JPWO2019138881A1 - Cleaning equipment, cleaning methods and computer storage media - Google Patents
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Abstract
被処理体を洗浄する洗浄装置は、前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体に設けられ、前記洗浄面を洗浄する複数の洗浄具と、を有し、前記複数の洗浄具は、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置されている。The cleaning device for cleaning the object to be processed includes a rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed, and a plurality of cleaning tools provided on the rotating body that clean the surface to be cleaned. The plurality of cleaning tools are axially extended on the surface of the rotating body and arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body.
Description
(関連出願の相互参照)
本願は、2018年1月9日に日本国に出願された特願2018−000981号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。(Cross-reference of related applications)
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2018-000981 filed in Japan on January 9, 2018, the contents of which are incorporated herein by reference.
本発明は、被処理体を洗浄する洗浄装置、当該洗浄装置を用いた洗浄方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。 The present invention relates to a cleaning device for cleaning an object to be processed, a cleaning method using the cleaning device, and a computer storage medium.
近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ(以下、ウェハという)に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。 In recent years, in the manufacturing process of semiconductor devices, it is possible to grind the back surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) in which devices such as a plurality of electronic circuits are formed on the front surface to thin the wafer. It is done.
ウェハの裏面の研削は、例えば特許文献1〜3に記載された研削装置(加工装置)を用いて行われる。研削装置には、ウェハの裏面を研削する研削手段に加え、ウェハの表面や、ウェハを搬送する搬送パッドにおけるウェハの吸着面などを洗浄する洗浄手段が設けられている。
Grinding of the back surface of the wafer is performed using, for example, the grinding apparatus (processing apparatus) described in
例えば特許文献1には、ウェハの表面を洗浄する手段として、ウェハの表面にブラシを当接させて当該表面を洗浄する洗浄ブラシ機構と、洗浄ブラシ機構がウェハの表面に当接している際に当該表面に洗浄液を供給するブラシ洗浄液供給機構とを備えた洗浄手段が開示されている。例えば特許文献2にも、ウェハの表面を洗浄する手段として、ウェハの表面にブラシを当接させて当該表面を洗浄するブラシ洗浄装置が開示されている。
For example,
また、例えば特許文献3には、搬送パッドの吸着面を洗浄する手段として、吸着面に当接して当該吸着面を洗浄する洗浄ブラシを備えた洗浄手段が開示されている。
Further, for example,
上述した特許文献1〜3に開示された洗浄手段はそれぞれ、ウェハの表面又は搬送パッドの吸着面のいずれかを洗浄するものであるが、研削装置ではこれらを両方洗浄する場合があり、かかる場合、複数の洗浄手段が必要となる。また、ウェハの表面又は搬送パッドの吸着面のいずれかを、複数の洗浄手段で洗浄する場合もある。そして、このように研削装置に複数の洗浄手段を設ける場合、これら洗浄手段を設置するスペースが必要になるが、従来の研削装置にはこのようなスペースを確保することは考えられていない。したがって、従来の研削装置には改善の余地がある。
Each of the cleaning means disclosed in
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、複数の洗浄具を用いて被処理体を洗浄するにあたり、当該複数の洗浄具を備えた洗浄装置の省スペース化を図ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to save space in a cleaning device provided with the plurality of cleaning tools when cleaning the object to be processed using the plurality of cleaning tools. To do.
上記課題を解決する本発明の一態様は、被処理体を洗浄する洗浄装置であって、前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体に設けられ、前記洗浄面を洗浄する複数の洗浄具と、を有し、前記複数の洗浄具は、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置されている。 One aspect of the present invention that solves the above problems is a cleaning device for cleaning an object to be processed, which is provided on the rotating body and a rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed. The cleaning tools include a plurality of cleaning tools for cleaning the cleaning surface, and the plurality of cleaning tools extend axially on the surface of the rotating body and are arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body.
別な観点による本発明の一態様は、被処理体を洗浄する洗浄方法であって、前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置された複数の洗浄具とを備えた洗浄装置を用い、前記被処理体に応じて前記複数の洗浄具のうち一の洗浄具を選択し、前記回転体を回転させて前記洗浄面に前記一の洗浄具を対向配置し、当該一の洗浄具を用いて前記洗浄面を洗浄する。 One aspect of the present invention from another viewpoint is a cleaning method for cleaning an object to be processed, in which a rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed and a shaft on the surface of the rotating body. Using a cleaning device including a plurality of cleaning tools extending in the direction and arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body, one of the plurality of cleaning tools is selected according to the object to be processed. Then, the rotating body is rotated to dispose the one cleaning tool on the cleaning surface so as to face the cleaning surface, and the cleaning surface is cleaned by using the one cleaning tool.
また別な観点による本発明の一態様によれば、前記洗浄方法を洗浄装置によって実行させるように、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。 According to another aspect of the present invention from another viewpoint, a readable computer storage medium containing a program running on the computer of the control unit that controls the cleaning device so that the cleaning method is executed by the cleaning device. Is.
本発明の一態様によれば、複数の洗浄具を用いて被処理体を洗浄するにあたり、一の回転体に複数の洗浄具を設けているので、当該複数の洗浄具を備えた洗浄装置の省スペース化を実現することができる。 According to one aspect of the present invention, when cleaning the object to be processed using a plurality of cleaning tools, since a plurality of cleaning tools are provided on one rotating body, a cleaning device provided with the plurality of cleaning tools. Space saving can be realized.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, elements having substantially the same functional configuration are designated by the same reference numerals to omit duplicate description.
<基板処理システム>
先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図1は、基板処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。<Board processing system>
First, the configuration of the substrate processing system according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing an outline of the configuration of the
本実施形態の基板処理システム1では、図2に示す、基板としてのウェハWを薄化する。ウェハWは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハWの表面W1にはデバイス(図示せず)が形成されており、さらに当該表面W1にはデバイスを保護するための保護材、例えば保護テープPが貼り付けられている。そして、ウェハWの裏面W2に対して研削などの所定の処理が行われ、当該ウェハが薄化される。
In the
基板処理システム1は、処理前のウェハWをカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で外部から基板処理システム1に搬入する搬入ステーション2と、処理後のウェハWをカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で基板処理システム1から外部に搬出する搬出ステーション3と、ウェハWに加工処理を行って薄化する加工装置4と、加工処理後のウェハWの後処理を行う後処理装置5と、搬入ステーション2、加工装置4及び後処理装置5の間でウェハWを搬送する搬送ステーション6と、を接続した構成を有している。搬入ステーション2、搬送ステーション6、及び加工装置4は、X軸負方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。搬出ステーション3と後処理装置5は、X軸正方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。
In the
(搬入ステーション)
搬入ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。図示の例では、カセット載置台10には、複数、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。(Delivery station)
The carry-in station 2 is provided with a
(搬出ステーション)
搬出ステーション3も、搬入ステーション2と同様の構成を有している。搬出ステーション3にはカセット載置台20が設けられ、カセット載置台20には、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。なお、搬入ステーション2と搬出ステーション3は1つの搬入出ステーションに統合されてもよく、かかる場合、搬入出ステーションには共通のカセット載置台が設けられる。(Delivery station)
The carry-
(加工装置)
加工装置4では、ウェハWに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。加工装置4は、回転テーブル30、搬送ユニット40、アライメントユニット50、第1の洗浄ユニット60、第2の洗浄ユニット70、粗研削ユニット80、中研削ユニット90、及び仕上研削ユニット100を有している。(Processing equipment)
In the
回転テーブル30は、回転機構(図示せず)によって回転自在に構成されている。回転テーブル30上には、ウェハWの表面W1を保護テープPを介して吸着保持するチャック31が4つ設けられている。チャック31は、回転テーブル30と同一円周上に均等、すなわち90度毎に配置されている。4つのチャック31は、回転テーブル30が回転することにより、受渡位置A0及び加工位置A1〜A3に移動可能になっている。
The rotary table 30 is rotatably configured by a rotary mechanism (not shown). On the rotary table 30, four
本実施形態では、受渡位置A0は回転テーブル30のX軸正方向側且つY軸負方向側の位置であり、当該受渡位置A0のY軸負方向側には、シンク33の内部に設けられた第2の洗浄ユニット70、アライメントユニット50及び第1の洗浄ユニット60が並べて配置される。アライメントユニット50と第1の洗浄ユニット60は上方からこの順で積層されて配置される。第1の加工位置A1は回転テーブル30のX軸正方向側且つY軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット80が配置される。第2の加工位置A2は回転テーブル30のX軸負方向側且つY軸正方向側の位置であり、中研削ユニット90が配置される。第3の加工位置A3は回転テーブル30のX軸負方向側且つY軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット100が配置される。
In the present embodiment, the delivery position A0 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 30, and the delivery position A0 is provided inside the
チャック31はチャックベース32に保持されている。チャック31及びチャックベース32は、回転機構(図示せず)によって回転可能に構成されている。
The
搬送ユニット40は、複数、例えば3つのアーム41〜43を備えた多関節型のロボットである。3つのアーム41〜43は関節部(図示せず)によって接続され、これら関節部によって、第1のアーム41と第2のアーム42はそれぞれ基端部を中心に旋回自在に構成されている。3つのアーム41〜43のうち、先端の第1のアーム41には、ウェハWを吸着保持する搬送パッド44が取り付けられている。搬送パッド44は、平面視においてウェハWの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハWの裏面W2を吸着保持する。また、搬送パッド44は、第1のアーム41に設けられた回転部(図示せず)によって、回転自在に構成されている。また、3つのアーム41〜43のうち、基端の第3のアーム43は、アーム41〜43を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構45に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット40は、受渡位置A0、アライメントユニット50、第1の洗浄ユニット60、及び第2の洗浄ユニット70に対して、ウェハWを搬送できる。なお、本実施形態では第2の洗浄ユニット70が、本発明における洗浄装置を構成している。
The
アライメントユニット50では、研削処理前のウェハWの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック(図示せず)に保持されたウェハWを回転させながら、検出部(図示せず)でウェハWのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハWの水平方向の向きを調節する。
The
第1の洗浄ユニット60では、研削処理後のウェハWの裏面W2を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。例えばスピンチャック(図示せず)に保持されたウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル(図示せず)からウェハWの裏面W2に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は裏面W2上を拡散し、当該裏面W2が洗浄される。
In the
第2の洗浄ユニット70では、研削処理後のウェハWが搬送パッド44に保持された状態のウェハWの表面W1、すなわち表面W1に貼り付けられた保護テープPを洗浄するとともに、搬送パッド44のウェハWの保持面を洗浄する。なお、この第2の洗浄ユニット70の構成は後述する。
In the
粗研削ユニット80では、ウェハWの裏面W2を粗研削する。粗研削ユニット80は、環状形状で回転自在な粗研削砥石(図示せず)を備えた粗研削部81を有している。また、粗研削部81は、支柱82に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を粗研削砥石に当接させた状態で、チャック31と粗研削砥石をそれぞれ回転させることによって、ウェハWの裏面W2を粗研削する。
In the
中研削ユニット90では、ウェハWの裏面W2を中研削する。中研削ユニット90は、環状形状で回転自在な中研削砥石(図示せず)を備えた中研削部91を有している。また、中研削部91は、支柱92に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を中研削砥石に当接させた状態で、チャック31と中研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面W2を中研削する。
In the
仕上研削ユニット100では、ウェハWの裏面W2を仕上研削する。仕上研削ユニット100は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石(図示せず)を備えた仕上研削部101を有している。また、仕上研削部101は、支柱102に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック31と仕上研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面W2を仕上研削する。
In the
(後処理装置)
後処理装置5では、加工装置4で加工処理されたウェハWに対して後処理が行われる。後処理としては、例えばウェハWをダイシングテープを介してダイシングフレームに保持するマウント処理、ウェハWに貼り付けられた保護テープPを剥離する剥離処理などが行われる。そして、後処理装置5は、後処理が行われダイシングフレームに保持されたウェハWを搬出ステーション3のカセットCに搬送する。後処理装置5で行われるマウント処理や剥離処理はそれぞれ、公知の装置が用いられる。(Post-processing device)
In the
(搬送ステーション)
搬送ステーション6には、ウェハ搬送領域110が設けられている。ウェハ搬送領域110には、X軸方向に延伸する搬送路111上を移動自在なウェハ搬送装置112が設けられている。ウェハ搬送装置112は、ウェハWを保持するウェハ保持部として、搬送フォーク113と搬送パッド114を有している。搬送フォーク113は、その先端が2本に分岐し、ウェハWを吸着保持する。搬送フォーク113は、研削処理前のウェハWを搬送する。搬送パッド114は、平面視においてウェハWの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハWを吸着保持する。搬送パッド114は、研削処理後のウェハWを搬送する。そして、これら搬送フォーク113と搬送パッド114はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。(Transport station)
The
(制御部)
基板処理システム1には、制御部120が設けられている。制御部120は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、基板処理システム1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム1における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部120にインストールされたものであってもよい。(Control unit)
The
<第1の実施形態>
次に、上述した加工装置4の第2の洗浄ユニット70の構成について説明する。図3及び図4に示すように第2の洗浄ユニット70は、処理容器200を有している。処理容器200の側面には、搬送ユニット40の搬送パッド44と、搬送パッド44に保持されたウェハWが搬入及び搬出される搬入出口201が形成されている。また、搬入出口201には開閉シャッタ(図せず)が設けられている。<First Embodiment>
Next, the configuration of the
なお、図示の例においては、処理容器200は筐体であったが、処理容器200の形状はこれに限定されない。例えば処理容器200の上面が開口し、搬入出口201が省略された形状を有していてもよい。また、処理容器200自体を省略してもよい。かかる場合、後述する洗浄機構210、回転機構220及び洗浄液槽230はそれぞれ、シンク33の内部に設けられる。
In the illustrated example, the
処理容器200の内部には、ウェハWの表面W1(保護テープP)と搬送パッド44のウェハWの保持面44aを洗浄する洗浄機構210、洗浄機構210を回転させる回転機構220、及びウェハWの表面W1の洗浄液を貯留する洗浄液槽230が設けられている。なお、本実施形態では、ウェハWと搬送パッド44が本発明の被処理体を構成し、表面W1と保持面44aが本発明の洗浄面を構成している。
Inside the
図4に示すように洗浄機構210は、回転体211の表面に複数、例えば4つの洗浄具212〜215が取り付けられた構成を有している。回転体211は、ウェハWの表面W1の径方向(X軸方向)であって搬送パッド44の保持面44aの径方向(X軸方向)を中心軸として回転する。また、回転体211は、例えば直方体形状を有している。
As shown in FIG. 4, the
図3及び図4に示すように洗浄機構210(回転体211)は、回転機構220に取り付けられている。回転機構220は、回転体211の軸方向(X軸方向)の両端部に接続されたシャフト221、一方のシャフト221に設けられ回転体211を回転させる駆動部222、及び他方のシャフト221に設けられ回転体211を支持する支持部223を有している。駆動部222は、例えばアクチュエータ(図示せず)を内蔵し、シャフト221を介して回転体211を回転させることができる。
As shown in FIGS. 3 and 4, the cleaning mechanism 210 (rotating body 211) is attached to the
図5に示すように4つの洗浄具212〜215は、基板洗浄具としてのスポンジ洗浄具212、基板乾燥具としてのエア洗浄具213、パッド洗浄具としてのストーン洗浄具214、及びパッド洗浄具としてのブラシ洗浄具215を有している。これら洗浄具212〜215はそれぞれ、回転体211の表面において軸方向(X軸方向)に延伸している。また、洗浄具212〜215は回転体211の4つの表面に設けられ、すなわち回転体211の周方向に並べて配置されている。
As shown in FIG. 5, the four
スポンジ洗浄具212は、ウェハWの表面W1(保護テープP)を洗浄する。スポンジ洗浄具212は、例えば表面W1の径よりも長く延伸するスポンジを有している。スポンジ洗浄具212には、図3及び図4に示す洗浄液槽230によって洗浄液、例えば純水が供給されるようになっている。そして、スポンジ洗浄具212は、そのスポンジが洗浄液を含んでおり、ウェハWの表面W1に洗浄液を供給しつつ接触して、当該表面W1を洗浄する。
The
洗浄液槽230は、洗浄機構210の下方に設けられている。洗浄液槽230には、洗浄液槽230の内部に洗浄液を供給する給液部231と、洗浄液槽230の内部の洗浄液を排出する排液部232とが接続されている。そして、給液部231から洗浄液を供給しつつ、排液部232から洗浄液を排出して、洗浄液槽230の内部には常時、洗浄液が貯留されている。なお、洗浄液槽230の上面から洗浄液をオーバーフローさせて、常時、洗浄液槽230の内部の洗浄液を排出させてもよい。
The cleaning
また、洗浄液槽230は、昇降機構233によって昇降自在に構成されている。なお、洗浄液槽230と回転体211(スポンジ洗浄具212)は相対的に昇降できればよく、回転体211を昇降自在に構成してもよいし、あるいは洗浄液槽230と回転体211の両方を昇降自在に構成してもよい。また、洗浄液槽230と回転体211のそれぞれを固定してもよい。かかる場合、洗浄液槽230に貯留された洗浄液により常に、回転体211に設けられた洗浄具212〜215を洗浄しながら、ウェハWや搬送パッド44の被処理体を洗浄することが可能となる。
Further, the cleaning
かかる場合、スポンジ洗浄具212でウェハWの表面W1を洗浄する際には、先ず、スポンジ洗浄具212を回転体211の下面に位置させた状態で洗浄液槽230を上昇させて、スポンジ洗浄具212を洗浄液に浸漬させる。これにより、スポンジ洗浄具212に洗浄液が供給される。その後、回転体211を回転させ、洗浄液を含んだスポンジ洗浄具212を回転体211の上面に配置した状態で、当該スポンジ洗浄具212をウェハWの表面W1に当接させる。この状態で搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、表面W1に洗浄液を供給しつつ、スポンジ洗浄具212を表面W1に当接させることで、表面W1の全面が洗浄される。
In such a case, when cleaning the surface W1 of the wafer W with the
エア洗浄具213は、スポンジ洗浄具212で洗浄されたウェハWの表面W1を乾燥させる。具体的には、図5に示すようにエア洗浄具213は、例えば表面W1にエアを噴射するノズル213aを有している。そして、回転体211を回転させ、エア洗浄具213を回転体211の上面に配置する。その後、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、エア洗浄具213のノズル213aから表面W1にエアを噴射することで、表面W1の全面が乾燥される。なお、図示の例では、ノズル213aは円形状を有していたが、ノズル213aの形状はこれに限定されない。例えばノズルは、エア洗浄具213の長手方向(X軸方向)に延伸するスリット形状を有していてもよい。
The
ストーン洗浄具214は、搬送パッド44の保持面44aを洗浄する。ストーン洗浄具214は、例えば保持面44aの径よりも長く延伸する砥石を有している。そして、回転体211を回転させ、ストーン洗浄具214を回転体211の上面に配置する。その後、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、ストーン洗浄具214を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。
The
ブラシ洗浄具215は、搬送パッド44の保持面44aを洗浄する。ブラシ洗浄具215は、例えば保持面44aの径よりも長く延伸するブラシを有している。そして、回転体211を回転させ、ブラシ洗浄具215を回転体211の上面に配置する。その後、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、ブラシ洗浄具215を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。
The
<ウェハ処理>
次に、以上のように構成された基板処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。<Wafer processing>
Next, the wafer processing performed by using the
先ず、複数のウェハWを収納したカセットCが、搬入ステーション2のカセット載置台10に載置される。カセットC内には、保護テープが変形するのを抑制するため、当該保護テープが貼り付けられたウェハWの表面が上側を向くようにウェハWが収納されている。 First, the cassette C containing the plurality of wafers W is placed on the cassette mounting table 10 of the carry-in station 2. In order to prevent the protective tape from being deformed, the wafer W is housed in the cassette C so that the surface of the wafer W to which the protective tape is attached faces upward.
次に、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりカセットC内のウェハWが取り出され、加工装置4に搬送される。この際、搬送フォーク113によりウェハWの裏面が上側に向くように、表裏面が反転される。
Next, the wafer W in the cassette C is taken out by the
加工装置4に搬送されたウェハWは、アライメントユニット50に受け渡される。そして、アライメントユニット50において、ウェハWの水平方向の向きが調節される(図6のステップS1)。
The wafer W conveyed to the
次に、ウェハWは搬送ユニット40により、アライメントユニット50から受渡位置A0に搬送され、当該受渡位置A0のチャック31に受け渡される。チャック31では、ウェハWの表面W1が保持される。その後、チャック31を第1の加工位置A1に移動させる。そして、粗研削ユニット80によって、ウェハWの裏面W2が粗研削される(図6のステップS2)。
Next, the wafer W is conveyed from the
次に、チャック31を第2の加工位置A2に移動させる。そして、中研削ユニット90によって、ウェハWの裏面W2が中研削される(図6のステップS3)。
Next, the
次に、チャック31を第3の加工位置A3に移動させる。そして、仕上研削ユニット100によって、ウェハWの裏面W2が仕上研削される(図6のステップS4)。
Next, the
次に、チャック31を受渡位置A0に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって粗洗浄される(図6のステップS5)。このステップS6では、裏面W2の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
Next, the
次に、ウェハWは搬送ユニット40により、受渡位置A0から第2の洗浄ユニット70に搬送される。第2の洗浄ユニット70では、先ず、図7(a)に示すようにスポンジ洗浄具212を回転体211の下面に位置させた状態で洗浄液槽230を上昇させて、スポンジ洗浄具212を洗浄液Lに浸漬させる。これにより、スポンジ洗浄具212に洗浄液Lが供給される。その後、図7(b)に示すように回転体211を回転させ、洗浄液Lを含んだスポンジ洗浄具212を回転体211の上面に配置した状態、すなわちスポンジ洗浄具212をウェハWの表面W1に対向配置した状態で、当該スポンジ洗浄具212を表面W1に当接させる。そして、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、表面W1に洗浄液を供給しつつ、スポンジ洗浄具212を表面W1に当接させることで、表面W1(保護テープP)の全面が洗浄される(図6のステップS6)。
Next, the wafer W is conveyed from the delivery position A0 to the
その後、図7(c)に示すように回転体211を回転させ、エア洗浄具213を回転体211の上面に配置するとともに、搬送パッド44によりウェハWを上昇させる。そして、エア洗浄具213をウェハWの表面W1に対向配置した状態で、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、エア洗浄具213から表面W1にエアを噴射することで、表面W1の全面が乾燥される(図6のステップS7)。
After that, as shown in FIG. 7C, the
これらステップS6、S7においてウェハWが搬送パッド44に保持される前に、搬送パッド44は、第2の洗浄ユニット70のストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215を用いて洗浄されている(図6のステップT1)。具体的には、図8(a)に示すようにストーン洗浄具214を回転体211の上面に配置した状態、すなわちストーン洗浄具214を搬送パッド44の保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、ストーン洗浄具214を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。また、図8(b)に示すようにブラシ洗浄具215を回転体211の上面に配置した状態、すなわちブラシ洗浄具215を保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、ブラシ洗浄具215を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。
Before the wafer W is held by the
なお、搬送パッド44の洗浄は、ストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215のいずれか一方で行われてもよいし、あるいは両方で行われてもよい。また、搬送パッド44の洗浄は、ステップS6までの任意のタイミングで行われる。
The
次に、ウェハWは搬送ユニット40により、第2の洗浄ユニット70から第1の洗浄ユニット60に搬送される。そして、第1の洗浄ユニット60では、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって仕上洗浄される(図6のステップS8)。このステップS8では、裏面W2が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。
Next, the wafer W is transferred from the
その後、ウェハWはウェハ搬送装置112によって、第1の洗浄ユニット60から後処理装置5に搬送される。そして、後処理装置5では、ウェハWをダイシングフレームに保持するマウント処理や、ウェハWに貼り付けられた保護テープPを剥離する剥離処理などの後処理が行われる(図6のステップS9)。
After that, the wafer W is transferred from the
その後、すべての処理が施されたウェハWは、搬出ステーション3のカセット載置台20のカセットCに搬送される。こうして、基板処理システム1における一連のウェハ処理が終了する。
After that, the wafer W that has been subjected to all the processing is conveyed to the cassette C of the cassette mounting table 20 of the unloading
以上の実施形態のとおり、第2の洗浄ユニット70では、ウェハWの表面W1と搬送パッド44の保持面44aを洗浄するに際し、複数の洗浄具212〜215が必要になる。かかる場合であっても、本実施形態の洗浄機構210のように、複数の洗浄具212〜215が回転体211の表面に取り付けられているので、第2の洗浄ユニット70の省スペース化を実現することができる。しかも、回転体211を回転させるだけで、適切な洗浄具212〜215を選択することができ、ウェハWの表面W1又は搬送パッド44の保持面44aを適切に洗浄することができる。
As described above, in the
また、本実施形態のように第2の洗浄ユニット70において、洗浄機構210は搬入出口201からX軸方向に延伸するように配置されている。ここで、例えば4つの洗浄具212〜215を平面視において並べて配置した場合、第2の洗浄ユニット70の占有面積は大きくなるが、本実施形態によれば、第2の洗浄ユニット70の占有面積を小さくすることができる。なお、洗浄機構210はY軸方向に延伸して配置されていてもよい。
Further, in the
<第2の実施形態>
以上の実施形態において、第2の洗浄ユニット70の構成は上述に限定されるものではない。<Second embodiment>
In the above embodiment, the configuration of the
以上の実施形態の洗浄機構210において、回転体211は直方体形状を有していたが、回転体211の形状はこれに限定されない。例えば回転体211は三角柱形状を有し、回転体211の表面にはスポンジ洗浄具212、ストーン洗浄具214、及びブラシ洗浄具215が設けられていてもよい。かかる場合、図9に示すようにエア洗浄具213は、洗浄機構210の搬入出口201側において、Y軸方向に延伸するように配置される。そして、搬送パッド44に保持されたウェハWがエア洗浄具213を通過する際に、エア洗浄具213から表面W1にエアが噴射され、当該表面W1が乾燥される。
In the
なお、エア洗浄具213は、Y軸方向に延伸する形状ではなく、例えばエアを噴射する単一のノズルであってもよい。かかる場合、エア洗浄具213のノズルは移動機構(図示せず)によってY軸方向に移動自在であるのが好ましい。そして、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、エア洗浄具213のノズルから表面W1にエアが噴射され、当該表面W1が乾燥される。
The
また、回転体211は、側面形状が五角形以上の、多角柱形状を有していてもよい。かかる場合、回転体211の側面には、4つの洗浄具212〜215の他、例えばウェハWの裏面W2を洗浄する洗浄具を設けてもよい。
Further, the
以上の実施形態の洗浄機構210において、回転体211及び洗浄具212〜215はそれぞれ、搬送パッド44の保持面44aの径(ウェハWの表面W1の径)よりも長く延伸していたが、洗浄具212〜215の軸方向の長さはこれに限定されない。上述したようにステップS6、S7において、ウェハWの表面W1の洗浄は、ウェハWを回転させながら行われる。このため、スポンジ洗浄具212とエア洗浄具213はそれぞれ、少なくとも表面W1の径の半分以上であれば、当該表面W1の全面を洗浄し、乾燥させることができる。同様に、ステップT1において、搬送パッド44の保持面44aの洗浄も、搬送パッド44を回転させながら行われるため、ストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215はそれぞれ、少なくとも保持面44aの径の半分以上であれば、当該保持面44aの全面を洗浄することができる。
In the
以上の実施形態では、ウェハWの表面W1と搬送パッド44の保持面44aを洗浄する際、搬送パッド44を鉛直軸回りに回転させていたが、搬送パッド44と洗浄機構210は相対的に回転すればよい。例えば回転機構(図示せず)によって洗浄機構210を鉛直軸回りに回転させてもよいし、あるいは搬送パッド44と洗浄機構210の両方を鉛直軸回りに回転させてもよい。
In the above embodiment, when cleaning the surface W1 of the wafer W and the holding
以上の実施形態では、洗浄液槽230からスポンジ洗浄具212に洗浄液を供給していたが、スポンジ洗浄具212への洗浄液の供給方法はこれに限定されない。例えば、スポンジ洗浄具212は洗浄液ノズル(図示せず)を内蔵し、当該洗浄液ノズルからスポンジ洗浄具212のスポンジに洗浄液を供給してもよい。
In the above embodiment, the cleaning liquid is supplied from the cleaning
また、以上の実施形態では、ウェハWの表面W1にはデバイスを保護するために保護テープPが貼り付けられていたが、デバイスの保護材はこれに限定されない。例えばウェハWの表面W1には、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本発明を適用することができる。 Further, in the above embodiment, the protective tape P is attached to the surface W1 of the wafer W in order to protect the device, but the protective material for the device is not limited to this. For example, a support substrate such as a support wafer or a glass substrate may be bonded to the surface W1 of the wafer W, and the present invention can be applied even in such a case.
<第3の実施形態>
なお、以上の実施形態の洗浄機構210において、洗浄具212〜215はそれぞれ回転体211の側面に設けられたが、洗浄機構210の構成はこれに限定されない。<Third embodiment>
In the
図10に示すように第3の実施形態によれば、洗浄機構210には、ワーク乾燥ツール300、チャック洗浄ツール301及びワーク洗浄ツール302がY軸方向にこの順で並べて配置されている。
As shown in FIG. 10, according to the third embodiment, the
ワーク乾燥ツール300には、ウェハWの表面W1にエアを噴射して、当該表面W1を乾燥するエア洗浄具213が設けられている。また、ワーク乾燥ツール300は、移動機構303により第2の洗浄ユニット70の内部において、X軸方向に移動自在に構成されている。
The
チャック洗浄ツール301には回転体211が設けられ、当該回転体211の表面には、少なくともストーン洗浄具214及びブラシ洗浄具215が設けられている。なお、ストーン洗浄具214及びブラシ洗浄具215は、例えば、それぞれX軸方向において保持面44aの径よりも長く延伸する砥石及びブラシを有している。
The
ワーク洗浄ツール302には、スポンジ洗浄具212、スポンジ洗浄ノズル304及びスポンジ洗浄ローラー305が設けられている。また、スポンジ洗浄具212はアクチュエータ(図示せず)を内蔵する回転機構(図示せず)に取り付けられており、シャフト(図示せず)を介して回転自在に構成されている。また更に、ワーク洗浄ツール302は、昇降機構(図示せず)によって昇降自在に構成され、ウェハWの表面W1を洗浄する際にチャック洗浄ツール301の上端部よりも上方に突出するように制御される。なお、スポンジ洗浄具212は、例えばX軸方向においてウェハWの表面W1の径よりも長く延伸するスポンジを有している。
The
次に、第3の実施形態にかかる洗浄機構210を用いた、被処理体としてのウェハWの表面W1及び搬送パッド44の保持面44aの洗浄方法について説明する。
Next, a method of cleaning the surface W1 of the wafer W as the object to be processed and the holding
ウェハWの表面W1に洗浄にあたっては、先ずスポンジ洗浄ノズル304からスポンジ洗浄具212に洗浄液L(例えば純水等)を供給する。その後、図11(a)に示すようにスポンジ洗浄具212及びスポンジ洗浄ローラー305を回転させた状態でワーク洗浄ツール302を昇降機構によって上昇させ、洗浄液Lを含んだスポンジ洗浄具212をウェハWの表面W1に当接させる。そして、搬送パッド44によりウェハWをY軸方向に移動させながらスポンジ洗浄具212を表面W1に当接させることで、表面W1(保護テープP)の全面が洗浄される。
When cleaning the surface W1 of the wafer W, first, the cleaning liquid L (for example, pure water) is supplied from the
この際、スポンジ洗浄具212は洗浄液Lを含んでいるため、ウェハWの表面W1の汚れを適切に除去することができる。また、スポンジ洗浄具212によって除去された汚れは、スポンジ洗浄ローラー305により適切にスポンジ洗浄具212から除去される。
At this time, since the
なお、かかる表面W1の洗浄にあたっては、ウェハWは搬送パッド44により回転されていてもよい。
In cleaning the surface W1, the wafer W may be rotated by the
その後、図11(b)に示すように搬送パッド44によりウェハWをワーク乾燥ツール300の上方に移動させる。そして、図11(c)に示すようにエア洗浄具213をウェハWの表面W1に対向配置した状態で、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、エア洗浄具213から表面W1にエアを噴射した状態で、エア洗浄具213をX軸方向に移動させることで、表面W1(保護テープP)の全面が乾燥される。
After that, as shown in FIG. 11B, the wafer W is moved above the
これらウェハWの表面W1(保護テープP)の洗浄においてウェハWが搬送パッド44に保持される前に、搬送パッド44は、チャック洗浄ツール301を用いて洗浄されている。具体的には、図12(a)に示すようにストーン洗浄具214を回転体211の上面に配置した状態、すなわちストーン洗浄具214を搬送パッド44の保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44を回転させながら、ストーン洗浄具214を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。また、図12(b)に示すようにブラシ洗浄具215を回転体211の上面に配置した状態、すなわちブラシ洗浄具215を保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44を回転させながら、ブラシ洗浄具215を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。
In cleaning the surface W1 (protective tape P) of the wafer W, the
なお、搬送パッド44の洗浄にあたっては、搬送パッド44の保持面44aに接続された洗浄液供給ライン(図示せず)から洗浄液(例えば純水等)が供給されてもよい。洗浄液供給ラインは、例えば搬送パッド44の内部においてウェハWの吸着ラインと切り替え可能に接続され、搬送パッド44の洗浄に際して、吸着ラインから切り替えられる。このように、搬送パッド44に洗浄液が供給されることにより、搬送パッド44の保持面44aの汚れを適切に除去することができる。
When cleaning the
なお、搬送パッド44の洗浄は、ストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215のいずれか一方で行われてもよいし、あるいは両方で行われてもよい。また、搬送パッド44の洗浄は、ウェハWの表面W1の洗浄までの任意のタイミングで行われる。
The
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to such examples. It is clear that a person skilled in the art can come up with various modifications or modifications within the scope of the technical ideas described in the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. It is understood that it belongs.
1 基板処理システム
2 搬入ステーション
3 搬出ステーション
4 加工装置
5 後処理装置
6 搬送ステーション
40 搬送ユニット
44 搬送パッド
44a 保持面
70 第2の洗浄ユニット
120 制御部
210 洗浄機構
211 回転体
212 スポンジ洗浄具
213 エア洗浄具
214 ストーン洗浄具
215 ブラシ洗浄具
220 回転機構
230 洗浄液槽
300 ワーク乾燥ツール
301 チャック洗浄ツール
302 ワーク洗浄ツール
L 洗浄液
P 保護テープ
W ウェハ
W1 表面
W2 裏面1 Substrate processing system 2 Carry-in
図5に示すように洗浄機構210は、回転体211の表面に複数、例えば4つの洗浄具212〜215が取り付けられた構成を有している。回転体211は、ウェハWの表面W1の径方向(X軸方向)であって搬送パッド44の保持面44aの径方向(X軸方向)を中心軸として回転する。また、回転体211は、例えば直方体形状を有している。
As shown in FIG. 5 , the
次に、チャック31を受渡位置A0に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって粗洗浄される(図6のステップS5)。このステップS5では、裏面W2の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
Next, the
これらステップS6、S7においてウェハWが搬送パッド44に保持される前に、搬送パッド44は、第2の洗浄ユニット70のストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215を用いて洗浄されている(図6のステップT1)。具体的には、図8(a)に示すようにストーン洗浄具214を回転体211の上面に配置した状態、すなわちストーン洗浄具214を搬送パッド44の保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44を回転させながら、ストーン洗浄具214を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。また、図8(b)に示すようにブラシ洗浄具215を回転体211の上面に配置した状態、すなわちブラシ洗浄具215を保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44を回転させながら、ブラシ洗浄具215を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。
Before the wafer W is held by the
Claims (15)
前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、
前記回転体に設けられ、前記洗浄面を洗浄する複数の洗浄具と、を有し、
前記複数の洗浄具は、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置されている。A cleaning device that cleans the object to be processed.
A rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed, and
It has a plurality of cleaning tools provided on the rotating body and for cleaning the cleaning surface.
The plurality of cleaning tools extend axially on the surface of the rotating body and are arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body.
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を含み、
前記洗浄面は、前記基板の表面に設けられた前記保護材であり、
前記複数の洗浄具は、前記洗浄面に洗浄液を供給しつつ当接して、当該洗浄面を洗浄する基板洗浄具を含む。In the cleaning device according to claim 1,
The object to be treated includes a substrate provided with a protective material on the surface thereof.
The cleaning surface is the protective material provided on the surface of the substrate.
The plurality of cleaning tools include a substrate cleaning tool that cleans the cleaning surface by abutting the cleaning surface while supplying the cleaning liquid.
前記複数の洗浄具は、前記洗浄面に気体を供給して、当該洗浄面を乾燥させる基板乾燥具を含む。In the cleaning device according to claim 2,
The plurality of cleaning tools include a substrate dryer that supplies a gas to the cleaning surface to dry the cleaning surface.
前記洗浄液を貯留し、前記基板洗浄具に当該洗浄液を供給する洗浄液槽をさらに有する。In the cleaning device according to claim 2,
It further has a cleaning liquid tank for storing the cleaning liquid and supplying the cleaning liquid to the substrate cleaning tool.
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を保持して搬送する搬送パッドを含み、
前記洗浄面は、前記搬送パッドの前記基板の保持面であり、
前記複数の洗浄具は、前記洗浄面に当接して当該洗浄面を洗浄するパッド洗浄具を含む。In the cleaning device according to claim 1,
The object to be processed includes a transport pad that holds and transports a substrate provided with a protective material on its surface.
The cleaning surface is a holding surface of the substrate of the transport pad.
The plurality of cleaning tools include a pad cleaning tool that comes into contact with the cleaning surface to clean the cleaning surface.
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を含み、
前記洗浄面は、第2の洗浄面としての前記基板の表面に設けられた前記保護材を含み、
前記洗浄装置は、
前記回転体とは独立して設けられ、洗浄液を含んだ状態で前記第2の洗浄面に当接して、当該第2の洗浄面を洗浄する基板洗浄具と、
前記回転体とは独立して設けられ、前記第2の洗浄面に気体を供給して、当該第2の洗浄面を乾燥させる基板乾燥具を有する。In the cleaning apparatus according to claim 5,
The object to be treated includes a substrate provided with a protective material on the surface thereof.
The cleaning surface includes the protective material provided on the surface of the substrate as a second cleaning surface.
The cleaning device
A substrate cleaning tool that is provided independently of the rotating body and that comes into contact with the second cleaning surface in a state of containing a cleaning liquid to clean the second cleaning surface.
It is provided independently of the rotating body, and has a substrate dryer that supplies gas to the second cleaning surface to dry the second cleaning surface.
前記洗浄具は、少なくとも前記洗浄面の径方向の半分以上の長さで、前記回転体の表面において軸方向に延伸する。In the cleaning device according to claim 1,
The cleaning tool extends axially on the surface of the rotating body with a length of at least half the radial direction of the cleaning surface.
前記被処理体と前記洗浄具は、前記洗浄面と直交する方向を中心軸として相対的に回転する。In the cleaning device according to claim 1,
The object to be processed and the cleaning tool rotate relatively with respect to a direction orthogonal to the cleaning surface as a central axis.
前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置された複数の洗浄具とを備えた洗浄装置を用い、
前記被処理体に応じて前記複数の洗浄具のうち一の洗浄具を選択し、
前記回転体を回転させて前記洗浄面に前記一の洗浄具を対向配置し、当該一の洗浄具を用いて前記洗浄面を洗浄する。A cleaning method for cleaning the object to be processed.
A rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed as a central axis, and a plurality of cleaning tools that extend in the axial direction on the surface of the rotating body and are arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body. Using the equipped cleaning device
One of the plurality of cleaning tools is selected according to the object to be treated.
The rotating body is rotated to dispose the one cleaning tool on the cleaning surface so as to face the cleaning surface, and the cleaning surface is cleaned using the one cleaning tool.
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を含み、
前記洗浄面は、前記基板の表面に設けられた前記保護材であり、
前記一の洗浄具から前記洗浄面に洗浄液を供給しつつ、前記一の洗浄具を前記洗浄面に当接させて、当該洗浄面を洗浄する。In the cleaning method according to claim 9,
The object to be treated includes a substrate provided with a protective material on the surface thereof.
The cleaning surface is the protective material provided on the surface of the substrate.
While supplying the cleaning liquid from the one cleaning tool to the cleaning surface, the one cleaning tool is brought into contact with the cleaning surface to clean the cleaning surface.
前記一の洗浄具とは異なる他の洗浄具から前記洗浄面に気体を供給して、当該洗浄面を乾燥させる。In the cleaning method according to claim 10,
Gas is supplied to the cleaning surface from another cleaning tool different from the one cleaning tool to dry the cleaning surface.
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を保持して搬送する搬送パッドを含み、
前記洗浄面は、前記搬送パッドの前記基板の保持面であり、
前記一の洗浄具を前記洗浄面に当接させて、当該洗浄面を洗浄する。In the cleaning method according to claim 9,
The object to be processed includes a transport pad that holds and transports a substrate provided with a protective material on its surface.
The cleaning surface is a holding surface of the substrate of the transport pad.
The cleaning tool is brought into contact with the cleaning surface to clean the cleaning surface.
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を含み、
前記洗浄面は、第2の洗浄面としての前記基板の表面に設けられた前記保護材を含み、
前記回転体とは独立して設けられる別の洗浄具を、洗浄液を含んだ状態で前記第2の洗浄面に当接させて当該第2の洗浄面を洗浄し、
前記回転体とは独立して設けられる更に別の洗浄具から、前記第2の洗浄面に気体を供給して、当該第2の洗浄面を乾燥させる。In the cleaning method according to claim 12,
The object to be treated includes a substrate provided with a protective material on the surface thereof.
The cleaning surface includes the protective material provided on the surface of the substrate as a second cleaning surface.
Another cleaning tool provided independently of the rotating body is brought into contact with the second cleaning surface in a state of containing the cleaning liquid to clean the second cleaning surface.
Gas is supplied to the second cleaning surface from yet another cleaning tool provided independently of the rotating body to dry the second cleaning surface.
前記一の洗浄具を用いて前記洗浄面を洗浄する際、前記被処理体と前記一の洗浄具を、前記洗浄面と直交する方向を中心軸として相対的に回転させる。In the cleaning method according to claim 9,
When cleaning the cleaning surface with the one cleaning tool, the object to be processed and the one cleaning tool are relatively rotated about a direction orthogonal to the cleaning surface as a central axis.
前記洗浄方法は、
前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置された複数の洗浄具とを備えた洗浄装置を用い、
前記被処理体に応じて前記複数の洗浄具のうち一の洗浄具を選択し、
前記回転体を回転させて前記洗浄面に前記一の洗浄具を対向配置し、当該一の洗浄具を用いて前記洗浄面を洗浄する。A readable computer storage medium containing a program that operates on the computer of the control unit that controls the cleaning device so that the cleaning method for cleaning the object to be processed is executed by the cleaning device.
The cleaning method is
A rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed as a central axis, and a plurality of cleaning tools that extend in the axial direction on the surface of the rotating body and are arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body. Using the equipped cleaning device
One of the plurality of cleaning tools is selected according to the object to be treated.
The rotating body is rotated to dispose the one cleaning tool on the cleaning surface so as to face the cleaning surface, and the cleaning surface is cleaned using the one cleaning tool.
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