JPWO2020116524A1 - Detergent composition for removing flux residue - Google Patents

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Abstract

一態様において、安定な液状態を確保しつつ、フラックス除去性及び錫除去性に優れたフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。
本開示は、一態様において、溶剤(成分A)と、ハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であるアミン(成分B)と、下記式(VI)で表されるジホスホン酸(成分C)と、を含有するフラックス残渣除去用洗浄剤組成物、又は、成分Aと成分Bと成分Cとを配合してなるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。

Figure 2020116524
In one aspect, there is provided a cleaning agent composition for removing a flux residue, which is excellent in flux removing property and tin removing property while ensuring a stable liquid state.
In one embodiment, the present disclosure comprises a solvent (component A), an amine (component B) having a Hansen solubility parameter polarity term (δp) of 7.8 or less, and a diphosphonic acid represented by the following formula (VI). The present invention relates to a flux residue removing detergent composition containing the component C), or a flux residue removing cleaning agent composition obtained by blending the component A, the component B, and the component C.
Figure 2020116524

Description

本開示は、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a cleaning agent composition for removing a flux residue, a cleaning method using the cleaning agent composition, and a method for manufacturing an electronic component.

近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。 In recent years, with respect to mounting electronic components on printed wiring boards and ceramic substrates, the components have become smaller from the viewpoints of low power consumption and high-speed processing, and the gaps to be cleaned have become narrower when cleaning solder flux. In addition, lead-free solder has come to be used from the viewpoint of environmental safety, and rosin-based flux has been used accordingly.

例えば、国際公開第2011/027673号(特許文献1)には、水100重量部に対して、グリコールエーテル化合物を5〜100重量部含む、鉛フリーハンダ水溶性フラックス除去用洗浄剤が開示されている。
国際公開第2005/021700号(特許文献2)には、全体量に対して、グリコール化合物の含有量が1重量%未満の場合には、ベンジルアルコールの含有量を70〜99.9重量%の範囲およびアミノアルコールの含有量を0.1〜30重量%の範囲とし、グリコール化合物の含有量が1〜40重量%の場合には、ベンジルアルコールの含有量を15〜99重量%の範囲およびアミノアルコールの含有量を0.1〜30重量%の範囲とすることを特徴とする半田フラックス除去用洗浄剤が開示されている。
特開2004−2688号公報(特許文献3)には、有機溶剤、炭素数4〜12のアルキル基又はアルケニル基を有するグリセリルエーテル5〜30重量%、及び水5重量%以上を含有してなる金属部品、電子部品、半導体部品および液晶表示パネル等の精密部品用の含水系洗浄剤組成物が開示されている。
特開2018−21093号公報(特許文献4)には、25℃の水100gに対する溶解度が10g未満のアミン又はその塩、25℃の水100gに対する溶解度が0.02g以上10g未満の溶剤、及び水を含み、前記アミンが、炭素数6以上26以下の、1級アミン、2級アミン及び3級アミンから選ばれる少なくとも1種である、スクリーン版用洗浄剤組成物が開示されている。
For example, International Publication No. 2011/027673 (Patent Document 1) discloses a lead-free solder water-soluble flux removing detergent containing 5 to 100 parts by weight of a glycol ether compound with respect to 100 parts by weight of water. There is.
According to International Publication No. 2005/021700 (Patent Document 2), when the content of the glycol compound is less than 1% by weight, the content of benzyl alcohol is 70 to 99.9% by weight based on the total amount. The range and the content of amino alcohol are in the range of 0.1 to 30% by weight, and when the content of glycol compound is 1 to 40% by weight, the content of benzyl alcohol is in the range of 15 to 99% by weight and amino. A cleaning agent for removing solder flux, which comprises an alcohol content in the range of 0.1 to 30% by weight, is disclosed.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-2688 (Patent Document 3) contains an organic solvent, 5 to 30% by weight of glyceryl ether having an alkyl group or an alkenyl group having 4 to 12 carbon atoms, and 5% by weight or more of water. Water-containing detergent compositions for precision parts such as metal parts, electronic parts, semiconductor parts and liquid crystal display panels are disclosed.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-21093 (Patent Document 4) describes an amine or a salt thereof having a solubility in 100 g of water at 25 ° C. or a salt thereof, a solvent having a solubility in 100 g of water at 25 ° C. of 0.02 g or more and less than 10 g, and water. The cleaning agent composition for a screen plate is disclosed, wherein the amine is at least one selected from a primary amine, a secondary amine and a tertiary amine having 6 or more and 26 or less carbon atoms.

本開示は、一態様において、溶剤(成分A)と、ハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であるアミン(成分B)と、下記式(VI)で表されるジホスホン酸(成分C)と、を含有するフラックス残渣除去用洗浄剤組成物、又は、成分Aと成分Bと成分Cとを配合してなるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。

Figure 2020116524
上記式(VI)において、Xは炭素数1以上6以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。In one embodiment, the present disclosure comprises a solvent (component A), an amine (component B) having a Hansen solubility parameter polarity term (δp) of 7.8 or less, and a diphosphonic acid represented by the following formula (VI). The present invention relates to a flux residue removing detergent composition containing the component C), or a flux residue removing cleaning agent composition obtained by blending the component A, the component B, and the component C.
Figure 2020116524
In the above formula (VI), X is an alkylene group or a hydroxyalkylene group having 1 or more and 6 or less carbon atoms.

本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法に関する。 The present disclosure relates to a cleaning method comprising, in one aspect, cleaning an object to be cleaned having a flux residue with the cleaning agent composition of the present disclosure.

本開示は、一態様において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも1つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも1つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法に関する。 In one aspect, the present disclosure is for mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip type capacitor, and a circuit board on a circuit board by soldering using a flux, and for connecting the components and the like. The cleaning method of the present disclosure comprises at least one step selected from the steps of forming the solder bumps on the circuit board, and at least one selected from the circuit board on which the components are mounted and the circuit board on which the solder bumps are formed. The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component, including a step of cleaning by.

近年、半導体パッケージ基板の小型化によって、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなってきている。そして、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなることで、上記特許文献に開示されている洗浄剤組成物では、フラックス残渣の除去性(フラックス除去性)が不足し、洗浄性が十分であるとは言えなくなっている。さらに、洗浄剤組成物には、リフロー時に発生する酸化錫や錫塩に対する除去性(錫除去性)の向上も求められている。また、洗浄剤組成物には、分離せず安定な液状態を確保できることが求められている。 In recent years, due to the miniaturization of semiconductor package substrates, the miniaturization of solder bumps and the gap between connected components have become narrower. Further, due to the miniaturization of the solder bumps and the narrowing of the gaps between the connecting parts, the cleaning agent composition disclosed in the above patent document lacks the removability of the flux residue (flux removability) and is detergency. Is no longer sufficient. Further, the detergent composition is also required to have improved removability (tin removability) for tin oxide and tin salts generated during reflow. Further, the detergent composition is required to be able to secure a stable liquid state without separation.

そこで、本開示は、安定な液状態を確保しつつ、フラックス除去性及び錫除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法及び電子部品の製造方法を提供する。 Therefore, the present disclosure provides a cleaning agent composition for removing a flux residue, which is excellent in flux removing property and tin removing property while ensuring a stable liquid state, a cleaning method using the same, and a method for manufacturing an electronic component.

本開示によれば、安定な液状態を確保しつつ、フラックス除去性及び錫除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供できる。 According to the present disclosure, it is possible to provide a cleaning agent composition for removing a flux residue, which is excellent in flux removing property and tin removing property while ensuring a stable liquid state.

本開示は、特定の溶剤(成分A)と、特定のアミン(成分B)と、特定のジホスホン酸(成分C)と、を含有する洗浄剤組成物、又は、成分Aと成分Bと成分Cとを配合してなる洗浄剤組成物を用いることで、安定な液状態を確保しつつ、従来よりもフラックス除去性及び錫除去性が向上するという知見に基づく。 The present disclosure is a detergent composition containing a specific solvent (component A), a specific amine (component B), and a specific diphosphonic acid (component C), or a component A, a component B, and a component C. It is based on the finding that the flux removability and tin removability are improved as compared with the conventional case while ensuring a stable liquid state by using a cleaning agent composition containing the above.

すなわち、本開示は、一又は複数の実施形態において、溶剤(成分A)と、ハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であるアミン(成分B)と、前記式(VI)で表されるジホスホン酸(成分C)と、を含有するフラックス残渣除去用洗浄剤組成物、又は、成分Aと成分Bと成分Cとを配合してなるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物(以下、これらをまとめて「本開示の洗浄剤組成物」ともいう)に関する。本開示によれば、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を効率よく除去できる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、リフロー時に発生する酸化錫や錫塩を効率よく除去できる。さらに、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、安定性が高く均一透明なフラックス残渣除去用洗浄剤組成物が得られうる。 That is, in the present disclosure, in one or more embodiments, the solvent (component A), the amine (component B) having the polarity term (δp) of the Hansen solubility parameter of 7.8 or less, and the above formula (VI) are used. A detergent composition for removing a flux residue containing the diphosphonic acid (component C) represented, or a detergent composition for removing a flux residue obtained by blending a component A, a component B, and a component C (hereinafter referred to as a cleaning agent composition for removing a flux residue). These are collectively referred to as "the detergent composition of the present disclosure"). According to the present disclosure, the flux residue can be efficiently removed in one or more embodiments. Further, according to the present disclosure, in one or more embodiments, tin oxide and tin salts generated during reflow can be efficiently removed. Further, according to the present disclosure, in one or more embodiments, a highly stable and uniformly transparent cleaning agent composition for removing flux residues can be obtained.

本開示の洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。
すなわち、本開示の洗浄剤組成物では、成分A(溶剤)がフラックス並びにリフロー等で劣化したフラックス残渣に浸透し粘度を下げ、流動しやすくするとともに、成分B(アミン)が作用して、フラックス及びフラックス残渣を分解あるいは親水化し洗浄剤組成物中に溶けやすくする。
また、成分B(アミン)により、フラックス及びフラックス残渣の洗浄後のすすぎ工程における水への溶解性が高くなり、すすぎによるフラックス除去性を向上でき、洗浄及びすすぎ後のフラックス残渣の残存を低減できると推測される。
さらに、本開示の洗浄剤組成物中で成分Bと成分Cが塩を形成すると、成分B(アミン)と錫との親和性が高い成分C(ジホスホン酸)との塩が、リフローによって生成しフラックス残渣中や被洗浄物上に付着した酸化錫や錫塩に作用し、洗浄剤組成物中に溶けやすくする。また、成分Bと成分Cとの塩により、洗浄後のすすぎ工程における酸化錫や錫塩の水への溶解性が高くなって錫除去性が向上し、洗浄及びすすぎ後の酸化錫や錫塩の残存を低減できると推測される。
そして、成分Bと成分Cとの塩に関して、成分B(アミン)がハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であることで、成分C(ジホスホン酸)との塩を成分A(溶剤)へ溶解させることができ、均一で安定な洗浄剤組成物を得られると推測される。
但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
The details of the mechanism of action of the effect in the detergent composition of the present disclosure are unknown, but it is presumed as follows.
That is, in the detergent composition of the present disclosure, the component A (solvent) permeates the flux and the flux residue deteriorated by reflow or the like to lower the viscosity and facilitate the flow, and the component B (amine) acts to act on the flux. And the flux residue is decomposed or made hydrophilic so that it can be easily dissolved in the detergent composition.
Further, the component B (amine) increases the solubility of the flux and the flux residue in water in the rinsing step after washing, can improve the flux removability by rinsing, and can reduce the residual flux residue after washing and rinsing. It is presumed.
Further, when the component B and the component C form a salt in the cleaning agent composition of the present disclosure, a salt of the component B (amine) and the component C (diphosphonic acid) having a high affinity with tin is generated by reflow. It acts on tin oxide and tin salts adhering to the flux residue and on the object to be cleaned, making it easily soluble in the cleaning agent composition. Further, the salt of the component B and the component C increases the solubility of tin oxide or tin salt in water in the rinsing step after washing to improve the tin removal property, and tin oxide or tin salt after washing and rinsing. It is presumed that the residual of can be reduced.
Then, regarding the salt of the component B and the component C, since the polarity term (δp) of the Hansen solubility parameter of the component B (amine) is 7.8 or less, the salt with the component C (diphosphonic acid) is added to the component A ( It is presumed that it can be dissolved in a solvent) to obtain a uniform and stable detergent composition.
However, the present disclosure may not be construed as being limited to this mechanism.

本開示において「フラックス」とは、電極や配線等の金属と半田金属との接続を妨げる酸化物を取り除き、前記接続を促進するために用いられる、半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスやロジンを含まない水溶性フラックス等をいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。本開示において「フラックス残渣」とは、フラックスを用いて半田バンプを形成した後の基板、及び/又はフラックスを用いて半田付けをした後の基板等に残存するフラックス由来の残渣をいう。例えば、回路基板上に他の部品(例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板等)が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間(隙間)が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフロー等により半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田バンプを形成及び/又は半田付けした後のフラックス残渣を除去するための洗浄剤組成物をいう。本開示の洗浄剤組成物による洗浄性の顕著な効果発現の点から、半田は錫を含有する鉛(Pb)フリー半田であることが好ましい。 In the present disclosure, the "flux" contains a rosin or a rosin derivative used for soldering, which is used to remove oxides that hinder the connection between a metal such as an electrode or wiring and a solder metal, and to promote the connection. A rosin-based flux, a rosin-free water-soluble flux, or the like, and in the present disclosure, "soldering" includes reflow method and flow method soldering. In the present disclosure, the "solder flux" refers to a mixture of solder and flux. In the present disclosure, the “flux residue” refers to a flux-derived residue remaining on a substrate after forming solder bumps using flux and / or a substrate after soldering using flux. For example, when other components (for example, semiconductor chips, chip type capacitors, other circuit boards, etc.) are stacked and mounted on a circuit board, a space (gap) is created between the circuit board and the other components. It is formed. The flux used for mounting may remain in this gap as a flux residue after being soldered by reflow or the like. In the present disclosure, the "flux residue removing cleaning agent composition" refers to a cleaning agent composition for removing flux residue after forming and / or soldering solder bumps using flux or solder flux. The solder is preferably a lead (Pb) -free solder containing tin, from the viewpoint of exhibiting a remarkable detergency effect by the detergent composition of the present disclosure.

本開示において、ハンセン溶解度パラメータ (Hansen solubility parameter)(以下、「HSP」ともいう)とは、Charles M. Hansenが1967年に発表した、物質の溶解性の予測に用いられる値であって、「分子間の相互作用が似ている2つの物質は、互いに溶解しやすい」との考えに基づくパラメータである。HSPは以下の3つのパラメータ(単位:MPa0.5)で構成されている。
δd:分子間の分散力によるエネルギー
δp:分子間の双極子相互作用によるエネルギー
δh:分子間の水素結合によるエネルギー
化学工業2010年3月号(化学工業社)等に詳細な説明があり、パソコン用ソフト「HSPiP:Hansen Solubility Parameters in Practice」等を用いることで各種物質のハンセン溶解度パラメータを得ることができる。
In the present disclosure, the Hansen solubility parameter (hereinafter, also referred to as "HSP") is a value announced by Charles M. Hansen in 1967 and used for predicting the solubility of a substance. Two substances with similar interactions between molecules are easily soluble in each other. " HSP is composed of the following three parameters (unit: MPa 0.5 ).
δd: Energy due to dispersion force between molecules δp: Energy due to dipole interaction between molecules δh: Energy due to hydrogen bonds between molecules There is a detailed explanation in the March 2010 issue of Chemical Industry (Chemical Industry Co., Ltd.), etc. The Hansen solubility parameter of various substances can be obtained by using the software "HSPiP: Hansen Solubility Parameters in Practice".

[成分A:溶剤]
本開示の洗浄剤組成物における成分Aは、一又は複数の実施形態において、フラックス除去性向上の観点から、下記式(I)で表される化合物、下記式(II)で表される化合物及び下記式(III)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種の溶剤であることが好ましい。
[Component A: Solvent]
In one or more embodiments, the component A in the detergent composition of the present disclosure includes a compound represented by the following formula (I), a compound represented by the following formula (II), and a compound represented by the following formula (II) from the viewpoint of improving flux removability. It is preferably at least one solvent selected from the compounds represented by the following formula (III).

1−O−(AO)n−R2 (I)R 1 −O − (AO) n −R 2 (I)

上記式(I)において、R1はフェニル基又は炭素数1以上8以下のアルキル基であり、R2は水素原子又は炭素数1以上4以下のアルキル基であり、AOはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、nはAOの付加モル数であり、1以上3以下の整数である。In the above formula (I), R 1 is a phenyl group or an alkyl group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms, and AO is an ethylene oxide group or propylene oxide. It is a group, and n is the number of added moles of AO, which is an integer of 1 or more and 3 or less.

上記式(I)において、R1はフェニル基又は炭素数1以上8以下のアルキル基であって、フラックス除去性向上の観点から、フェニル基又は炭素数4以上6以下のアルキル基が好ましく、炭素数4以上6以下のアルキル基がより好ましい。R2は水素原子又は炭素数1以上4以下のアルキル基であって、同様の観点から、水素原子又は炭素数2以上4以下のアルキル基が好ましく、水素原子又はn−ブチル基がより好ましい。AOはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であって、同様の観点から、エチレンオキシド基が好ましい。nは1以上3以下の整数であって、同様の観点から、1又は2が好ましく、2がより好ましい。In the above formula (I), R 1 is a phenyl group or an alkyl group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, and from the viewpoint of improving flux removability, a phenyl group or an alkyl group having 4 or more and 6 or less carbon atoms is preferable, and carbon. Alkyl groups having a number of 4 or more and 6 or less are more preferable. R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms, and from the same viewpoint, a hydrogen atom or an alkyl group having 2 or more and 4 or less carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom or an n-butyl group is more preferable. AO is an ethylene oxide group or a propylene oxide group, and an ethylene oxide group is preferable from the same viewpoint. n is an integer of 1 or more and 3 or less, and from the same viewpoint, 1 or 2 is preferable, and 2 is more preferable.

上記式(I)で表される化合物としては、例えば、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル等のモノフェニルエーテル、炭素数1以上8以下のアルキル基を有するエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル等のモノアルキルエーテル、炭素数1以上8以下のアルキル基及び炭素数1以上4以下のアルキル基を有するエチレングリコールジアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、トリエチレングリコールジアルキルエーテル等のジアルキルエーテル、フェニル基及び炭素数1以上4以下のアルキル基を有するエチレングリコールフェニルアルキルエーテル、ジエチレングリコールフェニルアルキルエーテル、トリエチレングリコールフェニルアルキルエーテル等のフェニルアルキルエーテル、が挙げられる。上記式(I)で表される化合物としては、フラックス除去性向上の観点から、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル及びトリエチレングリコールジブチルエーテルから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールジブチルエーテルから選ばれる少なくとも1種がより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールジブチルエーテルから選ばれる少なくとも1種が更に好ましい。 Examples of the compound represented by the above formula (I) include monophenyl ethers such as ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, and triethylene glycol monophenyl ether, and ethylene having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Monoalkyl ethers such as glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ethers and triethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, diethylene glycol dialkyl Dialkyl ethers such as ethers and triethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol phenylalkyl ethers having a phenyl group and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, phenylalkyl ethers such as diethylene glycol phenylalkyl ethers and triethylene glycol phenylalkyl ethers. Can be mentioned. Examples of the compound represented by the above formula (I) include ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, and ethylene glycol mono from the viewpoint of improving flux removal. At least one selected from phenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol dibutyl ether and triethylene glycol dibutyl ether is preferable, and diethylene glycol mono At least one selected from butyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether and diethylene glycol dibutyl ether is more preferable, and at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether and diethylene glycol dibutyl ether. Is more preferable.

3−CH2OH (II)R 3- CH 2 OH (II)

上記式(II)において、R3はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基を示し、フラックス除去性向上の観点から、フェニル基、シクロヘキシル基又はテトラヒドロフリル基が好ましく、フェニル基又はテトラヒドロフリル基がより好ましい。In the above formula (II), R 3 represents a phenyl group, a benzyl group, a cyclohexyl group, a frill group, a tetrahydrofuryl group, a furfuryl group or a tetrahydrofurfuryl group, and from the viewpoint of improving flux removability, a phenyl group, a cyclohexyl group or A tetrahydrofuryl group is preferable, and a phenyl group or a tetrahydrofuryl group is more preferable.

上記式(II)で表される化合物としては、例えば、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、シクロヘキサンメタノール、フルフリルアルコール及びテトラヒドロフルフリルアルコールが挙げられる。上記式(II)で表される化合物としては、フラックス除去性向上の観点から、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール及びテトラヒドロフルフリルアルコールから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ベンジルアルコール及びテトラヒドロフルフリルアルコールから選ばれる少なくとも1種がより好ましい。 Examples of the compound represented by the above formula (II) include benzyl alcohol, phenethyl alcohol, cyclohexanemethanol, furfuryl alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol. As the compound represented by the above formula (II), at least one selected from benzyl alcohol, furfuryl alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol is preferable, and it is selected from benzyl alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol from the viewpoint of improving flux removal property. At least one of these is more preferred.

Figure 2020116524
Figure 2020116524

上記式(III)において、R4、R5、R6、R7はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1以上8以下の炭化水素基、炭素数1以上3以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基であり、フラックス除去性向上の観点から、R4、R5、R6、R7のいずれか一つが炭素数1以上8以下の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1以上6以下の炭化水素基であることがより好ましく、メチル基、エチル基、ビニル基のいずれかであることが更に好ましい。In the above formula (III), R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are independently composed of a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, and a hydroxyalkyl group or hydroxyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms. From the viewpoint of improving flux removability, it is preferable that any one of R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is a hydrocarbon group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, and carbon dioxide having 1 or more and 6 or less carbon atoms. It is more preferably a hydrogen group, and further preferably any one of a methyl group, an ethyl group, and a vinyl group.

上記式(III)で表される化合物としては、例えば、2−ピロリドン、1−メチル−2−ピロリドン、1−エチル−2−ピロリドン、1−ビニル−2−ピロリドン、1−フェニル−2−ピロリドン、1−シクロヘキシル−2−ピロリドン、1−オクチル−2−ピロリドン、3−ヒドロキシプロピル−2−ピロリドン、4−ヒドロキシ−2−ピロリドン、4−フェニル−2−ピロリドン及び5−メチル−2−ピロリドン等が挙げられる。上記式(III)で表される化合物としては、フラックス除去性向上の観点から、2−ピロリドン、1−メチル−2−ピロリドン、1−エチル−2−ピロリドン、1−ビニル−2−ピロリドン、1−フェニル−2−ピロリドン、1−シクロヘキシル−2−ピロリドン、1−オクチル−2−ピロリドン及び5−メチル−2−ピロリドンから選ばれる少なくとも1種が好ましく、1−メチル−2−ピロリドン、1−エチル−2−ピロリドン及び1−ビニル−2−ピロリドンから選ばれる少なくとも1種がより好ましく、1−メチル−2−ピロリドンが更に好ましい。 Examples of the compound represented by the above formula (III) include 2-pyrrolidone, 1-methyl-2-pyrrolidone, 1-ethyl-2-pyrrolidone, 1-vinyl-2-pyrrolidone, 1-phenyl-2-pyrrolidone. , 1-Cyclohexyl-2-pyrrolidone, 1-octyl-2-pyrrolidone, 3-hydroxypropyl-2-pyrrolidone, 4-hydroxy-2-pyrrolidone, 4-phenyl-2-pyrrolidone, 5-methyl-2-pyrrolidone, etc. Can be mentioned. Examples of the compound represented by the above formula (III) include 2-pyrrolidone, 1-methyl-2-pyrrolidone, 1-ethyl-2-pyrrolidone, 1-vinyl-2-pyrrolidone, 1 from the viewpoint of improving flux removal property. At least one selected from −phenyl-2-pyrrolidone, 1-cyclohexyl-2-pyrrolidone, 1-octyl-2-pyrrolidone and 5-methyl-2-pyrrolidone is preferable, and 1-methyl-2-pyrrolidone and 1-ethyl At least one selected from -2-pyrrolidone and 1-vinyl-2-pyrrolidone is more preferable, and 1-methyl-2-pyrrolidone is even more preferable.

成分Aは、1種類、2種類の組合せ、又はそれ以上の組合せであってもよい。成分Aが2種類の組合せである場合、成分Aとしては、例えば、式(I)で表される化合物と式(II)で表される化合物との組合せが挙げられる。 The component A may be a combination of one type, two types, or a combination of more than one type. When the component A is a combination of two types, the component A includes, for example, a combination of a compound represented by the formula (I) and a compound represented by the formula (II).

成分Aとしては、フラックス除去性向上の観点から、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール及び1−メチル−2−ピロリドンから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール及び1−メチル−2−ピロリドンから選ばれる少なくとも1種がより好ましい。 As the component A, at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, benzyl alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol and 1-methyl-2-pyrrolidone is preferable from the viewpoint of improving flux removability. , Diethylene glycol monobutyl ether, benzyl alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol and at least one selected from 1-methyl-2-pyrrolidone are more preferred.

本開示の洗浄剤組成物における成分Aの含有量は、フラックス除去性向上の観点から、70質量%以上が好ましく、75質量%以上がより好ましく、78質量%以上が更に好ましく、そして、99.5質量%以下が好ましく、95質量%以下がより好ましく、90質量%以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Aの含有量は、70質量%以上99.5質量%以下が好ましく、75質量%以上95質量%以下がより好ましく、78質量%以上90質量%以下が更に好ましい。成分Aが2種類以上の組合せである場合、成分Aの含有量はそれらの合計含有量をいう。 The content of component A in the detergent composition of the present disclosure is preferably 70% by mass or more, more preferably 75% by mass or more, further preferably 78% by mass or more, and 99. 5% by mass or less is preferable, 95% by mass or less is more preferable, and 90% by mass or less is further preferable. More specifically, the content of component A in the detergent composition of the present disclosure is preferably 70% by mass or more and 99.5% by mass or less, more preferably 75% by mass or more and 95% by mass or less, and 78% by mass or more. 90% by mass or less is more preferable. When the component A is a combination of two or more types, the content of the component A means the total content thereof.

[成分B:アミン]
本開示の洗浄剤組成物における成分Bは、ハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であるアミンである。δpが7.8以下のアミン(成分B)としては、一又は複数の実施形態において、下記式(IV)又は(V)で表されるアミンが挙げられる。成分Bは、1種類、2種類の組合せ、又はそれ以上の組合せであってもよい。
[Component B: Amine]
The component B in the detergent composition of the present disclosure is an amine having a polar term (δp) of the Hansen solubility parameter of 7.8 or less. Examples of the amine having a δp of 7.8 or less (component B) include amines represented by the following formula (IV) or (V) in one or more embodiments. The component B may be a combination of one type, two types, or a combination of more than one type.

Figure 2020116524
Figure 2020116524

上記式(IV)において、R8は水素原子、炭素数1以上6以下のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基であり、R9及びR10はそれぞれ独立に炭素数1以上6以下のアルキル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、R8は水素原子、炭素数2以上6以下のアルキル基、フェニル基、又はベンジル基が好ましい。In the above formula (IV), R 8 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group, and R 9 and R 10 have independent carbon atoms. It is an alkyl group of 1 or more and 6 or less, a hydroxyethyl group, or a hydroxypropyl group. From the viewpoint of improving the flux removal property and the tin removal property, R 8 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 2 or more and 6 or less carbon atoms, a phenyl group, or a benzyl group.

ハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であって、上記式(IV)で表されるアミンとしては、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン、ジメチルベンジルアミン等の芳香族アミンが挙げられる。上記式(IV)で表されるアミンの具体例としては、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン及びジメチルベンジルアミンから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン及びジメチルベンジルアミンから選ばれる少なくとも1種がより好ましい。 The polar term (δp) of the Hansen solubility parameter is 7.8 or less, and examples of the amine represented by the above formula (IV) include alkanolamines such as dibutylmonoethanolamine, butyldiethanolamine, and diisopropanolamine, and dimethylbenzylamine. Such as aromatic amines. As a specific example of the amine represented by the above formula (IV), at least one selected from dibutylmonoethanolamine, butyldiethanolamine, diisopropanolamine and dimethylbenzylamine from the viewpoint of improving flux removal property and tin removal property. Is preferable, and at least one selected from dibutylmonoethanolamine, butyldiethanolamine and dimethylbenzylamine is more preferable.

Figure 2020116524
Figure 2020116524

上記式(V)において、R11は炭素数1以上4以下のアルキル基であり、R12は水素原子又はメチル基である。フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、R11はメチル基又はイソブチル基が好ましく、R12はメチル基が好ましい。In the above formula (V), R 11 is an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 4 or less carbon atoms, and R 12 is a hydrogen atom or a methyl group. From the viewpoint of improving the flux removability and the tin removability, R 11 is preferably a methyl group or an isobutyl group, and R 12 is preferably a methyl group.

ハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であって、上記式(V)で表されるアミンとしては、1,2−ジメチルイミダゾール、1−イソブチル−2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類が挙げられる。上記式(V)で表されるアミンの具体例としては、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、1,2−ジメチルイミダゾール及び1−イソブチル−2−メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも1種が好ましく、1,2−ジメチルイミダゾールがより好ましい。 The polarity term (δp) of the Hansen solubility parameter is 7.8 or less, and the amine represented by the above formula (V) includes imidazoles such as 1,2-dimethylimidazole and 1-isobutyl-2-methylimidazole. Can be mentioned. As a specific example of the amine represented by the above formula (V), at least one selected from 1,2-dimethylimidazole and 1-isobutyl-2-methylimidazole from the viewpoint of improving flux removability and tin removability. Is preferable, and 1,2-dimethylimidazole is more preferable.

成分Bのハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)は7.8以下であって、フラックス除去性向上及び安定性向上の観点から、7.7以下が好ましく、6以下がより好ましく、5以下が更に好ましく、そして、フラックス除去性向上の観点から、1以上が好ましい。より具体的には、成分Bのハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)は、1以上7.7以下が好ましく、1以上6以下がより好ましく、1以上5以下が更に好ましい。 The polarity term (δp) of the Hansen solubility parameter of component B is 7.8 or less, preferably 7.7 or less, more preferably 6 or less, and further 5 or less, from the viewpoint of improving flux removability and stability. It is preferable, and 1 or more is preferable from the viewpoint of improving the flux removability. More specifically, the polarity term (δp) of the Hansen solubility parameter of component B is preferably 1 or more and 7.7 or less, more preferably 1 or more and 6 or less, and further preferably 1 or more and 5 or less.

成分Bとしては、安定性向上の観点から、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジメチルベンジルアミン、1,2−ジメチルイミダゾール及び1−イソブチル−2−メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ジブチルモノエタノールアミン、ジメチルベンジルアミン及び1−イソブチル−2−メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも1種がより好ましく、ジブチルモノエタノールアミン及びジメチルベンジルアミンから選ばれる少なくとも1種が更に好ましい。成分Bとしては、ロジン系フラックス除去性向上の観点から、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジメチルベンジルアミン、1,2−ジメチルイミダゾール及び1−イソブチル−2−メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ジブチルモノエタノールアミン、ジメチルベンジルアミン、1,2−ジメチルイミダゾール及び1−イソブチル−2−メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも1種がより好ましく、1,2−ジメチルイミダゾールが更に好ましい。 As the component B, at least one selected from dibutylmonoethanolamine, butyldiethanolamine, diisopropanolamine, dimethylbenzylamine, 1,2-dimethylimidazole and 1-isobutyl-2-methylimidazole is used from the viewpoint of improving stability. Preferably, at least one selected from dibutylmonoethanolamine, dimethylbenzylamine and 1-isobutyl-2-methylimidazole is more preferable, and at least one selected from dibutylmonoethanolamine and dimethylbenzylamine is even more preferable. The component B is at least selected from dibutylmonoethanolamine, butyldiethanolamine, diisopropanolamine, dimethylbenzylamine, 1,2-dimethylimidazole and 1-isobutyl-2-methylimidazole from the viewpoint of improving rosin-based flux removability. One is preferred, at least one selected from dibutylmonoethanolamine, dimethylbenzylamine, 1,2-dimethylimidazole and 1-isobutyl-2-methylimidazole is more preferred, and 1,2-dimethylimidazole is even more preferred.

本開示の洗浄剤組成物における成分Bの含有量は、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、0.2質量%以上が好ましく、0.3質量%以上がより好ましく、0.4質量%以上が更に好ましく、0.5質量%以上がより更に好ましく、そして、同様の観点から、15質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましく、5質量%以下が更に好ましく、3質量%以下がより更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Bの含有量は、0.2質量%以上15質量%以下が好ましく、0.3質量%以上10質量%以下がより好ましく、0.4質量%以上5質量%以下が更に好ましく、0.5質量%以上3質量%以下がより更に好ましい。成分Bが2種類以上の組合せである場合、成分Bの含有量はそれらの合計含有量をいう。 The content of component B in the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, and more preferably 0.4% by mass, from the viewpoint of improving the flux removing property and the tin removing property. By mass% or more is further preferable, 0.5% by mass or more is further preferable, and from the same viewpoint, 15% by mass or less is preferable, 10% by mass or less is more preferable, 5% by mass or less is further preferable, and 3% by mass is preferable. % Or less is even more preferable. More specifically, the content of component B in the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 0.2% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.3% by mass or more and 10% by mass or less, and 0. It is more preferably 4% by mass or more and 5% by mass or less, and even more preferably 0.5% by mass or more and 3% by mass or less. When the component B is a combination of two or more types, the content of the component B means the total content thereof.

本開示の洗浄剤組成物において、成分Aと成分Bとの質量比(A/B)は、錫除去性向上の観点から、5以上が好ましく、8以上がより好ましく、10以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、60以下が好ましく、45以下がより好ましく、20以下が更に好ましい。より具体的には、質量比(A/B)は、5以上60以下が好ましく、8以上45以下がより好ましく、10以上20以下が更に好ましい。 In the detergent composition of the present disclosure, the mass ratio (A / B) of the component A to the component B is preferably 5 or more, more preferably 8 or more, still more preferably 10 or more, from the viewpoint of improving tin removability. From the same viewpoint, 60 or less is preferable, 45 or less is more preferable, and 20 or less is further preferable. More specifically, the mass ratio (A / B) is preferably 5 or more and 60 or less, more preferably 8 or more and 45 or less, and further preferably 10 or more and 20 or less.

[成分C:ジホスホン酸(成分C)]
本開示の洗浄剤組成物における成分Cは、下記式(VI)で表されるジホスホン酸である。成分Cは、1種類、2種類の組合せ、又はそれ以上の組合せであってもよい。
[Component C: Diphosphonic acid (Component C)]
The component C in the detergent composition of the present disclosure is a diphosphonic acid represented by the following formula (VI). The component C may be a combination of one type, two types, or a combination of more than one type.

Figure 2020116524
Figure 2020116524

上記式(VI)において、Xは炭素数1以上6以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。錫除去性向上の観点から、Xはヒドロキシアルキレン基が好ましい。また、フラックス除去性向上の観点から、Xの炭素数は1以上4以下が好ましく、1以上2以下がより好ましい。 In the above formula (VI), X is an alkylene group or a hydroxyalkylene group having 1 or more and 6 or less carbon atoms. From the viewpoint of improving tin removal property, X is preferably a hydroxyalkylene group. Further, from the viewpoint of improving the flux removability, the carbon number of X is preferably 1 or more and 4 or less, and more preferably 1 or more and 2 or less.

成分Cの具体例としては、例えば、フラックス除去性向上の観点から、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、メチレンジホスホン酸、1,2−エチレンジホスホン酸、1,3−プロピレンジホスホン酸、1,4−ブチレンジホスホン酸、1,5−ペンチレンジホスホン酸及び1,6−ヘキシレンジホスホン酸から選ばれる少なくとも1種のジホスホン酸が好ましく、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸及びメチレンジホスホン酸から選ばれる少なくとも1種のジホスホン酸がより好ましく、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸が更に好ましい。 Specific examples of the component C include 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, methylene diphosphonic acid, 1,2-ethylene diphosphonic acid, and 1,3-propylene diphosphonic acid from the viewpoint of improving flux removability. At least one diphosphonic acid selected from phosphonic acid, 1,4-butylenediphosphonic acid, 1,5-pentylene diphosphonic acid and 1,6-hexylene diphosphonic acid is preferred, with 1-hydroxyethylidene-1,1 -At least one diphosphonic acid selected from diphosphonic acid and methylene diphosphonic acid is more preferable, and 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid is further preferable.

本開示の洗浄剤組成物における成分Cの含有量は、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、0.1質量%以上が好ましく、0.3質量%以上がより好ましく、0.5質量%以上が更に好ましく、そして、フラックス除去性向上及び安定性向上の観点から、3質量%以下が好ましく、2質量%以下がより好ましく、1.5質量%以下が更に好ましく、1質量%以下がより更に好ましい。より具体的には、成分Cの含有量は、0.1質量%以上3質量%以下が好ましく、0.3質量%以上2質量%以下がより好ましく、0.3質量%以上1.5質量%以下が更に好ましく、0.5質量%以上1質量%以下がより更に好ましい。成分Cが2種類以上の組合せである場合、成分Cの含有量はそれらの合計含有量をいう。 The content of component C in the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, and more preferably 0.5, from the viewpoint of improving the flux removability and tin removability. It is more preferably mass% or more, and from the viewpoint of improving flux removability and stability, it is preferably 3% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, further preferably 1.5% by mass or less, and 1% by mass or less. Is even more preferable. More specifically, the content of the component C is preferably 0.1% by mass or more and 3% by mass or less, more preferably 0.3% by mass or more and 2% by mass or less, and 0.3% by mass or more and 1.5% by mass. % Or less is more preferable, and 0.5% by mass or more and 1% by mass or less is even more preferable. When the component C is a combination of two or more types, the content of the component C means the total content thereof.

本開示の洗浄剤組成物おいて、成分Bと成分Cとの塩がフラックス及び錫の除去に関与すると考えられ、成分Bと成分Cのモル比B/Cがこれらの除去性の因子となると推察される。本開示の洗浄剤組成物における成分Bと成分Cのモル比B/Cは、フラックス除去性及び錫除去性向上の観点から、4以上が好ましく、4.5以上より好ましく、4.8以上が更に好ましく、7以上がより更に好ましく、10以上がより更に好ましく、そして、40以下が好ましく、30以下がより好ましく、25以下が更に好ましく、22以下がより更に好ましく、18以下がより更に好ましい。より具体的にはモル比B/Cは、4以上40以下が好ましく、4.5以上30以下がより好ましく、4.8以上25以下が更に好ましく、7以上22以下がより更に好ましく、10以上18以下がより更に好ましい。 In the detergent composition of the present disclosure, it is considered that the salt of the component B and the component C is involved in the removal of the flux and tin, and the molar ratio B / C of the component B and the component C is a factor for removing these. Inferred. The molar ratio B / C of component B to component C in the detergent composition of the present disclosure is preferably 4 or more, more preferably 4.5 or more, and 4.8 or more, from the viewpoint of improving flux removability and tin removability. More preferably, 7 or more is further preferable, 10 or more is further preferable, 40 or less is more preferable, 30 or less is more preferable, 25 or less is further preferable, 22 or less is further preferable, and 18 or less is further preferable. More specifically, the molar ratio B / C is preferably 4 or more and 40 or less, more preferably 4.5 or more and 30 or less, further preferably 4.8 or more and 25 or less, further preferably 7 or more and 22 or less, and 10 or more. 18 or less is even more preferable.

本開示の洗浄剤組成物において、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、洗浄時に、成分Bの少なくとも一部は成分Cと塩を形成しており、成分Bの少なくとも一部は成分Cと塩を形成していないことが好ましい。すなわち、本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄時に、成分Bと成分Cとの塩を含有するとともに、成分Cと塩を形成していない成分Bを含有する。本開示の洗浄剤組成物における成分Bと成分Cとの塩の含有量は、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、0.1質量%以上が好ましく、0.3質量%以上がより好ましく、0.7質量%以上が更に好ましく、そして、10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、3質量%以下が更に好ましい。より具体的には、成分Bと成分Cとの塩の含有量は、0.1質量%以上10量%以下が好ましく、0.3質量%以上5質量%以下がより好ましく、0.7質量%以上3質量%以下が更に好ましい。 In the detergent composition of the present disclosure, from the viewpoint of improving the flux removing property and the tin removing property, at least a part of the component B forms a salt with the component C at the time of washing, and at least a part of the component B is a component. It is preferable that C does not form a salt. That is, in one or more embodiments, the detergent composition of the present disclosure contains a salt of component B and component C at the time of cleaning, and also contains a component B that does not form a salt with component C. The content of the salt of the component B and the component C in the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 0.1% by mass or more, preferably 0.3% by mass or more, from the viewpoint of improving the flux removability and the tin removability. More preferably, 0.7% by mass or more is further preferable, 10% by mass or less is preferable, 5% by mass or less is more preferable, and 3% by mass or less is further preferable. More specifically, the salt content of the component B and the component C is preferably 0.1% by mass or more and 10% by mass or less, more preferably 0.3% by mass or more and 5% by mass or less, and 0.7% by mass. % Or more and 3% by mass or less are more preferable.

[成分D:水]
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、水(成分D)をさらに含むことができる。成分Dとしては、イオン交換水、RO水、蒸留水、純水、超純水等が使用され得る。本開示の洗浄剤組成物における成分Dの含有量は、引火点を下げる観点から、1質量%以上が好ましく、5質量%以上がより好ましく、8質量%以上が更に好ましく、そして、フラックス除去性向上及び安定性向上の観点から、20質量%以下が好ましく、15質量%以下がより好ましく、10質量%以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Dの含有量は、1質量%以上20質量%以下が好ましく、5質量%以上15質量%以下がより好ましく、8質量%以上10質量%以下が更に好ましい。
[Component D: Water]
The detergent composition of the present disclosure may further contain water (component D) in one or more embodiments. As the component D, ion-exchanged water, RO water, distilled water, pure water, ultrapure water and the like can be used. The content of component D in the detergent composition of the present disclosure is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, further preferably 8% by mass or more, and flux removability from the viewpoint of lowering the flash point. From the viewpoint of improvement and stability improvement, 20% by mass or less is preferable, 15% by mass or less is more preferable, and 10% by mass or less is further preferable. More specifically, the content of component D in the detergent composition of the present disclosure is preferably 1% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 5% by mass or more and 15% by mass or less, and 8% by mass or more and 10% by mass. % Or less is more preferable.

本開示の洗浄剤組成物が成分Dを含有する場合、安定性向上の観点から、本開示の洗浄剤組成物に含まれる成分Aは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルと該ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の他の成分Aとを併用することが好ましい。 When the detergent composition of the present disclosure contains component D, from the viewpoint of improving stability, the component A contained in the detergent composition of the present disclosure is a component A other than diethylene glycol monobutyl ether and the diethylene glycol monobutyl ether. It is preferable to use in combination with.

[その他の成分]
本開示の洗浄剤組成物は、前記成分A〜D以外に、必要に応じてその他の成分をさらに配合又は含有することができる。本開示の洗浄剤組成物におけるその他の成分の含有量は、0質量%以上10質量%以下が好ましく、0質量%以上8質量%以下がより好ましく、0質量%以上5質量%以下が更に好ましく、0質量%以上2質量%以下がより更に好ましい。
[Other ingredients]
In addition to the above-mentioned components A to D, the detergent composition of the present disclosure may further contain or contain other components as needed. The content of other components in the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 0% by mass or more and 10% by mass or less, more preferably 0% by mass or more and 8% by mass or less, and further preferably 0% by mass or more and 5% by mass or less. , 0% by mass or more and 2% by mass or less is more preferable.

本開示の洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、安定性向上の観点から、例えば、界面活性剤(成分E)が挙げられる。成分Eとしては、同様の観点から、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、アルキルグルコシド、アルキルグリセリルエーテル等の非イオン界面活性剤が好ましく、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、アルキルグリセリルエーテルがより好ましい。成分Eの具体例としては、ポリオキシエチレンデシルエーテル、2−エチルヘキシルグリセリルエーテル等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物における成分Eの含有量は、安定性向上の観点から、0.5質量%以上が好ましく、0.8質量%以上がより好ましく、そして、5質量%以下が好ましく、3質量%以下がより好ましく、2質量%以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Eの含有量は、0.5質量%以上5質量%以下が好ましく、0.5質量%以上3質量%以下がより好ましく、0.8質量%以上2質量%以下が更に好ましい。 Examples of other components in the detergent composition of the present disclosure include a surfactant (component E) from the viewpoint of improving stability. From the same viewpoint, the component E is a nonionic surfactant such as a polyoxyalkylene alkyl ether, a polyoxyalkylene alkyl amine, a glycerin fatty acid ester, a sorbitan fatty acid ester, a sucrose fatty acid ester, an alkyl glucoside, and an alkyl glyceryl ether. Is preferable, and polyoxyalkylene alkyl ether and alkyl glyceryl ether are more preferable. Specific examples of the component E include polyoxyethylene decyl ether and 2-ethylhexyl glyceryl ether. From the viewpoint of improving stability, the content of component E in the detergent composition of the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.8% by mass or more, and preferably 5% by mass or less. 3% by mass or less is more preferable, and 2% by mass or less is further preferable. More specifically, the content of the component E in the detergent composition of the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more and 5% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or more and 3% by mass or less, and 0. More preferably, it is 8% by mass or more and 2% by mass or less.

さらなるその他の成分として、本開示の洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ2酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、増粘剤、分散剤、成分B以外の塩基性物質、高分子化合物、可溶化剤、防腐剤、殺菌剤、抗菌剤、消泡剤、酸化防止剤を適宜配合又は含有することができる。 As a further other component, the detergent composition of the present disclosure is, if necessary, hydroxyethylaminoacetic acid, hydroxyethylimino2acetic acid, ethylenediaminetetra, which are usually used in the detergent, as long as the effects of the present disclosure are not impaired. Chelating compounds such as aminocarboxylic acid salts such as acetic acid, rust preventives such as benzotriazoles, thickeners, dispersants, basic substances other than component B, polymer compounds, solubilizers, preservatives, sterilizers Agents, antibacterial agents, antifoaming agents, and antioxidants can be appropriately blended or contained.

[洗浄剤組成物の製造方法]
本開示の洗浄剤組成物は、例えば、成分A、成分B、成分C及び必要に応じて上述した成分D及びその他の成分を公知の方法で配合することにより製造できる。一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物は、少なくとも成分Aと成分Bと成分Cとを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、一態様において、少なくとも成分A、成分B、成分Cを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法(以下、「本開示の洗浄剤組成物の製造方法」ともいう)に関する。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、成分Bと成分Cは別々に配合されてもよいし、成分Bと成分Cとの塩として配合されてもよい。本開示の洗浄剤組成物の製造方法は、一又は複数の実施形態において、成分Bと成分Cを配合した後、成分A及び必要に応じて上述した成分D及びその他の成分を配合することができる。本開示において「配合する」とは、成分A、成分B、成分C及び必要に応じて成分D及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の各成分の含有量と同じとすることができる。
[Manufacturing method of detergent composition]
The detergent composition of the present disclosure can be produced, for example, by blending component A, component B, component C and, if necessary, the above-mentioned component D and other components by a known method. In one or more embodiments, the detergent composition of the present disclosure may consist of at least a blend of component A, component B and component C. Therefore, the present disclosure is also referred to as a method for producing a cleaning agent composition (hereinafter, also referred to as "method for producing a cleaning agent composition of the present disclosure"), which comprises, in one aspect, at least a step of blending component A, component B, and component C. ). In the method for producing the detergent composition of the present disclosure, the component B and the component C may be blended separately, or may be blended as a salt of the component B and the component C. In the method for producing a detergent composition of the present disclosure, in one or more embodiments, component B and component C may be blended, and then component A and, if necessary, the above-mentioned component D and other components may be blended. can. In the present disclosure, "blending" includes mixing component A, component B, component C and, if necessary, component D and other components simultaneously or in any order. In the method for producing the detergent composition of the present disclosure, the blending amount of each component can be the same as the content of each component of the detergent composition of the present disclosure described above.

本開示において「洗浄剤組成物における各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物を洗浄に使用する時点での前記各成分の含有量をいう。 In the present disclosure, the "content of each component in the detergent composition" refers to the content of each component at the time of cleaning, that is, at the time when the detergent composition is used for cleaning.

本開示の洗浄剤組成物は、添加作業、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮物として製造及び保管してもよい。本開示の洗浄剤組成物の濃縮物の希釈倍率としては、例えば、3倍以上30倍以下が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に成分A、成分B、成分C及び必要に応じて配合される成分D及びその他の成分が上述した含有量(すなわち、洗浄時の含有量)になるよう水(成分D)で希釈して用いることができる。 The detergent composition of the present disclosure may be produced and stored as a concentrate from the viewpoint of addition work, storage and transportation. Examples of the dilution ratio of the concentrate of the detergent composition of the present disclosure include 3 times or more and 30 times or less. The concentrate of the detergent composition of the present disclosure contains the above-mentioned contents (that is, the contents at the time of cleaning) of the component A, the component B, the component C, and the component D and other components to be blended as needed at the time of use. It can be used by diluting it with water (component D) so as to become.

[洗浄剤組成物のpH]
本開示の洗浄剤組成物は、フラックス残渣の除去性を向上させる点から、アルカリ性であることが好ましく、例えば、pH8以上pH14以下が好ましい。pHは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分B以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
[PH of detergent composition]
The detergent composition of the present disclosure is preferably alkaline, for example, pH 8 or more and pH 14 or less, from the viewpoint of improving the removability of the flux residue. If necessary, the pH may be set to inorganic acids such as nitrate and sulfuric acid, organic acids such as oxycarboxylic acid, polyvalent carboxylic acid, aminopolycarboxylic acid and amino acids, and metal salts and ammonium salts thereof, ammonia, sodium hydroxide and water. It can be adjusted by appropriately blending a basic substance other than the component B such as potassium oxide and amine in a desired amount.

[被洗浄物]
本開示の洗浄剤組成物は、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に使用される。フラックス残渣を有する被洗浄物としては、例えば、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられる。被洗浄物の具体例としては、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられ、具体的には、半田付け電子部品及びその製造中間物が挙げられ、より具体的には、部品が半田で半田付けされた電子部品及びその製造中間物、部品が半田を介して接続されている電子部品及びその製造中間物、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物、半田を介して接続されている部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物等が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、フラックスを使用した半田付けにより、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも1つの部品が搭載された回路基板、及び/又は、前記部品を半田接続するための半田バンプが形成された回路基板を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品(半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板等)との間に形成される空間であって、その高さ(部品間の距離)が、例えば、5〜500μm、10〜250μm、或いは20〜100μmの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極(ランド)の大きさや間隔に依存する。
[Item to be cleaned]
The detergent composition of the present disclosure is used for cleaning an object to be cleaned having a flux residue. Examples of the object to be cleaned having the flux residue include an object to be cleaned having the reflowed solder. Specific examples of the object to be cleaned include, for example, an electronic component and its manufacturing intermediate, specifically, a soldered electronic component and its manufacturing intermediate, and more specifically, the component is soldered. Soldered electronic components and their manufacturing intermediates, electronic components to which the components are connected via solder and their manufacturing intermediates, electronic components containing flux residues in the gaps between the soldered components and their manufacturing intermediates, Examples thereof include electronic parts containing flux residues in the gaps between parts connected via solder and their manufacturing intermediates. The manufacturing intermediate is an intermediate product in the manufacturing process of an electronic component including a semiconductor package or a semiconductor device, and is at least selected from a semiconductor chip, a chip type capacitor, and a circuit board by soldering using a flux, for example. A circuit board on which one component is mounted and / or a circuit board on which a solder bump for soldering the component is formed is included. The gap in the object to be cleaned is, for example, a space formed between a circuit board and a component (semiconductor chip, chip type capacitor, circuit board, etc.) soldered and mounted on the circuit board. A space having a height (distance between parts) of, for example, 5 to 500 μm, 10 to 250 μm, or 20 to 100 μm. The width and depth of the gap depend on the size and spacing of the mounted components and the electrodes (lands) on the circuit board.

[洗浄方法]
本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む、フラックス残渣を除去するための洗浄方法(以下、「本開示の洗浄方法」ともいう)に関する。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、例えば、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法(シャワー方式)等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛(Pb)フリー半田であることが好ましい。さらに、同様の観点から、本開示の洗浄方法は、国際公開第2006/025224号、特公平6−75796号公報、特開2014−144473号公報、特開2004−230426号公報、特開2013−188761号公報、特開2013−173184号公報等に記載されているフラックスを用いて半田接続した電子部品に対して使用することが好ましい。本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波の周波数としては、同様の観点から、26〜72Hz、80〜1500Wが好ましく、36〜72Hz、80〜1500Wがより好ましい。
[Washing method]
In one aspect, the present disclosure includes a cleaning method for removing a flux residue, which comprises contacting an object to be cleaned having a flux residue with the cleaning agent composition of the present disclosure (hereinafter, also referred to as "cleaning method of the present disclosure"). Regarding). The cleaning method of the present disclosure includes, in one or more embodiments, a step of cleaning an object to be cleaned with a flux residue with the cleaning agent composition of the present disclosure. As a method of contacting the cleaning agent composition of the present disclosure with the object to be cleaned, or a method of cleaning the object to be cleaned with the cleaning agent composition of the present disclosure, for example, a method of contacting the object to be cleaned in a bathtub of an ultrasonic cleaning device, a method of contacting the object to be cleaned with the cleaning agent composition of the present disclosure. Examples thereof include a method (shower method) in which the cleaning agent composition is sprayed and brought into contact with each other. The detergent composition of the present disclosure can be used as it is for cleaning without being diluted. The cleaning method of the present disclosure preferably includes a step of bringing the object to be cleaned into contact with the detergent composition, rinsing with water, and drying. According to the cleaning method of the present disclosure, the flux residue remaining in the gaps between the soldered parts can be efficiently cleaned. The solder is preferably lead (Pb) -free solder from the viewpoint of exhibiting a remarkable effect of detergency and penetration into narrow gaps by the cleaning method of the present disclosure. Further, from the same viewpoint, the cleaning methods of the present disclosure include International Publication No. 2006/0252224, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75796, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-144473, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-230426, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013- It is preferable to use it for electronic components solder-connected using the flux described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 188761, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-173184, and the like. In the cleaning method of the present disclosure, it is preferable to irradiate ultrasonic waves at the time of contact between the cleaning agent composition of the present disclosure and the object to be cleaned, because the cleaning power of the cleaning agent composition of the present disclosure is easily exhibited. It is more preferable that the ultrasonic waves are relatively strong. From the same viewpoint, the frequency of the ultrasonic wave is preferably 26 to 72 Hz and 80 to 1500 W, more preferably 36 to 72 Hz and 80 to 1500 W.

[電子部品の製造方法]
本開示は、一態様において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも1つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも1つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法(以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう)に関する。フラックスを使用した半田付けは、例えば、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間や半田バンプの周辺等に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。さらに、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間等に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
[Manufacturing method of electronic parts]
In one aspect, the present disclosure is for mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip type capacitor, and a circuit board on a circuit board by soldering using a flux, and for connecting the components and the like. The cleaning method of the present disclosure comprises at least one step selected from the steps of forming the solder bumps on the circuit board, and at least one selected from the circuit board on which the components are mounted and the circuit board on which the solder bumps are formed. The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component (hereinafter, also referred to as “the method for manufacturing an electronic component of the present disclosure”), which includes a step of cleaning by. Soldering using flux is performed by, for example, lead-free soldering, and may be a reflow method or a flow method. Electronic components include a semiconductor package on which a semiconductor chip is not mounted, a semiconductor package on which a semiconductor chip is mounted, and a semiconductor device. The method for manufacturing the electronic components of the present disclosure is caused by the fact that by performing the cleaning method of the present disclosure, the flux residue remaining in the gaps of the soldered parts, the periphery of the solder bumps, etc. is reduced, and the flux residue remains. Since short circuits and poor adhesion between the soldering electrodes are suppressed, highly reliable electronic components can be manufactured. Further, by performing the cleaning method of the present disclosure, it becomes easy to clean the flux residue remaining in the gaps of the soldered parts, so that the cleaning time can be shortened and the manufacturing efficiency of the electronic parts can be improved.

[キット]
本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び/又は本開示の電子部品の製造方法に使用するためのキット(以下、「本開示のキット」ともいう)に関する。本開示のキットは、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットである。
[kit]
The present disclosure relates, in one aspect, to a kit for use in the cleaning method of the present disclosure and / or the method of manufacturing the electronic components of the present disclosure (hereinafter, also referred to as "kit of the present disclosure"). The kits of the present disclosure are kits for producing the detergent compositions of the present disclosure in one or more embodiments.

本開示のキットの一実施形態としては、前記成分Aを含有する溶液(第1液)と、成分B及び成分Cを含有する溶液(第2液)とを、相互に混合されていない状態で含み、第1液と第2液とが使用時に混合されるキット(2液型洗浄剤組成物)が挙げられる。前記第1液及び第2液には、各々必要に応じて上述した成分D及びその他の成分が含まれていても良い。前記第1液及び第2液の少なくとも一方は、一又は複数の実施形態において、成分D(水)の一部又は全部を含有することができる。一又は複数の実施形態において、前記第1液と第2液とが混合された後、必要に応じて成分D(水)で希釈されてもよい。 In one embodiment of the kit of the present disclosure, the solution containing the component A (liquid 1) and the solution containing component B and component C (liquid 2) are not mixed with each other. Examples thereof include a kit (two-component detergent composition) in which the first solution and the second solution are mixed at the time of use. The first liquid and the second liquid may each contain the above-mentioned component D and other components, if necessary. At least one of the first liquid and the second liquid can contain a part or all of the component D (water) in one or more embodiments. In one or more embodiments, the first liquid and the second liquid may be mixed and then diluted with component D (water), if necessary.

本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
<1> 溶剤(成分A)と、
ハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であるアミン(成分B)と、
下記式(VI)で表されるジホスホン酸(成分C)と、を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、又は、成分Aと成分Bと成分Cとを配合してなるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。

Figure 2020116524
上記式(VI)において、Xは炭素数1以上6以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。The present disclosure further relates to one or more embodiments below.
<1> Solvent (component A) and
Amine (component B) having a polarity term (δp) of 7.8 or less in the Hansen solubility parameter,
A detergent composition for removing a flux residue containing diphosphonic acid (component C) represented by the following formula (VI), or for removing a flux residue obtained by blending component A, component B and component C. Detergent composition.
Figure 2020116524
In the above formula (VI), X is an alkylene group or a hydroxyalkylene group having 1 or more and 6 or less carbon atoms.

<2> 溶剤(成分A)は、下記式(I)で表される化合物、下記式(II)で表される化合物及び下記式(III)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種の溶剤である、<1>に記載の洗浄剤組成物。
1−O−(AO)n−R2 (I)
上記式(I)において、R1はフェニル基又は炭素数1以上8以下のアルキル基であり、R2は水素原子又は炭素数1以上4以下のアルキル基であり、AOはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、nはAOの付加モル数であり、1以上3以下の整数である。
3−CH2OH (II)
上記式(II)において、R3はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基である。

Figure 2020116524
上記式(III)において、R4、R5、R6、R7はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1以上8以下の炭化水素基、炭素数1以上3以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基である。
<3> 上記式(I)において、R1はフェニル基又は炭素数1以上8以下のアルキル基であって、フェニル基又は炭素数4以上6以下のアルキル基が好ましく、炭素数4以上6以下のアルキル基がより好ましい、<2>に記載の洗浄剤組成物。
<4> 上記式(I)において、R2は水素原子又は炭素数1以上4以下のアルキル基であって、水素原子又は炭素数2以上4以下のアルキル基が好ましく、水素原子又はn−ブチル基がより好ましい、<2>又は<3>に記載の洗浄剤組成物。
<5> 上記式(I)において、AOはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であって、エチレンオキシド基が好ましい、<2>から<4>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<6> 上記式(I)において、nは1以上3以下の整数であって、1又は2が好ましく、2がより好ましい、<2>から<5>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<7> 上記式(II)において、R3はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基であって、フェニル基、シクロヘキシル基又はテトラヒドロフリル基が好ましく、フェニル基又はテトラヒドロフリル基がより好ましい、<2>から<6>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<8> 上記式(III)において、R4、R5、R6、R7はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1以上8以下の炭化水素基、炭素数1以上3以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基であって、R4、R5、R6、R7のいずれか一つが炭素数1以上8以下の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1以上6以下の炭化水素基であることがより好ましく、メチル基、エチル基、ビニル基のいずれかであることが更に好ましい、<2>から<7>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<9> 成分Aは、式(I)で表される化合物と式(II)で表される化合物との組合せである、<2>から<8>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<10> 成分Aは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール及び1−メチル−2−ピロリドンから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール及び1−メチル−2−ピロリドンから選ばれる少なくとも1種がより好ましい、<1>から<8>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<11> 成分Aの含有量は、70質量%以上が好ましく、75質量%以上がより好ましく、78質量%以上が更に好ましい、<1>から<10>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<12> 成分Aの含有量は、99.5質量%以下が好ましく、95質量%以下がより好ましく、90質量%以下が更に好ましい、<1>から<11>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<13> 成分Aの含有量は、70質量%以上99.5質量%以下が好ましく、75質量%以上95質量%以下がより好ましく、78質量%以上90質量%以下が更に好ましい、<1>から<12>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<14> アミン(成分B)は、下記式(IV)又は(V)で表されるアミンである、<1>から<13>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
Figure 2020116524
上記式(IV)において、R8は水素原子、炭素数1以上6以下のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基であり、R9及びR10はそれぞれ独立に炭素数1以上6以下のアルキル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。
Figure 2020116524
上記式(V)において、R11は炭素数1以上4以下のアルキル基であり、R12は水素原子又はメチル基である。
<15> 成分Bは、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジメチルベンジルアミン、1,2−ジメチルイミダゾール及び1−イソブチル−2−メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ジブチルモノエタノールアミン、ジメチルベンジルアミン及び1−イソブチル−2−メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも1種がより好ましく、ジブチルモノエタノールアミン及びジメチルベンジルアミンから選ばれる少なくとも1種が更に好ましい、<1>から<14>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<16> 成分Bの含有量は、0.2質量%以上が好ましく、0.3質量%以上がより好ましく、0.4質量%以上が更に好ましく、0.5質量%以上がより更に好ましい、<1>から<15>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<17> 成分Bの含有量は、15質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましく、5質量%以下が更に好ましく、3質量%以下がより更に好ましい、<1>から<16>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<18> 成分Bの含有量は、0.2質量%以上15質量%以下が好ましく、0.3質量%以上10質量%以下がより好ましく、0.4質量%以上5質量%以下が更に好ましく、0.5質量%以上3質量%以下がより更に好ましい、<1>から<17>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<19> 成分Aと成分Bとの質量比(A/B)は、5以上が好ましく、8以上がより好ましく、10以上が更に好ましい、<1>から<18>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<20> 成分Aと成分Bとの質量比(A/B)は、60以下が好ましく、45以下がより好ましく、20以下が更に好ましい、<1>から<19>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<21> 成分Aと成分Bとの質量比(A/B)は、5以上60以下が好ましく、8以上45以下がより好ましく、10以上20以下が更に好ましい、<1>から<20>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<22> 上記式(VI)において、Xは炭素数1以上6以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基であって、ヒドロキシアルキレン基が好ましい、<1>から<21>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<23> 上記式(VI)において、Xの炭素数は1以上4以下が好ましく、1以上2以下がより好ましい、<1>から<22>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<24> 成分Cは、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、メチレンジホスホン酸、1,2−エチレンジホスホン酸、1,3−プロピレンジホスホン酸、1,4−ブチレンジホスホン酸、1,5−ペンチレンジホスホン酸及び1,6−ヘキシレンジホスホン酸から選ばれる少なくとも1種のジホスホン酸が好ましく、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸及びメチレンジホスホン酸から選ばれる少なくとも1種のジホスホン酸がより好ましく、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸が更に好ましい、<1>から<23>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<25> 成分Cの含有量は、0.1質量%以上が好ましく、0.3質量%以上がより好ましく、0.5質量%以上が更に好ましい、<1>から<24>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<26> 成分Cの含有量は、3質量%以下が好ましく、2質量%以下がより好ましく、1.5質量%以下が更に好ましく、1質量%以下がより更に好ましい、<1>から<25>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<27> 成分Cの含有量は、0.1質量%以上3質量%以下が好ましく、0.3質量%以上2質量%以下がより好ましく、0.3質量%以上1.5質量%以下が更に好ましく、0.5質量%以上1質量%以下がより更に好ましい、<1>から<26>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<28> 成分Aの含有量が70質量%以上99.5質量%以下であり、成分Bの含有量が0.2質量%以上15質量%以下であり、成分Cの含有量が0.1質量%以上3質量%以下である、<1>から<27>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<29> 成分Bと成分Cとのモル比B/Cは、4以上が好ましく、4.5以上より好ましく、4.8以上が更に好ましく、7以上がより更に好ましく、10以上がより更に好ましい、<1>から<28>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<30> 成分Bと成分Cとのモル比B/Cは、40以下が好ましく、30以下がより好ましく、25以下が更に好ましく、22以下がより更に好ましく、18以下がより更に好ましい、<1>から<29>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<31> 成分Bと成分Cとのモル比B/Cは、4以上40以下が好ましく、4.5以上30以下がより好ましく、4.8以上25以下が更に好ましく、7以上22以下がより更に好ましく、10以上18以下がより更に好ましい、<1>から<30>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<32> 成分Bの少なくとも一部は、成分Cと塩を形成しており、成分Bの少なくとも一部は、成分Cと塩を形成していない、<1>から<31>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<33> 成分Bと成分Cとの塩の含有量は、0.1質量%以上が好ましく、0.3質量%以上がより好ましく、0.7質量%以上が更に好ましい、<32>に記載の洗浄剤組成物。
<34> 成分Bと成分Cとの塩の含有量は、10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、3質量%以下が更に好ましい、<32>又は<33>に記載の洗浄剤組成物。
<35> 成分Bと成分Cとの塩の含有量は、0.1質量%以上10量%以下が好ましく、0.3質量%以上5質量%以下がより好ましく、0.7質量%以上3質量%以下が更に好ましい、<32>から<34>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<36> 水(成分D)をさらに含む、<1>から<35>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<37> 成分Dの含有量は、1質量%以上が好ましく、5質量%以上がより好ましく、8質量%以上が更に好ましい、<36>に記載の洗浄剤組成物。
<38> 成分Dの含有量は、20質量%以下が好ましく、15質量%以下がより好ましく、10質量%以下が更に好ましい、<36>又は<37>に記載の洗浄剤組成物。
<39> 成分Dの含有量は、1質量%以上20質量%以下が好ましく、5質量%以上15質量%以下がより好ましく、8質量%以上10質量%以下が更に好ましい、<36>から<38>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<40> 界面活性剤(成分E)をさらに含有する、<1>から<39>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<41> キレート力を持つ化合物、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、増粘剤、分散剤、成分B以外の塩基性物質、高分子化合物、可溶化剤、防腐剤、殺菌剤、抗菌剤、消泡剤、及び酸化防止剤から選ばれる少なくとも1種をさらに含有する、<1>から<40>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<42> フラックス残渣を有する被洗浄物を<1>から<41>のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法。
<43> 被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、<42>に記載の洗浄方法。
<44> 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも1つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも1つを<42>又は<43>に記載の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法。<2> The solvent (component A) is at least one solvent selected from a compound represented by the following formula (I), a compound represented by the following formula (II), and a compound represented by the following formula (III). The cleaning agent composition according to <1>.
R 1 −O − (AO) n −R 2 (I)
In the above formula (I), R 1 is a phenyl group or an alkyl group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms, and AO is an ethylene oxide group or propylene oxide. It is a group, and n is the number of added moles of AO, which is an integer of 1 or more and 3 or less.
R 3- CH 2 OH (II)
In the above formula (II), R 3 is a phenyl group, a benzyl group, a cyclohexyl group, a frill group, a tetrahydrofuryl group, a furfuryl group or a tetrahydrofurfuryl group.
Figure 2020116524
In the above formula (III), R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are independently composed of a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, and a hydroxyalkyl group or hydroxyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms. be.
<3> In the above formula (I), R 1 is a phenyl group or an alkyl group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, preferably a phenyl group or an alkyl group having 4 or more and 6 or less carbon atoms, and 4 or more and 6 or less carbon atoms. The cleaning agent composition according to <2>, wherein the alkyl group of <2> is more preferable.
<4> In the above formula (I), R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 2 or more and 4 or less carbon atoms, and is a hydrogen atom or n-butyl. The cleaning composition according to <2> or <3>, wherein the group is more preferable.
<5> The detergent composition according to any one of <2> to <4>, wherein in the above formula (I), AO is an ethylene oxide group or a propylene oxide group, preferably an ethylene oxide group.
<6> The detergent composition according to any one of <2> to <5>, wherein n is an integer of 1 or more and 3 or less, preferably 1 or 2, more preferably 2 in the above formula (I). ..
<7> In the above formula (II), R 3 is a phenyl group, a benzyl group, a cyclohexyl group, a frill group, a tetrahydrofuryl group, a furfuryl group or a tetrahydrofurfuryl group, and the phenyl group, the cyclohexyl group or the tetrahydrofuryl group is present. The cleaning composition according to any one of <2> to <6>, preferably in which a phenyl group or a tetrahydrofuryl group is more preferable.
<8> In the above formula (III), R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are independently hydrogen atoms, hydrocarbon groups having 1 to 8 carbon atoms, and hydroxyalkyl groups having 1 to 3 carbon atoms. Alternatively, it is preferable that any one of R 4 , R 5 , R 6 , and R 7 is a hydrocarbon group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, and is a hydrocarbon group having 1 or more and 6 or less carbon atoms. The cleaning composition according to any one of <2> to <7>, more preferably any of a methyl group, an ethyl group and a vinyl group.
<9> The detergent composition according to any one of <2> to <8>, wherein the component A is a combination of the compound represented by the formula (I) and the compound represented by the formula (II).
<10> As the component A, at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, benzyl alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol and 1-methyl-2-pyrrolidone is preferable, and diethylene glycol monobutyl ether and benzyl are preferable. The cleaning composition according to any one of <1> to <8>, wherein at least one selected from alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol and 1-methyl-2-pyrrolidone is more preferable.
<11> The detergent composition according to any one of <1> to <10>, wherein the content of the component A is preferably 70% by mass or more, more preferably 75% by mass or more, still more preferably 78% by mass or more. ..
<12> The cleaning agent according to any one of <1> to <11>, wherein the content of the component A is preferably 99.5% by mass or less, more preferably 95% by mass or less, still more preferably 90% by mass or less. Composition.
<13> The content of the component A is preferably 70% by mass or more and 99.5% by mass or less, more preferably 75% by mass or more and 95% by mass or less, further preferably 78% by mass or more and 90% by mass or less, <1>. The cleaning agent composition according to any one of <12>.
<14> The detergent composition according to any one of <1> to <13>, wherein the amine (component B) is an amine represented by the following formula (IV) or (V).
Figure 2020116524
In the above formula (IV), R 8 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group, and R 9 and R 10 have independent carbon atoms. It is an alkyl group of 1 or more and 6 or less, a hydroxyethyl group, or a hydroxypropyl group.
Figure 2020116524
In the above formula (V), R 11 is an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 4 or less carbon atoms, and R 12 is a hydrogen atom or a methyl group.
<15> As the component B, at least one selected from dibutylmonoethanolamine, butyldiethanolamine, diisopropanolamine, dimethylbenzylamine, 1,2-dimethylimidazole and 1-isobutyl-2-methylimidazole is preferable, and dibutylmonoethanol is preferable. Of <1> to <14>, at least one selected from amines, dimethylbenzylamine and 1-isobutyl-2-methylimidazole is more preferred, and at least one selected from dibutylmonoethanolamine and dimethylbenzylamine is even more preferred. The cleaning agent composition according to any one.
<16> The content of the component B is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, further preferably 0.4% by mass or more, still more preferably 0.5% by mass or more. The detergent composition according to any one of <1> to <15>.
<17> The content of the component B is preferably 15% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, further preferably 5% by mass or less, still more preferably 3% by mass or less, of <1> to <16>. The cleaning agent composition according to any one.
<18> The content of component B is preferably 0.2% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.3% by mass or more and 10% by mass or less, and further preferably 0.4% by mass or more and 5% by mass or less. , 0.5% by mass or more and 3% by mass or less, more preferably, the cleaning agent composition according to any one of <1> to <17>.
<19> The cleaning according to any one of <1> to <18>, wherein the mass ratio (A / B) of the component A to the component B is preferably 5 or more, more preferably 8 or more, still more preferably 10 or more. Agent composition.
<20> The cleaning according to any one of <1> to <19>, wherein the mass ratio (A / B) of the component A to the component B is preferably 60 or less, more preferably 45 or less, still more preferably 20 or less. Agent composition.
<21> The mass ratio (A / B) of the component A to the component B is preferably 5 or more and 60 or less, more preferably 8 or more and 45 or less, further preferably 10 or more and 20 or less, <1> to <20>. The detergent composition according to any one.
<22> In the above formula (VI), X is an alkylene group or a hydroxyalkylene group having 1 to 6 carbon atoms, preferably a hydroxyalkylene group, according to any one of <1> to <21>. Composition.
<23> The detergent composition according to any one of <1> to <22>, wherein the carbon number of X is preferably 1 or more and 4 or less, more preferably 1 or more and 2 or less in the above formula (VI).
<24> Component C is 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, methylene diphosphonic acid, 1,2-ethylene diphosphonic acid, 1,3-propylene diphosphonic acid, 1,4-butylenediphosphonic acid. , 1,5-Pentylene diphosphonic acid and at least one diphosphonic acid selected from 1,6-hexylene diphosphonic acid is preferred, and 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid and methylene diphosphonic acid are selected. The cleaning composition according to any one of <1> to <23>, wherein at least one diphosphonic acid is more preferable, and 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid is further preferable.
<25> The content of the component C is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, still more preferably 0.5% by mass or more, any of <1> to <24>. The cleaning agent composition according to the above.
<26> The content of the component C is preferably 3% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, further preferably 1.5% by mass or less, still more preferably 1% by mass or less, <1> to <25. > The cleaning agent composition according to any one of.
<27> The content of component C is preferably 0.1% by mass or more and 3% by mass or less, more preferably 0.3% by mass or more and 2% by mass or less, and 0.3% by mass or more and 1.5% by mass or less. The cleaning agent composition according to any one of <1> to <26>, more preferably 0.5% by mass or more and 1% by mass or less.
<28> The content of component A is 70% by mass or more and 99.5% by mass or less, the content of component B is 0.2% by mass or more and 15% by mass or less, and the content of component C is 0.1. The cleaning agent composition according to any one of <1> to <27>, which is equal to or more than 3% by mass and not more than 3% by mass.
<29> The molar ratio B / C of the component B to the component C is preferably 4 or more, more preferably 4.5 or more, further preferably 4.8 or more, further preferably 7 or more, still more preferably 10 or more. , <1> to <28>.
<30> The molar ratio B / C of the component B to the component C is preferably 40 or less, more preferably 30 or less, further preferably 25 or less, further preferably 22 or less, still more preferably 18 or less, <1. > To <29>.
<31> The molar ratio B / C of component B to component C is preferably 4 or more and 40 or less, more preferably 4.5 or more and 30 or less, further preferably 4.8 or more and 25 or less, and more preferably 7 or more and 22 or less. The detergent composition according to any one of <1> to <30>, more preferably 10 or more and 18 or less.
<32> Any of <1> to <31>, in which at least a part of the component B forms a salt with the component C and at least a part of the component B does not form a salt with the component C. The cleaning agent composition according to the above.
<33> The salt content of the component B and the component C is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, still more preferably 0.7% by mass or more, according to <32>. Detergent composition.
<34> The cleaning according to <32> or <33>, wherein the salt content of the component B and the component C is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, still more preferably 3% by mass or less. Agent composition.
<35> The salt content of component B and component C is preferably 0.1% by mass or more and 10% by mass or less, more preferably 0.3% by mass or more and 5% by mass or less, and 0.7% by mass or more 3 The cleaning composition according to any one of <32> to <34>, more preferably by mass or less.
<36> The detergent composition according to any one of <1> to <35>, further comprising water (component D).
<37> The detergent composition according to <36>, wherein the content of the component D is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and further preferably 8% by mass or more.
<38> The detergent composition according to <36> or <37>, wherein the content of the component D is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, still more preferably 10% by mass or less.
<39> The content of the component D is preferably 1% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 5% by mass or more and 15% by mass or less, further preferably 8% by mass or more and 10% by mass or less, from <36> to <. 38> The cleaning agent composition according to any one of.
<40> The detergent composition according to any one of <1> to <39>, which further contains a surfactant (component E).
<41> Compounds with chelating power, rust preventives such as benzotriazole, thickeners, dispersants, basic substances other than component B, polymer compounds, solubilizers, preservatives, bactericides, antibacterial agents, defoamers The detergent composition according to any one of <1> to <40>, which further contains at least one selected from a foaming agent and an antioxidant.
<42> A cleaning method comprising a step of cleaning an object to be cleaned having a flux residue with the detergent composition according to any one of <1> to <41>.
<43> The cleaning method according to <42>, wherein the object to be cleaned is an intermediate product for manufacturing soldered electronic components.
<44> A process of mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on a circuit board by soldering using a flux, and a circuit of solder bumps for connecting the components and the like. <42> or <43> describes at least one step selected from the steps of forming on the substrate, and at least one selected from the circuit board on which the component is mounted and the circuit board on which the solder bump is formed. A method for manufacturing an electronic component, which includes a step of cleaning by a cleaning method.

以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present disclosure will be specifically described with reference to Examples, but the present disclosure is not limited to these Examples.

1.洗浄剤組成物の調製(実施例1〜18、比較例1〜10)
100mLガラスビーカーに、下記表2に記載の組成となるように各成分を配合し、下記条件で混合することにより、実施例1〜18及び比較例1〜10の洗浄剤組成物を調製した。表2中の各成分の数値は、断りのない限り、調製した洗浄剤組成物における含有量(質量%)を示す。
<混合条件>
液温度:25℃
攪拌機:マグネチックスターラー(50mm回転子)
回転数:300rpm
攪拌時間:10分
1. 1. Preparation of detergent composition (Examples 1 to 18, Comparative Examples 1 to 10)
The detergent compositions of Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 10 were prepared by blending each component into a 100 mL glass beaker so as to have the composition shown in Table 2 below and mixing under the following conditions. Unless otherwise specified, the numerical values of each component in Table 2 indicate the content (mass%) in the prepared detergent composition.
<Mixed conditions>
Liquid temperature: 25 ° C
Stirrer: Magnetic stirrer (50 mm rotor)
Rotation speed: 300 rpm
Stirring time: 10 minutes

洗浄剤組成物の成分として下記のものを使用する。
(成分A)
A1:テトラヒドロフルフリルアルコール[富士フィルム和光純薬株式会社製]
A2:ジエチレングリコールモノブチルエーテル[日本乳化剤株式会社製、ブチルジグリコール(BDG)]
A3:ジプロピレングリコールモノブチルエーテル[日本乳化剤株式会社製、ブチルプロピレンジグリコール(BFDG)]
A4:ジエチレングリコールジブチルエーテル[日本乳化剤株式会社製、ジブチルジグリコール(DBDG)]
A5:1−メチル−2−ピロリドン[富士フィルム和光純薬株式会社製]
A6:ベンジルアルコール[ランクセス株式会社製]
(成分B)
B1:N,N−ジブチルモノエタノールアミン[日本乳化剤株式会社製、アミノアルコール2B]
B2:N,N−ジメチルベンジルアミン[花王株式会社製、カオーライザーNo.20]
B3:1,2−ジメチルイミダゾール[東京化成工業株式会社製]
B4:1−イソブチル−2−メチルイミダゾール[花王株式会社製、カオーライザーNo.120]
B5:ジイソプロパノールアミン[三井化学ファイン株式会社製、ジイソプロパノールアミン(DIPA)]
B6:N−n−ブチルジエタノールアミン[日本乳化剤株式会社製、アミノアルコールMBD]
(非成分B)
B7:トリエタノールアミン[株式会社日本触媒製]
B8:メチルジエタノールアミン[日本乳化剤株式会社製、アミノアルコールMDA]
B9:2−エチル−4−メチルイミダゾール[富士フィルム和光純薬株式会社製]
B10:2−メチルイミダゾール[富士フィルム和光純薬株式会社製]
B11:モノエタノールアミン[株式会社日本触媒製]
(成分C)
C1:1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸[イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト 2010、固形分60質量%]
C2:メチレンジホスホン酸[富士フィルム和光純薬株式会社製]
(成分D)
水[オルガノ株式会社製純水装置G−10DSTSETで製造した1μS/cm以下の純水]
(成分E)
E1:ポリオキシエチレンデシルエーテル[BASF社製、Lutensol XL40、炭素数10のゲルベアルコールエチレンオキサイド平均4モル付加物]
E2:2−エチルヘキシルグリセリルエーテル(下記製造方法にて製造)
2−エチルヘキサノール130g及び三フッ化ホウ素エーテル錯体2.84gを、撹拌しながら0℃まで冷却する。温度を0℃に保ちながら、エピクロロヒドリン138.8gを1時間で滴下する。滴下終了後、減圧下(13〜26Pa)、100℃で余剰のアルコールを留去する。この反応混合物を50℃まで冷却し、50℃を保ちながら48%水酸化ナトリウム水溶液125gを1時間で滴下し、3時間撹拌した後、200mLの水を加え、分層させる。水層を除いた後、更に100mLの水で2回洗浄して、208gの粗2−エチルヘキシルグリシジルエーテルを得る。この粗2−エチルヘキシルグリシジルエーテル208g、水104.8g、ラウリン酸5.82g及び水酸化カリウム18.5gをオートクレーブに入れ、140℃で5時間撹拌する。減圧下(6.67kPa)、100℃で脱水後、ラウリン酸9.7g及び水酸化カリウム2.72gを加え、160℃で15時間反応し、その後減圧蒸留(53〜67Pa,120〜123℃)により精製し、110.2gの2−エチルヘキシルグリセリルエーテルを得る。
(その他の成分)
ベンゾトリアゾール[東京化成工業株式会社製、1,2,3−ベンゾトリアゾール]
The following are used as components of the detergent composition.
(Component A)
A1: Tetrahydrofurfuryl alcohol [manufactured by Fuji Film Wako Pure Chemical Industries, Ltd.]
A2: Diethylene glycol monobutyl ether [Butyl diglycol (BDG) manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.]
A3: Dipropylene glycol monobutyl ether [Butylpropylene diglycol (BFDG) manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.]
A4: Diethylene glycol dibutyl ether [dibutyl diglycol (DBDG) manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.]
A5: 1-Methyl-2-pyrrolidone [manufactured by Fuji Film Wako Pure Chemical Industries, Ltd.]
A6: Benzyl alcohol [manufactured by LANXESS Co., Ltd.]
(Component B)
B1: N, N-dibutylmonoethanolamine [Amino Alcohol 2B, manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.]
B2: N, N-dimethylbenzylamine [Kao Corporation, Kaorizer No. 20]
B3: 1,2-dimethylimidazole [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
B4: 1-Isobutyl-2-methylimidazole [Kao Corporation, Kaorizer No. 120]
B5: Diisopropanolamine [Diisopropanolamine (DIPA) manufactured by Mitsui Kagaku Fine Co., Ltd.]
B6: Nn-Butyldiethanolamine [Amino Alcohol MBD, manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.]
(Non-component B)
B7: Triethanolamine [manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.]
B8: Methyldiethanolamine [Amino Alcohol MDA, manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.]
B9: 2-Ethyl-4-methylimidazole [manufactured by Fuji Film Wako Pure Chemical Industries, Ltd.]
B10: 2-Methylimidazole [manufactured by Fuji Film Wako Pure Chemical Industries, Ltd.]
B11: Monoethanolamine [manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.]
(Component C)
C1: 1-Hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid [manufactured by Italmatch Japan Co., Ltd., Dayquest 2010, solid content 60% by mass]
C2: Methylene diphosphonic acid [manufactured by Fuji Film Wako Pure Chemical Industries, Ltd.]
(Component D)
Water [Pure water of 1 μS / cm or less manufactured by the pure water device G-10DSTSET manufactured by Organo Corporation]
(Component E)
E1: Polyoxyethylene decyl ether [BASF, Lutensol XL40, 10-carbon gelbealcohol ethylene oxide adduct with an average of 4 mol]
E2: 2-Ethylhexyl glyceryl ether (manufactured by the following manufacturing method)
130 g of 2-ethylhexanol and 2.84 g of boron trifluoride ether complex are cooled to 0 ° C. with stirring. While maintaining the temperature at 0 ° C., 138.8 g of epichlorohydrin is added dropwise over 1 hour. After completion of the dropping, excess alcohol is distilled off at 100 ° C. under reduced pressure (13 to 26 Pa). The reaction mixture is cooled to 50 ° C., 125 g of a 48% sodium hydroxide aqueous solution is added dropwise over 1 hour while maintaining 50 ° C., the mixture is stirred for 3 hours, and then 200 mL of water is added to separate the layers. After removing the aqueous layer, the mixture is further washed twice with 100 mL of water to obtain 208 g of crude 2-ethylhexyl glycidyl ether. 208 g of this crude 2-ethylhexyl glycidyl ether, 104.8 g of water, 5.82 g of lauric acid and 18.5 g of potassium hydroxide are placed in an autoclave and stirred at 140 ° C. for 5 hours. After dehydration at 100 ° C. under reduced pressure (6.67 kPa), 9.7 g of lauric acid and 2.72 g of potassium hydroxide were added, reacted at 160 ° C. for 15 hours, and then distilled under reduced pressure (53 to 67 Pa, 120 to 123 ° C.). To obtain 110.2 g of 2-ethylhexyl glyceryl ether.
(Other ingredients)
Benzotriazole [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., 1,2,3-benzotriazole]

[アミン(成分B、非成分B)の物性]
洗浄剤組成物の調製に用いたアミン(成分B、非成分B)のハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)を表1に示す。極性項(δp)は、パソコン用ソフト「HSPiP:Hansen Solubility Parameters in Practice」を用いて算出した。

Figure 2020116524
[Physical characteristics of amines (component B, non-component B)]
Table 1 shows the polarity term (δp) of the Hansen solubility parameter of the amine (component B, non-component B) used in the preparation of the detergent composition. The polarity term (δp) was calculated using the personal computer software “HSPiP: Hansen Solubility Parameters in Practice”.
Figure 2020116524

2.洗浄剤組成物の評価
[洗浄剤組成物の液状態]
調製後の洗浄剤組成物の液状態を25℃で目視観察した。均一透明なものをA、分離し均一透明でないものをBとし、結果を表2に示す。Aは、安定な液状態が確保されていると判断でき、Bは、液状態が不安定であると判断できる。
2. Evaluation of detergent composition [Liquid state of detergent composition]
The liquid state of the detergent composition after preparation was visually observed at 25 ° C. Table 2 shows the results, with A being uniformly transparent and B being separated and not uniformly transparent. A can be determined that a stable liquid state is secured, and B can be determined that the liquid state is unstable.

[洗浄性の評価]
調製した実施例1〜18及び比較例1〜10の洗浄剤組成物を用いて洗浄性について試験を行い、評価した。
[Evaluation of detergency]
The cleaning properties of the prepared detergent compositions of Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 10 were tested and evaluated.

<テスト基板>
銅配線プリント基板(10mm×15mm)上に、スクリーン版を用いて下記ソルダーペーストを塗布する。窒素雰囲気下250℃でリフローすることでテスト基板を作製する。
<Test board>
The following solder paste is applied onto a copper wiring printed circuit board (10 mm × 15 mm) using a screen plate. A test substrate is prepared by reflowing at 250 ° C. in a nitrogen atmosphere.

<フラックスの組成>
完全水添ロジン(イーストマンケミカル社製、Foral AX−E)58.0質量%
N,N’−ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩(株式会社ワコーケミカル製)0.5質量%
アジピン酸(和光純薬工業株式会社製)0.5質量%
硬化ヒマシ油(豊国製油株式会社製)6.0質量%
ヘキシルグリコール(日本乳化剤株式会社製)35.0質量%
<Composition of flux>
Completely hydrogenated rosin (manufactured by Eastman Chemical Company, Foral AX-E) 58.0% by mass
N, N'-diphenylguanidine hydrobromide (manufactured by Wako Chemical Co., Ltd.) 0.5% by mass
Adipic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.5% by mass
Hardened castor oil (manufactured by Toyokuni Oil Co., Ltd.) 6.0% by mass
Hexyl glycol (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 35.0% by mass

<フラックスの製造方法>
溶剤のヘキシルグリコールに残りの他の成分を添加して溶解することにより、前記組成のフラックスを得た。
<Flux manufacturing method>
A flux having the above composition was obtained by adding the remaining other components to the solvent hexyl glycol and dissolving the components.

<ソルダーペーストの製造方法>
上記のフラックス11.0gとはんだ粉末[千住金属工業株式会社製、M705(Sn/Ag/Cu=96.5/3/0.5)]89.0gを1時間混練して調製した。
<Manufacturing method of solder paste>
11.0 g of the above flux and 89.0 g of solder powder [M705 (Sn / Ag / Cu = 96.5 / 3 / 0.5)] manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd. were kneaded for 1 hour to prepare.

<洗浄試験>
洗浄試験は、以下の手順にて行った。
まず、超音波洗浄槽、第1リンス槽、第2リンス槽を以下の条件で準備する。超音波洗浄槽は、周波数40kHzに設定し出力を200Wとする。50mLガラスビーカーに各洗浄剤組成物を100g添加し、超音波洗浄層に入れて、60℃に加温することにより得た。第1リンス槽及び第2リンス槽は、50mm回転子を一つ入れた100mLガラスビーカーを二つ用意し、それぞれに純水100gを添加し、温浴に入れて、回転数100rpmで攪拌しながら40℃に加温することにより得た。
次に、テスト基板をピンセットで保持して、前記超音波洗浄槽へ挿入し、1分間浸漬する。次に、テスト基板をピンセットで保持して第1リンス槽に挿入し、回転数100rpmで攪拌しながら1分間浸漬する。
さらに、テスト基板をピンセットで保持して第2リンス槽に挿入し、回転数100rpmで攪拌しながら1分間浸漬する。
最後に、テスト基板を窒素パージし乾燥する。
<Washing test>
The cleaning test was carried out according to the following procedure.
First, an ultrasonic cleaning tank, a first rinse tank, and a second rinse tank are prepared under the following conditions. The ultrasonic cleaning tank is set to a frequency of 40 kHz and an output of 200 W. It was obtained by adding 100 g of each detergent composition to a 50 mL glass beaker, putting it in an ultrasonic cleaning layer, and heating it to 60 ° C. For the first rinse tank and the second rinse tank, prepare two 100 mL glass beakers containing one 50 mm rotor, add 100 g of pure water to each, put them in a warm bath, and stir at a rotation speed of 100 rpm to 40. Obtained by heating to ° C.
Next, the test substrate is held by tweezers, inserted into the ultrasonic cleaning tank, and immersed for 1 minute. Next, the test substrate is held by tweezers, inserted into the first rinse tank, and immersed for 1 minute while stirring at a rotation speed of 100 rpm.
Further, the test substrate is held by tweezers, inserted into the second rinse tank, and immersed for 1 minute while stirring at a rotation speed of 100 rpm.
Finally, the test substrate is nitrogen purged and dried.

<洗浄性の評価(フラックス除去性)>
洗浄後、テスト基板を卓上顕微鏡 Miniscope TM3030 (株式会社日立ハイテクノロジーズ製)で観察し、任意の9ポイントの半田バンプ上に残存するフラックス残渣の有無を目視確認し、フラックス残渣が残る半田バンプの個数を数えた。結果を表2に示す。
さらに、テスト基板を光学顕微鏡VHX−2000(株式会社キーエンス製)で観察し、半田バンプ近傍に残存するフラックス残渣の有無を目視確認し、半田バンプ近傍にフラックス残渣が残る半田バンプの個数を数えた。結果を表2に示す。
<Evaluation of detergency (flux removal)>
After cleaning, the test substrate is observed with a desktop microscope Miniscope TM3030 (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the presence or absence of flux residue remaining on any 9-point solder bump is visually confirmed, and the number of solder bumps on which the flux residue remains. Counted. The results are shown in Table 2.
Furthermore, the test substrate was observed with an optical microscope VHX-2000 (manufactured by KEYENCE CORPORATION), the presence or absence of flux residue remaining in the vicinity of the solder bump was visually confirmed, and the number of solder bumps in which the flux residue remained in the vicinity of the solder bump was counted. .. The results are shown in Table 2.

<洗浄性の評価(錫除去性)>
リフロー時に半田バンプ近傍に発生する酸化錫に対する洗浄性を確認するため、酸化錫の溶解性及び溶解後の再析出抑制性を以下の方法で評価した。
50mLガラスビーカーに洗浄剤組成物20gを添加し、酸化錫(IV)を1g添加、25℃にて、撹拌子を用いて3時間攪拌した。その後、遠心分離により、未溶解酸化錫(IV)を沈降させた上澄みを、1−メチル−2−ピロリドンで2倍に希釈し、測定液を得た。測定液中のSn濃度をICP発光分光分析装置(Agilent社製、Agilent 5110 ICP−OES)を用いて測定し、洗浄剤組成物中へのSn溶解量(ppm)を算出した。結果を表2に示す。
<Evaluation of detergency (tin removal property)>
In order to confirm the detergency for tin oxide generated in the vicinity of the solder bumps during reflow, the solubility of tin oxide and the reprecipitation inhibitory property after dissolution were evaluated by the following methods.
20 g of the detergent composition was added to a 50 mL glass beaker, 1 g of tin (IV) oxide was added, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 3 hours using a stirrer. Then, the supernatant obtained by precipitating undissolved tin oxide (IV) by centrifugation was diluted 2-fold with 1-methyl-2-pyrrolidone to obtain a measurement solution. The Sn concentration in the measuring solution was measured using an ICP emission spectrophotometer (Agilent 5110 ICP-OES, manufactured by Agilent), and the amount of Sn dissolved in the cleaning agent composition (ppm) was calculated. The results are shown in Table 2.

<洗浄性の評価(ロジン酸溶解性)>
フラックスの親和性を確認するため、フラックスの成分として用いられるロジン酸の溶解性を以下の方法で評価した。
50mLガラスビーカーに洗浄剤組成物100gとロジン酸を1g添加し、超音波洗浄槽を用い、周波数40kHzに設定し出力を200Wの条件で、25℃で1時間超音波処理を行った。ロジン酸が溶解した場合はさらにロジン酸を1g添加し、同様の操作を行った。この操作をロジン酸が未溶解になるまで繰り返し行うことで、溶解度を見積もった。溶解度が高いほど、ロジン系フラックス除去性に優れると評価できる。ロジン系フラックス除去性の観点から、溶解度は40質量%以上が好ましく、50質量%以上がより好ましく、55質量%以上が更に好ましく、60質量%以上が更に好ましいと評価できる。
[評価基準]
A:溶解度が60質量%以上
B:溶解度が50質量%以上60質量%未満
C:溶解度が40質量%以上50質量%未満
D:溶解度が40質量%未満
<Evaluation of detergency (rosin solubility)>
In order to confirm the affinity of the flux, the solubility of rosin acid used as a component of the flux was evaluated by the following method.
100 g of a cleaning agent composition and 1 g of rosinic acid were added to a 50 mL glass beaker, and ultrasonic treatment was performed at 25 ° C. for 1 hour under the condition that the frequency was set to 40 kHz and the output was 200 W using an ultrasonic cleaning tank. When the rosin acid was dissolved, 1 g of the rosin acid was further added, and the same operation was performed. The solubility was estimated by repeating this operation until the rosin acid became undissolved. It can be evaluated that the higher the solubility, the better the rosin-based flux removability. From the viewpoint of rosin-based flux removability, the solubility is preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, further preferably 55% by mass or more, and further preferably 60% by mass or more.
[Evaluation criteria]
A: Solubility is 60% by mass or more B: Solubility is 50% by mass or more and less than 60% by mass C: Solubility is 40% by mass or more and less than 50% by mass D: Solubility is less than 40% by mass

Figure 2020116524
Figure 2020116524

上記表2に示すとおり、実施例1〜18の洗浄剤組成物は、成分A〜Cの少なくとも1つが配合されていない比較例1〜10に比べて、安定な液状態を確保しつつ、フラックス除去性及び錫除去性に優れていた。さらに、実施例1〜9、12、14〜18の洗浄剤組成物は、ロジン酸の溶解度が50質量%以上と高く、実施例10〜11、13に比べて、ロジン系フラックス除去性に優れることが分かった。 As shown in Table 2 above, the detergent compositions of Examples 1 to 18 have a flux while ensuring a stable liquid state as compared with Comparative Examples 1 to 10 in which at least one of the components A to C is not blended. It was excellent in removability and tin removability. Further, the detergent compositions of Examples 1 to 9, 12, 14 to 18 have a high solubility of logonic acid of 50% by mass or more, and are excellent in rosin-based flux removability as compared with Examples 10 to 11 and 13. It turned out.

本開示の洗浄剤組成物を用いることにより、フラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。 By using the cleaning agent composition of the present disclosure, the flux residue can be washed satisfactorily. Therefore, for example, the cleaning process of the flux residue in the manufacturing process of the electronic component can be shortened, and the performance and reliability of the manufactured electronic component can be shortened. Can be improved, and the productivity of semiconductor devices can be improved.

Claims (15)

溶剤(成分A)と、
ハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であるアミン(成分B)と、
下記式(VI)で表されるジホスホン酸(成分C)と、を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
Figure 2020116524
上記式(VI)において、Xは炭素数1以上6以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。
Solvent (component A) and
Amine (component B) having a polarity term (δp) of 7.8 or less in the Hansen solubility parameter,
A detergent composition for removing a flux residue, which comprises a diphosphonic acid (component C) represented by the following formula (VI).
Figure 2020116524
In the above formula (VI), X is an alkylene group or a hydroxyalkylene group having 1 or more and 6 or less carbon atoms.
溶剤(成分A)と、
ハンセン溶解度パラメータの極性項(δp)が7.8以下であるアミン(成分B)と、
下記式(VI)で表されるジホスホン酸(成分C)と、を配合してなる、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
Figure 2020116524
上記式(VI)において、Xは炭素数1以上6以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。
Solvent (component A) and
Amine (component B) having a polarity term (δp) of 7.8 or less in the Hansen solubility parameter,
A detergent composition for removing a flux residue, which comprises a diphosphonic acid (component C) represented by the following formula (VI).
Figure 2020116524
In the above formula (VI), X is an alkylene group or a hydroxyalkylene group having 1 or more and 6 or less carbon atoms.
成分Bと成分Cのモル比B/Cが、4以上40以下である、請求項1又は2に記載の洗浄剤組成物。 The detergent composition according to claim 1 or 2, wherein the molar ratio B / C of the component B to the component C is 4 or more and 40 or less. 成分Aの含有量が70質量%以上99.5質量%以下であり、
成分Bの含有量が0.2質量%以上15質量%以下であり、
成分Cの含有量が0.1質量%以上3質量%以下である、請求項1から3のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
The content of component A is 70% by mass or more and 99.5% by mass or less.
The content of component B is 0.2% by mass or more and 15% by mass or less.
The detergent composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the component C is 0.1% by mass or more and 3% by mass or less.
溶剤(成分A)は、下記式(I)で表される化合物、下記式(II)で表される化合物及び下記式(III)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種の溶剤である、請求項1から4のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
1−O−(AO)n−R2 (I)
上記式(I)において、R1はフェニル基又は炭素数1以上8以下のアルキル基であり、R2は水素原子又は炭素数1以上4以下のアルキル基であり、AOはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、nはAOの付加モル数であり、1以上3以下の整数である。
3−CH2OH (II)
上記式(II)において、R3はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基である。
Figure 2020116524
上記式(III)において、R4、R5、R6、R7はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1以上8以下の炭化水素基、炭素数1以上3以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基である。
The solvent (component A) is at least one solvent selected from the compound represented by the following formula (I), the compound represented by the following formula (II), and the compound represented by the following formula (III). The detergent composition according to any one of claims 1 to 4.
R 1 −O − (AO) n −R 2 (I)
In the above formula (I), R 1 is a phenyl group or an alkyl group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms, and AO is an ethylene oxide group or propylene oxide. It is a group, and n is the number of added moles of AO, which is an integer of 1 or more and 3 or less.
R 3- CH 2 OH (II)
In the above formula (II), R 3 is a phenyl group, a benzyl group, a cyclohexyl group, a frill group, a tetrahydrofuryl group, a furfuryl group or a tetrahydrofurfuryl group.
Figure 2020116524
In the above formula (III), R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are independently composed of a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 or more and 8 or less carbon atoms, and a hydroxyalkyl group or hydroxyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms. be.
アミン(成分B)は、下記式(IV)又は(V)で表されるアミンである、請求項1から5のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
Figure 2020116524
上記式(IV)において、R8は水素原子、炭素数1以上6以下のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基であり、R9及びR10はそれぞれ独立に炭素数1以上6以下のアルキル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。
Figure 2020116524
上記式(V)において、R11は炭素数1以上4以下のアルキル基であり、R12は水素原子又はメチル基である。
The cleaning composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the amine (component B) is an amine represented by the following formula (IV) or (V).
Figure 2020116524
In the above formula (IV), R 8 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group, and R 9 and R 10 have independent carbon atoms. It is an alkyl group of 1 or more and 6 or less, a hydroxyethyl group, or a hydroxypropyl group.
Figure 2020116524
In the above formula (V), R 11 is an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 4 or less carbon atoms, and R 12 is a hydrogen atom or a methyl group.
水(成分D)をさらに含む、請求項1から6のいずれかに記載の洗浄剤組成物。 The detergent composition according to any one of claims 1 to 6, further comprising water (component D). 成分Dの含有量は20質量%以下である、請求項7に記載の洗浄剤組成物。 The cleaning composition according to claim 7, wherein the content of the component D is 20% by mass or less. 成分Dの含有量は1質量%以上である、請求項7又は8に記載の洗浄剤組成物。 The cleaning composition according to claim 7 or 8, wherein the content of the component D is 1% by mass or more. 成分Aと成分Bとの質量比(A/B)が、5以上60以下である、請求項1から9のいずれかに記載の洗浄剤組成物。 The cleaning composition according to any one of claims 1 to 9, wherein the mass ratio (A / B) of the component A to the component B is 5 or more and 60 or less. 成分Bが、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジメチルベンジルアミン、1,2−ジメチルイミダゾール及び1−イソブチル−2−メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも1種である、請求項1から10のいずれかに記載の洗浄剤組成物。 Claims 1 to 10, wherein the component B is at least one selected from dibutylmonoethanolamine, butyldiethanolamine, diisopropanolamine, dimethylbenzylamine, 1,2-dimethylimidazole and 1-isobutyl-2-methylimidazole. The cleaning agent composition according to any one. フラックス残渣を有する被洗浄物を請求項1から11のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法。 A cleaning method comprising a step of cleaning an object to be cleaned having a flux residue with the detergent composition according to any one of claims 1 to 11. 被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、請求項12に記載の洗浄方法。 The cleaning method according to claim 12, wherein the object to be cleaned is an intermediate for manufacturing soldered electronic components. 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも1つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも1つを請求項12又は13に記載の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法。 A process of mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on the circuit board by soldering using a flux, and a solder bump for connecting the components and the like on the circuit board. The cleaning method according to claim 12 or 13 is used to clean at least one step selected from the forming steps, and at least one selected from the circuit board on which the component is mounted and the circuit board on which the solder bumps are formed. A method of manufacturing an electronic component, including a process. 請求項1から11のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、フラックス残渣を有する被洗浄物のフラックス洗浄剤としての使用。 Use of the cleaning agent composition according to any one of claims 1 to 11 as a flux cleaning agent for an object to be cleaned having a flux residue.
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