JPWO2020162177A1 - 被認証物、認証システム、及び認証用媒体の生成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低コストで容易かつ正確に認証を行う。【解決手段】認証システムによる認証の対象となる被認証物Ｃ１であって、相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に形成された相分離構造の一部のパターンに関する特徴を含み、前記認証システムに備える取得装置により取得される認証情報を有する認証用媒体Ｍ１を備える。

Description

本発明は、被認証物、認証システム、及び認証用媒体の生成方法に関する。

被認証物である正規品と、模倣品等の非正規品とを判別するため、被認証物に認証用の認証用媒体を備えさせ、この認証用媒体を用いて被認証物の認証を行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、正規品にＰＵＦ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｕｎｃｌｏｎａｂｌｅ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）回路を設けて、ＰＵＦ回路からの出力データを検出することで認証を行っている。

特開２０１５−１０３０４８号公報

特許文献１の認証技術では、例えばＰＵＦ回路の一部が物理的に損傷される等、ＰＵＦ回路の物理的性質が変化した場合、所期の値とは異なる出力データが出力される可能性がある。このような場合には、正確な認証が困難となってしまう。また、被認証物ごとにＰＵＦ回路を作成したのでは手間がかかり、コストの増加を招くことになる。

本発明は、低コストで容易かつ正確に認証を行うことが可能な被認証物、認証システム、及び認証用媒体の生成方法を提供することを目的とする。

本発明の第１態様では、認証システムによる認証の対象となる被認証物であって、相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に形成された相分離構造の一部のパターンに関する特徴を含み、前記認証システムに備える取得装置により取得される認証情報を有する認証用媒体を備える。

本発明の第２態様では、第１態様に係る被認証物を認証するシステムであって、前記被認証物に備える前記認証用媒体から前記認証情報を取得する取得装置と、予め登録されている認証データに基づいて、前記取得装置が取得した前記認証情報の認証を行う認証サーバと、を含む。

本発明の第３態様では、認証システムにより認証される認証情報を有する認証用媒体の生成方法であって、相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に相分離構造を形成することと、前記相分離構造の一部のパターンにおける画像を取得することと、前記画像を用いて前記認証情報を生成することと、を含む。

本発明の態様によれば、低コストで容易かつ正確に被認証物の認証を行うことができ、正規品と非正規品とを容易に判別することができる。

本実施形態に係る被認証物の一例を示す斜視図である。 認証用媒体の生成方法の一例を示すフローチャートである。 （Ａ）〜（Ｃ）は、認証用媒体の生成方法の一例を示す図である。 （Ｄ）及び（Ｅ）は、図３に続き、認証用媒体の生成方法の一例を示す図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、被認証物の他の例を示す図である。 認証用媒体の他の例を示す図である。 本実施形態に係る認証システムの一例を示す図である。 認証システムにおける処理の一例を示すフローチャートである。 本実施形態に係る認証システムの他の例を示す図である。 認証データ生成装置の構成の一例を示すブロック図である。 認証データ管理サーバの構成の一例を示すブロック図である。 認証データ格納部に格納される情報の一例をテーブル形式で示す図である。 認証サーバの構成の一例を示すブロック図である。 対象情報格納部に格納される情報の一例をテーブル形式で示す図である。 ユーザ端末の構成の一例を示すブロック図である。 走査型電子顕微鏡、認証データ生成装置及び認証データ管理サーバの動作シーケンスの一例を示す図である。 認証データ管理サーバ及び認証サーバの動作シーケンスの一例を示す図である。 認証サーバ及びユーザ端末の動作シーケンスの一例を示す図である。

以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施形態に限定されない。また、図面においては実施形態を説明するため、一部分を大きく又は強調して記載する等、適宜縮尺を変更して表現している。

［被認証物］
図１は、本実施形態に係る被認証物の一例を示す斜視図である。図１に示す例では、被認証物Ｃ１として、カードを例に挙げて説明する。被認証物Ｃ１は、後述する認証システムによる認証の対象となる対象物である。被認証物Ｃ１は、認証情報を有する認証用媒体Ｍ１を備える。認証用媒体Ｍ１は、相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に形成された相分離構造の一部の画像を含む表示体Ｐである。表示体Ｐは、この相分離構造の一部のパターンに関する特徴を含む。

表示体Ｐは、例えば、相分離構造の一部の画像を印刷して用いられる。表示体Ｐに用いられる画像は、相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に形成された相分離構造の一部の画像である。この画像は、基板上の相分離構造のうち、例えば、縦横０．５μｍ×０．５μｍから１０μｍ×１０μｍの範囲で切り取られた画像である。表示体Ｐは、後述する認証システムに備える取得装置１０により読み取られる。本実施形態では、基板上の相分離構造のうち縦横１μｍ×１μｍの画像である。

図１では、表示体Ｐを拡大して示している。相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に形成された相分離構造は、例えば、人間の指紋のように、同一のパターンが存在しない。従って、このような相分離構造のパターンの一部を認証用媒体Ｍ１として認証に用いることにより、指紋認証と同様に、セキュリティ性の高い認証を行うことが可能となる。

本実施形態において、表示体Ｐは、被認証物Ｃ１に上記した画像の印刷物が貼付された形態であるが、カード状の被認証物Ｃ１に直接印刷された形態、又は刻印された形態等であってもよい。なお、表示体Ｐは、例えばホログラムであってもよい。また、表示体Ｐの寸法は、被認証物Ｃ１の寸法に応じて適宜調整することができる。カード状の被認証物Ｃ１は、例えば、被認証物Ｃ１の所有者におけるＩＤを示すものとして用いられてもよい。なお、被認証物Ｃ１の表示体Ｐが付される場合、この被認証物Ｃ１自体が認証用媒体であってもよい。また、表示体Ｐは、シール体に印刷されて、被認証物Ｃ１に対して貼り付け可能な形態であってもよい。すなわち、認証用媒体Ｍ１は、被認証物Ｃ１と別体であってもよい。認証用媒体Ｍ１である表示体Ｐ（画像）は、相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に形成された相分離構造の一部である。以下、相分離構造について説明する。

［相分離構造形成用樹脂組成物］
上記の相分離構造形成用樹脂組成物は、親水性ブロック及び疎水性ブロックが結合したブロックコポリマーと、有機溶剤を含む溶剤成分と、を含有する。

＜ブロックコポリマー＞
ブロックコポリマーは、複数種類のブロック（同種の構成単位が繰り返し結合した部分構成成分）が結合した高分子である。ブロックコポリマーを構成するブロックは、２種類であってもよく、３種類以上であってもよい。本実施形態におけるブロックコポリマーは、親水性ブロック及び疎水性ブロックが結合した形態である。

親水性ブロックは、ブロックコポリマーを構成する複数のブロックのうち、他のブロックと比較して、水との親和性が相対的に高いブロックである。親水性ブロックを構成するポリマー（ｐ１）は、他のブロックを構成するポリマー（ｐ２）と比較して、水との親和性が相対的に高い構成単位からなる。

疎水性ブロックは、ブロックコポリマーを構成する複数のブロックのうち、親水性ブロック以外のブロックである。疎水性ブロックを構成するポリマー（ｐ２）は、ポリマー（ｐ１）と比較して、水との親和性が相対的に低い構成単位からなる。

ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックは、相分離が起こる組み合わせであれば特に限定されないが、互いに非相溶であるブロックどうしの組み合わせであることが好ましい。また、ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロック中の少なくとも１種類のブロックからなる相が、他の種類のブロックからなる相よりも、容易に選択的に除去可能な組み合わせであってもよい。

また、ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロック中の少なくとも１種類のブロックからなる相が、他の種類のブロックからなる相よりも、容易に選択的に除去可能な組み合わせであってもよい。容易に選択的に除去可能な組み合わせとしては、エッチング選択比が１よりも大きい、１種又は２種以上のブロックが結合したブロックコポリマーが挙げられる。

ブロックコポリマーとしては、例えば、芳香族基を有する構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックと、が結合したブロックコポリマー；芳香族基を有する構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロックと、が結合したブロックコポリマー；芳香族基を有する構成単位のブロックと、シロキサン又はその誘導体から誘導される構成単位のブロックと、が結合したブロックコポリマー；アルキレンオキシドから誘導される構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックと、が結合したブロックコポリマー；アルキレンオキシドから誘導される構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロックと、が結合したブロックコポリマー；シルセスキオキサン構造含有構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックと、が結合したブロックコポリマー；シルセスキオキサン構造含有構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロックと、が結合したブロックコポリマー；シルセスキオキサン構造含有構成単位のブロックと、シロキサン又はその誘導体から誘導される構成単位のブロックと、が結合したブロックコポリマー等が挙げられる。

芳香族基を有する構成単位としては、フェニル基、ナフチル基等の芳香族基を有する構成単位が挙げられる。中でも、スチレン又はその誘導体から誘導される構成単位が好ましい。

スチレン又はその誘導体としては、例えば、α−メチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、４−ｎ−オクチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、４−メトキシスチレン、４−ｔ−ブトキシスチレン、４−ヒドロキシスチレン、４−ニトロスチレン、３−ニトロスチレン、４−クロロスチレン、４−フルオロスチレン、４−アセトキシビニルスチレン、４−ビニルベンジルクロリド、１−ビニルナフタレン、４−ビニルビフェニル、１−ビニル−２−ピロリドン、９−ビニルアントラセン、ビニルピリジン等が挙げられる。

（α置換）アクリル酸は、アクリル酸、又は、アクリル酸におけるα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されているもの、の一方又は両方を意味する。該置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基等が挙げられる。（α置換）アクリル酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。（α置換）アクリル酸エステルは、アクリル酸エステル、又は、アクリル酸エステルにおけるα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されているもの、の一方又は両方を意味する。該置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基等が挙げられる。

（α置換）アクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、アクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸アントラセン、アクリル酸グリシジル、アクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルメタン、アクリル酸プロピルトリメトキシシラン等のアクリル酸エステル；メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸ノニル、メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸アントラセン、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルメタン、メタクリル酸プロピルトリメトキシシラン等のメタクリル酸エステルなどが挙げられる。

これらの中でも、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｔ−ブチルが好ましい。シロキサン又はその誘導体としては、例えば、ジメチルシロキサン、ジエチルシロキサン、ジフェニルシロキサン、メチルフェニルシロキサン等が挙げられる。アルキレンオキシドとしては、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、イソプロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。シルセスキオキサン構造含有構成単位としては、かご型シルセスキオキサン構造含有構成単位が好ましい。かご型シルセスキオキサン構造含有構成単位を提供するモノマーとしては、かご型シルセスキオキサン構造と重合性基とを有する化合物が挙げられる。

上記の中でも、ブロックコポリマーとしては、芳香族基を有する構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸又は（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックと、を含むものが好ましい。中でも、スチレンから誘導される構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸又は（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックと、を含むものがより好ましい。また、ブロックコポリマーにおいて、（α置換）アクリル酸又は（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックが親水性ブロックであり、スチレンから誘導される構成単位のブロックが疎水性ブロックである。また、ブロックコポリマーにおいて、親水性ブロックを構成するポリマー（ｐ１）は、（α置換）アクリル酸ポリマー又は（α置換）アクリル酸エステルポリマーである。

基板表面に対して垂直方向に配向したシリンダー状の相分離構造を得る場合は、芳香族基を有する構成単位と、（α置換）アクリル酸又は（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位と、の質量比は、６０：４０〜９０：１０であることが好ましく、６０：４０〜８０：２０であることがより好ましい。

また、基板表面に対して垂直方向に配向したラメラ状の相分離構造を得る場合は、芳香族基を有する構成単位と、（α置換）アクリル酸又は（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位と、の質量比は、３５：６５〜６０：４０であることが好ましく、４０：６０〜６０：４０であることがより好ましい。

かかるブロックコポリマーとして、具体的には、スチレンから誘導される構成単位のブロックとアクリル酸から誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー、スチレンから誘導される構成単位のブロックとアクリル酸メチルから誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー、スチレンから誘導される構成単位のブロックとアクリル酸エチルから誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー、スチレンから誘導される構成単位のブロックとアクリル酸ｔ−ブチルから誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー、スチレンから誘導される構成単位のブロックとメタクリル酸から誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー、スチレンから誘導される構成単位のブロックとメタクリル酸メチルから誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー、スチレンから誘導される構成単位のブロックとメタクリル酸エチルから誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー、スチレンから誘導される構成単位のブロックとメタクリル酸ｔ−ブチルから誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー、かご型シルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）構造含有構成単位のブロックとアクリル酸から誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー、かご型シルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）構造含有構成単位のブロックとアクリル酸メチルから誘導される構成単位のブロックとを有するブロックコポリマー等が挙げられる。

なお、上記例示したブロックコポリマーにおいて、ポリマー（ｐ１）は、それぞれ、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ｔ-ブチル、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ｔ-ブチル、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸メチルである。

本実施形態においては、特に、スチレンから誘導される構成単位のブロック（ＰＳ）とメタクリル酸メチルから誘導される構成単位のブロック（ＰＭＭＡ）とを有するブロックコポリマー（ＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマー）を用いることが好ましい。

ブロックコポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準）は、２０００以上が好ましく、８０００〜２０００００がより好ましく、１００００〜１６００００がさらに好ましい。ブロックコポリマーの分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜３．０が好ましく、１．０〜１．５がより好ましく、１．０〜１．３がさらに好ましい。尚、「Ｍｗ」は質量平均分子量を示す。

本実施形態において、ブロックコポリマーは、１種を単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。本実施形態の相分離構造形成用樹脂組成物中、ブロックコポリマーの含有量は、形成しようとするブロックコポリマーを含む層の厚さ等に応じて調整すればよい。

＜溶剤成分＞
本実施形態の相分離構造形成用樹脂組成物は、上記ブロックコポリマーを溶剤成分に溶解することにより調製できる。本実施形態において、溶剤成分は、上記ブロックコポリマーの溶解性や相分離構造形成用樹脂組成物の塗布性を考慮して適宜選択すればよいが、沸点２００℃以上の有機溶剤を含むことが相分離構造パターン形成の点で好ましい。有機溶剤の沸点は、２００℃以上であれば特に限定されないが、２１０℃以上であることが好ましく、２２０℃以上であることがより好ましい。有機溶剤の沸点の上限は、特に限定されないが、アニール処理温度等の観点から、３００℃以下であることが好ましく、２８０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましい。有機溶剤は、従来、樹脂を主成分とする膜組成物の溶剤として公知の有機溶剤の中から、沸点２００℃以上のものを適宜選択して用いることができる。

有機溶剤としては、例えば、１，３-ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）等のイミダゾリジノン類；α−メチル−γ−ブチルラクトン、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；ブチルジグリコールジアセテート、エチルジグリコールアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ブチレングリコールジアセテート等のエステル結合を有する化合物；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類又はエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールモノアセテートなどのエステル結合を有する化合物のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコール１−モノフェノールエーテル（ＰｈＦＧ）、ジプロピレングリコールモノブリルエーテルチル（ＢＦＤＧ）が好ましい］；ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン等の芳香族系有機溶剤などが挙げられる。

上記の中でも、有機溶剤としては、ラクトン類、イミダゾリジノン類、多価アルコール類の誘導体が好ましい。また、ラクトン類の中では、置換基を有するγ−ブチルラクトンが好ましく、好適な例として、α−メチル−γ−ブチルラクトンを挙げることができる。また、イミダゾリジノン類の中では、置換基としてアルキル基を有するものが好ましく、好適な例として、１，３-ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）を挙げることができる。また、多価アルコール類の誘導体の中では、プロピレングリコールのエーテル結合を有する誘導体が好ましく、プロピレングリコールのモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテルを有する誘導体がより好ましい。好適な例としては、プロピレングリコール１−モノフェノールエーテル（ＰｈＦＧ）、ジプロピレングリコールモノブリルエーテルチル（ＢＦＤＧ）を挙げることができる。

有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組合せて用いてもよい。主溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、樹脂を主成分とする膜組成物の溶剤として公知のものの中から、有機溶剤以外で任意のものを１種又は２種以上適宜選択して用いることができる。

主溶剤（Ｓｍ）としては、例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物；前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物の、モノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などが挙げられる。

これらの主溶剤は、単独で用いられてもよいし、２種以上を組合せて用いられてもよい。これらの主溶剤の中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサノン、乳酸エチル（ＥＬ）が好ましい。

＜任意成分＞
本実施形態の相分離構造形成用樹脂組成物には、上記のブロックコポリマー、溶剤成分以外に、さらに、所望により、混和性のある添加剤、例えば下地層の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料、増感剤、塩基増殖剤、塩基性化合物等を適宜、含有させることができる。

［認証用媒体の生成方法］
以下、本実施形態に係る認証用媒体の生成方法について、図２から図４を参照しながら具体的に説明する。図２は、認証用媒体の生成方法の一例を示すフローチャートである。図３（Ａ）〜（Ｃ）は、認証用媒体の生成方法の一例を示す図である。図４（Ｄ）及び（Ｅ）は、図３に続き、認証用媒体の生成方法の一例を示す図である。本実施形態に係る認証用媒体の生成方法は、相分離構造を含む構造体の製造方法を含む。相分離構造を含む構造体の製造方法は、支持体上に、上記した相分離構造形成用樹脂組成物を塗布して、ブロックコポリマーを含む層を形成する工程と、このブロックコポリマーを含む層を相分離させる工程と、を有する。

図２に示すように、まず、基板１上に下地剤を塗布して、下地層２を形成する（ステップＳ０１、図３（Ａ）参照）。次に、下地層２上に、相分離構造形成用樹脂組成物を塗布して、ブロックコポリマーを含む層（ＢＣＰ層）３を形成する（ステップＳ０２、図３（Ｂ）参照）。次に、ＢＣＰ層３を加熱してアニール処理を行い、相３ａと相３ｂとに相分離させる（ステップＳ０３、図３（Ｃ）参照）。次に、ＢＣＰ層３のうち、ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去する（ステップＳ０４、図４（Ｄ）参照）。なお、ステップＳ０４は、行わなくてもよい。次に、ＢＣＰ層３の一部のパターンにおける画像を取得する（ステップＳ０５、図４（Ｅ）参照）。以下、各工程について、具体的に説明する。

＜下地層の形成＞
ステップＳ０１では、図３（Ａ）に示すように、基板１上に下地層２を形成する。基板１は、その表面上に下地剤（あるいは相分離構造形成用樹脂組成物）を塗布し得るものであれば、その種類は特に限定されない。基板１としては、例えば、シリコン、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属からなる基板、ガラス、酸化チタン、シリカ、マイカ等の無機物からなる基板、アクリル板、ポリスチレン、セルロース、セルロースアセテート、フェノール樹脂等の有機化合物からなる基板などが挙げられる。

基板１の大きさや形状は、特に限定されない。基板１は平滑な表面を有する必要はなく、様々な材質や形状の支持体を適宜選択することができる。例えば、曲面を有する基板、表面が凹凸形状の平板、薄片状などの様々な形状を用いることができる。例えば、上記した表示体Ｐに用いる画像を縦横１μｍ×１μｍとする場合、基板１として３００ｍｍのシリコンウェハを用いることで、約７０６憶５０００万枚の画像を取得することができる。

基板１の表面には、無機系及び／又は有機系の膜が設けられていてもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）が挙げられる。

基板１上に下地層２を形成する前に、基板１の表面を洗浄してもよい。基板１の表面を洗浄することにより、相分離構造形成用樹脂組成物又は下地剤の基板１への塗布を、より良好に行うことができる。洗浄処理としては、公知の方法を利用でき、例えば酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理、オゾン酸化処理、酸アルカリ処理、化学修飾処理等が挙げられる。例えば、支持体を硫酸／過酸化水素水溶液等の酸溶液に浸漬させた後、水洗し、乾燥させる。その後、この基板１の表面に下地層２を形成する。

下地層２の形成は、基板１の中性化処理である。中性化処理とは、基板１表面を、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有するように改変する処理をいう。中性化処理を行うことにより、相分離によって特定のポリマーからなる相のみが基板１表面に接することを抑制することができる。下地層２は、用いるブロックコポリマーの種類に応じて形成される。その結果、ＢＣＰ層３の相分離によって、基板１表面に対して垂直方向に配向したシリンダー状又はラメラ状の相分離構造が形成しやすくなる。

具体的には、基板１表面に、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有する下地剤を用いて下地層２を形成する。下地剤には、ブロックコポリマーを構成するポリマーの種類に応じて、薄膜形成に用いられる公知の樹脂組成物を適宜選択して用いることができる。この下地剤としては、例えば、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーの構成単位をいずれも有する樹脂を含有する組成物や、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーと親和性の高い構成単位をいずれも有する樹脂を含有する組成物等が挙げられる。

例えば、スチレンから誘導される構成単位のブロック（ＰＳ）とメタクリル酸メチルから誘導される構成単位のブロック（ＰＭＭＡ）とを有するブロックコポリマー（ＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマー）を用いる場合、下地剤としては、ＰＳとＰＭＭＡとの両方をブロックとして含む樹脂組成物や、芳香環等と親和性が高い部位と、極性の高い官能基等と親和性の高い部位と、の両方を含む化合物又は組成物を用いることが好ましい。ＰＳとＰＭＭＡとの両方をブロックとして含む樹脂組成物としては、例えば、ＰＳとＰＭＭＡとのランダムコポリマー、ＰＳとＰＭＭＡとの交互ポリマー（各モノマーが交互に共重合しているもの）等が挙げられる。

また、ＰＳと親和性が高い部位と、ＰＭＭＡと親和性の高い部位と、の両方を含む組成物としては、例えば、モノマーとして、少なくとも、芳香環を有するモノマーと極性の高い置換基を有するモノマーとを重合させて得られる樹脂組成物が挙げられる。芳香環を有するモノマーとしては、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を１つ除いた基を有するモノマー、又はこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基を有するモノマーが挙げられる。また、極性の高い置換基を有するモノマーとしては、トリメトキシシリル基、トリクロロシリル基、カルボキシ基、水酸基、シアノ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等を有するモノマーが挙げられる。

その他、ＰＳと親和性が高い部位と、ＰＭＭＡと親和性の高い部位と、の両方を含む化合物としては、フェネチルトリクロロシラン等のアリール基と極性の高い置換基との両方を含む化合物や、アルキルシラン化合物等のアルキル基と極性の高い置換基との両方を含む化合物等が挙げられる。

また、下地剤としては、例えば、熱重合性樹脂組成物、ポジ型レジスト組成物やネガ型レジスト組成物等の感光性樹脂組成物も挙げられる。これらの下地層は、常法により形成することができる。下地剤を基板１上に塗布して下地層２を形成する方法としては、特に限定されず、公知の方法により形成できる。例えば、下地剤を、スピンコート又はスピンナーを用いる等の公知の方法により基板１上に塗布して塗膜を形成し、乾燥させることにより、下地層２を形成できる。

塗膜の乾燥方法としては、下地剤に含まれる溶媒を揮発させることができればよく、たとえばベークする方法等が挙げられる。この際、ベーク温度は、８０〜３００℃が好ましく、１８０〜２７０℃がより好ましく、２２０〜２５０℃がさらに好ましい。ベーク時間は、３０〜５００秒間が好ましく、６０〜４００秒間がより好ましい。塗膜の乾燥後における下地層２の厚さは、１０〜１００ｎｍ程度が好ましく、４０〜９０ｎｍ程度がより好ましい。なお、ステップＳ０１は、行われなくてもよい。つまり、下地層２が形成されず、基板１上には、ＢＣＰ層３が形成されてもよい。

＜ＢＣＰ層の形成＞
ステップＳ０２では、図３（Ｂ）に示すように、下地層２の上に、相分離構造形成用樹脂組成物を用いて、ＢＣＰ層３を形成する。下地層２の上にＢＣＰ層３を形成する方法としては、特に限定されず、例えばスピンコート又はスピンナーを用いる等の公知の方法により、下地層２上に相分離構造形成用樹脂組成物を塗布して塗膜を形成し、乾燥させる方法が挙げられる。相分離構造形成用樹脂組成物の塗膜の乾燥方法としては、相分離構造形成用樹脂組成物に含まれる有機溶剤成分を揮発させることができればよく、例えば振り切り乾燥やベークする方法等が挙げられる。

ＢＣＰ層３の厚さは、相分離が起こるために充分な厚さであればよく、基板１の種類、又は、形成される相分離構造の構造周期サイズもしくはナノ構造体の均一性等を考慮すると、５〜１００ｎｍが好ましく、３０〜８０ｎｍがより好ましい。例えば、基板１がＳｉ基板又はＳｉＯ２基板の場合、ＢＣＰ層３の厚さは、２０〜１００ｎｍが好ましく、３０〜８０ｎｍがより好ましい。例えば、基板１がＣｕ基板の場合、ＢＣＰ層３の厚さは、１０〜１００ｎｍが好ましく、３０〜８０ｎｍがより好ましい。

＜相分離＞
ステップＳ０３では、図３（Ｃ）に示すように、基板１上に形成されたＢＣＰ層３を相分離させる。ステップＳ０２を行った後の基板１を加熱してアニール処理を行うことにより、相分離構造が形成される。すなわち、基板１上に、相３ａと相３ｂとに相分離した構造体３Ｓが形成される。

アニール処理の温度条件は、用いるブロックコポリマーのガラス転移温度以上であり、かつ、熱分解温度未満で行うことが好ましい。例えば、ブロックコポリマーがＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマー（数平均分子量２０００〜２０００００）の場合には、アニール処理の温度条件は、１００〜４００℃が好ましく、１２０〜３５０℃がより好ましく、１５０〜３００℃が特に好ましい。加熱時間は、３０〜３６００秒間が好ましく、１２０〜６００秒間がより好ましい。また、アニール処理は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。

＜ブロック層の選択的除去＞
ステップＳ０４では、図４（Ｄ）に示すように、下地層２の上に形成されたＢＣＰ層３のうち、上記のブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相（相３ａ、相３ｂ）を選択的に除去する。これにより、基板１表面の少なくとも一部が露出するような相分離構造が形成される。一種類のブロックからなる相（相３ａ、相３ｂ）を選択的に除去する方法としては、ＢＣＰ層３に対して酸素プラズマ処理を行う方法、水素プラズマ処理を行う方法等が挙げられる。

例えば、ＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマーを含むＢＣＰ層３を相分離した後、このＢＣＰ層３に対して酸素プラズマ処理又は水素プラズマ処理等を行うことにより、ＰＭＭＡからなる相が選択的に除去される。本実施形態では、図４（Ｄ）に示すように、基板１上に製造された構造体３Ｓに、酸素プラズマ処理を行うことによって、相３ａが選択的に除去され、離間した相３ｂからなるパターン（高分子ナノ構造体）を有する構造体４が形成される。

なお、ＢＣＰ層３の相分離によって構造体４が形成された基板１は、そのまま使用することもできるが、さらに加熱することにより、基板１上のパターン（高分子ナノ構造体）の形状を変更することもできる。加熱の温度条件は、用いるブロックコポリマーのガラス転移温度以上であり、かつ、熱分解温度未満が好ましい。また、加熱は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。なお、ステップＳ０４は行わなくてもよい。つまり、次のステップＳ０５において相分離構造の一部の画像を取得できるのであれば、構造体３Ｓ（図３（Ｃ）参照）のまま（ステップＳ０４を行わずに）、次のステップＳ０５を行ってもよい。

＜画像の取得＞
ステップＳ０５では、図４（Ｅ）に示すように、構造体４（相分離構造）の一部のパターンにおける画像を取得する。画像の取得は、走査型電子顕微鏡ＭＳにより行う。走査型電子顕微鏡ＭＳは、電子線を絞って電子ビームとして構造体４（又は構造体３Ｓ）に照射し、構造体４から放出される二次電子、反射電子、透過電子、Ｘ線、カソードルミネッサンス、内部起電力等を検出することで対象を観察する。ステップＳ０５では、走査型電子顕微鏡ＭＳにより、構造体４のうち所定の領域ごとに画像を取得する（撮像する）。

ステップＳ０５で取得される画像のサイズは、例えば縦横０．５μｍ×０．５μｍから１０μｍ×１０μｍの範囲である。走査型電子顕微鏡ＭＳは、例えば、３００Ｋ以下の倍率で構造体４を撮像してもよい。走査型電子顕微鏡ＭＳは、構造体４の全体に電子ビームを照射して構造体４の全体の画像を取得し、その一部を表示体Ｐの画像としてもよいし、構造体４のうち一部の領域ごとに電子ビームを照射して適宜画像を取得してもよい。

例えば、走査型電子顕微鏡ＭＳにより構造体４の一の領域４ａを撮像した後、走査型電子顕微鏡ＭＳの電子ビームの照射範囲を移動させて、他の領域４ｂを撮像する。その後、さらに電子ビームの照射範囲を移動させて、他の領域４ｃを撮像する。この動作を繰り返し行うことにより、１つの基板１に形成される構造体４について、異なる複数のパターンの画像が取得される。この画像は、アナログ画像であってもよいし、デジタル画像であってもよい。取得された画像は、構造体４（相分離構造）の一部に関する特徴を含む認証情報として表示体Ｐ等の認証用媒体Ｍ１に設けられる。認証用媒体Ｍ１は、例えば表示体Ｐが表示された表示体とすることができる。表示体Ｐは、例えば表示体に印刷又は刻印されることにより、表示体Ｐに表示された状態となる。なお、表示体Ｐは、例えばホログラムであってもよい。また、表示体Ｐの寸法については、表示体の寸法に応じて適宜調整することができる。

このように、本実施形態の認証用媒体の生成方法によれば、１枚の基板１に形成された構造体４（相分離構造）から、異なる特徴を持つ画像を多く取得できる。従って、これら画像の特徴を有する認証用媒体Ｍ１を容易かつ多数生成することができる。また、取得された画像は、それぞれ異なる特徴を有するので、この特徴を用いることで、被認証物Ｃ１の認証を正確に行うことができる。

［被認証物の他の例］
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、被認証物の他の例を示す図である。図５（Ａ）では、例えば、被認証物Ｃ２である衣類等に認証用媒体Ｍ１として表示体Ｐが設けられている。表示体Ｐは、被認証物Ｃ２（衣類）に印刷された形態であってもよいし、刺しゅう等により画像と同様のパターンが設けられた形態であってもよい。表示体Ｐは、被認証物Ｃ２である衣類等の表面側に設けられてもよいし、内面側に設けられてもよい。また、衣類等に通常備えているタグ５に表示体Ｐが設けられてもよい。また、図５（Ａ）に示すように、販売時等において被認証物Ｃ２である衣類等に付される販売用タグ６に、認証用媒体Ｍ１として表示体Ｐが設けられてもよい。

また、図５（Ｂ）では、例えば、被認証物Ｃ３である容器等の表面に認証用媒体Ｍ１として表示体Ｐが設けられている。被認証物Ｃ３である容器等は、例えば平面部７ａ及び曲面部７ｂを有する円筒状であり、表示体Ｐが平面部７ａに形成される構成であるが、この構成に限定されず、表示体Ｐは曲面部７ｂに形成されてもよい。表示体Ｐは、認証用媒体Ｍ１として画像が印刷された表示体Ｐが平面部７ａに貼り付けられる形態であってもよいし、平面部７ａに画像が直接印刷される形態であってもよい。また、表示体Ｐとして、画像に同様の刻印が平面部７ａに設けられる形態であってもよい。また、容器７は、他の形状であってもよい。

［認証用媒体の他の例］
図６は、認証用媒体の他の例を示す図である。認証用媒体Ｍ２は、例えば、上記した画像に関する画像データ、及び上記した画像から抽出される特徴に関する特徴データの少なくとも一方を含む記憶媒体であってもよい。図６に示すように、被認証物Ｃ１であるカード等には、認証用媒体Ｍ２として記憶媒体８を備えてもよい。記憶媒体８は、例えば、ＩＣタグ、ＲＦＩＤ（radio frequency identifier）タグ等である。記憶媒体８には、画像データＤ１及び特徴データＤ２の少なくとも一方が格納される。

画像データＤ１は、上記した画像においてパターンの特徴を認識可能なデータであり、認証情報を含む。画像データＤ１は、ＪＰＥＧ（Joint Photographic Experts Group）、ＧＩＦ（Graphics Interchange Format）、ＰＮＧ（Portable Network Graphics）、ＴＩＦＦ（Tagged Image File Format）、ＢＭＰ（Bitmap Image）、ＰＤＦ（Portable Document Format）など、任意のデータ形式を適用可能である。また、画像データＤ１は、走査型電子顕微鏡ＭＳにより取得されるＲＡＷデータであってもよい。

特徴データＤ２は、画像データＤ１のうち白いラインの端部Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、・・・を特徴部分として抽出した場合の例を示している。特徴データＤ２の特徴部分は、白いラインの端部Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、・・・に限定されず、黒いラインの端部等、他の部分であってもよい。また、１つの画像における特徴部分の数は任意に設定することができる。特徴データＤ２は、例えば、端部Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、・・・における画像上の座標値であってもよい。特徴データＤ２は、例えば、画像の縦方向をＹ方向とし、横方向をＸ方向としたとき、端部Ｔ１は座標値（Ｘ１，Ｙ１）、端部Ｔ２は座標値（Ｘ２，Ｙ２）、端部Ｔ３は座標値（Ｘ３，Ｙ３）、端部Ｔ４は座標値（Ｘ４，Ｙ４）、・・・を示すデータである。

画像データＤ１及び特徴データＤ２は、例えば、認証用媒体Ｍ２である記憶媒体８に格納されているデータを受け取ることが可能な取得装置１０により取得される。取得装置１０は、例えば、画像データＤ１又は特徴データＤ２を受信可能な受信部を備えている。なお、取得装置１０については後述する。

［認証システム］
図７は、本実施形態に係る認証システム１００の一例を示す図である。認証システム１００は、被認証物の認証を行うシステムである。認証システム１００は、取得装置１０と、認証サーバ２０とを含む。

取得装置１０は、被認証物Ｃ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３等）に備える認証用媒体Ｍ１等から認証情報Ｄ（Ｄ１、Ｄ２等）を取得する。取得装置１０は、認証用媒体Ｍ１等に応じた態様で認証情報Ｄを取得可能な装置が用いられる。例えば、認証用媒体Ｍ１が画像を含む表示体Ｐである場合、取得装置１０としては、表示体Ｐ（画像）を読み取り可能な読み取り装置等が用いられる。読み取り装置は、例えばスキャナ、又はカメラ等の撮像装置であり、表示体Ｐに表示された画像を読み取って電子データに変換し、認証情報Ｄとして取得する。

また、認証用媒体Ｍ２として、上記した画像データＤ１及び特徴データＤ２の少なくとも一方が記憶される記憶媒体８である場合、取得装置１０は、画像データＤ１又は特徴データＤ２を受信可能な受信部を備えている。取得装置１０は、例えば、ＩＣカードリーダ、ＲＦＩＤリーダ等を含む。画像データＤ１及び特徴データＤ２は、認証用媒体Ｍ２から取得装置１０により取得される認証情報Ｄである。

認証サーバ２０は、予め登録されている認証データＤＴ（認証データＤＴは認証用データＤＴと称してもよい。）に基づいて、取得装置１０が取得した認証情報Ｄの認証を行う。認証情報Ｄは、例えば、取得装置１０により取得された画像データＤ１又は特徴データＤ２を含む。認証サーバ２０は、例えば、通信回線Ｎを介して取得装置１０に接続された構成とすることができるが、この構成に限定されない。認証情報Ｄが記憶されたＵＳＢメモリ等の記憶媒体を認証サーバ２０に接続させる構成としてもよい。

認証サーバ２０は、記憶部２１と、認証処理部２２とを有する。記憶部２１は、認証データＤＴを記憶する。記憶部２１に記憶される認証データＤＴは、予め登録されている。認証データＤＴは、相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に形成された相分離構造の一部の画像に関する画像データを含む。認証システム１００は、例えば、上記した画像に関するオリジナルの画像データを認証データＤＴとし、認証データＤＴの複製データを上記した画像データＤ１とすることができる。記憶部２１には、相分離構造において互いに異なる部分の画像についての画像データが認証データＤＴとして記憶されてもよい。また、認証データＤＴは、画像から抽出される特徴に関する特徴データ（上記した特徴データＤ２に相当する）であってもよい。

認証処理部２２は、記憶部２１に記憶される認証データＤＴと、取得装置１０が取得した認証情報Ｄとが一致するか否かを判定し、判定結果に基づいて認証を行う。認証処理部２２は、認証情報Ｄが画像データＤ１である場合、例えば、認証情報Ｄで示される画像と、認証データＤＴで示される画像とを対比する。また、認証処理部２２は、画像データＤ１で示される画像内の各点における色調、階調等の色情報等と、認証データＤＴで示される画像内の各点における色調、階調等の色情報等とを対比してもよい。認証処理部２２は、認証情報Ｄが特徴データＤ２である場合、例えば、画像データＤ１における各点の座標値と、認証データＤＴにおける特徴部分の座標値とを対比する。

認証処理部２２は、画像どうしを対比した結果、一致する割合が第１閾値以上の場合に、画像データＤ１と認証データＤＴとが一致する旨の判定を行うことができる。認証処理部２２は、画像どうしを対比した結果、一致する割合が第１閾値より低い場合、画像データＤ１と認証データＤＴとが一致しない旨の判定を行うことができる。また、認証処理部２２は、各点の座標値どうしを対比した結果、一致する割合が第２閾値以上の場合に、特徴データＤ２と認証データＤＴとが一致する旨の判定を行うことができる。認証処理部２２は、各点の座標値どうしを対比した結果、一致する割合が第２閾値より低い場合、特徴データＤ２と認証データＤＴとが一致しない旨の判定を行うことができる。上記した第１閾値及び第２閾値は任意の値に設定可能である。

認証情報Ｄが画像データＤ１又は特徴データＤ２である場合には、取得装置１０により表示体Ｐから取得された認証情報Ｄである場合に比べて、物理的に変化する可能性は低いといえる。従って、認証情報Ｄが画像データＤ１又は特徴データＤ２である場合、認証情報Ｄと認証データＤＴとの判定条件を厳密に設定することが可能である。

認証処理部２２は、例えば認証データＤＴと認証情報Ｄとが一致すると判定した場合には、両者が一致する旨の認証結果を表示装置等の出力装置に出力してもよい。また、認証処理部２２は、認証データＤＴと認証情報Ｄとが一致しないと判定した場合には、両者が一致しない旨の認証結果を例えば出力装置ＯＵ（図１５参照）に出力してもよい。出力装置ＯＵは、例えばディスプレイ装置である。認証処理部２２は、認証結果をディスプレイ装置に表示させてもよい。

図８は、認証システム１００における処理の一例を示すフローチャートである。図８に示すように、まず、取得装置１０により認証情報Ｄを取得する（ステップＳ１１）。取得装置１０は、認証情報Ｄを取得した後、取得した認証情報Ｄを出力する。取得装置１０から出力された認証情報Ｄは、通信回線Ｎを介して認証サーバ２０に入力される（ステップＳ１２）。認証サーバ２０において、認証処理部２２は、入力された認証情報Ｄと、記憶部２１に記憶される認証データＤＴとを対比する（ステップＳ１３）。認証処理部２２は、認証情報Ｄと認証データＤＴとが一致するか否かの判定を行う（ステップＳ１４）。認証処理部２２は、不図示の出力装置等に判定結果を出力する（ステップＳ１５）。

［認証システムの他の例］
図９は、認証システムの他の例を示す図である。図９に示す認証システム２００は、上述した認証システム１００に加えて、認証データを生成する生成システムを付加した構成である。なお、以下で説明する認証システム２００は、あくまでも一例であり、この形態に限定されない。

認証システム２００は、認証データ生成装置１２０、認証データ管理サーバ１３０、認証サーバ２０、及びユーザ端末１５０を備える。認証データ生成装置１２０、認証データ管理サーバ１３０、認証サーバ２０、及びユーザ端末１５０は、通信回線Ｎに接続されている。ここで、通信回線Ｎは、インターネット等のコンピュータネットワーク、通信事業者のコアネットワーク、及び種々のローカルネットワークを含む。

なお、走査型電子顕微鏡ＭＳと認証データ生成装置１２０とは、通信可能に接続されて、走査型電子顕微鏡ＭＳにより得られる画像データが所定の通信回線等を介して認証データ生成装置１２０に送られる形態であってもよいし、走査型電子顕微鏡ＭＳにより得られる画像データがＵＳＢメモリ等の記憶媒体に記憶され、この記憶媒体を介して認証データ生成装置１２０が画像データを取得する形態であってもよい。例えば、走査型電子顕微鏡ＭＳは、基板１上の構造体（相分離構造）３Ｓ、４の画像データを得ると、その画像データを認証データ生成装置１２０に送る。

認証データ生成装置１２０は、被認証物Ｃ１等の正当性や真正性を確かめるために用いられる認証データＤＴを生成するサーバである。認証データ生成装置１２０は、走査型電子顕微鏡ＭＳから構造体（相分離構造）３Ｓ、４の画像データを受け取ると、その画像データから認証データＤＴを生成する。また、認証データ生成装置１２０は、認証データＤＴを生成すると、その認証データＤＴを、通信回線Ｎを介して認証データ管理サーバ１３０に送信する。

認証データ管理サーバ１３０は、認証データＤＴを管理するサーバである。認証データ管理サーバ１３０は、認証データ生成装置１２０から認証データＤＴを受信すると、その認証データＤＴを管理する。また、認証データ管理サーバ１３０は、認証サーバ２０から認証データＤＴの提供要求を受信すると、認証データＤＴを、認証サーバ２０に送信する。

認証サーバ２０は、上記したように、対象である被認証物Ｃ１等の認証を行うサーバである。認証サーバ２０は、認証を行う新たな被認証物Ｃ１等の情報を登録すると、その被認証物Ｃ１等の認証を行うための認証データＤＴの提供要求を、認証データ管理サーバ１３０に送信する。また、認証サーバ２０は、認証データ管理サーバ１３０から認証データＤＴを受信すると、その認証データＤＴを、認証を行う被認証物Ｃ１等の情報に対応付けて管理する。また、認証サーバ２０は、ユーザ端末１５０から被認証物Ｃ１等に関する認証情報Ｄを含む認証要求を受信すると、その被認証物Ｃ１等の認証を行い、認証結果を含む認証結果データを、ユーザ端末１５０に送信する。

ユーザ端末１５０は、上記した取得装置１０を含んで構成され、被認証物Ｃ１等の正当性や真正性を確かめる現場にて利用される端末である。ユーザ端末１５０は、被認証物Ｃ１等に付された認証情報Ｄを取得装置１０により取得すると、その認証情報Ｄを含む、被認証物Ｃ１等の認証を行うよう要求する旨のデータを、認証サーバ２０に送信する。また、ユーザ端末１５０は、認証サーバ２０から認証結果データを受信すると、認証結果をディスプレイ装置等に出力する。

なお、本実施形態では、説明が煩雑になることを防ぐことを目的として、認証システム２００が１つの認証データ生成装置１２０、認証データ管理サーバ１３０、認証サーバ２０、及びユーザ端末１５０を備える構成について説明する。ただし、認証システム２００は、複数の認証データ生成装置１２０、認証データ管理サーバ１３０、認証サーバ２０、及びユーザ端末１５０を備えていてもよい。

図１０は、認証データ生成装置１２０の構成の一例を示すブロック図である。認証データ生成装置１２０は、例えば、画像データ受信部１２１、画像処理部１２２、認証データ生成部１２３、及び認証データ送信部１２４を備える。

画像データ受信部１２１は、構造体（相分離構造）３Ｓ、４の画像データを、走査型電子顕微鏡ＭＳから受け取る。画像処理部１２２は、画像データ受信部１２１が受け取った画像データの画像を分割して複数の画像を生成する。認証データ生成部１２３は、画像処理部１２２が生成した各画像において、模様（パターン）の複数の特徴点を抽出し、その複数の特徴点を特定可能な認証データＤＴを生成する。認証データ送信部１２４は、認証データ生成部１２３が生成した認証データＤＴと、その認証データＤＴを生成するために使用した画像とを対応付けて、認証データ管理サーバ１３０に送信する。

図１１は、認証データ管理サーバ１３０の構成の一例を示すブロック図である。認証データ管理サーバ１３０は、認証データ受信部１３１、認証データ格納部１３２、提供要求受信部１３３及び認証データ送信部１３４を備える。

認証データ受信部１３１は、認証データ生成装置１２０から認証データＤＴを受信する。認証データ格納部１３２は、認証データ受信部１３１が受信した認証データＤＴと、その認証データＤＴを提供した提供先の情報等と、を対応付けて格納する。提供要求受信部１３３は、認証サーバ２０から認証データＤＴの提供要求を受信する。認証データ送信部１３４は、提供要求受信部１３３が受信した提供要求に応じて、認証データ格納部１３２に格納されている認証データＤＴを、認証サーバ２０に送信する。

図１２は、認証データ格納部１３２に格納される情報の一例をテーブル形式で示す図である。認証データ格納部１３２には、認証データＤＴのＩＤ（図１２では認証データＩＤと示している。）、認証データＤＴ、分割画像（画像）、提供先の各情報が対応付けられて格納される。認証データＤＴのＩＤの情報は、認証データＤＴを一意に識別するための識別符号である。認証データＤＴの情報は、認証データＤＴのＩＤによって識別される認証データＤＴを示す情報である。この例では、認証データＤＴのＩＤ「Ｎ０００１」によって識別される認証データＤＴが、「（ｘ１，ｙ１），（ｘ２，ｙ２），（ｘ３，ｙ３），・・・」であることを示している。

分割画像の情報は、認証データＤＴのＩＤによって識別される認証データＤＴを生成するために使用された画像を示す情報である。この例では、認証データＤＴのＩＤ「Ｎ０００１」によって識別される認証データＤＴを生成するために使用された分割画像が、「０００００００１．ｂｍｐ」であることを示している。

提供先の情報は、認証データＤＴのＩＤによって識別される認証データＤＴの提供先を示す情報である。この例では、認証データＤＴのＩＤ「Ｎ０００１」によって識別される認証データＤＴの提供先が、「提供先Ａ」であることを示している。

図１３は、認証サーバ２０の構成の一例を示すブロック図である。認証サーバ２０は、対象情報入力受付部１４１、対象情報格納部１４２、提供要求送信部１４３、認証データ受信部１４４、認証要求受信部１４５、認証処理部２２、及び認証結果送信部１４７を備える。

対象情報入力受付部１４１は、入力装置ＩＮを介して認証を行う被認証物Ｃ１等の情報の入力を受け付ける。ここで、入力装置ＩＮとは、認証サーバ２０にデータや情報、指示等を与えるための装置であり、例えば、タッチパネル、キーボード、マウス等である。対象情報格納部１４２は、対象情報入力受付部１４１が入力を受け付けた認証を行う被認証物Ｃ１等の情報と、その被認証物Ｃ１等を認証するための認証情報Ｄ等と、を対応付けて格納する。提供要求送信部１４３は、被認証物Ｃ１等の認証を行うために必要な認証データＤＴを提供するよう要求する旨のデータを、認証データ管理サーバ１３０に送信する。認証データ受信部１４４は、被認証物Ｃ１等の認証を行うために必要な認証データＤＴを、認証データ管理サーバ１３０から受信する。認証要求受信部１４５は、認証を行う被認証物Ｃ１等に付された認証情報Ｄ等を含む、認証を行うよう要求する旨のデータを、ユーザ端末１５０から受信する。認証処理部２２は、認証要求受信部１４５が受信した認証データＤＴ等による認証処理を行う。認証結果送信部１４７は、認証処理部２２が認証処理を行った認証結果を含むデータを、ユーザ端末１５０に送信する。

図１４は、対象情報格納部１４２に格納される情報の一例をテーブル形式で示す図である。対象情報格納部１４２には、シリアルナンバー、認証データＤＴの各情報が対応付けられて格納される。シリアルナンバーの情報は、認証を行う被認証物Ｃ１等を一意に識別するための識別符号である。

認証データＤＴの情報は、シリアルナンバーによって識別される被認証物Ｃ１等を認証するための認証データＤＴを示す情報である。この例では、シリアルナンバー「Ｓ０００１」によって識別される対象を認証するための認証データＤＴが、「（ｘ１，ｙ１），（ｘ２，ｙ２），（ｘ３，ｙ３），・・・」であることを示している。

図１５は、ユーザ端末１５０の構成の一例を示すブロック図である。ユーザ端末１５０は、取得装置１０、認証要求送信部１５２、認証結果受信部１５３、及び認証結果出力部１５４を備える。

取得装置１０は、認証を行う被認証物Ｃ１等に付された認証情報Ｄ（画像データＤ１又は特徴データＤ２を含む。）を取得する。認証要求送信部１５２は、取得装置１０が取得した認証情報Ｄ等を含む、認証を行うよう要求する旨のデータを、認証サーバ２０に送信する。認証結果受信部１５３は、認証結果を含むデータを、認証サーバ２０から受信する。認証結果出力部１５４は、認証結果受信部１５３が受信したデータに含まれる認証結果を、出力装置ＯＵに出力する。ここで、出力装置ＯＵは、ユーザ端末１５０からデータを受け取って、ユーザが認識できる形で外部に物理的に提示する装置であり、例えばディスプレイ装置である。

図１６は、走査型電子顕微鏡ＭＳ、認証データ生成装置１２０及び認証データ管理サーバ１３０の動作シーケンスの一例を示す図である。この動作シーケンスでは、走査型電子顕微鏡ＭＳによって画像を取得してから、複数の認証データＤＴを提供可能な状態とするまでの処理について説明する。また、この動作シーケンスの説明では、図１０から図１５を適宜参照する。

認証データＤＴの提供を行う事業者は、例えば、所定のスケジュールに応じて、あるいは、認証データＤＴを提供する取引が成約した場合に、認証データＤＴを生成するために、予め走査型電子顕微鏡ＭＳによって構造体（相分離構造）３Ｓ、４の画像を取得している（ステップＳ１０１）。画像データは、認証データ生成装置１２０に送られる（ステップＳ１０２）。認証データ生成装置１２０の画像データ受信部１２１は、画像データを受け取ると、その画像データを、画像処理部１２２へ送る。

認証データ生成装置１２０の画像処理部１２２は、画像データ受信部１２１から画像データを受け取ると、その画像データの画像を分割して複数の画像を生成する（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３の処理では、画像処理部１２２は、例えば、１枚の構造体（相分離構造）３Ｓ、４の画像から複数の画像を生成する。なお、ステップＳ１０１において、走査型電子顕微鏡ＭＳは、構造体（相分離構造）３Ｓ、４のうちの一部に対応する領域ごとに画像を取得する場合、ステップＳ１０３は行わなくてもよい。画像処理部１２２は、複数の画像を生成すると、その複数の画像を、認証データ生成部１２３に送る。

認証データ生成装置１２０の認証データ生成部１２３は、画像処理部１２２から複数の画像を受け取ると、その複数の画像のそれぞれから、画像に写っている模様（パターン）の複数の特徴点を抽出し、その複数の特徴点を特定可能な認証データＤＴを生成する（ステップＳ１０４）。ステップＳ１０４の処理では、認証データ生成部１２３は、例えば、図６に示すように、表示体Ｐの画像に写っている模様のうち、白いラインの端部Ｔ１〜Ｔ４を特徴点として抽出し、その特徴点の位置を示す座標値を認証データＤＴとして生成する。認証データ生成部１２３は、複数の認証データＤＴを生成すると、その複数の認証データＤＴを、認証データ送信部１２４に送る。認証データ送信部１２４は、認証データ生成部１２３から複数の認証データＤＴを受け取ると、その複数の認証データＤＴと、その認証データＤＴを生成するために使用した画像とを対応付けて、認証データ管理サーバ１３０に送信する（ステップＳ１０５）。

認証データ管理サーバ１３０の認証データ受信部１３１は、認証データ生成装置１２０から複数の認証データＤＴと、その認証データＤＴを生成するために使用した画像と、を受信すると、対応する認証データＤＴと画像とを対応付けて認証データ格納部１３２に格納する（ステップＳ１０６）。ステップＳ１０６の処理では、例えば、図１２に示すように、認証データＤＴ及び画像の各情報に、認証データＤＴのＩＤを付して格納する。このようにして、被認証物Ｃ１等の認証を行うために必要な複数の認証データＤＴを提供可能な状態となる。

図１７は、認証データ管理サーバ１３０及び認証サーバ２０の動作シーケンスの一例を示す図である。この動作シーケンスでは、認証を行う被認証物Ｃ１等の情報の入力を受け付けてから、その被認証物Ｃ１等の認証を行うことができる状態となるまでの処理について説明する。また、この動作シーケンスの説明では、図１０から図１６を参照する。

被認証物Ｃ１等の認証を行う事業者は、認証を行う新たな被認証物Ｃ１等が用意されたことに応じて、その被認証物Ｃ１等の情報を、認証サーバ２０に入力する。

認証サーバ２０の対象情報入力受付部１４１は、認証を行う被認証物Ｃ１等の情報（図１７では対象情報と示している。）の入力を受け付けると（ステップＳ２０１）、その情報を、対象情報格納部１４２に格納すると共に（ステップＳ２０２）、入力を受け付けた被認証物Ｃ１等の情報の数を示すデータを、提供要求送信部１４３へ送る。ステップＳ２０１の処理では、対象情報入力受付部１４１は、例えば、認証を行う被認証物Ｃ１等の情報として、その被認証物Ｃ１等のシリアルナンバーの入力を受け付ける。そして、ステップＳ２０２の処理では、例えば、図１４に示すように、シリアルナンバーの情報を格納する。

認証サーバ２０の提供要求送信部１４３は、対象情報入力受付部１４１からデータを受け取ると、被認証物Ｃ１等の認証を行うために必要な認証データＤＴを提供するよう要求する旨のデータを、認証データ管理サーバ１３０に送信する（ステップＳ２０３）。ステップＳ２０３の処理では、提供要求送信部１４３は、例えば、対象情報入力受付部１４１から受け取ったデータによって示される被認証物Ｃ１等の情報の数と同じ数の認証データＤＴを提供するよう要求する旨のデータを、認証データ管理サーバ１３０に送信する。

認証データ管理サーバ１３０の提供要求受信部１３３は、認証サーバ２０から認証データＤＴの提供要求を受信すると、要求されている認証データＤＴの数の情報と、要求元を特定可能な情報と、を含むデータを、認証データ送信部１３４に送る。認証データ送信部１３４は、提供要求受信部１３３からデータを受け取ると、要求されている数の認証データＤＴを、認証データ格納部１３２から読み出し（ステップＳ２０４）、読み出した認証データＤＴを、認証サーバ２０に送信する（ステップＳ２０５）。ステップＳ２０４の処理では、認証データ送信部１３４は、例えば、認証データを読み出すと、図１２に示すように、提供要求受信部１３３から受け取ったデータに含まれる要求元を特定可能な情報を、提供先の情報として、読み出した認証データＤＴの情報に対応付けて認証データ格納部１３２に格納する。

認証サーバ２０の認証データ受信部１４４は、認証データ管理サーバ１３０から認証データＤＴを受信すると、その認証データＤＴを、対象情報格納部１４２に格納されている認証を行う被認証物Ｃ１等の情報に対応付けて格納する（ステップＳ２０６）。ステップＳ２０６の処理では、例えば、図１４に示すように、シリアルナンバーの情報に、認証データＤＴを対応付けて格納する。このようにして、対象の認証を行うことができる状態となる。

図１８は、認証サーバ２０及びユーザ端末１５０の動作シーケンスの一例を示す図である。この動作シーケンスでは、認証を行う被認証物Ｃ１等に付された認証情報Ｄを取得してから、認証結果を出力するまでの処理について説明する。また、この動作シーケンスの説明では、図１０から図１７を参照する。

被認証物Ｃ１等の認証を所望するユーザは、その被認証物Ｃ１等に付された認証情報Ｄを取得する作業を行う。一例として、認証を行う対象（例えば、被認証物Ｃ２）には、認証用媒体Ｍ２としてＩＣタグが取り付けられている。ＩＣタグとは、被認証物Ｃ２の識別に利用される微小な無線ＩＣチップである。ＩＣタグには、そのＩＣタグが取り付けられた被認証物Ｃ２を認証するための認証情報Ｄと、その被認証物Ｃ２のシリアルナンバーと、が記憶されている。このような形態の場合、ユーザ端末１５０は、取得装置１０であるＩＣカードリーダにより、ＩＣタグに記憶された認証情報Ｄとシリアルナンバーとを読み取って取得する。

また、他の例として、認証を行う被認証物Ｃ２に取り付けられたＩＣタグには、認証データＤＴを生成するために使用された画像の情報（画像データＤ１）と、その被認証物Ｃ２のシリアルナンバーと、が記憶されている。このような形態の場合、ユーザ端末１５０は、取得装置１０により、ＩＣタグに記憶された画像とシリアルナンバーとを読み取って取得する。

また、他の例として、認証を行う対象（例えば、被認証物Ｃ１）には、認証データＤＴを生成するために使用された画像が印刷された表示体Ｐが設けられている。この表示体Ｐには、その被認証物Ｃ１のシリアルナンバーが含まれてもよい。このような形態の場合、ユーザ端末１５０は、表示体Ｐ（シリアルナンバー等を含む）を例えばデジタルカメラ等により撮像し、表示体Ｐの画像を読み取って取得する。

また、他の例として、認証を行う対象がデータである場合、そのデータには、そのデータを認証するための認証情報と、そのデータのシリアルナンバーと、が電子透かし等の技術により埋め込まれている。ここで、電子透かしとは、画像や動画、音声等のデータに、関連する情報を人には知覚できない形で埋め込む技術である。このような形態の場合、ユーザ端末１５０は、データに埋め込まれた認証情報Ｄとシリアルナンバーとを検出可能な専用のソフトウェアにより取得する。

ユーザ端末１５０の取得装置１０は、被認証物Ｃ１等に付された認証情報Ｄ等を取得すると（ステップＳ３０１）、その認証情報Ｄ等を、認証要求送信部１５２に送る。認証要求送信部１５２は、取得装置１０から認証情報Ｄ等を受け取ると、その認証情報Ｄ等を含む、認証を行うよう要求する旨のデータを、認証サーバ２０に送信する（ステップＳ３０２）。

認証サーバ２０の認証要求受信部１４５は、ユーザ端末１５０から認証情報Ｄ等を含む、認証を行うよう要求する旨のデータを受信すると、その認証情報Ｄ等を、認証処理部２２に送る。認証処理部２２は、認証要求受信部１４５から認証情報Ｄ等を受け取ると、その認証情報Ｄ等による認証処理を行う（ステップＳ３０３）。

ステップＳ３０３の処理では、例えば、認証要求受信部１４５から認証情報Ｄとシリアルナンバーとを受け取った場合、認証処理部２２は、対象情報格納部１４２に格納されている情報のうち、認証要求受信部１４５から受け取ったシリアルナンバーと一致するシリアルナンバーが格納されているか否かを判定する。そして、一致するシリアルナンバーが格納されている場合、認証処理部２２は、そのシリアルナンバーに対応付けて格納されている認証データＤＴを読み出す。そして、認証処理部２２は、対象情報格納部１４２から読み出した認証データＤＴと、認証要求受信部１４５から受け取った認証情報Ｄと、が一致するか否かを判定する。そして、両者が一致した場合、認証処理部２２は、認証結果が「真」であることを示す認証結果データを、認証結果送信部１４７に送る。一方、両者が一致しなかった場合、認証処理部２２は、認証結果が「偽」であることを示す認証結果データを、認証結果送信部１４７に送る。

また、ステップＳ３０３の処理では、例えば、認証要求受信部１４５から画像とシリアルナンバーとの情報を受け取った場合、認証処理部２２は、認証データ生成装置１２０が認証データＤＴを生成するときと同じ方法により、その画像から、画像に写っている模様（パターン）の複数の特徴点を抽出し、その複数の特徴点を特定可能な認証情報ＤＸを生成する。また、認証処理部２２は、対象情報格納部１４２に格納されている情報のうち、認証要求受信部１４５から受け取ったシリアルナンバーと一致するシリアルナンバーが格納されているか否かを判定する。そして、一致するシリアルナンバーが格納されている場合、認証処理部２２は、そのシリアルナンバーに対応付けて格納されている認証データＤＴを読み出す。そして、認証処理部２２は、対象情報格納部１４２から読み出した認証データＤＴと、上記した認証情報ＤＸと、が一致するか否かを判定する。そして、両者が一致した場合、認証処理部２２は、認証結果が「真」であることを示す認証結果データを、認証結果送信部１４７に送る。一方、両者が一致しなかった場合、認証処理部２２は、認証結果が「偽」であることを示す認証結果データを、認証結果送信部１４７に送る。

認証サーバ２０の認証結果送信部１４７は、認証処理部２２から認証結果データを受け取ると、その認証結果データを、ユーザ端末１５０に送信する（ステップＳ３０４）。

ユーザ端末１５０の認証結果受信部１５３は、認証サーバ２０から認証結果データを受信すると、その認証結果データを、認証結果出力部１５４に送る。認証結果出力部１５４は、認証結果受信部１５３から認証結果データを受け取ると、その認証結果データによって示される認証結果を、出力装置ＯＵを介して出力する（ステップＳ３０５）。このようにして、対象の認証を所望するユーザは、その対象（被認証物Ｃ１等）の正当性や真正性を確かめることができる。

このように、本実施形態に係る被認証物Ｃ１等及び認証システム１００、２００によれば、基板１上に形成された構造体（相分離構造）３Ｓ、４の一部に関する特徴を含む認証情報Ｄを有する認証用媒体Ｍ１、Ｍ２を用いるので、この構造体（相分離構造）３Ｓ、４が例えば人間の指紋のように同一のパターンが存在しないことから、指紋認証と同様、セキュリティ性の高い認証を行うことが可能となる。また、認証用媒体Ｍ１、Ｍ２を生成するための１つの構造体（相分離構造）３Ｓ、４から、異なる画像（パターン）が多く得られるので、多数の認証用媒体Ｍ１、Ｍ２を容易かつ安価に作成することができる。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態に記載される範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

また、特許請求の範囲、明細書及び図面中において示したシステム、方法、装置、プログラム及び記憶媒体における動作、手順、ステップ及び段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、又、前の処理の出力を後の処理で用いるものでない限り、任意の順序で実現することができる。また、特許請求の範囲、明細書及び図面中の動作フローや動作シーケンスに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

また、上記した認証システム１００、２００は、上記した構成に加えて、ＩＤ／パスワードによる認証を行うための構成が加えられてもよい。この場合、本実施形態による相分離構造の画像を利用した認証と、生体情報又はＩＣカード等と、を組み合わせた多要素認証を行うことにより、確実な認証を実現することができる。

また、法令で許容される限りにおいて、日本特許出願である特願２０１９−０１８４２０、及び上述の実施形態などで引用した全ての文献、の内容を援用して本文の記載の一部とする。

Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３・・・被認証物 Ｄ・・・認証情報 Ｄ１・・・画像データ Ｄ２・・・特徴データ ＤＴ・・・認証データ Ｍ１、Ｍ２・・・認証用媒体 ＭＳ・・・走査型電子顕微鏡 Ｎ・・・通信回線 Ｐ・・・表示体 １・・・基板 ２・・・下地層 ３・・・ＢＣＰ層 ３ａ、３ｂ・・・相 ３Ｓ、４・・・構造体 ６・・・タグ １０・・・取得装置 ２０・・・認証サーバ １００、２００・・・認証システム

Claims (10)

1. 認証システムによる認証の対象となる被認証物であって、
   相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に形成された相分離構造の一部のパターンに関する特徴を含み、前記認証システムに備える取得装置により取得される認証情報を有する認証用媒体を備える、被認証物。
2. 前記認証用媒体は、走査型電子顕微鏡により得られる前記相分離構造の一部の画像が表示された表示体である、請求項１に記載の被認証物。
3. 前記認証用媒体は、走査型電子顕微鏡により得られる前記相分離構造の一部の画像に関する画像データを含む記憶媒体である、請求項１に記載の被認証物。
4. 前記認証用媒体は、走査型電子顕微鏡により得られる前記相分離構造の一部の画像から抽出される特徴に関する特徴データを含む記憶媒体である、請求項１に記載の被認証物。
5. 前記画像は、前記基板上の前記相分離構造のうち、０．５μｍ×０．５μｍから１０μｍ×１０μｍの範囲で切り取られた画像である、請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の被認証物。
6. 前記画像は、１つの前記基板から複数得られた画像のうちの１つである、請求項２から請求項５のいずれか一項に記載の被認証物。
7. 請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の被認証物を認証するシステムであって、
   前記被認証物に備える前記認証用媒体から前記認証情報を取得する取得装置と、
   予め登録されている認証データに基づいて、前記取得装置が取得した前記認証情報の認証を行う認証サーバと、を含む、認証システム。
8. 前記認証用媒体は、走査型電子顕微鏡により得られる前記相分離構造の一部の画像が表示された表示体であり、
   前記取得装置は、前記表示体に表示された前記画像を読み取ることにより前記認証情報を取得する、請求項７に記載の認証システム。
9. 前記認証用媒体は、走査型電子顕微鏡により得られる前記相分離構造の一部の画像に関する画像データ、又は、走査型電子顕微鏡により得られる前記相分離構造の一部の画像から抽出される特徴に関する特徴データを含む記憶媒体であり、
   前記取得装置は、前記記憶媒体から前記画像データ又は前記特徴データを受け取ることにより前記認証情報を取得する、請求項７に記載の認証システム。
10. 認証システムにより認証される認証情報を有する認証用媒体の生成方法であって、
    相分離構造形成用樹脂組成物により基板上に相分離構造を形成することと、
    前記相分離構造の一部のパターンにおける画像を取得することと、
    前記画像を用いて前記認証情報を生成することと、を含む、認証用媒体の生成方法。

Images