JP2016504485A - 積層材料、その製造方法及び製造装置、並びにその使用 - Google Patents
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Abstract
Description
以下において、
「上側」、「下側」、及び「の下に」などの相対位置の用語は、図面において示される関係を示すことを意図するものであり、本発明の範囲に対する限定を含意するものではない。
国際公開第2013/045596号パンフレットのPVD装置の全体的な概念は、
・1つ以上の凝縮相材料供給源から蒸気を形成することが可能な1つ以上の蒸気発生器と、
・1つ以上のプラズマ発生器であって、1つ以上の中空陰極であってこれを通して延在する1つ以上の開放端チャネルを有し、チャネルが1つ以上のチャネル壁を備えチャネルの一方の端からチャネルの他方の端まで延在する長さを有して1つ以上の空間を画定する、1つ以上の中空陰極を備え、前記1つ以上の空間内でプラズマを形成することが可能である、1つ以上のプラズマ発生器と
を備え、1つ以上の蒸気発生器と1つ以上のプラズマ発生器とは、動作中に、1つ以上の蒸気発生器によって生成された蒸気が、1つ以上のプラズマ発生器によって形成されたプラズマを通して1つ以上の空間を通過し得るように配置される、というものである。
装置100は、図1において、及び図4においては関連する機器と共に示されており、隔壁103によって分離された上側チャンバ101と下側チャンバ102とからなり、隔壁103は、上側チャンバ101と下側チャンバ102との間を連絡するアパーチャ104を有する。上側チャンバ101及び下側チャンバ102は内部へのアクセスを可能にするために分離されてもよいが、代替のアクセス手段(例えば扉又はポート)が真空技術における当業者によって容易に想到され得る。
本装置は以下の一般的なステップにおいて動作され得るが、ステップ及び手順において修正が行われても依然として本発明の目的/特徴を達成することが可能であるということを理解されたい。基板108が基板マウント107上に搭載されてもよく、材料(例えばガリウム又はアルミニウム、その合金、又はその他の所望の成分)の凝縮相供給源が坩堝135内に配置されてもよい。シャッタ132は、プラズマ発生器106と基板108との間の所定の位置にある。上側及び下側チャンバ101、102を排気するためにシステムがポンプダウンされる。この段階におけるチャンバ内の一般的な圧力は約10−6Torr(133.3×10−6Pa)であるが、これよりも高い及び低い他の圧力が使用されてもよい。
・電源125がオンにされて基板マウント107に、基板108に熱が供給され、所望の生成物のための適切な温度にされる。例えば結晶性AlNの堆積のためには850℃が使用されてもよいが、その他の温度が使用されてもよく、適切な温度は基板及び堆積材料に依存する場合がある。
・RF発生器128がオンにされて基板マウント107に、基板108にRFが供給され(従来知られているように直流バイアスがもたらされ)、ガス入口112のうちの1つ以上を通してチャンバ内にアルゴンが導入される。上側チャンバ内のAr(又はその他の不活性ガス)の圧力は10−3〜5×10−3Torr(133.3×10−3〜666.5×10−3Pa)であってもよく、適用されるRF電力は約50〜100ワットで250〜300ボルトの基板バイアスがもたらされてもよいが、300〜400Vの範囲内の電圧が使用されてもよい。
・シャッタ132が閉じられる
・基板マウント107及びプラズマ発生器106へのRFの供給がオフにされる
・全てのガスがオフにされる
・基板マウント107へのヒータがオフにされる
・蒸気発生器への電力がオフにされる(固化しつつある材料内での空隙の形成を回避するために、これは徐々に行うのが最良である)
・真空チャンバが大気圧に到達するまで真空チャンバ内に窒素が注入される
・基板温度が500℃未満になったら真空チャンバが開かれる
・基板108が取り出される(必要に応じて適切な時間にわたって冷却した後に)
比較例1
本比較例は国際公開第2013/045596号パンフレットからのものである。
金属又はグラファイト又はダイヤモンドのシートあるいは坩堝が、同じ真空チャンバ内の電子ビーム炉床の上方の基板マウントに取り付けられた。チャックは電子ビーム炉床に向かって下向きであった。真空チャンバは、一般的には5×10−6Torr(666.5×10−6Pa)未満にポンプダウンされ、3×10−3Torr(399.9×10−3Pa)までArで再充填された。例えば13.56MHzなどの任意のレンジを有するRF発生器が基板マウントに取り付けられ、基板を清浄化するために、一般的には100Wにおいて10分間にわたってオンにされた。RF発生器はオフにされ、真空チャンバは再び5×10−6Torr(666.5×10−6Pa)未満にポンプダウンされた。基板マウントの温度が800℃に増加された。電子ビームがオンにされてAlが融解され、堆積速度は約0.3nm/秒にされた。この速度は、電子ビームの電力を増加することによって、本明細書中に記載される速度まで増加され得る。Arが約3sccm(5.07×10−4Pa・m3/秒)においてオンにされ、NH3が約10sccm(16.9×10−4Pa・m3/秒)においてオンにされ、下側チャンバで測定される約6×10−4Torr(799.8×10−4Pa)の真空圧がもたらされた。
・AlNがCu上に15μmの厚さまで、AlNの亀裂も剥離もなしに堆積された。
・AlNがダイヤモンド上に15μmの厚さまで、AlNの亀裂も剥離もなしに堆積された。
・AlNがシリコンウェハ上に100nm〜150μmの範囲の厚さで、亀裂も剥離もなしに堆積された。
比較例1の装置及び方法を使用して、厚さ5μmのAlN層が、厚さ0.127mm(0.005インチ)のTaシート上に被覆され、被覆されたTaシートは次に、直径9.5mm(0.375インチ)の管状に丸められた。AlNの剥離も亀裂も観察されなかった。
代替の配置
図1〜図4の例示的装置では、単一の蒸気発生器と、単一の空間を有する単一のプラズマ発生器について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、
・単一の蒸気発生器が、2つ以上の空間を有するプラズマ発生器に供給してもよく
・単一の蒸気発生器が、1つ以上の空間を有する2つ以上のプラズマ発生器に供給してもよく
・2つ以上の蒸気発生器が、1つ以上の空間を有する単一のプラズマ発生器に供給してもよく
・2つ以上の蒸気発生器が、1つ以上の空間を有する2つ以上のプラズマ発生器に供給してもよい。
・単一の基板マウント上に搭載された複数の基板、
・可動基板マウント(例えば回転又は摺動され得るマウント)
・可動基板マウント、及び依然として真空下にある間に基板を装置から取り出すことを可能にするためのエアロック
を企図するものである。
本出願人は、蒸着が、例えばバッテリなどの電気化学デバイスにおいて使用するための新規な電極材料を製造する経路を提供することを認識した。以下ではリチウムイオンバッテリの陽極の製造について言及するが、本発明はそれに限定されるものではない。
図1〜図4の装置を使用して、厚さ3μmのシリコン層が、厚さ100μm及び13μmの銅箔上に被覆されて、銅上の付着性シリコン被覆を含む積層構造物が製造された。熱膨張係数の差により、シリコンは銅箔を反らせた。しかし被覆された銅箔は、シリコンの亀裂も剥離もなしに容易に平らに押し延ばすことができた。
導電性層と、少なくとも1つの活性層を含む1つ以上の層との積層物を形成したら、積層物はバッテリ内の電極としてそのまま使用されてもよく、又はバッテリ内で使用する前に更に加工されてもよい。例えば積層物は以下のプロセスのうちの1つ以上によって、必ずしも示された順序に従わずに処理されてもよい。
・積層物は適当なサイズに切断されてもよい。
・活性層に表面テクスチャが施されてもよい。
・活性層は化学処理されてもよい。
・積層物は熱処理されてもよい。
・活性層の特定の特性を向上させるため、例えば電気インピーダンスを低下させるため及び/又はサイクリング時の機械的損傷を減らすために、追加の層が、異なる元素又は合金を用いるという点を除けば同じプロセスを使用して施されてもよい。
・活性層の特定の特性を向上させるために、代替のプロセスによって追加の層が施されてもよく、例えば、化学蒸着(CVD)によって施される炭素層が、電気インピーダンスを低下させるため及び/又はサイクリング時の機械的損傷を減らすために施されてもよい。
・リチウム含有材料(例えばFMCリチウム(FMC Lithium)によるSLMP(登録商標)安定化リチウム金属粉末)を用いた物理又は化学処理が、陽極から作られるバッテリの第1サイクル効率を増加させるために行われてもよい。
上記の説明は例示の目的のためのものであり、本発明はこれに限定されないことに留意されたい。
Claims (43)
- 少なくとも1つの付着性被覆を可撓性基板上に備える物品を製造する方法であって、前記方法は、イオンビームを形成し、前記イオンビームからのイオンで少なくとも1つの可撓性基板を照射して前記可撓性基板上に前記付着性被覆を形成するステップを含み、前記イオンビームはイオンビーム発生器によって生成され、前記イオンビーム発生器は、
a)1つ以上の凝縮相材料供給源から蒸気を形成することが可能な1つ以上の蒸気発生器を収容する第1のチャンバと、
b)1つ以上のプラズマ発生器を収容する、前記第1のチャンバに隣接する第2のチャンバであって、前記プラズマ発生器は、
1つ以上の中空陰極であってこれを通して延在する1つ以上の開放端チャネルを有し、前記チャネルが1つ以上のチャネル壁を備え前記チャネルの一方の端から前記チャネルの他方の端まで延在する長さを有して1つ以上の空間を画定する、1つ以上の中空陰極を備え、
前記1つ以上の空間内でプラズマを形成することが可能である、第2のチャンバと、
c)前記第1のチャンバ内で生成された蒸気が前記第2のチャンバに入ることを可能にするように配置された、前記第1のチャンバと第2のチャンバとの間の1つ以上のアパーチャと
を備え、前記1つ以上の蒸気発生器と1つ以上のプラズマ発生器とは、動作中に、前記1つ以上の蒸気発生器によって前記第1のチャンバ内で生成された蒸気が、前記1つ以上のプラズマ発生器によって前記第2のチャンバ内で形成されたプラズマを通して前記1つ以上の空間を通過し得るように配置される、方法。 - 前記蒸気発生器は、1つ以上の凝縮相材料供給源からの蒸気を蒸発形成することが可能である、請求項1に記載の方法。
- 前記蒸気発生器は、前記1つ以上の凝縮相材料供給源に電子ビームを向けるように動作可能な少なくとも1つの電子ビーム発生器を備える、請求項2に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの電子ビーム発生器は、前記電子ビーム発生器からの電子を前記1つ以上の凝縮相材料供給源に向けて磁気的に曲げるように動作可能である、請求項3に記載の方法。
- 前記1つ以上のプラズマ発生器のうちの1つ以上は、前記1つ以上の陰極から間隔をあけられ電気的に絶縁された1つ以上のハウジングを更に備える、請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記1つ以上のプラズマ発生器のうちの1つ以上は、前記チャネルの前記長さの実質的な部分にわたって前記1つ以上のチャネル壁に実質的に平行に位置するように構成される磁界の、供給源を更に備える、請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の方法。
- 磁界の前記供給源は、前記蒸気発生器の近位に置かれた少なくとも1つの第1の磁石と、前記蒸気発生器の遠位に置かれた少なくとも1つの第2の磁石とを備える、請求項6に記載の方法。
- 磁界の前記供給源は電磁石を備える、請求項6又は請求項7に記載の方法。
- 前記蒸気発生器と前記プラズマ発生器との間に磁気遮蔽が配置される、請求項6〜請求項8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板は表面被覆を有する被覆基板であり、前記付着性被覆は前記表面被覆上に形成される、請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載の方法。
- 上記の方法又はその他の方法によって前記付着性被覆に更なる層が施される、請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも1つの付着性被覆を可撓性基板上に備える物品を蒸着によって製造する装置であって、前記装置は、
a)少なくとも1つのイオンビーム発生器であって、
i)1つ以上の凝縮相材料供給源から蒸気を形成することが可能な1つ以上の蒸気発生器を収容する第1のチャンバと、
ii)1つ以上のプラズマ発生器を収容する、前記第1のチャンバに隣接する第2のチャンバであって、前記プラズマ発生器は、
1つ以上の中空陰極であってこれを通して延在する1つ以上の開放端チャネルを有し、前記チャネルが1つ以上のチャネル壁を備え前記チャネルの一方の端から前記チャネルの他方の端まで延在する長さを有して1つ以上の空間を画定する、1つ以上の中空陰極を備え、
前記1つ以上の空間内でプラズマを形成することが可能である、第2のチャンバと、
iii)前記第1のチャンバ内で生成された蒸気が前記第2のチャンバに入ることを可能にするように配置された、前記第1のチャンバと第2のチャンバとの間の1つ以上のアパーチャと
を備え、前記1つ以上の蒸気発生器と1つ以上のプラズマ発生器とは、動作中に、前記1つ以上の蒸気発生器によって生成された蒸気が、前記1つ以上のプラズマ発生器によって形成されたプラズマを通して前記1つ以上の空間を通過し得るように配置される、少なくとも1つのイオンビーム発生器と、
b)前記少なくとも1つのイオンビーム発生器内でのプラズマへの変換のためにガスを供給するように動作可能な少なくとも1つのガス供給源と、
c)少なくとも1つの基板を受け入れる少なくとも1つの基板受け入れ領域であって、前記基板受け入れ領域を前記基板が横断することを可能にし、前記少なくとも1つの基板受け入れ領域を横断する少なくとも1つの基板が使用中に前記少なくとも1つのイオンビーム発生器からのイオンによって照射されることを可能にするように配置された、少なくとも1つの基板受け入れ領域と
を備える、装置。 - 前記基板受け入れ領域は、前記基板が支持体を横断することを可能にする基板マウントを備える、請求項12に記載の装置。
- 前記基板受け入れ領域を横断する基板にバイアスを印加するように動作可能な供給源を更に備える、請求項12又は請求項13に記載の装置。
- 前記供給源は、前記基板受け入れ領域を横断する基板に高周波を印加するように動作可能である、請求項14に記載の装置。
- 前記基板を加熱するためにヒータが備えられる、請求項12〜請求項15のいずれか一項に記載の装置。
- 前記プラズマチャンバと前記基板受け入れ領域との間に置かれ、前記基板受け入れ領域の近くにガスを入れるように動作可能な1つ以上の通気孔を備える、請求項12〜請求項16のいずれか一項に記載の装置。
- 反応ガスと前記凝縮相材料供給源の少なくとも表面との間の反応を阻止するために前記1つ以上の蒸気発生器の領域内にガスを注入するように動作可能な供給源を備える、請求項12〜請求項17のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1のチャンバ内に前記第2のチャンバ内より低い圧力を提供するように動作可能な、請求項12〜請求項18のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1のチャンバから前記第2のチャンバへの蒸気の移送を阻止するように選択的に動作可能なシャッタを備える、請求項12〜請求項19のいずれか一項に記載の装置。
- 前記1つ以上の凝縮相材料供給源を収容するために1つ以上の坩堝が備えられる、請求項12〜請求項20のいずれか一項に記載の装置。
- 可撓性基板のための供給スプールと、少なくとも1つの付着性被覆を可撓性基板上に備える前記物品のための巻き取りスプールとを備える、請求項12〜請求項21のいずれか一項に記載の装置。
- 請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載の方法によって作製される、少なくとも1つの付着性被覆を可撓性基板上に備える物品。
- AlNを備える層であって210W/mKを超える熱伝導度を有する層を備える、請求項23に記載の物品。
- 請求項23又は請求項24に記載の物品上に搭載された1つ以上の電子部品、光電子部品、電気音響部品、MEMS部品、及び/又はスピントロニック部品を備えるデバイス。
- バッテリの電極として使用するための積層物であって、前記積層物は、電流コレクタとして働くことが可能な導電性層と、前記バッテリの動作において電荷輸送要素を吸着及び脱着するのに有効な1つ以上の固相を含む少なくとも1つの活性層を含む1つ以上の層とを備え、
前記少なくとも1つの活性層は蒸着によって形成される付着性層であることを特徴とする、積層物。 - 前記1つ以上の固相は、前記電荷輸送要素としてのリチウムを吸着及び脱着するのに有効である、請求項26に記載の積層物。
- 前記1つ以上の固相は、リチウムと共に合金又は化合物を形成することが可能な1つ以上の元素、合金、及び化合物を含む、請求項27に記載の積層物。
- 前記1つ以上の固相は、元素B、Mg、Al、Si、Zn、Ga、Ge、As、Se、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Biのうちの1つ以上を元素、合金、又は化合物の形態で含む、請求項28に記載の積層物。
- 前記1つ以上の固相は、前記元素のうちの1つ以上と、1つ以上の他の合金元素との合金を含む、請求項29に記載の積層物。
- 前記1つ以上の固相は、Si、Sn、Sb、Ge、及びAlの群から選択された少なくとも1つの元素を、B、Mg、Zn、Ga、As、Se、Pd、Ag、Cd、In、Te、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Biの群から選択された少なくとも1つの元素と共に含む1つ以上の合金を含む、請求項30に記載の積層物。
- 前記1つ以上の固相は、Si、Sn、Sb、Ge、及びAlの群から選択された少なくとも1つの元素を、B、Cr、Nb、Cu、Zr、Ag、Ni、Zn、Fe、Co、Mn、Sb、Zn、Ca、Mg、V、Ti、In、Al、Geの群から選択された少なくとも1つの元素と共に含む1つ以上の合金を含む、請求項30に記載の積層物。
- 前記1つ以上の他の合金元素は、前記導電性層の一部を形成する少なくとも1つの元素を含む、請求項30に記載の積層物。
- 前記導電性層は銅を含み、前記1つ以上の固相は合金Cu6Sn5を含む、請求項33に記載の積層物。
- 前記1つ以上の固相は酸化物を含む、請求項26〜請求項29のいずれか一項に記載の積層物。
- 前記活性層は不連続なものである、請求項26〜請求項35のいずれか一項に記載の積層物。
- 前記導電性層は、そのようなバッテリの動作において電荷輸送要素を吸着及び脱着することが可能である、請求項26〜請求項36のいずれか一項に記載の積層物。
- 前記導電性層は、第1の導電性層と少なくとも1つの第2の導電性層との積層物を含む、請求項26〜請求項37のいずれか一項に記載の積層物。
- 前記第1の導電性層及び少なくとも1つの第2の導電性層のうちの1つ以上は、そのようなバッテリの動作において電荷輸送要素を吸着及び脱着することが可能である、請求項38に記載の積層物。
- 請求項26〜請求項39のいずれか一項に記載の積層物を形成する方法であって、
・バッテリ内の電荷輸送要素として使用される元素と共に合金又は化合物を形成することが可能な1つ以上の元素を含むイオンビームを形成するステップと、
・前記イオンビームからのイオンで少なくとも1つの導電性基板を照射するステップと、
・少なくとも1つの活性層と前記導電性層との前記積層物を形成するステップと
を含む、方法。 - 本明細書又は国際公開第2013/045596号パンフレットにおいて請求される装置が使用される、請求項40に記載の方法。
- 請求項26〜請求項39のいずれか一項に記載の積層物から形成される電極。
- 請求項42に記載の電極を備えるバッテリ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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