JPWO2020030529A5 - - Google Patents

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  1. A)ルテチウム、アルミニウムおよび希土類元素を含む1または複数の前駆体物質を用意する工程、
    B)前記前駆体物質を、バインダーおよび溶媒と混合して、スラリーを得る工程、
    C)工程B)のスラリーからグリーン体を形成する工程、
    F)前記グリーン体を、1720℃を超える温度で焼結して、変換素子(3)を得る工程、
    を有
    工程F)の前に、前記グリーン体の表面の構造化処理をさらに有する、
    変換素子(3)の製造方法。
  2. 前記焼結は、1720℃以上1780℃以下の温度で行う、請求項1に記載の方法。
  3. 工程A)は、ルテチウムを含む第1の前駆体物質、アルミニウムを含む第2の前駆体物質、および希土類元素を含む第3の前駆体物質を用意する工程である、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記第1の前駆体物質はLuであり、前記第2の前駆体物質はAlであり、前記第3の前駆体物質はCeOである、請求項3に記載の方法。
  5. 工程B)の混合は、ボールミルにより行われる、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 工程C)の前記グリーン体はグリーンテープを含み、前記グリーンテープは、工程C)において工程B)のスラリーからテープキャスティング法により形成される、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記構造化処理は、所定の深さを有する複数の溝の形成を含み、前記深さは10μm以上40μm以下である、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 工程A)の後、アルミニウムを含む物質は添加されない、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 第1の相および第2の相を含み、
    前記第1の相はルテチウム、アルミニウム、酸素および希土類元素を含み、前記第2の相はAl単結晶を含む、
    変換素子(3)。
  10. 前記第1の相は、LuAl12:Ceを含む、請求項9に記載の変換素子(3)。
  11. 前記Al単結晶は、六方晶系の単結晶である、請求項9または10に記載の変換素子(3)。
  12. 前記Al単結晶の平均結晶サイズは、1μm以上10μm以下である、請求項9~11のいずれか1項に記載の変換素子(3)。
  13. 前記変換素子(3)は、表面構造と、前記表面構造から少なくとも部分的に突出した前記Al単結晶と、を有する、請求項9~12のいずれか1項に記載の変換素子(3)。
  14. 前記表面構造の深さは10μm以上40μm以下である、請求項13に記載の変換素子(3)。
  15. 請求項1~8のいずれか1項に記載の方法で製造された、請求項9~14のいずれか1項に記載の変換素子(3)。
  16. 請求項9~14のいずれか1項に記載の変換素子(3)を有する発光装置(1)であって、前記発光装置(1)は前記発光装置の動作中に第1の光を放射する第1光源をさらに有し、
    前記変換素子(3)は、前記第1光源のビーム路に配置され、前記変換素子(3)は、第1の放射の少なくとも一部分を第2の放射に変換する、
    発光装置(1)。
  17. 前記装置は、発光ダイオード(LED)および誘導放出による光増幅放射(LASERs)装置からなる群から選択される、請求項16に記載の発光装置(1)。
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