WO2020262621A1

WO2020262621A1 - 液晶組成物、コレステリック液晶層、硬化物、光学異方体、コレステリック液晶層の製造方法

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Publication number: WO2020262621A1
Application number: PCT/JP2020/025259
Authority: WO
Inventors: 啓祐小玉; 優子鈴木; 峻也加藤
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2019-06-28
Filing date: 2020-06-26
Publication date: 2020-12-30
Also published as: US20220112427A1; JP7445654B2; JPWO2020262621A1

Abstract

本発明の第１の課題は、層表面に対して法線方向から入射した光を法線方向以外の方向に反射できる特性に優れたコレステリック液晶層を形成するための液晶組成物を提供することである。また、本発明の第２の課題は、上記液晶組成物を用いて形成されるコレステリック液晶層を提供することである。また、本発明の第３の課題は、上記液晶組成物を硬化してなる硬化物を提供することである。また、本発明の第４の課題は、上記液晶組成物を用いて形成された光学異方性体、及び上記コレステリック液晶層からなる光学異方体を提供することである。また、本発明の第４の課題は、上記液晶組成物を用いたコレステリック液晶層の製造方法を提供することである。　本発明の液晶組成物は、液晶化合物と、キラル剤Ａと、光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤Ｂと、を含み、上記キラル剤Ａは、上記キラル剤Ｂとは逆方向の螺旋を誘起するキラル剤である。

Description

液晶組成物、コレステリック液晶層、硬化物、光学異方体、コレステリック液晶層の製造方法

　本発明は、液晶組成物、コレステリック液晶層、硬化物、光学異方体、及びコレステリック液晶層の製造方法に関する。

　コレステリック液晶層は、特定の波長域において右円偏光及び左円偏光のいずれか一方を選択的に反射させる性質を有する層として知られている。そのため、様々な用途へ展開されており、例えば、投影スクリーン等の投映像表示用部材（例えば、反射素子）として用いられている。

　一般的に、コレステリック液晶相は、ネマチック液晶にキラル化合物を添加することにより形成される。なかでも、強い螺旋捻れ力（ＨＴＰ：Helical twisting power）を有するキラル化合物として、ビナフチル誘導体が用いられる場合が多い。
　例えば、特許文献１では、光異性化が可能で、液晶化合物に添加した場合、光照射によって液晶化合物の螺旋構造（捻れ力、捻れ角）を大きく変化させることが可能な光反応型キラル剤として、特定の構造のビナフチル誘導体を開示している。

特開２００２－１７９６７０号公報

　ところで、昨今、コレステリック液晶層には、層表面に対して法線方向から入射した光を法線方向以外の方向に反射できる特性（拡散反射性）が優れていることが求められている。

　そこで、本発明は、層表面に対して法線方向から入射した光を法線方向以外の方向に反射できる特性に優れたコレステリック液晶層を形成するための液晶組成物を提供することを課題とする。
　また、本発明は、上記液晶組成物を用いて形成されるコレステリック液晶層を提供することを課題とする。
　また、本発明は、上記液晶組成物を硬化してなる硬化物を提供することを課題とする。
　また、本発明は、上記液晶組成物を用いて形成された光学異方性体、及び上記コレステリック液晶層からなる光学異方体を提供することを課題とする。
　また、本発明は、上記液晶組成物を用いたコレステリック液晶層の製造方法を提供することを課題とする。

　本発明者らは、誘起する螺旋方向が互いに異なる２種の所定のキラル剤（キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂ）を含む所定の液晶組成物によれば、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、以下の構成により上記課題を解決できることを見いだした。

　〔１〕　液晶化合物と、
　キラル剤Ａと、
　光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤Ｂと、を含み、
　上記キラル剤Ａは、上記キラル剤Ｂとは逆方向の螺旋を誘起するキラル剤である、液晶組成物。
　〔２〕　上記キラル剤Ａが、光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である、〔１〕に記載の液晶組成物。
　〔３〕　上記液晶化合物を配向させて液晶相の状態としたときに、ネマチック配向する、〔１〕又は〔２〕に記載の液晶組成物。
　〔４〕　上記液晶組成物中の光照射前のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が０．０～１．５μｍ^-1である、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の液晶組成物。
　〔５〕　上記液晶化合物を配向させて液晶相の状態としたときに、上記キラル剤Ｂが誘起する螺旋の方向にコレステリック配向する、〔１〕又は〔２〕に記載の液晶組成物。
　〔６〕　下記式（１Ｄ）の関係を満たし、
　下記式（１Ｄ）中の上記キラル剤Ａの螺旋誘起力及び上記キラル剤Ｂの螺旋誘起力の各単位は、μｍ^－１であり、下記式（１Ｄ）中の上記液晶化合物に対する上記キラル剤Ａの含有量及び上記液晶化合物に対する上記キラル剤Ｂの含有量の各単位は、質量％である、〔５〕に記載の液晶組成物。
　式（１Ｄ）：上記キラル剤Ａの螺旋誘起力×上記液晶化合物に対する上記キラル剤Ａの含有量＜上記キラル剤Ｂの螺旋誘起力×上記液晶化合物に対する上記キラル剤Ｂの含有量
　〔７〕　上記液晶化合物が、少なくとも１個以上の重合性基を有する、〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の液晶組成物。
　〔８〕　上記キラル剤Ａ及び上記キラル剤Ｂの少なくとも一方が、ビナフチル部分構造、イソソルビド部分構造、及びイソマンニド部分構造のいずれかの部分構造を有する、〔１〕～〔７〕のいずれかに記載の液晶組成物。
　〔９〕　上記キラル剤Ａ及び上記キラル剤Ｂの少なくとも一方が、光異性化可能な二重結合を有する、〔１〕～〔８〕のいずれかに記載の液晶組成物。
　〔１０〕　上記キラル剤Ｂが、後述する一般式（１）で表される化合物である、〔１〕～〔９〕のいずれかに記載の液晶組成物。
　〔１１〕　〔１〕～〔１０〕のいずれかに記載の液晶組成物を用いて形成された、コレステリック液晶層。
　〔１２〕　上記コレステリック液晶層の主面に垂直な断面において走査型電子顕微鏡にて観察されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部の配列方向が、上記コレステリック液晶層の主面の法線に対して傾斜している、〔１１〕に記載のコレステリック液晶層。
　〔１３〕　上記コレステリック液晶層の主面に垂直な断面において走査型電子顕微鏡にて観察されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部が波状である、〔１１〕に記載のコレステリック液晶層。
　〔１４〕　〔１〕～〔１０〕のいずれかに記載の液晶組成物を硬化してなる、硬化物。
　〔１５〕　〔１〕～〔１０〕のいずれかに記載の液晶組成物を用いて形成された、光学異方体。
　〔１６〕　〔１１〕～〔１３〕のいずれかに記載のコレステリック液晶層からなる、光学異方体。
　〔１７〕　〔１〕～〔１０〕のいずれかに記載の液晶組成物を用いて組成物層を形成する工程１と、
　上記組成物層に含まれる上記液晶化合物を配向させて液晶相とする工程２と、
　上記組成物層の少なくとも一部の領域に光照射することにより、光照射領域において、上記キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させる工程３と、を有する、コレステリック液晶層の製造方法。
　〔１８〕　上記工程２は、上記組成物層に含まれる上記液晶化合物を配向させてネマチック液晶相とする工程であり、
　上記工程３は、光照射領域において、上記キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させることにより上記液晶化合物の配向状態をコレステリック液晶相とする工程であって、
　上記工程１～３を経て得られるコレステリック液晶層は、その主面に垂直な断面において走査型電子顕微鏡にて観察されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部の配列方向が、コレステリック液晶層の主面の法線に対して傾斜している、〔１７〕に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　〔１９〕　上記工程２は、上記組成物層に含まれる上記液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相とする工程であり、
　上記工程３は、光照射領域において、上記キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させることにより上記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小させる工程であって、
　上記工程１～３を経て得られるコレステリック液晶層は、その主面に垂直な断面において走査型電子顕微鏡にて観察されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部が波状である、〔１７〕に記載のコレステリック液晶層の製造方法。

　本発明によれば、層表面に対して法線方向から入射した光を法線方向以外の方向に反射できる特性に優れたコレステリック液晶層を形成するための液晶組成物を提供できる。
　また、本発明によれば、上記液晶組成物を用いて形成されるコレステリック液晶層を提供できる。
　また、本発明によれば、上記液晶組成物を硬化してなる硬化物を提供できる。
　また、本発明によれば、上記液晶組成物を用いて形成された光学異方性体、及び上記コレステリック液晶層からなる光学異方体を提供できる。
　また、本発明によれば、上記液晶組成物を用いたコレステリック液晶層の製造方法を提供できる。

第１実施形態のコレステリック液晶層の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した際の模式図である。キラル剤Ａ１及びキラル剤Ｂの各々について、螺旋誘起力（ＨＴＰ： Helical Twisting Power）（μｍ^-1）×濃度(質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。キラル剤Ａ１及びキラル剤Ｂを併用した系において、加重平均螺旋誘起力（μｍ^-1）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。キラル剤Ａ２及びキラル剤Ｂの各々について、螺旋誘起力（ＨＴＰ）（μｍ^-1）×濃度(質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。キラル剤Ａ２及びキラル剤Ｂを併用した系において、加重平均螺旋誘起力（μｍ^-1）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。第２実施形態のコレステリック液晶層の断面をＳＥＭで観察した際の模式図である。

　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。

　なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　また、本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート及びメタクリレートの両方を表す表記であり、「（メタ）アクリロイル基」とは、アクリロイル基及びメタクリロイル基の両方を表す表記であり、「（メタ）アクリル」とは、アクリル及びメタクリルの両方を表す表記である。

　本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。
　本明細書において、単に置換基という場合、置換基としては、例えば、下記置換基Ｔが挙げられる。

（置換基Ｔ）
　置換基Ｔとしては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等）、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基（アルキルアミノ基及びアニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル又はアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル又はアリールスルフィニル基、アルキル又はアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール又はヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、及び重合性基を含む基（例えば、好適な具体例として、以下の一般式（Ｔ）で表される基等）等が挙げられる。

　一般式（Ｔ）：＊－Ｌ_T－Ｐ_T
　一般式（Ｔ）中、Ｌ_Tは、単結合又は２価の連結基を表す。Ｐ_Tは、後述する一般式（Ｐ－１）～（Ｐ－２０）で表される重合性基を表す。
　Ｌ_Tで表される２価の連結基としては、特に制限されないが、ヘテロ原子を含んでいてもよいアルキレン基が好ましく、酸素原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のアルキレン基がより好ましく、酸素原子を含んでいてもよい炭素数１～６のアルキレン基が更に好ましい。

　なお、以下に示す一般式（Ｐ－１）～（Ｐ－２０）において、＊は、結合位置を表す。また、Ｒａは、水素原子又はメチル基を表す。また、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基を表す。

　上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、置換基中の水素原子の部分が、更に、上記いずれかの置換基で置換されていてもよい。

　本明細書において表記される二価の基の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「Ｌ－Ｍ－Ｎ」なる一般式で表される化合物中の、Ｍが－ＯＣＯ－Ｃ（ＣＮ）＝ＣＨ－である場合、Ｌ側に結合している位置を＊１、Ｎ側に結合している位置を＊２とすると、Ｍは、＊１－ＯＣＯ－Ｃ（ＣＮ）＝ＣＨ－＊２であってもよく、＊１－ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）－ＣＯＯ－＊２であってもよい。また、例えば、Ｍが－ＣＯＯ－である場合、Ｌ側に結合している位置を＊１、Ｎ側に結合している位置を＊２とすると、Ｍは、＊１－ＣＯＯ－＊２であってもよく、＊１－ＯＣＯ－＊２であってもよい。

［液晶組成物］
　本発明の液晶組成物は、
　液晶化合物と、
　キラル剤Ａと、
　光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤Ｂと、を含み、
　上記キラル剤Ａは、上記キラル剤Ｂとは逆方向の螺旋を誘起するキラル剤である。

　上記構成により、本発明の液晶組成物を用いて形成されるコレステリック液晶層は、層表面に対して法線方向から入射した光を法線方向以外の方向に反射できる特性（拡散反射性）に優れる。なお、拡散反射性には、後述するように、法線方向以外の特定の方向への反射強度が高い、指向性のある拡散反射性と、上記のような指向性のない、無指向性の拡散反射性がある。
　以下においては、まず、液晶組成物が含む各成分について説明した後、本発明のコレステリック液晶層について説明する。
　なお、以下の本発明のコレステリック液晶層の説明においては、回折角が大きい反射を示すコレステリック液晶層（即ち、高回折角反射性に優れたコレステリック液晶層）及びその製造方法を第１実施形態として説明し、無指向的な拡散反射が可能なコレステリック液晶層（即ち、反射指向性が抑制されて様々な角度方向への拡散反射が可能なコレステリック液晶層）及びその製造方法を第２実施形態として説明する。ここで、回折角が大きい反射を示すコレステリック液晶層とは、コレステリック液晶層へ入射する光の入射方向に対して最大反射率を示す角度が大きいコレステリック液晶層を意図する。なお、上記のような回折角が大きい反射を示すコレステリック液晶層は、法線方向以外の特定の方向への反射強度が高い、指向性のある拡散反射性を示すコレステリック液晶層に該当する。

　なお、以下の説明において、キラル剤の螺旋誘起力（ＨＴＰ）とは、下記式（１Ａ）で表される螺旋配向能力を示すファクターである。
　式（１Ａ）　ＨＴＰ＝１／（螺旋ピッチの長さ（単位：μｍ）×液晶化合物に対するキラル剤の濃度（質量％））［μｍ^-1］
　螺旋ピッチの長さとは、コレステリック液晶相の螺旋構造のピッチＰ（＝螺旋の周期）の長さをいい、液晶便覧（丸善株式会社出版）の１９６ページに記載の方法で測定できる。
　なお、上記ＨＴＰの値は、キラル剤の種類のみならず、組成物中に含まれる液晶化合物の種類によっても影響を受ける。よって、例えば、所定のキラル剤Ｘ及び液晶化合物Ｐ１を含む組成物と、所定のキラル剤Ｘ及び液晶化合物Ｐ１とは異なる液晶化合物Ｐ２を含む組成物とを用意し、同一温度で両者のＨＴＰを測定した場合、その値が異なる場合もある。
　なお、キラル剤の螺旋誘起力（ＨＴＰ）は、下記式（１Ｂ）としても表される。
　式（１Ｂ）：ＨＴＰ＝（液晶化合物の平均屈折率）／｛（液晶化合物に対するキラル剤の濃度（質量％））×（中心反射波長（ｎｍ））｝［μｍ^-1］
　なお、液相組成物が、２種以上のキラル剤を含む場合、上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）における「液晶組成物中におけるキラル剤の濃度」は全キラル剤の濃度の総和に相当する。

〔各種成分〕
　以下において、本発明の液晶組成物が必須及び任意で含む各種成分について説明する。

＜液晶化合物＞
　液晶化合物の種類は特に制限されず、公知のものを使用できる。
　一般的に、液晶化合物はその形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（ディスコティック液晶化合物、円盤状液晶化合物）とに分類できる。更に、棒状タイプ及び円盤状タイプには、それぞれ低分子タイプと高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井正男著，２頁，岩波書店，１９９２）。本発明では、いずれの液晶化合物を用いることもできる。また、２種以上の液晶化合物を併用してもよい。

　液晶化合物は、少なくとも１個以上の重合性基を有していることが好ましい。
　重合性基の種類は特に制限されず、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基又は環重合性基がより好ましい。より具体的には、重合性基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、アリル基、エポキシ基、又は、オキセタン基が好ましく、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。

＜キラル剤＞
　本発明の液晶組成物は、キラル剤として、キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂを含む。

　キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂは、液晶性であっても、非液晶性であってもよい。また、キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂとしては、不斉炭素原子を含むキラル剤であってもよいし、不斉炭素原子を含まない軸性不斉化合物又は面性不斉化合物であってもよい。

　キラル剤Ａは、キラル剤Ｂとは逆方向の螺旋を誘起するキラル剤である。つまり、キラル剤Ａが右方向（右巻き）の螺旋を誘起するキラル剤である場合、キラル剤Ｂは、左方向（左巻き）の螺旋を誘起するキラル剤である。

　また、キラル剤Ｂは、光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤である。

　なお、本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味し、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光：Extreme Ultraviolet）、Ｘ線、紫外線、及び電子線（ＥＢ：Electron Beam）等を意味する。なかでも、紫外線が好ましい。

　キラル剤Ａとしては、なかでも、光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤であることが好ましい。
　なお、本明細書において「螺旋誘起力の増加及び減少」とは、キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂの各々の初期（光照射前）の螺旋方向を「正」としたときの増減を表す。したがって、光照射により螺旋誘起力が減少し続け、０を超えて螺旋方向が「負」となった場合（つまり、初期（光照射前）の螺旋方向とは逆の螺旋方向の螺旋を誘起する場合）にも、「螺旋誘起力が減少するキラル剤」に該当する。

　光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤としては、いわゆる光反応型キラル剤が挙げられる。光反応型キラル剤とは、キラル部位と光照射によって構造変化する光反応部位を有し、例えば、照射光量に応じて液晶化合物の捩れ力を大きく変化させる化合物である。
　光照射によって構造変化する光反応部位の例としては、フォトクロミック化合物（内田欣吾、入江正浩、化学工業、ｖｏｌ．６４、６４０ｐ，１９９９、内田欣吾、入江正浩、ファインケミカル、ｖｏｌ．２８（９）、１５ｐ，１９９９）等が挙げられる。また、上記構造変化とは、光反応部位への光照射により生ずる、分解、付加反応、異性化、及び２量化反応等を意味し、上記構造変化は不可逆的であってもよい。また、キラル部位としては、例えば、野平博之、化学総説、Ｎｏ．２２液晶の化学、７３ｐ：１９９４に記載の不斉炭素等が相当する。

　上記光反応型キラル剤としては、例えば、特開２００１－１５９７０９号公報の段落００４４～００４７に記載の光反応型キラル剤、特開２００２－１７９６６９号公報の段落００１９～００４３に記載の光学活性化合物、特開２００２－１７９６３３号公報の段落００２０～００４４に記載の光学活性化合物、特開２００２－１７９６７０号公報の段落００１６～００４０に記載の光学活性化合物、特開２００２－１７９６６８号公報の段落００１７～００５０に記載の光学活性化合物、特開２００２－１８００５１号公報の段落００１８～００４４に記載の光学活性化合物、特開２００２－３３８５７５号公報の段落００１６～００５５に記載の光学活性化合物、及び特開２００２－１７９６８２号公報の段落００２０～００４９に記載の光学活性化合物等が挙げられる。

　光照射による液晶組成物の螺旋誘起力の増加量がより優れる点で、キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂのうち少なくとも一方は、光異性化可能な二重結合を有していることが好ましい。
　なかでも、初期（光照射前）の螺旋誘起力が高く、且つ光照射による螺旋誘起力の減少量がより優れる点で、キラル剤Ａは、トランス型の光異性可能な二重結合を有していることがより好ましい。また、初期（光照射前）の螺旋誘起力が低く、且つ光照射による螺旋誘起力の増加量がより優れる点で、キラル剤Ｂは、シス型の光異性可能な二重結合を有していることが好ましい。

　また、キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂのうち少なくとも一方は、ビナフチル部分構造、イソソルビド部分構造（イソソルビドに由来する部分構造）、及びイソマンニド部分構造（イソマンニドに由来する部分構造）から選ばれるいずれかの部分構造を有していることが好ましく、ビナフチル部分構造を有していることがより好ましい。なお、ビナフチル部分構造、イソソルビド部分構造、及びイソマンニド部分構造とは、各々以下の構造を意図する。
　ビナフチル部分構造中の実線と破線が平行している部分は、一重結合又は二重結合を表す。実線と破線とが平行している部分が一重結合である場合、及び実線と破線とが平行している部分が二重結合である場合とは、後述する一般式（１）の実線と破線とが平行している部分と同義である。また、ビナフチル部分構造を含むキラル剤には、後述する一般式（１）で表される化合物も含まれるものとする。すなわち、後述する一般式（１）においてＲ¹及びＲ²が互いに結合して環構造を形成してよいように、以下に示すビナフチル部分構造を含むキラル剤は、ビナフチル部分構造が更に他の環構造と縮合した構成であってもよい。なお、以下に示す構造において、＊は、結合位置を表す。

　また、光照射による液晶組成物の螺旋誘起力の増加量がより優れる点で、キラル剤Ｂは、下記一般式（１）で表される化合物であることが好ましい。

（一般式（１））

　一般式（１）中、実線と破線が平行している部分は、一重結合、又は二重結合を表す。Ｒ¹～Ｒ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の置換基を表す。但し、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つは、下記一般式（２）で表される１価の置換基を表す。Ｒ¹とＲ²とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。

　一般式（２）中、Ａは、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の炭化水素環基、又は、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の複素環基を表す。Ｚ¹及びＺ²は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表す。ｍは、０～５の整数を表す。Ｒは、水素原子又は１価の置換基を表す。＊は、結合位置を表す。なお、一般式（２）中、ｍが２以上の整数である場合、複数存在するＺ¹同士、及び複数存在するＡ同士は、各々同一であっても異なっていてもよい。

　一般式（１）中、実線と破線が平行している部分は、一重結合又は二重結合を表す。例えば、一般式（１）で表される化合物は、実線と破線とが平行している部分が二重結合の場合には、下記一般式（１－１）で表される化合物に該当し、実線と破線とが平行している部分が一重結合の場合には、下記一般式（１－２）で表される化合物に該当する。
　なかでも、一般式（１）で表される化合物は、一般式（１－１）で表される化合物であることが好ましい。
　なお、一般式（１－１）及び一般式（１－２）中のＲ¹～Ｒ⁸は、一般式（１）中のＲ¹～Ｒ⁸とそれぞれ同義である。

　一般式（１）中、Ｒ¹～Ｒ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の置換基を表す。
　Ｒ¹～Ｒ⁸で表される１価の置換基としては特に制限されず、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。但し、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つは、後述する一般式（２）で表される１価の置換基を表す。
　なお、一般式（２）中、ｍが２以上の整数である場合、複数存在するＺ¹同士、及び複数存在するＡ同士は、各々同一であっても異なっていてもよい。

　一般式（１）においては、なかでも、Ｒ¹及びＲ²がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すか、Ｒ³及びＲ⁴がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すか、又はＲ⁵及びＲ⁶がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すことが好ましく、Ｒ¹及びＲ²がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すか、又は、Ｒ³及びＲ⁴がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すことがより好ましい。

　Ｒ¹とＲ²とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
　Ｒ¹とＲ²とが互いに結合して環構造を形成する場合、上記環としては特に制限されず、芳香環及び非芳香環のいずれでもよいが、非芳香環であることが好ましい。
　Ｒ¹とＲ²が互いに連結して環を形成する場合、Ｒ¹とＲ²が互いに連結する基としては、例えば、＊－Ｌ^S1－２価の芳香族炭化水素環基－Ｌ^S2－＊、又は＊－Ｌ^S3－２価の脂肪族炭化水素基－Ｌ^S4－＊が好ましい。なお、＊は、一般式（１）中のビナフチル部分構造との結合位置を表す。
　上記芳香族炭化水素環基としては特に制限されず、後述する一般式（２）中のＡで表される芳香族炭化水素環基と同様のものが挙げられる。なかでも、ベンゼン環基が好ましい。
　上記脂肪族炭化水素基としては特に制限されず、例えば、炭素数１～６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が挙げられる。

　Ｌ^S1及びＬ^S2は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｌ^S1及びＬ^S2で表される２価の連結基としては特に制限されないが、例えば、２価の脂肪族炭化水素基（直鎖状、分岐鎖状、又は環状であってもよく、炭素数１～２０であることが好ましく、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルキニレン基が挙げられる。）、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＮＲ^D－、－ＣＯ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝Ｎ－、及びこれらを２種以上組み合わせた基（２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＣＯ－ＮＨ－、－ＣＯ－Ｓ－、－ＣＨ₂Ｏ－、及び－ＣＯＯ－等が挙げられる。）が挙げられる。ここで、Ｒ^Dは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）を表す。
　なお、上記２価の連結基中の水素原子は、ハロゲン原子等の他の置換基で置換されていてもよい。
　Ｌ^S1及びＬ^S2としては、単結合、２価の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＨ－、又は－ＣＯＯ－が好ましい。

　Ｌ^S3及びＬ^S4は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｌ^S3及びＬ^S4で表される２価の連結基としては特に制限されないが、例えば、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＮＲ^D－、－ＣＯ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝Ｎ－、及びこれらを２種以上組み合わせた基（２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＣＯ－ＮＨ－、－ＣＯ－Ｓ－、及び－ＣＯＯ－等が挙げられる。）が挙げられる。ここで、Ｒ^Dは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）を表す。
　なお、上記２価の連結基中の水素原子は、ハロゲン原子等の他の置換基で置換されていてもよい。
　Ｌ^S3及びＬ^S4としては、単結合、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＨ－、又は－ＣＯＯ－が好ましい。

　以下において、一般式（２）について説明する。

　一般式（２）中、Ａは、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の炭化水素環基、又は、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の複素環基を表す。
　Ｚ¹及びＺ²は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表す。ｍは、０～５の整数を表す。Ｒは、水素原子又は１価の置換基を表す。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の芳香族炭化水素環基を構成する芳香族炭化水素環としては、単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。なお、芳香族炭化水素環が多環構造の場合、多環構造に含まれる環の少なくとも１つが５員環以上であることが好ましい。
　上記芳香族炭化水素環の環員数としては、６～１０が好ましい。
　上記芳香族炭化水素環の具体例としては、例えば、ベンゼン環、及びナフタレン環が挙げられ、ベンゼン環がより好ましい。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の脂肪族炭化水素環基を構成する脂肪族炭化水素環としては、単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。なお、脂肪族炭化水素環が多環構造の場合、多環構造に含まれる環の少なくとも１つが５員環以上であることが好ましい。
　上記脂肪族炭化水素環の環員数としては、５又は６が好ましい。
　脂肪族炭化水素環の具体例としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、ノルボルネン環、及びアダマンタン環が挙げられる。なかでも、シクロペンタン環又はシクロヘキサン環が好ましい。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の炭化水素環基は、置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されず、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の芳香族複素環基を構成する芳香族複素環としては、単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。なお、上記芳香族複素環が多環構造の場合、多環構造に含まれる環の少なくとも１つが５員環以上であることが好ましい。
　上記芳香族複素環が含むヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子が挙げられる。上記芳香族複素環に含まれるヘテロ原子数としては、例えば、１～３であり、１又は２が好ましい。
　上記芳香族複素環の環員数としては、６が好ましい。
　上記芳香族複素環の具体例としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、チオフェン環、チアゾール環、イミダゾール環、及びクマリン環が挙げられる。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の脂肪族複素環基を構成する脂肪族複素環としては、単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。なお、上記脂肪族複素環が多環構造の場合、多環構造に含まれる環の少なくとも１つが５員環以上であることが好ましい。
　上記脂肪族複素環が含むヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子が挙げられる。上記脂肪族複素環に含まれるヘテロ原子数としては、例えば、１～３であり、１又は２が好ましい。
　上記脂肪族複素環の環員数としては、５又は６が好ましい。
　上記脂肪族複素環の具体例としては、例えば、オキソラン環、オキサン環、ピぺリジン環、及びピペラジン環が挙げられる。なお、脂肪族複素環としては、環を構成する－ＣＨ₂－が－ＣＯ－で置換されたものであってもよく、例えば、フタルイミド環等が挙げられる。

　一般式（２）中、上記Ａで表される環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の複素環基は、置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されず、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。

　一般式（２）中、Ｚ¹及びＺ²で表される２価の連結基としては特に制限されないが、例えば、２価の脂肪族炭化水素基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状であってもよい。炭素数１～２０であることが好ましく、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルキニレン基が挙げられる。）、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＮＲ^D－、－ＣＯ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝Ｎ－、及びこれらを２種以上組み合わせた基（２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＣＯ－ＮＨ－、－ＣＯ－Ｓ－、－ＣＨ₂Ｏ－、及び－ＣＯＯ－等が挙げられる。）が挙げられる。ここで、Ｒ^Dは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）を表す。
　なお、上記２価の連結基中の水素原子は、ハロゲン原子等の他の置換基（例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。)で置換されていてもよい。
　Ｚ¹で表される２価の連結基としては、なかでも、２価の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、及び－ＮＨ－からなる群から選ばれる１種又は２種以上組み合わせた基が好ましく、－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＨ－、又は－ＣＯＯ－がより好ましく、－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－が更に好ましい。Ｒ^Eは、水素原子又は置換基を表す。Ｒ^Eで表される置換基としては、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基が挙げられる。
　Ｚ²で表される２価の連結基としては、なかでも、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＨ－、又は－ＣＯＯ－が好ましい。

　一般式（２）において、Ｚ¹で表される２価の連結基が－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－である場合、シス型でもトランス型でもよい。つまり、例えば、一般式（２）において、Ｚ¹が－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－を表し、且つｍが１を表す場合、「－Ａ－Ｚ²－Ｒ」で表される基と「－＊」で表される結合位置との位置関係は特に制限されず、「－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－」においてトランス型に配置（「－Ａ－Ｚ²－Ｒ」で表される基と「－＊」で表される結合位置とが、二重結合に対して反対側に配置）されていてもよいし、シス型に配置（「－Ａ－Ｚ²－Ｒ」で表される基と「－＊」で表される結合位置とが、二重結合に対して同じ側に配置）されていてもよい。
　なお、一般式（２）において、Ｚ¹で表される２価の連結基が－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－である場合、上記－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－が光異性化可能な二重結合に該当する。

　一般式（２）中、ｍとしては、１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。

　一般式（２）中、Ｒで表される１価の置換基としては特に制限されず、例えば、上述した置換基Ｔとして例示された基（なかでも、アルキル基、又は上述した一般式（Ｔ）で表される基等が好ましい。）が挙げられる。

　一般式（１）としては、露光後の螺旋誘起力の増加量がより優れる点で、Ｒ¹及びＲ²が互いに結合して環構造を形成し、且つ、Ｒ³及びＲ⁴がいずれも一般式（２）で表される置換基を表すことが好ましく、Ｒ¹及びＲ²が互いに結合して環構造を形成し、且つ、Ｒ³及びＲ⁴がいずれも一般式（２）で表される置換基を表し、ｍが１を表し、Ｚ¹が－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－を表すことがより好ましく、Ｒ¹及びＲ²が互いに結合して環構造を形成し、且つ、Ｒ³及びＲ⁴がいずれも一般式（２）で表される置換基を表し、ｍが１を表し、Ｚ¹が－ＣＲ^E＝ＣＲ^E－を表し、「－Ａ－Ｚ²－Ｒ」で表される基と「－＊」で表される結合位置との位置関係がシス型であることが更に好ましい。
　また、一般式（１）で表される化合物としては、露光後の螺旋誘起力の増加量がより優れる点で、一般式（１－１）で表される化合物であることが好ましい。

　以下において、キラル剤Ａの具体的な一例について示すが、本発明はこれに制限されない。

　以下において、キラル剤Ｂの具体的な一例について示すが、本発明はこれに制限されない。

　光照射前のキラル剤ＡのＨＴＰとしては、例えば、１０～１００μｍ^－１が好ましく、５０～１００μｍ^－１がより好ましい。また、光照射後のキラル剤ＡのＨＴＰは、０～８０μｍ^－１が好ましく、０～６０μｍ^－１がより好ましい。

　液晶組成物中における上記キラル剤Ａの含有量の規定はないが、液晶化合物が均一に配向しやすい観点で、液晶化合物の全質量に対して、０．５～１０．０質量％が好ましく、１．０～５．０質量％がより好ましい。
　なお、上記キラル剤Ａは１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。２種以上の上記キラル剤Ａを併用する場合には、合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。

　光照射前のキラル剤ＢのＨＴＰとしては、例えば、０～３０μｍ^－１が好ましく、０～２０μｍ^－１がより好ましい。また、光照射後のキラル剤ＢのＨＴＰは、３０～２００μｍ^－１が好ましく、３５～２００μｍ^－１がより好ましく、４０～２００μｍ^－１が更に好ましく、５０～２００μｍ^－１が特に好ましい。

　液晶組成物中における上記キラル剤Ｂの含有量の規定はないが、液晶化合物が均一に配向しやすい観点で、液晶化合物の全質量に対して、１．０～２０．０質量％が好ましく、２．０～１０．０質量％がより好ましい。
　なお、上記キラル剤Ｂは１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。２種以上の上記キラル剤Ｂを併用する場合には、合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。

　本発明の液晶組成物中におけるキラル剤の総含有量（発明の組成物中の全てのキラル剤の総含有量）は、液晶化合物の全質量に対して、２．０質量％以上が好ましく、３．０質量％以上がより好ましい。また、本発明の液晶組成物中におけるキラル剤の総含有量の上限は、コレステリック液晶層のヘイズ抑制の点で、液晶化合物の全質量に対して、１８．０質量％以下が好ましく、１５．０質量％以下がより好ましく、１２．０質量％以下が更に好ましい。

　本発明の液晶組成物中のキラル剤Ａ及びキラル剤Ｂの各含有量は、形成しようとするコレステリック液晶層の機能（例えば、高回折角反射性又は無指向的な拡散反射性）に応じて適宜設定され得る。なお、コレステリック液晶相の螺旋ピッチはキラル剤Ａ及びキラル剤Ｂの種類及びその添加濃度に大きく依存するため、これらを調節することによって所望のピッチを得ることができる。

＜重合開始剤＞
　本発明の液晶組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。特に、液晶化合物が重合性基を有する場合、本発明の液晶組成物は、重合開始剤を含むことが好ましい。
　重合開始剤としては、紫外線照射によって重合反応を開始可能な光重合開始剤であることが好ましい。光重合開始剤としては、α－カルボニル化合物（米国特許第２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許第２４４８８２８号明細書記載）、α－炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許第２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許第３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ－アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許第３５４９３６７号明細書記載）、アクリジン及びフェナジン化合物（特開昭６０－１０５６６７号公報、米国特許第４２３９８５０号明細書記載）及びオキサジアゾール化合物（米国特許第４２１２９７０号明細書記載）等が挙げられる。
　本発明の液晶組成物中での重合開始剤の含有量（重合開始剤が複数種含まれる場合にはその合計量）は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、０．１～２０質量％が好ましく、１．０～８．０質量％がより好ましい。

＜界面活性剤＞
　本発明の液晶組成物は、組成物層の基板側表面及び／又は基板とは反対側の表面に偏在し得る界面活性剤を含むことが好ましい。
　界面活性剤としては特に制限されないが、例えば、フッ素系界面活性剤、ボロン酸化合物、及びイオン系界面活性剤等が挙げられる。なかでも、フッ素系界面活性剤を含むことが好ましい。
　界面活性剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　本発明の液晶組成物中での界面活性剤の含有量（界面活性剤が複数種含まれる場合にはその合計量）は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、０．０１～１０質量％が好ましく、０．０１～５．０質量％がより好ましく、０．０１～２．０質量％が更に好ましい。

＜溶媒＞
　本発明の液晶組成物は、溶媒を含んでいてもよい。
　溶媒としては、水又は有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ピリジン等のヘテロ環化合物；ベンゼン、及びヘキサン等の炭化水素；クロロホルム、及びジクロロメタン等のアルキルハライド類；酢酸メチル、酢酸ブチル、及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、及びシクロペンタノン等のケトン類；テトラヒドロフラン、及び１，２－ジメトキシエタン等のエーテル類；１，４－ブタンジオールジアセテート；等が挙げられる。
　溶媒は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜その他の添加剤＞
　本発明の液晶組成物は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、増感剤、安定剤、可塑剤、連鎖移動剤、重合禁止剤、消泡剤、レべリング剤、増粘剤、難燃剤、分散剤、並びに、染料及び顔料等の色材等の他の添加剤を含んでいてもよい。

〔液晶組成物の好適態様〕
　本発明の液晶組成物においては、液晶組成物を構成する化合物の１つ以上が、複数の重合性基を有する化合物（多官能性化合物）であるのが好ましい。更に、本発明の液晶組成物においては、複数の重合性基を有する化合物の総含有量が、本発明の液晶組成物中の全固形分に対して、８０質量％以上であるのが好ましい。なお、この上記固形分とは、コレステリック液晶層を形成する成分であり、溶媒は含まれない。
　本発明の液晶組成物中の全固形分の８０質量％以上を、複数の重合性基を有する化合物とすることにより、コレステリック液晶相の構造を強固に固定して耐久性を付与できる等の点で好ましい。
　なお、複数の重合性基を有する化合物とは、１分子内に２つ以上の固定化可能な基を有する化合物である。本発明において、本発明の液晶組成物が含む多官能性化合物は、液晶性を有するものでも、液晶性を有さないものでもよい。

［コレステリック液晶層及びその製造方法］
　次に、本発明の液晶組成物を用いて形成されるコレステリック液晶層について説明する。
　本明細書中、「コレステリック液晶層」には、特に断りのない限り、硬化処理によりコレステリック液晶相が固定化されたコレステリック液晶層、及び、硬化処理をせずコレステリック液晶相が固定化されていないコレステリック液晶層のいずれも含まれる。
　なお、本発明のコレステリック液晶層は、コレステリック液晶相の光学的性質が層中において保持されていれば十分であり、層中の液晶化合物は液晶性を示さなくてもよい。

　以下の本発明のコレステリック液晶層の説明においては、高回折角反射性に優れたコレステリック液晶層及びその製造方法を第１実施形態として説明し、無指向的な拡散反射が可能なコレステリック液晶層コレステリック液晶層及びその製造方法を第２実施形態として説明する。

〔第１実施形態〕
　以下において、第１実施形態のコレステリック液晶層について、その製造方法とともに説明する。
　第１実施形態のコレステリック液晶層について、図１を参照しながら説明する。
　第１実施形態のコレステリック液晶層１０の主面１０ａに垂直な断面をＳＥＭにて観察すると、明部１２と暗部１４とが交互に配列された配列方向Ｐが、コレステリック液晶層１０の主面１０ａの法線Ｑに対して所定角度に傾斜している縞模様が観察される。なお、図１中の明部１２と暗部１４の繰り返し２回分が螺旋１ピッチ分（螺旋の巻き数１回分）に相当する。このコレステリック液晶層１０においては、配列方向Ｐに略直交する面が反射面となる。つまり、コレステリック液晶層１０は、高回折角反射性を有しており、例えば、コレステリック液晶層１０に法線方向から光が入射される場合、法線方向とは異なる所定角度の斜め方向に光が反射される（図１中の矢印参照）。
　なお、通常のコレステリック液晶層（即ち、コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向がコレステリック液晶層の主面の法線に対して平行であるコレステリック液晶層を意図する）は、鏡面反射であるため、コレステリック液晶層の法線方向から光が入射すると、コレステリック液晶層の法線方向に反射する。

　配列方向Ｐのコレステリック液晶層１０の主面１０ａの法線Ｑに対してなす角度（鋭角）は、１０～９０°が好ましく、１５～９０°がより好ましい。

　第１実施形態のコレステリック液晶層の製造方法は、工程１～工程３をこの順に含む。
　工程１：本発明の液晶組成物を用いて組成物層を形成する組成物層形成工程
　工程２：上記組成物層に含まれる液晶化合物を配向させて液晶相とする液晶層形成工程
　工程３：上記組成物層の少なくとも一部の領域に光照射することにより、光照射領域においてキラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させる光照射工程

　第１実施形態のコレステリック液晶層の製造方法において、工程２における上記液晶相は、ネマチック液晶相である。
　工程３は、工程２により得られるネマチック液晶相の配向状態の組成物層に対して光照射を実施することで、光照射領域において、組成物層中のキラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させ、液晶化合物の配向状態をコレステリック液晶相とする工程である。このネマチック液晶相の配向状態をとる組成物層に光照射を実施すると、液晶化合物に由来する分子軸が組成物層の主面の法線に対して傾斜するように配向してコレステリック液晶相の状態となる。液晶化合物がこのような配向をとることで、工程３を経て得られるコレステリック液晶層は、コレステリック液晶相由来の螺旋軸がコレステリック液晶層の主面に対して傾斜する。工程３を経て得られるコレステリック液晶層の主面の垂直断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察すると、コレステリック液晶相由来の明部と暗部とが交互に配列された配列方向が、コレステリック液晶層の主面の法線に対して傾斜した縞模様の像が観察される（図１参照）。すなわち、上記の結果として、コレステリック液晶層の反射面がコレステリック液晶層の主面に対して傾斜する。

　また、液晶化合物が重合性基を有する場合、第１実施形態のコレステリック液晶層の製造方法は、後述するように、組成物層に対して硬化処理を実施することが好ましい。

　次に、第１実施形態のコレステリック液晶層の製造方法に使用される液晶組成物の作用機序、及び各工程の手順について説明する。

＜第１の実施形態で使用される液晶組成物の作用機序＞
　本発明の液晶組成物を使用して第１実施形態のコレステリック液晶層を形成する場合、工程３において、配向状態がネマチック液晶相である組成物層に光照射処理を施し、光照射領域において、組成物層中のキラル剤Ｂの螺旋誘起力を増加させることにより（更にキラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である場合には、キラル剤Ａの螺旋誘起力を減少させることにより）、組成物層中の液晶化合物の配向状態をコレステリック液晶相としている。

　ここで、工程３において組成物層中の液晶化合物の配向状態をコレステリック液晶相とする上で、液晶化合物の螺旋を誘起する螺旋誘起力は、組成物層中に含まれているキラル剤の加重平均螺旋誘起力に概ね該当すると考えられる。ここでいう加重平均螺旋誘起力とは、例えば、２種類のキラル剤（キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂ）を併用した場合、下記式（１Ｃ）により表される。
　式（１Ｃ）　加重平均螺旋誘起力（μｍ^-1）＝（キラル剤Ａの螺旋誘起力（μｍ^-1）×液晶化合物に対するキラル剤Ａの濃度（質量％）＋キラル剤Ｂの螺旋誘起力（μｍ^-1）×液晶化合物に対するキラル剤Ｂの濃度（質量％））／（液晶化合物に対するキラル剤Ａの濃度（質量％）＋液晶組成物中におけるキラル剤Ｂの濃度（質量％））
　ただし、上記式（１Ｃ）において、キラル剤の螺旋方向が右巻きの場合、その螺旋誘起力は正の値とする。また、キラル剤の螺旋方向が左巻きの場合、その螺旋誘起力は負の値とする。つまり、例えば、螺旋誘起力が１０μｍ^-1のキラル剤の場合、上記キラル剤により誘起される螺旋の螺旋方向が右であるときは、螺旋誘起力を１０μｍ^-1として表す。一方、上記キラル剤により誘起される螺旋の螺旋方向が左であるときは、螺旋誘起力を－１０μｍ^-1として表す。
　なお、上記式（１Ｃ）により得られる加重平均螺旋誘起力（μｍ^-1）は、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）からも算出できる。

　以下に、キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂの加重平均螺旋誘起力について、具体的な態様を例に挙げて説明する。
　まず、一例として、組成物層中に下記特性を有するキラル剤Ａ１及びキラル剤Ｂが含まれている場合の加重平均螺旋誘起力について述べる。
　図２に示すように、キラル剤Ａ１は、左方向（－）の螺旋誘起力を有し、光照射により螺旋誘起力が変化しないキラル剤である。また、図２に示すように、キラル剤Ｂは、キラル剤Ａ１とは逆方向である右方向（＋）の螺旋誘起力を有し、光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤である。ここで、未光照射時の「キラル剤Ａ１の螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤Ａ１の濃度（質量％）」と「キラル剤Ｂの螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤Ｂの濃度（質量％）」は等しいものとする。なお、図２において、縦軸の「キラル剤の螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤の濃度（質量％）」は、その値がゼロから離れるほど、螺旋誘起力が大きくなる。
　組成物層が上記キラル剤Ａ１及びキラル剤Ｂを含む場合、液晶化合物の螺旋を誘起する螺旋誘起力は、キラル剤Ａ１及びキラル剤Ｂの加重平均螺旋誘起力に一致する。つまり、図３に示すように、上記キラル剤Ａ１と上記キラル剤Ｂとを併用した系においては、光照射前の螺旋誘起力はゼロであり、光照射後の螺旋誘起力は、キラル剤Ｂが誘起する螺旋の方向（＋）に螺旋誘起力が大きくなると考えられる。

　更に、他の例として、組成物層中に下記特性を有するキラル剤Ａ２及びキラル剤Ｂが含まれている場合の加重平均螺旋誘起力について述べる。
　図４に示すように、キラル剤Ａ２は、左方向（－）の螺旋誘起力を有し、光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である。なお、上述した通り「螺旋誘起力の減少」とは、キラル剤Ａ２及びキラル剤Ｂの各々の初期（光照射前）の螺旋方向を「正」としたときの減少を表す。また、図４に示すように、キラル剤Ｂは、キラル剤Ａ２とは逆方向である右方向（＋）の螺旋誘起力を有し、光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤である。ここで、未光照射時の「キラル剤Ａ２の螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤Ａ２の濃度（質量％）」と「キラル剤Ｂの螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤Ｂの濃度（質量％）」は等しいものとする。なお、図４において、縦軸の「キラル剤の螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤の濃度（質量％）」は、その値がゼロから離れるほど、螺旋誘起力が大きくなる。
　組成物層が上記キラル剤Ａ２及びキラル剤Ｂを含む場合、液晶化合物の螺旋を誘起する螺旋誘起力は、キラル剤Ａ２及びキラル剤Ｂの加重平均螺旋誘起力に一致する。つまり、図５に示すように、上記キラル剤Ａ２と上記キラル剤Ｂとを併用した系においては、光照射前の螺旋誘起力はゼロであり、光照射後の螺旋誘起力は、キラル剤Ｂの誘起する螺旋の方向（＋）の螺旋誘起力の増加分だけでなく、キラル剤Ａが誘起する螺旋の方向（－）の螺旋誘起力の減少分（つまり、キラル剤Ａの螺旋の方向（＋）への螺旋誘起力の増加分に相当する）を合せた分、大きくなると考えられる。すなわち、キラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力を減少させるキラル剤（Ａ２）である場合、キラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力が変化しないキラル剤（Ａ１）である場合と比べると、光照射後のキラル剤Ａ及びキラル剤Ｂの加重平均螺旋誘起力をより大きく増加させることができる。

　第１実施形態のコレステリック液晶層の製造方法においては、工程２において組成物層中の液晶化合物をネマチック配向させる。工程２において組成物層中の液晶化合物の配向状態をネマチック液晶相とする上では、工程２の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、０．０～１．５μｍ^-1が好ましく、０．０～１．０μｍ^-1がより好ましく、０．０～０．５μｍ^-1が更に好ましく、０．０μｍ^-1が特に好ましい。一方で、工程３の光照射処理の際においては、組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、液晶化合物をコレステリック配向させることが可能であれば特に制限されないが、例えば、１５．０μｍ^-1以上が好ましく、１５．０～２００．０μｍ^-1がより好ましく、３０．０～２００．０μｍ^-1が更に好ましい。即ち、工程２の際には組成物層中のキラル剤はその螺旋誘起力が略ゼロに相殺されることによって、組成物層中の液晶化合物を配向させて、ネマチック液晶相とすることができる。次いで、工程３の光照射処理を契機として、キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増加させて（更にキラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である場合には、キラル剤Ａの螺旋誘起力を減少させて）、組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力を右方向（＋）又は左方向（－）のいずれかの方向（キラル剤Ｂが誘起する螺旋方向に該当する）に増大させることで、第１実施形態のコレステリック液晶層を形成できる。

　したがって、上述の観点から、第１実施形態で使用される液晶組成物としては、上記液晶組成物中の液晶化合物を配向させて液晶相の状態としたときに、ネマチック配向を形成できるものが好ましい。
　さらに、第１実施形態で使用される液晶組成物中の光照射前のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、０．０～１．５μｍ^-1であることが好ましく、０．０～１．０μｍ^-1がより好ましく、０．０～０．５μｍ^-1が更に好ましく、０．０μｍ^-1が特に好ましい。
　また、第１実施形態で使用される液晶組成物中の光照射後のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、１５．０μｍ^-1以上が好ましく、１５．０～２００．０μｍ^-1がより好ましく、３０．０～２００．０μｍ^-1が更に好ましい。

　以下、第１実施形態のコレステリック液晶相の製造方法の各工程の具体的な手順について説明する。

＜工程１＞
　工程１は、具体的には、本発明の液晶組成物と基板とを接触させて、上記基板上に塗膜を形成する工程であることが好ましい。

（基板）
　基板は、本発明の液晶組成物から形成される組成物層を支持する板である。なかでも、透明基板であることが好ましい。なお、透明基板とは、可視光の透過率が６０％以上である基板を意図し、その透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。
　基板を構成する材料は特に制限されず、例えば、セルロース系ポリマー、ポリカーボネート系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、（メタ）アクリル系ポリマー、スチレン系ポリマー、ポリオレフィン系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、アミド系ポリマー、イミド系ポリマー、スルホン系ポリマー、ポリエーテルスルホン系ポリマー、及び、ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー等が挙げられる。
　基板には、ＵＶ（紫外線）吸収剤、マット剤微粒子、可塑剤、劣化防止剤、及び、剥離剤等の各種添加剤が含まれていてもよい。
　なお、基板は、可視光領域で低複屈折性であることが好ましい。例えば、基板の波長５５０ｎｍにおける位相差は５０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましい。

　基板の厚さは特に制限されないが、薄型化、及び、取り扱い性の点から、１０～２００μｍが好ましく、２０～１００μｍがより好ましい。
　上記厚さは平均厚さを意図し、基板の任意の５点の厚さを測定し、それらを算術平均したものである。この厚さの測定方法に関しては、後述するコレステリック液晶層の厚さも同様である。

　また、第１実施形態のコレステリック液晶層を形成する上では、上記基板は、基板表面にプレチルト角を有するラビング配向膜、又は、一軸配向若しくはハイブリッド配向された液晶化合物を含む配向膜を有することが好ましい。上記基板を使用することで、工程３のコレステリック液晶相の形成の際、液晶化合物に由来する分子軸が組成物層の主面の法線に対して傾斜するように配向しやすい。

（液晶組成物）
　工程１で使用する液晶組成物については、既述のとおりである。

（工程１の手順）
　工程１では、まず、本発明の液晶組成物を基板上に塗布する。塗布方法は特に制限されず、例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、及び、ダイコーティング法等が挙げられる。なお、本発明の液晶組成物の塗布に先立ち、基板に公知のラビング処理を施してもよい。
　また、必要に応じて、本発明の液晶組成物の塗布後に、基板上に塗布された塗膜を乾燥する処理を実施してもよい。乾燥処理を実施することにより、塗膜から溶媒を除去できる。

　塗膜の膜厚は特に制限されないが、コレステリック液晶層の反射異方性及びヘイズがより優れる点で、０．１～２０μｍが好ましく、０．２～１５μｍがより好ましく、０．５～１０μｍが更に好ましい。

＜工程２＞
　工程２は、具体的に、工程１で得られた組成物層を加熱することにより、上記組成物層中に含まれる液晶化合物の配向状態をネマチック液晶相とする工程である。
　本発明の液晶組成物の液晶相転移温度は、製造適性の面から１０～２５０℃の範囲内が好ましく、１０～１５０℃の範囲内がより好ましい。
　加熱温度としては、４０～１００℃が好ましく、６０～１００℃がより好ましい。また、加熱時間としては、０．５～５分間が好ましく、０．５～２分間がより好ましい。
　なお、組成物層を加熱する際には、液晶化合物が等方相（Ｉｓｏ）となる温度まで加熱しないことが好ましい。液晶化合物が等方相となる温度以上に組成物層を加熱してしまうと、ネマチック液晶相の欠陥が増加してしまい、好ましくない。

　更に、上述したとおり、第１の実施形態のコレステリック液晶層を製造するに際して、界面にプレチルト角度を与えることが有効であり、具体的には、下記の方法が挙げられる。
（１）プレチルト角を有するラビング配向膜、又は、一軸配向若しくはハイブリッド配向された液晶化合物を含む配向膜を表面に配置した基板を使用する。
（２）本発明の液晶組成物中に、空気界面及び／又は基板界面に偏在して、液晶化合物の配向を制御し得る界面活性剤（例えば、上述したフッ素系界面活性剤等）を添加する。
（３）本発明の液晶組成物中に、液晶化合物として、界面におけるプレチルト角が大きい液晶化合物を添加する。
　界面にプレチルト角度を与えることで、工程３のコレステリック液晶相が、組成物層の主面の垂直断面において液晶化合物に由来する分子軸が組成物層の主面の法線に対して傾斜するように配向した状態となりやすい。

＜工程３＞
　工程３は、工程２により得られた組成物層に対して光照射処理を施すことにより、光照射領域において、キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増加させて（更にキラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である場合には、キラル剤Ａの螺旋誘起力を減少させて）、組成物層中の液晶化合物をコレステリック配向させてコレステリック液晶相とする工程である。
　なお、光照射領域を複数のドメインに分割し、各ドメイン毎に照射光量を調整することにより、更に螺旋ピッチが異なる領域（選択反射波長が異なる領域）を形成できる。

　工程３における光照射の照射強度は特に制限されず、キラル剤Ｂの螺旋誘起力に基づいて適宜決定できる。工程３における光照射の照射強度は、一般的には、０．１～２００ｍＷ／ｃｍ²程度が好ましい。また、光を照射する時間は特に制限されないが、得られる層の充分な強度及び生産性の双方の観点から適宜決定すればよい。
　また、光照射時における組成物層の温度は、例えば、０～１００℃であり、１０～６０℃が好ましい。

　光照射に使用される光は、キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増加させる（更にキラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である場合には、キラル剤Ａの螺旋誘起力を減少させる）活性光線又は放射線であれば特に制限されず、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、紫外線、及び電子線（ＥＢ）等を意味する。なかでも、紫外線が好ましい。

　また、光照射の際の照射波長は特に制限されず、キラル剤Ｂの吸収波長及び異性化波長等（（更にキラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である場合には、キラル剤Ｂの吸収波長及び異性化波長等）を考慮して適宜決定できる。

　ここで、第１の実施形態のコレステリック液晶層の製造方法においては、組成物層が風に晒されると、形成されるコレステリック液晶層の表面の面状にムラが生じてしまう可能性がある。この点を考慮すると、第１の実施形態のコレステリック液晶層の製造方法では、工程１～３の全工程において、組成物層が晒される環境の風速が低い方が好ましい。具体的には、第１の実施形態のコレステリック液晶層の製造方法では、工程１～３の全工程において、組成物層が晒される環境の風速は、１ｍ／ｓ以下が好ましい。

　なお、工程３の実施後に、更に工程３を経て得られるコレステリック液晶層を加熱する工程を有するのも好ましい。工程３の後に加熱処理を行うことで、液晶化合物がより均一なコレステリック配向状態を形成し易い。
　なお、加熱処理条件は、上述した工程２と同様であり、好適態様も同様である。

＜硬化処理＞
　なお、液晶化合物が重合性基を有する場合、組成物層に対して硬化処理を実施することが好ましい。組成物層に対して硬化処理を実施する手順としては、以下に示す（１）及び（２）が挙げられる。

（１）工程３の際に、コレステリック配向状態を固定化する硬化処理を施し、コレステリック配向状態が固定化されたコレステリック液晶層を形成する（つまり、工程３と同時に硬化処理を実施する）か、又は、
（２）工程３の後に、コレステリック配向状態を固定化する硬化処理を施し、コレステリック配向状態が固定化されたコレステリック液晶層を形成する工程４を更に有する。

　つまり、硬化処理を実施して得られるコレステリック液晶層は、コレステリック液晶相を固定してなる層に該当する。
　なお、ここで、コレステリック液晶相を「固定化した」状態は、コレステリック液晶相となっている液晶化合物の配向が保持された状態が最も典型的、且つ、好ましい態様である。それだけには制限されず、具体的には、通常０～５０℃、より過酷な条件下では－３０～７０℃の温度範囲において、層に流動性が無く、また、外場もしくは外力によって配向形態に変化を生じさせることなく、固定化された配向形態を安定に保ち続けることができる状態を意味するものとする。本発明では、後述するように、紫外線照射によって進行する硬化反応により、コレステリック液晶相の配向状態を固定することが好ましい。
　なお、コレステリック液晶相を固定してなる層においては、コレステリック液晶相の光学的性質が層中において保持されていれば十分であり、最終的に層中の組成物がもはや液晶性を示す必要はない。

　硬化処理の方法は特に制限されず、光硬化処理及び熱硬化処理が挙げられる。なかでも、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。また、前述のように、液晶化合物は、重合性基を有する液晶化合物であるのが好ましい。液晶化合物が重合性基を有する場合には、硬化処理は、光照射（特に紫外線照射）による重合反応であるのが好ましく、光照射（特に紫外線照射）によるラジカル重合反応であるのがより好ましい。
　紫外線照射には、紫外線ランプ等の光源が利用される。
　紫外線の照射エネルギー量は特に制限されないが、一般的には、１００～８００ｍＪ／ｃｍ²程度が好ましい。なお、紫外線を照射する時間は特に制限されないが、得られる層の充分な強度及び生産性の双方の観点から適宜決定すればよい。

〔第２実施形態〕
　以下において、第２実施形態のコレステリック液晶層について、その製造方法とともに説明する。
　第２実施形態のコレステリック液晶層について、図６を参照しながら説明する。
　第２実施形態のコレステリック液晶層２０の主面２０ａに垂直な断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察すると、明部２２と暗部２４とが波状構造（アンジュレーション構造）をとっている縞模様が観察される。なお、図６中の明部２２と暗部２４の繰り返し２回分が螺旋１ピッチ分（螺旋の巻き数１回分）に相当する。このような波状構造を有するコレステリック液晶層２０に対して、コレステリック液晶層２０の主面２０ａの法線方向から光が入射すると、図６に示すように液晶化合物の螺旋軸が傾いている領域があるため、入射光の一部が斜め方向に様々な角度で反射される（図６の矢印参照）。つまり、コレステリック液晶層２０は、無指向的な拡散反射性を有する。即ち、反射指向性が抑制されて様々な角度方向への拡散反射性を有する。
　なお、通常のコレステリック液晶層（即ち、コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部が、波状構造ではなく、主面に対して平行であるコレステリック液晶層を意図する）は、鏡面反射であるため、コレステリック液晶層の法線方向から光が入射すると、コレステリック液晶層の法線方向に反射する。

　第２実施形態のコレステリック液晶層の製造方法は、工程１～工程３をこの順に含む。
　工程１：本発明の液晶組成物を用いて組成物層を形成する組成物層形成工程
　工程２：上記組成物層に含まれる液晶化合物を配向させて液晶相とする液晶層形成工程
　工程３：上記組成物層の少なくとも一部の領域に光照射することにより、光照射領域においてキラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させる光照射工程

　第２実施形態のコレステリック液晶層の製造方法において、工程２における上記液晶相は、コレステリック液晶相である。
　工程３は、工程２により得られるコレステリック液晶相の配向状態の組成物層に対して光照射を実施することで、光照射領域において、組成物層中のキラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させて、コレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小させる工程である。
　工程３を経て得られるコレステリック液晶層の主面の垂直断面をＳＥＭで観察すると、コレステリック液晶層の主面に垂直な断面において走査型電子顕微鏡にて観察されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部が波状となった縞模様の像が観察される（図６参照）。工程２のコレステリック液晶相の配向状態をとる組成物に光照射を実施すると、光照射領域における液晶化合物の捩れがより増し、結果として、コレステリック液晶相の配向（螺旋軸の傾き）が変化して上述のような形態になると考えられる。

　なお、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが縮小するとは、組成物層に対して光照射する前のコレステリック液晶相の中心反射波長をＸ（ｎｍ）とし、組成物層に対して光照射した後のコレステリック液晶相の中心反射波長をＹ（ｎｍ）とした場合、以下の式（１Ｘ）で表される縮小率Ｚが０より大きいことを意図する。
　式（１Ｘ）：縮小率Ｚ（％）＝｛（Ｘ－Ｙ）／Ｘ｝×１００
　コレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小率Ｚは、無指向的な拡散反射性がより顕著に生じるという点で、５％以上であることが好ましく、１０％以上がより好ましく、２０％以上が更に好ましい。縮小率Ｚの上限は特に制限されないが、５０％以下の場合が多い。

　また、液晶化合物が重合性基を有する場合、第２実施形態のコレステリック液晶層の製造方法は、後述するように、組成物層に対して硬化処理を実施することが好ましい。

　次に、第２実施形態のコレステリック液晶層の製造方法に使用される液晶組成物の作用機序、及び各工程の手順について説明する。

＜第２の実施形態で使用される液晶組成物の作用機序＞
　本発明の液晶組成物を使用して第２実施形態のコレステリック液晶層を形成する場合、工程３において、工程２で得られた配向状態がコレステリック液晶相である組成物層に光照射処理を施す。この光照射領域において、組成物層中のキラル剤Ｂの螺旋誘起力が増加することにより（更にキラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である場合には、キラル剤Ａの螺旋誘起力を減少することにより）、組成物層中の液晶化合物の捩れがより強くなり、波状構造のコレステリック液晶相が形成される。
　第２実施形態のコレステリック液晶層の製造方法においては、第１実施形態のコレステリック液晶層の製造方法とは異なり、工程２で得られる組成物層中の液晶化合物の配向状態がコレステリック液晶相である。工程２において液晶化合物の螺旋を誘起する螺旋誘起力は、組成物層中に含まれているキラル剤の加重平均螺旋誘起力に概ね該当すると考えられる。ここでいう加重平均螺旋誘起力とは、既述のとおりである。
　第２実施形態のコレステリック液晶層の製造方法においては、工程２の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、１．６μｍ^-1以上が好ましく、２．０μｍ^-1以上がより好ましい。なお、上限値としては特に制限されないが、例えば、２００μｍ^-1以下が好ましい。一方で、工程３の光照射処理後の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値としては、工程２で形成されたコレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小できれば特に制限されないが、例えば、２０．０μｍ^-1以上が好ましく、２０．０～２００．０μｍ^-1がより好ましく、３０．０～２００．０μｍ^-1が更に好ましい。

　工程２におけるコレステリック液晶相の螺旋方向は、キラル剤Ｂにより誘起される螺旋方向と同じであることが好ましい。つまり、工程２により得られる組成物層中の液晶化合物は、キラル剤Ｂが誘起する螺旋の方向にコレステリック配向することが好ましい。
　工程２が上記構成である場合、工程２の際に液晶化合物をキラル剤Ｂが誘起する螺旋の方向にコレステリック配向させ、工程３の光照射処理により、光照射領域において、キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増加させて（更にキラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である場合には、キラル剤Ａの螺旋誘起力を減少させて）、組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力をキラル剤Ｂが誘起する螺旋の方向にさらに増大させることで、第２実施形態のコレステリック液晶層を形成できる。

　また、光照射前後での組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の増加比（（工程３の光照射処理後の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値－工程２の光照射処理前の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値）／工程２の光照射処理前の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値）としては、特に制限されないが、５．０以上が好ましい。上限値としては特に制限されないが、２０．０以下が好ましい。

　したがって、上述の観点から、第２実施形態で使用される液晶組成物としては、上記液晶組成物中の液晶化合物を配向させて液晶相の状態としたときに、コレステリック配向を形成できるものが好ましい。
　さらに、第２実施形態で使用される液晶組成物としては、下記式（１Ｄ）を満たすことが好ましい。
　式（１Ｄ）：キラル剤Ａの螺旋誘起力〔μｍ^－１〕×液晶化合物に対するキラル剤Ａの含有量〔質量％〕＜キラル剤Ｂの螺旋誘起力〔μｍ^－１〕×液晶化合物に対するキラル剤Ｂの含有量〔質量％〕
　さらに、第２実施形態で使用される液晶組成物中の光照射前のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、１．６μｍ^-1以上が好ましく、２．０μｍ^-1以上がより好ましい。なお、上限値としては特に制限されないが、例えば、２００μｍ^-1以下が好ましい。
　さらに、第２実施形態で使用される液晶組成物中の光照射後のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、２０．０μｍ^-1以上が好ましく、２０．０～２００．０μｍ^-1がより好ましく、３０．０～２００．０μｍ^-1が更に好ましい。
　また、第２実施形態で使用される液晶組成物中の光照射後のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の増加比（（光照射後のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値－光照射前のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値）／光照射前のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値）としては、特に制限されないが、５．０以上が好ましい。上限値としては特に制限されないが、２０．０以下が好ましい。

　以下、第２実施形態のコレステリック液晶相の製造方法の各工程の具体的な手順について説明する。

＜工程１＞
　第２実施形態の工程１は、第１実施形態の工程１と同義であり、好適態様も同じである。

＜工程２＞
　工程２は、具体的には、工程１で得られた組成物層を加熱することにより、上記組成物層中に含まれる液晶化合物の配向状態をコレステリック液晶相とする工程である。
　本発明の液晶組成物の液晶相転移温度は、製造適性の面から１０～２５０℃の範囲内が好ましく、１０～１５０℃の範囲内がより好ましい。
　加熱温度としては、４０～１００℃が好ましく、６０～１００℃がより好ましい。また、加熱時間としては、０．５～５分間が好ましく、０．５～２分間がより好ましい。
　なお、組成物層を加熱する際には、液晶化合物が等方相（Ｉｓｏ）となる温度まで加熱しないことが好ましい。液晶化合物が等方相となる温度以上に組成物層を加熱してしまうと、コレステリック液晶相の欠陥が増加してしまい、好ましくない。

＜工程３＞
　工程３は、組成物層の少なくとも一部の領域に光を照射することにより、光照射領域において、組成物層に含まれるキラル剤Ｂの螺旋誘起力を増加させ、螺旋ピッチを縮小させる工程である。
　なお、光照射領域は、組成物層の全領域であっても、一部の領域であってもよい。光照射領域が一部の領域である場合、面内に互いに螺旋ピッチが異なる領域（言い換えると、選択反射波長が異なる領域）を有するコレステリック液晶層を形成できる。また、光照射領域の中でも、照射光量を調整することにより、更に螺旋ピッチが異なる領域を形成できる。

　なお、工程３における光照射の照射強度は特に制限されないが、一般的には、０．１～２００ｍＷ／ｃｍ²程度が好ましい。また、光を照射する時間は特に制限されないが、得られる層の充分な強度及び生産性の双方の観点から適宜決定すればよい。
　また、光照射時における組成物層の温度は、例えば、０～１００℃が好ましく、１０～６０℃がより好ましい。

　なお、光照射に使用される光は、キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増加させる活性光線又は放射線であれば特に制限されず、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、紫外線、及び電子線（ＥＢ）等を意味する。なかでも、紫外線が好ましい。

　なお、工程３の実施後に、更に工程３を経たコレステリック液晶層を加熱する工程を有するのも好ましい。工程３の後に加熱処理を行うことで、液晶化合物がより均一なコレステリック配向状態を形成し易い。
　なお、加熱処理条件は、上述した工程２と同様であり、好適態様も同様である。

＜硬化処理＞
　なお、液晶化合物が重合性基を有する場合、組成物層に対して硬化処理を実施することが好ましい。組成物層に対して硬化処理を実施する手順としては、第１実施形態のコレステリック液晶層の製造方法と同様である。

〔用途〕
　コレステリック液晶層は、所定の波長域の光に対して選択反射特性を示す層である。コレステリック液晶層は選択反射波長域において、右円偏光及び左円偏光のいずれか一方を選択的に反射させ、他方のセンスの円偏光を透過させる円偏光選択反射層として機能する。コレステリック液晶層を１層又は２層以上含むフィルムは、様々な用途に用いることができる。コレステリック液晶層を２層以上含むフィルムにおいて、各コレステリック液晶層が反射する円偏光のセンスは用途に応じて同じでも逆であってもよい。また、各コレステリック液晶層の後述の選択反射の中心波長も用途に応じて同じでも異なっていてもよい。

　なお、本明細書において、円偏光につき「センス」というときは、右円偏光であるか、又は左円偏光であるかを意味する。円偏光のセンスは、光が手前に向かって進んでくるように眺めた場合に電場ベクトルの先端が時間の増加に従って時計回りに回る場合が右円偏光であり、反時計回りに回る場合が左円偏光であるとして定義される。本明細書においては、コレステリック液晶の螺旋の捩れ方向について「センス」との用語を用いることもある。コレステリック液晶による選択反射は、コレステリック液晶の螺旋の捩れ方向（センス）が右の場合は右円偏光を反射し、左円偏光を透過し、センスが左の場合は左円偏光を反射し、右円偏光を透過する。

　例えば、可視光波長域（波長４００～７５０ｎｍ）に選択反射特性を示すコレステリック液晶層を含むフィルムは、投映像表示用のスクリーン及びハーフミラーとして利用できる。また、反射波長帯域を制御することで、カラーフィルター又はディスプレイの表示光の色純度を向上させるフィルタ（例えば特開２００３－２９４９４８号公報参照）として利用できる。
　また、上記コレステリック液晶層は、光学素子の構成要素である、偏光素子、反射膜（反射層）、反射防止膜、視野角補償膜、ホログラフィー、セキュリティ、センサー、実像投影用ミラー（フロントプロジェクション、リアプロジェクション）、虚像投影用ミラー、加飾シート、遮熱シート、遮光シート、及び、配向膜等、種々の用途に利用できる。
　また、上記コレステリック液晶層を位相差板や偏光板を組み合わせることで、直線偏光反射部材として用いることもできる。
　以下特に好ましい用途である投映像表示用部材としての用途について説明する。

　コレステリック液晶層の上記の機能により、投射光のうち選択反射を示す波長において、いずれか一方のセンスの円偏光を反射させて、投映像を形成できる。投映像は投映像表示用部材表面で表示され、そのように視認されるものであってもよく、観察者から見て投映像表示用部材の先に浮かび上がって見える虚像であってもよい。

　上記選択反射の中心波長λは、コレステリック液晶相における螺旋構造のピッチＰ（＝螺旋の周期）に依存し、コレステリック液晶層の平均屈折率ｎとλ＝ｎ×Ｐの関係に従う。なお、ここで、コレステリック液晶層が有する選択反射の中心波長λは、コレステリック液晶層の法線方向から測定した円偏光反射スペクトルの反射ピークの重心位置にある波長を意味する。上記式から分かるように、螺旋構造のピッチを調節することによって、選択反射の中心波長を調節できる。コレステリック液晶相のピッチはキラル剤の種類、又はその添加濃度に依存するため、これらを調節することによって所望のピッチを得ることができる。なお、螺旋のセンス及びピッチの測定法については「液晶化学実験入門」日本液晶学会編　シグマ出版２００７年出版、４６頁、及び、「液晶便覧」液晶便覧編集委員会　丸善　１９６頁に記載の方法を用いることができる。

　また、赤色光波長域、緑色光波長域、及び青色光波長域にそれぞれ見かけ上の選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層をそれぞれ作製し、それらを積層することによりフルカラーの投映像の表示が可能である投映像表示用部材を作製できる。

　各コレステリック液晶層の選択反射の中心波長を、投映に用いられる光源の発光波長域、及び投映像表示用部材の使用態様に応じて調節することにより、光利用効率良く鮮明な投映像を表示できる。特にコレステリック液晶層の選択反射の中心波長をそれぞれ投映に用いられる光源の発光波長域等に応じてそれぞれ調節することにより、光利用効率良く鮮明なカラー投映像を表示できる。

　また、例えば、上記投映像表示用部材を可視光領域の光に対して透過性を有する構成とすることによりヘッドアップディスプレイのコンバイナとして使用可能なハーフミラーとすることができる。投映像表示用ハーフミラーは、プロジェクターから投映された画像を視認可能に表示できるとともに、画像が表示されている同じ面側から投映像表示用ハーフミラーを観察したときに、反対の面側にある情報又は風景を同時に観察できる。

　発明の液晶組成物を硬化してなる硬化物は、色剤、及びセンサー等の種々の用途に適用できる。

　また、本発明の液晶組成物によれば、光学異方体を形成できる。なお、光学異方体とは、光学異方性を有する物質を意図する。
　また、本発明のコレステリック液晶層は、光学異方体として種々の用途に適用できる。

［キラル剤及びその性能評価］
　以下において、まず、キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂについて説明する。

〔キラル剤Ａ〕
　以下に、表９～表１１に示されるキラル剤Ａ（Ａ－１～Ａ－５）の各構造を示す。
　キラル剤Ａ－１～Ａ－５は、合成したものを使用した。なお、キラル剤Ａ－１～Ａ－５は、エステル化等の一般的な合成手法により合成した。

〔キラル剤Ｂ〕
　以下に、表９～表１１に示されるキラル剤Ｂ（Ｂ－１～Ｂ－９）の各構造を示す。
　キラル剤Ｂ－１～Ｂ－９は、合成したものを使用した。なお、キラル剤Ｂ－１～Ｂ－６、及びＢ－８～Ｂ－９は、後述するキラル剤Ｂ－１の合成方法（合成例１）に準じて合成した。キラル剤Ｂ－７は、エーテル化及びエステル化等の一般的な合成手法により合成した。
　なお、キラル剤Ｂ－１～Ｂ－９は、何れも温度依存性が略観察されず、温度変化によるＨＴＰ増加は見られなかった。

〔合成例１（化合物Ｂ－１の合成）〕

＜中間体１の合成＞
　（Ｒ）－ビナフトール（関東化学製）６５．０ｇ、及び酢酸ブチル（富士フイルム和光純薬製）５００ｍＬを２Ｌ三口フラスコに入れた後、０℃にて臭素（富士フイルム和光純薬製）１００ｇを滴下し５時間撹拌した。続いて、得られた反応液を、亜硫酸水素ナトリウム水（亜硫酸水素ナトリウム（富士フイルム和光純薬製）２１．７ｇ、水２９０ｍＬ）、水３２５ｍＬ、及び炭酸水素ナトリウム水（炭酸水素ナトリウム（富士フイルム和光純薬製）１３．０ｇ、水３００ｍＬ）の順で洗浄した。洗浄後の溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去し、三口フラスコに移した。
　続いて、上記三口フラスコ内に、ＤＭＦ（N,N-dimethylformamide、富士フイルム和光純薬製）８０．２ｇ、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬製）７８．０ｇ、酢酸ブチル（富士フイルム和光純薬製）７５．０ｇ、及びジブロモメタン（富士フイルム和光純薬製）４３．５ｇを加え、９０℃で４時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却した後、固体をろ別した。固体をろ別した後の溶液に、酢酸エチル（富士フイルム和光純薬製）１７０ｍＬ、及びメタノール（富士フイルム和光純薬製）５５０ｍＬを加えて、生じた固体をろ取した。次いで、得られた固体を、４０℃で１２時間送風乾燥し、中間体１を得た（６６．０ｇ、収率：７５％）。

＜中間体２の合成＞
　中間体１２０．０ｇ、エチニルアニソール（東京化成製）１７．４ｇ、ヨウ化銅（富士フイルム和光純薬製）０．０８ｇ、トリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（東京化成製）０．２２ｇ、トリエチルアミン（富士フイルム和光純薬製）１２０ｍＬ、及びピリジン（富士フイルム和光純薬製）４０ｍＬを５００ｍＬ三口フラスコに入れ、９０℃にて３時間撹拌した。続いて、得られた反応液を０°に冷却した後、メタノール（和光純薬製）４００ｍＬを添加し、生じた固体をろ取した。次いで、得られた固体を、４０℃で１２時間送風乾燥し、中間体２を得た（２２．０ｇ、収率：９０％）。

＜化合物Ｂ－１の合成＞
　中間体２２０．０ｇ、リンドラー触媒（東京化成製）１０．０ｇ、キノリン（富士フイルム和光純薬製）９．２ｇ、及び１，４－ジオキサン（富士フイルム和光純薬製）１００ｍＬを３００ｍＬ三口フラスコに入れ、水素置換し８０℃にて６時間撹拌した。セライトろ過にて固体をろ別し、得られた溶液をカラムクロマトグラフィーにて精製後、４０℃で１２時間送風乾燥し、化合物Ｂ－１を得た（１８．０ｇ、収率：９０％）。

〔キラル剤Ａ及びキラル剤Ｂの光照射前後の螺旋誘起力（ＨＴＰ）及び光照射前後の螺旋センスの評価＞
　以下の方法により、キラル剤Ａ－１～Ａ－５及びキラル剤Ｂ－１～Ｂ－９の光照射前後の螺旋誘起力（ＨＴＰ）、並びに、光照射前後の螺旋センスを評価した。
　以下において、キラル剤Ａ－１を一例に挙げて、光照射前後の螺旋誘起力（ＨＴＰ）、及び光照射前後の螺旋センスの評価方法について説明する。なお、これらの評価に際しては、後述する液晶化合物ＬＣ－１を用いた。

＜試料溶液の調製＞
　下記構造で表される液晶化合物ＬＣ－１とキラル剤Ａ－１を混合した後、得られた混合物に溶剤を加えることにより、下記組成の試料溶液を調製した。
・下記構造で表される液晶化合物ＬＣ－１　　　　　　　　１００質量部
・キラル剤Ａ－１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５質量部
・溶剤（ＭＥＫ（メチルエチルケトン）／シクロヘキサノン＝９０／１０（質量比））
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　溶質濃度が３０質量％となる量

＜液晶層１－１の作製＞
　次に、洗浄したガラス基板上にポリイミド配向膜形成用組成物ＳＥ－１３０（日産化学社製）を塗布して塗膜を形成した。得られた塗膜を焼成した後、ラビング処理することにより、配向膜付き基板を作製した。この配向膜のラビング処理面に、３０μＬの上記試料溶液を回転数１０００ｒｐｍ、１０秒間の条件でスピンコートし、９０℃で１分間熟成することにより、液晶層を形成した。

＜ＨＴＰの算出＞
≪光照射前のＨＴＰの評価≫
　得られた液晶層について、螺旋誘起力（ＨＴＰ）を測定した。具体的には、上記液晶層の中心反射波長を、分光光度計（島津社製、ＵＶ－３１００）を用いて測定し、下記式（１Ｂ）により光照射前のＨＴＰを算出した。
　式（１Ｂ）：ＨＴＰ＝（液晶化合物の平均屈折率）／｛（液晶化合物に対するキラル剤の含有量（質量％））×（中心反射波長（ｎｍ））｝［μｍ^-1］
　なお、式（１Ｂ）中、「液晶化合物の平均屈折率」は、１．５５であると仮定して計算した。

≪光照射後のＨＴＰの評価≫
　次に、上記液晶層に対して水銀ランプ光を３１５ｎｍバンドパスフィルターを介して３０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で３．３秒間紫外線を照射した。照射後の液晶層の中心反射波長を、分光光度計（島津社製、ＵＶ－３１００）を用いて測定し、上記式（１Ｂ）により光照射後のＨＴＰを算出した。

＜光照射前後の螺旋センスの確認＞
　上記光照射前後における中心反射波長の各測定において、サンプルと光源の間に円偏光板を挟んで測定を行った。反射ピークの有無から、光照射前後におけるコレステリック液晶相の螺旋センスを確認した。

　キラル剤Ａ－２～Ａ－５及びキラル剤Ｂ－１～Ｂ－９についても、上述したキラル剤Ａ－１と同様の方法により、光照射前後の螺旋誘起力（ＨＴＰ）及び光照射前後の螺旋センスを評価した。結果を表９に示す。
　例えば、キラル剤Ａ－１は、光照射により螺旋誘起力（ＨＴＰ）が減少している。また、キラル剤Ｂ－１は、キラル剤Ａ－１と逆の螺旋を誘起し、且つ光照射により螺旋誘起力（ＨＴＰ）が増加している。

［液晶組成物の調製及びその評価］
〔実施例１〕
＜液晶組成物の調製＞
　上述した液晶化合物ＬＣ－１、キラル剤Ａ－１、及びキラル剤Ｂ－１を混合した後、得られた混合物に溶剤を加えることにより、下記組成の試料溶液を調製した。
・液晶化合物ＬＣ－１　　　　　　　　　　　　　　　　　１００質量部
・キラル剤Ａ－１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．５質量部
・キラル剤Ｂ－１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６．５質量部
・下記フッ素系界面活性剤　　　　　　　　　　　　　　　０．１質量部
・重合開始剤（Ｉｒｇ－９０７（ＢＡＳＦ製））　　　　　３．０質量部
・溶剤（ＭＥＫ／シクロヘキサノン＝９０／１０（質量比））
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　溶質濃度が３０質量％となる量

＜コレステリック液晶層の作製＞
　次に、洗浄したガラス基板上にポリイミド配向膜形成用組成物ＳＥ－１３０（日産化学社製）を塗布して塗膜を形成した。得られた塗膜を焼成した後、ラビング処理することにより、配向膜付き基板を作製した。この配向膜のラビング処理面に、上記液晶組成物３０μＬを回転数１０００ｒｐｍ、１０秒間の条件でスピンコートすることにより、組成物層を形成し、９０℃で１分間乾燥（熟成）して液晶化合物を配向させた。このとき、液晶相は螺旋を誘起していないネマチック液晶相であることを偏光顕微鏡像より確認した（したがって、本液晶組成物中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力は０．０μｍ^-1である）。
　次に、液晶化合物を配向させた組成物層に対して、光源（ＵＶＰ社製、２ＵＶ・トランスイルミネーター）より３１５ｎｍ光を３０ｍＷ／ｃｍ²の照射強度で３．３秒間紫外線を照射した。続いて、９０℃で１分間熟成して液晶化合物の配向を調整した後、上記紫外線照射後の組成物層に対して、２５℃、窒素雰囲気下で５００ｍＪ/ｃｍ²の照射量で紫外線（水銀ランプ）を照射することにより硬化処理を実施し、コレステリック液晶相が固定化されたコレステリック液晶層１を得た。得られたコレステリック液晶層１の中心反射波長を、分光光度計（島津社製、ＵＶ－３１００）を用いて測定し、上述した式（１Ｂ）に従い加重平均螺旋誘起力を算出した。

＜断面ＳＥＭ観察＞
　コレステリック液晶層１を、配向膜のラビング方向と平行に割断した（コレステリック液晶層１を、コレステリック液晶層の主面に対して垂直に割断した）。この断面ＳＥＭ観察（断面ＳＥＭ写真）によって、コレステリック液晶相に由来する明部及び暗部の配列方向が、コレステリック液晶層１の主面の法線に対して１８°傾斜していることを確認した。

＜拡散反射性の評価＞
　透過率測定より、コレステリック液晶層１の中心反射波長は３８０ｎｍであることが分かった。日本分光製ＡＲＭＮ－７３５を用いて、コレステリック液晶層１の法線から１０°傾けた方向から３８０ｎｍ光を入射したときの、積分反射率及び正反射率（－１０°方向への反射率）を測定した。

　下記式より、拡散反射率を求め、下記評価基準により評価を実施した。なお、実用上の観点からは、「Ａ」評価以上が好ましい。
（拡散反射率）＝〈（積分反射率）－（正反射率）〉／（積分反射率）×１００[％]

　以下の指標により、拡散反射性を評価した。
　「Ａ」：拡散反射率が８０％以上である。
　「Ｂ」：拡散反射率が２０％以上８０％未満である。
　「Ｃ」：拡散反射率が２０％未満である。

＜高回折性評価＞
　日本分光製ＡＲＭＮ－７３５を用いて、コレステリック液晶層１の法線から３８０ｎｍ光を入射したときの、最大反射率を示す検出角を測定した。
　以下の指標により、回折角を評価した。最大反射率を示す検出角が高いほど、コレステリック液晶層の法線と反射光とのなす角度が大きく、高回折性である。
　「Ａ」：最大反射率を示す検出角が４０°以上である
　「Ｂ」：最大反射率を示す検出角が２５°以上４０°未満である
　「Ｃ」：最大反射率を示す検出角が２５°未満である

〔実施例２～１５、比較例１～５〕
　上述した＜試料溶液組成＞を表１０及び表１１に示す配合に変更した以外は、実施例１と同様の手法にて、コレステリック液晶相が固定化されたコレステリック液晶層を得た。
　なお、実施例１３～１５では、実施例１とは異なり、９０℃で１分間乾燥（熟成）して液晶化合物を配向させた際にネマチック液晶相を示さず、コレステリック液晶相を示した。
　各コレステリック液晶層の断面ＳＥＭ測定にて観察される明暗線の形状、拡散反射性評価、及び高回折性評価を表１０及び表１１に示す。なお、測定に用いる入射光の波長は、それぞれの液晶層の中心反射波長を用いた。

　以下に、表１０及び表１１を示す。
　表１０及び表１１中の「螺旋センスの関係」とは、キラル剤Ａとキラル剤Ｂの各キラル剤が誘起する螺旋の方向の関係を示す。「螺旋センスの関係」欄において、両者の螺旋方向が同一である場合には「同」として示し、両者の螺旋方向が逆向きである場合には「逆」として示す。
　表１０及び表１１中、「キラル剤Ｂ又は比較用キラル剤Ａ」欄において、比較例１及び比較例２が、比較用キラル剤Ａを使用する場合に該当する。実施例１～１２が、キラル剤Ｂを使用する場合に該当する。
　表１０及び表１１中、「キラル剤Ａの露光時の螺旋誘起力」欄において、キラル剤Ａが光照射により螺旋誘起力が減少する場合には「減少」として示し、キラル剤Ａが光照射によっても螺旋誘起力が変化しない場合には「一定」として示す。なお、ここでいう「キラル剤Ａ」には、「比較用キラル剤Ａ」は含まれない。
　表１０及び表１１中、「断面ＳＥＭ像」欄における傾斜角度とは、コレステリック液晶層１の主面法線方向に対する、コレステリック液晶相に由来する明部および暗部の配列方向の傾斜角度を表す。

　表１０の結果から、実施例の液晶組成物によれば、露光後の螺旋誘起力（ＨＴＰ）、及び露光による螺旋誘起力（ＨＴＰ）の増加量が大きく、拡散反射性に優れたコレステリック液晶層が得られた。また、表１０の拡散反射性と回折角の評価結果から、実施例の液晶組成物によれば、高回折反射性に優れたコレステリック液晶層を形成できることが確認された。
　表１０の対比から、液晶組成物の露光後の加重平均螺旋誘起力が３０．０μｍ^-1以上の場合、回折角がより大きい（つまり、高回折性反射に優れる）コレステリック液晶層を形成できることが確認された。また、液晶組成物の露光前の加重平均螺旋誘起力が１．０μｍ^-1以下の場合、回折角がより大きい（つまり、高回折性反射に優れる）コレステリック液晶層を形成できることが確認された。

　表１１の結果から、実施例の液晶組成物によれば、露光による螺旋誘起力（ＨＴＰ）の増加量が大きく、拡散反射性に優れたコレステリック液晶層が得られた。また、表１０の拡散反射性と回折角の評価結果から、実施例の液晶組成物によれば、反射指向性が抑制された（言い換えると、無指向的な）拡散反射性に優れたコレステリック液晶層を形成できることが確認された。また、表１１の対比から、実施例の液晶組成物は、比較例５（キラル剤Ｂを含まない）の液晶組成物に比べ、露光後の螺旋誘起力（ＨＴＰ）、及び露光による螺旋誘起力（ＨＴＰ）の増加比が大きく、ＳＥＭ画像により観測されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部の波構造における振幅がより大きく、より優れた無指向的な拡散反射性が得られることが確認された。

　Ｐ　配列方向
　Ｑ　法線
　１０、２０　コレステリック液晶層
　１０ａ、２０ａ　コレステリック液晶層の主面
　１２、２２　明部
　１４、２４　暗部

Claims

　液晶化合物と、
　キラル剤Ａと、
　光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤Ｂと、を含み、
　前記キラル剤Ａは、前記キラル剤Ｂとは逆方向の螺旋を誘起するキラル剤である、液晶組成物。
　前記キラル剤Ａが、光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤である、請求項１に記載の液晶組成物。
　前記液晶化合物を配向させて液晶相の状態としたときに、ネマチック配向する、請求項１又は２に記載の液晶組成物。
　前記液晶組成物中の光照射前のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が０．０～１．５μｍ^-1である、請求項１～３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
　前記液晶化合物を配向させて液晶相の状態としたときに、前記キラル剤Ｂが誘起する螺旋の方向にコレステリック配向する、請求項１又は２に記載の液晶組成物。
　下記式（１Ｄ）の関係を満たし、
　下記式（１Ｄ）中の前記キラル剤Ａの螺旋誘起力及び前記キラル剤Ｂの螺旋誘起力の各単位は、μｍ^－１であり、下記式（１Ｄ）中の前記液晶化合物に対する前記キラル剤Ａの含有量及び前記液晶化合物に対する前記キラル剤Ｂの含有量の各単位は、質量％である、請求項５に記載の液晶組成物。
　式（１Ｄ）：前記キラル剤Ａの螺旋誘起力×前記液晶化合物に対する前記キラル剤Ａの含有量＜前記キラル剤Ｂの螺旋誘起力×前記液晶化合物に対する前記キラル剤Ｂの含有量
　前記液晶化合物が、少なくとも１個以上の重合性基を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の液晶組成物。
　前記キラル剤Ａ及び前記キラル剤Ｂの少なくとも一方が、ビナフチル部分構造、イソソルビド部分構造、及びイソマンニド部分構造のいずれかの部分構造を有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
　前記キラル剤Ａ及び前記キラル剤Ｂの少なくとも一方が、光異性化可能な二重結合を有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
　前記キラル剤Ｂが、下記一般式（１）で表される化合物である、請求項１～９のいずれか１項に記載の液晶組成物。

　一般式（１）中、実線と破線が平行している部分は、一重結合、又は二重結合を表す。Ｒ¹～Ｒ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の置換基を表す。但し、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つは、下記一般式（２）で表される１価の置換基を表す。Ｒ¹とＲ²とは、互いに結合して環構造を形成してもよい。

　一般式（２）中、Ａは、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の炭化水素環基、又は、置換基を有していてもよい、環員数５～１０の芳香族若しくは脂肪族の複素環基を表す。Ｚ¹及びＺ²は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表す。ｍは、０～５の整数を表す。Ｒは、水素原子又は１価の置換基を表す。＊は、結合位置を表す。なお、一般式（２）中、ｍが２以上の整数である場合、複数存在するＺ¹同士、及び複数存在するＡ同士は、各々同一であっても異なっていてもよい。
　請求項１～１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いて形成された、コレステリック液晶層。
　前記コレステリック液晶層の主面に垂直な断面において走査型電子顕微鏡にて観察されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部の配列方向が、前記コレステリック液晶層の主面の法線に対して傾斜している、請求項１１に記載のコレステリック液晶層。
　前記コレステリック液晶層の主面に垂直な断面において走査型電子顕微鏡にて観察されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部が波状である、請求項１１に記載のコレステリック液晶層。
　請求項１～１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を硬化してなる、硬化物。
　請求項１～１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いて形成された、光学異方体。
　請求項１１～１３のいずれか１項に記載のコレステリック液晶層からなる、光学異方体。
　請求項１～１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いて組成物層を形成する工程１と、
　前記組成物層に含まれる前記液晶化合物を配向させて液晶相とする工程２と、
　前記組成物層の少なくとも一部の領域に光照射することにより、光照射領域において、前記キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させる工程３と、を有する、コレステリック液晶層の製造方法。
　前記工程２は、前記組成物層に含まれる前記液晶化合物を配向させてネマチック液晶相とする工程であり、
　前記工程３は、光照射領域において、前記キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させることにより前記液晶化合物の配向状態をコレステリック液晶相とする工程であって、
　前記工程１～３を経て得られるコレステリック液晶層は、その主面に垂直な断面において走査型電子顕微鏡にて観察されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部の配列方向が、コレステリック液晶層の主面の法線に対して傾斜している、請求項１７に記載のコレステリック液晶層の製造方法。
　前記工程２は、前記組成物層に含まれる前記液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相とする工程であり、
　前記工程３は、光照射領域において、前記キラル剤Ｂの螺旋誘起力を増大させることにより前記コレステリック液晶相の螺旋ピッチを縮小させる工程であって、
　前記工程１～３を経て得られるコレステリック液晶層は、その主面に垂直な断面において走査型電子顕微鏡にて観察されるコレステリック液晶相由来の明部及び暗部が波状である、請求項１７に記載のコレステリック液晶層の製造方法。