JPWO2020050401A1 - 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 77
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 66
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 47
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
一端が共通接続されている通過帯域が異なるN個の(但し、Nは2以上の整数)帯域通過型フィルタが備えられている。少なくとも1つの帯域通過型フィルタが、オイラー角(φLT=0°±5°の範囲内,θLT,ψLT=0°±15°の範囲内)のタンタル酸リチウム膜14と、シリコン支持基板12と、タンタル酸リチウム膜14とシリコン支持基板12との間に積層されている酸化ケイ素膜13と、IDT電極15、保護膜18とを有する、複数の弾性波共振子を有している。前記複数の弾性波共振子のうち少なくとも1つの弾性波共振子において、周波数fh1_t (n)が、m>nである全てのmにおいて、下記の式(3)または下記の式(4)を満たしている、弾性波装置。
fh1_t (n)>fu (m) 式(3)
fh1_t (n)<fl (m) 式(4)
なお、式(3)及び式(4)において、fu (m)及びfl (m)は、m個の帯域通過型フィルタにおける通過帯域の高域側端部及び低域側端部の周波数を示す。
Description
fhs_t (n)<fl (m) 式(4)
fhs_t (n)<fl (m) 式(4)
fhs_t (n)<fl (m) 式(4)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。弾性波装置1は、アンテナ端子2を有する。アンテナ端子2は、例えばスマートフォンのアンテナに接続される端子である。
fhs_t (n)<fl (m) 式(4)
a)Si(100)(オイラー角(φSi=0°±5°,θSi=0°±5°,ψSi)とする)を使用する場合、ψSiの範囲は0°≦ψSi≦45°とする。もっとも、Si(100)の結晶構造の対称性から、ψSiとψSi±(n×90°)とは同義である(但し、n=1,2,3・・・)。同様に、ψSiと−ψSiとは同義である。
第2の実施形態では、スプリアスAではなく、スプリアスBによるリップルが、第2〜第4の弾性波フィルタ4〜6の通過帯域に位置していない。これを図14〜図19を参照しつつ説明する。
fh2_t (n)<fl (m) 式(4A)
第3の実施形態では、スプリアスAではなく、スプリアスCによるリップルが、第2〜第4の弾性波フィルタ4〜6の通過帯域に位置していない。これを図20〜図25を参照しつつ説明する。
fh3_t (n)<fl (m) 式(4B)
第4の実施形態は、第1の実施形態、第2の実施形態及び第3の実施形態の全てを満たすものである。第4の実施形態の弾性波装置の具体的な構造は、第1〜第3の実施形態と同様である。
2…アンテナ端子
3〜6…第1〜第4の弾性波フィルタ
11,11A…弾性波共振子
12…シリコン支持基板
13…酸化ケイ素膜
14…タンタル酸リチウム膜
15…IDT電極
15a…電極指
16,17…反射器
18…保護膜
18a…第1の保護膜層
18b…第2の保護膜層
18c…第3の保護膜層
202…アンテナ
203…RF信号処理回路
210…弾性波装置
211〜214…第1〜第4のフィルタ
221〜224…増幅器
225…アンテナ共通端子
230…高周波フロントエンド回路
240…通信装置
P1,P2…並列腕共振子
S1〜S3…直列腕共振子
Claims (27)
- 一端が共通接続されており、通過帯域が異なるN個の(但し、Nは2以上の整数)帯域通過型フィルタを備える弾性波装置であって、
前記N個の帯域通過型フィルタを通過帯域の周波数が低い方から順番に、帯域通過型フィルタ(1)、帯域通過型フィルタ(2)・・・帯域通過型フィルタ(N)とした場合に、前記N個の帯域通過型フィルタのうち最も通過帯域の周波数が高い帯域通過型フィルタを除く少なくとも1つの帯域通過型フィルタ(n)(1≦n<N)が、1つ以上の弾性波共振子を含む弾性波フィルタであり、
前記1つ以上の弾性波共振子のうちの少なくとも1つの弾性波共振子(t)は、
オイラー角(φSi,θSi,ψSi)を有するシリコン支持基板と、
前記シリコン支持基板上に積層されている、酸化ケイ素膜と、
前記酸化ケイ素膜上に積層されており、オイラー角(φLT=0°±5°の範囲内,θLT,ψLT=0°±15°の範囲内)を有するタンタル酸リチウム膜と、
前記タンタル酸リチウム膜上に設けられており、電極指を有するIDT電極と、
前記IDT電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、
を有し、
前記弾性波共振子(t)において、前記IDT電極の電極指ピッチで定まる波長をλとし、前記波長λにより規格化した厚みを波長規格化厚みとしたときに、前記タンタル酸リチウム膜の波長規格化厚みをTLT、前記タンタル酸リチウム膜のオイラー角をθLT、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みをTS、前記IDT電極の密度をアルミニウムの密度で除した値と前記IDT電極の波長規格化厚みとの積で求められる、アルミニウムの厚みに換算した前記IDT電極の波長規格化厚みをTE、前記保護膜の密度を酸化ケイ素の密度で除した値と前記保護膜の厚みを前記波長λにより規格化した波長規格化厚みとの積で求められる前記保護膜の波長規格化厚みをTP、前記シリコン支持基板内における伝搬方位をψSi、前記シリコン支持基板の波長規格化厚みをTSiの値とした場合に、前記TLT、前記θLT、前記TS、前記TE、前記TP、前記ψSi、前記TSiで定まる下記の式(1)及び式(2)で決定される第1、第2及び第3の周波数fhs_t (n)のうちのs=1である第1の周波数fh1_t (n)と、前記帯域通過型フィルタ(n)の通過帯域よりも高い周波数域にある通過帯域を有するすべての帯域通過型フィルタ(m)(n<m≦N)とが、下記の式(3)または下記の式(4)を満たす、弾性波装置。
fhs_t (n)<fl (m) 式(4)
但し、上記式(2)〜(4)においては、s=1である。
前記λt (n)は、前記帯域通過型フィルタ(n)に含まれる前記弾性波共振子(t)における前記IDT電極の電極指ピッチで定まる波長であり、
前記fu (m)は、前記帯域通過型フィルタ(m)における通過帯域の高域側端部の周波数であり、
前記fl (m)は、前記帯域通過型フィルタ(m)における通過帯域の低域側端部の周波数であり、
前記式(1)における各係数は、前記シリコン支持基板の結晶方位毎に下記の表1に示すそれぞれの値である。
- 一端が共通接続されており、通過帯域が異なるN個の(但し、Nは2以上の整数)帯域通過型フィルタを備える弾性波装置であって、
前記N個の帯域通過型フィルタを通過帯域の周波数が低い方から順番に、帯域通過型フィルタ(1)、帯域通過型フィルタ(2)・・・帯域通過型フィルタ(N)とした場合に、前記N個の帯域通過型フィルタのうち最も通過帯域の周波数が高い帯域通過型フィルタを除く少なくとも1つの帯域通過型フィルタ(n)(1≦n<N)が、1つ以上の弾性波共振子を含む弾性波フィルタであり、
前記1つ以上の弾性波共振子のうちの少なくとも1つの弾性波共振子(t)は、
オイラー角(φSi,θSi,ψSi)を有するシリコン支持基板と、
前記シリコン支持基板上に積層されている、酸化ケイ素膜と、
前記酸化ケイ素膜上に積層されており、オイラー角(φLT=0°±5°の範囲内,θLT,ψLT=0°±15°の範囲内)を有するタンタル酸リチウム膜と、
前記タンタル酸リチウム膜上に設けられており、電極指を有するIDT電極と、
前記IDT電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、
を有し、
前記弾性波共振子(t)において、前記IDT電極の電極指ピッチで定まる波長をλとし、前記波長λにより規格化した厚みを波長規格化厚みとしたときに、前記タンタル酸リチウム膜の波長規格化厚みをTLT、前記タンタル酸リチウム膜のオイラー角をθLT、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みをTS、前記IDT電極の密度をアルミニウムの密度で除した値と前記IDT電極の波長規格化厚みとの積で求められる、アルミニウムの厚みに換算した前記IDT電極の波長規格化厚みをTE、前記保護膜の密度を酸化ケイ素の密度で除した値と前記保護膜の厚みを前記波長λにより規格化した波長規格化厚みとの積で求められる前記保護膜の波長規格化厚みをTP、前記シリコン支持基板内における伝搬方位をψSi、前記シリコン支持基板の波長規格化厚みをTSiの値とした場合に、前記TLT、前記θLT、前記TS、前記TE、前記TP、前記ψSi、前記TSiで定まる下記の式(1)及び式(2)で決定される第1、第2及び第3の周波数fhs_t (n)のうちのs=2である第2の周波数fh2_t (n)と、前記帯域通過型フィルタ(n)の通過帯域よりも高い周波数域にある通過帯域を有するすべての帯域通過型フィルタ(m)(n<m≦N)とが、下記の式(3)または下記の式(4)を満たす、弾性波装置。
fhs_t (n)<fl (m) 式(4)
但し、上記式(2)〜(4)においては、s=2である。
前記λt (n)は、前記帯域通過型フィルタ(n)に含まれる前記弾性波共振子(t)における前記IDT電極の電極指ピッチで定まる波長であり、
前記fu (m)は、前記帯域通過型フィルタ(m)における通過帯域の高域側端部の周波数であり、
前記fl (m)は、前記帯域通過型フィルタ(m)における通過帯域の低域側端部の周波数であり、
前記式(1)における各係数は、前記シリコン支持基板の結晶方位毎に下記の表2に示すそれぞれの値である。
- 一端が共通接続されており、通過帯域が異なるN個の(但し、Nは2以上の整数)帯域通過型フィルタを備える弾性波装置であって、
前記N個の帯域通過型フィルタを通過帯域の周波数が低い方から順番に、帯域通過型フィルタ(1)、帯域通過型フィルタ(2)・・・帯域通過型フィルタ(N)とした場合に、前記N個の帯域通過型フィルタのうち最も通過帯域の周波数が高い帯域通過型フィルタを除く少なくとも1つの帯域通過型フィルタ(n)(1≦n<N)が、1つ以上の弾性波共振子を含む弾性波フィルタであり、
前記1つ以上の弾性波共振子のうちの少なくとも1つの弾性波共振子(t)は、
オイラー角(φSi,θSi,ψSi)を有するシリコン支持基板と、
前記シリコン支持基板上に積層されている、酸化ケイ素膜と、
前記酸化ケイ素膜上に積層されており、オイラー角(φLT=0°±5°の範囲内,θLT,ψLT=0°±15°の範囲内)を有するタンタル酸リチウム膜と、
前記タンタル酸リチウム膜上に設けられており、電極指を有するIDT電極と、
前記IDT電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、
を有し、
前記弾性波共振子(t)において、前記IDT電極の電極指ピッチで定まる波長をλとし、前記波長λにより規格化した厚みを波長規格化厚みとしたときに、前記タンタル酸リチウム膜の波長規格化厚みをTLT、前記タンタル酸リチウム膜のオイラー角をθLT、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みをTS、前記IDT電極の密度をアルミニウムの密度で除した値と前記IDT電極の波長規格化厚みとの積で求められる、アルミニウムの厚みに換算した前記IDT電極の波長規格化厚みをTE、前記保護膜の密度を酸化ケイ素の密度で除した値と前記保護膜の厚みを前記波長λにより規格化した波長規格化厚みとの積で求められる前記保護膜の波長規格化厚みをTP、前記シリコン支持基板内における伝搬方位をψSi、前記シリコン支持基板の波長規格化厚みをTSiの値とした場合に、前記TLT、前記θLT、前記TS、前記TE、前記TP、前記ψSi、前記TSiで定まる下記の式(1)及び式(2)で決定される第1、第2及び第3の周波数fhs_t (n)のうちのs=3である第3の周波数fh3_t (n)と、前記帯域通過型フィルタ(n)の通過帯域よりも高い周波数域にある通過帯域を有するすべての帯域通過型フィルタ(m)(n<m≦N)とが、下記の式(3)または下記の式(4)を満たす、弾性波装置。
fhs_t (n)<fl (m) 式(4)
但し、上記式(2)〜(4)においては、s=3である。
前記λt (n)は、前記帯域通過型フィルタ(n)に含まれる前記弾性波共振子(t)における前記IDT電極の電極指ピッチで定まる波長であり、
前記fu (m)は、前記帯域通過型フィルタ(m)における通過帯域の高域側端部の周波数であり、
前記fl (m)は、前記帯域通過型フィルタ(m)における通過帯域の低域側端部の周波数であり、
前記式(1)における各係数は、前記シリコン支持基板の結晶方位毎に下記の表3に示すそれぞれの値である。
- 前記第2の周波数fh2_t (n)が、前記式(3)または前記式(4)を満たすように、前記TLT、前記θLT、前記TS、前記TN、前記TE、前記TP、前記ψSi及び前記TSiの値が選択されている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第3の周波数fh3_t (n)が、前記式(3)または前記式(4)を満たすように、前記TLT、前記θLT、前記TS、前記TN、前記TE、前記TP、前記ψSi及び前記TSiの値が選択されている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第2及び第3の周波数fh2_t (n)及びfh3_t (n)が、前記式(3)または前記式(4)を満たすように、前記TLT、前記θLT、前記TS、前記TN、前記TE、前記TP、前記ψSi及び前記TSiの値が選択されている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第3の周波数fh3_t (n)が、前記式(3)または前記式(4)を満たすように、前記TLT、前記θLT、前記TS、前記TN、前記TE、前記TP、前記ψSi及び前記TSiの値が選択されている、請求項2に記載の弾性波装置。
- 前記弾性波フィルタ(m)における通過帯域は、3GPP規格で定められた通信バンドの通過帯域である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記酸化ケイ素膜の膜厚が、2λ以下である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記シリコン支持基板の波長規格化厚みTSiが、TSi>4である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- TSi>10である、請求項10に記載の弾性波装置。
- TSi>20である、請求項11に記載の弾性波装置。
- 前記タンタル酸リチウム膜の波長規格化厚みが、3.5λ以下である、請求項1〜12のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記タンタル酸リチウム膜の波長規格化厚みが、2.5λ以下である、請求項13に記載の弾性波装置。
- 前記タンタル酸リチウム膜の波長規格化厚みが、1.5λ以下である、請求項13に記載の弾性波装置。
- 前記タンタル酸リチウム膜の波長規格化厚みが、0.5λ以下である、請求項13に記載の弾性波装置。
- 前記保護膜が、前記タンタル酸リチウム膜と、前記IDT電極の電極指の側面及び上面とを覆っており、前記電極指の側面上の前記保護膜の厚みが、前記電極指の上面を覆っている前記保護膜の厚みよりも薄い、請求項1〜16のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記保護膜が、前記タンタル酸リチウム膜と、前記IDT電極の電極指の側面及び上面とを覆っており、前記タンタル酸リチウム膜上の前記保護膜の厚みが、前記電極指の上面を覆っている前記保護膜の厚みよりも薄い、請求項1〜16のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記保護膜が、前記タンタル酸リチウム膜と、前記IDT電極の上面及び側面とを覆っており、前記タンタル酸リチウム膜上における前記保護膜の厚みが、前記電極指の上面を覆っている前記保護膜の厚みよりも厚い、請求項1〜16のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記複数の帯域通過型フィルタの一端が共通接続されているアンテナ端子をさらに備え、
前記式(3)または前記式(4)を満たす前記弾性波共振子が、前記アンテナ端子に最も近い、弾性波共振子である、請求項1〜19のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記式(3)または前記式(4)を満たす前記弾性波共振子が、前記1つ以上の弾性波共振子の全てである、請求項1〜19のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- デュプレクサである、請求項1〜21のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記複数の帯域通過型フィルタの一端が共通接続されているアンテナ端子をさらに備え、
3個以上の前記帯域通過型フィルタが前記アンテナ端子側で共通接続されている複合フィルタである、請求項1〜21のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記複数の帯域通過型フィルタが複数の通信バンドの信号を同時に送受信する、複合フィルタである、請求項23に記載の弾性波装置。
- 前記1つ以上の弾性波共振子を有する前記弾性波フィルタが、複数の直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを有するラダー型フィルタである、請求項1〜24のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 請求項1〜25のいずれか1項に記載の弾性波装置と、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。 - 請求項1〜25のいずれか1項に記載の弾性波装置及びパワーアンプを有する高周波フロントエンド回路と、
RF信号処理回路と、
を備える、通信装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018168266 | 2018-09-07 | ||
JP2018168266 | 2018-09-07 | ||
PCT/JP2019/035184 WO2020050401A1 (ja) | 2018-09-07 | 2019-09-06 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020050401A1 true JPWO2020050401A1 (ja) | 2021-08-30 |
JP7074198B2 JP7074198B2 (ja) | 2022-05-24 |
Family
ID=69721741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020541316A Active JP7074198B2 (ja) | 2018-09-07 | 2019-09-06 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11855609B2 (ja) |
JP (1) | JP7074198B2 (ja) |
KR (1) | KR102586511B1 (ja) |
CN (1) | CN112655150B (ja) |
WO (1) | WO2020050401A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6620908B2 (ja) * | 2017-03-09 | 2019-12-18 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
DE102019210495A1 (de) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Paralleles akustisches hybridpassivfilter |
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---|---|---|---|---|
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WO2018092511A1 (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタおよびマルチプレクサ |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100495910C (zh) * | 2003-10-29 | 2009-06-03 | 株式会社村田制作所 | 弹性表面波装置 |
CN100553128C (zh) * | 2008-01-29 | 2009-10-21 | 南京大学 | 声表面波复合结构材料和应用 |
JP2010187373A (ja) | 2009-01-19 | 2010-08-26 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
JP5120497B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2013-01-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JP5835480B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2015-12-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP5942740B2 (ja) | 2012-09-25 | 2016-06-29 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ及び分波器 |
JP6304369B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2018-04-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2016208446A1 (ja) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置 |
WO2017073425A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ、分波器、通信装置および弾性波共振子の設計方法 |
WO2017159408A1 (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、帯域通過型フィルタ及び複合フィルタ装置 |
JP6620908B2 (ja) | 2017-03-09 | 2019-12-18 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
CN110999078B (zh) * | 2017-08-09 | 2023-06-06 | 株式会社村田制作所 | 多工器 |
JP2019036963A (ja) * | 2017-08-18 | 2019-03-07 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | キャリアアグリゲーションシステム用の弾性表面波デバイスを備えたフィルタ |
WO2019082806A1 (ja) * | 2017-10-23 | 2019-05-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
-
2019
- 2019-09-06 JP JP2020541316A patent/JP7074198B2/ja active Active
- 2019-09-06 KR KR1020217004365A patent/KR102586511B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-06 CN CN201980058308.2A patent/CN112655150B/zh active Active
- 2019-09-06 WO PCT/JP2019/035184 patent/WO2020050401A1/ja active Application Filing
-
2021
- 2021-02-24 US US17/183,429 patent/US11855609B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016208447A1 (ja) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
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WO2018092511A1 (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタおよびマルチプレクサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11855609B2 (en) | 2023-12-26 |
CN112655150A (zh) | 2021-04-13 |
WO2020050401A1 (ja) | 2020-03-12 |
KR102586511B1 (ko) | 2023-10-10 |
CN112655150B (zh) | 2024-02-09 |
US20210184654A1 (en) | 2021-06-17 |
JP7074198B2 (ja) | 2022-05-24 |
KR20210030450A (ko) | 2021-03-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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