JPWO2019162197A5

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Info

Publication number: JPWO2019162197A5
Application number: JP2020543931A
Authority: JP
Publication date: 2022-04-28

Claims

第１のアスペクト比を有する光の第１のビームを生成するレーザー源と、
光学アセンブリと、
を含む、レーザー発生器であって、
前記光学アセンブリは、
第１の表面法線に対してある入射角で前記第１のビームを受け取る表面と、第２の表面法線に対してある出射角で、第２のアスペクト比を有する第２のビームを伝送する追加の表面とを有するプリズムと、
カプラーと、
前記第２のビームを発散させて前記カプラーに伝送するレンズと、
を含み、
前記カプラーは、前記レンズから第１の距離にある第１の結合平面、及び、前記レンズから第２の距離にある第２の結合平面を含み、
前記第２の距離は前記第１の距離よりも大きく、
前記プリズムと前記レンズとの組み合わせは、前記第２のビームを発散させ、
前記第２のビームは、前記第１の結合平面で第３のアスペクト比を含み、前記第２の結合平面で第４のアスペクト比を含み、
前記第３のアスペクト比及び前記第４のアスペクト比は、異なるサイズを有するファイバーの結合を提供する、レーザー発生器。
前記プリズムは、ウェッジプリズムであり、
好適には、前記ウェッジプリズムは、直角ウェッジプリズムである、請求項１に記載のレーザー発生器。
前記光学アセンブリは更に、第１のセンサ、及び、前記レーザー源と前記プリズムとの間で、ある角度で配置されるミラーを含み、
前記ミラーは、前記第１のビームを前記プリズムへと反射し、
前記ミラーは更に、前記第１のビームの少なくとも一部を前記第１のセンサに伝送し、前記第１のセンサは、前記第１のビームの第１のエネルギーを測定し、
前記ミラーは、前記第１のビームの約１パーセントを前記第１のセンサに伝送する、請求項１に記載のレーザー発生器。
前記第２のビームの第２のエネルギーを測定する第２のセンサを更に含む、請求項３に記載のレーザー発生器。
前記プリズムの前記追加の表面は、前記第２のビームの少なくとも一部を前記第２のセンサに反射するコーティングを含む、請求項４に記載のレーザー発生器。
前記コーティングは、前記第２のビームの約２パーセントを前記第２のセンサに反射し、
好適には、前記レーザー発生器は、選択されたカテーテルに対して前記レーザー源を較正する第３のセンサを更に含み、前記カテーテルは、前記カプラーを介して前記光学アセンブリに結合されることができる、請求項５に記載のレーザー発生器。
マイクロプロセッサ実行可能コントローラと安全シャッターとを更に含み、
前記安全シャッターは、前記プリズムと前記レンズとの間に配置され、
前記マイクロプロセッサ実行可能コントローラは、障害信号を受信すると、前記安全シャッターを閉じる、請求項１に記載のレーザー発生器。
前記プリズムは、溶融シリカを含み、
前記プリズムは、底面を含み、前記表面は、前記底面であり、及び／又は、
前記プリズムは、斜辺面を含み、前記追加の表面は、前記斜辺面である、請求項１に記載のレーザー発生器。
前記光学アセンブリは更に、前記レーザー源と前記プリズムとの間に配置される減衰器を含み、
前記減衰器は、前記第１のビームの第１のエネルギーを調整する、請求項１に記載のレーザー発生器。
前記減衰器に結合されるマイクロプロセッサ実行可能コントローラを更に含み、
前記マイクロプロセッサ実行可能コントローラは、第２のセンサによって測定された前記第２のビームの第２のエネルギーに基づいて、第１のセンサによって測定された前記第１のビームの前記第１のエネルギーを、前記減衰器を用いて調整する、請求項９に記載のレーザー発生器。
前記マイクロプロセッサ実行可能コントローラは、前記第２のセンサによって測定された前記第２のビームの前記第２のエネルギー及び前記第１のセンサによって測定された前記第１のビームの前記第１のエネルギーに基づいて、前記第１のビームの前記第１のエネルギーを、前記減衰器を用いて調整し、
好適には、前記光学アセンブリは更に、前記第１のビームを前記プリズムに反射するミラーを含み、前記ミラーは更に、前記第１のビームの少なくとも一部を前記第１のセンサに伝送する、請求項１０に記載のレーザー発生器。
前記レンズは、平凸レンズである、請求項１に記載のレーザー発生器。
前記プリズムは、
底部入射面に対する法線から１５から３０度の角度で、第１の幅及び第１の高さを有する前記第１のビームを受け取る前記底部入射面、
９０度の角度でエッジによって前記底部入射面に接続される側面、及び、
前記底部入射面と前記側面とを接続する斜辺出射面、
を含み、
前記斜辺出射面は、前記斜辺出射面に対する法線から５０から７０度の角度で、第２の幅及び第２の高さを有する前記第２のビームを放出し、
前記第２の幅は、前記第１の幅よりも小さく、
前記第２の高さは、前記第１の高さと同じ又は等しい、請求項１に記載のレーザー発生器。
前記プリズムは、光路に沿って前記第１のビームを受け取り、
ビームサイズ、
ビーム発散、
ビーム長軸、及び、
ビームアスペクト比のうちの少なくとも１つに影響を及ぼす、請求項１に記載のレーザー発生器。
請求項１から１４の何れか一項に記載のレーザー発生器と、
複数の光ファイバーを含むカテーテルと、
を含む、システムであって、
前記カテーテルは、近位端及び遠位端を含み、
前記近位端は、前記レーザー発生器の前記カプラーに結合される、システム。