JPWO2019156005A1 - 薄膜形成方法、薄膜形成装置及びリチウム電池 - Google Patents
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Abstract
Description
前記リチウム金属膜の表面は、前記真空チャンバ内で酸化される。
酸化された前記リチウム金属膜の表面は、前記真空チャンバ内で炭酸化される。
つまり、上記炭酸化処理により、リチウム金属膜表面の酸化リチウムのすべてが炭酸化リチウムに変換されてもよいし、酸化リチウムの表層の所定の厚み範囲が炭酸化リチウムに変換されてもよい。
前記成膜部は、リチウム金属の蒸発源を含み、基材上にリチウム金属膜を形成する。
前記第1の処理部は、前記リチウム金属膜の表面を酸化する第1の処理室を含む。
前記第2の処理部は、酸化された前記表面を炭酸化する第2の処理室を含む。
前記リチウム電極は、前記基材の上に配置されたリチウム金属層と、炭酸リチウム層と、前記リチウム金属層と前記炭酸リチウム層との間に位置する酸化リチウム層とを有する。
図1は、本発明の一実施形態に係る薄膜形成方法を示す工程図、図2は、上記薄膜形成方法の処理手順を示すフローチャートである。
本実施形態では、リチウム電池の負極を構成するリチウム電極11(図1C参照)の形成方法について説明する。
図1Aに示すように、成膜処理では、基材10の表面にリチウム金属膜11Aが形成される。
酸化処理では、図1Bに示すように、リチウム金属膜11Aの表面を酸化することで、所定厚みの酸化リチウム膜11Bが形成される。
酸化ガスは特に限定されず、典型的には酸素あるいは酸素とアルゴン等との混合ガスが用いられる。
つまり、酸化リチウム膜11Bの厚みが10nm未満の場合、リチウム金属膜11Aの表面に均一に酸化リチウム膜11Bを形成しつつ、炭酸リチウム膜11Cを所定以上の厚みで形成することが困難である。一方、酸化リチウム膜11Bの厚みが150nmを超えると、十分な厚みの炭酸リチウム膜11Cを形成することは可能になるが、リチウムイオン伝導度が低下するおそれがある。
炭酸化処理では、図1Cに示すように、リチウム金属膜11Aの表面を炭酸化することで、所定厚みの炭酸リチウム膜11Cが形成される。炭酸化ガスは特に限定されず、典型的には、一酸化炭素、二酸化炭素あるいはこれらとアルゴン等との混合ガスが用いられる。
リチウム電極11は、基材10の上に配置されたリチウム金属層111(11A)と、炭酸リチウム層113(11C)と、リチウム金属層111と炭酸リチウム層113との間に位置する酸化リチウム層112(11B)とを有する積層膜で構成される。
続いて、上述のリチウム電極11の形成装置について説明する。
第1の処理部21Bは、酸素を導入可能な酸素供給ライン23を有し、リチウム金属膜11Aの表面を酸化して酸化リチウム膜11Bを形成することが可能に構成される。
第2の処理部21Cは、二酸化炭素(あるいは一酸化炭素)を導入可能な炭酸ガス供給ライン24を有し、酸化されたリチウム金属膜の表面を炭酸化して炭酸リチウム膜11Cを形成することが可能に構成される。
11…リチウム電極
11A…リチウム金属膜
11B…酸化リチウム膜
11C…炭酸リチウム膜
21A,120…成膜部
21B,140…第1の処理部
21C,150…第2の処理部
100…リチウム金属電池用負極
201,202…薄膜形成装置
Claims (6)
- 基材上にリチウム金属膜を真空チャンバ内で成膜し、
前記リチウム金属膜の表面を前記真空チャンバ内で酸化し、
酸化された前記リチウム金属膜の表面を前記真空チャンバ内で炭酸化する
薄膜形成方法。 - 請求項1に記載の薄膜形成方法であって、
前記リチウム金属膜の表面を酸化する工程は、前記表面に第1の厚みの酸化リチウム膜を形成し、
前記リチウム金属膜の表面を炭酸化する工程は、前記表面に前記第1の厚み以下の第2の厚みで炭酸リチウム膜を形成する
薄膜形成方法。 - 請求項2に記載の薄膜形成方法であって、
前記第1の厚みは、10nm以上150nm以下である
薄膜形成方法。 - 請求項3に記載の薄膜形成方法であって、
前記第2の厚みは、10nm以上50nm以下である
薄膜形成方法。 - リチウム金属の蒸発源を含み、基材上にリチウム金属膜を形成する成膜部と、
前記リチウム金属膜の表面を酸化する第1の処理室を含む第1の処理部と、
酸化された前記リチウム金属膜の表面を炭酸化する第2の処理室を含む第2の処理部と
を具備する薄膜形成装置。 - 金属製の基材と、
前記基材の上に配置されたリチウム金属層と、炭酸リチウム層と、前記リチウム金属層と前記炭酸リチウム層との間に位置する酸化リチウム層とを有するリチウム電極と
を具備するリチウム電池。
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