とが交互に配列された配列方向Ｐ₁が、主面１１及び主面１２（Ｘ－Ｙ面）の法線Ｑ₁に対して所定角度θ₃で傾斜している縞模様が観察される。
　つまり、コレステリック液晶層Ａ１０は、条件３（走査型電子顕微鏡によって観察される上記コレステリック液晶層Ａの主面に垂直な断面において、上記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、上記コレステリック液晶層Ａの主面の法線に対して傾斜している。）を満たす。

　コレステリック液晶層Ａ１０において、角度θ₃は特に制限されないが、５～８０°の場合が多い。なかでも、後述する明部及び暗部の配列方向が主面の法線に対して３１°以上傾斜しているコレステリック液晶層を形成しやすい点で、角度θ₃は１０°以上が好ましく、１５°以上がより好ましく、２０°以上が更に好ましい。

　なお、コレステリック液晶層Ａ１０において、液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁は、明部１５と暗部１６とが交互に配列された配列方向Ｐ₁に対して略直交することが好ましい。分子軸Ｌ₁と配列方向Ｐ₁とのなす角度は、８０～９０°が好ましく、８５～９０°がより好ましい。

〔工程Ｘの好適態様〕
　コレステリック液晶層Ａ１０の製造方法は特に制限されないが、工程Ｘは、以下の工程Ｘ１及び工程Ｘ２を含むことが好ましい。
　工程Ｘ１：液晶化合物及びキラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に下記条件４、下記条件５、又は下記条件６を満たす組成物層を形成する工程
　工程Ｘ２：組成物層に対して、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させる処理を施して、コレステリック液晶層Ａを形成する工程
　条件４：組成物層中の液晶化合物の少なくとも一部が、基板面に対して、傾斜配向している
　条件５：組成物層中の液晶化合物のチルト角が厚み方向に沿って連続的に変化するように、液晶化合物が配向している
　条件６：組成物層中の液晶化合物の少なくとも一部が、基板面に対して、垂直配向している

≪工程Ｘ１の作用機序≫
　まず、図６に、工程Ｘ１により得られる組成物層の断面模式図を示す。図６に示される組成物層は、上記条件４を満たす組成物層の実施態様の一例である。なお、以下においては、液晶化合物が棒状液晶化合物である場合の態様を一例として説明する。つまり、図６中の液晶化合物１４は、棒状液晶化合物である。

　図６に示すように、基板２０上に配置される組成物層２２中、液晶化合物１４は、基板面２０ａに対して傾斜配向している。言い換えると、組成物層２２中において、液晶化合物１４は、液晶化合物１４に由来する分子軸Ｌ₂が基板面２０ａに対して所定の角度θ₄となるように一定の方向（一軸方向）に配向している。
　なお、本明細書において、液晶化合物１４が棒状液晶化合物である場合、液晶化合物１４の分子軸Ｌ₂は、棒状液晶化合物の分子長軸を意図する。一方、液晶化合物１４が円盤状液晶化合物である場合、液晶化合物１４の分子軸Ｌ₂は、円盤状液晶化合物の円盤面に対する法線方向に平行な軸を意図する。

　なお、図６では、組成物層２２の厚み方向Ｒ₁の全域に渡って、液晶化合物１４が、基板面２０ａに対して液晶化合物１４に由来する分子軸Ｌ₂が所定の角度θ₄となるように配向している実施態様を示したが、工程Ｘ１により得られる条件１を満たす組成物層としては、液晶化合物の一部が傾斜配向していればよく、組成物層２２の基板２０側表面（図１中の領域Ａに該当）、及び、組成物層２２の基板２０側とは反対側の表面（図１中の領域Ｂに該当）の少なくとも一方において、液晶化合物１４が基板面２０ａに対して液晶化合物１４に由来する分子軸Ｌ₂が所定の角度θ₄となるように配向していることが好ましく、基板２０側表面において液晶化合物１４が基板面２０ａに対して液晶化合物１４に由来する分子軸Ｌ₂が所定の角度θ₄となるように傾斜配向していることがより好ましい。なお、領域Ａ及び領域Ｂのいずれか少なくとも一方において、液晶化合物１４が基板面２０ａに対して液晶化合物１４に由来する分子軸Ｌ₂が所定の角度θ₄となるように配向していれば、続く工程Ｘ２において液晶化合物１４をコレステリック液晶相の状態とした際に、領域Ａ及び／又は領域Ｂ中の配向された液晶化合物１４に基づく配向規制力により、他の領域の液晶化合物１４の分子軸Ｌ₂の傾斜とコレステリック配向とを誘起させることができる。

　また、図示はしないが、上述した条件２を満たす組成物層は、図６に示す組成物層２２において、液晶化合物１４が、基板面２０ａに対してハイブリッド配向したものに相当する。つまり、上述した条件２を満たす組成物層は、図６に示す組成物層２２において、液晶化合物１４の分子軸と基板面２０ａとのなす角度θ₅（チルト角θ₅）が、厚さ方向で連続的に変化する態様に相当する。

　角度θ₄及びθ₅は、組成物層全体において０°でなければ特に制限されない。言い換えると、組成物層の一部の領域において角度θ₄及びθ₅が０°であることを妨げるものではない。角度θ₄及びθ₅としては、例えば０～９０°である。角度θ₄及びθ₅は、なかでも、基板側表面において、３～９０°であることが好ましく、１０～９０°であることがより好ましく、２０～８０°であることが更に好ましい。また、基板側とは反対側の表面において、０～５０°であることが好ましく、０～３０°であることがより好ましい。

　また、図示はしないが、上述した条件３を満たす組成物層は、図６に示す組成物層２２において、液晶化合物１４の分子軸が、基板面２０ａに対して垂直配向したものに相当する。言い換えると、液晶化合物１４が棒状液晶化合物である場合、上述の図１の説明において、角度θ₄が９０°である態様に相当する。また、液晶化合物１４が円盤状液晶化合物である場合、液晶化合物１４の円盤面が基板面２０ａに対して平行に配向したものに相当する。

　なお、工程Ｘ１により得られる組成物層は、条件４又は条件５を満たす組成物層が好ましい。

≪工程Ｘ２の作用機序≫
　上記工程Ｘ１により条件４、条件５、又は条件６を満たす組成物層を得た後、工程Ｘ２において上記組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて（言い換えると、上記液晶化合物をコレステリック液晶相として）、コレステリック液晶層Ａを形成する。
　なお、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させる処理の具体例は後段で詳述するが、組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値を増加させる方法が挙げられる。

　上述した液晶組成物中の材料（液晶化合物、キラル剤）については後段で詳述する。
　なお、キラル剤は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

　上述したように、本発明のコレステリック液晶層の製造方法においては、工程Ｘ１、工程Ｘ２、及び、工程Ｙを有することが好ましい。
　後段で詳述するように、工程Ｙにおけるコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理としては、コレステリック液晶層Ａに対して光照射を施す処理、及び、コレステリック液晶層Ａに対して温度変化を与える処理が挙げられる。
　また、後段で詳述するように、工程Ｘ２においてコレステリック液晶層Ａを形成する際の処理として、組成物層に対して光照射を施す処理、及び、組成物層に対して温度変化を与える処理が挙げられる。

〔コレステリック液晶層の製造方法の具体例〕
　以下、本発明のコレステリック液晶層の製造方法の具体的な手順について詳述する。
　なお、以下の説明においては、以下の第１実施態様～第４実施態様に分けて説明する。
＜第１実施態様＞工程Ｘ２において光照射処理を実施し、且つ、工程Ｙにおいて光照射処理を実施する態様
＜第２実施態様＞工程Ｘ２において光照射処理を実施し、且つ、工程Ｙにおいて温度変化処理を実施する態様
＜第３実施態様＞工程Ｘ２において温度変化処理を実施し、且つ、工程Ｙにおいて光照射処理を実施する態様
＜第４実施態様＞工程Ｘ２において温度変化処理を実施し、且つ、工程Ｙにおいて温度変化処理を実施する態様
　なお、本発明のコレステリック液晶層の製造方法の具体的な手順の好適態様の一つとしては、液晶組成物が２種以上のキラル剤を含み、工程Ｘ２において組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値を増加させ、工程Ｙにおいてコレステリック液晶層Ａ中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値を増加又は減少させる方法が挙げられる。

（第１実施態様）
　本発明のコレステリック液晶層の製造方法の第１実施態様は、以下の工程Ｘ１Ａ、工程Ｘ２Ａ、及び、工程ＹＡを有する。
工程Ｘ１Ａ：液晶化合物及び光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程
工程Ｘ２Ａ：組成物層に対して光照射を施して、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程
工程ＹＡ：工程Ｘ２Ａにより得られたコレステリック液晶層Ａに対して光照射を施して、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程
　以下、各工程について詳述する。

・工程Ｘ１Ａ
　工程Ｘ１Ａは、液晶化合物及び光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程である。
　本工程Ｘ１Ａを実施することにより、上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成できる。なお、形成された組成物層には、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤が含まれる。
　以下では、まず、本工程で使用される材料及び部材について詳述した後、その後、工程の手順について詳述する。

・・液晶化合物
　液晶組成物は、液晶化合物を含む。
　液晶化合物の種類は特に制限されず、公知のものを使用できる。一般的に、液晶化合物はその形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（ディスコティック液晶化合物、円盤状液晶化合物）とに分類できる。更に、棒状タイプ及び円盤状タイプには、それぞれ低分子タイプと高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井正男著，２頁，岩波書店，１９９２）。本発明では、いずれの液晶化合物を用いることもできる。また、２種以上の液晶化合物を併用してもよい。

　液晶化合物は、少なくとも１個以上の重合性基を有していることが好ましい。
　重合性基の種類は特に制限されず、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基又は環重合性基がより好ましい。より具体的には、重合性基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、アリル基、エポキシ基、又は、オキセタン基が好ましく、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。

・・キラル剤
　液晶組成物は、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤（以下、単に「感光性キラル剤」ともいう。）を含む。
　感光性キラル剤は、液晶性であっても、非液晶性であってもよい。また、感光性キラル剤としては、不斉炭素原子を含むキラル剤であってもよいし、不斉炭素原子を含まない軸性不斉化合物又は面性不斉化合物であってもよい。
　なお、感光性キラル剤としては、光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤、及び、光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤が挙げられる。

　感光性キラル剤としては、いわゆる光反応型キラル剤が挙げられる。光反応型キラル剤とは、キラル部位と光照射によって構造変化する光反応部位を有し、例えば、照射量に応じて液晶化合物の捩れ力を大きく変化させる化合物である。
　光照射によって構造変化する光反応部位の例としては、フォトクロミック化合物（内田欣吾、入江正浩、化学工業、ｖｏｌ．６４、６４０ｐ，１９９９、内田欣吾、入江正浩、ファインケミカル、ｖｏｌ．２８（９）、１５ｐ，１９９９）などが挙げられる。また、上記構造変化とは、光反応部位への光照射により生ずる、分解、付加反応、異性化、ラセミ化、[２＋２]光環化、及び２量化反応などを意味し、上記構造変化は不可逆的であってもよい。また、キラル部位としては、例えば、野平博之、化学総説、Ｎｏ．２２液晶の化学、７３ｐ：１９９４に記載の不斉炭素などが相当する。

　上記光反応型キラル剤としては、例えば、特開２００１－１５９７０９号公報の段落００４４～００４７に記載の光反応型キラル剤、特開２００２－１７９６６９号公報の段落００１９～００４３に記載の光学活性化合物、特開２００２－１７９６３３号公報の段落００２０～００４４に記載の光学活性化合物、特開２００２－１７９６７０号公報の段落００１６～００４０に記載の光学活性化合物、特開２００２－１７９６６８号公報の段落００１７～００５０に記載の光学活性化合物、特開２００２－１８００５１号公報の段落００１８～００４４に記載の光学活性化合物、特開２００２－３３８５７５号公報の段落００１６～００５５に記載の光学活性化合物、光学活性イソソルビド誘導体、特開２００２－０８０４７８号公報の段落００２３～００３２に記載の光反応型光学活性化合物、特開２００２－０８０８５１号公報の段落００１９～００２９に記載の光反応型カイラル剤、特開２００２－１７９６８１号公報の段落００２２～００４９に記載の光学活性化合物、特開２００２－３０２４８７号公報の段落００１５～００４４に記載の光学活性化合物、特開２００２－３３８６６８号公報の段落００１５～００５０に記載の光学活性ポリエステル、特開２００３－０５５３１５号公報の段落００１９～００４１に記載のビナフトール誘導体、特開２００３－０７３３８１号公報の段落０００８～００４３に記載の光学活性フルギド化合物、特開２００３－３０６４９０号公報の段落００１５～００５７に記載の光学活性イソソルビド誘導体、特開２００３－３０６４９１号公報の段落００１５～００４１に記載の光学活性イソソルビド誘導体、特開２００３－３１３１８７号公報の段落００１５～００４９に記載の光学活性イソソルビド誘導体、特開２００３－３１３１８８号公報の段落００１５～００５７に記載の光学活性イソマンニド誘導体、特開２００３－３１３１８９号公報の段落００１５～００４９に記載の光学活性イソソルビド誘導体、特開２００３－３１３２９２号公報の段落００１５～００５２に記載の光学活性ポリエステル／アミド、ＷＯ２０１８／１９４１５７号公報の段落００１２～００５３に記載の光学活性化合物、及び特開２００２－１７９６８２号公報の段落００２０～００４９に記載の光学活性化合物等が挙げられる。

　感光性キラル剤としては、光照射による螺旋誘起力の変化率がより優れることから、分子内に光異性化反応又は光二量化反応を示す二重結合を有していることが好ましい。
　光異性化反応又は光二量化反応を示す二重結合を含むキラル剤としては、具体的には、シンナモイル、スチルベン、カルコン、アゾベンゼン、及びアゾメチンからなる群より選ばれる部分構造を含むキラル剤であることが好ましく、可視光の吸収が小さいという点で、シンナモイル、スチルベン、及びカルコンからなる群より選ばれる部分構造を含むキラル剤であることがより好ましい。
　なかでも、初期（光照射前）の螺旋誘起力が低く且つ光照射による螺旋誘起力の変化率がより優れることから、光異性化反応又は光二量化反応を示す上記二重結合は、シス構造であるのが好ましい。つまり、例えば、スチルベンを部分構造として含むキラル剤である場合、cis－スチルベンを部分構造として含むキラル剤であるのが好ましく、カルコンを部分構造として含むキラル剤である場合、cis－カルコンを部分構造として含むキラル剤であるのが好ましく、シンナモイルを部分構造として含むキラル剤である場合、cis－シンナモイルを部分構造として含むキラル剤であるのが好ましい。

　また、感光性キラル剤としては、螺旋誘起力の変化率がより優れることから、イソソルビド部分構造（イソソルビドに由来する部分構造）、イソマンニド部分構造（イソマンニドに由来する部分構造）、及びビナフチル部分構造からなる群より選ばれる部分構造を含んでいるのが好ましく、ビナフチル部分構造を含んでいるのがより好ましい。なお、本明細書において、ビナフチル部分構造、イソソルビド部分構造、及びイソマンニド部分構造とは、各々以下の構造を意図する。
　ビナフチル部分構造中の実線と破線が平行している部分は、一重結合又は二重結合を表す。なお、実線と破線とが平行している部分が一重結合である場合、及び実線と破線とが平行している部分が二重結合の場合とは、後述する一般式（１）中の同規定と同義である。また、下記ビナフチル部分構造は、更に他の環構造と縮合した構成であってもよい。なお、以下に示す構造において、＊は、結合位置を表す。

　感光性キラル剤は、重合性基を有していてもよい。重合性基の種類は特に制限されず、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基又は環重合性基がより好ましく、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、又は、アリル基が更に好ましい。

　感光性キラル剤としては、例えば、下記一般式（１）で表される化合物が挙げられる。
また、感光性キラル剤としては、特定の波長の光照射により螺旋誘起力が減少（又は増加）し、それとは異なる波長の光照射又は熱によって螺旋誘起力が逆に増加（又は減少）するフォトクロミックキラル剤であってもよい。フォトクロミックキラル剤としては、分子内にアゾベンゼン、アゾメチン、ジアリールエテン、スピロピラン、又はフルギド等のフォトクロミック部位を有するキラル剤等が該当する。
　さらに、感光性キラル剤としては、後段で詳述するように、光照射により螺旋誘起力が増加（又は減少）し始め、光照射を継続すると螺旋誘起力が減少（又は増加）する感光性キラル剤（以下、「特定感光性キラル剤」ともいう。）であってもよい。つまり、所定量の光照射量までの光照射において螺旋誘起力が増加し、所定量の光照射量以降の光照射においては螺旋誘起力が減少する感光性キラル剤であってもよい。特定感光性キラル剤としては、後述する下記一般式（１）において、一般式（２）中のＺ¹で表される－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－がシス構造である場合等が該当する。

　一般式（１）中、実線と破線が平行している部分は、一重結合、又は二重結合を表す。Ｒ¹～Ｒ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の置換基を表す。但し、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つは、下記一般式（２）で表される１価の置換基を表す。Ｒ¹とＲ²とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。

　一般式（２）中、Ａは、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の炭化水素環基、又は、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の複素環基を表す。Ｚ¹は、－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－を表す。Ｒ^Eは、水素原子又は置換基を表す。Ｚ²は、単結合又は２価の連結基を表す。ｍは、０～５の整数を表す。Ｒは、水素原子又は１価の置換基を表す。＊は、結合位置を表す。なお、一般式（２）中、ｍが２以上の整数である場合、複数存在するＺ¹同士、及び複数存在するＡ同士は、各々同一であっても異なっていてもよい。

　一般式（１）中、実線と破線が平行している部分は、一重結合又は二重結合を表す。例えば、一般式（１）で表される化合物は、実線と破線とが平行している部分が二重結合の場合には、下記一般式（１－１）で表される化合物に該当し、実線と破線とが平行している部分が一重結合の場合には、下記一般式（１－２）で表される化合物に該当する。
　なかでも、一般式（１）で表される化合物は、一般式（１－１）で表される化合物であることが好ましい。
　なお、一般式（１－１）及び一般式（１－２）中のＲ¹～Ｒ⁸は、一般式（１）中のＲ¹～Ｒ⁸とそれぞれ同義である。

　一般式（１）中、Ｒ¹～Ｒ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の置換基を表す。
　Ｒ¹～Ｒ⁸で表される１価の置換基としては特に制限されず、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。但し、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つは、後述する一般式（２）で表される１価の置換基を表す。
　なお、一般式（２）中、ｍが２以上の整数である場合、複数存在するＺ¹同士、及び複数存在するＡ同士は、各々同一であっても異なっていてもよい。

　一般式（１）においては、なかでも、Ｒ¹及びＲ²がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すか、Ｒ³及びＲ⁴がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すか、又はＲ⁵及びＲ⁶がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すことが好ましく、Ｒ¹及びＲ²がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すか、又は、Ｒ³及びＲ⁴がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すことがより好ましい。

　Ｒ¹とＲ²とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
　Ｒ¹とＲ²とが互いに結合して環構造を形成する場合、上記環としては特に制限されず、芳香環及び非芳香環のいずれでもよいが、非芳香環であることが好ましい。
　Ｒ¹とＲ²が互いに連結して環を形成する場合、Ｒ¹とＲ²が互いに連結する基としては、例えば、＊－Ｌ^S1－２価の芳香族炭化水素環基－Ｌ^S2－＊、又は＊－Ｌ^S3－２価の脂肪族炭化水素基－Ｌ^S4－＊が好ましい。なお、＊は、一般式（１）中のビナフチル部分構造との結合位置を表す。
　上記芳香族炭化水素環基としては特に制限されず、後述する一般式（２）中のＡで表される芳香族炭化水素環基と同様のものが挙げられる。なかでも、ベンゼン環基が好ましい。
　上記脂肪族炭化水素基としては特に制限されず、例えば、炭素数１～６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が挙げられる。

　Ｌ^S1及びＬ^S2は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｌ^S1及びＬ^S2で表される２価の連結基としては特に制限されないが、例えば、２価の脂肪族炭化水素基（直鎖状、分岐鎖状、又は環状であってもよく、炭素数１～２０であることが好ましく、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルキニレン基が挙げられる。）、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＮＲ^D－、－ＣＯ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝Ｎ－、及びこれらを２種以上組み合わせた基（２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＣＯ－ＮＨ－、－ＣＯ－Ｓ－、－ＣＨ₂Ｏ－、及び－ＣＯＯ－等が挙げられる。）が挙げられる。ここで、Ｒ^Dは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）を表す。
　なお、上記２価の連結基中の水素原子は、ハロゲン原子等の他の置換基で置換されていてもよい。
　Ｌ^S1及びＬ^S2としては、単結合、２価の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＨ－、又は－ＣＯＯ－が好ましい。

　Ｌ^S3及びＬ^S4は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｌ^S3及びＬ^S4で表される２価の連結基としては特に制限されないが、例えば、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＮＲ^D－、－ＣＯ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝Ｎ－、及びこれらを２種以上組み合わせた基（２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＣＯ－ＮＨ－、－ＣＯ－Ｓ－、及び－ＣＯＯ－等が挙げられる。）が挙げられる。ここで、Ｒ^Dは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）を表す。
　なお、上記２価の連結基中の水素原子は、ハロゲン原子等の他の置換基で置換されていてもよい。
　Ｌ^S3及びＬ^S4としては、単結合、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＨ－、又は－ＣＯＯ－が好ましい。

　以下において、一般式（２）について説明する。

　一般式（２）中、Ａは、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の炭化水素環基、又は、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の複素環基を表す。
　Ｚ¹は、－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－を表す。Ｒ^Eは、水素原子又は置換基を表す。
　Ｚ²は、単結合又は２価の連結基を表す。
　ｍは、０～５の整数を表す。Ｒは、水素原子又は１価の置換基を表す。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の芳香族炭化水素環基を構成する芳香族炭化水素環としては、単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。なお、芳香族炭化水素環が多環構造の場合、多環構造に含まれる環の少なくとも１つが５員環以上であることが好ましい。
　上記芳香族炭化水素環の環員数としては、６～１０が好ましい。
　上記芳香族炭化水素環の具体例としては、例えば、ベンゼン環、及びナフタレン環が挙げられ、ベンゼン環がより好ましい。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の脂肪族炭化水素環基を構成する脂肪族炭化水素環としては、単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。なお、脂肪族炭化水素環が多環構造の場合、多環構造に含まれる環の少なくとも１つが５員環以上であることが好ましい。
　上記脂肪族炭化水素環の環員数としては、５又は６が好ましい。
　脂肪族炭化水素環の具体例としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、ノルボルネン環、及びアダマンタン環が挙げられる。なかでも、シクロペンタン環又はシクロヘキサン環が好ましい。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の炭化水素環基は、置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されず、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の芳香族複素環基を構成する芳香族複素環としては、単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。なお、上記芳香族複素環が多環構造の場合、多環構造に含まれる環の少なくとも１つが５員環以上であることが好ましい。
　上記芳香族複素環が含むヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子が挙げられる。上記芳香族複素環に含まれるヘテロ原子数としては、例えば、１～３であり、１又は２が好ましい。
　上記芳香族複素環の環員数としては、６が好ましい。
　上記芳香族複素環の具体例としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、チオフェン環、チアゾール環、イミダゾール環、及びクマリン環が挙げられる。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の脂肪族複素環基を構成する脂肪族複素環としては、単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。なお、上記脂肪族複素環が多環構造の場合、多環構造に含まれる環の少なくとも１つが５員環以上であることが好ましい。
　上記脂肪族複素環が含むヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子が挙げられる。上記脂肪族複素環に含まれるヘテロ原子数としては、例えば、１～３であり、１又は２が好ましい。
　上記脂肪族複素環の環員数としては、５又は６が好ましい。
　上記脂肪族複素環の具体例としては、例えば、オキソラン環、オキサン環、ピぺリジン環、及びピペラジン環が挙げられる。なお、脂肪族複素環としては、環を構成する－ＣＨ₂－が－ＣＯ－で置換されたものであってもよく、例えば、フタルイミド環等が挙げられる。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の複素環基は、置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されず、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。

　一般式（２）中、Ｚ¹は、－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－を表す。Ｒ^Eは、水素原子又は置換基を表す。Ｒ^Eで表される置換基としては、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。
　一般式（２）中、Ｚ²で表される２価の連結基としては特に制限されないが、例えば、２価の脂肪族炭化水素基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状であってもよい。炭素数１～２０であることが好ましく、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルキニレン基が挙げられる。）、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＮＲ^D－、－ＣＯ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝Ｎ－、及びこれらを２種以上組み合わせた基（２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＣＯ－ＮＨ－、－ＣＯ－Ｓ－、－ＣＨ₂Ｏ－、及び－ＣＯＯ－等が挙げられる。）が挙げられる。ここで、Ｒ^Dは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）を表す。
　なお、上記２価の連結基中の水素原子は、ハロゲン原子等の他の置換基（例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。）で置換されていてもよい。
　Ｚ²で表される２価の連結基としては、なかでも、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＨ－、又は－ＣＯＯ－が好ましい。

　一般式（２）において、Ｚ¹で表される２価の連結基－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－は、シス構造（シス型）でもトランス構造（トランス型）でもよい。つまり、例えば、一般式（２）において、Ｚ¹が－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－を表し、且つｍが１を表す場合、「－Ａ－Ｚ²－Ｒ」で表される基と「－＊」で表される結合位置との位置関係は特に制限されず、「－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－」においてトランス型に配置（「－Ａ－Ｚ²－Ｒ」で表される基と「－＊」で表される結合位置とが、二重結合に対して反対側に配置）されていてもよいし、シス型に配置（「－Ａ－Ｚ²－Ｒ」で表される基と「－＊」で表される結合位置とが、二重結合に対して同じ側に配置）されていてもよい。

　Ｚ¹で表される２価の連結基－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－は、なかでも、初期（光照射前）の螺旋誘起力が低く且つ光照射による螺旋誘起力の変化率がより優れることからシス構造が好ましい。
　一般式（１）で表される化合物は、Ｚ¹で表される２価の連結基－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－がシス構造である場合、光照射によって、光異性化可能な二重結合である上記－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－のトランス構造への変化によりその螺旋誘起力を増大させ得る。トランス構造に変化した後、更に照射量を増やすと、２価の連結基－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－の部位が光二量化反応（［２＋２］光環化反応）により環化してその螺旋誘起力を減少させ得る。一般式（１）で表される化合物は、上記構造である場合、特定感光性キラル剤に該当する。

　一般式（２）中、ｍとしては、１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。

　一般式（２）中、Ｒで表される１価の置換基としては特に制限されず、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基（なかでも、アルキル基が好ましい。）が挙げられる。

　一般式（１）としては、露光後の螺旋誘起力の増加量がより優れる点で、Ｒ¹及びＲ²が互いに結合して環構造を形成し、且つ、Ｒ³及びＲ⁴がいずれも一般式（２）で表される置換基を表し、ｍが１を表し、Ｚ¹が－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－を表し、「－Ａ－Ｚ²－Ｒ」で表される基と「－＊」で表される結合位置との位置関係がシス型であることが更に好ましい。
　また、一般式（１）としては、露光後の螺旋誘起力の増加量がより優れる点で、一般式（１－１）で表される化合物であることが好ましい。

　液晶組成物中においてキラル剤は１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
　なかでも、液晶組成物を用いて形成される組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は特に制限されないが、所定の組成物層が形成しやすい点で、０．０～１．９μｍ^-1が好ましく、０．０～１．５μｍ^-1がより好ましく、０．０～１．０μｍ^-1が更に好ましく、０．０～０．５μｍ^-1が特に好ましく、ゼロが最も好ましい。

　なお、キラル剤の加重平均螺旋誘起力とは、組成物層中に２種以上のキラル剤が含まれる場合に、組成物層中に含まれる各キラル剤の螺旋誘起力と組成物層中に含まれる各キラル剤の液晶化合物に対する濃度（質量％）との積を、液晶化合物に対するキラル剤の合計濃度（質量％）で除した値の合計値を表す。例えば、２種類のキラル剤（キラル剤Ｘ及びキラル剤Ｙ）を併用した場合、下記式（Ａ）により表される。
　式（Ａ）　加重平均螺旋誘起力（μｍ^-1）＝（キラル剤Ｘの螺旋誘起力（μｍ^-1）×液晶化合物に対するキラル剤Ｘの濃度（質量％）＋キラル剤Ｙの螺旋誘起力（μｍ^-1）×液晶化合物に対するキラル剤Ｙの濃度（質量％））／（液晶化合物に対するキラル剤Ｘの濃度（質量％）＋液晶化合物に対するキラル剤Ｙの濃度（質量％））
　ただし、上記式（Ａ）において、キラル剤の螺旋方向が右巻きの場合、その螺旋誘起力は正の値とする。また、キラル剤の螺旋方向が左巻きの場合、その螺旋誘起力は負の値とする。つまり、例えば、螺旋誘起力が１０μｍ^-1のキラル剤の場合、上記キラル剤により誘起される螺旋の螺旋方向が右巻きであるときは、螺旋誘起力を１０μｍ^-1として表す。一方、上記キラル剤により誘起される螺旋の螺旋方向が左巻きであるときは、螺旋誘起力を－１０μｍ^-1として表す。
　組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が０である場合には、基板上に、ネマチック液晶相及びスメクチック液晶相からなる群から選択される液晶相を示す組成物層が形成される。

　工程Ｘ２Ａ及び工程ＹＡを容易に実施できる点から、液晶組成物に含まれる２種以上のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、工程Ｘ２Ａの際に増加して、工程ＹＡの際に増加又は減少することが好ましい。
　加重平均螺旋誘起力の絶対値が上記のような挙動をすることにより、工程Ｘ２Ａの際にコレステリック液晶層Ａが形成され、工程ＹＡの際にコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させることができる。
　このような挙動が達成される点で、後段で詳述するように、液晶組成物には２種の感光性キラル剤が含まれることが好ましい。

　工程Ｘ２Ａ及び工程ＹＡを容易に実施できる点から、液晶組成物は、光照射によって螺旋誘起力が変化する右螺旋誘起キラル剤（以下、単に「感光性の右螺旋誘起キラル剤」ともいう。）、及び、光照射によって螺旋誘起力が変化する左螺旋誘起キラル剤（以下、単に「感光性の左螺旋誘起キラル剤」ともいう。）を含むことが好ましい。
　右螺旋誘起キラル剤とは、そのキラル剤により誘起される螺旋の螺旋方向が右巻きであるキラル剤であり、左螺旋誘起キラル剤とは、そのキラル剤により誘起される螺旋の螺旋方向が左巻きであるキラル剤である。
　なかでも、液晶組成物は、感光性の右螺旋誘起キラル剤、及び、感光性の左螺旋誘起キラル剤を含み、且つ、液晶組成物を用いて形成される組成物層において感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、０．０～１．９μｍ^-1であることが好ましい。

　また、後述する工程ＹＡにおいて、工程Ｘ２Ａにより得られたコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする場合には、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤はいずれも光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤であるか、又は、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤はいずれも光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤であることが好ましい。

　後段で詳述するように、例えば、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤はいずれも光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である場合、工程Ｘ２Ａにおける光照射の際に、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の一方の螺旋誘起力が減少して、加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加することによりコレステリック液晶層Ａが形成され、工程ＹＡにおける光照射の際に、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の他方の螺旋誘起力が減少して、加重平均螺旋誘起力の絶対値が減少し、コレステリック液晶層Ａのコレステリック液晶相の螺旋ピッチが拡大し、特定傾斜角が大きくなる。上記態様の一例として、図７Ａ及び図７Ｂに、光照射により螺旋誘起力が減少する感光性の右螺旋誘起キラル剤と光照射により螺旋誘起力が減少する感光性の左螺旋誘起キラル剤とを組み合せた場合の加重平均螺旋誘起力を示す。
　また、例えば、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤がいずれも光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤である場合、工程Ｘ２Ａにおける光照射の際に、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の一方の螺旋誘起力が増加して、加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加することによりコレステリック液晶層Ａが形成され、工程ＹＡにおける光照射の際に、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の他方の螺旋誘起力が増加して、加重平均螺旋誘起力の絶対値が減少し、コレステリック液晶層Ａのコレステリック液晶相の螺旋ピッチが拡大し、特定傾斜角が大きくなる。上記態様の一例として、図８Ａ及び図８Ｂに、光照射により螺旋誘起力が増加する感光性の右螺旋誘起キラル剤と、光照射により螺旋誘起力が増加する感光性の左螺旋誘起キラル剤とを組み合せた場合の加重平均螺旋誘起力を示す。

　また、後述する工程ＹＡにおいて、工程Ｘ２Ａにより得られたコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を小さくする場合には、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の一方は光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤であり、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の他方は、光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤であることが好ましい。
　後段で詳述するように、例えば、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤は一方が光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤であり、他方が光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤である場合、工程Ｘ２Ａにおける光照射の際に、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の一方の螺旋誘起力が減少して、加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加することによりコレステリック液晶層Ａが形成され、工程ＹＡにおける光照射の際に、感光性の右螺旋誘起キラル剤及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の他方の螺旋誘起力が増加して、加重平均螺旋誘起力の絶対値が更に増加し、コレステリック液晶層Ａのコレステリック液晶相の螺旋ピッチが縮小し、特定傾斜角が小さくなる。上記態様の一例として、図９Ａ及び図９Ｂに、光照射により螺旋誘起力が増加する感光性の右螺旋誘起キラル剤と、光照射により螺旋誘起力が減少する感光性の左螺旋誘起キラル剤とを組み合わせた場合の加重平均螺旋誘起力を示す。

　また、工程Ｘ２Ａ及び工程ＹＡを容易に実施できる点から、感光性の右螺旋誘起キラル及び感光性の左螺旋誘起キラル剤は、それぞれ異なる波長の光で感光することが好ましい。なお、上述した図７Ａ、図８Ａ、及び図９Ａに示した感光性の右螺旋誘起キラル及び感光性の左螺旋誘起キラル剤の組み合わせ例は、いずれも、感光性の右螺旋誘起キラル及び感光性の左螺旋誘起キラル剤は、それぞれ異なる波長の光で感光する態様に該当する。
　上記態様の場合、後述する工程Ｘ２Ａと工程ＹＡとの光照射の際に、異なる波長の光を照射できる。つまり、工程Ｘ２Ａにおける光照射処理の光の波長と、工程ＹＡにおける光照射処理の光の波長とが異なる態様とすることができる。

　なお、上記では、液晶組成物が２種の感光性キラル剤を含む態様について述べたが、工程Ｘ２及び工程ＹＡを実施できれば、その態様には限定されない。
　例えば、上述した特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤を用いる態様が挙げられる。
　より具体的には、液晶組成物は、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの一方である特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの他方であり、光照射によって螺旋誘起力が変化しないキラル剤（以下、単に「非感光性キラル剤」ともいう。）とを含む態様であってもよい。
　つまり、液晶組成物は、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの一方である特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの他方である非感光性キラル剤とを含み、且つ、液晶組成物において上記特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と上記非感光性キラル剤との加重平均螺旋誘起力の絶対値は、０．０～１．９μｍ^-1（好ましくは、０．０～１．５μｍ^-1）である態様であってもよい。

　上記態様の場合、工程Ｘ２Ａにおける光照射の際に、特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤の螺旋誘起力が増加（又は減少）して、加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加することによりコレステリック液晶層Ａが形成され、工程ＹＡにおける光照射の際に、特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤の螺旋誘起力が逆に減少（又は増加）して、加重平均螺旋誘起力の絶対値が減少し、コレステリック液晶層Ａのコレステリック液晶相の螺旋ピッチが拡大し、特定傾斜角が大きくなる。
　なお、特定感光性キラル剤を使用する場合、工程Ｘ２Ａにおける光照射処理の光の波長と、工程Ｙにおける光照射処理の光の波長とで同じ波長を照射できる。
　上記態様の一例として、図１０Ａ及び図１０Ｂに、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻きの特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と、誘起される螺旋の螺旋方向が左巻きの非感光性キラル剤とを組み合わせた場合の加重平均螺旋誘起力を示す。

　なお、上記では特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と非感光性キラル剤との組み合わせについて述べたが、特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と感光性キラル剤との組み合わせであってもよい。
　特定感光性キラル剤と感光性キラル剤との組み合わせの場合、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの一方である特定感光性キラル剤と、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの他方であり、光照射によって螺旋誘起力が減少するキラル剤とを組み合わせる態様が好ましい。
　フォトクロミックキラル剤と感光性キラル剤との組み合わせの場合、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの一方であるフォトクロミックキラル剤と、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの他方であり、フォトクロミックキラル剤とは逆の螺旋誘起力変化を示すキラル剤とを組み合わせる態様が好ましい。即ち、感光性キラル剤が工程Ｘ２Ａで感光する場合、工程Ｘ２Ａにおいてフォトクロミックキラル剤が示す螺旋誘起力変化とは逆の変化を示す感光性キラル剤を用いることが好ましい。感光性キラル剤が工程ＹＡにおいて感光する場合、工程ＹＡにおいてフォトクロミックキラル剤が示す螺旋誘起力変化とは逆の変化を示す感光性キラル剤を用いることが好ましい。図１１Ａ及び図１１Ｂに、フォトクロミックキラル剤と感光性キラル剤との組み合わせの一例及びその加重平均螺旋誘起力を示す。

　また、右螺旋を誘起する特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と、左螺旋を誘起する特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤とを組み合わせてもよい。この場合、工程Ｘ２Ａにおいては一方のキラル剤の螺旋誘起力が増加し、他方のキラル剤の螺旋誘起力が減少し、工程ＹＡにおいては一方のキラル剤の螺旋誘起力が減少し、他方のキラル剤の螺旋誘起力が増加することが好ましい。図１２Ａ及び図１２Ｂに、フォトクロミックキラル剤と特定感光性キラル剤との組み合わせの一例及びその加重平均螺旋誘起力を示す。

　なお、キラル剤の螺旋誘起力（ＨＴＰ）とは、下記式（Ｂ）で表される螺旋配向能力を示すファクターである。
　式（Ｂ）　ＨＴＰ＝１／（螺旋ピッチの長さ（単位：μｍ）×液晶化合物に対するキラル剤の濃度（質量％））［μｍ^-1］
　螺旋ピッチの長さとは、コレステリック液晶相の螺旋構造のピッチＰ（＝螺旋の周期）の長さをいい、液晶便覧（丸善株式会社出版）の１９６ページに記載の方法で測定できる。
　なお、キラル剤の螺旋誘起力（ＨＴＰ）は、下記式（Ｃ）としても表される。
　式（Ｃ）：ＨＴＰ＝（液晶化合物の平均屈折率）／｛（液晶化合物に対するキラル剤の濃度（質量％））×（中心反射波長（ｎｍ））｝［μｍ^-1］

　液晶組成物中におけるキラル剤の総含有量（液晶組成物中の全てのキラル剤の総含有量）は、液晶化合物の全質量に対して、２．０質量％以上が好ましく、３．０質量％以上がより好ましい。また、液晶組成物中におけるキラル剤の総含有量の上限は、コレステリック液晶層のヘイズ抑制の点で、液晶化合物の全質量に対して、１８．０質量％以下が好ましく、１５．０質量％以下がより好ましく、１２．０質量％以下が更に好ましい。

　なお、２種以上のキラル剤が液晶組成物に含まれる場合、上述したように加重平均螺旋誘起力の絶対値が所定の範囲（０．０～１．５μｍ^-1）となるように、キラル剤の濃度が調整されることが好ましい。

　液晶組成物は、上述した液晶化合物及びキラル剤以外の他の成分を含んでいてもよい。

・・重合開始剤
　液晶組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。特に、液晶化合物が重合性基を有する場合、液晶組成物は、重合開始剤を含むことが好ましい。
　重合開始剤としては、紫外線照射によって重合反応を開始可能な光重合開始剤であることが好ましい。光重合開始剤としては、α－カルボニル化合物（米国特許第２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許第２４４８８２８号明細書記載）、α－炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許第２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許第３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ－アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許第３５４９３６７号明細書記載）、アクリジン及びフェナジン化合物（特開昭６０－１０５６６７号公報、米国特許第４２３９８５０号明細書記載）及びオキサジアゾール化合物（米国特許第４２１２９７０号明細書記載）等が挙げられる。
　液晶組成物中での重合開始剤の含有量（重合開始剤が複数種含まれる場合にはその合計量）は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、０．１～２０質量％が好ましく、１．０～８．０質量％がより好ましい。

・・界面活性剤
　液晶組成物は、組成物層の基板側表面及び／又は基板とは反対側の表面に偏在し得る界面活性剤を含むことが好ましい。
　界面活性剤としては特に制限されないが、例えば、フッ素系界面活性剤、ボロン酸化合物、及びイオン系界面活性剤等が挙げられる。なかでも、フッ素系界面活性剤を含むことが好ましい。
　界面活性剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　液晶組成物中での界面活性剤の含有量（界面活性剤が複数種含まれる場合にはその合計量）は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、０．０１～１０質量％が好ましく、０．０１～５．０質量％がより好ましく、０．０１～２．０質量％が更に好ましい。

・・溶媒
　液晶組成物は、溶媒を含んでいてもよい。
　溶媒としては、水又は有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ピリジン等のヘテロ環化合物；ベンゼン、及びヘキサン等の炭化水素；クロロホルム、及びジクロロメタン等のアルキルハライド類；酢酸メチル、酢酸ブチル、及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、及びシクロペンタノン等のケトン類；テトラヒドロフラン、及び１，２－ジメトキシエタン等のエーテル類；１，４－ブタンジオールジアセテート；等が挙げられる。
　溶媒は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

・・その他の添加剤
　液晶組成物は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、増感剤、安定剤、可塑剤、連鎖移動剤、重合禁止剤、消泡剤、レベリング剤、増粘剤、難燃剤、分散剤、並びに、染料及び顔料等の色材等の他の添加剤を含んでいてもよい。

・・液晶組成物の好適態様
　液晶組成物においては、液晶組成物を構成する化合物の１つ以上が、複数の重合性基を有する化合物（多官能性化合物）であるのが好ましい。更に、液晶組成物においては、複数の重合性基を有する化合物の総含有量が、液晶組成物中の全固形分に対して、８０質量％以上であるのが好ましい。なお、この上記固形分とは、コレステリック液晶層を形成する成分であり、溶媒は含まれない。
　液晶組成物中の全固形分の８０質量％以上を、複数の重合性基を有する化合物とすることにより、コレステリック液晶相の構造を強固に固定して耐久性を付与できる等の点で好ましい。
　なお、複数の重合性基を有する化合物とは、１分子内に２つ以上の固定化可能な基を有する化合物である。本発明において、液晶組成物が含む多官能性化合物は、液晶性を有するものでも、液晶性を有さないものでもよい。

・・基板
　基板は、液晶組成物から形成される組成物層を支持する板である。なかでも、透明基板であることが好ましい。なお、透明基板とは、可視光の透過率が６０％以上である基板を意図し、その透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。
　基板を構成する材料は特に制限されず、例えば、セルロース系ポリマー、ポリカーボネート系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、（メタ）アクリル系ポリマー、スチレン系ポリマー、ポリオレフィン系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、アミド系ポリマー、イミド系ポリマー、スルホン系ポリマー、ポリエーテルスルホン系ポリマー、及び、ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー等が挙げられる。
　基板には、ＵＶ（紫外線）吸収剤、マット剤微粒子、可塑剤、劣化防止剤、及び、剥離剤等の各種添加剤が含まれていてもよい。
　なお、基板は、可視光領域で低複屈折性であることが好ましい。例えば、基板の波長５５０ｎｍにおける位相差は５０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましい。

　基板の厚さは特に制限されないが、薄型化、及び、取り扱い性の点から、１０～２００μｍが好ましく、２０～１００μｍがより好ましい。
　上記厚さは平均厚さを意図し、基板の任意の５点の厚さを測定し、それらを算術平均したものである。この厚さの測定方法に関しては、後述するコレステリック液晶層の厚さも同様である。

　また、上記基板は、基板表面にプレチルト角を有するラビング配向膜、一軸配向若しくはハイブリッド配向された液晶化合物を含む配向膜、又は円盤状化合物を用いて形成された液晶層を有することが好ましい。上記基板を使用することで、工程Ｘ２Ａのコレステリック液晶相の形成の際、液晶化合物に由来する分子軸が組成物層の主面の法線に対して傾斜するように配向しやすい。

・工程Ｘ１Ａの手順
　工程Ｘ１Ａは、下記工程Ｘ１Ａ－１と、下記工程Ｘ１Ａ－２と、を有することが好ましい。
　工程Ｘ１Ａ－１：液晶組成物と基板とを接触させて、基板上に塗膜を形成する工程
　工程Ｘ１Ａ－２：塗膜を加熱することによって、上記条件４、上記条件５、又は上記条件６を満たす組成物層を形成する工程

　工程Ｘ１Ａ－１では、まず、上述した液晶組成物を基板上に塗布する。塗布方法は特に制限されず、例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、及び、ダイコーティング法等が挙げられる。なお、液晶組成物の塗布に先立ち、基板に公知のラビング処理を施してもよい。
　なお、必要に応じて、液晶組成物の塗布後に、基板上に塗布された塗膜を乾燥する処理を実施してもよい。乾燥処理を実施することにより、塗膜から溶媒を除去できる。

　塗膜の膜厚は特に制限されないが、０．１～２０μｍが好ましく、０．２～１５μｍがより好ましく、０．５～１０μｍが更に好ましい。

　液晶組成物の液晶相転移温度は、製造適性の点から、１０～２５０℃の範囲内が好ましく、１０～１５０℃の範囲内がより好ましい。
　工程Ｘ１Ａ－２での好ましい加熱条件としては、４０～１００℃（好ましくは、６０～１００℃）で０．５～５分間（好ましくは、０．５～２分間）にわたって組成物層を加熱することが好ましい。
　組成物層を加熱する際には、液晶化合物が等方相（Ｉｓｏ）となる温度まで加熱しないことが好ましい。液晶化合物が等方相となる温度以上に組成物層を加熱してしまうと、傾斜配向した液晶相又はハイブリッド配向した液晶相の欠陥が増加してしまい、好ましくない。

　上記工程Ｘ１Ａ－２により、上記条件４、上記条件５、又は上記条件６を満たす組成物層が得られる。
　なお、液晶化合物を傾斜配向（図６参照）、ハイブリッド配向、又は垂直配向させるためには、界面にプレチルト角度を与えることが有効であり、具体的には、下記の方法が挙げられる。
（１）プレチルト角を有するラビング配向膜、又は、一軸配向若しくはハイブリッド配向された液晶化合物を含む配向膜を表面に配置した基板を使用する。
（２）液晶組成物中に、空気界面及び／又は基板界面に偏在して、液晶化合物の配向を制御し得る界面活性剤（例えば、イオン系界面活性剤、及び、フッ素系界面活性剤）を添加する。
（３）液晶組成物中に、界面におけるプレチルト角が大きい液晶化合物を添加する。

　上述したように、液晶組成物を用いて形成される組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、０．０～１．９μｍ^-1が好ましい。加重平均螺旋誘起力の絶対値の更なる好適範囲は上述した通りである。

　組成物層中の液晶化合物の配向は、ネマチック配向（好ましくは、ネマチックハイブリッド配向）又はスメクチック配向であることが好ましい。

・工程Ｘ２Ａ
　工程Ｘ２Ａは、組成物層に対して光照射を施して、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程である。
　組成物層には、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤が含まれている。そのため、組成物層に対して感光性キラル剤が感光する光を照射することにより、感光性キラル剤の螺旋誘起力を変化させて、液晶化合物をコレステリック配向させることができる。
　以下、組成物層中に下記特性を有するキラル剤Ａ及びキラル剤Ｂが含まれている場合を一例として、説明する。
　図１３に示すように、上記キラル剤Ａは、感光性キラル剤に該当し、左方向（－）の螺旋誘起力を有し、光照射により螺旋誘起力を低減させるキラル剤である。
　また、図１３に示すように、上記キラル剤Ｂは、キラル剤Ａとは逆方向である右方向（＋）の螺旋誘起力を有し、光照射により螺旋誘起力が変化しないキラル剤である。ここで、未光照射時の「キラル剤Ａの螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤Ａの濃度（質量％）」と「キラル剤Ｂの螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤Ｂの濃度（質量％）」は等しいものとする。なお、図１３において、縦軸の「キラル剤の螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤の濃度（質量％）」は、その値がゼロから離れるほど、螺旋誘起力が大きくなる。
　組成物層が上記キラル剤Ａ及び上記キラル剤Ｂを含む場合、液晶化合物の螺旋を誘起する螺旋誘起力は、キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂの加重平均螺旋誘起力に一致する。この結果として、上記キラル剤Ａと上記キラル剤Ｂとを併用した系においては、図１４に示すように、液晶化合物の螺旋を誘起する螺旋誘起力は、照射量が大きいほど、キラル剤Ｂ（キラル剤Ｙに該当）が誘起する螺旋の方向（＋）に螺旋誘起力が大きくなると考えられる。
　工程Ｘ２Ａの光照射処理の際においては、組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、液晶化合物をコレステリック配向させることが可能であれば特に制限されないが、例えば、１０．０μｍ^-1以上が好ましく、１０．０～２００．０μｍ^-1がより好ましく、２０．０～２００．０μｍ^-1が更に好ましい。
　つまり、工程Ｘ１Ａの際には組成物層中のキラル剤の螺旋誘起力が略ゼロに相殺されることによって、組成物層中の液晶化合物を配向させて、傾斜配向（図６参照）、ハイブリッド配向、又は垂直配向とすることができる。次いで、工程Ｘ２Ａの光照射処理を契機として、キラル剤の螺旋誘起力を変化させて、組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力を右方向（＋）又は左方向（－）のいずれかの方向に増大させることで、コレステリック液晶層Ａが得られる。

　なお、上記では、キラル剤Ｂとして、光照射により螺旋誘起力が変化しないキラル剤を用いた場合について説明したが、キラル剤Ａとは異なる、光の照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤を用いた場合において、キラル剤Ａが感光し、キラル剤Ｂが感光しない波長の光を照射した際にも、上記と同様に、コレステリック液晶層Ａが形成される。

　また、液晶組成物に含まれるキラル剤の組み合わせとしては、上述したように、特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と非感光性キラル剤との組み合わせ、特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と感光性キラル剤との組み合わせ、並びに、特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤との組み合わせ等があるが、液晶組成物より形成される組成物層のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値を小さく（好ましく、０．０～１．９μｍ^-1）して、上記のように一方のキラル剤のみの螺旋誘起力が変化するように光照射を行うことにより、上記と同様にキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値を増加させて、コレステリック液晶層Ａを形成できる。

　工程Ｘ２Ａにおける光照射の照射強度は特に制限されず、感光性キラル剤の螺旋誘起力に基づいて適宜決定できる。
　工程Ｘ２Ａにおける光照射の照射強度は、一般的には、０．１～２００ｍＷ／ｃｍ²程度が好ましい。また、光を照射する時間は特に制限されないが、得られる層の充分な強度及び生産性の双方の観点から適宜決定すればよい。
　また、光照射時における組成物層の温度は、例えば、０～１００℃であり、１０～６０℃が好ましい。

　光照射に使用される光は、感光性キラル剤の螺旋誘起力を変化させる活性光線又は放射線であれば特に制限されず、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、紫外線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）等を意味する。なかでも、紫外線が好ましい。

・工程ＹＡ
　工程ＹＡは、工程Ｘ２Ａにより得られたコレステリック液晶層Ａに対して光照射を施して、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程である。
　上述したように、螺旋ピッチを拡大することにより特定傾斜角が大きくなり、螺旋ピッチが縮小することにより特定傾斜角が小さくなる。
　上記螺旋ピッチの拡大及び縮小は、液晶組成物に含まれていた感光性キラル剤によって達成できる。
　以下、螺旋ピッチが拡大する場合の一例を説明する。ここでは、液晶組成物が、光照射により螺旋誘起力が減少する感光性の右螺旋誘起キラル剤（以下、単に「特定右キラル剤Ｄ」ともいう。）、及び、光照射により螺旋誘起力が減少する感光性の左螺旋誘起キラル剤（以下、単に「特定左キラル剤Ｄ」ともいう。）を含む場合を一例として、説明する。
　なお、特定右キラル剤Ｄ及び特定左キラル剤Ｄとは、それぞれ異なる波長の光で感光するものとする。

　液晶組成物が特定右キラル剤Ｄ及び特定左キラル剤Ｄを含む場合、まず、上述した工程Ｘ２Ａにおいて組成物層に対して特定右キラル剤Ｄ及び特定左キラル剤Ｄの一方のみが感光する光照射を施すと感光したキラル剤の螺旋誘起力が減少し、加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加し（図７Ａ及び図７Ｂ参照）、コレステリック液晶層Ａが形成される。
　次に、コレステリック液晶層Ａに対して、特定右キラル剤Ｄ及び特定左キラル剤Ｄの他方が感光する光照射を施すと感光したキラル剤の螺旋誘起力が減少し、加重平均螺旋誘起力の絶対値が減少する（図７Ａ及び図７Ｂ参照）。従って、コレステリック液晶層Ａのコレステリック液晶相の螺旋ピッチが拡大し、特定傾斜角が大きくなる。

　次に、螺旋ピッチが縮小する場合の一例を説明する。ここでは、液晶組成物が、光照射により螺旋誘起力が減少する感光性の右螺旋誘起キラル剤（以下、単に「特定右キラル剤Ｄ」ともいう。）、及び、光照射により螺旋誘起力が増加する感光性の左螺旋誘起キラル剤（以下、単に「特定左キラル剤Ｉ」ともいう。）を含む場合を一例として、説明する。
　なお、特定右キラル剤Ｄ及び特定左キラル剤Ｉとは、それぞれ異なる波長の光で感光するものとする。

　液晶組成物が特定右キラル剤Ｄ及び特定左キラル剤Ｉを含む場合、まず、上述した工程Ｘ２Ａにおいて組成物層に対して特定右キラル剤Ｄ及び特定左キラル剤Ｉの一方のみが感光する光照射を施すと感光したキラル剤の螺旋誘起力が変化し、加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加し（図９Ａ及び図９Ｂ参照）、コレステリック液晶層Ａが形成される。
　次に、コレステリック液晶層Ａに対して、特定右キラル剤Ｄ及び特定左キラル剤Ｉの他方が感光する光照射を施すと感光したキラル剤の螺旋誘起力が変化し、加重平均螺旋誘起力の絶対値が更に増加する（図９Ａ及び図９Ｂ参照）。従って、コレステリック液晶層Ａのコレステリック液晶相の螺旋ピッチが縮小し、特定傾斜角が小さくなる。

　また、上述したように、液晶組成物に含まれるキラル剤の組み合わせとしては、特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と非感光性キラル剤との組み合わせ、特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と感光性キラル剤との組み合わせ、並びに、特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤と特定感光性キラル剤又はフォトクロミックキラル剤との組み合わせ等があるが、液晶組成物より形成される組成物層のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値を小さく（好ましく、０．０～１．９μｍ^-1）して、特定感光性キラル剤の螺旋誘起力が変化するように光照射を行うことにより、上記と同様にキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値を減少させて、コレステリック液晶層Ａのコレステリック液晶相の螺旋ピッチが拡大し、特定傾斜角が大きくなる。
　例えば、特定感光性キラル剤及び非感光性キラル剤の組み合わせの場合、工程Ｘ２Ａにおいて、組成物層に対して特定感光性キラル剤が感光する光照射を施して、特定感光性キラル剤の螺旋誘起力が増加させ、加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加させることによりコレステリック液晶層Ａが形成される。次に、工程ＹＡにおいて、コレステリック液晶層Ａに対して特定感光性キラル剤が感光する光照射を施して、特定感光性キラル剤の螺旋誘起力を減少させて、加重平均螺旋誘起力の絶対値が減少させることにより、コレステリック液晶層Ａのコレステリック液晶相の螺旋ピッチが拡大し、特定傾斜角が大きくなる。

（第２実施態様）
　本発明のコレステリック液晶層の製造方法の第２実施態様は、以下の工程Ｘ１Ｂ、工程Ｘ２Ｂ、及び、工程ＹＢを有する第２実施態様－１と、下の工程Ｘ１Ｂ’、工程Ｘ２Ｂ’、及び、工程ＹＢ’を有する第２実施態様－２とが挙げられる。

≪第２実施態様－１≫
　本発明のコレステリック液晶層の製造方法の第２実施態様－１は、以下の工程Ｘ１Ｂ、工程Ｘ２Ｂ、及び、工程ＹＢを有する。
工程１Ｂ：液晶化合物、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤、及び、温度変化により螺旋誘起力が変化する感温性キラル剤（以下、単に「感温性キラル剤」ともいう。）を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程
工程Ｘ２Ｂ：組成物層に対して光照射を施して、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程
工程ＹＢ：工程Ｘ２Ｂにより得られたコレステリック液晶層Ａに対して温度変化を与えて、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程
　以下、各工程について詳述する。

・工程Ｘ１Ｂ
　工程Ｘ１Ｂは、液晶化合物、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤、及び、温度変化により螺旋誘起力が変化するキラル剤（以下、単に「感温性キラル剤」ともいう。）を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程である。
　工程Ｘ１Ｂでは、感温性キラル剤を更に使用する点以外は、使用する材料及び部材は工程Ｘ１Ａと同じである。

・・感温性キラル剤
　感温性キラル剤としては、液晶化合物の螺旋を誘起する化合物であり、冷却又は加熱により螺旋誘起力を変化させられるものが挙げられる。
　感温性キラル剤は、温度変化によって螺旋誘起力が増加する感温性キラル剤であってもよいし、温度変化によって螺旋誘起力が減少する感温性キラル剤であってもよい。
　また、工程ＹＢでの冷却又は加熱の温度の上限は、通常±１５０℃程度である（言い換えると、±１５０℃以内の冷却又は加熱により螺旋誘起力を変化させられるキラル剤が好ましい）。なかでも、冷却により螺旋誘起力を変化させられるキラル剤が好ましい。
　感温性キラル剤は、液晶性であっても、非液晶性であってもよい。
　感温性キラル剤としては、温度変化後の螺旋誘起力差が大きいという点で、イソソルビド部分構造（イソソルビドに由来する部分構造）、イソマンニド部分構造（イソマンニドに由来する部分構造）、及びビナフチル部分構造からなる群より選ばれる部分構造を含んでいるのが好ましい。

　液晶組成物を用いて形成される組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は特に制限されないが、組成物層が形成しやすい点で、例えば、０．０～１．９μｍ^-1が好ましく、０．０～１．５μｍ^-1がより好ましく、０．０～１．０μｍ^-1が更に好ましく、０．０～０．５μｍ^-1が特に好ましく、ゼロが最も好ましい。

　液晶組成物は、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの一方である感光性キラル剤、及び、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの他方である感温性キラル剤を含むことが好ましい。

　また、後述する工程ＹＢにおいて、工程Ｘ２Ｂにより得られたコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする場合には、感光性キラル剤が光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤であり、且つ、感温性キラル剤が温度変化により螺旋誘起力が増加するキラル剤であることが好ましい。

　また、後述する工程ＹＢにおいて、工程Ｘ２Ｂにより得られたコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を小さくする場合には、感光性キラル剤が光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤であり、且つ、感温性キラル剤が温度変化により螺旋誘起力が減少するキラル剤であることが好ましい。

　工程Ｘ１Ｂの手順は、上述した工程Ｘ１Ａの手順と同じであるため、説明を省略する。

・工程Ｘ２Ｂ
　工程Ｘ２Ｂは、組成物層に対して光照射を施して、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程である。
　組成物層には、感光性キラル剤が含まれている。そのため、組成物層に対して感光性キラル剤が感光する光を照射することにより、感光性キラル剤の螺旋誘起力を変化させて、液晶化合物をコレステリック配向させることができる。
　より具体的には、組成物層に対して感光性キラル剤が感光する光を照射することにより、上述した図１４で説明した場合と同様に、組成物層のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加し、上記工程Ｘ２Ａと同様に、コレステリック液晶層Ａが形成される。

　工程Ｘ２Ｂの手順は、工程Ｘ２Ａの手順と同じであるため、説明を省略する。

・工程ＹＢ
　工程ＹＢは、工程Ｘ２Ａにより得られたコレステリック液晶層Ａに対して温度変化を与えて、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程である。
　上記螺旋ピッチの拡大及び縮小は、液晶組成物に含まれていた感温性キラル剤によって達成できる。例えば、感温性キラル剤が温度変化によって螺旋誘起力が変化して、コレステリック液晶層Ａのキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が減少した場合には、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが拡大して特定傾斜角が大きくなる。また、感温性キラル剤が温度変化によって螺旋誘起力が変化して、コレステリック液晶層Ａのキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加した場合には、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが縮小して特定傾斜角が小さくなる。

　コレステリック液晶層Ａに対して温度変化を与える処理としては、コレステリック液晶層Ａに対して冷却処理又は加熱処理を施す方法が挙げられる。
　コレステリック液晶層Ａを冷却する際には、コレステリック液晶層Ａの温度が３０℃以上下がるように、コレステリック液晶層Ａを冷却することが好ましい。なかでも、上記効果がより優れる点で、４０℃以上下がるようにコレステリック液晶層Ａを冷却することが好ましく、５０℃以上下がるようにコレステリック液晶層Ａを冷却することがより好ましい。上記冷却処理の低減温度幅の上限値は特に制限されないが、通常、１５０℃程度である。
　なお、上記冷却処理は、言い換えると、コレステリック液晶層Ａの温度をＴ℃とする場合、Ｔ－３０℃以下となるように、コレステリック液晶層Ａを冷却することを意図する。
　上記冷却の方法は特に制限されず、組成物層が配置された基板を所定の温度の雰囲気中に静置する方法が挙げられる。

　コレステリック液晶層Ａを加熱する際には、コレステリック液晶層Ａの温度が３０℃以上上がるように、コレステリック液晶層Ａを加熱することが好ましい。なかでも、上記効果がより優れる点で、４０℃以上上がるようにコレステリック液晶層Ａを加熱することが好ましく、５０℃以上上がるようにコレステリック液晶層Ａを加熱することがより好ましい。上記加熱処理の上昇温度幅の上限値は特に制限されないが、通常、１５０℃程度である。

≪第２実施態様－２≫
　また、本発明のコレステリック液晶層の製造方法の第２実施態様－２は、以下の工程Ｘ１Ｂ’、工程Ｘ２Ｂ’、及び、工程ＹＢ’を有する。
工程１Ｂ’：液晶化合物及びフォトクロミックキラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程
工程Ｘ２Ｂ’：組成物層に対して光照射を施して、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程
工程ＹＢ’：工程Ｘ２Ｂにより得られたコレステリック液晶層Ａを加熱して、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程
　以下、各工程について詳述する。

・工程Ｘ１Ｂ
　工程Ｘ１Ｂは、液晶化合物及びフォトクロミックキラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程である。
　工程Ｘ１Ｂでは、フォトクロミックキラル剤を更に使用する点以外は、使用する材料及び部材は工程Ｘ１Ａと同じである。

・・フォトクロミックキラル剤
　フォトクロミックキラル剤としては、光によって螺旋誘起力が減少（又は増加）し、その後、加熱によって螺旋誘起力が増加（又は減少）するキラル剤が使用できる。このようなフォトクロミックキラル剤としては、分子内にアゾベンゼン、アゾメチン、ジアリールエテン、スピロピラン、又はフルギド等のフォトクロミック部位を有するキラル剤等が挙げられる。なお、工程ＹＢでの加熱の温度の上限は、通常１５０℃程度である（言い換えると、１５０℃以内の加熱により螺旋誘起力を変化させられるフォトクロミックキラル剤が好ましい）。

　液晶組成物は、フォトクロミックキラル剤とは別に感光性キラル剤又は非感光性キラル剤を含むことが好ましい。
　液晶組成物がフォトクロミックキラル剤とは別に感光性キラル剤を含む場合、なかでも、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの一方であるフォトクロミックキラル剤と、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの他方である感光性キラル剤とを含むことが好ましい。感光性キラル剤が工程Ｘ２Ｂ’で感光する場合、工程Ｘ２Ｂ’においてフォトクロミックキラル剤が示す螺旋誘起力変化とは逆の変化を示す感光性キラル剤を用いることが好ましい。感光性キラル剤が工程ＹＢ’において感光する場合、工程ＹＢ’においてフォトクロミックキラル剤が示す螺旋誘起力変化とは逆の変化を示す感光性キラル剤を用いることが好ましい。
　また、液晶組成物は、フォトクロミックキラル剤とは別に特定感光性キラル剤又は他のフォトクロミックキラル剤を含むことも好ましい。上記態様の液晶組成物としては、なかでも、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの一方であるフォトクロミックキラル剤と、誘起される螺旋の螺旋方向が右巻き及び左巻きの他方である特定感光性キラル剤又は他のフォトクロミックキラル剤とを含むことが好ましい。なお、上記態様においては、工程Ｘ２Ｂ’においては一方のキラル剤の螺旋誘起力が増加し、他方のキラル剤の螺旋誘起力が減少し、工程ＹＢ’においては一方のキラル剤の螺旋誘起力が減少し、他方のキラル剤の螺旋誘起力が増加することが好ましい。

　工程Ｘ１Ｂ’の手順は、上述した工程Ｘ１Ａの手順と同じであるため、説明を省略する。

・工程Ｘ２Ｂ’
　工程Ｘ２Ｂは、組成物層に対して光照射を施して、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程である。
　組成物層には、フォトクロミックキラル剤が含まれている。そのため、組成物層に対してフォトクロミックキラル剤が感光する光を照射することにより、フォトクロミックキラル剤の螺旋誘起力を変化させて、液晶化合物をコレステリック配向させることができる。
　より具体的には、組成物層に対してフォトクロミックキラル剤が感光する光を照射することにより、上述した図１４で説明した場合と同様に、組成物層のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加し、上記工程Ｘ２Ａと同様に、コレステリック液晶層Ａが形成される。

　工程Ｘ２Ｂ’の手順は、工程Ｘ２Ａの手順と同じであるため、説明を省略する。

・工程ＹＢ’
　工程ＹＢ’は、工程Ｘ２Ａにより得られたコレステリック液晶層Ａを加熱して、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程である。
　上記螺旋ピッチの拡大及び縮小は、液晶組成物に含まれていたフォトクロミックキラル剤によって達成できる。例えば、フォトクロミックキラル剤が加熱によって螺旋誘起力が変化して、コレステリック液晶層Ａのキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が減少した場合には、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが拡大して特定傾斜角が大きくなる。また、フォトクロミックキラル剤が加熱によって螺旋誘起力が変化して、コレステリック液晶層Ａのキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加した場合には、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが縮小して特定傾斜角が小さくなる。

（第３実施態様）
　本発明のコレステリック液晶層の製造方法の第３実施態様は、以下の工程Ｘ１Ｃ、工程Ｘ２Ｃ、及び、工程ＹＣを有する。
工程Ｘ１Ｃ：液晶化合物、感光性キラル剤、及び、感温性キラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程
工程Ｘ２Ｃ：組成物層に対して温度変化を与えて、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程
工程ＹＣ：工程Ｘ２Ｃにより得られたコレステリック液晶層Ａに対して光照射を施して、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程
　上述した第２実施態様では、組成物層に対して光照射を施し、コレステリック液晶層Ａに対して温度変化を与えているのに対して、第３実施態様では、組成物層に対して温度変化を与えて、コレステリック液晶層Ａに対して光照射を施している点で、異なる。

・工程Ｘ１Ｃ
　工程Ｘ１Ｃは、液晶化合物、感光性キラル剤、及び、感温性キラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程である。
　工程Ｘ１Ｃで使用される材料及び部材は、工程Ｘ１Ｂと同じであるため、説明を省略する。

　なお、液晶組成物を用いて形成される組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は特に制限されないが、組成物層が形成しやすい点で、例えば、０．０～１．９μｍ^-1が好ましく、０．０～１．５μｍ^-1がより好ましく、０．０～１．０μｍ^-1が更に好ましく、０．０～０．５μｍ^-1が特に好ましく、ゼロが最も好ましい。

　また、後述する工程ＹＣにおいて、工程Ｘ２Ｃにより得られたコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする場合には、感光性キラル剤が光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤であり、且つ、感温性キラル剤が温度変化により螺旋誘起力が増加するキラル剤であることが好ましい。

　また、後述する工程ＹＣにおいて、工程Ｘ２Ｃにより得られたコレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を小さくする場合には、感光性キラル剤が光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤であり、且つ、感温性キラル剤が温度変化により螺旋誘起力が増加するキラル剤であることが好ましい。

・工程Ｘ２Ｃ
　工程Ｘ２Ｃは、組成物層に対して温度変化を与えて、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程である。
　組成物層には、感温性キラル剤が含まれている。そのため、組成物層に対して温度変化を与えることにより、感温性キラル剤の螺旋誘起力を変化させて、液晶化合物をコレステリック配向させることができる。
　より具体的には、組成物層に対して温度変化を与えることにより、上述した図１４で説明した場合と同様に、組成物層のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加し、上記工程Ｘ２Ａと同様に、コレステリック液晶層Ａが形成される。

　工程Ｘ２Ｃの温度変化を与える処理の手順は、工程ＹＢの手順と同じであるため、説明を省略する。

・工程ＹＣ
　工程ＹＣは、工程Ｘ２Ｃにより得られたコレステリック液晶層Ａに対して光照射を施して、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程である。
　上記螺旋ピッチの拡大及び縮小は、液晶組成物に含まれていた感光性キラル剤によって達成できる。例えば、光照射により感光性キラル剤の螺旋誘起力が変化して、コレステリック液晶層Ａのキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が減少した場合には、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが拡大して特定傾斜角が大きくなる。また、光照射により感光性キラル剤の螺旋誘起力が変化して、コレステリック液晶層Ａのキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が増加した場合には、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが縮小して特定傾斜角が小さくなる。

　工程ＹＣの手順は、工程Ｘ２Ａの手順と同じであるため、説明を省略する。

（第４実施態様）
　本発明のコレステリック液晶層の製造方法の第４実施態様は、以下の工程Ｘ１Ｄ、工程Ｘ２Ｄ、及び、工程ＹＤを有する。
工程Ｘ１Ｄ：液晶化合物、感温性キラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程
工程Ｘ２Ｄ：組成物層に対して温度変化を与えて、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程
工程ＹＤ：工程Ｘ２Ｄにより得られたコレステリック液晶層Ａに対して温度変化を与えて、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程

・工程Ｘ１Ｄ
　工程Ｘ１Ｄは、液晶化合物、及び、感温性キラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に上述した条件４、上述した条件５、又は上述した条件６を満たす組成物層を形成する工程である。
　液晶組成物は、温度変化によって螺旋誘起力が変化する右螺旋誘起キラル剤、及び、温度変化によって螺旋誘起力が変化する左螺旋誘起キラル剤を含むことが好ましい。
　工程Ｘ１Ｄの手順は、上述した工程Ｘ１Ａの手順と同じであるため、説明を省略する。

・工程Ｘ２Ｄ
　工程Ｘ２Ｄは、組成物層に対して温度変化を与えて、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させて、コレステリック液晶層Ａを形成する工程である。
　工程Ｘ２Ｄの手順は、上述した工程Ｘ２Ｃの手順と同じであるため、説明を省略する。

・工程ＹＤ
　工程ＹＤは、工程Ｘ２Ｄにより得られたコレステリック液晶層Ａに対して温度変化を与えて、コレステリック液晶層Ａ中のコレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、特定傾斜角を大きくする又は小さくする工程である。
　工程ＹＤの手順は、上述した工程Ｘ２Ｃの手順と同じであるため、説明を省略する。

　なお、上記第２実施態様及び第３実施態様においては、感光性キラル剤及び感温性キラル剤の２種のキラル剤を用いているが、感光性キラル剤及び感温性キラル剤の代わりに、光照射によって螺旋誘起力が変化し、且つ、温度変化によって螺旋誘起力が変化するキラル剤を用いてもよい。

（実施態様１～４におけるその他工程）
　本発明のコレステリック液晶層の製造方法においては、上述した以外の他の工程を有していてもよい。
　例えば、液晶化合物が重合性基を有する場合、コレステリック液晶層に対して硬化処理を実施することが好ましい。硬化処理を実施して得られるコレステリック液晶層は、コレステリック液晶相を固定してなる層に該当する。
　なお、ここで、コレステリック液晶相を「固定化した」状態は、コレステリック液晶相となっている液晶化合物の配向が保持された状態が最も典型的、且つ、好ましい態様である。それだけには制限されず、具体的には、通常０～５０℃、より過酷な条件下では－３０～７０℃の温度範囲において、層に流動性が無く、また、外場もしくは外力によって配向形態に変化を生じさせることなく、固定化された配向形態を安定に保ち続けることができる状態を意味するものとする。本発明では、後述するように、紫外線照射によって進行する硬化反応により、コレステリック液晶相の配向状態を固定することが好ましい。

　硬化処理の方法は特に制限されず、光硬化処理及び熱硬化処理が挙げられる。なかでも、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
　紫外線照射には、紫外線ランプ等の光源が利用される。
　紫外線の照射エネルギー量は特に制限されないが、一般的には、１００～８００ｍＪ／ｃｍ²程度が好ましい。なお、紫外線を照射する時間は特に制限されないが、得られる層の充分な強度及び生産性の双方の観点から適宜決定すればよい。

　また、上述した第１実施態様の工程Ｘ１Ａと工程ＹＡとの間、第２実施態様－１の工程Ｘ１Ｂと工程ＹＢとの間、第２実施態様－２の工程Ｘ１Ｂ’と工程ＹＢ’との間、第３実施態様の工程Ｘ１Ｃと工程ＹＣとの間、及び、第４実施態様の工程Ｘ１Ｄと工程ＹＤとの間においては、コレステリック液晶層Ａを加熱する工程を実施してもよい。
　加熱条件は特に制限されないが、加熱温度は５０～１５０℃が好ましく７０～１３０℃がより好ましい。加熱時間は１～１０００秒が好ましく、１０～１００秒がより好ましい。

　また、上述した第１実施態様の工程ＹＡの後、第２実施態様－１の工程ＹＢの後、第２実施態様－２の工程ＹＢ’の後、第３実施態様の工程ＹＣの後、及び、第４実施態様の工程ＹＤの後において、必要に応じて、コレステリック液晶層を加熱する工程を実施してもよい。なお、この加熱処理の後、硬化処理を実施してもよい。
　加熱条件は特に制限されないが、加熱温度は５０～１５０℃が好ましく７０～１３０℃がより好ましい。加熱時間は１～１０００秒が好ましく、１０～１００秒がより好ましい。

［コレステリック液晶層］
　上述した製造方法によって得られるコレステリック液晶層の好適態様として、上述した特定傾斜角が３１°以上のコレステリック液晶層が挙げられる。
　より具体的には、本発明のコレステリック液晶層の好適態様の一つとして、液晶化合物が配向してコレステリック液晶相の状態となったコレステリック液晶層であって、コレステリック液晶層は、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有し、液晶化合物の分子軸が、コレステリック液晶層の両主面において、コレステリック液晶層の主面に対して傾斜しており、且つ、走査型電子顕微鏡によって観察されるコレステリック液晶層の主面に垂直な断面において、コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、コレステリック液晶層の主面の法線に対して、３１°以上傾斜している、コレステリック液晶層（以下、「特定ＣＬ液晶層」ともいう。）が挙げられる。
　特定ＣＬ液晶層は、反射光の円偏光度がより高い。以下において、特定ＣＬ液晶層の反射光の円偏光度が高い理由について述べる。

　ここで、図１５及び図１６に、従来のコレステリック液晶層の模式図を示す。具体的には、図１５は、主面４１及び主面４２からなる一対の主面４３を有するコレステリック液晶層４０の、主面４１及び主面４２での液晶化合物の配向状態を概念的に示す模式図である。また、図１６は、コレステリック液晶層４０の主面４３に垂直な断面でのコレステリック液晶層の状態を示す。以下においては、コレステリック液晶層４０の主面４１及び主面４２をＸ－Ｙ面とし、このＸ－Ｙ面に対して垂直な断面をＸ－Ｚ面として説明する。つまり、図１５は、コレステリック液晶層４０のＸ－Ｙ面での模式図であり、図１６は、コレステリック液晶層４０のＸ－Ｚ面での模式図である。
　図１５に示すように、コレステリック液晶層４０のＸ－Ｙ面において、液晶化合物４４は、Ｘ－Ｙ面内の互いに平行な複数の配列軸Ｄ₂に沿って配列しており、それぞれの配列軸Ｄ₂上において、液晶化合物４４の分子軸Ｌ₄の向きは、配列軸Ｄ₂に沿った面内の一方向に連続的に回転しながら変化している。つまり、コレステリック液晶層４０のＸ－Ｙ面における液晶化合物４４の配向状態は、図３に示すコレステリック液晶層Ａ１０のＸ－Ｙ面における液晶化合物１４の配向状態と同じである。

　図１６に示すように、コレステリック液晶層４０のＸ－Ｚ面においては、液晶化合物４４の分子軸Ｌ₄は、主面４１及び主面４２（Ｘ－Ｙ面）に対して傾斜していない。言い換えると、分子軸Ｌ₄は主面４１及び主面４２（Ｘ－Ｙ面）に対して平行である。
　コレステリック液晶層４０は、上述した図４に示すＸ－Ｙ面及び図１６に示すＸ－Ｚ面を有することにより、コレステリック液晶相由来の螺旋軸Ｃ₃は、主面４１及び主面４２（Ｘ－Ｙ面）に対して垂直であり、その反射面Ｔ₃は主面４１及び主面４２（Ｘ－Ｙ面）に対して所定方向に傾斜している。なお、上記コレステリック液晶層４０のＸ－Ｚ面を走査型電子顕微鏡にて観察すると、明部と暗部とが交互に配列された配列方向が主面４１及び主面４２（Ｘ－Ｙ面）の法線に対して所定角度で傾斜している縞模様が観察される（不図示）。
　一方、特定ＣＬ液晶層は、図３及び図４に示すコレステリック液晶層Ａ１０と同様に、分子軸Ｌ₁は、Ｘ－Ｚ面における走査型電子顕微鏡観察により観察される明部１５と暗部１６とが交互に配列された配列方向Ｐ₁に対して略直交する。つまり、螺旋軸Ｃ₁の方向は、明部１５と暗部１６とが交互に配列された配列方向Ｐ₁に対して略平行となる。この結果として、斜め方向から入射する光と螺旋軸Ｃ₁とがより平行となりやすく、反射面での反射光は、円偏光度が高くなる。これに対して、コレステリック液晶層４０の場合、螺旋軸Ｃ₃は主面４１及び主面４２（Ｘ－Ｙ面）に対して垂直であることから、斜め方向から入射する光の入射方向と螺旋軸Ｃ₃の方向とは、そのなす角度がより大きくなる。つまり、斜め方向から入射する光の入射方向と螺旋軸Ｃ₃の方向とがより非平行となる。このため、特定ＣＬ液晶層は、コレステリック液晶層４０と比較すると、反射面での反射光は、円偏光度がより高くなる。

　特定ＣＬ液晶層の構成は、傾斜角が特定の角度である点以外は、上述したコレステリック液晶層Ａと同様の構成を有するため、説明を省略する。
　例えば、特定ＣＬ液晶層中の液晶化合物の分子軸と特定ＣＬ液晶層の主面とのなす平均角度の好適範囲は、上記コレステリック液晶層Ａ中の液晶化合物の分子軸とコレステリック液晶層Ａの主面とのなす平均角度の好適範囲と同じである。
　特定ＣＬ液晶層における特定傾斜角は、３１°以上であり、３５°以上が好ましく、４０°以上がより好ましい。特定傾斜角の上限値としては、８０°以下が好ましく、７０°以下がより好ましい。

　特定ＣＬ液晶層においては、２つの主面の両方又は一方において、液晶化合物の分子軸の向きが配列軸に沿った面内の一方向に連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有する。
　また、特定ＣＬ液晶層において、一方の主面１１に存在する液晶配向パターンが延びる方向と他方の主面に存在する液晶配向パターンが延びる方向とは、平行であることが好ましい。

　また、特定ＣＬ液晶層は、走査型電子顕微鏡により観察されるコレステリック液晶相由来の明部がなす線（明線）同士の間隔が異なる領域が複数存在する形態であってもよい。つまり、コレステリック液晶相由来の明線同士の間隔が互いに異なる各領域においては、各領域毎に螺旋ピッチが異なっているため、選択反射の中心波長λも異なる。上記形態の特定ＣＬ液晶層とすることで、反射波長帯域をより広げることができる。特定ＣＬ液晶層の螺旋ピッチは、面内方向で変化していてもよいし、膜厚方向で変化していてもよい。
　特定ＣＬ液晶層の螺旋ピッチを面内方向で変化させる場合、特定ＣＬ液晶層は、主面の面内の任意の方向において螺旋ピッチが連続的に変化する領域を有しているのが好ましい。螺旋ピッチが連続的に変化する領域とは、面内の任意の方向において選択波長の中心波長が増加していく（又は減少していく）領域を意図する。
　特定ＣＬ液晶層の螺旋ピッチを膜厚方向で変化させる場合、特定ＣＬ液晶層は、主面の膜厚方向において螺旋ピッチが連続的に変化する領域を有しているのが好ましい。螺旋ピッチが連続的に変化する領域とは、膜厚方向において選択波長の中心波長が増加していく（又は減少していく）領域を意図する。
　特定ＣＬ液晶層の螺旋ピッチが膜厚方向で変化する場合、走査型電子顕微鏡により観察される特定ＣＬ液晶層のＸ－Ｚ面は、例えば、図１７に示すような明暗線（明部１５Ａ、暗部１６Ａ）を示す。すなわち、主面１１Ａ側と主面１２Ａ側とで螺旋ピッチが異なる明暗線が観測される。図１７中、螺旋ピッチは、｛液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ_ｇ）×２｝×sinθ_ｇで表される。
　なお、上記螺旋ピッチを面内方向又は膜厚方向で変化している特定ＣＬ液晶層を得る方法としては、例えば、上述した工程Ｙを実施した後、加熱処理を実施することなく、硬化処理を施す方法が挙げられる。

［用途］
　コレステリック液晶層（特定ＣＬ液晶層を含む）は、所定の波長域の光に対して選択反射特性を示す層である。コレステリック液晶層は選択反射波長域において、右円偏光及び左円偏光のいずれか一方を選択的に反射させ、他方のセンスの円偏光を透過させる円偏光選択反射層として機能する。コレステリック液晶層を１層又は２層以上含むフィルムは、様々な用途に用いることができる。コレステリック液晶層を２層以上含むフィルムにおいて、各コレステリック液晶層が反射する円偏光のセンスは用途に応じて同じでも逆であってもよい。また、各コレステリック液晶層の後述の選択反射の中心波長も用途に応じて同じでも異なっていてもよい。

　なお、本明細書において、円偏光につき「センス」というときは、右円偏光であるか、又は左円偏光であるかを意味する。円偏光のセンスは、光が手前に向かって進んでくるように眺めた場合に電場ベクトルの先端が時間の増加に従って時計回りに回る場合が右円偏光であり、反時計回りに回る場合が左円偏光であるとして定義される。本明細書においては、コレステリック液晶の螺旋の捩れ方向について「センス」との用語を用いることもある。コレステリック液晶による選択反射は、コレステリック液晶の螺旋の捩れ方向（センス）が右の場合は右円偏光を反射し、左円偏光を透過し、センスが左の場合は左円偏光を反射し、右円偏光を透過する。

　例えば、可視光波長域（波長４００～７５０ｎｍ）に選択反射特性を示すコレステリック液晶層を含むフィルムは、投映像表示用のスクリーン及びハーフミラーとして利用できる。また、反射波長帯域を制御することで、カラーフィルター又はディスプレイの表示光の色純度を向上させるフィルタ（例えば特開２００３－２９４９４８号公報参照）として利用できる。
　また、上記コレステリック液晶層は、光学素子の構成要素である、偏光素子、反射膜（反射層）、反射防止膜、視野角補償膜、ホログラフィー、セキュリティ、センサー、実像投影用ミラー（フロントプロジェクション、リアプロジェクション）、虚像投影用ミラー、加飾シート、遮熱シート、遮光シート、及び、配向膜等、種々の用途に利用できる。
　また、上記コレステリック液晶層を位相差板や偏光板を組み合わせることで、直線偏光反射部材として用いることもできる。
　以下特に好ましい用途である投映像表示用部材としての用途について説明する。

　コレステリック液晶層の上記の機能により、投射光のうち選択反射を示す波長において、いずれか一方のセンスの円偏光を反射させて、投映像を形成できる。投映像は投映像表示用部材表面で表示され、そのように視認されるものであってもよく、観察者から見て投映像表示用部材の先に浮かび上がって見える虚像であってもよい。

　上記選択反射の中心波長λは、コレステリック液晶相における螺旋構造のピッチＰ（＝螺旋の周期）に依存し、コレステリック液晶層の平均屈折率ｎとλ＝ｎ×Ｐの関係に従う。なお、ここで、コレステリック液晶層が有する選択反射の中心波長λは、コレステリック液晶層の法線方向から測定した円偏光反射スペクトルの反射ピークの重心位置にある波長を意味する。上記式から分かるように、螺旋構造のピッチを調節することによって、選択反射の中心波長を調節できる。コレステリック液晶相のピッチはキラル剤の種類、又はその添加濃度に依存するため、これらを調節することによって所望のピッチを得ることができる。なお、螺旋のセンス及びピッチの測定法については「液晶化学実験入門」日本液晶学会編　シグマ出版２００７年出版、４６頁、及び、「液晶便覧」液晶便覧編集委員会　丸善　１９６頁に記載の方法を用いることができる。

　また、赤色光波長域、緑色光波長域、及び青色光波長域にそれぞれ見かけ上の選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層をそれぞれ作製し、それらを積層することによりフルカラーの投映像の表示が可能である投映像表示用部材を作製できる。

　各コレステリック液晶層の選択反射の中心波長を、投映に用いられる光源の発光波長域、及び投映像表示用部材の使用態様に応じて調節することにより、光利用効率良く鮮明な投映像を表示できる。特にコレステリック液晶層の選択反射の中心波長をそれぞれ投映に用いられる光源の発光波長域等に応じてそれぞれ調節することにより、光利用効率良く鮮明なカラー投映像を表示できる。

　また、例えば、上記投映像表示用部材を可視光領域の光に対して透過性を有する構成とすることによりヘッドアップディスプレイのコンバイナとして使用可能なハーフミラーとすることができる。投映像表示用ハーフミラーは、プロジェクターから投映された画像を視認可能に表示できるとともに、画像が表示されている同じ面側から投映像表示用ハーフミラーを観察したときに、反対の面側にある情報又は風景を同時に観察できる。

　また、コレステリック液晶層は、光学異方体又は反射膜（反射層）に好適に適用できる。なお、光学異方体とは、光学異方性を有する物質を意図する。

　以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

［キラル剤の合成と評価］
〔化合物ＣＤ－Ａ１の合成〕
　特開２００２－３３８５７５号公報に準じて、下記化合物ＣＤ－Ａ１を合成して使用した。

　なお、化合物ＣＤ－Ａ１は、螺旋センスは右であり、３１５ｎｍ光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である。

〔化合物ＣＤ－Ａ２、ＣＤ－Ａ３の合成〕
　上記ＣＤ－Ａ１と同様に、一般的な縮合条件によって化合物ＣＤ－Ａ２及びＣＤ－Ａ３を合成した。
　なお、化合物ＣＤ－Ａ２は、螺旋センスは左であり、３１５ｎｍ光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である。化合物ＣＤ－Ａ３は、螺旋センスは右であり、３６５ｎｍ光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である。

〔化合物ＣＤ－Ｂ１の合成〕
　化合物ＣＤ－Ｂ１を以下のスキームに従って合成した。
　なお、化合物ＣＤ－Ｂ１は、螺旋センスは左であり、３１５ｎｍ又は３６５ｎｍ光照射により螺旋誘起力が増加したのち、減少するキラル剤である。

＜中間体１の合成＞
　（Ｒ）－ビナフトール（関東化学製）６５．０ｇ、及び酢酸ブチル（富士フイルム和光純薬社製）５００ｍＬを２Ｌ三口フラスコに入れた後、０℃にて臭素（富士フイルム和光純薬社製）１００ｇを滴下し５時間撹拌した。続いて、得られた反応液を、亜硫酸水素ナトリウム水（亜硫酸水素ナトリウム（富士フイルム和光純薬社製）２１．７ｇ、水２９０ｍＬ）、水３２５ｍＬ、及び炭酸水素ナトリウム水（炭酸水素ナトリウム（富士フイルム和光純薬社製）１３．０ｇ、水３００ｍＬ）の順で洗浄した。洗浄後の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去し、三口フラスコに移した。
　続いて、上記三口フラスコ内に、ＤＭＦ（N,N-dimethylformamide、富士フイルム和光純薬社製）８０．２ｇ、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬社製）７８．０ｇ、酢酸ブチル（富士フイルム和光純薬社製）７５．０ｇ、及びジブロモメタン（富士フイルム和光純薬社製）４３．５ｇを加え、９０℃で４時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却した後、固体をろ別した。固体をろ別した後の溶液に、酢酸エチル（富士フイルム和光純薬社製）１７０ｍＬ、及びメタノール（富士フイルム和光純薬社製）５５０ｍＬを加えて、生じた固体をろ取した。次いで、得られた固体を、４０℃で１２時間送風乾燥し、中間体１を得た（６６．０ｇ、収率：７５％）。

＜中間体２の合成＞
　中間体１２０．０ｇ、エチニルアニソール（東京化成製）１７．４ｇ、ヨウ化銅（富士フイルム和光純薬社製）０．０８ｇ、トリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（東京化成製）０．２２ｇ、トリエチルアミン（富士フイルム和光純薬社製）１２０ｍＬ、及びピリジン（富士フイルム和光純薬社製）４０ｍＬを５００ｍＬ三口フラスコに入れ、９０℃にて３時間撹拌した。続いて、得られた反応液を０°に冷却した後、メタノール（富士フイルム和光純薬社製）４００ｍＬを添加し、生じた固体をろ取した。次いで、得られた固体を、４０℃で１２時間送風乾燥し、中間体２を得た（２２．０ｇ、収率：９０％）。

＜化合物ＣＤ－Ｂ１の合成＞
　中間体２２０．０ｇ、リンドラー触媒（東京化成製）１０．０ｇ、キノリン（富士フイルム和光純薬社製）９．２ｇ、及び１，４－ジオキサン（富士フイルム和光純薬社製）１００ｍＬを３００ｍＬ三口フラスコに入れ、水素置換し８０℃にて６時間撹拌した。セライトろ過にて固体をろ別し、得られた溶液をカラムクロマトグラフィーにて精製後、４０℃で１２時間送風乾燥し、化合物ＣＤ－Ｂ１を得た（１８．０ｇ、収率：９０％）。

〔化合物ＣＤ－Ｂ２の合成〕
　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｏｐｅｎ、２０１７、６、７１０～７２０に記載の化合物６と同様の手法によって化合物ＣＤ－Ｂ２を合成した。
　なお、化合物ＣＤ－Ｂ２は、螺旋センスは右であり、３６５ｎｍ光照射により螺旋誘起力が減少した後、加熱又は可視光露光によって螺旋誘起力が増加するフォトクロミックキラル剤である。

〔螺旋誘起力（ＨＴＰ）と、その光変化率の評価〕
＜ＨＴＰとその光変化率の評価＞
　以下の方法により、化合物ＣＤ－Ａ１のＨＴＰ（なお、ここでのＨＴＰは、加熱（９０℃）によって液晶化合物がプラナー配向してなる液晶層（コレステリック液晶相の状態）でのＨＴＰを意図する。）、及び、光照射によるＨＴＰの変化率（以下「光変化率」ともいう。）の評価を実施した。
　なお、化合物ＣＤ－Ａ１のＨＴＰ及びその光変化率の評価には、後述する液晶化合物ＬＣ－１を用いた。

≪試料溶液の調製≫
　下記構造で表される液晶化合物ＬＣ－１と化合物ＣＤ－Ａ１を混合した後、得られた混合物に溶剤を加えることにより、下記組成の試料溶液を調製した。
・下記構造で表される液晶化合物ＬＣ－１　　　　　　　　　１００質量部
・化合物ＣＤ－Ａ１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５質量部
・溶剤（ＭＥＫ（メチルエチルケトン）／シクロヘキサノン＝９０／１０（質量比））
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　溶質濃度が３０質量％となる量

≪液晶層１－１の作製≫
　次に、洗浄したガラス基板上にポリイミド配向膜形成用組成物ＳＥ－１３０（日産化学社製）を塗布して塗膜を形成した。得られた塗膜を焼成した後、ラビング処理することにより、配向膜付き基板を作製した。この配向膜のラビング処理面に、３０μＬの上記試料溶液を回転数１０００ｒｐｍ、１０秒間の条件でスピンコートし、９０℃で１分間熟成することにより、液晶層を形成した。

≪ＨＴＰの算出≫
　得られた液晶層について、螺旋誘起力（ＨＴＰ）を測定した。具体的には、上記液晶層の中心反射波長を、分光光度計（島津社製、ＵＶ－３１００）を用いて測定し、下記式（１Ｄ）により光照射前のＨＴＰを算出した。
　式（１Ｄ）：ＨＴＰ＝（液晶化合物の平均屈折率）／｛（液晶化合物に対するキラル剤の含有量（質量％））×（中心反射波長（ｎｍ））｝［μｍ^-1］
　なお、式（１Ｄ）中、「液晶化合物の平均屈折率」は、１．５５であると仮定して計算した。
　次に、上記液晶層に対して、水銀ランプ光源より３１５ｎｍバンドパスフィルターを介して３１５ｎｍ光を３０．０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で所定時秒間紫外線を照射した。照射後の液晶層の中心反射波長を、分光光度計（島津社製、ＵＶ－３１００）を用いて測定し、上記式（１Ｄ）により光照射後のＨＴＰを算出した。
　ＣＤ－Ｂ１についても同様にＨＴＰを算出した。更に、ＣＤ－Ａ１とＣＤ－Ｂ１の露光前の螺旋誘起力が相殺する添加量比（ＣＤ－Ａ１：ＣＤ－Ｂ１＝１８．６：６０．８）で添加した際の加重平均螺旋誘起力を算出した。結果を表１に示す。

　上記表１から、キラル剤ＣＤ－Ａ１は、３１５ｎｍ光照射により螺旋誘起力（ＨＴＰ）が減少している。また、キラル剤ＣＤ－Ｂ１は、３１５ｎｍ光照射によりＨＴＰが増加したのち、さらなる照射によって螺旋誘起力が減少している。

　続いて、ＣＤ－Ａ２、ＣＤ－Ａ３について、水銀ランプ光源より３６５ｎｍバンドパスフィルターを介して３６５ｎｍ光を３０．０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で所定時秒間紫外線を照射し、更に水銀ランプ光源より３１５ｎｍバンドパスフィルターを介して３１５ｎｍ光を３０．０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で所定時秒間紫外線を照射した際のＨＴＰを算出した。結果を表２に示す。更に、ＣＤ－Ａ２とＣＤ－Ａ３の露光前の螺旋誘起力が相殺する添加量比（ＣＤ－Ａ２：ＣＤ－Ａ３＝５７．７：７７．０）で添加した際の加重平均螺旋誘起力を算出した。

　上記表２から、キラル剤ＣＤ－Ａ２は、３６５ｎｍ光照射によってＨＴＰは変化せず、３１５ｎｍ光照射によりＨＴＰが減少している。また、キラル剤ＣＤ－Ａ３は、３６５ｎｍ光照射によりＨＴＰが減少しているが、３１５ｎｍ光照射によりＨＴＰは変化しない（実質的に変化しない）。

　続いて、ＣＤ－Ｂ１、ＣＤ－Ｂ２について、室温にて、水銀ランプ光源より３６５ｎｍバンドパスフィルターを介して３６５ｎｍ光を３０．０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で所定時秒間紫外線を照射した後、９０℃で加熱処理した際のＨＴＰを算出した。結果を表３に示す。更に、ＣＤ－Ｂ１とＣＤ－Ｂ２の露光前の螺旋誘起力が相殺する添加量比（ＣＤ－Ｂ１：ＣＤ－Ｂ２＝３３．３：１８．６）で添加した際の加重平均螺旋誘起力を算出した。

　上記表３から、キラル剤ＣＤ－Ｂ１は、３６５ｎｍ光照射によりＨＴＰが増加し、キラル剤ＣＤ－Ｂ２は、３６５ｎｍ光照射によりＨＴＰが減少している。さらに、キラル剤ＣＤ－Ｂ２は、９０℃加熱によりＨＴＰが増加している。

［液晶組成物の調製及びその評価］
〔実施例１〕
＜液晶組成物の調製＞
　上述した液晶化合物ＬＣ－１、化合物ＣＤ－Ａ１、及び化合物ＣＤ－Ｂ１を混合した後、得られた混合物に溶剤を加えることにより、下記組成の試料溶液を調製した。
・液晶化合物ＬＣ－１　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００質量部
・化合物ＣＤ－Ａ１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２．３質量部
・化合物ＣＤ－Ｂ１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７．７質量部
・下記界面活性剤（１）　　　　　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・重合開始剤（ジエチルチオキサントン（東京化成工業製））３．０質量部
・溶剤（ＭＥＫ／シクロヘキサノン＝９０／１０（質量比））
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　溶質濃度が３０質量％となる量

（反射層の作製）
　次に、洗浄したガラス基板上にポリイミド配向膜形成用組成物ＳＥ－１３０（日産化学社製）を塗布して塗膜を形成した。得られた塗膜を焼成した後、ラビング処理することにより、配向膜付き基板を作製した。この配向膜のラビング処理面に、上記液晶組成物３０μＬを回転数１０００ｒｐｍ、１０秒間の条件でスピンコートすることにより、組成物層を形成し、９０℃で１分間乾燥（熟成）して液晶化合物を配向させた。このとき、液晶相は螺旋を誘起していないネマチック液晶相であることを偏光顕微鏡像より確認した（工程Ｘ１Ａに対応）。クリスタルローテーション法によって液晶分子の分子軸の基板面に対する傾斜角度を測定した結果、基板界面において５°、空気界面において０°傾斜している（すなわち、条件４の傾斜配向をとっている）ことを確認した。
　次に、液晶化合物を配向させた組成物層に対して、３１５ｎｍ光を３０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で５秒間照射し、コレステリック液晶相の状態とした（工程Ｘ２Ａに対応）。
　続いて９０℃で１分間熟成処理を行ったのち、３１５ｎｍ光を３０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で１０秒間照射し、螺旋ピッチを拡大させた（工程ＹＡに対応）。続いて９０℃で１分間熟成処理を行ったのち、上記紫外線照射後の組成物層に対して、４０℃、窒素雰囲気下で５００ｍＪ/ｃｍ²の照射量で紫外線（３６５ｎｍ光）を照射することにより硬化処理を実施し、硬化膜１を得た。

　工程Ｘ２Ａの作製後、コレステリック液晶層の状態とした組成物層（コレステリック液晶層Ａに該当する）の断面ＳＥＭ測定を実施し、層主面の法線に対する明暗線の配列方向の傾斜角が２５°、液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）が３０３ｎｍ、螺旋ピッチλが２５６ｎｍであることを確認した。また、断面の偏光顕微鏡観察によって、液晶化合物の分子軸の層主面に対する傾斜角度は空気界面側が２７°であり、基板界面側が２２°であることを確認した。なお、上記コレステリック液晶層Ａの測定に際しては、硬化膜の状態で実施した。コレステリック液晶層Ａの上記物性は、未硬化の状態と硬化後の状態とで同等である。また、コレステリック液晶層Ａの両主面における、液晶化合物の分子軸の傾斜角度は、コレステリック液晶層Ａをミクロトームで割断し、断面の偏光顕微鏡観察によって測定した。

　また、得られた硬化膜１の断面ＳＥＭ測定を実施し、工程Ｘ２Ａの作製後と同様の評価を実施した。すなわち、層主面の法線に対する明暗線の配列方向の傾斜角、液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）、螺旋ピッチλを確認した。また、断面の偏光顕微鏡観察によって、液晶化合物の分子軸の層主面に対する傾斜角度を確認した。なお、硬化膜の両主面における、液晶化合物の分子軸の傾斜角度は、コレステリック液晶層Ａをミクロトームで割断し、断面の偏光顕微鏡観察によって測定した。

〔実施例２～６並びに比較例１Ａ及び比較例２Ａ〕
　工程Ｘ２Ａ及び工程ＹＡにおける露光時間を変更した以外は、実施例１と同様の手法にて硬化膜２～６並びに比較硬化膜１Ａ及び２Ａを得た。
　実施例１～６並びに比較例１Ａ及び比較例２Ａにて作製した硬化膜の断面ＳＥＭ測定及び断面偏光顕微鏡観察の解析結果を表４に示す。
　なお、実施例６の硬化膜の作製において、工程Ｘ２Ａの作製後、コレステリック液晶層の状態とした組成物層（コレステリック液晶層Ａに該当する）の断面ＳＥＭ測定及び断面偏光顕微鏡観察を実施し、層主面の法線に対する明暗線の配列方向の傾斜角が２６°、液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）が５４２ｎｍ、螺旋ピッチλが４７５ｎｍ、及び液晶化合物の分子軸の層主面に対する傾斜角度は空気界面側が３０°であり、基板界面側が２５°であることを確認した。なお、上記コレステリック液晶層Ａの測定に際しては、硬化膜の状態で実施した。コレステリック液晶層Ａの上記物性は、未硬化の状態と硬化後の状態とで同等である。
　実施例６では、工程ＹＡにて螺旋ピッチを縮小させている。

　表４において、実施例１～５と比較例１Ａの対比から、螺旋ピッチを拡大させる工程ＹＡを加えることによって、高い傾斜角を実現できることが示された。一方、実施例６と比較例２Ａの対比から、螺旋ピッチを縮小させる工程ＹＡを加えることによって、低い傾斜角を実現できることが示された。

〔実施例７〕
　工程ＹＡの後、熟成処理を行わずに、硬化露光を行った以外は、実施例２と同様に硬化膜７を得た。本硬化膜の断面ＳＥＭ測定及び断面偏光顕微鏡観察の解析結果を表５に示す。

　硬化膜７は、基板界面側と空気界面側で、液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）及び傾斜角の異なるピッチグラジエントとなっていることを確認した。すなわち、コレステリック液晶層の螺旋ピッチが膜厚方向で変化していることを確認した。

〔実施例８〕
＜液晶組成物の調製＞
　上述した液晶化合物ＬＣ－１、化合物ＣＤ－Ａ２、及び化合物ＣＤ－Ａ３を混合した後、得られた混合物に溶剤を加えることにより、下記組成の試料溶液を調製した。
・液晶化合物ＬＣ－１　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００質量部
・化合物ＣＤ－Ａ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．３質量部
・化合物ＣＤ－Ａ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５．７質量部
・上述した界面活性剤（１）　　　　　　　　　　　　　　　０．１質量部
・重合開始剤（ジエチルチオキサントン（東京化成工業製））３．０質量部
・溶剤（ＭＥＫ／シクロヘキサノン＝９０／１０（質量比））
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　溶質濃度が３０質量％となる量

（反射層の作製）
　次に、洗浄したガラス基板上にポリイミド配向膜形成用組成物ＳＥ－１３０（日産化学社製）を塗布して塗膜を形成した。得られた塗膜を焼成した後、ラビング処理することにより、配向膜付き基板を作製した。この配向膜のラビング処理面に、上記液晶組成物３０μＬを回転数１０００ｒｐｍ、１０秒間の条件でスピンコートすることにより、組成物層を形成し、９０℃で１分間乾燥（熟成）して液晶化合物を配向させた。このとき、液晶相は螺旋を誘起していないネマチック液晶相であることを偏光顕微鏡像より確認した（工程Ｘ１Ａに対応）。クリスタルローテーション法によって液晶分子の分子軸の基板面に対する傾斜角度を測定した結果、基板界面において５°、空気界面において０°傾斜している（すなわち、条件４の傾斜配向をとっている）ことを確認した。
　次に、液晶化合物を配向させた組成物層に対して、３６５ｎｍ光を３０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で２５秒間照射し、コレステリック液晶相の状態とした（工程Ｘ２Ａに対応）。続いて９０℃で１分間熟成処理を行ったのち、３１５ｎｍ光を３０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で１０秒間照射し、螺旋ピッチを拡大させた（工程ＹＡに対応）。続いて９０℃で１分間熟成処理を行ったのち、上記紫外線照射後の組成物層に対して、４０℃、窒素雰囲気下で５００ｍＪ/ｃｍ²の照射量で紫外線（３６５ｎｍ光）を照射することにより硬化処理を実施し、硬化膜８を得た。

　工程Ｘ２Ａの作製後、コレステリック液晶層の状態とした組成物層（コレステリック液晶層Ａに該当する）の断面ＳＥＭ測定及び断面偏光顕微鏡観察を実施し、層主面の法線に対する明暗線の配列方向の傾斜角が１７°、液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）が６１９ｎｍ、螺旋ピッチλが３６６ｎｍ、及び液晶化合物の分子軸の層主面に対する傾斜角度は空気界面側が２０°であり、基板界面側が１５°であることを確認した。なお、上記コレステリック液晶層Ａの測定に際しては、硬化膜の状態で実施した。コレステリック液晶層Ａの上記物性は、未硬化の状態と硬化後の状態とで同等である。

　また、得られた硬化膜８の断面ＳＥＭ測定及び断面偏光顕微鏡観察を実施し、明暗線の配列方向の、層主面の法線に対する傾斜角、液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）、螺旋ピッチλ、及び液晶化合物の分子軸の層主面に対する傾斜角度を確認した。

〔実施例９～１０、比較例３Ａ〕
　工程ＹＡにおける露光時間を変更した以外は、実施例８と同様の手法にて硬化膜９～１０及び比較硬化膜３Ａを得た。
　実施例８～１０及び比較例３Ａにて作製した硬化膜の断面ＳＥＭ解析結果を表６に示す。

　表６において、実施例８～１０及び比較例３Ａの対比から、螺旋ピッチを拡大させる工程４を加えることによって、高い傾斜角を実現できることが示された。

〔実施例１１、比較例４Ａ〕
＜液晶組成物の調製＞
　上述した液晶化合物ＬＣ－１、化合物ＣＤ－Ｂ１、及び化合物ＣＤ－Ｂ２を混合した後、得られた混合物に溶剤を加えることにより、下記組成の試料溶液を調製した。
・液晶化合物ＬＣ－１　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００質量部
・化合物ＣＤ－Ｂ１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６．４質量部
・化合物ＣＤ－Ｂ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．６質量部
・上述した界面活性剤（１）　　　　　　　　　　　　　　　０．１質量部
・重合開始剤（ジエチルチオキサントン（東京化成工業製））３．０質量部
・溶剤（ＭＥＫ／シクロヘキサノン＝９０／１０（質量比））
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　溶質濃度が３０質量％となる量

　（反射層の作製）
　次に、洗浄したガラス基板上にポリイミド配向膜形成用組成物ＳＥ－１３０（日産化学社製）を塗布して塗膜を形成した。得られた塗膜を焼成した後、ラビング処理することにより、配向膜付き基板を作製した。この配向膜のラビング処理面に、上記液晶組成物３０μＬを回転数１０００ｒｐｍ、１０秒間の条件でスピンコートすることにより、組成物層を形成し、９０℃で１分間乾燥（熟成）して液晶化合物を配向させた。このとき、液晶相は螺旋を誘起していないネマチック液晶相であることを偏光顕微鏡像より確認した（工程Ｘ１Ｂ’に対応）。クリスタルローテーション法によって液晶分子の分子軸の基板面に対する傾斜角度を測定した結果、基板界面において５°、空気界面において０°傾斜している（すなわち、条件４の傾斜配向をとっている）ことを確認した。
　次に、液晶化合物を配向させた組成物層に対して、３６５ｎｍ光を３０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で４秒間照射し、コレステリック液晶相の状態とした（工程Ｘ２Ｂ’に対応）。続いて、室温から９０℃に加熱して、９０℃で５分間加熱処理を行い、螺旋ピッチを拡大させた（工程ＹＢ’に対応）。６０℃、窒素雰囲気下で５００ｍＪ/ｃｍ²の照射量で紫外線（３６５ｎｍ光）を照射することにより硬化処理を実施し、硬化膜１１を得た。

　工程Ｘ２Ｂ’の作製後、コレステリック液晶層の状態とした組成物層（コレステリック液晶層Ａに該当する）の断面ＳＥＭ測定及び断面偏光顕微鏡観察を実施し、層主面の法線に対する明暗線の配列方向の傾斜角が２５°、液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）が４１８ｎｍ、螺旋ピッチλが３５３ｎｍ、及び液晶化合物の分子軸の層主面に対する傾斜角度は空気界面側が２８°であり、基板界面側が２０°であることを確認した。なお、上記コレステリック液晶層Ａの測定に際しては、硬化膜の状態で実施した。コレステリック液晶層Ａの上記物性は、未硬化の状態と硬化後の状態とで同等である。

　また、得られた硬化膜１１の断面ＳＥＭ測定及び断面偏光顕微鏡観察を実施し、工程Ｘ２Ｂ’の作製後と同様の評価を実施した。すなわち、層主面の法線に対する明暗線の配列方向の傾斜角、液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）、螺旋ピッチλ、及び液晶化合物の分子軸の層主面に対する傾斜角度を確認した。

　また、９０℃での加熱処理を省略した以外は硬化膜１１と同様の手法にて比較例４Ａの硬化膜４Ａを作製し、硬化膜１１と同様の手法にて評価を実施した。

　表７において、実施例１１及び比較例４Ａの対比から、螺旋ピッチを拡大させる工程４が、温度変化を施す工程であっても、高い傾斜角を実現できることが示された。

〔比較例１Ｂ〕
　Optics Express 2017, 25, 19298.に記載の方法にて、干渉露光時のパターン間隔とキラル剤量を調整し、螺旋ピッチλ、明部暗部の配列方向の層主面の法線に対する傾斜角、及び液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さ（１周期Λ）が実施例１と一致する硬化膜Ｃ１、並びに実施例３と一致する硬化膜Ｃ３を作成した。断面切片の偏光観察から、硬化膜１は、液晶分子の分子軸が、層の両主面において層平面に対し傾斜しているのに対し、硬化膜Ｃ１及びＣ３は液晶分子の分子軸が層平面に対して水平であることを確認した。

［円偏光選択性の評価］
　硬化膜１、硬化膜３、硬化膜Ｃ１、及び硬化膜Ｃ３を導光板に貼合した。
　導光部材の端部から光を入射し、ＧＥＮＥＳＩＡ　ＧＯＮＩＯ（ジェネシア社製）を用いて検出角０°（正面）における反射強度を測定した。このとき、コレステリック液晶層と検出機との間に、右又は左円偏光板（右：ＭＣＰＲ－４、左：ＭＣＰＬ－４みかん製）を設置した状態で測定を行った。左右の円偏光板を介した各反射強度のうち、大きい値をｘ、小さい値をｙとした時、下記式より円偏光選択性を算出した。
（円偏光選択性）＝ｘ／（ｘ+ｙ）
　なお、光源としてはＬＥＤ白色光源（アドメシー社製、ＳＴＥＲＯＰＥＳ－ＬＥＤ）を用いた。
　硬化膜１を使用した場合において、円偏光選択性は９１％であったのに対し、硬化膜Ｃ１を使用した場合において、円偏光選択性は７１％であった。また、硬化膜３を使用した場合において、円偏光選択性は８７％であったのに対し、硬化膜Ｃ３を使用した場合において、円偏光選択性は６６％であった。このことから、液晶分子の分子軸が層両主面において層平面に対して傾斜している方が、円偏光選択性に優れることが確認された。
　つまり、反射光の円偏光度がより高いことが確認された。

　１０　コレステリック液晶層Ａ
　１１、１２　主面
　１３　主面１１及び主面１２からなる一対の主面
　１４　液晶化合物
　Ｌ₁、Ｌ₂　分子軸
　Ｄ₁　配列軸
　Λ　液晶化合物１４の分子軸Ｌ₁の向きが１８０°回転する長さ（１周期長）
　Ｃ₁　コレステリック液晶相由来の螺旋軸
　Ｔ₁　コレステリック液晶層Ａの反射面
　１５　明部
　１６　暗部
　Ｐ₁　明部１５と暗部１６とが交互に配列された配列方向
　Ｑ₁　主面１１及び主面１２（Ｘ－Ｙ面）の法線
　θ₃、θ₄　角度
　２０　基板
　２０ａ　基板面
　２２　組成物層
　Ｒ₁　厚み方向
　Ａ、Ｂ　領域

Claims

　条件１～３のいずれも満たし、液晶化合物が配向してコレステリック液晶相の状態となったコレステリック液晶層Ａを形成する工程Ｘと、
　前記工程Ｘにより得られた前記コレステリック液晶層Ａ中の前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理を実施して、前記コレステリック液晶層Ａの主面の法線方向に対する、前記コレステリック液晶層Ａ中の主面に垂直な断面において観察される前記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向の傾斜角を大きくする又は小さくする工程Ｙと、を有する、コレステリック液晶層の製造方法。
条件１：前記コレステリック液晶層Ａは、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有する。
条件２：前記液晶化合物の分子軸は、コレステリック液晶層Ａの両主面において、前記コレステリック液晶層Ａの主面に対して傾斜している。
条件３：走査型電子顕微鏡によって観察される前記コレステリック液晶層Ａの主面に垂直な断面において、前記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、前記コレステリック液晶層Ａの主面の法線に対して傾斜している。
　前記コレステリック液晶層Ａがキラル剤を含み、
　前記キラル剤が、光照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤、及び、温度変化により螺旋誘起力が変化するキラル剤からなる群より選ばれるいずれかのキラル剤を含み、
　前記キラル剤が光照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤である場合、前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理が、前記コレステリック液晶層Ａに光照射を施す処理であり、
　前記キラル剤が温度変化により螺旋誘起力が変化するキラル剤である場合、前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理が、前記コレステリック液晶層Ａに温度変化を施す処理である、請求項１に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　前記工程Ｘが、
　液晶化合物及びキラル剤を含む液晶組成物を用いて、基板上に下記条件４、下記条件５、又は下記条件６を満たす組成物層を形成する工程Ｘ１と、
　前記組成物層に対して、前記組成物層中の前記液晶化合物をコレステリック配向させる処理を施して、前記コレステリック液晶層Ａを形成する工程Ｘ２と、を有する、請求項１又は２に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　条件４：前記組成物層中の前記液晶化合物の少なくとも一部が、前記基板面に対して、傾斜配向している
　条件５：前記組成物層中の前記液晶化合物のチルト角が厚み方向に沿って連続的に変化するように、前記液晶化合物が配向している
　条件６：前記組成物層中の前記液晶化合物の少なくとも一部が、前記基板面に対して、垂直配向している
　前記工程Ｘ１の前記組成物層において、前記キラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が０．０～１．５μｍ^-1である、請求項３に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　前記液晶組成物は、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含み、
　前記工程Ｘ２における前記液晶化合物をコレステリック配向させる処理が、前記組成物層に対して光照射を施す処理であり、
　前記工程Ｙにおける前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを拡大又は縮小させる処理が、前記コレステリック液晶層Ａに光照射を施す処理である、請求項３又は４に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　前記液晶組成物が、２種の光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含み、
　前記工程Ｘ２における光照射処理の光の波長と、前記工程Ｙにおける光照射処理の光の波長とが異なる、請求項５に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　前記液晶組成物が、光照射により螺旋誘起力が増加し始め、光照射を継続すると螺旋誘起力が減少する感光性キラル剤を含み、
　前記工程Ｘ２における光照射処理の光の波長と、前記工程Ｙにおける光照射処理の光の波長とが同じである、請求項５に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　前記感光性キラル剤が、イソソルビド部分構造、イソマンニド部分構造、及びビナフチル部分構造からなる群より選ばれる部分構造を含む、請求項５～７のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　前記感光性キラル剤が、分子内に光異性化反応又は光二量化反応を示す二重結合を有する、請求項５～８のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　前記光異性化反応又は光二量化反応を示す二重結合が、シス構造である、請求項９に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　前記感光性キラル剤が、スチルベン、カルコン、及びシンナモイルからなる群より選ばれる部分構造を含む、請求項５～１０のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　液晶化合物が配向してコレステリック液晶相の状態となったコレステリック液晶層であって、
　前記コレステリック液晶層は、液晶化合物由来の分子軸の向きが面内の少なくとも一方向に沿って連続的に回転しながら変化している液晶配向パターンを有し、
　前記液晶化合物の分子軸が、コレステリック液晶層の両主面において、前記コレステリック液晶層の主面に対して傾斜しており、且つ、
　走査型電子顕微鏡によって観察される前記コレステリック液晶層の主面に垂直な断面において、前記コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、前記コレステリック液晶層の主面の法線に対して、３１°以上傾斜している、コレステリック液晶層。
　前記液晶配向パターンにおける、前記液晶化合物由来の分子軸の向きが１８０°回転する長さを１周期Λとした際に、前記１周期Λが１μｍ以下である、請求項１２に記載のコレステリック液晶層。
　前記１周期Λが０．５μｍ以下である、請求項１２又は１３に記載のコレステリック液晶層。
　コレステリック液晶層の螺旋ピッチが、面内方向及び膜厚方向の少なくとも一方で変化している、請求項１２～１４のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層。
　前記コレステリック液晶層が、更にキラル剤を含み、
　前記キラル剤が、右螺旋を誘起するキラル化合物と、左螺旋を誘起するキラル化合物とを含む、請求項１２～１５のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層。
　前記キラル剤が、イソソルビド部分構造、イソマンニド部分構造、及びビナフチル部分構造からなる群より選ばれる部分構造を含む、請求項１２～１６のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層。
　請求項１２～１７のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層を含む光学異方体。
　請求項１２～１７のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層を含む反射膜。