JPWO2020153190A1 - Semiconductor module and AC / DC converter unit - Google Patents

Semiconductor module and AC / DC converter unit Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020153190A1
JPWO2020153190A1 JP2020568082A JP2020568082A JPWO2020153190A1 JP WO2020153190 A1 JPWO2020153190 A1 JP WO2020153190A1 JP 2020568082 A JP2020568082 A JP 2020568082A JP 2020568082 A JP2020568082 A JP 2020568082A JP WO2020153190 A1 JPWO2020153190 A1 JP WO2020153190A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
output
semiconductor module
module
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020568082A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7461307B2 (en
Inventor
秀喜 澤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of JPWO2020153190A1 publication Critical patent/JPWO2020153190A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7461307B2 publication Critical patent/JP7461307B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/4917—Crossed wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

半導体モジュールＡ１は、複数の半導体素子４０、複数の入出力端子３Ａ、複数の制御端子３Ｂおよび複数の半導体素子４０を覆う封止樹脂６０を有する半導体装置Ｂ１と、第１基板７と、第１基板７に固定され且つ制御端子３Ｂと接続する第１コネクタ８とを備える。第１コネクタ８は、第１基板７の厚さ方向であるｚ方向と直角であって互いに平行であるｘ方向およびｙ方向の少なくともいずれかにおいて制御端子３Ｂが相対動することを許容する。このような構成により、端子接続の容易化とより確実な導通とを図ることができる。The semiconductor module A1 includes a semiconductor device B1 having a plurality of semiconductor elements 40, a plurality of input / output terminals 3A, a plurality of control terminals 3B, and a sealing resin 60 covering the plurality of semiconductor elements 40, a first substrate 7, and a first. A first connector 8 fixed to the board 7 and connected to the control terminal 3B is provided. The first connector 8 allows the control terminal 3B to move relative to each other in at least one of the x direction and the y direction, which are perpendicular to the z direction, which is the thickness direction of the first substrate 7, and parallel to each other. With such a configuration, it is possible to facilitate terminal connection and ensure more reliable conduction.

Description

本開示は、半導体モジュールおよびＡＣ／ＤＣコンバータユニットに関する。 The present disclosure relates to semiconductor modules and AC / DC converter units.

特許文献１には、スイッチング機能を有する半導体素子を有する半導体装置を備えた半導体モジュールが開示されている。半導体素子としては、たとえばＩＧＢＴチップが採用される。このような半導体装置は、スイッチング制御の対象である電流を入出力する入出力端子と、制御信号が入力される制御端子とを有する。 Patent Document 1 discloses a semiconductor module including a semiconductor device having a semiconductor element having a switching function. As the semiconductor element, for example, an IGBT chip is adopted. Such a semiconductor device has an input / output terminal for inputting / outputting a current, which is a target of switching control, and a control terminal for inputting a control signal.

特開２０００−２９９４１９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-299419

半導体モジュールを構成する基板等と、入出力端子や制御端子との接続は、半導体モジュールの特性や製造効率に影響を及ぼす。 The connection between the substrate or the like constituting the semiconductor module and the input / output terminals and control terminals affects the characteristics and manufacturing efficiency of the semiconductor module.

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、端子接続の容易化とより確実な導通とを図ることが可能な半導体モジュールおよびＡＣ／ＤＣコンバータユニットを提供することをその課題とする。 The present disclosure has been conceived under the above circumstances, and provides a semiconductor module and an AC / DC converter unit capable of facilitating terminal connection and ensuring more reliable conduction. That is the issue.

本開示の第１の側面によって提供される半導体モジュールは、複数の半導体素子、複数の入出力端子、複数の制御端子および前記複数の半導体素子を覆う封止樹脂を有する半導体装置と、第１基板と、前記第１基板に固定され且つ前記制御端子と接続する第１コネクタとを備え、前記第１コネクタは、前記第１基板の厚さ方向と直角であって互いに平行である第１方向および第２方向の少なくともいずれかにおいて前記制御端子が相対動することを許容する。 The semiconductor module provided by the first aspect of the present disclosure includes a semiconductor device having a plurality of semiconductor elements, a plurality of input / output terminals, a plurality of control terminals, and a sealing resin covering the plurality of semiconductor elements, and a first substrate. And a first connector fixed to the first board and connected to the control terminal, the first connector being perpendicular to the thickness direction of the first board and parallel to each other in the first direction and It allows the control terminals to move relative to each other in at least one of the second directions.

本開示の第２の側面によって提供されるＡＣ／ＤＣコンバータユニットは、交流電力が入力される入力モジュールと、本開示の第１の側面によって提供される半導体モジュールからなり、前記入力モジュールから出力された交流電流が入力され、且つ直流電流を出力する第１半導体モジュールと、本開示の第１の側面によって提供される半導体モジュールからなり、前記第１半導体モジュールから出力された直流電力が入力され、且つ直流電力を出力する第２半導体モジュールと、前記第２半導体モジュールから出力された直流電力が入力され、且つ直流電力を出力する出力モジュールと、を備え、前記第１半導体モジュールの第１半導体装置の前記複数の入出力端子に含まれる出力端子と、前記第２半導体モジュールの第２半導体装置の前記複数の入出力端子に含まれる入力端子とは、第１固定手段によって直接接続されている。 The AC / DC converter unit provided by the second aspect of the present disclosure comprises an input module to which AC power is input and a semiconductor module provided by the first aspect of the present disclosure, and is output from the input module. It is composed of a first semiconductor module to which an AC current is input and a DC current is output, and a semiconductor module provided by the first aspect of the present disclosure, and a DC power output from the first semiconductor module is input. A second semiconductor module that outputs DC power and an output module that receives DC power output from the second semiconductor module and outputs DC power are provided, and the first semiconductor device of the first semiconductor module is provided. The output terminal included in the plurality of input / output terminals and the input terminal included in the plurality of input / output terminals of the second semiconductor device of the second semiconductor module are directly connected by the first fixing means.

本開示の半導体モジュールによれば、端子接続の容易化とより確実な導通とを図ることができる。 According to the semiconductor module of the present disclosure, it is possible to facilitate terminal connection and ensure more reliable conduction.

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present disclosure will be more apparent by the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールを示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールを示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールを示す底面図である。It is a bottom view which shows the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールを示す正面図である。It is a front view which shows the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールを示す側面図である。It is a side view which shows the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図４のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG. 図４のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IX-IX line of FIG. 図４のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールの半導体装置を示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor device of the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。11 is a cross-sectional view taken along the line XII-XII of FIG. 図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。11 is a cross-sectional view taken along the line XIII-XIII of FIG. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールの半導体装置を示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows the semiconductor device of the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う要部拡大断面図である。It is an enlarged sectional view of the main part along the XV-XV line of FIG. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールの半導体装置を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the semiconductor device of the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールの変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the semiconductor module which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 半導体装置の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the semiconductor device. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットを示す平面図である。It is a top view which shows the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットを示す要部平面図である。It is a main part plan view which shows the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの半導体モジュールを示す正面図である。It is a front view which shows the semiconductor module of the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図２１のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う要部断面図である。It is sectional drawing of the main part along the line XXIII-XXIII of FIG. 図２１のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う要部断面図である。It is sectional drawing of the main part along the XXIV-XXIV line of FIG. 図２１のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿う要部断面図である。It is sectional drawing of the main part along the XXV-XXV line of FIG. 図２１のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線に沿う要部断面図である。It is sectional drawing of the main part along the XXVI-XXVI line of FIG. 21. 図２０のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。20 is a cross-sectional view taken along the line XXVII-XXVII of FIG. 図２０のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。20 is a cross-sectional view taken along the line XXVIII-XXVIII of FIG. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの第１変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 1st modification of the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの第２変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 2nd modification of the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの第３変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 3rd modification of the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの第３変形例の第３半導体装置の入力端子を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows the input terminal of the 3rd semiconductor device of the 3rd modification of the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの第３変形例の第３半導体装置の出力端子を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows the output terminal of the 3rd semiconductor device of the 3rd modification of the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの第４変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 4th modification of the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの第５変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 5th modification of the AC / DC converter unit which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第２実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットを示す平面図である。It is a top view which shows the AC / DC converter unit which concerns on 2nd Embodiment of this disclosure. 本開示の第２実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットを示す要部平面図である。It is a main part plan view which shows the AC / DC converter unit which concerns on 2nd Embodiment of this disclosure. 図３７のＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line XXXVIII-XXXVIII of FIG. 37. 図３７のＸＸＸＩＸ−ＸＸＸＩＸ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line XXXIX-XXXIX of FIG. 37. 図３７のＸＬ−ＸＬ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XL-XL line of FIG. 図３７のＸＬＩ−ＸＬＩ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line XLI-XLI of FIG. 37. 図３７のＸＬＩＩ−ＸＬＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line XLII-XLII of FIG. 37. 本開示の第２実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの第１変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 1st modification of the AC / DC converter unit which concerns on 2nd Embodiment of this disclosure. 本開示の第２実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットの第２変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 2nd modification of the AC / DC converter unit which concerns on 2nd Embodiment of this disclosure. 本開示の第３実施形態に係る半導体モジュールを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor module which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure. 本開示の第３実施形態に係る半導体モジュールを示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor module which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure. 本開示の第３実施形態に係る半導体モジュールを示す正面図である。It is a front view which shows the semiconductor module which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure. 本開示の第３実施形態に係る半導体モジュールの変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of the semiconductor module which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure. 本開示の第３実施形態に係る半導体モジュールの変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the semiconductor module which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure. 本開示の第３実施形態に係る半導体モジュールの変形例を示す正面図である。It is a front view which shows the modification of the semiconductor module which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure.

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present disclosure will be specifically described with reference to the drawings.

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。 Terms such as "first," "second," and "third" in the present disclosure are used merely as labels and are not necessarily intended to permutate those objects.

〔第１実施形態 半導体モジュールＡ１〕
図１〜図１６は、本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールを示している。本実施形態の半導体モジュールＡ１は、半導体装置Ｂ１、第１基板７、複数の電子部品７００、複数の接続端子７６および複数の第１コネクタ８を備えている。[First Embodiment Semiconductor Module A1]
1 to 16 show a semiconductor module according to the first embodiment of the present disclosure. The semiconductor module A1 of the present embodiment includes a semiconductor device B1, a first substrate 7, a plurality of electronic components 700, a plurality of connection terminals 76, and a plurality of first connectors 8.

図１は、半導体モジュールＡ１を示す分解斜視図である。図２は、半導体モジュールＡ１を示す斜視図である。図３は、半導体モジュールＡ１を示す斜視図である。図４は、半導体モジュールＡ１を示す平面図である。図５は、半導体モジュールＡ１を示す底面図である。図６は、半導体モジュールＡ１を示す正面図である。図７は、半導体モジュールＡ１を示す側面図である。図８は、図４のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図４のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図４のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、半導体モジュールＡ１の半導体装置Ｂ１を示す平面図である。図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図１４は、半導体モジュールＡ１の半導体装置Ｂ１を示す要部拡大平面図である。図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う要部拡大断面図である。図１６は、半導体モジュールＡ１の半導体装置Ｂ１を示す回路図である。 FIG. 1 is an exploded perspective view showing the semiconductor module A1. FIG. 2 is a perspective view showing the semiconductor module A1. FIG. 3 is a perspective view showing the semiconductor module A1. FIG. 4 is a plan view showing the semiconductor module A1. FIG. 5 is a bottom view showing the semiconductor module A1. FIG. 6 is a front view showing the semiconductor module A1. FIG. 7 is a side view showing the semiconductor module A1. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line IX-IX of FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. FIG. 11 is a plan view showing the semiconductor device B1 of the semiconductor module A1. FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line XII-XII of FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line XIII-XIII of FIG. FIG. 14 is an enlarged plan view of a main part showing the semiconductor device B1 of the semiconductor module A1. FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of a main part along the XV-XV line of FIG. FIG. 16 is a circuit diagram showing a semiconductor device B1 of the semiconductor module A1.

＜半導体装置Ｂ１＞
以下、半導体モジュールＡ１を構成する半導体装置Ｂ１について説明する。図１１に示す半導体装置Ｂ１は、ＭＯＳＦＥＴなどの複数のスイッチング素子を搭載した電力変換装置である。半導体装置Ｂ１は、モータなどの駆動源や、様々な電気製品のインバータ装置に用いられる。半導体装置Ｂ１は、基材１０、導電部材２０、補助導電部材２１、複数の入出力端子３Ａ、複数の制御端子３Ｂ、複数の半導体素子４０、および封止樹脂６０を備える。複数の半導体素子４０は、第１スイッチング素子４０Ａおよび第２スイッチング素子４０Ｂを含む。<Semiconductor device B1>
Hereinafter, the semiconductor device B1 constituting the semiconductor module A1 will be described. The semiconductor device B1 shown in FIG. 11 is a power conversion device equipped with a plurality of switching elements such as MOSFETs. The semiconductor device B1 is used as a drive source such as a motor or an inverter device for various electric products. The semiconductor device B1 includes a base material 10, a conductive member 20, an auxiliary conductive member 21, a plurality of input / output terminals 3A, a plurality of control terminals 3B, a plurality of semiconductor elements 40, and a sealing resin 60. The plurality of semiconductor elements 40 include a first switching element 40A and a second switching element 40B.

本実施形態の説明においては、便宜上、後述の第１基板７の厚さ方向を「ｚ方向」と呼ぶ。本実施形態の説明においては、基材１０の厚さ方向がｚ方向と一致する。ｚ方向に対して直角の方向であるｘ方向は、第１方向に相当する。ｘ方向およびｚ方向に対して直角の方向であるｙ方向は、第２方向に相当する。半導体装置Ｂ１は、ｚ方向から視て、すなわち平面視において矩形状である。ｙ方向は、半導体装置Ｂ１の短手方向に対応する。ｘ方向は、半導体装置Ｂ１の長手方向に対応する。また、半導体装置Ｂ１の説明においては、便宜上、ｙ方向のうち一対の入力端子３１が位置する側を「ｙ方向の一方側」と呼ぶ。ｙ方向のうち一対の出力端子３２が位置する側を「ｙ方向の他方側」と呼ぶ。 In the description of this embodiment, for convenience, the thickness direction of the first substrate 7 described later is referred to as "z direction". In the description of this embodiment, the thickness direction of the base material 10 coincides with the z direction. The x direction, which is a direction perpendicular to the z direction, corresponds to the first direction. The y direction, which is a direction perpendicular to the x direction and the z direction, corresponds to the second direction. The semiconductor device B1 has a rectangular shape when viewed from the z direction, that is, in a plan view. The y direction corresponds to the lateral direction of the semiconductor device B1. The x direction corresponds to the longitudinal direction of the semiconductor device B1. Further, in the description of the semiconductor device B1, for convenience, the side in the y direction in which the pair of input terminals 31 are located is referred to as "one side in the y direction". The side of the y direction in which the pair of output terminals 32 are located is referred to as "the other side in the y direction".

基材１０は、図１１、図１２および図１３に示すように、導電部材２０が配置されている。基材１０は、導電部材２０および複数の半導体素子４０の支持部材をなす。基材１０は、電気絶縁性を有する。基材１０の構成材料は、熱伝導性に優れたセラミックスである。このようなセラミックスとして、たとえば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が挙げられる。基材１０は、第１主面１１Ａおよび第１裏面１２Ａを有する。第１主面１１Ａおよび第１裏面１２Ａは、ｚ方向において互いに反対側を向く。第１主面１１Ａは、ｚ方向のうち導電部材２０が配置される側を向く。第１主面１１Ａは、導電部材２０および複数の半導体素子４０とともに封止樹脂６０に覆われている。図５に示すように、第１裏面１２Ａは、封止樹脂６０の樹脂裏面６２から露出している。 As shown in FIGS. 11, 12, and 13, a conductive member 20 is arranged on the base material 10. The base material 10 forms a support member for the conductive member 20 and the plurality of semiconductor elements 40. The base material 10 has electrical insulation. The constituent material of the base material 10 is ceramics having excellent thermal conductivity. Examples of such ceramics include aluminum nitride (AlN). The base material 10 has a first main surface 11A and a first back surface 12A. The first main surface 11A and the first back surface 12A face opposite to each other in the z direction. The first main surface 11A faces the side in the z direction in which the conductive member 20 is arranged. The first main surface 11A is covered with the sealing resin 60 together with the conductive member 20 and the plurality of semiconductor elements 40. As shown in FIG. 5, the first back surface 12A is exposed from the resin back surface 62 of the sealing resin 60.

導電部材２０は、図１１、図１２および図１３に示すように、基材１０の第１主面１１Ａに配置されている。導電部材２０は、補助導電部材２１、一対の入力端子３１および一対の出力端子３２とともに、複数の半導体素子４０と、半導体装置Ｂ１に実装される配線基板との導電経路を構成している。導電部材２０は、金属板である。当該金属板の構成材料は、銅（Ｃｕ）または銅合金である。導電部材２０は、たとえば銀（Ａｇ）ペーストのような接合材（図示略）により第１主面１１Ａに接合されている。導電部材２０の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。なお、導電部材２０は、金属板に替えて、銅箔などの金属箔でもよい。 As shown in FIGS. 11, 12, and 13, the conductive member 20 is arranged on the first main surface 11A of the base material 10. The conductive member 20 constitutes a conductive path between a plurality of semiconductor elements 40 and a wiring substrate mounted on the semiconductor device B1, together with an auxiliary conductive member 21, a pair of input terminals 31, and a pair of output terminals 32. The conductive member 20 is a metal plate. The constituent material of the metal plate is copper (Cu) or a copper alloy. The conductive member 20 is bonded to the first main surface 11A by a bonding material (not shown) such as silver (Ag) paste. The surface of the conductive member 20 may be plated with silver, for example. The conductive member 20 may be a metal foil such as a copper foil instead of the metal plate.

図１１に示すように、半導体装置Ｂ１が示す例においては、導電部材２０は、第１導電部２０Ａおよび一対の第２導電部２０Ｂを含む。なお、導電部材２０の構成は本実施形態に限定されず、半導体装置Ｂ１に要求される性能に応じて設定された複数の半導体素子４０の個数に基づき、自在に設定可能である。 As shown in FIG. 11, in the example shown by the semiconductor device B1, the conductive member 20 includes a first conductive portion 20A and a pair of second conductive portions 20B. The configuration of the conductive member 20 is not limited to this embodiment, and can be freely set based on the number of a plurality of semiconductor elements 40 set according to the performance required for the semiconductor device B1.

図１１に示すように第１導電部２０Ａは、第１主面１１Ａにおいてｙ方向の一方側に位置する。ｚ方向から視て、一対の第１導電部２０Ａは矩形状である。第１導電部２０Ａの表面には、一対の第１スイッチング素子４０Ａが電気的に接合されている。 As shown in FIG. 11, the first conductive portion 20A is located on one side in the y direction on the first main surface 11A. When viewed from the z direction, the pair of first conductive portions 20A have a rectangular shape. A pair of first switching elements 40A are electrically bonded to the surface of the first conductive portion 20A.

図１１に示すように、一対の第２導電部２０Ｂは、第１主面１１Ａにおいてｙ方向の他方側に位置する。第１導電部２０Ａおよび一対の第２導電部２０Ｂは、ｙ方向において互いに離間している。ｚ方向から視て、第２導電部２０Ｂは矩形状である。一対の第２導電部２０Ｂは、ｘ方向において互いに離間している。一対の第２導電部２０Ｂの各々の表面には、第２スイッチング素子４０Ｂが電気的に接合されている。 As shown in FIG. 11, the pair of second conductive portions 20B are located on the other side in the y direction on the first main surface 11A. The first conductive portion 20A and the pair of second conductive portions 20B are separated from each other in the y direction. When viewed from the z direction, the second conductive portion 20B has a rectangular shape. The pair of second conductive portions 20B are separated from each other in the x direction. A second switching element 40B is electrically bonded to each surface of the pair of second conductive portions 20B.

一対の補助導電部材２１は、図１１および図１３に示すように、基材１０の第１主面１１Ａに配置されている。一対の補助導電部材２１は、第１主面１１Ａにおいてｙ方向の一方側に、かつｘ方向において第１導電部２０Ａを挟んで離間配置されている。ｚ方向から視て、補助導電部材２１は矩形状である。補助導電部材２１は、金属板である。補助導電部材２１の構成材料は、導電部材２０の構成材料と同一である。補助導電部材２１は、たとえば銀（Ａｇ）ペーストのような接合材（図示略）により第１主面１１Ａに接合されている。補助導電部材２１の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。なお、補助導電部材２１は、金属板に替えて、銅箔などの金属箔でもよい。 As shown in FIGS. 11 and 13, the pair of auxiliary conductive members 21 are arranged on the first main surface 11A of the base material 10. The pair of auxiliary conductive members 21 are arranged apart from each other on one side of the first main surface 11A in the y direction and sandwiching the first conductive portion 20A in the x direction. When viewed from the z direction, the auxiliary conductive member 21 has a rectangular shape. The auxiliary conductive member 21 is a metal plate. The constituent material of the auxiliary conductive member 21 is the same as the constituent material of the conductive member 20. The auxiliary conductive member 21 is bonded to the first main surface 11A by a bonding material (not shown) such as silver (Ag) paste. The surface of the auxiliary conductive member 21 may be plated with silver, for example. The auxiliary conductive member 21 may be a metal foil such as a copper foil instead of the metal plate.

図１１および図１３に示すように、半導体装置Ｂ１は、連結導電部材２９をさらに備える。連結導電部材２９は、ｘ方向に沿って、かつ第１導電部２０Ａを跨いだ状態で一対の補助導電部材２１の表面に接続されている。これにより、一対の補助導電部材２１は、連結導電部材２９を介して相互に導通している。連結導電部材２９は、複数のワイヤから構成される。当該ワイヤの構成材料は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）である。なお、連結導電部材２９は、複数のワイヤに替えて、銅などから構成され、かつｚ方向から視てｘ方向に延びる金属片でもよい。 As shown in FIGS. 11 and 13, the semiconductor device B1 further includes a connecting conductive member 29. The connecting conductive member 29 is connected to the surface of the pair of auxiliary conductive members 21 along the x direction and straddling the first conductive portion 20A. As a result, the pair of auxiliary conductive members 21 are electrically connected to each other via the connecting conductive member 29. The connecting conductive member 29 is composed of a plurality of wires. The constituent material of the wire is, for example, aluminum (Al). The connecting conductive member 29 may be a metal piece made of copper or the like and extending in the x direction when viewed from the z direction, instead of the plurality of wires.

複数の入出力端子３Ａは、一対の入力端子３１および一対の出力端子３２を含む。複数の入出力端子３Ａは、半導体装置Ｂ１のスイッチングの対象である主電流が入出力される端子である。一対の入力端子３１は、図１１に示すように、半導体装置Ｂ１においてｙ方向の一方側に位置する。一対の入力端子３１は、ｘ方向において互いに離間している。一対の入力端子３１には、外部からの直流電源が供給される。半導体装置Ｂ１においては、一対の入力端子３１は、一対の出力端子３２、複数の制御端子３Ｂとともに、同一のリードフレームから構成される。当該リードフレームの構成材料は、銅または銅合金である。一対の入力端子３１は、入力端子３１Ａおよび入力端子３１Ｂを含む。入力端子３１Ａおよび入力端子３１Ｂの各々は、パッド部３１１および端子部３１２を有する。 The plurality of input / output terminals 3A include a pair of input terminals 31 and a pair of output terminals 32. The plurality of input / output terminals 3A are terminals to which the main current, which is the target of switching of the semiconductor device B1, is input / output. As shown in FIG. 11, the pair of input terminals 31 are located on one side in the y direction in the semiconductor device B1. The pair of input terminals 31 are separated from each other in the x direction. A DC power supply from the outside is supplied to the pair of input terminals 31. In the semiconductor device B1, the pair of input terminals 31 is composed of the same lead frame together with the pair of output terminals 32 and the plurality of control terminals 3B. The constituent material of the lead frame is copper or a copper alloy. The pair of input terminals 31 includes an input terminal 31A and an input terminal 31B. Each of the input terminal 31A and the input terminal 31B has a pad portion 311 and a terminal portion 312.

図１１に示すように、パッド部３１１は、ｚ方向から視て基材１０に対して離間しており、かつ封止樹脂６０に覆われている。これにより、一対の入力端子３１は、封止樹脂６０に支持されている。パッド部３１１の表面には、第１接続ワイヤ５１が接続されている。第１接続ワイヤ５１の構成材料は、たとえばアルミニウムである。なお、パッド部３１１の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。 As shown in FIG. 11, the pad portion 311 is separated from the base material 10 when viewed from the z direction, and is covered with the sealing resin 60. As a result, the pair of input terminals 31 are supported by the sealing resin 60. A first connection wire 51 is connected to the surface of the pad portion 311. The constituent material of the first connecting wire 51 is, for example, aluminum. The surface of the pad portion 311 may be plated with silver, for example.

入力端子３１Ａは、一対の入力端子３１の正極（Ｐ端子）をなしている。図１１および図１２に示すように、入力端子３１Ａのパッド部３１１の表面に接続された第１接続ワイヤ５１は、第１導電部２０Ａの表面に接続されている。これにより、入力端子３１Ａは、第１導電部２０Ａに導通している。 The input terminal 31A forms a positive electrode (P terminal) of a pair of input terminals 31. As shown in FIGS. 11 and 12, the first connection wire 51 connected to the surface of the pad portion 311 of the input terminal 31A is connected to the surface of the first conductive portion 20A. As a result, the input terminal 31A is electrically connected to the first conductive portion 20A.

入力端子３１Ｂは、一対の入力端子３１の負極（Ｎ端子）をなしている。図１１に示すように、入力端子３１Ｂのパッド部３１１の表面に接続された第１接続ワイヤ５１は、一方の補助導電部材２１の表面に接続されている。これにより、入力端子３１Ｂは、一対の補助導電部材２１に導通している。 The input terminal 31B forms a negative electrode (N terminal) of a pair of input terminals 31. As shown in FIG. 11, the first connection wire 51 connected to the surface of the pad portion 311 of the input terminal 31B is connected to the surface of one of the auxiliary conductive members 21. As a result, the input terminal 31B is conductive to the pair of auxiliary conductive members 21.

図１１に示すように、端子部３１２は、パッド部３１１につながり、かつ封止樹脂６０から露出している。端子部３１２は、半導体装置Ｂ１を配線基板に実装する際に用いられる。端子部３１２は、基部３１２Ａおよび起立部３１２Ｂを有する。基部３１２Ａは、パッド部３１１につながり、かつｙ方向の一方側に位置する封止樹脂６０の樹脂第１側面６３１（詳細は後述）からｙ方向に延びている。図６に示すように、起立部３１２Ｂは、基部３１２Ａのｙ方向における先端から、ｚ方向の基材１０の第１主面１１Ａが向く側に向けて延びている。これにより、図７〜図１２に示すように、ｘ方向から視て、端子部３１２はＬ字状をなしている。 As shown in FIG. 11, the terminal portion 312 is connected to the pad portion 311 and is exposed from the sealing resin 60. The terminal portion 312 is used when the semiconductor device B1 is mounted on the wiring board. The terminal portion 312 has a base portion 312A and an upright portion 312B. The base portion 312A is connected to the pad portion 311 and extends in the y direction from the resin first side surface 631 (details will be described later) of the sealing resin 60 located on one side in the y direction. As shown in FIG. 6, the upright portion 312B extends from the tip of the base portion 312A in the y direction toward the side facing the first main surface 11A of the base material 10 in the z direction. As a result, as shown in FIGS. 7 to 12, the terminal portion 312 has an L-shape when viewed from the x direction.

一対の出力端子３２は、図１１に示すように、半導体装置Ｂ１においてｙ方向の他方側に位置する。一対の出力端子３２は、ｘ方向において互いに離間している。一対の出力端子３２から、複数の半導体素子４０により電力変換された交流電力（電圧）が出力される。一対の出力端子３２の各々は、パッド部３２１および端子部３２２を有する。なお、出力端子３２の本数は本実施形態に限定されず、半導体装置Ｂ１に要求される性能に応じて自在に設定可能である。 As shown in FIG. 11, the pair of output terminals 32 are located on the other side in the y direction in the semiconductor device B1. The pair of output terminals 32 are separated from each other in the x direction. AC power (voltage) converted into power by a plurality of semiconductor elements 40 is output from the pair of output terminals 32. Each of the pair of output terminals 32 has a pad portion 321 and a terminal portion 322. The number of output terminals 32 is not limited to this embodiment, and can be freely set according to the performance required for the semiconductor device B1.

図１１に示すように、パッド部３２１は、ｚ方向から視て基材１０に対して離間しており、かつ封止樹脂６０に覆われている。これにより、一対の出力端子３２は、封止樹脂６０に支持されている。パッド部３２１の表面には、第２接続ワイヤ５２が接続されている。第２接続ワイヤ５２の構成材料は、たとえばアルミニウムである。なお、パッド部３２１の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。図１１に示すように、一対のパッド部３２１の表面に接続された複数の第２接続ワイヤ５２は、一対の第２導電部２０Ｂの表面に接続されている。これにより、一対の出力端子３２は、一対の第２導電部２０Ｂに導通している。 As shown in FIG. 11, the pad portion 321 is separated from the base material 10 when viewed from the z direction, and is covered with the sealing resin 60. As a result, the pair of output terminals 32 are supported by the sealing resin 60. A second connecting wire 52 is connected to the surface of the pad portion 321. The constituent material of the second connecting wire 52 is, for example, aluminum. The surface of the pad portion 321 may be plated with silver, for example. As shown in FIG. 11, the plurality of second connecting wires 52 connected to the surface of the pair of pad portions 321 are connected to the surface of the pair of second conductive portions 20B. As a result, the pair of output terminals 32 are electrically connected to the pair of second conductive portions 20B.

図１１に示すように、端子部３２２は、パッド部３２１につながり、かつ封止樹脂６０から露出している。端子部３２２は、半導体装置Ｂ１を配線基板に実装する際に用いられる。端子部３２２は、基部３２２Ａおよび起立部３２２Ｂを有する。基部３２２Ａは、パッド部３２１につながり、かつｙ方向の他方側に位置する封止樹脂６０の樹脂第１側面６３１（詳細は後述）からｙ方向に延びている。図７〜図１２に示すように、起立部３２２Ｂは、基部３２２Ａのｙ方向における先端から、ｚ方向の基材１０の第１主面１１Ａが向く側に向けて延びている。これにより、ｘ方向から視て、端子部３２２はＬ字状をなしている。なお、端子部３２２の形状は、一対の入力端子３１の端子部３１２の形状と同一である。 As shown in FIG. 11, the terminal portion 322 is connected to the pad portion 321 and is exposed from the sealing resin 60. The terminal portion 322 is used when the semiconductor device B1 is mounted on the wiring board. The terminal portion 322 has a base portion 322A and an upright portion 322B. The base portion 322A is connected to the pad portion 321 and extends in the y direction from the resin first side surface 631 (details will be described later) of the sealing resin 60 located on the other side in the y direction. As shown in FIGS. 7 to 12, the upright portion 322B extends from the tip of the base portion 322A in the y direction toward the side facing the first main surface 11A of the base material 10 in the z direction. As a result, the terminal portion 322 has an L shape when viewed from the x direction. The shape of the terminal portion 322 is the same as the shape of the terminal portion 312 of the pair of input terminals 31.

複数の半導体素子４０は、図１１および図１２に示すように、導電部材２０のうち、第１導電部２０Ａおよび一対の第２導電部２０Ｂに電気的に接合されている。複数の半導体素子４０は、ｚ方向から視て矩形状（半導体装置Ｂ１では正方形状）である。半導体装置Ｂ１が示す例においては、複数の半導体素子４０は、一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂを含む。なお、複数の半導体素子４０の個数は本実施形態に限定されず、半導体装置Ｂ１に要求される性能に応じて自在に設定可能である。一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を主とする半導体材料を用いて構成されたＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。なお、一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂは、ＭＯＳＦＥＴに限らずＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor）を含む電界効果トランジスタや、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のようなバイポーラトランジスタでもよい。さらには、複数の半導体素子４０は、スイッチング素子のみならず、ショットキーバリアダイオードのような整流素子でもよい。半導体装置Ｂ１の説明においては、複数の半導体素子４０は、一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂを含み、かつこれらがｎチャンネル型のＭＯＳＦＥＴである場合を対象とする。 As shown in FIGS. 11 and 12, the plurality of semiconductor elements 40 are electrically bonded to the first conductive portion 20A and the pair of second conductive portions 20B of the conductive member 20. The plurality of semiconductor elements 40 have a rectangular shape (square shape in the semiconductor device B1) when viewed from the z direction. In the example shown by the semiconductor device B1, the plurality of semiconductor elements 40 include a pair of first switching elements 40A and a pair of second switching elements 40B. The number of the plurality of semiconductor elements 40 is not limited to this embodiment, and can be freely set according to the performance required for the semiconductor device B1. The pair of first switching elements 40A and the pair of second switching elements 40B are MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) configured by using a semiconductor material mainly composed of silicon carbide (SiC). The pair of first switching elements 40A and the pair of second switching elements 40B are not limited to MOSFETs, but are field effect transistors including MISFETs (Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors) and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors). It may be a bipolar transistor such as. Further, the plurality of semiconductor elements 40 may be not only a switching element but also a rectifying element such as a Schottky barrier diode. In the description of the semiconductor device B1, the plurality of semiconductor elements 40 include a pair of first switching elements 40A and a pair of second switching elements 40B, and these are n-channel MOSFETs.

図１４および図１５に示すように、一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂの各々は、素子主面４０１、素子裏面４０２、主面電極４１、裏面電極４２、ゲート電極４３および絶縁膜４４を有する。素子主面４０１および素子裏面４０２は、ｚ方向において互いに反対側を向く。このうち素子主面４０１は、基材１０の第１主面１１Ａが向く側を向く。 As shown in FIGS. 14 and 15, each of the pair of first switching elements 40A and the pair of second switching elements 40B has an element main surface 401, an element back surface 402, a main surface electrode 41, a back surface electrode 42, and a gate electrode 43. And has an insulating film 44. The element main surface 401 and the element back surface 402 face opposite to each other in the z direction. Of these, the element main surface 401 faces the side facing the first main surface 11A of the base material 10.

図１４および図１５に示すように、主面電極４１は、素子主面４０１に設けられている。主面電極４１には、ソース電流が流れる。半導体装置Ｂ１が示す例においては、主面電極４１は、４つの領域に分割されている。 As shown in FIGS. 14 and 15, the main surface electrode 41 is provided on the element main surface 401. A source current flows through the main surface electrode 41. In the example shown by the semiconductor device B1, the main surface electrode 41 is divided into four regions.

図１４に示すように、第１スイッチング素子４０Ａの主面電極４１においては、分割された４つの領域の各々に第１ワイヤ５０１が接続されている。第１ワイヤ５０１の構成材料は、たとえばアルミニウムである。一対の第１スイッチング素子４０Ａの主面電極４１に接続された複数の第１ワイヤ５０１は、一対の第２導電部２０Ｂの表面に接続されている。これにより、一対の第１スイッチング素子４０Ａの主面電極４１は、一対の第２導電部２０Ｂに個別に導通している。 As shown in FIG. 14, in the main surface electrode 41 of the first switching element 40A, the first wire 501 is connected to each of the four divided regions. The constituent material of the first wire 501 is, for example, aluminum. A plurality of first wires 501 connected to the main surface electrodes 41 of the pair of first switching elements 40A are connected to the surface of the pair of second conductive portions 20B. As a result, the main surface electrodes 41 of the pair of first switching elements 40A are individually conductive to the pair of second conductive portions 20B.

図１４に示すように、第２スイッチング素子４０Ｂの主面電極４１においては、分割された４つの領域の各々に第２ワイヤ５０２が接続されている。第２ワイヤ５０２の構成材料は、たとえばアルミニウムである。一対の第２スイッチング素子４０Ｂの主面電極４１に接続された複数の第２ワイヤ５０２は、一対の補助導電部材２１の表面に個別に接続されている。これにより、一対の第２スイッチング素子４０Ｂの主面電極４１は、一対の補助導電部材２１に個別に導通している。したがって、入力端子３１Ｂは、補助導電部材２１を介して一対の第２スイッチング素子４０Ｂに導通している。 As shown in FIG. 14, in the main surface electrode 41 of the second switching element 40B, the second wire 502 is connected to each of the four divided regions. The constituent material of the second wire 502 is, for example, aluminum. The plurality of second wires 502 connected to the main surface electrodes 41 of the pair of second switching elements 40B are individually connected to the surface of the pair of auxiliary conductive members 21. As a result, the main surface electrodes 41 of the pair of second switching elements 40B are individually conducted to the pair of auxiliary conductive members 21. Therefore, the input terminal 31B is conductive to the pair of second switching elements 40B via the auxiliary conductive member 21.

図１５に示すように、裏面電極４２は、素子裏面４０２の全体にわたって設けられている。裏面電極４２にはドレイン電流が流れる。図１５に示すように、第１スイッチング素子４０Ａの裏面電極４２は、導電性を有する導電接合層４９により第１導電部２０Ａの表面に電気的に接合されている。導電接合層４９の構成材料は、たとえば錫（Ｓｎ）を主成分とする鉛フリーはんだである。これにより、一対の第１スイッチング素子４０Ａの裏面電極４２は、一対の第１導電部２０Ａに導通している。第１スイッチング素子４０Ａの裏面電極４２と同様に、第２スイッチング素子４０Ｂの裏面電極４２は、導電接合層４９により第２導電部２０Ｂの表面に電気的に接合されている。これにより、一対の第２スイッチング素子４０Ｂの裏面電極４２は、一対の第２導電部２０Ｂに導通している。 As shown in FIG. 15, the back surface electrode 42 is provided over the entire back surface 402 of the element. A drain current flows through the back electrode 42. As shown in FIG. 15, the back surface electrode 42 of the first switching element 40A is electrically bonded to the surface of the first conductive portion 20A by the conductive bonding layer 49 having conductivity. The constituent material of the conductive bonding layer 49 is, for example, a lead-free solder containing tin (Sn) as a main component. As a result, the back surface electrodes 42 of the pair of first switching elements 40A are conducting to the pair of first conductive portions 20A. Similar to the back surface electrode 42 of the first switching element 40A, the back surface electrode 42 of the second switching element 40B is electrically bonded to the surface of the second conductive portion 20B by the conductive bonding layer 49. As a result, the back surface electrodes 42 of the pair of second switching elements 40B are conductive to the pair of second conductive portions 20B.

図１４に示すように、ゲート電極４３は、素子主面４０１に設けられている。ゲート電極４３には、一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂの各々を駆動させるためのゲート電圧が印加される。ゲート電極４３の大きさは、主面電極４１の大きさよりも小とされている。 As shown in FIG. 14, the gate electrode 43 is provided on the element main surface 401. A gate voltage for driving each of the pair of first switching elements 40A and the pair of second switching elements 40B is applied to the gate electrode 43. The size of the gate electrode 43 is smaller than the size of the main surface electrode 41.

図１４および図１５に示すように、絶縁膜４４は、素子主面４０１に設けられている。絶縁膜４４は、電気絶縁性を有する。絶縁膜４４は、ｚ方向から視て主面電極４１を囲んでいる。絶縁膜４４は、たとえば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）層、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）層、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）層が素子主面４０１からこの順番で積層されたものである。なお、絶縁膜４４においては、当該ポリベンゾオキサゾール層に代えてポリイミド層でもよい。As shown in FIGS. 14 and 15, the insulating film 44 is provided on the element main surface 401. The insulating film 44 has an electrical insulating property. The insulating film 44 surrounds the main surface electrode 41 when viewed from the z direction. Insulating film 44, for example, silicon dioxide (SiO 2) layer, a silicon nitride (Si 3 N 4) layer, polybenzoxazole (PBO) layers are those which are laminated in this order from the element main surface 401. In the insulating film 44, a polyimide layer may be used instead of the polybenzoxazole layer.

複数の制御端子３Ｂは、図１１に示すように、複数のゲート端子３３および複数の検出端子３４を含む。本実施形態においては、複数の制御端子３Ｂは、半導体装置Ｂ１のｙ方向両側に分かれて配置されている。複数のゲート端子３３は、図１１に示すように、半導体装置Ｂ１においてｙ方向の両側に位置する。複数のゲート端子３３は、一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂの個数に対応して配置されている。複数のゲート端子３３の各々には、それが対応する一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂのいずれかを駆動させるためのゲート電圧が印加される。複数のゲート端子３３の各々は、パッド部３３１および端子部３３２を有する。 As shown in FIG. 11, the plurality of control terminals 3B include a plurality of gate terminals 33 and a plurality of detection terminals 34. In the present embodiment, the plurality of control terminals 3B are arranged separately on both sides of the semiconductor device B1 in the y direction. As shown in FIG. 11, the plurality of gate terminals 33 are located on both sides of the semiconductor device B1 in the y direction. The plurality of gate terminals 33 are arranged corresponding to the number of the pair of first switching elements 40A and the pair of second switching elements 40B. A gate voltage is applied to each of the plurality of gate terminals 33 to drive one of the pair of first switching elements 40A and the pair of second switching elements 40B corresponding to the gate terminals 33. Each of the plurality of gate terminals 33 has a pad portion 331 and a terminal portion 332.

図１１に示すように、パッド部３３１は、ｚ方向から視て基材１０に対して離間しており、かつ封止樹脂６０に覆われている。これにより、複数のゲート端子３３は、封止樹脂６０に支持されている。パッド部３３１の表面には、ゲートワイヤ５０３が接続されている。ゲートワイヤ５０３の構成材料は、たとえばアルミニウムである。なお、パッド部３３１の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。図１１および図１４に示すように、複数のパッド部３３１の表面に接続された複数のゲートワイヤ５０３の各々は、対応する一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂのいずれかのゲート電極４３に接続されている。これにより、複数のゲート端子３３は、一対の第１スイッチング素子４０Ａのゲート電極４３、および一対の第２スイッチング素子４０Ｂのゲート電極４３に個別に導通している。 As shown in FIG. 11, the pad portion 331 is separated from the base material 10 when viewed from the z direction, and is covered with the sealing resin 60. As a result, the plurality of gate terminals 33 are supported by the sealing resin 60. A gate wire 503 is connected to the surface of the pad portion 331. The constituent material of the gate wire 503 is, for example, aluminum. The surface of the pad portion 331 may be plated with silver, for example. As shown in FIGS. 11 and 14, each of the plurality of gate wires 503 connected to the surface of the plurality of pad portions 331 is either a pair of first switching elements 40A and a pair of second switching elements 40B. It is connected to the gate electrode 43 of. As a result, the plurality of gate terminals 33 are individually conductive to the gate electrode 43 of the pair of first switching elements 40A and the gate electrode 43 of the pair of second switching elements 40B.

図１１に示すように、端子部３３２は、パッド部３３１につながり、かつ封止樹脂６０から露出している。端子部３３２は、半導体装置Ｂ１を配線基板に実装する際に用いられる。端子部３３２は、基部３３２Ａおよび起立部３３２Ｂを有する。基部３３２Ａは、パッド部３３１につながり、かつ封止樹脂６０の一対の樹脂第１側面６３１（詳細は後述）のいずれかからｙ方向に延びている。基部３３２Ａのｙ方向における寸法は、一対の入力端子３１の基部３１２Ａ、および一対の出力端子３２の基部３２２Ａの各々のｙ方向における寸法よりも小である。図６に示すように、起立部３３２Ｂは、基部３３２Ａのｙ方向における先端から、ｚ方向の基材１０の第１主面１１Ａが向く側に向けて延びている。これにより、図７〜図１２に示すように、ｘ方向から視て、端子部３３２はＬ字状をなしている。 As shown in FIG. 11, the terminal portion 332 is connected to the pad portion 331 and is exposed from the sealing resin 60. The terminal portion 332 is used when the semiconductor device B1 is mounted on the wiring board. The terminal portion 332 has a base portion 332A and an upright portion 332B. The base portion 332A is connected to the pad portion 331 and extends in the y direction from any one of the pair of resin first side surfaces 631 (details will be described later) of the sealing resin 60. The dimension of the base 332A in the y direction is smaller than the dimension of the base 312A of the pair of input terminals 31 and the dimension of the base 322A of the pair of output terminals 32 in the y direction. As shown in FIG. 6, the upright portion 332B extends from the tip of the base portion 332A in the y direction toward the side facing the first main surface 11A of the base material 10 in the z direction. As a result, as shown in FIGS. 7 to 12, the terminal portion 332 has an L shape when viewed from the x direction.

図１１に示すように、一対の第１スイッチング素子４０Ａに対応する一対のゲート端子３３は、半導体装置Ｂ１においてｙ方向の他方側に位置する。当該一対のゲート端子３３は、ｘ方向において一対の出力端子３２の間に位置する。また、一対の第２スイッチング素子４０Ｂに対応する一対のゲート端子３３は、半導体装置Ｂ１においてｙ方向の一方側に位置する。当該一対のゲート端子３３は、ｘ方向において一対の入力端子３１の間に位置する。 As shown in FIG. 11, the pair of gate terminals 33 corresponding to the pair of first switching elements 40A are located on the other side in the y direction in the semiconductor device B1. The pair of gate terminals 33 are located between the pair of output terminals 32 in the x direction. Further, the pair of gate terminals 33 corresponding to the pair of second switching elements 40B are located on one side in the y direction in the semiconductor device B1. The pair of gate terminals 33 are located between the pair of input terminals 31 in the x direction.

複数の検出端子３４は、図１１に示すように、半導体装置Ｂ１においてｙ方向の両側に位置する。複数の検出端子３４は、一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂの個数に対応して配置されている。複数の検出端子３４の各々は、それが対応する一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂのいずれかのゲート電極４３に導通するゲート端子３３の隣に位置する。複数の検出端子３４の各々には、一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂのいずれかの主面電極４１に流れるソース電流に対応した電圧が印加される。複数の検出端子３４の各々に印加された電圧に基づき、半導体装置Ｂ１の外部回路において主面電極４１に流れるソース電流が検出される。複数の検出端子３４の各々は、パッド部３４１および端子部３４２を有する。 As shown in FIG. 11, the plurality of detection terminals 34 are located on both sides of the semiconductor device B1 in the y direction. The plurality of detection terminals 34 are arranged corresponding to the number of the pair of first switching elements 40A and the pair of second switching elements 40B. Each of the plurality of detection terminals 34 is located next to a gate terminal 33 that conducts to the gate electrode 43 of either the pair of first switching elements 40A and the pair of second switching elements 40B to which the detection terminals 34 correspond. A voltage corresponding to the source current flowing through the main surface electrode 41 of either the pair of first switching elements 40A and the pair of second switching elements 40B is applied to each of the plurality of detection terminals 34. Based on the voltage applied to each of the plurality of detection terminals 34, the source current flowing through the main surface electrode 41 is detected in the external circuit of the semiconductor device B1. Each of the plurality of detection terminals 34 has a pad portion 341 and a terminal portion 342.

図１１に示すように、パッド部３４１は、ｚ方向から視て基材１０に対して離間しており、かつ封止樹脂６０に覆われている。これにより、複数の検出端子３４は、封止樹脂６０に支持されている。パッド部３４１の表面には、検出ワイヤ５０４が接続されている。検出ワイヤ５０４の構成材料は、たとえばアルミニウムである。なお、パッド部３４１の表面には、たとえば銀めっきを施してもよい。図１１および図１４に示すように、複数のパッド部３４１の表面に接続された複数の検出ワイヤ５０４の各々は、対応する一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂのいずれかの主面電極４１に接続されている。これにより、複数の検出端子３４は、一対の第１スイッチング素子４０Ａの主面電極４１、および一対の第２スイッチング素子４０Ｂの主面電極４１に個別に導通している。 As shown in FIG. 11, the pad portion 341 is separated from the base material 10 when viewed from the z direction, and is covered with the sealing resin 60. As a result, the plurality of detection terminals 34 are supported by the sealing resin 60. A detection wire 504 is connected to the surface of the pad portion 341. The constituent material of the detection wire 504 is, for example, aluminum. The surface of the pad portion 341 may be plated with silver, for example. As shown in FIGS. 11 and 14, each of the plurality of detection wires 504 connected to the surface of the plurality of pad portions 341 is either a pair of first switching elements 40A and a pair of second switching elements 40B. It is connected to the main surface electrode 41 of. As a result, the plurality of detection terminals 34 are individually conductive to the main surface electrodes 41 of the pair of first switching elements 40A and the main surface electrodes 41 of the pair of second switching elements 40B.

図１１に示すように、端子部３４２は、パッド部３４１につながり、かつ封止樹脂６０から露出している。端子部３４２は、半導体装置Ｂ１を配線基板に実装する際に用いられる。端子部３４２は、基部３４２Ａおよび起立部３４２Ｂを有する。基部３４２Ａは、パッド部３４１につながり、かつ封止樹脂６０の一対の樹脂第１側面６３１（詳細は後述）のいずれかからｙ方向に延びている。基部３４２Ａのｙ方向における寸法は、一対の入力端子３１の基部３１２Ａ、および一対の出力端子３２の基部３２２Ａの各々のｙ方向における寸法よりも小である。図６に示すように、起立部３４２Ｂは、基部３４２Ａのｙ方向における先端から、ｚ方向の基材１０の第１主面１１Ａが向く側に向けて延びている。これにより、図７〜図１２に示すように、ｘ方向から視て、端子部３４２はＬ字状をなしている。なお、端子部３４２の形状は、複数のゲート端子３３の端子部３３２の形状と同一である。 As shown in FIG. 11, the terminal portion 342 is connected to the pad portion 341 and is exposed from the sealing resin 60. The terminal portion 342 is used when the semiconductor device B1 is mounted on the wiring board. The terminal portion 342 has a base portion 342A and an upright portion 342B. The base portion 342A is connected to the pad portion 341 and extends in the y direction from any one of the pair of resin first side surfaces 631 (details will be described later) of the sealing resin 60. The dimension of the base portion 342A in the y direction is smaller than the dimension of the base portion 312A of the pair of input terminals 31 and the dimension of the base portion 322A of the pair of output terminals 32 in the y direction. As shown in FIG. 6, the upright portion 342B extends from the tip of the base portion 342A in the y direction toward the side facing the first main surface 11A of the base material 10 in the z direction. As a result, as shown in FIGS. 7 to 12, the terminal portion 342 has an L shape when viewed from the x direction. The shape of the terminal portion 342 is the same as the shape of the terminal portion 332 of the plurality of gate terminals 33.

図１１に示すように、図示された例においては、入力端子３１Ａの起立部３１２Ｂ、入力端子３１Ｂの起立部３１２Ｂ、ｙ方向一方側のゲート端子３３の起立部３３２Ｂおよびｙ方向一方側の検出端子３４の起立部３４２Ｂのｙ方向における位置が略一致している。言い換えると、入力端子３１Ａの起立部３１２Ｂ、入力端子３１Ｂの起立部３１２Ｂ、ｙ方向一方側のゲート端子３３の起立部３３２Ｂおよびｙ方向一方側の検出端子３４の起立部３４２Ｂは、ｘ方向視において互いに重なる。 As shown in FIG. 11, in the illustrated example, the upright portion 312B of the input terminal 31A, the upright portion 312B of the input terminal 31B, the upright portion 332B of the gate terminal 33 on one side in the y direction, and the detection terminal on one side in the y direction. The positions of the upright portions 342B of 34 in the y direction are substantially the same. In other words, the upright portion 312B of the input terminal 31A, the upright portion 312B of the input terminal 31B, the upright portion 332B of the gate terminal 33 on one side in the y direction, and the upright portion 342B of the detection terminal 34 on one side in the y direction are viewed in the x direction. Overlap each other.

図１１に示すように、図示された例においては、一対の出力端子３２の起立部３２２Ｂ、ｙ方向他方側のゲート端子３３の起立部３３２Ｂおよびｙ方向他方側の検出端子３４の起立部３４２Ｂのｙ方向における位置が略一致している。言い換えると、一対の出力端子３２の起立部３２２Ｂ、ｙ方向他方側のゲート端子３３の起立部３３２Ｂおよびｙ方向他方側の検出端子３４の起立部３４２Ｂは、ｘ方向視において互いに重なる。 As shown in FIG. 11, in the illustrated example, the upright portion 322B of the pair of output terminals 32, the upright portion 332B of the gate terminal 33 on the other side in the y direction, and the upright portion 342B of the detection terminal 34 on the other side in the y direction. The positions in the y direction are substantially the same. In other words, the upright portion 322B of the pair of output terminals 32, the upright portion 332B of the gate terminal 33 on the other side in the y direction, and the upright portion 342B of the detection terminal 34 on the other side in the y direction overlap each other in the x-direction view.

図１６は、上述した複数の半導体素子４０、導電部材２０、補助導電部材２１、連結導電部材２９、複数の入出力端子３Ａおよび複数の制御端子３Ｂによって構成される半導体装置Ｂ１電気回路を示している。このような構成の半導体装置Ｂ１は、たとえばＡＣ／ＤＣコンバータとして用いられる。 FIG. 16 shows a semiconductor device B1 electric circuit composed of the plurality of semiconductor elements 40, the conductive member 20, the auxiliary conductive member 21, the connecting conductive member 29, the plurality of input / output terminals 3A, and the plurality of control terminals 3B described above. There is. The semiconductor device B1 having such a configuration is used, for example, as an AC / DC converter.

封止樹脂６０は、図１〜図３、図５〜図１３に示すように、基材１０（ただし、第１裏面１２Ａを除く。）導電部材２０、補助導電部材２１、連結導電部材２９、複数の半導体素子４０（一対の第１スイッチング素子４０Ａおよび一対の第２スイッチング素子４０Ｂ）を覆っている。封止樹脂６０は、複数の第１ワイヤ５０１、複数の第２ワイヤ５０２、複数のゲートワイヤ５０３、複数の検出ワイヤ５０４、複数の第１接続ワイヤ５１および複数の第２接続ワイヤ５２をさらに覆っている。封止樹脂６０の構成材料は、たとえばエポキシ樹脂である。封止樹脂６０は、樹脂主面６１、樹脂裏面６２、一対の樹脂第１側面６３１、一対の樹脂第２側面６３２、および一対の貫通孔６４を有する。 As shown in FIGS. 1 to 3 and 5 to 13, the sealing resin 60 includes a base material 10 (excluding the first back surface 12A) conductive member 20, an auxiliary conductive member 21, and a connecting conductive member 29. It covers a plurality of semiconductor elements 40 (a pair of first switching elements 40A and a pair of second switching elements 40B). The encapsulating resin 60 further covers a plurality of first wires 501, a plurality of second wires 502, a plurality of gate wires 503, a plurality of detection wires 504, a plurality of first connection wires 51, and a plurality of second connection wires 52. ing. The constituent material of the sealing resin 60 is, for example, an epoxy resin. The sealing resin 60 has a resin main surface 61, a resin back surface 62, a pair of resin first side surfaces 631, a pair of resin second side surfaces 632, and a pair of through holes 64.

図１２および図１３に示すように、樹脂主面６１は、ｚ方向の基材１０の第１主面１１Ａが向く側を向く。樹脂裏面６２は、ｚ方向の基材１０の第１裏面１２Ａが向く側を向く。図５に示すように、第１裏面１２Ａは、樹脂裏面６２から露出している。樹脂裏面６２は、第１裏面１２Ａを囲む枠状である。 As shown in FIGS. 12 and 13, the resin main surface 61 faces the side facing the first main surface 11A of the base material 10 in the z direction. The resin back surface 62 faces the side facing the first back surface 12A of the base material 10 in the z direction. As shown in FIG. 5, the first back surface 12A is exposed from the resin back surface 62. The resin back surface 62 has a frame shape surrounding the first back surface 12A.

図５および図６に示すように、一対の樹脂第１側面６３１は、樹脂主面６１および樹脂裏面６２の双方につながり、かつｙ方向を向く。樹脂第１側面６３１のｙ方向の一方側からは、一対の入力端子３１の端子部３１２と、一対の第２スイッチング素子４０Ｂに対応して配置された一対のゲート端子３３の端子部３３２、および一対の検出端子３４の端子部３４２とが露出している。樹脂第１側面６３１のｙ方向の他方側からは、一対の出力端子３２の端子部３２２と、一対の第１スイッチング素子４０Ａに対応して配置された一対のゲート端子３３の端子部３３２、および一対の検出端子３４の端子部３４２とが露出している。 As shown in FIGS. 5 and 6, the pair of resin first side surfaces 631 are connected to both the resin main surface 61 and the resin back surface 62, and face in the y direction. From one side of the resin first side surface 631 in the y direction, the terminal portion 312 of the pair of input terminals 31, the terminal portion 332 of the pair of gate terminals 33 arranged corresponding to the pair of second switching elements 40B, and the terminal portion 332. The terminal portions 342 of the pair of detection terminals 34 are exposed. From the other side of the resin first side surface 631 in the y direction, the terminal portion 322 of the pair of output terminals 32, the terminal portion 332 of the pair of gate terminals 33 arranged corresponding to the pair of first switching elements 40A, and the terminal portion 332 of the pair of gate terminals 33. The terminal portions 342 of the pair of detection terminals 34 are exposed.

図５および図７に示すように、一対の樹脂第２側面６３２は、樹脂主面６１および樹脂裏面６２の双方につながり、かつｘ方向を向く。 As shown in FIGS. 5 and 7, the pair of resin second side surfaces 632 are connected to both the resin main surface 61 and the resin back surface 62 and face the x direction.

図５、図９および図１３に示すように、一対の貫通孔６４は、ｚ方向において樹脂主面６１から樹脂裏面６２に至って封止樹脂６０を貫通している。ｚ方向から視て、一対の貫通孔６４の孔縁は円形状である。一対の貫通孔６４は、基材１０のｘ方向の両側に位置する。 As shown in FIGS. 5, 9 and 13, the pair of through holes 64 penetrate the sealing resin 60 from the resin main surface 61 to the resin back surface 62 in the z direction. When viewed from the z direction, the hole edges of the pair of through holes 64 are circular. The pair of through holes 64 are located on both sides of the base material 10 in the x direction.

一対の凹部６５は、図５および図９に示すように、樹脂裏面６２から凹んでいる。一対の凹部６５は、後述するように、半導体装置Ｂ１をヒートシンクＸ１に対して位置決めするためのものである。 As shown in FIGS. 5 and 9, the pair of recesses 65 are recessed from the resin back surface 62. The pair of recesses 65 are for positioning the semiconductor device B1 with respect to the heat sink X1, as will be described later.

＜第１基板７＞
第１基板７は、半導体モジュールＡ１と接続されており、本実施形態においては、複数の電子部品７００が実装されている。図１〜図１１に示すように、本実施形態の第１基板７は、第１基板主面７１、第１基板裏面７２、複数の入出力用貫通部７３、複数の制御用貫通部７４、一対の凹部７５を有する。第１基板７の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｚ方向において矩形状である。第１基板７は、たとえば、エポキシ樹脂からなる絶縁性の基材と、当該基材に形成された配線パターン（図示略）を有する。<First substrate 7>
The first substrate 7 is connected to the semiconductor module A1, and in the present embodiment, a plurality of electronic components 700 are mounted. As shown in FIGS. 1 to 11, the first substrate 7 of the present embodiment includes a first substrate main surface 71, a first substrate back surface 72, a plurality of input / output penetration portions 73, and a plurality of control penetration portions 74. It has a pair of recesses 75. The shape of the first substrate 7 is not particularly limited, and in the illustrated example, it is rectangular in the z direction. The first substrate 7 has, for example, an insulating base material made of an epoxy resin and a wiring pattern (not shown) formed on the base material.

第１基板主面７１は、ｚ方向一方側を向く面である。第１基板裏面７２は、ｚ方向において第１基板主面７１とは反対側を向く面である。本実施形態においては、第１基板裏面７２は、半導体モジュールＡ１の封止樹脂６０の樹脂主面６１と対向している。 The first substrate main surface 71 is a surface facing one side in the z direction. The back surface 72 of the first substrate is a surface facing the opposite side of the main surface 71 of the first substrate in the z direction. In the present embodiment, the back surface 72 of the first substrate faces the resin main surface 61 of the sealing resin 60 of the semiconductor module A1.

複数の入出力用貫通部７３は、半導体モジュールＡ１の複数の入出力端子３Ａである、入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂおよび一対の出力端子３２を挿通させるためのものであり、各々が第１基板７をｚ方向に貫通している。本実施形態においては、４つの入出力用貫通部７３が設けられている。入力端子３１Ａの起立部３１２Ｂ、入力端子３１Ｂの起立部３１２Ｂおよび一対の出力端子３２の起立部３２２Ｂが４つの入出力用貫通部７３に個別に挿通されている。図示された例においては、入力端子３１Ａの起立部３１２Ｂ、入力端子３１Ｂの起立部３１２Ｂおよび一対の出力端子３２の起立部３２２Ｂは、第１基板主面７１からｚ方向に突出している。 The plurality of input / output penetration portions 73 are for inserting the input terminal 31A, the input terminal 31B, and the pair of output terminals 32, which are the plurality of input / output terminals 3A of the semiconductor module A1, each of which is the first substrate. It penetrates 7 in the z direction. In this embodiment, four input / output penetration portions 73 are provided. The upright portion 312B of the input terminal 31A, the upright portion 312B of the input terminal 31B, and the upright portion 322B of the pair of output terminals 32 are individually inserted through the four input / output penetration portions 73. In the illustrated example, the upright portion 312B of the input terminal 31A, the upright portion 312B of the input terminal 31B, and the upright portion 322B of the pair of output terminals 32 project from the main surface 71 of the first substrate in the z direction.

複数の制御用貫通部７４は、半導体モジュールＡ１の複数の制御端子３Ｂである複数のゲート端子３３および複数の検出端子３４が接続される複数の第１コネクタ８の一部を挿通させるためのものであり、各々が第１基板７をｚ方向に貫通している。図示された例においては、４つの制御用貫通部７４が設けられている。２つの制御用貫通部７４は、ｘ方向において２つの入出力用貫通部７３の間に位置しており、ｘ方向視においてこれらの制御用貫通部７４と重なる。他の２つの制御用貫通部７４は、ｘ方向において他の２つの入出力用貫通部７３の間に位置しており、ｘ方向視においてこれらの制御用貫通部７４と重なる。制御用貫通部７４には、第１コネクタ８の一部が挿通されており、第１コネクタ８を介して１つのゲート端子３３と１つの検出端子３４とが挿通されている。 The plurality of control penetration portions 74 are for inserting a part of a plurality of first connectors 8 to which a plurality of gate terminals 33 and a plurality of detection terminals 34, which are a plurality of control terminals 3B of the semiconductor module A1, are connected. Each of them penetrates the first substrate 7 in the z direction. In the illustrated example, four control penetrations 74 are provided. The two control penetrations 74 are located between the two input / output penetrations 73 in the x direction and overlap these control penetrations 74 in the x direction. The other two control penetrations 74 are located between the other two input / output penetrations 73 in the x direction and overlap these control penetrations 74 in the x direction. A part of the first connector 8 is inserted through the control penetrating portion 74, and one gate terminal 33 and one detection terminal 34 are inserted through the first connector 8.

一対の凹部７５は、第１基板７のｘ方向両端に設けられており、ｘ方向内方に凹んでいる。図４に示すように、凹部７５は、ｚ方向視において半導体モジュールＡ１の封止樹脂６０の貫通孔６４を内包している。 The pair of recesses 75 are provided at both ends of the first substrate 7 in the x direction, and are recessed inward in the x direction. As shown in FIG. 4, the recess 75 includes a through hole 64 of the sealing resin 60 of the semiconductor module A1 in the z-direction view.

接続端子７６は、半導体モジュールＡ１への制御信号の入出力に用いられる端子である。本実施形態においては、複数の接続端子７６は、第１基板７のｘ方向およびｙ方向の中央寄りに配置されている。複数の接続端子７６は、一対の凹部７５の間に配置されている。 The connection terminal 76 is a terminal used for input / output of a control signal to the semiconductor module A1. In the present embodiment, the plurality of connection terminals 76 are arranged near the center of the first substrate 7 in the x-direction and the y-direction. The plurality of connection terminals 76 are arranged between the pair of recesses 75.

接続端子７６は、支持部７６１および複数の接続ピン７６２を有する。支持部７６１は、第１基板７に固定されており、複数の接続ピン７６２を支持している。図示された例においては、支持部７６１は、第１基板７の第１基板主面７１に取り付けられている。複数の接続ピン７６２は、支持部７６１からｚ方向に突出している。接続ピン７６２は、第１基板７の配線パターン（図示略）に導通している。 The connection terminal 76 has a support portion 761 and a plurality of connection pins 762. The support portion 761 is fixed to the first substrate 7 and supports a plurality of connection pins 762. In the illustrated example, the support portion 761 is attached to the first substrate main surface 71 of the first substrate 7. The plurality of connecting pins 762 project from the support portion 761 in the z direction. The connection pin 762 is conductive to the wiring pattern (not shown) of the first substrate 7.

複数の電子部品７００は、第１基板７に実装されている。本実施形態においては、複数の電子部品７００の用途や機能は、特に限定されず、たとえば、複数の接続端子７６から入力された制御信号から、半導体モジュールＡ１の複数の制御端子３Ｂ（複数のゲート端子３３）に入力される制御信号を生成したり、複数の制御端子３Ｂ（検出端子３４）からの検出信号を外部に出力すべき出力信号に変換したりする機能を果たす回路を構成する。 The plurality of electronic components 700 are mounted on the first substrate 7. In the present embodiment, the applications and functions of the plurality of electronic components 700 are not particularly limited, and for example, from the control signals input from the plurality of connection terminals 76, the plurality of control terminals 3B (plural gates) of the semiconductor module A1. It constitutes a circuit that functions to generate a control signal input to the terminal 33) and to convert a detection signal from a plurality of control terminals 3B (detection terminal 34) into an output signal to be output to the outside.

図１、図３および図４に示すように、本実施形態においては、複数の電子部品７００は、複数の電子部品７０１、複数の電子部品７０２、複数の電子部品７０３、複数の電子部品７０４、複数の電子部品７０５、複数の電子部品７０６、複数の電子部品７０７、複数の電子部品７０８および複数の電子部品７０９を含む。 As shown in FIGS. 1, 3 and 4, in the present embodiment, the plurality of electronic components 700 are a plurality of electronic components 701, a plurality of electronic components 702, a plurality of electronic components 703, and a plurality of electronic components 704. It includes a plurality of electronic components 705, a plurality of electronic components 706, a plurality of electronic components 707, a plurality of electronic components 708, and a plurality of electronic components 709.

図示された例においては、図３および図４に示すように、複数の電子部品７０１、複数の電子部品７０２、複数の電子部品７０３、複数の電子部品７０４および複数の電子部品７０５は、第１基板７の第１基板主面７１に搭載されている。図１に示すように、複数の電子部品７０６、複数の電子部品７０７、複数の電子部品７０８および複数の電子部品７０９は、第１基板７の第１基板裏面７２に搭載されている。 In the illustrated example, as shown in FIGS. 3 and 4, the plurality of electronic components 701, the plurality of electronic components 702, the plurality of electronic components 703, the plurality of electronic components 704 and the plurality of electronic components 705 are the first. It is mounted on the first substrate main surface 71 of the substrate 7. As shown in FIG. 1, a plurality of electronic components 706, a plurality of electronic components 707, a plurality of electronic components 708, and a plurality of electronic components 709 are mounted on the back surface 72 of the first substrate of the first substrate 7.

図４に示すように、複数の電子部品７０１は、複数の接続端子７６に対してｙ方向両側に配置されている。電子部品７０１は、たとえばショットキーバリアダイオードである。 As shown in FIG. 4, the plurality of electronic components 701 are arranged on both sides in the y direction with respect to the plurality of connection terminals 76. The electronic component 701 is, for example, a Schottky barrier diode.

複数の電子部品７０２は、複数の接続端子７６に対してｘ方向に並んで配置されている。電子部品７０２は、たとえばチップ抵抗である。 The plurality of electronic components 702 are arranged side by side in the x direction with respect to the plurality of connection terminals 76. The electronic component 702 is, for example, a chip resistor.

複数の電子部品７０３は、複数の電子部品７０１を挟んで複数の接続端子７６に対してｙ方向外側に配置されている。複数の電子部品７０３は、ｘ方向に並んでいる。電子部品７０３は、たとえばチップ抵抗である。 The plurality of electronic components 703 are arranged on the outer side in the y direction with respect to the plurality of connection terminals 76 with the plurality of electronic components 701 interposed therebetween. The plurality of electronic components 703 are arranged in the x direction. The electronic component 703 is, for example, a chip resistor.

複数の電子部品７０４は、複数の電子部品７０３に対してｙ方向外側に配置されている。電子部品７０４は、たとえばショットキーバリアダイオードである。 The plurality of electronic components 704 are arranged outside in the y direction with respect to the plurality of electronic components 703. The electronic component 704 is, for example, a Schottky barrier diode.

複数の電子部品７０５は、複数の電子部品７０４に対してｙ方向外側に配置されている。複数の電子部品７０５は、第１基板主面７１において制御用貫通部７４に最も近い位置に配置されている。電子部品７０５は、たとえばセラミックコンデンサである。 The plurality of electronic components 705 are arranged outside in the y direction with respect to the plurality of electronic components 704. The plurality of electronic components 705 are arranged at positions closest to the control penetration portion 74 on the first substrate main surface 71. The electronic component 705 is, for example, a ceramic capacitor.

図１に示すように、複数の電子部品７０６は、複数の接続端子７６に対してｙ方向両側に配置されている。電子部品７０６は、たとえばバイポーラトランジスタである。 As shown in FIG. 1, the plurality of electronic components 706 are arranged on both sides in the y direction with respect to the plurality of connection terminals 76. The electronic component 706 is, for example, a bipolar transistor.

複数の電子部品７０７は、複数の７０６に対してｙ方向外側に配置されている。電子部品７０７は、たとえばセラミックコンデンサである。 The plurality of electronic components 707 are arranged outside in the y direction with respect to the plurality of 706s. The electronic component 707 is, for example, a ceramic capacitor.

複数の電子部品７０８は、複数の７０７に対してｘ方向に並んで配置されている。電子部品７０８は、たとえばＭＯＳ−ＦＥＴである。 The plurality of electronic components 708 are arranged side by side in the x direction with respect to the plurality of 707s. The electronic component 708 is, for example, a MOS-FET.

複数の電子部品７０９は、複数の７０７と複数の電子部品７０８との間に配置されている。電子部品７０９は、たとえばチップ抵抗である。 The plurality of electronic components 709 are arranged between the plurality of 707s and the plurality of electronic components 708. The electronic component 709 is, for example, a chip resistor.

＜第１コネクタ８＞
複数の第１コネクタ８は、第１基板７に固定されており、複数の制御端子３Ｂ（複数の３３および複数の検出端子３４）と接続する。第１コネクタ８の第１基板７に対する固定位置や固定方法は特に限定されない。本実施形態においては、複数の第１コネクタ８は、第１基板７の第１基板裏面７２側に取り付けられている。また、図示された例においては、第１コネクタ８の一部が、第１基板７の制御用貫通部７４に挿通されている。<1st connector 8>
The plurality of first connectors 8 are fixed to the first substrate 7 and are connected to a plurality of control terminals 3B (a plurality of 33 and a plurality of detection terminals 34). The fixing position and fixing method of the first connector 8 with respect to the first substrate 7 are not particularly limited. In the present embodiment, the plurality of first connectors 8 are attached to the back surface 72 side of the first substrate of the first substrate 7. Further, in the illustrated example, a part of the first connector 8 is inserted through the control penetration portion 74 of the first substrate 7.

図１、図８および図９に示すように、本実施形態の第１コネクタ８は、筐体８１および複数の挿通孔８２を有する。筐体８１は、たとえば樹脂等からなり、筐体８１の本体部分を構成している。挿通孔８２は、ｚ方向に貫通しており、ゲート端子３３の起立部３３２Ｂまたは検出端子３４の起立部３４２Ｂが挿通される。 As shown in FIGS. 1, 8 and 9, the first connector 8 of this embodiment has a housing 81 and a plurality of insertion holes 82. The housing 81 is made of, for example, resin or the like, and constitutes the main body portion of the housing 81. The insertion hole 82 penetrates in the z direction, and the upright portion 332B of the gate terminal 33 or the upright portion 342B of the detection terminal 34 is inserted through the insertion hole 82.

第１コネクタ８は、ゲート端子３３および検出端子３４と、第１基板７の配線パターン（図示略）の適所とを導通させる。また、第１コネクタ８は、ゲート端子３３および検出端子３４が、第１基板７に対してｘ方向およびｙ方向の少なくともいずれかに相対動することを許容する。図示された例においては、第１コネクタ８は、図８に示すように、ゲート端子３３および検出端子３４がｙ方向において第１基板７に対して相対動することを許容するとともに、図１０に示すように、ゲート端子３３および検出端子３４がｘ方向において第１基板７に対して相対動することを許容する。また、第１コネクタ８は、ゲート端子３３および検出端子３４が第１基板７に対してｚ方向に相対動することを許容する構成であってもよい。このような第１コネクタ８としては、たとえば、特開２０１８−１１３１６３号公報、特開２０１８−６３８８６号公報、特開２０１７−１３９１０１号公報等に開示された従来公知のコネクタを採用することができる。 The first connector 8 conducts the gate terminal 33 and the detection terminal 34 and the appropriate position of the wiring pattern (not shown) of the first substrate 7. Further, the first connector 8 allows the gate terminal 33 and the detection terminal 34 to move relative to at least one of the x direction and the y direction with respect to the first substrate 7. In the illustrated example, the first connector 8 allows the gate terminal 33 and the detection terminal 34 to move relative to the first substrate 7 in the y direction, as shown in FIG. 8, and is shown in FIG. As shown, the gate terminal 33 and the detection terminal 34 are allowed to move relative to the first substrate 7 in the x direction. Further, the first connector 8 may be configured to allow the gate terminal 33 and the detection terminal 34 to move relative to the first substrate 7 in the z direction. As such a first connector 8, for example, conventionally known connectors disclosed in JP-A-2018-131363, JP-A-2018-63886, JP-A-2017-139101 and the like can be adopted. ..

図示された例においては、１つの第１コネクタ８の２つの挿通孔８２に、ゲート端子３３および検出端子３４が挿通される。また、４つの第１コネクタ８がｘ方向およびｙ方向に並んで配置されている。 In the illustrated example, the gate terminal 33 and the detection terminal 34 are inserted into the two insertion holes 82 of one first connector 8. Further, four first connectors 8 are arranged side by side in the x direction and the y direction.

図６および図７に示すように、本実施形態においては、複数の第１コネクタ８は、封止樹脂６０に対してｙ方向外側に配置されている。また、第１コネクタ８は、ｙ方向視において半導体モジュールＡ１の封止樹脂６０と重なる。 As shown in FIGS. 6 and 7, in the present embodiment, the plurality of first connectors 8 are arranged on the outer side in the y direction with respect to the sealing resin 60. Further, the first connector 8 overlaps with the sealing resin 60 of the semiconductor module A1 in the y direction.

本実施形態によれば、図１に示すように、半導体モジュールＡ１の組み立てに際して、第１コネクタ８を介して半導体装置Ｂ１の複数の制御端子３Ｂ（複数のゲート端子３３および複数の検出端子３４）を第１基板７に接続する。第１コネクタ８は、第１基板７に対して複数のゲート端子３３がｘ方向およびｙ方向の少なくともいずれかに相対動することを許容する。このため、複数のゲート端子３３の起立部３３２Ｂおよび複数の検出端子３４の起立部３４２Ｂが起立する角度が、ばらつきを有していても、第１コネクタ８によってｘ方向およびｙ方向における位置ずれを吸収することが可能である。したがって、ゲート端子３３および検出端子３４の角度や位置を第１基板７を基準として修正することが抑制される。したがって、半導体モジュールＡ１によれば、端子接続の容易化とより確実な導通とを図ることができる。 According to the present embodiment, as shown in FIG. 1, when assembling the semiconductor module A1, a plurality of control terminals 3B (a plurality of gate terminals 33 and a plurality of detection terminals 34) of the semiconductor device B1 via the first connector 8 are used. Is connected to the first substrate 7. The first connector 8 allows a plurality of gate terminals 33 to move relative to the first substrate 7 in at least one of the x direction and the y direction. Therefore, even if the angles at which the upright portions 332B of the plurality of gate terminals 33 and the upright portions 342B of the plurality of detection terminals 34 stand up vary, the first connector 8 causes misalignment in the x-direction and the y-direction. It is possible to absorb. Therefore, it is possible to prevent the angles and positions of the gate terminal 33 and the detection terminal 34 from being corrected with reference to the first substrate 7. Therefore, according to the semiconductor module A1, it is possible to facilitate terminal connection and ensure more reliable conduction.

第１コネクタ８がｙ方向視において封止樹脂６０と重なることにより、第１コネクタ８を設けることによって半導体モジュールＡ１のｚ方向寸法が大きくなることを抑制することができる。 Since the first connector 8 overlaps with the sealing resin 60 in the y-direction view, it is possible to prevent the semiconductor module A1 from increasing in the z-direction dimension by providing the first connector 8.

第１基板７からは、半導体モジュールＡ１の複数の入出力端子３Ａ（入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂおよび一対の出力端子３２）と複数の接続端子７６の複数の接続ピン７６２とがｚ方向において同じ側（第１基板主面７１が向く側）に突出している。これにより、複数の入出力端子３Ａおよび複数の接続端子７６に接続すべき基板等を、第１基板７の第１基板主面７１が向く側にまとめて配置することができる。 From the first substrate 7, the plurality of input / output terminals 3A (input terminal 31A, input terminal 31B and pair of output terminals 32) of the semiconductor module A1 and the plurality of connection pins 762 of the plurality of connection terminals 76 are the same in the z direction. It protrudes to the side (the side facing the main surface 71 of the first substrate). As a result, the boards and the like to be connected to the plurality of input / output terminals 3A and the plurality of connection terminals 76 can be collectively arranged on the side of the first board 7 facing the first board main surface 71.

〔第１実施形態 変形例〕
図１７は、半導体モジュールＡ１の変形例を示している。なお、本図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上述した例と同一の符号を付している。[Variation Example of First Embodiment]
FIG. 17 shows a modified example of the semiconductor module A1. In this figure, the same or similar elements as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals as those in the above-mentioned example.

本変形例の半導体モジュールＡ１１は、半導体モジュールＡ１の構成要素に加えて、第２基板９１、第３基板９２およびヒートシンクＸ１をさらに備えている。 The semiconductor module A11 of this modification further includes a second substrate 91, a third substrate 92, and a heat sink X1 in addition to the components of the semiconductor module A1.

第２基板９１は、第１基板７に対してｚ方向において第１基板主面７１が向く側に配置されている。第２基板９１には、たとえば複数の第２コネクタ９１１が取り付けられている。第２コネクタ９１１は、第１コネクタ８と同様に、入出力端子３Ａの起立部３１２Ｂや起立部３２２Ｂが、第２基板９１に対してｘ方向およびｙ方向に相対動することを許容するとともに、第２基板９１の適所と複数の入出力端子３Ａとを導通させる。図示された例においては、第２コネクタ９１１は、第２基板９１のうち第１基板７とは反対側を向く面に設けられている。第２基板９１は、たとえば半導体モジュールＡ１のスイッチング対象である電流が通電される。 The second substrate 91 is arranged on the side facing the first substrate main surface 71 in the z direction with respect to the first substrate 7. For example, a plurality of second connectors 911 are attached to the second substrate 91. Similar to the first connector 8, the second connector 911 allows the upright portion 312B and the upright portion 322B of the input / output terminals 3A to move relative to the second board 91 in the x-direction and the y-direction. Conduct the appropriate place of the second board 91 and the plurality of input / output terminals 3A. In the illustrated example, the second connector 911 is provided on the surface of the second substrate 91 facing the opposite side of the first substrate 7. The second substrate 91 is energized with, for example, a current that is a switching target of the semiconductor module A1.

第３基板９２は、第２基板９１に対してｚ方向において第１基板７とは反対側に配置されている。第３基板９２には、たとえば複数の第３コネクタ９２１が取り付けられている。第３コネクタ９２１は、第１コネクタ８および第２コネクタ９１１と同様に、接続端子７６の接続ピン７６２が、第３基板９２に対してｘ方向およびｙ方向に相対動することを許容するとともに、第３基板９２の適所と複数の接続ピン７６２とを導通させる。なお、本例においては、第２基板９１は、複数の接続ピン７６２を挿通させる貫通孔（図示略）を有する。第３基板９２は、たとえば、複数の接続端子７６に入出力される制御信号が通電される。 The third substrate 92 is arranged on the side opposite to the first substrate 7 in the z direction with respect to the second substrate 91. For example, a plurality of third connectors 921 are attached to the third substrate 92. The third connector 921, like the first connector 8 and the second connector 911, allows the connection pin 762 of the connection terminal 76 to move relative to the third board 92 in the x-direction and the y-direction. Conduct the appropriate position of the third substrate 92 and the plurality of connection pins 762. In this example, the second substrate 91 has a through hole (not shown) through which a plurality of connection pins 762 are inserted. The third board 92 is energized with control signals input / output to, for example, a plurality of connection terminals 76.

ヒートシンクＸ１は、複数の半導体素子４０から生じる熱を外部に逃がすためのものである。ヒートシンクＸ１は、たとえばアルミ等の金属からなる。さらに、ヒートシンクＸ１は、内部に水冷用の水路を有するものであってもよい。半導体装置Ｂ１は、ボルトＸ２によってヒートシンクＸ１に取り付けられている。ボルトＸ２は、封止樹脂６０の貫通孔６４に挿通されており、ヒートシンクＸ１に設けられた雌ねじに螺合している。また、図示された例においては、ヒートシンクＸ１には、複数の凸部Ｘ１１が設けられている。複数の凸部Ｘ１１は、封止樹脂６０の複数の凹部６５に嵌まることにより、半導体装置Ｂ１とヒートシンクＸ１との位置決めをより正確に行うためのものである。 The heat sink X1 is for releasing heat generated from a plurality of semiconductor elements 40 to the outside. The heat sink X1 is made of a metal such as aluminum. Further, the heat sink X1 may have a water channel for water cooling inside. The semiconductor device B1 is attached to the heat sink X1 by bolts X2. The bolt X2 is inserted through the through hole 64 of the sealing resin 60 and is screwed into the female screw provided in the heat sink X1. Further, in the illustrated example, the heat sink X1 is provided with a plurality of convex portions X11. The plurality of convex portions X11 are fitted into the plurality of concave portions 65 of the sealing resin 60 to more accurately position the semiconductor device B1 and the heat sink X1.

本変形例によっても、端子接続の容易化とより確実な導通とを図ることができる。また、第２基板９１に第２コネクタ９１１を設け、第３基板９２に第３コネクタ９２１を設けることにより、半導体モジュールＡ１および第１基板７に加えて第２基板９１および第３基板９２を設ける作業をより容易に行うことができる。 Even with this modification, it is possible to facilitate terminal connection and ensure more reliable conduction. Further, by providing the second connector 911 on the second board 91 and providing the third connector 921 on the third board 92, the second board 91 and the third board 92 are provided in addition to the semiconductor modules A1 and the first board 7. The work can be done more easily.

〔半導体装置Ｂ１ 変形例〕
図１８は、半導体装置Ｂ１の変形例を示している。本変形例の半導体装置Ｂ１１は、複数の入出力端子３Ａの起立部３１２Ｂおよび起立部３２２Ｂと、複数の制御端子３Ｂの起立部３３２Ｂおよび起立部３４２Ｂとのｙ方向における位置が互いに異なっている。より具体的には、複数の制御端子３Ｂの起立部３３２Ｂおよび起立部３４２Ｂは、複数の入出力端子３Ａの起立部３１２Ｂおよび起立部３２２Ｂよりも、ｙ方向内方（封止樹脂６０に近い位置）に配置されている。[Semiconductor device B1 modification example]
FIG. 18 shows a modified example of the semiconductor device B1. In the semiconductor device B11 of the present modification, the positions of the standing portions 312B and the standing portions 322B of the plurality of input / output terminals 3A and the standing portions 332B and the standing portions 342B of the plurality of control terminals 3B are different from each other in the y direction. More specifically, the standing portion 332B and the standing portion 342B of the plurality of control terminals 3B are located inward in the y direction (positions closer to the sealing resin 60) than the standing portions 312B and the standing portions 322B of the plurality of input / output terminals 3A. ) Is placed.

本変形例によれば、たとえば、図１７に示す例における第１基板７のｙ方向外側に起立部３１２Ｂおよび起立部３２２Ｂを位置させることにより、第１基板７に入出力用貫通部７３を設けることを省略することが可能である。 According to this modification, for example, by locating the upright portion 312B and the upright portion 322B outside the y direction of the first substrate 7 in the example shown in FIG. 17, the input / output penetration portion 73 is provided on the first substrate 7. It is possible to omit that.

〔第１実施形態 ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１〕
図１９〜図２８は、本開示の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットを示している。本実施形態のＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１は、第１半導体モジュールＡ２１、第２半導体モジュールＡ２２、入力モジュールＤ、出力モジュールＥ、コンデンサモジュールＦ、絶縁電源モジュールＧおよびトランスモジュールＨを備えている。ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の用途は特に限定されず、その一例を挙げると、入力モジュールＤに入力されたＡＣ電力（たとえば２００Ｖ−３６Ａ）を変換し、出力モジュールＥからＤＣ電力（たとえば、８００Ｖ−９Ａ，７．２ｋＷ）として出力するＡＣ／ＤＣ変換用途に用いられる。[First Embodiment AC / DC converter unit C1]
19 to 28 show an AC / DC converter unit according to the first embodiment of the present disclosure. The AC / DC converter unit C1 of the present embodiment includes a first semiconductor module A21, a second semiconductor module A22, an input module D, an output module E, a capacitor module F, an isolated power supply module G, and a transformer module H. The application of the AC / DC converter unit C1 is not particularly limited, and for example, the AC power (for example, 200V-36A) input to the input module D is converted, and the DC power (for example, 800V-) is converted from the output module E. It is used for AC / DC conversion applications that output as 9A, 7.2kW).

図１９は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１を示すブロック図である。図２０は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１を示す平面図である。図２１は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１を示す要部平面図である。図２２は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の半導体モジュールを示す正面図である。図２３は、図２１のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う要部断面図である。図２４は、図２１のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う要部断面図である。図２５は、図２１のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿う要部断面図である。図２６は、図２１のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線に沿う要部断面図である。図２７は、図２０のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図２８は、図２０のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 FIG. 19 is a block diagram showing an AC / DC converter unit C1. FIG. 20 is a plan view showing the AC / DC converter unit C1. FIG. 21 is a plan view of a main part showing the AC / DC converter unit C1. FIG. 22 is a front view showing the semiconductor module of the AC / DC converter unit C1. FIG. 23 is a cross-sectional view of a main part along the line XXIII-XXIII of FIG. FIG. 24 is a cross-sectional view of a main part along the line XXIV-XXIV of FIG. FIG. 25 is a cross-sectional view of a main part along the line XXV-XXV of FIG. FIG. 26 is a cross-sectional view of a main part along the XXVI-XXVI line of FIG. FIG. 27 is a cross-sectional view taken along the line XXVII-XXVII of FIG. FIG. 28 is a cross-sectional view taken along the line XXVIII-XXVIII of FIG.

〔第１半導体モジュールＡ２１〕
第１半導体モジュールＡ２１は、上述した半導体モジュールＡ１と一部が共通した構成である。図２２に示すように、第１半導体モジュールＡ２１は、半導体装置Ｂ２１、第１基板７、複数の電子部品７００、複数の接続端子７６および複数の第１コネクタ８を備えている。第１基板７、複数の電子部品７００、複数の接続端子７６および複数の第１コネクタ８は、たとえば、半導体モジュールＡ１における構成と同様である。なお、図１９のゲートドライバおよびコントロールボード等は、たとえば第１基板７に実装された複数の電子部品７００によって構成されていてもよい。[First semiconductor module A21]
The first semiconductor module A21 has a configuration partially in common with the above-mentioned semiconductor module A1. As shown in FIG. 22, the first semiconductor module A21 includes a semiconductor device B21, a first substrate 7, a plurality of electronic components 700, a plurality of connection terminals 76, and a plurality of first connectors 8. The first substrate 7, the plurality of electronic components 700, the plurality of connection terminals 76, and the plurality of first connectors 8 are, for example, the same as the configuration in the semiconductor module A1. The gate driver, control board, and the like shown in FIG. 19 may be composed of, for example, a plurality of electronic components 700 mounted on the first board 7.

半導体装置Ｂ２１は、図１９に示すように、２つの第１スイッチング素子４０Ａおよび第２スイッチング素子４０Ｂを備えている。本実施形態においては、半導体装置Ｂ２１は、たとえば、ＰＦＣ（power factor correction）回路を構成し、ＡＣ／ＤＣ変換機能を果たす。 As shown in FIG. 19, the semiconductor device B21 includes two first switching elements 40A and a second switching element 40B. In the present embodiment, the semiconductor device B21 constitutes, for example, a PFC (power factor correction) circuit and fulfills an AC / DC conversion function.

図１９〜図２２に示すように、半導体装置Ｂ２１は、入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂ、出力端子３２Ａおよび出力端子３２Ｂを有する。入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂ、出力端子３２Ａの端子部３１２および出力端子３２Ｂの端子部３２２は、半導体装置Ｂ１における構成とは異なり、起立部３１２Ｂおよび起立部３２２Ｂを有さない、直状の形状である。 As shown in FIGS. 19 to 22, the semiconductor device B21 has an input terminal 31A, an input terminal 31B, an output terminal 32A, and an output terminal 32B. The input terminal 31A, the input terminal 31B, the terminal portion 312 of the output terminal 32A, and the terminal portion 322 of the output terminal 32B have a straight shape without the upright portion 312B and the upright portion 322B, unlike the configuration in the semiconductor device B1. Is.

図２０および図２１に示すように、入力端子３１Ａの端子部３１２および入力端子３１Ｂの端子部３１２は、ｙ方向一方側に突出しており、ｘ方向において互いに離間している。出力端子３２Ａの端子部３２２および出力端子３２Ｂの端子部３２２は、ｙ方向他方側に突出しており、ｘ方向において互いに離間している。 As shown in FIGS. 20 and 21, the terminal portion 312 of the input terminal 31A and the terminal portion 312 of the input terminal 31B project to one side in the y direction and are separated from each other in the x direction. The terminal portion 322 of the output terminal 32A and the terminal portion 322 of the output terminal 32B project to the other side in the y direction and are separated from each other in the x direction.

図１９に示すように、入力端子３１Ａは、第１スイッチング素子４０Ａのソース電極（主面電極４１）および第２スイッチング素子４０Ｂのドレイン電極（裏面電極４２）に接続されている。入力端子３１Ｂは、コイルを介して直列に接続された２つのダイオードの接続点に接続されている。出力端子３２Ａは、一方のダイオードのカソードに接続されている。出力端子３２Ｂは、他方のダイオードのアノードに接続されている。 As shown in FIG. 19, the input terminal 31A is connected to the source electrode (main surface electrode 41) of the first switching element 40A and the drain electrode (back surface electrode 42) of the second switching element 40B. The input terminal 31B is connected to the connection point of two diodes connected in series via a coil. The output terminal 32A is connected to the cathode of one of the diodes. The output terminal 32B is connected to the anode of the other diode.

入力端子３１Ａおよび入力端子３１Ｂの端子部３１２は、締結用孔３１３を有する。締結用孔３１３は、端子部３１２の先端付近に設けられており、端子部３１２をｚ方向に貫通している。 The terminal portion 312 of the input terminal 31A and the input terminal 31B has a fastening hole 313. The fastening hole 313 is provided near the tip of the terminal portion 312 and penetrates the terminal portion 312 in the z direction.

〔第２半導体モジュールＡ２２〕
第２半導体モジュールＡ２２は、上述した半導体モジュールＡ１と一部が共通した構成である。図２２に示すように、第２半導体モジュールＡ２２は、半導体装置Ｂ２２、第１基板７、複数の電子部品７００、複数の接続端子７６および複数の第１コネクタ８を備えている。第１基板７、複数の電子部品７００、複数の接続端子７６および複数の第１コネクタ８は、たとえば、半導体モジュールＡ１における構成と同様である。なお、図１９のゲートドライバおよびコントロールボード等は、たとえば第１基板７に実装された複数の電子部品７００によって構成されていてもよい。[Second semiconductor module A22]
The second semiconductor module A22 has a configuration partially in common with the above-mentioned semiconductor module A1. As shown in FIG. 22, the second semiconductor module A22 includes a semiconductor device B22, a first substrate 7, a plurality of electronic components 700, a plurality of connection terminals 76, and a plurality of first connectors 8. The first substrate 7, the plurality of electronic components 700, the plurality of connection terminals 76, and the plurality of first connectors 8 are, for example, the same as the configuration in the semiconductor module A1. The gate driver, control board, and the like shown in FIG. 19 may be composed of, for example, a plurality of electronic components 700 mounted on the first board 7.

半導体装置Ｂ２２は、図１９に示すように、２つの第１スイッチング素子４０Ａおよび２つの第２スイッチング素子４０Ｂを備えている。本実施形態においては、半導体装置Ｂ２２は、たとえば、トランスモジュールＨおよび出力モジュールＥの半導体装置Ｂ２３とともにＬＬＣ共振ＤＣ／ＤＣコンバータを構成するためのＨブリッジ（フルブリッジ）回路である。 As shown in FIG. 19, the semiconductor device B22 includes two first switching elements 40A and two second switching elements 40B. In the present embodiment, the semiconductor device B22 is, for example, an H-bridge (full bridge) circuit for forming an LLC resonance DC / DC converter together with the semiconductor device B23 of the transformer module H and the output module E.

図１９〜図２２に示すように、半導体装置Ｂ２２は、入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂ、出力端子３２Ａおよび出力端子３２Ｂを有する。半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂ、出力端子３２Ａの端子部３１２および出力端子３２Ｂの端子部３２２は、半導体装置Ｂ１における構成とは異なり、起立部３１２Ｂおよび起立部３２２Ｂを有さない、直状の形状である。 As shown in FIGS. 19 to 22, the semiconductor device B22 has an input terminal 31A, an input terminal 31B, an output terminal 32A, and an output terminal 32B. The input terminal 31A, the input terminal 31B, the terminal portion 312 of the output terminal 32A, and the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B22 do not have the upright portion 312B and the upright portion 322B, unlike the configuration in the semiconductor device B1. It has a straight shape.

図２０および図２１に示すように、入力端子３１Ａの端子部３１２および入力端子３１Ｂの端子部３１２は、ｙ方向一方側に突出しており、ｘ方向において互いに離間している。出力端子３２Ａの端子部３２２および出力端子３２Ｂの端子部３２２は、ｙ方向他方側に突出しており、ｘ方向において互いに離間している。 As shown in FIGS. 20 and 21, the terminal portion 312 of the input terminal 31A and the terminal portion 312 of the input terminal 31B project to one side in the y direction and are separated from each other in the x direction. The terminal portion 322 of the output terminal 32A and the terminal portion 322 of the output terminal 32B project to the other side in the y direction and are separated from each other in the x direction.

図１９に示すように、入力端子３１Ａは、２つの第１スイッチング素子４０Ａのドレイン電極（裏面電極４２）に接続されている。入力端子３１Ｂは、２つの第２スイッチング素子４０Ｂのソース電極（主面電極４１）に接続されている。出力端子３２Ａは、一方の第１スイッチング素子４０Ａのソース電極（主面電極４１）と一方の第２スイッチング素子４０Ｂのドレイン電極（裏面電極４２）とに接続されている。出力端子３２Ｂは、他方の第１スイッチング素子４０Ａのソース電極（主面電極４１）と他方の第２スイッチング素子４０Ｂのドレイン電極（裏面電極４２）とに接続されている。 As shown in FIG. 19, the input terminal 31A is connected to the drain electrode (back surface electrode 42) of the two first switching elements 40A. The input terminal 31B is connected to the source electrode (main surface electrode 41) of the two second switching elements 40B. The output terminal 32A is connected to the source electrode (main surface electrode 41) of one first switching element 40A and the drain electrode (back surface electrode 42) of one second switching element 40B. The output terminal 32B is connected to the source electrode (main surface electrode 41) of the other first switching element 40A and the drain electrode (back surface electrode 42) of the other second switching element 40B.

半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ａおよび入力端子３１Ｂの端子部３１２は、締結用孔３１３を有する。締結用孔３１３は、端子部３１２の先端付近に設けられており、端子部３１２をｚ方向に貫通している。 The input terminal 31A of the semiconductor device B22 and the terminal portion 312 of the input terminal 31B have a fastening hole 313. The fastening hole 313 is provided near the tip of the terminal portion 312 and penetrates the terminal portion 312 in the z direction.

〔入力モジュールＤ〕
入力モジュールＤは、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１への電力が入力されるモジュールである。入力モジュールＤの具体的な構成は何ら限定されず、本実施形態においては、図１９および図２０に示すように、入力コネクタＤ１、入力フィルタＤ２、リアクトルＤ３、出力端子Ｄ４１および出力端子Ｄ４２を有する。[Input module D]
The input module D is a module to which electric power is input to the AC / DC converter unit C1. The specific configuration of the input module D is not limited in any way, and in the present embodiment, as shown in FIGS. 19 and 20, the input module D has an input connector D1, an input filter D2, a reactor D3, an output terminal D41, and an output terminal D42. ..

入力コネクタＤ１は、外部のコネクタ等と接続されることにより、ＡＣ電力（たとえば２００Ｖ−３６Ａ）が入力される部位である。入力フィルタＤ２は、入力コネクタＤ１に入力されたＡＣ電力に、任意のフィルタ処理を施す部位である。リアクトルＤ３は、入力フィルタＤ２と出力端子Ｄ４１との間に介在している。 The input connector D1 is a portion where AC power (for example, 200V-36A) is input by being connected to an external connector or the like. The input filter D2 is a portion where an arbitrary filter process is applied to the AC power input to the input connector D1. The reactor D3 is interposed between the input filter D2 and the output terminal D41.

出力端子Ｄ４１および出力端子Ｄ４２は、入力コネクタＤ１から第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）へと出力するためのものである。図２０、図２１、図２３および図２４に示すように、出力端子Ｄ４１および出力端子Ｄ４２は、ｙ方向他方側に突出しており、ｘ方向において互いに離間している。出力端子Ｄ４１および出力端子Ｄ４２は、たとえば、金属板からなる。当該金属板の構成材料は、銅（Ｃｕ）または銅合金である。出力端子Ｄ４１および出力端子Ｄ４２は、先端がｙ方向に直上に延びた形状である。出力端子Ｄ４１および出力端子Ｄ４２は、締結用孔Ｄ４３を有する。締結用孔Ｄ４３は、出力端子Ｄ４１および出力端子Ｄ４２の先端付近に設けられており、出力端子Ｄ４１および出力端子Ｄ４２をｚ方向に貫通している。 The output terminal D41 and the output terminal D42 are for outputting from the input connector D1 to the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21). As shown in FIGS. 20, 21, 23 and 24, the output terminal D41 and the output terminal D42 project to the other side in the y direction and are separated from each other in the x direction. The output terminal D41 and the output terminal D42 are made of, for example, a metal plate. The constituent material of the metal plate is copper (Cu) or a copper alloy. The output terminal D41 and the output terminal D42 have a shape in which the tips thereof extend directly upward in the y direction. The output terminal D41 and the output terminal D42 have a fastening hole D43. The fastening hole D43 is provided near the tips of the output terminal D41 and the output terminal D42, and penetrates the output terminal D41 and the output terminal D42 in the z direction.

〔出力モジュールＥ〕
出力モジュールＥは、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１からの電力が出力されるモジュールである。出力モジュールＥの具体的な構成は何ら限定されず、本実施形態においては、図１９、図２０および図２８に示すように、出力コネクタＥ１、出力フィルタＥ２、出力基板Ｅ３および半導体装置Ｂ２３を有する。[Output module E]
The output module E is a module to which the power from the AC / DC converter unit C1 is output. The specific configuration of the output module E is not limited in any way, and in this embodiment, as shown in FIGS. 19, 20, and 28, the output module E includes an output connector E1, an output filter E2, an output board E3, and a semiconductor device B23. ..

出力コネクタＥ１は、外部のコネクタ等と接続されることにより、ＤＣ電力（たとえば、８００Ｖ−９Ａ，７．２ｋＷ）を出力するためのものである。出力フィルタＥ２は、出力コネクタＥ１から出力するＤＣ電力に、任意のフィルタ処理を施す部位である。出力基板Ｅ３は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる基材および当該基材に形成された配線パターンを有する配線基板であり、たとえば、出力フィルタＥ２や半導体装置Ｂ２３が実装されている。 The output connector E1 is for outputting DC power (for example, 800V-9A, 7.2kW) by being connected to an external connector or the like. The output filter E2 is a portion where an arbitrary filter process is applied to the DC power output from the output connector E1. The output substrate E3 is, for example, a base material made of a glass epoxy resin and a wiring board having a wiring pattern formed on the base material, and for example, an output filter E2 and a semiconductor device B23 are mounted.

半導体装置Ｂ２３は、図１９に示すように、４つのダイオード素子４０Ｃ、入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂ、出力端子３２Ａおよび出力端子３２Ｂを有しており、ブリッジ形整流回路を構成している。図２０に示すように、入力端子３１Ａおよび入力端子３１Ｂは、ｙ方向一方側に突出しており、ｘ方向において互いに離間している。出力端子３２Ａおよび出力端子３２Ｂは、ｙ方向他方側に突出しており、ｘ方向において互いに離間している。 As shown in FIG. 19, the semiconductor device B23 has four diode elements 40C, an input terminal 31A, an input terminal 31B, an output terminal 32A, and an output terminal 32B, and constitutes a bridge type rectifier circuit. As shown in FIG. 20, the input terminal 31A and the input terminal 31B project to one side in the y direction and are separated from each other in the x direction. The output terminal 32A and the output terminal 32B project to the other side in the y direction and are separated from each other in the x direction.

〔コンデンサモジュールＦ〕
コンデンサモジュールＦは、図１９〜図２１、図２４および図２５に示すように、第１半導体モジュールＡ２１の半導体装置Ｂ２１の端子部３２２（出力端子３２Ａ）および第２半導体モジュールＡ２２の半導体装置Ｂ２２の端子部３１２（入力端子３１Ａ）と、半導体装置Ｂ２１の端子部３２２（出力端子３２Ｂ）および半導体装置Ｂ２２の端子部３１２（入力端子３１Ｂ）とに接続されている。コンデンサモジュールＦの具体的な構成は何ら限定されず、本実施形態においては、複数のスナバコンデンサＦ１、接続端子Ｆ２１および接続端子Ｆ２２を有する。[Capacitor module F]
As shown in FIGS. 19 to 21, 24 and 25, the capacitor module F is a terminal portion 322 (output terminal 32A) of the semiconductor device B21 of the first semiconductor module A21 and the semiconductor device B22 of the second semiconductor module A22. The terminal portion 312 (input terminal 31A) is connected to the terminal portion 322 (output terminal 32B) of the semiconductor device B21 and the terminal portion 312 (input terminal 31B) of the semiconductor device B22. The specific configuration of the capacitor module F is not limited in any way, and in the present embodiment, it has a plurality of snubber capacitors F1, a connection terminal F21, and a connection terminal F22.

複数のスナバコンデンサＦ１は、たとえば、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）と第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）との接続経路における寄生インダクタンスに起因するスイッチオフ時のサージ電圧を吸収する機能を果たす。 The plurality of snubber capacitors F1 have a function of absorbing surge voltage at the time of switch-off due to parasitic inductance in the connection path between the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) and the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22), for example. Fulfill.

接続端子Ｆ２１および接続端子Ｆ２２は、たとえば、金属板からなる。当該金属板の構成材料は、銅（Ｃｕ）または銅合金である。接続端子Ｆ２１は、半導体装置Ｂ２１の端子部３２２（出力端子３２Ａ）および半導体装置Ｂ２２の端子部３１２（入力端子３１Ａ）に接続されている。接続端子Ｆ２２は、半導体装置Ｂ２１の端子部３２２（出力端子３２Ｂ）および半導体装置Ｂ２２の端子部３１２（入力端子３１Ｂ）に接続されている。 The connection terminal F21 and the connection terminal F22 are made of, for example, a metal plate. The constituent material of the metal plate is copper (Cu) or a copper alloy. The connection terminal F21 is connected to the terminal portion 322 (output terminal 32A) of the semiconductor device B21 and the terminal portion 312 (input terminal 31A) of the semiconductor device B22. The connection terminal F22 is connected to the terminal portion 322 (output terminal 32B) of the semiconductor device B21 and the terminal portion 312 (input terminal 31B) of the semiconductor device B22.

〔絶縁電源モジュールＧ〕
絶縁電源モジュールＧは、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の第１半導体モジュールＡ２１および第２半導体モジュールＡ２２等を駆動するための電力を供給するモジュールである。絶縁電源モジュールＧは、たとえば図示しないケーブルを介して第１半導体モジュールＡ２１および第２半導体モジュールＡ２２等に接続される。[Insulated power supply module G]
The isolated power supply module G is a module that supplies electric power for driving the first semiconductor module A21, the second semiconductor module A22, and the like of the AC / DC converter unit C1. The insulated power supply module G is connected to the first semiconductor module A21, the second semiconductor module A22, and the like via, for example, a cable (not shown).

〔トランスモジュールＨ〕
トランスモジュールＨは、図１９および図２０に示すように、第２半導体モジュールＡ２２と出力モジュールＥとの間に介在している。トランスモジュールＨは、第２半導体モジュールＡ２２および出力モジュールＥとともに、ＤＣ／ＤＣコンバータ機能を果たすものである。トランスモジュールＨの具体的な構成は何ら限定されず、本実施形態においては、トランスＨ３、入力端子Ｈ１１、入力端子Ｈ１２、出力端子Ｈ２１および出力端子Ｈ２２を有する。[Trans module H]
As shown in FIGS. 19 and 20, the transformer module H is interposed between the second semiconductor module A22 and the output module E. The transformer module H, together with the second semiconductor module A22 and the output module E, functions as a DC / DC converter. The specific configuration of the transformer module H is not limited in any way, and in this embodiment, it has a transformer H3, an input terminal H11, an input terminal H12, an output terminal H21, and an output terminal H22.

トランスＨ３は、第２半導体モジュールＡ２２側（１次側）と出力モジュールＥ側（２次側）とを絶縁しつつ、所定の電圧変化機能を果たす。入力端子Ｈ１１は、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の出力端子３２Ａに接続されている。入力端子Ｈ１２は、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の出力端子３２Ｂに接続されている。出力端子Ｈ２１は、出力モジュールＥの半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ａに接続されている。出力端子Ｈ２２は、出力モジュールＥの半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ｂに接続されている。 The transformer H3 performs a predetermined voltage change function while insulating the second semiconductor module A22 side (primary side) and the output module E side (secondary side). The input terminal H11 is connected to the output terminal 32A of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22). The input terminal H12 is connected to the output terminal 32B of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22). The output terminal H21 is connected to the input terminal 31A of the semiconductor device B23 of the output module E. The output terminal H22 is connected to the input terminal 31B of the semiconductor device B23 of the output module E.

本実施形態においては、図２０および図２１に示すように、入力モジュールＤのｙ方向他方側に第１半導体モジュールＡ２１、コンデンサモジュールＦおよび絶縁電源モジュールＧが配置されている。第１半導体モジュールＡ２１は、ｘ方向においてコンデンサモジュールＦと絶縁電源モジュールＧとに挟まれて配置されている。第２半導体モジュールＡ２２は、第１半導体モジュールＡ２１のｙ方向他方側に配置されている。第２半導体モジュールＡ２２は、ｘ方向においてコンデンサモジュールＦと絶縁電源モジュールＧとに挟まれて配置されている。トランスモジュールＨは、コンデンサモジュールＦ、第２半導体モジュールＡ２２および絶縁電源モジュールＧのｙ方向他方側に配置されている。出力モジュールＥは、トランスモジュールＨのｙ方向他方側に配置されている。半導体装置Ｂ２３は、ｘ方向における位置が、半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２と略同じとなるように配置されている。 In this embodiment, as shown in FIGS. 20 and 21, the first semiconductor module A21, the capacitor module F, and the isolated power supply module G are arranged on the other side of the input module D in the y direction. The first semiconductor module A21 is arranged so as to be sandwiched between the capacitor module F and the insulated power supply module G in the x direction. The second semiconductor module A22 is arranged on the other side of the first semiconductor module A21 in the y direction. The second semiconductor module A22 is arranged so as to be sandwiched between the capacitor module F and the insulated power supply module G in the x direction. The transformer module H is arranged on the other side of the capacitor module F, the second semiconductor module A22, and the isolated power supply module G in the y direction. The output module E is arranged on the other side of the transformer module H in the y direction. The semiconductor device B23 is arranged so that the position in the x direction is substantially the same as that of the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22.

図２０、図２１および図２３に示すように、入力モジュールＤの出力端子Ｄ４１と第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の入力端子３１Ａの端子部３１２とは、ボルト３５１およびナット３６１によって直接接続されている。ボルト３５１およびナット３６１は、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。出力端子Ｄ４１と端子部３１２とは、締結用孔Ｄ４３および締結用孔３１３がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５１は、締結用孔Ｄ４３および締結用孔３１３に挿通されている。ナット３６１は、ボルト３５１に螺合されている。ボルト３５１とナット３６１との締結力によって、出力端子Ｄ４１と端子部３１２（入力端子３１Ａ）とが締結（固定）されており、直接接続されている。 As shown in FIGS. 20, 21 and 23, the output terminal D41 of the input module D and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) are directly connected by bolts 351 and nuts 361. Has been done. The bolt 351 and the nut 361 are specific examples of the fastening members of the present disclosure, and are examples of the fixing means of the present disclosure. The output terminal D41 and the terminal portion 312 are overlapped with each other so that the fastening hole D43 and the fastening hole 313 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 351 is inserted into the fastening hole D43 and the fastening hole 313. The nut 361 is screwed into the bolt 351. The output terminal D41 and the terminal portion 312 (input terminal 31A) are fastened (fixed) by the fastening force between the bolt 351 and the nut 361, and are directly connected to each other.

また、入力モジュールＤの出力端子Ｄ４２と第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の入力端子３１Ｂの端子部３１２とは、ボルト３５２およびナット３６２によって直接接続されている。ボルト３５２およびナット３６２は、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。出力端子Ｄ４２と端子部３１２とは、締結用孔Ｄ４３および締結用孔３１３がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５２は、締結用孔Ｄ４３および締結用孔３１３に挿通されている。ナット３６２は、ボルト３５２に螺合されている。ボルト３５２とナット３６２との締結力によって、出力端子Ｄ４２と端子部３１２（入力端子３１Ｂ）とが締結（固定）されており、直接接続されている。 Further, the output terminal D42 of the input module D and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) are directly connected by a bolt 352 and a nut 362. The bolt 352 and the nut 362 are specific examples of the fastening members of the present disclosure, and are examples of the fixing means of the present disclosure. The output terminal D42 and the terminal portion 312 are overlapped with each other so that the fastening hole D43 and the fastening hole 313 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 352 is inserted into the fastening hole D43 and the fastening hole 313. The nut 362 is screwed onto the bolt 352. The output terminal D42 and the terminal portion 312 (input terminal 31B) are fastened (fixed) by the fastening force between the bolt 352 and the nut 362, and are directly connected to each other.

図２０、図２１、図２４および図２５に示すように、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の出力端子３２Ａの端子部３２２と、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の入力端子３１Ａの端子部３１２とは、ボルト３５３およびナット３６３によって直接接続されている。ボルト３５３およびナット３６３は、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。半導体装置Ｂ２１の出力端子３２Ａの端子部３２２と半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ａの端子部３１２とは、締結用孔３２３および締結用孔３１３がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５３は、締結用孔３２３および締結用孔３１３に挿通されている。ナット３６３は、ボルト３５３に螺合されている。ボルト３５３とナット３６３との締結力によって、半導体装置Ｂ２１の出力端子３２Ａの端子部３２２と半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ａの端子部３１２とが締結（固定）されており、直接接続されている。 As shown in FIGS. 20, 21, 24 and 25, the terminal portion 322 of the output terminal 32A of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) and the input terminal 31A of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22). Is directly connected to the terminal portion 312 of the above by a bolt 353 and a nut 363. The bolt 353 and the nut 363 are specific examples of the fastening members of the present disclosure, and are examples of the fixing means of the present disclosure. The terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B21 and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the semiconductor device B22 are overlapped with each other so that the fastening hole 323 and the fastening hole 313 substantially coincide with each other in the z-direction view. .. The bolt 353 is inserted into the fastening hole 323 and the fastening hole 313. The nut 363 is screwed onto the bolt 353. The terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B21 and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the semiconductor device B22 are fastened (fixed) by the fastening force between the bolt 353 and the nut 363, and are directly connected to each other.

また、本実施形態においては、半導体装置Ｂ２１の出力端子３２Ａの端子部３２２および半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ａの端子部３１２とともに接続端子Ｆ２１が締結されている。本実施形態の接続端子Ｆ２１は、第１部Ｆ２１１、第２部Ｆ２１２および第３部Ｆ２１３を有する。第１部Ｆ２１１は、スナバコンデンサＦ１の側からｘ方向に直状に延びる部分である。第２部Ｆ２１２は、接続端子Ｆ２１のｙ方向における先端部分であり、第１部Ｆ２１１に対してｚ方向図中下方に位置している。第３部Ｆ２１３は、第１部Ｆ２１１と第２部Ｆ２１２との間に介在しており、ｘ方向およびｚ方向に対して傾いている。第２部Ｆ２１２には、締結用孔Ｆ２１４が形成されている。第２部Ｆ２１２と端子部３２２および端子部３１２とは、締結用孔Ｆ２１４と締結用孔３２３および締結用孔３１３とがｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５３は、締結用孔Ｆ２１４、締結用孔３２３および締結用孔３１３に挿通されている。ナット３６３は、ボルト３５３に螺合されている。ボルト３５３とナット３６３との締結力によって、半導体装置Ｂ２１の出力端子３２Ａの端子部３２２および半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ａの端子部３１２と接続端子Ｆ２１の第２部Ｆ２１２とが締結（固定）されており、直接接続されている。 Further, in the present embodiment, the connection terminal F21 is fastened together with the terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B21 and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the semiconductor device B22. The connection terminal F21 of the present embodiment has a first part F211 and a second part F212 and a third part F213. The first part F211 is a portion extending directly in the x direction from the side of the snubber capacitor F1. The second part F212 is a tip portion of the connection terminal F21 in the y direction, and is located lower in the z direction diagram with respect to the first part F211. The third part F213 is interposed between the first part F211 and the second part F212, and is inclined with respect to the x direction and the z direction. A fastening hole F214 is formed in the second portion F212. The second portion F212, the terminal portion 322, and the terminal portion 312 are overlapped with each other so that the fastening hole F214 and the fastening hole 323 and the fastening hole 313 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 353 is inserted into the fastening hole F214, the fastening hole 323, and the fastening hole 313. The nut 363 is screwed onto the bolt 353. By the fastening force between the bolt 353 and the nut 363, the terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B21, the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the semiconductor device B22, and the second portion F212 of the connection terminal F21 are fastened (fixed). And is directly connected.

図２０、図２１および図２５に示すように、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の出力端子３２Ｂの端子部３２２と、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の入力端子３１Ｂの端子部３１２とは、ボルト３５４およびナット３６４によって直接接続されている。ボルト３５４およびナット３６４は、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。半導体装置Ｂ２１の出力端子３２Ｂの端子部３２２と半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ｂの端子部３１２とは、締結用孔３２３および締結用孔３１３がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５４は、締結用孔３２３および締結用孔３１３に挿通されている。ナット３６４は、ボルト３５４に螺合されている。ボルト３５４とナット３６４との締結力によって、半導体装置Ｂ２１の出力端子３２Ｂの端子部３２２と半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ｂの端子部３１２とが締結（固定）されており、直接接続されている。 As shown in FIGS. 20, 21 and 25, the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) and the terminal portion of the input terminal 31B of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22). The 312 is directly connected by a bolt 354 and a nut 364. The bolt 354 and the nut 364 are specific examples of the fastening members of the present disclosure, and are examples of the fixing means of the present disclosure. The terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B21 and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the semiconductor device B22 are overlapped with each other so that the fastening hole 323 and the fastening hole 313 substantially coincide with each other in the z-direction view. .. The bolt 354 is inserted into the fastening hole 323 and the fastening hole 313. The nut 364 is screwed onto the bolt 354. By the fastening force between the bolt 354 and the nut 364, the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B21 and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the semiconductor device B22 are fastened (fixed) and directly connected.

また、本実施形態においては、半導体装置Ｂ２１の出力端子３２Ｂの端子部３２２および半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ｂの端子部３１２とともに接続端子Ｆ２２が締結されている。本実施形態の接続端子Ｆ２２は、第１部Ｆ２２１、第２部Ｆ２２２および第３部Ｆ２２３を有する。第１部Ｆ２２１は、スナバコンデンサＦ１の側からｘ方向に直状に延びる部分である。第１部Ｆ２２１は、ｚ方向視においてボルト３５３およびナット３６３によって固定された端子部３１２、端子部３２２および第２部Ｆ２１２と重なっている。また、第１部Ｆ２２１は、ボルト３５３およびナット３６３によって固定された端子部３１２、端子部３２２および第２部Ｆ２１２のｚ方向図中下方に位置している。第２部Ｆ２２２は、接続端子Ｆ２２のｙ方向における先端部分であり、第１部Ｆ２２１に対してｚ方向図中上方に位置している。第３部Ｆ２２３は、第１部Ｆ２２１と第２部Ｆ２２２との間に介在しており、ｘ方向およびｚ方向に対して傾いている。第２部Ｆ２２２には、締結用孔Ｆ２２４が形成されている。第２部Ｆ２２２と端子部３２２および端子部３１２とは、締結用孔Ｆ２２４と締結用孔３２３および締結用孔３１３とがｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５４は、締結用孔Ｆ２２４、締結用孔３２３および締結用孔３１３に挿通されている。ナット３６４は、ボルト３５４に螺合されている。ボルト３５４とナット３６４との締結力によって、半導体装置Ｂ２１の出力端子３２Ｂの端子部３２２および半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ｂの端子部３１２と接続端子Ｆ２２の第２部Ｆ２２２とが締結（固定）されており、直接接続されている。 Further, in the present embodiment, the connection terminal F22 is fastened together with the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B21 and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the semiconductor device B22. The connection terminal F22 of the present embodiment has a first part F221, a second part F222, and a third part F223. The first part F221 is a portion extending directly in the x direction from the side of the snubber capacitor F1. The first part F221 overlaps with the terminal part 312, the terminal part 322, and the second part F212 fixed by the bolt 353 and the nut 363 in the z-direction view. Further, the first portion F221 is located below the terminal portion 312, the terminal portion 322, and the second portion F212 fixed by the bolt 353 and the nut 363 in the z-direction diagram. The second part F222 is a tip portion of the connection terminal F22 in the y direction, and is located above the first part F221 in the z-direction diagram. The third part F223 is interposed between the first part F221 and the second part F222, and is inclined with respect to the x direction and the z direction. A fastening hole F224 is formed in the second part F222. The second portion F222, the terminal portion 322, and the terminal portion 312 are overlapped with each other so that the fastening hole F224 and the fastening hole 323 and the fastening hole 313 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 354 is inserted into the fastening hole F224, the fastening hole 323, and the fastening hole 313. The nut 364 is screwed onto the bolt 354. By the fastening force between the bolt 354 and the nut 364, the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B21, the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the semiconductor device B22, and the second portion F222 of the connection terminal F22 are fastened (fixed). And is directly connected.

図２０、図２１および図２６に示すように、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の出力端子３２Ａの端子部３２２と、トランスモジュールＨの入力端子Ｈ１１とは、ボルト３５５およびナット３６５によって直接接続されている。ボルト３５５およびナット３６５は、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。半導体装置Ｂ２２の出力端子３２Ａの端子部３２２とトランスモジュールＨの入力端子Ｈ１１とは、締結用孔３２３および締結用孔Ｈ１３がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５５は、締結用孔３２３および締結用孔Ｈ１３に挿通されている。ナット３６５は、ボルト３５５に螺合されている。ボルト３５５とナット３６５との締結力によって、半導体装置Ｂ２２の出力端子３２Ａの端子部３２２とトランスモジュールＨの締結用孔Ｈ１３とが締結（固定）されており、直接接続されている。 As shown in FIGS. 20, 21 and 26, the terminal portion 322 of the output terminal 32A of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) and the input terminal H11 of the transformer module H are directly connected to each other by bolts 355 and nuts 365. It is connected. The bolt 355 and the nut 365 are specific examples of the fastening members of the present disclosure, and are examples of the fixing means of the present disclosure. The terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B22 and the input terminal H11 of the transformer module H are overlapped with each other so that the fastening hole 323 and the fastening hole H13 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 355 is inserted through the fastening hole 323 and the fastening hole H13. The nut 365 is screwed onto the bolt 355. The terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B22 and the fastening hole H13 of the transformer module H are fastened (fixed) by the fastening force between the bolt 355 and the nut 365, and are directly connected to each other.

また、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の出力端子３２Ｂの端子部３２２と、トランスモジュールＨの入力端子Ｈ１２とは、ボルト３５６およびナット３６６によって直接接続されている。ボルト３５６およびナット３６６は、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。半導体装置Ｂ２２の出力端子３２Ｂの端子部３２２とトランスモジュールＨの入力端子Ｈ１２とは、締結用孔３２３および締結用孔Ｈ１３がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５６は、締結用孔３２３および締結用孔Ｈ１３に挿通されている。ナット３６６は、ボルト３５６に螺合されている。ボルト３５６とナット３６６との締結力によって、半導体装置Ｂ２２の出力端子３２Ｂの端子部３２２とトランスモジュールＨの締結用孔Ｈ１３とが締結（固定）されており、直接接続されている。 Further, the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) and the input terminal H12 of the transformer module H are directly connected by bolts 356 and nuts 366. Bolts 356 and nuts 366 are specific examples of the fastening members of the present disclosure and are examples of the fixing means of the present disclosure. The terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B22 and the input terminal H12 of the transformer module H are overlapped with each other so that the fastening hole 323 and the fastening hole H13 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 356 is inserted into the fastening hole 323 and the fastening hole H13. The nut 366 is screwed onto the bolt 356. The terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B22 and the fastening hole H13 of the transformer module H are fastened (fixed) by the fastening force between the bolt 356 and the nut 366, and are directly connected to each other.

図２０および図２７に示すように、トランスモジュールＨの出力端子Ｈ２１と、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ａの端子部３１２とは、ボルト３５７およびナット３６７によって直接接続されている。ボルト３５７およびナット３６７は、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。トランスモジュールＨの出力端子Ｈ２１と、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ａの端子部３１２とは、締結用孔Ｈ２３および締結用孔３１３がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５７は、締結用孔Ｈ２３および締結用孔３１３に挿通されている。ナット３６７は、ボルト３５７に螺合されている。ボルト３５７とナット３６７との締結力によって、トランスモジュールＨの出力端子Ｈ２１と、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ａの端子部３１２とが締結（固定）されており、直接接続されている。 As shown in FIGS. 20 and 27, the output terminal H21 of the transformer module H and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the semiconductor device B23 are directly connected by bolts 357 and nuts 367. The bolt 357 and the nut 367 are specific examples of the fastening members of the present disclosure, and are examples of the fixing means of the present disclosure. The output terminal H21 of the transformer module H and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the semiconductor device B23 are overlapped with each other so that the fastening hole H23 and the fastening hole 313 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 357 is inserted into the fastening hole H23 and the fastening hole 313. The nut 367 is screwed onto the bolt 357. The output terminal H21 of the transformer module H and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the semiconductor device B23 are fastened (fixed) by the fastening force between the bolt 357 and the nut 367, and are directly connected to each other.

また、トランスモジュールＨの出力端子Ｈ２２と、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ｂの端子部３１２とは、ボルト３５８およびナット３６８によって直接接続されている。ボルト３５８およびナット３６８は、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。トランスモジュールＨの出力端子Ｈ２２と、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ｂの端子部３１２とは、締結用孔Ｈ２３および締結用孔３１３がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５８は、締結用孔Ｈ２３および締結用孔３１３に挿通されている。ナット３６８は、ボルト３５８に螺合されている。ボルト３５８とナット３６８との締結力によって、トランスモジュールＨの出力端子Ｈ２２と、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ｂの端子部３１２とが締結（固定）されており、直接接続されている。 Further, the output terminal H22 of the transformer module H and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the semiconductor device B23 are directly connected by bolts 358 and nuts 368. Bolts 358 and nuts 368 are specific examples of the fastening members of the present disclosure and are examples of the fixing means of the present disclosure. The output terminal H22 of the transformer module H and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the semiconductor device B23 are overlapped with each other so that the fastening hole H23 and the fastening hole 313 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 358 is inserted into the fastening hole H23 and the fastening hole 313. The nut 368 is screwed onto the bolt 358. The output terminal H22 of the transformer module H and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the semiconductor device B23 are fastened (fixed) by the fastening force between the bolt 358 and the nut 368, and are directly connected to each other.

図２０および図２８に示すように、半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ａと、出力基板Ｅ３とは、ボルト３５９およびナット３６９によって直接接続されている。ボルト３５９およびナット３６９は、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ａの端子部３２２と出力基板Ｅ３とは、締結用孔３２３および締結用孔Ｅ３１がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５９は、締結用孔３２３および締結用孔Ｅ３１に挿通されている。ナット３６９は、ボルト３５９に螺合されている。ボルト３５９とナット３６９との締結力によって、半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ａの端子部３２２と出力基板Ｅ３とが締結（固定）されており、直接接続されている。 As shown in FIGS. 20 and 28, the output terminal 32A of the semiconductor device B23 and the output board E3 are directly connected by bolts 359 and nuts 369. Bolts 359 and nuts 369 are specific examples of the fastening members of the present disclosure and are examples of the fixing means of the present disclosure. The terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B23 and the output board E3 are overlapped with each other so that the fastening hole 323 and the fastening hole E31 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 359 is inserted into the fastening hole 323 and the fastening hole E31. The nut 369 is screwed onto the bolt 359. The terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B23 and the output board E3 are fastened (fixed) by the fastening force between the bolt 359 and the nut 369, and are directly connected to each other.

また、半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ｂと、出力基板Ｅ３とは、ボルト３５ａおよびナット３６ａによって直接接続されている。ボルト３５ａおよびナット３６ａは、本開示の締結部材の一具体例であり、本開示の固定手段の一例である。半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ｂの端子部３２２と出力基板Ｅ３とは、締結用孔３２３および締結用孔Ｅ３１がｚ方向視において略一致するように互いに重ねられている。ボルト３５ａは、締結用孔３２３および締結用孔Ｅ３１に挿通されている。ナット３６ａは、ボルト３５ａに螺合されている。ボルト３５ａとナット３６ａとの締結力によって、半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ｂの端子部３２２と出力基板Ｅ３とが締結（固定）されており、直接接続されている。 Further, the output terminal 32B of the semiconductor device B23 and the output board E3 are directly connected by bolts 35a and nuts 36a. The bolt 35a and the nut 36a are specific examples of the fastening members of the present disclosure, and are examples of the fixing means of the present disclosure. The terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B23 and the output board E3 are overlapped with each other so that the fastening hole 323 and the fastening hole E31 substantially coincide with each other in the z-direction view. The bolt 35a is inserted into the fastening hole 323 and the fastening hole E31. The nut 36a is screwed into the bolt 35a. The terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B23 and the output board E3 are fastened (fixed) by the fastening force between the bolt 35a and the nut 36a, and are directly connected to each other.

本実施形態によれば、図２０〜図２２、図２４および図２５に示すように、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の出力端子３２Ａの端子部３２２と第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の入力端子３１Ａの端子部３１２とが、固定手段であるボルト３５３およびナット３６３によって直接接続されている。これにより、出力端子３２Ａと入力端子３１Ａとの接続経路におけるインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めることができる。また、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の出力端子３２Ｂの端子部３２２と第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の入力端子３１Ｂの端子部３１２とが、固定手段であるボルト３５４およびナット３６４によって直接接続されている。これにより、出力端子３２Ｂと入力端子３１Ｂとの接続経路におけるインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めることができる。 According to the present embodiment, as shown in FIGS. 20 to 22, 24 and 25, the terminal portion 322 of the output terminal 32A of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) and the second semiconductor module A22 (semiconductor device). The terminal portion 312 of the input terminal 31A of B22) is directly connected by a bolt 353 and a nut 363 which are fixing means. As a result, it is possible to reduce the inductance in the connection path between the output terminal 32A and the input terminal 31A, and it is possible to further improve the responsiveness of the AC / DC converter unit C1. Further, the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) are fixed with bolts 354 and nuts. It is directly connected by 364. As a result, it is possible to reduce the inductance in the connection path between the output terminal 32B and the input terminal 31B, and it is possible to further improve the responsiveness of the AC / DC converter unit C1.

封止樹脂６０から突出する端子部３１２および端子部３２２は、ｙ方向に直状に延びる形状である。これにより、端子部３１２および端子部３２２自体のインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めるのに好ましい。 The terminal portion 312 and the terminal portion 322 protruding from the sealing resin 60 have a shape extending directly in the y direction. This makes it possible to reduce the inductance of the terminal portion 312 and the terminal portion 322 itself, which is preferable for further enhancing the responsiveness of the AC / DC converter unit C1.

固定手段として、締結手段であるボルト３５３およびナット３６３やボルト３５４およびナット３６４を用いることは、確実な接続を実現するとともに、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）および第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）のいずれか一方をＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１から取り外し、その後取り付けることを容易に行うことができる。これにより、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）および第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）のいずれか一方をより容易に交換可能である。 By using bolts 353 and nuts 363 and bolts 354 and nuts 364 as fastening means, the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) and the second semiconductor module A22 (semiconductor) can be used to realize a reliable connection. One of the devices B22) can be easily removed from the AC / DC converter unit C1 and then attached. Thereby, either one of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) and the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) can be replaced more easily.

図２０、図２１、図２４および図２５に示すように、本実施形態においては、接続端子Ｆ２１の第２部Ｆ２１２が、出力端子３２Ａの端子部３２２および入力端子３１Ａの端子部３１２とともに、固定手段であるボルト３５３およびナット３６３によって、互いに直接接続されている。これにより、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）およびコンデンサモジュールＦを接続する接続経路のインダクタンスを低減することができる。 As shown in FIGS. 20, 21, 24 and 25, in the present embodiment, the second portion F212 of the connection terminal F21 is fixed together with the terminal portion 322 of the output terminal 32A and the terminal portion 312 of the input terminal 31A. They are directly connected to each other by means of bolts 353 and nuts 363. As a result, the inductance of the connection path connecting the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21), the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22), and the capacitor module F can be reduced.

また、本実施形態においては、接続端子Ｆ２２の第２部Ｆ２２２が、出力端子３２Ｂの端子部３２２および入力端子３１Ｂの端子部３１２とともに、固定手段であるボルト３５４およびナット３６４によって、互いに直接接続されている。これにより、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）およびコンデンサモジュールＦを接続する接続経路のインダクタンスを低減することができる。 Further, in the present embodiment, the second portion F222 of the connection terminal F22 is directly connected to each other by the bolt 354 and the nut 364 as fixing means together with the terminal portion 322 of the output terminal 32B and the terminal portion 312 of the input terminal 31B. ing. As a result, the inductance of the connection path connecting the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21), the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22), and the capacitor module F can be reduced.

図２０、図２１および図２３に示すように、入力モジュールＤの出力端子Ｄ４１と第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の入力端子３１Ａの端子部３１２とが、固定手段であるボルト３５１およびナット３６１によって直接接続されている。また、入力モジュールＤの出力端子Ｄ４２と第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の入力端子３１Ｂの端子部３１２とが、ボルト３５２およびナット３６２によって直接接続されている。これにより、出力端子Ｄ４１，Ｄ４２と入力端子３１Ａ，３１Ｂとの接続経路におけるインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めることができる。 As shown in FIGS. 20, 21 and 23, the output terminal D41 of the input module D and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) are a bolt 351 and a nut which are fixing means. It is directly connected by 361. Further, the output terminal D42 of the input module D and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) are directly connected by bolts 352 and nuts 362. As a result, it is possible to reduce the inductance in the connection path between the output terminals D41 and D42 and the input terminals 31A and 31B, and it is possible to further improve the responsiveness of the AC / DC converter unit C1.

出力端子Ｄ４１，Ｄ４２および端子部３１２は、ｙ方向に直状に延びる形状である。これにより、出力端子Ｄ４１，Ｄ４２および端子部３１２自体のインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めるのに好ましい。 The output terminals D41 and D42 and the terminal portion 312 have a shape extending directly in the y direction. This makes it possible to reduce the inductance of the output terminals D41 and D42 and the terminal portion 312 itself, which is preferable for further enhancing the responsiveness of the AC / DC converter unit C1.

固定手段として、締結手段であるボルト３５１およびナット３６１やボルト３５２およびナット３６２を用いることは、確実な接続を実現するとともに、入力モジュールＤおよび第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）のいずれか一方をＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１から取り外し、その後取り付けることを容易に行うことができる。これにより、入力モジュールＤおよび第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）のいずれか一方をより容易に交換可能である。 The use of bolts 351 and nuts 361 and bolts 352 and nuts 362, which are fastening means, as the fixing means realizes reliable connection and is one of the input module D and the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21). Can be easily removed from the AC / DC converter unit C1 and then attached. As a result, either the input module D or the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) can be replaced more easily.

図２０、図２１および図２６に示すように、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の出力端子３２Ａの端子部３２２とトランスモジュールＨの入力端子Ｈ１１とが、固定手段であるボルト３５５およびナット３６５によって直接接続されている。また、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の出力端子３２Ｂの端子部３２２とトランスモジュールＨの入力端子Ｈ１２とが、固定手段であるボルト３５６およびナット３６６によって直接接続されている。これにより、出力端子３２Ａ，３２Ｂと入力端子Ｈ１１，Ｈ１２との接続経路におけるインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めることができる。 As shown in FIGS. 20, 21 and 26, the terminal portion 322 of the output terminal 32A of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) and the input terminal H11 of the transformer module H are bolts 355 and nuts which are fixing means. It is directly connected by 365. Further, the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) and the input terminal H12 of the transformer module H are directly connected by bolts 356 and nuts 366 which are fixing means. As a result, it is possible to reduce the inductance in the connection path between the output terminals 32A and 32B and the input terminals H11 and H12, and it is possible to further improve the responsiveness of the AC / DC converter unit C1.

端子部３２２および入力端子Ｈ１１，Ｈ１２は、ｙ方向に直状に延びる形状である。これにより、端子部３２２および入力端子Ｈ１１，Ｈ１２自体のインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めるのに好ましい。 The terminal portion 322 and the input terminals H11 and H12 have a shape extending directly in the y direction. This makes it possible to reduce the inductance of the terminal portion 322 and the input terminals H11 and H12 themselves, which is preferable for further enhancing the responsiveness of the AC / DC converter unit C1.

固定手段として、締結手段であるボルト３５５およびナット３６５やボルト３５６およびナット３６６を用いることは、確実な接続を実現するとともに、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）および出力モジュールＥのいずれか一方をＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１から取り外し、その後取り付けることを容易に行うことができる。これにより、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）および出力モジュールＥのいずれか一方をより容易に交換可能である。 The use of bolts 355 and nuts 365 and bolts 356 and nuts 366, which are fastening means, as the fixing means realizes reliable connection and is one of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) and the output module E. Can be easily removed from the AC / DC converter unit C1 and then attached. As a result, either the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) or the output module E can be replaced more easily.

図２０および図２７に示すように、トランスモジュールＨの出力端子Ｈ２１と、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ａの端子部３１２とが、固定手段であるボルト３５７およびナット３６７によって直接接続されている。また、トランスモジュールＨの出力端子Ｈ２２と、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ｂの端子部３１２とが、固定手段であるボルト３５８およびナット３６８によって直接接続されている。これにより、出力端子Ｈ２１，Ｈ２２と入力端子３１Ａ，３１Ｂとの接続経路におけるインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めることができる。 As shown in FIGS. 20 and 27, the output terminal H21 of the transformer module H and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the semiconductor device B23 are directly connected by bolts 357 and nuts 367 which are fixing means. Further, the output terminal H22 of the transformer module H and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the semiconductor device B23 are directly connected by bolts 358 and nuts 368 which are fixing means. As a result, it is possible to reduce the inductance in the connection path between the output terminals H21 and H22 and the input terminals 31A and 31B, and it is possible to further improve the responsiveness of the AC / DC converter unit C1.

出力端子Ｈ２１，Ｈ２２および端子部３１２は、ｙ方向に直状に延びる形状である。これにより、出力端子Ｈ２１，Ｈ２２および端子部３１２自体のインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めるのに好ましい。 The output terminals H21, H22 and the terminal portion 312 have a shape extending directly in the y direction. This makes it possible to reduce the inductance of the output terminals H21, H22 and the terminal portion 312 itself, which is preferable for further enhancing the responsiveness of the AC / DC converter unit C1.

固定手段として、締結手段であるボルト３５７およびナット３６７やボルト３５８およびナット３６８を用いることは、確実な接続を実現するとともに、トランスモジュールＨおよび半導体装置Ｂ２３のいずれか一方をＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１から取り外し、その後取り付けることを容易に行うことができる。これにより、トランスモジュールＨおよび半導体装置Ｂ２３のいずれか一方をより容易に交換可能である。 The use of bolts 357 and nuts 367 and bolts 358 and nuts 368, which are fastening means, as fixing means realizes reliable connection and connects either the transformer module H or the semiconductor device B23 to the AC / DC converter unit C1. It can be easily removed from and then attached. As a result, either the transformer module H or the semiconductor device B23 can be replaced more easily.

図２０および図２８に示すように、半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ａの端子部３２２と、出力基板Ｅ３とが、固定手段であるボルト３５９およびナット３６９によって直接接続されている。また、半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ｂの端子部３２２と、出力基板Ｅ３とが、固定手段であるボルト３５ａおよびナット３６ａによって直接接続されている。これにより、出力端子３２Ａ，３２Ｂと出力基板Ｅ３との接続経路におけるインダクタンスを低減することが可能であり、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の応答性をより高めることができる。 As shown in FIGS. 20 and 28, the terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B23 and the output board E3 are directly connected by bolts 359 and nuts 369 which are fixing means. Further, the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B23 and the output board E3 are directly connected by bolts 35a and nuts 36a which are fixing means. As a result, it is possible to reduce the inductance in the connection path between the output terminals 32A and 32B and the output board E3, and it is possible to further improve the responsiveness of the AC / DC converter unit C1.

固定手段として、締結手段であるボルト３５９およびナット３６９やボルト３５ａおよびナット３６ａを用いることは、確実な接続を実現するとともに、半導体装置Ｂ２３をＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１から取り外し、その後取り付けることを容易に行うことができる。これにより、半導体装置Ｂ２３をより容易に交換可能である。 Using bolts 359 and nuts 369 and bolts 35a and nuts 36a, which are fastening means, as fixing means realizes reliable connection and makes it easy to remove the semiconductor device B23 from the AC / DC converter unit C1 and then attach it. Can be done. As a result, the semiconductor device B23 can be replaced more easily.

図２９〜図５０は、本開示の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。 29-50 show variants and other embodiments of the present disclosure. In these figures, the same or similar elements as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals as those in the above embodiment.

〔ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１ 第１変形例〕
図２９は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の第１変形例を示している。本変形例のＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１１は、第１半導体モジュールＡ２１、第２半導体モジュールＡ２２、コンデンサモジュールＦ、絶縁電源モジュールＧおよび半導体装置Ｂ２３の配置が、上述したＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１と異なる。[AC / DC converter unit C1 first modification]
FIG. 29 shows a first modification of the AC / DC converter unit C1. The AC / DC converter unit C11 of this modification is different from the AC / DC converter unit C1 described above in the arrangement of the first semiconductor module A21, the second semiconductor module A22, the capacitor module F, the isolated power supply module G, and the semiconductor device B23. ..

本変形例においては、コンデンサモジュールＦが、ｘ方向において絶縁電源モジュールＧと第１半導体モジュールＡ２１および第２半導体モジュールＡ２２の間に配置されている。また、半導体装置Ｂ２３は、ｘ方向における位置が半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２と同じとなるように配置されており、出力モジュールＥのｘ方向中心に対して偏った配置とされている。 In this modification, the capacitor module F is arranged between the insulated power supply module G and the first semiconductor module A21 and the second semiconductor module A22 in the x direction. Further, the semiconductor device B23 is arranged so that the position in the x direction is the same as that of the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22, and is arranged so as to be biased with respect to the center of the output module E in the x direction.

本変形例によっても、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１と同様に、応答性をより高めることができる。また、本変形例から理解されるように、第１半導体モジュールＡ２１、第２半導体モジュールＡ２２、コンデンサモジュールＦ、絶縁電源モジュールＧおよび半導体装置Ｂ２３の配置等の配置は種々に変更可能である。 Similar to the AC / DC converter unit C1, the responsiveness can be further enhanced by this modification. Further, as can be understood from this modification, the arrangement of the first semiconductor module A21, the second semiconductor module A22, the capacitor module F, the insulated power supply module G, the semiconductor device B23, and the like can be variously changed.

〔ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１ 第２変形例〕
図３０は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の第２変形例を示している。本変形例のＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１２は、半導体装置Ｂ２３の配置が上述したＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１と異なっている。[AC / DC converter unit C1 second modification]
FIG. 30 shows a second modification of the AC / DC converter unit C1. The AC / DC converter unit C12 of this modification is different from the AC / DC converter unit C1 described above in the arrangement of the semiconductor device B23.

本変形例においては、半導体装置Ｂ２３は、半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２に対して、ｘ方向にシフトした位置に配置されている。言い換えると、半導体装置Ｂ２３は、ｙ方向視において半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２から離間している。本変形例によっても、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１と同様に、応答性をより高めることができる。 In this modification, the semiconductor device B23 is arranged at a position shifted in the x direction with respect to the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22. In other words, the semiconductor device B23 is separated from the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22 in the y-direction view. Similar to the AC / DC converter unit C1, the responsiveness can be further enhanced by this modification.

〔ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１ 第３変形例〕
図３１〜図３３は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の第３変形例を示している。本変形例のＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１３は、出力端子Ｈ２１および出力端子Ｈ２２と、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂ、出力端子３２Ａおよび出力端子３２Ｂの固定態様が、上述したＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１と異なっている。[AC / DC converter unit C1 third modification]
31 to 33 show a third modification of the AC / DC converter unit C1. In the AC / DC converter unit C13 of this modification, the AC / DC in which the output terminal H21 and the output terminal H22 and the input terminal 31A, the input terminal 31B, the output terminal 32A and the output terminal 32B of the semiconductor device B23 are fixed is described above. It is different from the converter unit C1.

本変形例においては、図３１および図３２に示すように、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ａの端子部３１２は、固定手段の一例である溶接部３７７によって出力基板Ｅ３に直接固定されている。図示された例においては、出力基板Ｅ３の溶接用孔Ｅ３２に端子部３１２が挿通されており、溶接部３７７が設けられている。なお、溶接部３７７の具体的な溶接形式はなんら限定されない。いわゆる溶接棒を用いて溶接ビードを形成する形式であってもよいし、端子部３１２等を溶融させることによって溶接ビードを形成する形式であってもよい。この点は、以降に述べる各溶接部についても同様である。 In this modification, as shown in FIGS. 31 and 32, the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the semiconductor device B23 is directly fixed to the output substrate E3 by the welded portion 377 which is an example of the fixing means. In the illustrated example, the terminal portion 312 is inserted through the welding hole E32 of the output board E3, and the welded portion 377 is provided. The specific welding type of the welded portion 377 is not limited at all. It may be a form in which a welding bead is formed by using a so-called welding rod, or a form in which a welding bead is formed by melting a terminal portion 312 or the like. This point is the same for each welded portion described below.

また、半導体装置Ｂ２３の入力端子３１Ｂの端子部３１２は、固定手段の一例である溶接部３７８によって出力基板Ｅ３に直接固定されている。図示された例においては、出力基板Ｅ３の溶接用孔Ｅ３２に端子部３１２が挿通されており、溶接部３７８が設けられている。なお、溶接部３７８の具体的な溶接形式はなんら限定されない。 Further, the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the semiconductor device B23 is directly fixed to the output substrate E3 by a welded portion 378 which is an example of the fixing means. In the illustrated example, the terminal portion 312 is inserted through the welding hole E32 of the output board E3, and the welded portion 378 is provided. The specific welding type of the welded portion 378 is not limited at all.

図３１および図３２に示すように、半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ａの端子部３２２は、固定手段の一例である溶接部３７９によって出力基板Ｅ３に直接固定されている。図示された例においては、出力基板Ｅ３の溶接用孔Ｅ３２に端子部３２２が挿通されており、溶接部３７９が設けられている。なお、溶接部３７９の具体的な溶接形式はなんら限定されない。 As shown in FIGS. 31 and 32, the terminal portion 322 of the output terminal 32A of the semiconductor device B23 is directly fixed to the output substrate E3 by the welded portion 379 which is an example of the fixing means. In the illustrated example, the terminal portion 322 is inserted through the welding hole E32 of the output board E3, and the welding portion 379 is provided. The specific welding type of the welded portion 379 is not limited at all.

また、半導体装置Ｂ２３の出力端子３２Ｂの端子部３２２は、固定手段の一例である溶接部３７ａによって出力基板Ｅ３に直接固定されている。図示された例においては、出力基板Ｅ３の溶接用孔Ｅ３２に端子部３２２が挿通されており、溶接部３７ａが設けられている。なお、溶接部３７ａの具体的な溶接形式はなんら限定されない。 Further, the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the semiconductor device B23 is directly fixed to the output substrate E3 by the welded portion 37a which is an example of the fixing means. In the illustrated example, the terminal portion 322 is inserted through the welding hole E32 of the output board E3, and the welding portion 37a is provided. The specific welding type of the welded portion 37a is not limited at all.

本変形例によっても、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１と同様に、応答性をより高めることができる。また、固定手段として溶接部３７７，３７８，３７９，３７ａを用いた場合であっても、インダクタンスの低減に寄与できる。また、本開示における直接接続された構成には、溶接棒由来の溶接ビードを介して双方が固定されている形態を含む概念である。 Similar to the AC / DC converter unit C1, the responsiveness can be further enhanced by this modification. Further, even when the welded portions 377, 378, 379, 37a are used as the fixing means, it can contribute to the reduction of the inductance. Further, the directly connected configuration in the present disclosure is a concept including a form in which both are fixed via a welding bead derived from a welding rod.

〔ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１ 第４変形例〕
図３４は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の第４変形例を示している。本変形例のＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１４は、第１半導体モジュールＡ２１、第２半導体モジュールＡ２２、コンデンサモジュールＦ、絶縁電源モジュールＧおよび半導体装置Ｂ２３の配置が、上述したＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１３と異なる。[AC / DC converter unit C1 4th modification]
FIG. 34 shows a fourth modification of the AC / DC converter unit C1. The AC / DC converter unit C14 of this modification is different from the AC / DC converter unit C13 described above in the arrangement of the first semiconductor module A21, the second semiconductor module A22, the capacitor module F, the isolated power supply module G, and the semiconductor device B23. ..

本変形例においては、コンデンサモジュールＦが、ｘ方向において絶縁電源モジュールＧと第１半導体モジュールＡ２１および第２半導体モジュールＡ２２の間に配置されている。また、半導体装置Ｂ２３は、ｘ方向における位置が半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２と同じとなるように配置されており、出力モジュールＥのｘ方向中心に対して偏った配置とされている。 In this modification, the capacitor module F is arranged between the insulated power supply module G and the first semiconductor module A21 and the second semiconductor module A22 in the x direction. Further, the semiconductor device B23 is arranged so that the position in the x direction is the same as that of the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22, and is arranged so as to be biased with respect to the center of the output module E in the x direction.

本変形例によっても、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１と同様に、応答性をより高めることができる。また、本変形例から理解されるように、第１半導体モジュールＡ２１、第２半導体モジュールＡ２２、コンデンサモジュールＦ、絶縁電源モジュールＧおよび半導体装置Ｂ２３の配置等の配置は種々に変更可能である。 Similar to the AC / DC converter unit C1, the responsiveness can be further enhanced by this modification. Further, as can be understood from this modification, the arrangement of the first semiconductor module A21, the second semiconductor module A22, the capacitor module F, the insulated power supply module G, the semiconductor device B23, and the like can be variously changed.

〔ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１ 第５変形例〕
図３５は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１の第５変形例を示している。本変形例のＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１５は、半導体装置Ｂ２３の配置が上述したＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１３と異なっている。[AC / DC converter unit C1 fifth modification]
FIG. 35 shows a fifth modification of the AC / DC converter unit C1. The AC / DC converter unit C15 of this modification is different from the AC / DC converter unit C13 described above in the arrangement of the semiconductor device B23.

本変形例においては、半導体装置Ｂ２３は、半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２に対して、ｘ方向にシフトした位置に配置されている。言い換えると、半導体装置Ｂ２３は、ｙ方向視において半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２から離間している。本変形例によっても、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１と同様に、応答性をより高めることができる。 In this modification, the semiconductor device B23 is arranged at a position shifted in the x direction with respect to the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22. In other words, the semiconductor device B23 is separated from the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22 in the y-direction view. Similar to the AC / DC converter unit C1, the responsiveness can be further enhanced by this modification.

〔第２実施形態〕
図３６〜図４２は、本開示の第２実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータユニットを示している。本実施形態のＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２は、半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２の入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂ、出力端子３２Ａおよび出力端子３２Ｂの固定形態が、上述した実施形態と異なっている。[Second Embodiment]
36 to 42 show an AC / DC converter unit according to the second embodiment of the present disclosure. The AC / DC converter unit C2 of the present embodiment is different from the above-described embodiment in that the input terminal 31A, the input terminal 31B, the output terminal 32A, and the output terminal 32B of the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22 are fixed.

本実施形態においては、図３６〜図３８に示すように、入力モジュールＤの出力端子Ｄ４１と第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の入力端子３１Ａの端子部３１２とは、固定手段である溶接部３７１によって直接接続されている。溶接部３７１の溶接形式は何ら限定されない。また、入力モジュールＤの出力端子Ｄ４２と第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の入力端子３１Ｂの端子部３１２とは、固定手段である溶接部３７２によって直接接続されている。溶接部３７１の溶接形式は何ら限定されない。 In the present embodiment, as shown in FIGS. 36 to 38, the output terminal D41 of the input module D and the terminal portion 312 of the input terminal 31A of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) are welded as fixing means. It is directly connected by the unit 371. The welding type of the welded portion 371 is not limited in any way. Further, the output terminal D42 of the input module D and the terminal portion 312 of the input terminal 31B of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) are directly connected by a welding portion 372 which is a fixing means. The welding type of the welded portion 371 is not limited in any way.

また、図３６、図３７、図３９〜図４１に示すように、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の出力端子３２Ａの端子部３２２と第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の入力端子３１Ａの端子部３１２とは、固定手段である溶接部３７３によって直接接続されている。また、本実施形態においては、接続端子Ｆ２１の第２部Ｆ２１２が、溶接部３７３によって出力端子３２Ａの端子部３２２および入力端子３１Ａの端子部３１２に直接接続されている。図示された例においては、溶接部３７３は、溶接部３７３ａと溶接部３７３ｂとを含む。溶接部３７３ａは、端子部３２２と第２部Ｆ２１２とを固定している。溶接部３７３ｂは、端子部３１２と第２部Ｆ２１２とを固定している。なお、溶接部３７３の具体的態様は何ら限定されない。たとえば、端子部３２２、端子部３１２および第２部Ｆ２１２がすべて重ね合わされた状態で、１つの溶接部３７３によって一括して固定されていてもよい。 Further, as shown in FIGS. 36, 37, 39 to 41, the terminal portion 322 of the output terminal 32A of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) and the input terminal of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22). It is directly connected to the terminal portion 312 of 31A by a welded portion 373 which is a fixing means. Further, in the present embodiment, the second portion F212 of the connection terminal F21 is directly connected to the terminal portion 322 of the output terminal 32A and the terminal portion 312 of the input terminal 31A by the welded portion 373. In the illustrated example, the welded portion 373 includes a welded portion 373a and a welded portion 373b. The welded portion 373a fixes the terminal portion 322 and the second portion F212. The welded portion 373b fixes the terminal portion 312 and the second portion F212. The specific aspect of the welded portion 373 is not limited at all. For example, the terminal portion 322, the terminal portion 312, and the second portion F212 may all be overlapped and fixed together by one welded portion 373.

図３６、図３７、図３９〜図４１に示すように、第１半導体モジュールＡ２１（半導体装置Ｂ２１）の出力端子３２Ｂの端子部３２２と第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の入力端子３１Ｂの端子部３１２とは、固定手段である溶接部３７４によって直接接続されている。また、本実施形態においては、接続端子Ｆ２２の第２部Ｆ２２２が、溶接部３７４によって出力端子３２Ａの端子部３２２および入力端子３１Ａの端子部３１２に直接接続されている。図示された例においては、溶接部３７４は、溶接部３７４ａと溶接部３７４ｂとを含む。溶接部３７４ａは、端子部３２２と第２部Ｆ２２２とを固定している。溶接部３７４ｂは、端子部３１２と第２部Ｆ２２２とを固定している。なお、溶接部３７４の具体的態様は何ら限定されない。たとえば、端子部３２２、端子部３１２および第２部Ｆ２２２がすべて重ね合わされた状態で、１つの溶接部３７４によって一括して固定されていてもよい。 As shown in FIGS. 36, 37, 39 to 41, the terminal portion 322 of the output terminal 32B of the first semiconductor module A21 (semiconductor device B21) and the input terminal 31B of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22). The terminal portion 312 is directly connected to the terminal portion 312 by a welded portion 374 which is a fixing means. Further, in the present embodiment, the second portion F222 of the connection terminal F22 is directly connected to the terminal portion 322 of the output terminal 32A and the terminal portion 312 of the input terminal 31A by the welded portion 374. In the illustrated example, the welded portion 374 includes a welded portion 374a and a welded portion 374b. The welded portion 374a fixes the terminal portion 322 and the second portion F222. The welded portion 374b fixes the terminal portion 312 and the second portion F222. The specific aspect of the welded portion 374 is not limited at all. For example, the terminal portion 322, the terminal portion 312, and the second portion F222 may all be overlapped and fixed together by one welded portion 374.

図３６、図３７および図４２に示すように、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の出力端子３２ＡとトランスモジュールＨの入力端子Ｈ１１とは、固定手段である溶接部３７５によって直接接続されている。溶接部３７５の溶接形式は何ら限定されない。また、第２半導体モジュールＡ２２（半導体装置Ｂ２２）の出力端子３２ＢとトランスモジュールＨの入力端子Ｈ１２とは、固定手段である溶接部３７６によって直接接続されている。溶接部３７６の溶接形式は何ら限定されない。 As shown in FIGS. 36, 37 and 42, the output terminal 32A of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) and the input terminal H11 of the transformer module H are directly connected by a welded portion 375 which is a fixing means. There is. The welding type of the welded portion 375 is not limited in any way. Further, the output terminal 32B of the second semiconductor module A22 (semiconductor device B22) and the input terminal H12 of the transformer module H are directly connected by a welded portion 376 which is a fixing means. The welding type of the welded portion 376 is not limited in any way.

本実施形態によっても、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ１と同様に応答性をより高めることができる。また、インダクタンスの低減に寄与する固定態様であれば、締結手段や溶接部に限定されず、様々な固定手段を用いることができる。 Also in this embodiment, the responsiveness can be further enhanced as in the AC / DC converter unit C1. Further, as long as it is a fixing mode that contributes to the reduction of inductance, various fixing means can be used without being limited to the fastening means and the welded portion.

〔ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２ 第１変形例〕
図４３は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２の第１変形例を示している。本変形例のＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２１は、第１半導体モジュールＡ２１、第２半導体モジュールＡ２２、コンデンサモジュールＦおよび絶縁電源モジュールＧの配置が、上述したＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２と異なる。[AC / DC converter unit C2 first modification example]
FIG. 43 shows a first modification of the AC / DC converter unit C2. The AC / DC converter unit C21 of this modification is different from the AC / DC converter unit C2 described above in the arrangement of the first semiconductor module A21, the second semiconductor module A22, the capacitor module F, and the isolated power supply module G.

本変形例においては、コンデンサモジュールＦが、ｘ方向において絶縁電源モジュールＧと第１半導体モジュールＡ２１および第２半導体モジュールＡ２２の間に配置されている。また、半導体装置Ｂ２３は、ｘ方向における位置が半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２と異なる位置に配置されている。本変形例によっても、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２と同様に、応答性をより高めることができる。 In this modification, the capacitor module F is arranged between the insulated power supply module G and the first semiconductor module A21 and the second semiconductor module A22 in the x direction. Further, the semiconductor device B23 is arranged at a position different from that of the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22 in the x direction. Similar to the AC / DC converter unit C2, the responsiveness can be further enhanced by this modification.

〔ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２ 第２変形例〕
図４４は、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２の第２変形例を示している。本変形例のＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２２は、半導体装置Ｂ２３の配置が、上述したＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２と異なる。[AC / DC converter unit C2 second modification]
FIG. 44 shows a second modification of the AC / DC converter unit C2. The AC / DC converter unit C22 of this modification is different from the AC / DC converter unit C2 described above in the arrangement of the semiconductor device B23.

本変形例においては、半導体装置Ｂ２３は、ｘ方向における位置が半導体装置Ｂ２１および半導体装置Ｂ２２と異なる位置に配置されており、出力モジュールＥのｘ方向中心に対して偏った配置とされている。本変形例によっても、ＡＣ／ＤＣコンバータユニットＣ２と同様に、応答性をより高めることができる。 In this modification, the semiconductor device B23 is arranged at a position different from that of the semiconductor device B21 and the semiconductor device B22 in the x direction, and is arranged so as to be biased with respect to the center of the output module E in the x direction. Similar to the AC / DC converter unit C2, the responsiveness can be further enhanced by this modification.

〔第３実施形態 半導体モジュールＡ３〕
図４５〜図４７は、本開示の第３実施形態に係る半導体モジュールを示している。本実施形態の半導体モジュールＡ３は、主に入出力端子３Ａおよび制御端子３Ｂの構成や、第１基板７の具体的構成が、上述した実施形態と異なっている。[Third Embodiment Semiconductor Module A3]
45 to 47 show the semiconductor module according to the third embodiment of the present disclosure. The semiconductor module A3 of the present embodiment is different from the above-described embodiment mainly in the configurations of the input / output terminals 3A and the control terminals 3B and the specific configurations of the first substrate 7.

半導体モジュールＡ３は、半導体装置Ｂ３を備えている。半導体装置Ｂ３は、たとえば、上述の半導体装置Ｂ１と同様の機能を果たす。半導体装置Ｂ３は、複数の入出力端子３Ａおよび複数の制御端子３Ｂを有している。複数の入出力端子３Ａは、たとえば、上述の入力端子３１Ａ、入力端子３１Ｂ、出力端子３２Ａおよび出力端子３２Ｂに該当するものである。複数の制御端子３Ｂは、たとえば、上述のゲート端子３３および検出端子３４に該当するものである。 The semiconductor module A3 includes a semiconductor device B3. The semiconductor device B3 has, for example, the same function as the above-mentioned semiconductor device B1. The semiconductor device B3 has a plurality of input / output terminals 3A and a plurality of control terminals 3B. The plurality of input / output terminals 3A correspond to, for example, the above-mentioned input terminal 31A, input terminal 31B, output terminal 32A, and output terminal 32B. The plurality of control terminals 3B correspond to, for example, the above-mentioned gate terminal 33 and detection terminal 34.

本実施形態においては、複数の入出力端子３Ａは、封止樹脂６０からｘ方向の一方側に突出するものと、ｘ方向の他方側に突出するものとを含んでいる。すなわち、複数の入出力端子３Ａは、封止樹脂６０からｘ方向の両側に突出している。また、本実施形態の入出力端子３Ａは、ｚ方向を厚さ方向とする平板状または帯板状の形態とされている。 In the present embodiment, the plurality of input / output terminals 3A include those projecting from the sealing resin 60 to one side in the x direction and those projecting to the other side in the x direction. That is, the plurality of input / output terminals 3A project from the sealing resin 60 on both sides in the x direction. Further, the input / output terminal 3A of the present embodiment has a flat plate shape or a strip shape with the z direction as the thickness direction.

複数の制御端子３Ｂは、封止樹脂６０から、ｙ方向の一方側に突出している。複数の制御端子３Ｂは、第１コネクタ８によって第１基板７に接続されている。 The plurality of control terminals 3B project from the sealing resin 60 to one side in the y direction. The plurality of control terminals 3B are connected to the first board 7 by the first connector 8.

図４７に示すように、封止樹脂６０には、複数の凸部６６が形成されている。複数の凸部６６は、第１基板７の第１基板裏面７２に当接することにより、第１基板７と封止樹脂６０（半導体装置Ｂ３）とのｚ方向における位置関係を規定するものである。複数の凸部６６の個数は何ら限定されず、図示された例においては、封止樹脂６０の四隅に４つの凸部６６が配置されている。 As shown in FIG. 47, a plurality of convex portions 66 are formed on the sealing resin 60. The plurality of convex portions 66 abut on the back surface 72 of the first substrate of the first substrate 7 to define the positional relationship between the first substrate 7 and the sealing resin 60 (semiconductor device B3) in the z direction. .. The number of the plurality of convex portions 66 is not limited in any way, and in the illustrated example, the four convex portions 66 are arranged at the four corners of the sealing resin 60.

図４６に示すように、本実施形態の第１基板７は、第１領域Ｌ１、第２領域Ｌ２および第３領域Ｌ３が設定されている。第１領域Ｌ１、第２領域Ｌ２および第３領域Ｌ３は、第１基板７に形成された配線パターンのうち、互いに離間した部位である。 As shown in FIG. 46, in the first substrate 7 of the present embodiment, the first region L1, the second region L2, and the third region L3 are set. The first region L1, the second region L2, and the third region L3 are portions of the wiring pattern formed on the first substrate 7 that are separated from each other.

複数の電子部品７００は、電子部品７２２および電子部品７２３を含む。電子部品７２２は、第１領域Ｌ１と第２領域Ｌ２とに跨って実装されている。電子部品７２３は、第１領域Ｌ１と第３領域Ｌ３とに跨って実装されている。電子部品７２２および電子部品７２３は、たとえば、スイッチング素子を制御するための専用の制御ＩＣである。 The plurality of electronic components 700 includes electronic components 722 and electronic components 723. The electronic component 722 is mounted so as to straddle the first region L1 and the second region L2. The electronic component 723 is mounted so as to straddle the first region L1 and the third region L3. The electronic component 722 and the electronic component 723 are, for example, dedicated control ICs for controlling the switching element.

第１基板７には、コネクタ７２１が実装されている。コネクタ７２１は、半導体モジュールＡ３と外部回路とを接続するためのものである。 A connector 721 is mounted on the first substrate 7. The connector 721 is for connecting the semiconductor module A3 and the external circuit.

本実施形態によっても、端子接続の容易化とより確実な導通とを図ることができる。また、複数の入出力端子３Ａが、ｘ方向の両側に突出していることにより、複数の半導体モジュールＡ３を、ｙ方向に並べた状態使用するに適している。 Also in this embodiment, it is possible to facilitate terminal connection and ensure more reliable conduction. Further, since the plurality of input / output terminals 3A project on both sides in the x direction, it is suitable for use in a state where the plurality of semiconductor modules A3 are arranged in the y direction.

〔第３実施形態 変形例 半導体モジュールＡ３１〕
図４８〜図５０は、半導体モジュールＡ３の変形例を示している。本変形例の半導体モジュールＡ３１は、主に入出力端子３Ａの構成が、上述した実施形態と異なっている。[3rd Embodiment Modification Example Semiconductor Module A31]
48 to 50 show a modification of the semiconductor module A3. The semiconductor module A31 of this modification is mainly different from the above-described embodiment in the configuration of the input / output terminals 3A.

本変形例においては、複数の制御端子３Ｂが、封止樹脂６０からｙ方向の一方側に突出しており、複数の入出力端子３Ａが封止樹脂６０からｙ方向の他方側に突出している。複数の入出力端子３Ａは、ｘ方向において２列に配置されている。 In this modification, the plurality of control terminals 3B project from the sealing resin 60 to one side in the y direction, and the plurality of input / output terminals 3A project from the sealing resin 60 to the other side in the y direction. The plurality of input / output terminals 3A are arranged in two rows in the x direction.

また、第１基板７には、電子部品７２４および電子部品７２５が実装されている。電子部品７２４は、電子部品７２２とともに第１領域Ｌ１および第２領域Ｌ２に跨って実装されている。電子部品７２５は、電子部品７２３とともに第１領域Ｌ１および第３領域Ｌ３に跨って実装されている。電子部品７２４および電子部品７２５は、たとえば変圧を行うとともに、入力側と出力側とを絶縁する絶縁トランスである。 Further, an electronic component 724 and an electronic component 725 are mounted on the first substrate 7. The electronic component 724 is mounted together with the electronic component 722 across the first region L1 and the second region L2. The electronic component 725 is mounted so as to straddle the first region L1 and the third region L3 together with the electronic component 723. The electronic component 724 and the electronic component 725 are isolation transformers that, for example, perform transformation and insulate the input side and the output side.

本変形例によっても、端子接続の容易化とより確実な導通とを図ることができる。また、複数の入出力端子３Ａが、ｙ方向の他方側にまとめて突出している。これにより、複数の半導体モジュールＡ３を、ｘ方向に並べた場合に、すべての入出力端子３Ａがｙ方向の他方側に突出する。これは、複数の半導体モジュールＡ３１の複数の入出力端子３Ａに外部から接続する際に、ｙ方向の他方側のみから接続すればよいという利点がある。 Even with this modification, it is possible to facilitate terminal connection and ensure more reliable conduction. Further, a plurality of input / output terminals 3A project together on the other side in the y direction. As a result, when a plurality of semiconductor modules A3 are arranged in the x direction, all the input / output terminals 3A project to the other side in the y direction. This has the advantage that when connecting to the plurality of input / output terminals 3A of the plurality of semiconductor modules A31 from the outside, it is only necessary to connect from the other side in the y direction.

本開示に係る半導体モジュールおよびＡＣ／ＤＣコンバータユニットは、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体モジュールおよびＡＣ／ＤＣコンバータユニットの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The semiconductor module and the AC / DC converter unit according to the present disclosure are not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the semiconductor module and the AC / DC converter unit according to the present disclosure can be freely redesigned.

〔付記１〕
複数の半導体素子、複数の入出力端子、複数の制御端子および前記複数の半導体素子を覆う封止樹脂を有する半導体装置と、
第１基板と、
前記第１基板に固定され且つ前記制御端子と接続する第１コネクタとを備え、
前記第１コネクタは、前記第１基板の厚さ方向と直角であって互いに平行である第１方向および第２方向の少なくともいずれかにおいて前記制御端子が相対動することを許容する、半導体モジュール。
〔付記２〕
前記制御端子は、前記厚さ方向に延びる起立部を有しており、
前記第１コネクタは、前記起立部が挿通される挿通孔を有する、付記１に記載の半導体モジュール。
〔付記３〕
前記制御端子は、前記封止樹脂から前記第２方向に突出する基部を有し、
前記起立部は、前記基部の先端に繋がる、付記２に記載の半導体モジュール。
〔付記４〕
複数の前記制御端子は、前記第１方向に並んでいる、付記２または３に記載の半導体モジュール。
〔付記５〕
複数の前記制御端子は、前記封止樹脂を挟んで前記第２方向に分かれて配置されている、付記４に記載の半導体モジュール。
〔付記６〕
複数の前記入出力端子は、前記第１方向において複数の前記制御端子の外側に配置されている、付記４または５に記載の半導体モジュール。
〔付記７〕
複数の前記入出力端子は、前記封止樹脂を挟んで前記第２方向に分かれて配置されている、付記４に記載の半導体モジュール。
〔付記８〕
前記第１基板は、前記入出力端子を挿通させる入出力用貫通部を有する、付記２ないし７のいずれかに記載の半導体モジュール。
〔付記９〕
前記第１基板は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第１基板主面および第１基板裏面を有しており、
前記第１基板裏面は、前記厚さ方向において前記封止樹脂と対向している、付記２ないし８のいずれかに記載の半導体モジュール。
〔付記１０〕
前記第１コネクタは、前記第１基板に対して前記厚さ方向における前記第１基板裏面側に配置されている、付記９に記載の半導体モジュール。
〔付記１１〕
複数の前記第１コネクタは、前記第１方向に並んで配置されている、付記１０に記載の半導体モジュール。
〔付記１２〕
複数の前記第１コネクタは、前記第２方向において前記封止樹脂を挟んで分かれて配置されている、付記１１に記載の半導体モジュール。
〔付記１３〕
前記第１基板は、前記第１コネクタの一部を挿通させる制御用貫通部を有する、付記１０ないし１２のいずれかに記載の半導体モジュール。
〔付記１４〕
前記第１基板に搭載された複数の電子部品を備える、付記９ないし１３のいずれかに記載の半導体モジュール。
〔付記１５〕
複数の前記電子部品は、前記第１基板主面に実装されたものを含む、付記１４に記載の半導体モジュール。
〔付記１６〕
複数の前記電子部品は、前記第１基板裏面に実装されたものを含む、付記１４または１５に記載の半導体モジュール。
〔付記１７〕
前記封止樹脂は、前記厚さ方向にボルトを挿通させるための貫通孔を有しており、
前記第１基板は、前記厚さ方向視において前記貫通孔を内包する凹部を有する、付記９ないし１６のいずれかに記載の半導体モジュール。
〔付記１８〕
交流電力が入力される入力モジュールと、
付記１ないし５のいずれかに記載の半導体モジュールからなり、前記入力モジュールから出力された交流電流が入力され、且つ直流電流を出力する第１半導体モジュールと、
付記１ないし５のいずれかに記載の半導体モジュールからなり、前記第１半導体モジュールから出力された直流電力が入力され、且つ直流電力を出力する第２半導体モジュールと、
前記第２半導体モジュールから出力された直流電力が入力され、且つ直流電力を出力する出力モジュールと、を備え、
前記第１半導体モジュールの第１半導体装置の前記複数の入出力端子に含まれる出力端子と、前記第２半導体モジュールの第２半導体装置の前記複数の入出力端子に含まれる入力端子とは、第１固定手段によって直接接続されている、ＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記１９〕
前記第１固定手段は、締結部材である、付記１８に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２０〕
前記第１固定手段は、溶接部である、付記１８に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２１〕
前記第１半導体モジュールは、ＰＦＣ用モジュールである、付記１８ないし２０のいずれかに記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２２〕
前記第２半導体モジュールは、ＬＬＣ用モジュールである、付記２１に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２３〕
前記入力モジュールは、出力端子を有し、
前記入力モジュールの前記出力端子と、前記第１半導体モジュールの前記入力端子とは、第２固定手段によって直接接続されている、付記２２に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２４〕
前記第２固定手段は、締結部材である、付記２３に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２５〕
前記第２固定手段は、溶接部である、付記２３に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２６〕
前記第１半導体モジュールの前記出力端子と、前記第２半導体モジュールの前記入力端子とに接続されたコンデンサモジュールを備える、付記２３ないし２５のいずれかに記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２７〕
前記コンデンサモジュールは、前記第１固定手段によって前記第１半導体モジュールの前記出力端子と、前記第２半導体モジュールの前記入力端子とに直接接続されている、付記２６に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２８〕
前記第２半導体モジュールと前記出力モジュールとの間に介在するトランスモジュールを備える、付記２６または２７に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記２９〕
前記トランスモジュールは、入力端子および出力端子を有し、
前記第２半導体モジュールの前記出力端子と、前記トランスモジュールの前記入力端子とは、第３固定手段によって直接接続されている、付記２８に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記３０〕
前記第３固定手段は、締結部材である、付記２９に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記３１〕
前記第３固定手段は、溶接部である、付記２９に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記３２〕
前記出力モジュールは、入力端子および出力端子を有する第３半導体装置を具備し、
前記トランスモジュールの前記出力端子と、前記第３半導体装置の前記入力端子とは、第４固定手段によって直接接続されている、付記３１に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記３３〕
前記第４固定手段は、締結部材である、付記３２に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記３４〕
前記出力モジュールは、出力基板を有しており、
前記第３半導体装置の前記出力端子は、第５固定手段によって前記出力基板に直接接続されている、付記３２または３３に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。
〔付記３５〕
前記第５固定手段は、締結部材である、付記３４に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。[Appendix 1]
A semiconductor device having a plurality of semiconductor elements, a plurality of input / output terminals, a plurality of control terminals, and a sealing resin covering the plurality of semiconductor elements.
With the first board
A first connector fixed to the first board and connected to the control terminal is provided.
The first connector is a semiconductor module that allows the control terminals to move relative to each other in at least one of the first direction and the second direction that are perpendicular to the thickness direction of the first substrate and parallel to each other.
[Appendix 2]
The control terminal has an upright portion extending in the thickness direction.
The semiconductor module according to Appendix 1, wherein the first connector has an insertion hole through which the upright portion is inserted.
[Appendix 3]
The control terminal has a base projecting from the sealing resin in the second direction.
The semiconductor module according to Appendix 2, wherein the upright portion is connected to the tip of the base portion.
[Appendix 4]
The semiconductor module according to Appendix 2 or 3, wherein the plurality of control terminals are arranged in the first direction.
[Appendix 5]
The semiconductor module according to Appendix 4, wherein the plurality of control terminals are arranged separately in the second direction with the sealing resin interposed therebetween.
[Appendix 6]
The semiconductor module according to Appendix 4 or 5, wherein the plurality of input / output terminals are arranged outside the plurality of control terminals in the first direction.
[Appendix 7]
The semiconductor module according to Appendix 4, wherein the plurality of input / output terminals are arranged separately in the second direction with the sealing resin interposed therebetween.
[Appendix 8]
The semiconductor module according to any one of Supplementary note 2 to 7, wherein the first substrate has an input / output penetrating portion through which the input / output terminals are inserted.
[Appendix 9]
The first substrate has a main surface of the first substrate and a back surface of the first substrate facing opposite to each other in the thickness direction.
The semiconductor module according to any one of Supplementary note 2 to 8, wherein the back surface of the first substrate faces the sealing resin in the thickness direction.
[Appendix 10]
The semiconductor module according to Appendix 9, wherein the first connector is arranged on the back surface side of the first substrate in the thickness direction with respect to the first substrate.
[Appendix 11]
The semiconductor module according to Appendix 10, wherein the plurality of first connectors are arranged side by side in the first direction.
[Appendix 12]
The semiconductor module according to Appendix 11, wherein the plurality of first connectors are separately arranged with the sealing resin interposed therebetween in the second direction.
[Appendix 13]
The semiconductor module according to any one of Supplementary note 10 to 12, wherein the first substrate has a control penetrating portion through which a part of the first connector is inserted.
[Appendix 14]
The semiconductor module according to any one of Supplementary note 9 to 13, further comprising a plurality of electronic components mounted on the first substrate.
[Appendix 15]
The semiconductor module according to Appendix 14, wherein the plurality of electronic components include those mounted on the main surface of the first substrate.
[Appendix 16]
The semiconductor module according to Appendix 14 or 15, wherein the plurality of electronic components include those mounted on the back surface of the first substrate.
[Appendix 17]
The sealing resin has a through hole for inserting a bolt in the thickness direction.
The semiconductor module according to any one of Supplementary note 9 to 16, wherein the first substrate has a recess including the through hole in the thickness direction.
[Appendix 18]
An input module to which AC power is input and
A first semiconductor module comprising the semiconductor module according to any one of Supplementary note 1 to 5, to which an AC current output from the input module is input and to output a DC current.
A second semiconductor module comprising the semiconductor module according to any one of Supplementary note 1 to 5, to which the DC power output from the first semiconductor module is input and to output the DC power,
An output module in which the DC power output from the second semiconductor module is input and the DC power is output is provided.
The output terminal included in the plurality of input / output terminals of the first semiconductor device of the first semiconductor module and the input terminal included in the plurality of input / output terminals of the second semiconductor device of the second semiconductor module are first. 1 AC / DC converter unit directly connected by fixing means.
[Appendix 19]
The AC / DC converter unit according to Appendix 18, wherein the first fixing means is a fastening member.
[Appendix 20]
The AC / DC converter unit according to Appendix 18, wherein the first fixing means is a welded portion.
[Appendix 21]
The AC / DC converter unit according to any one of Supplementary note 18 to 20, wherein the first semiconductor module is a module for PFC.
[Appendix 22]
The AC / DC converter unit according to Appendix 21, wherein the second semiconductor module is an LLC module.
[Appendix 23]
The input module has an output terminal and has an output terminal.
The AC / DC converter unit according to Appendix 22, wherein the output terminal of the input module and the input terminal of the first semiconductor module are directly connected by a second fixing means.
[Appendix 24]
The AC / DC converter unit according to Appendix 23, wherein the second fixing means is a fastening member.
[Appendix 25]
The AC / DC converter unit according to Appendix 23, wherein the second fixing means is a welded portion.
[Appendix 26]
The AC / DC converter unit according to any one of Supplementary note 23 to 25, further comprising a capacitor module connected to the output terminal of the first semiconductor module and the input terminal of the second semiconductor module.
[Appendix 27]
The AC / DC converter unit according to Appendix 26, wherein the capacitor module is directly connected to the output terminal of the first semiconductor module and the input terminal of the second semiconductor module by the first fixing means.
[Appendix 28]
The AC / DC converter unit according to Appendix 26 or 27, comprising a transformer module interposed between the second semiconductor module and the output module.
[Appendix 29]
The transformer module has an input terminal and an output terminal.
The AC / DC converter unit according to Appendix 28, wherein the output terminal of the second semiconductor module and the input terminal of the transformer module are directly connected by a third fixing means.
[Appendix 30]
The AC / DC converter unit according to Appendix 29, wherein the third fixing means is a fastening member.
[Appendix 31]
The AC / DC converter unit according to Appendix 29, wherein the third fixing means is a welded portion.
[Appendix 32]
The output module comprises a third semiconductor device having an input terminal and an output terminal.
The AC / DC converter unit according to Appendix 31, wherein the output terminal of the transformer module and the input terminal of the third semiconductor device are directly connected by a fourth fixing means.
[Appendix 33]
The AC / DC converter unit according to Appendix 32, wherein the fourth fixing means is a fastening member.
[Appendix 34]
The output module has an output board and has an output board.
The AC / DC converter unit according to Appendix 32 or 33, wherein the output terminal of the third semiconductor device is directly connected to the output board by a fifth fixing means.
[Appendix 35]
The AC / DC converter unit according to Appendix 34, wherein the fifth fixing means is a fastening member.

Claims (35)

複数の半導体素子、複数の入出力端子、複数の制御端子および前記複数の半導体素子を覆う封止樹脂を有する半導体装置と、
第１基板と、
前記第１基板に固定され且つ前記制御端子と接続する第１コネクタとを備え、
前記第１コネクタは、前記第１基板の厚さ方向と直角であって互いに平行である第１方向および第２方向の少なくともいずれかにおいて前記制御端子が相対動することを許容する、半導体モジュール。A semiconductor device having a plurality of semiconductor elements, a plurality of input / output terminals, a plurality of control terminals, and a sealing resin covering the plurality of semiconductor elements.
With the first board
A first connector fixed to the first board and connected to the control terminal is provided.
The first connector is a semiconductor module that allows the control terminals to move relative to each other in at least one of the first direction and the second direction that are perpendicular to the thickness direction of the first substrate and parallel to each other. 前記制御端子は、前記厚さ方向に延びる起立部を有しており、
前記第１コネクタは、前記起立部が挿通される挿通孔を有する、請求項１に記載の半導体モジュール。The control terminal has an upright portion extending in the thickness direction.
The semiconductor module according to claim 1, wherein the first connector has an insertion hole through which the upright portion is inserted. 前記制御端子は、前記封止樹脂から前記第２方向に突出する基部を有し、
前記起立部は、前記基部の先端に繋がる、請求項２に記載の半導体モジュール。The control terminal has a base projecting from the sealing resin in the second direction.
The semiconductor module according to claim 2, wherein the upright portion is connected to the tip of the base portion. 複数の前記制御端子は、前記第１方向に並んでいる、請求項２または３に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 2 or 3, wherein the plurality of control terminals are arranged in the first direction. 複数の前記制御端子は、前記封止樹脂を挟んで前記第２方向に分かれて配置されている、請求項４に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 4, wherein the plurality of control terminals are arranged separately in the second direction with the sealing resin interposed therebetween. 複数の前記入出力端子は、前記第１方向において複数の前記制御端子の外側に配置されている、請求項４または５に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 4, wherein the plurality of input / output terminals are arranged outside the plurality of control terminals in the first direction. 複数の前記入出力端子は、前記封止樹を挟んで前記第２方向に分かれて配置されている、請求項４に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 4, wherein the plurality of input / output terminals are arranged separately in the second direction with the sealing tree interposed therebetween. 前記第１基板は、前記入出力端子を挿通させる入出力用貫通部を有する、請求項２ないし７のいずれかに記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to any one of claims 2 to 7, wherein the first substrate has an input / output penetrating portion through which the input / output terminals are inserted. 前記第１基板は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第１基板主面および第１基板裏面を有しており、
前記第１基板裏面は、前記厚さ方向において前記封止樹脂と対向している、請求項２ないし８のいずれかに記載の半導体モジュール。The first substrate has a main surface of the first substrate and a back surface of the first substrate facing opposite to each other in the thickness direction.
The semiconductor module according to any one of claims 2 to 8, wherein the back surface of the first substrate faces the sealing resin in the thickness direction. 前記第１コネクタは、前記第１基板に対して前記厚さ方向における前記第１基板裏面側に配置されている、請求項９に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 9, wherein the first connector is arranged on the back surface side of the first substrate in the thickness direction with respect to the first substrate. 複数の前記第１コネクタは、前記第１方向に並んで配置されている、請求項１０に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 10, wherein the plurality of first connectors are arranged side by side in the first direction. 複数の前記第１コネクタは、前記第２方向において前記封止樹脂を挟んで分かれて配置されている、請求項１１に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 11, wherein the plurality of first connectors are separately arranged with the sealing resin interposed therebetween in the second direction. 前記第１基板は、前記第１コネクタの一部を挿通させる制御用貫通部を有する、請求項１０ないし１２のいずれかに記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to any one of claims 10 to 12, wherein the first substrate has a control penetrating portion through which a part of the first connector is inserted. 前記第１基板に搭載された複数の電子部品を備える、請求項９ないし１３のいずれかに記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to any one of claims 9 to 13, further comprising a plurality of electronic components mounted on the first substrate. 複数の前記電子部品は、前記第１基板主面に実装されたものを含む、請求項１４に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 14, wherein the plurality of electronic components include those mounted on the main surface of the first substrate. 複数の前記電子部品は、前記第１基板裏面に実装されたものを含む、請求項１４または１５に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 14, wherein the plurality of electronic components include those mounted on the back surface of the first substrate. 前記封止樹脂は、前記厚さ方向にボルトを挿通させるための貫通孔を有しており、
前記第１基板は、前記厚さ方向視において前記貫通孔を内包する凹部を有する、請求項９ないし１６のいずれかに記載の半導体モジュール。The sealing resin has a through hole for inserting a bolt in the thickness direction.
The semiconductor module according to any one of claims 9 to 16, wherein the first substrate has a recess including the through hole in the thickness direction. 交流電力が入力される入力モジュールと、
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体モジュールからなり、前記入力モジュールから出力された交流電流が入力され、且つ直流電流を出力する第１半導体モジュールと、
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体モジュールからなり、前記第１半導体モジュールから出力された直流電力が入力され、且つ直流電力を出力する第２半導体モジュールと、
前記第２半導体モジュールから出力された直流電力が入力され、且つ直流電力を出力する出力モジュールと、を備え、
前記第１半導体モジュールの第１半導体装置の前記複数の入出力端子に含まれる出力端子と、前記第２半導体モジュールの第２半導体装置の前記複数の入出力端子に含まれる入力端子とは、第１固定手段によって直接接続されている、ＡＣ／ＤＣコンバータユニット。An input module to which AC power is input and
A first semiconductor module comprising the semiconductor module according to any one of claims 1 to 5, to which an alternating current output from the input module is input and to output a direct current.
A second semiconductor module comprising the semiconductor module according to any one of claims 1 to 5, to which the DC power output from the first semiconductor module is input and to output the DC power.
An output module in which the DC power output from the second semiconductor module is input and the DC power is output is provided.
The output terminal included in the plurality of input / output terminals of the first semiconductor device of the first semiconductor module and the input terminal included in the plurality of input / output terminals of the second semiconductor device of the second semiconductor module are first. 1 AC / DC converter unit directly connected by fixing means. 前記第１固定手段は、締結部材である、請求項１８に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 18, wherein the first fixing means is a fastening member. 前記第１固定手段は、溶接部である、請求項１８に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 18, wherein the first fixing means is a welded portion. 前記第１半導体モジュールは、ＰＦＣ用モジュールである、請求項１８ないし２０のいずれかに記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to any one of claims 18 to 20, wherein the first semiconductor module is a module for PFC. 前記第２半導体モジュールは、ＬＬＣ用モジュールである、請求項２１に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 21, wherein the second semiconductor module is an LLC module. 前記入力モジュールは、出力端子を有し、
前記入力モジュールの前記出力端子と、前記第１半導体モジュールの前記入力端子とは、第２固定手段によって直接接続されている、請求項２２に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。The input module has an output terminal and has an output terminal.
22. The AC / DC converter unit according to claim 22, wherein the output terminal of the input module and the input terminal of the first semiconductor module are directly connected by a second fixing means. 前記第２固定手段は、締結部材である、請求項２３に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 23, wherein the second fixing means is a fastening member. 前記第２固定手段は、溶接部である、請求項２３に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 23, wherein the second fixing means is a welded portion. 前記第１半導体モジュールの前記出力端子と、前記第２半導体モジュールの前記入力端子とに接続されたコンデンサモジュールを備える、請求項２３ないし２５のいずれかに記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to any one of claims 23 to 25, comprising a capacitor module connected to the output terminal of the first semiconductor module and the input terminal of the second semiconductor module. 前記コンデンサモジュールは、前記第１固定手段によって前記第１半導体モジュールの前記出力端子と、前記第２半導体モジュールの前記入力端子とに直接接続されている、請求項２６に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 26, wherein the capacitor module is directly connected to the output terminal of the first semiconductor module and the input terminal of the second semiconductor module by the first fixing means. .. 前記第２半導体モジュールと前記出力モジュールとの間に介在するトランスモジュールを備える、請求項２６または２７に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 26 or 27, comprising a transformer module interposed between the second semiconductor module and the output module. 前記トランスモジュールは、入力端子および出力端子を有し、
前記第２半導体モジュールの前記出力端子と、前記トランスモジュールの前記入力端子とは、第３固定手段によって直接接続されている、請求項２８に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。The transformer module has an input terminal and an output terminal.
28. The AC / DC converter unit according to claim 28, wherein the output terminal of the second semiconductor module and the input terminal of the transformer module are directly connected by a third fixing means. 前記第３固定手段は、締結部材である、請求項２９に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 29, wherein the third fixing means is a fastening member. 前記第３固定手段は、溶接部である、請求項２９に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 29, wherein the third fixing means is a welded portion. 前記出力モジュールは、入力端子および出力端子を有する第３半導体装置を具備し、
前記トランスモジュールの前記出力端子と、前記第３半導体装置の前記入力端子とは、第４固定手段によって直接接続されている、請求項３１に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。The output module comprises a third semiconductor device having an input terminal and an output terminal.
The AC / DC converter unit according to claim 31, wherein the output terminal of the transformer module and the input terminal of the third semiconductor device are directly connected by a fourth fixing means. 前記第４固定手段は、締結部材である、請求項３２に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 32, wherein the fourth fixing means is a fastening member. 前記出力モジュールは、出力基板を有しており、
前記第３半導体装置の前記出力端子は、第５固定手段によって前記出力基板に直接接続されている、請求項３２または３３に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。The output module has an output board and has an output board.
The AC / DC converter unit according to claim 32 or 33, wherein the output terminal of the third semiconductor device is directly connected to the output board by a fifth fixing means. 前記第５固定手段は、締結部材である、請求項３４に記載のＡＣ／ＤＣコンバータユニット。 The AC / DC converter unit according to claim 34, wherein the fifth fixing means is a fastening member.
JP2020568082A 2019-01-21 2020-01-15 AC/DC converter unit Active JP7461307B2 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019007650 2019-01-21
JP2019007650 2019-01-21
JP2019165842 2019-09-12
JP2019165842 2019-09-12
PCT/JP2020/001046 WO2020153190A1 (en) 2019-01-21 2020-01-15 Semiconductor module and ac/dc converter unit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020153190A1 true JPWO2020153190A1 (en) 2021-12-02
JP7461307B2 JP7461307B2 (en) 2024-04-03

Family

ID=71735977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020568082A Active JP7461307B2 (en) 2019-01-21 2020-01-15 AC/DC converter unit

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7461307B2 (en)
CN (1) CN113302736B (en)
WO (1) WO2020153190A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023243464A1 (en) * 2022-06-17 2023-12-21 ローム株式会社 Semiconductor device, semiconductor module, and semiconductor module mounting structure

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189416A (en) * 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp Power module
JP5067679B2 (en) * 2010-05-21 2012-11-07 株式会社デンソー Semiconductor module and driving device using the same
JP2015220429A (en) * 2014-05-21 2015-12-07 ローム株式会社 Semiconductor device
JP2016100442A (en) 2014-11-20 2016-05-30 日産自動車株式会社 Semiconductor module and semiconductor device
JP6275292B1 (en) 2016-03-11 2018-02-07 新電元工業株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2017188511A (en) * 2016-04-01 2017-10-12 株式会社豊田自動織機 Power conversion device
EP3608957A4 (en) 2017-04-03 2020-04-08 Mitsubishi Electric Corporation Switching element drive unit
JP6517442B1 (en) 2017-07-14 2019-05-22 新電元工業株式会社 Electronic module

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020153190A1 (en) 2020-07-30
CN113302736B (en) 2024-01-02
CN113302736A (en) 2021-08-24
JP7461307B2 (en) 2024-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11670572B2 (en) Semiconductor device
US8441117B2 (en) Semiconductor device
US8031479B2 (en) Power converter apparatus
US20170148644A1 (en) Method for Producing a Power Semiconductor Module
US8981538B2 (en) Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
JP5789264B2 (en) Circuit equipment
JP2007035670A (en) Semiconductor device
US8040707B2 (en) Power converter
WO2012039115A1 (en) Circuit device
US11908778B2 (en) Semiconductor module
US20210407881A1 (en) Semiconductor device
WO2020208739A1 (en) Semiconductor device
JP7461307B2 (en) AC/DC converter unit
US8018730B2 (en) Power converter apparatus
JP6667737B1 (en) Semiconductor module and power converter
WO2019235146A1 (en) Semiconductor module
US20230146272A1 (en) Semiconductor apparatus
WO2023286531A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
WO2022075003A1 (en) Semiconductor device
WO2023100980A1 (en) Semiconductor module, power conversion device, and method for producing power conversion device
JP2021040065A (en) Mounting structure of semiconductor device
KR20210041425A (en) Power Module Connected by Multi-layer and the Manufacturing Method thereof
JP2012253217A (en) Semiconductor module and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221005

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230620

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240305

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240322

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7461307

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150