JPWO2019138881A1 - Cleaning equipment, cleaning methods and computer storage media - Google Patents

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Abstract

被処理体を洗浄する洗浄装置は、前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体に設けられ、前記洗浄面を洗浄する複数の洗浄具と、を有し、前記複数の洗浄具は、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置されている。The cleaning device for cleaning the object to be processed includes a rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed, and a plurality of cleaning tools provided on the rotating body that clean the surface to be cleaned. The plurality of cleaning tools are axially extended on the surface of the rotating body and arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body.

Description

(関連出願の相互参照)
本願は、2018年1月9日に日本国に出願された特願2018−000981号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
(Cross-reference of related applications)
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2018-000981 filed in Japan on January 9, 2018, the contents of which are incorporated herein by reference.

本発明は、被処理体を洗浄する洗浄装置、当該洗浄装置を用いた洗浄方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。 The present invention relates to a cleaning device for cleaning an object to be processed, a cleaning method using the cleaning device, and a computer storage medium.

近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ(以下、ウェハという)に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。 In recent years, in the manufacturing process of semiconductor devices, it is possible to grind the back surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) in which devices such as a plurality of electronic circuits are formed on the front surface to thin the wafer. It is done.

ウェハの裏面の研削は、例えば特許文献1〜3に記載された研削装置(加工装置)を用いて行われる。研削装置には、ウェハの裏面を研削する研削手段に加え、ウェハの表面や、ウェハを搬送する搬送パッドにおけるウェハの吸着面などを洗浄する洗浄手段が設けられている。 Grinding of the back surface of the wafer is performed using, for example, the grinding apparatus (processing apparatus) described in Patent Documents 1 to 3. In addition to the grinding means for grinding the back surface of the wafer, the grinding device is provided with a cleaning means for cleaning the front surface of the wafer and the suction surface of the wafer in the transport pad for transporting the wafer.

例えば特許文献1には、ウェハの表面を洗浄する手段として、ウェハの表面にブラシを当接させて当該表面を洗浄する洗浄ブラシ機構と、洗浄ブラシ機構がウェハの表面に当接している際に当該表面に洗浄液を供給するブラシ洗浄液供給機構とを備えた洗浄手段が開示されている。例えば特許文献2にも、ウェハの表面を洗浄する手段として、ウェハの表面にブラシを当接させて当該表面を洗浄するブラシ洗浄装置が開示されている。 For example, Patent Document 1 describes a cleaning brush mechanism for cleaning the surface of a wafer by bringing a brush into contact with the surface of the wafer and a cleaning brush mechanism when the cleaning brush mechanism is in contact with the surface of the wafer. A cleaning means including a brush cleaning liquid supply mechanism for supplying a cleaning liquid to the surface is disclosed. For example, Patent Document 2 also discloses a brush cleaning device for cleaning the surface of a wafer by bringing a brush into contact with the surface of the wafer as a means for cleaning the surface of the wafer.

また、例えば特許文献3には、搬送パッドの吸着面を洗浄する手段として、吸着面に当接して当該吸着面を洗浄する洗浄ブラシを備えた洗浄手段が開示されている。 Further, for example, Patent Document 3 discloses a cleaning means provided with a cleaning brush that comes into contact with the suction surface and cleans the suction surface as a means for cleaning the suction surface of the transport pad.

日本国特開2011−66198号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-66198 日本国特開2002−343756号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-343756 日本国特開2008−183659号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-183659

上述した特許文献1〜3に開示された洗浄手段はそれぞれ、ウェハの表面又は搬送パッドの吸着面のいずれかを洗浄するものであるが、研削装置ではこれらを両方洗浄する場合があり、かかる場合、複数の洗浄手段が必要となる。また、ウェハの表面又は搬送パッドの吸着面のいずれかを、複数の洗浄手段で洗浄する場合もある。そして、このように研削装置に複数の洗浄手段を設ける場合、これら洗浄手段を設置するスペースが必要になるが、従来の研削装置にはこのようなスペースを確保することは考えられていない。したがって、従来の研削装置には改善の余地がある。 Each of the cleaning means disclosed in Patent Documents 1 to 3 described above cleans either the surface of the wafer or the suction surface of the transport pad, but the grinding apparatus may clean both of them. , Multiple cleaning means are required. Further, either the surface of the wafer or the suction surface of the transport pad may be cleaned by a plurality of cleaning means. When a plurality of cleaning means are provided in the grinding device in this way, a space for installing these cleaning means is required, but it is not considered to secure such a space in the conventional grinding device. Therefore, there is room for improvement in conventional grinding machines.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、複数の洗浄具を用いて被処理体を洗浄するにあたり、当該複数の洗浄具を備えた洗浄装置の省スペース化を図ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to save space in a cleaning device provided with the plurality of cleaning tools when cleaning the object to be processed using the plurality of cleaning tools. To do.

上記課題を解決する本発明の一態様は、被処理体を洗浄する洗浄装置であって、前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体に設けられ、前記洗浄面を洗浄する複数の洗浄具と、を有し、前記複数の洗浄具は、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置されている。 One aspect of the present invention that solves the above problems is a cleaning device for cleaning an object to be processed, which is provided on the rotating body and a rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed. The cleaning tools include a plurality of cleaning tools for cleaning the cleaning surface, and the plurality of cleaning tools extend axially on the surface of the rotating body and are arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body.

別な観点による本発明の一態様は、被処理体を洗浄する洗浄方法であって、前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置された複数の洗浄具とを備えた洗浄装置を用い、前記被処理体に応じて前記複数の洗浄具のうち一の洗浄具を選択し、前記回転体を回転させて前記洗浄面に前記一の洗浄具を対向配置し、当該一の洗浄具を用いて前記洗浄面を洗浄する。 One aspect of the present invention from another viewpoint is a cleaning method for cleaning an object to be processed, in which a rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed and a shaft on the surface of the rotating body. Using a cleaning device including a plurality of cleaning tools extending in the direction and arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body, one of the plurality of cleaning tools is selected according to the object to be processed. Then, the rotating body is rotated to dispose the one cleaning tool on the cleaning surface so as to face the cleaning surface, and the cleaning surface is cleaned by using the one cleaning tool.

また別な観点による本発明の一態様によれば、前記洗浄方法を洗浄装置によって実行させるように、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。 According to another aspect of the present invention from another viewpoint, a readable computer storage medium containing a program running on the computer of the control unit that controls the cleaning device so that the cleaning method is executed by the cleaning device. Is.

本発明の一態様によれば、複数の洗浄具を用いて被処理体を洗浄するにあたり、一の回転体に複数の洗浄具を設けているので、当該複数の洗浄具を備えた洗浄装置の省スペース化を実現することができる。 According to one aspect of the present invention, when cleaning the object to be processed using a plurality of cleaning tools, since a plurality of cleaning tools are provided on one rotating body, a cleaning device provided with the plurality of cleaning tools. Space saving can be realized.

第1の実施形態にかかる第2の洗浄ユニットを備えた基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the structure of the substrate processing system including the 2nd cleaning unit which concerns on 1st Embodiment schematically. ウェハの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of a wafer. 第2の洗浄ユニットの内部構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the internal structure of the 2nd cleaning unit. 第2の洗浄ユニットの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the internal structure of the 2nd cleaning unit. 洗浄機構の構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the structure of the cleaning mechanism. ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main process of a wafer processing. 第2の洗浄ユニットでウェハの表面を洗浄する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state of cleaning the surface of a wafer by the 2nd cleaning unit. 第2の洗浄ユニットで搬送パッドの保持面を洗浄する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state of cleaning the holding surface of a transport pad by a 2nd cleaning unit. 第2の実施形態にかかる第2の洗浄ユニットの内部構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the internal structure of the 2nd cleaning unit which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態にかかる第2の洗浄ユニットの内部構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the internal structure of the 2nd cleaning unit which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態にかかる第2の洗浄ユニットでウェハの表面を洗浄する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state of cleaning the surface of the wafer by the 2nd cleaning unit which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態にかかる第2の洗浄ユニットで搬送パッドの保持面を洗浄する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state of cleaning the holding surface of a transport pad by the 2nd cleaning unit which concerns on 3rd Embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, elements having substantially the same functional configuration are designated by the same reference numerals to omit duplicate description.

<基板処理システム>
先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図1は、基板処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
<Board processing system>
First, the configuration of the substrate processing system according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing an outline of the configuration of the substrate processing system 1. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the Z-axis positive direction is defined as the vertically upward direction.

本実施形態の基板処理システム1では、図2に示す、基板としてのウェハWを薄化する。ウェハWは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハWの表面W1にはデバイス(図示せず)が形成されており、さらに当該表面W1にはデバイスを保護するための保護材、例えば保護テープPが貼り付けられている。そして、ウェハWの裏面W2に対して研削などの所定の処理が行われ、当該ウェハが薄化される。 In the substrate processing system 1 of the present embodiment, the wafer W as a substrate shown in FIG. 2 is thinned. The wafer W is a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer. A device (not shown) is formed on the surface W1 of the wafer W, and a protective material for protecting the device, for example, a protective tape P, is attached to the surface W1. Then, a predetermined process such as grinding is performed on the back surface W2 of the wafer W, and the wafer is thinned.

基板処理システム1は、処理前のウェハWをカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で外部から基板処理システム1に搬入する搬入ステーション2と、処理後のウェハWをカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で基板処理システム1から外部に搬出する搬出ステーション3と、ウェハWに加工処理を行って薄化する加工装置4と、加工処理後のウェハWの後処理を行う後処理装置5と、搬入ステーション2、加工装置4及び後処理装置5の間でウェハWを搬送する搬送ステーション6と、を接続した構成を有している。搬入ステーション2、搬送ステーション6、及び加工装置4は、X軸負方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。搬出ステーション3と後処理装置5は、X軸正方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。 In the substrate processing system 1, the wafer W before processing is stored in the cassette C, and the carry-in station 2 for carrying a plurality of wafers W into the substrate processing system 1 from the outside in cassette units, and the wafer W after processing are stored in the cassette C. After the unloading station 3 which is stored in the wafer W and carries out the plurality of wafers W from the substrate processing system 1 to the outside in cassette units, the processing device 4 which processes the wafer W to thin it, and the wafer W after the processing process. It has a configuration in which a post-processing device 5 for processing and a transfer station 6 for transporting a wafer W between the carry-in station 2, the processing device 4, and the post-processing device 5 are connected. The carry-in station 2, the transfer station 6, and the processing device 4 are arranged side by side in this order in the Y-axis direction on the negative side of the X-axis. The unloading station 3 and the post-processing device 5 are arranged side by side in this order in the Y-axis direction on the X-axis positive direction side.

(搬入ステーション)
搬入ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。図示の例では、カセット載置台10には、複数、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。
(Delivery station)
The carry-in station 2 is provided with a cassette mounting stand 10. In the illustrated example, a plurality of cassettes C, for example, two cassettes C can be freely mounted in a row in the X-axis direction on the cassette mounting table 10.

(搬出ステーション)
搬出ステーション3も、搬入ステーション2と同様の構成を有している。搬出ステーション3にはカセット載置台20が設けられ、カセット載置台20には、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。なお、搬入ステーション2と搬出ステーション3は1つの搬入出ステーションに統合されてもよく、かかる場合、搬入出ステーションには共通のカセット載置台が設けられる。
(Delivery station)
The carry-out station 3 also has the same configuration as the carry-in station 2. The carry-out station 3 is provided with a cassette mounting table 20, and for example, two cassettes C can be freely placed in a row on the cassette mounting table 20 in the X-axis direction. The loading / unloading station 2 and the loading / unloading station 3 may be integrated into one loading / unloading station. In such a case, the loading / unloading station is provided with a common cassette mounting stand.

(加工装置)
加工装置4では、ウェハWに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。加工装置4は、回転テーブル30、搬送ユニット40、アライメントユニット50、第1の洗浄ユニット60、第2の洗浄ユニット70、粗研削ユニット80、中研削ユニット90、及び仕上研削ユニット100を有している。
(Processing equipment)
In the processing apparatus 4, processing processing such as grinding and cleaning is performed on the wafer W. The processing device 4 has a rotary table 30, a transport unit 40, an alignment unit 50, a first cleaning unit 60, a second cleaning unit 70, a rough grinding unit 80, a medium grinding unit 90, and a finishing grinding unit 100. There is.

回転テーブル30は、回転機構(図示せず)によって回転自在に構成されている。回転テーブル30上には、ウェハWの表面W1を保護テープPを介して吸着保持するチャック31が4つ設けられている。チャック31は、回転テーブル30と同一円周上に均等、すなわち90度毎に配置されている。4つのチャック31は、回転テーブル30が回転することにより、受渡位置A0及び加工位置A1〜A3に移動可能になっている。 The rotary table 30 is rotatably configured by a rotary mechanism (not shown). On the rotary table 30, four chucks 31 that attract and hold the surface W1 of the wafer W via the protective tape P are provided. The chucks 31 are arranged evenly on the same circumference as the rotary table 30, that is, every 90 degrees. The four chucks 31 can be moved to the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3 by rotating the rotary table 30.

本実施形態では、受渡位置A0は回転テーブル30のX軸正方向側且つY軸負方向側の位置であり、当該受渡位置A0のY軸負方向側には、シンク33の内部に設けられた第2の洗浄ユニット70、アライメントユニット50及び第1の洗浄ユニット60が並べて配置される。アライメントユニット50と第1の洗浄ユニット60は上方からこの順で積層されて配置される。第1の加工位置A1は回転テーブル30のX軸正方向側且つY軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット80が配置される。第2の加工位置A2は回転テーブル30のX軸負方向側且つY軸正方向側の位置であり、中研削ユニット90が配置される。第3の加工位置A3は回転テーブル30のX軸負方向側且つY軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット100が配置される。 In the present embodiment, the delivery position A0 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 30, and the delivery position A0 is provided inside the sink 33 on the Y-axis negative direction side. The second cleaning unit 70, the alignment unit 50, and the first cleaning unit 60 are arranged side by side. The alignment unit 50 and the first cleaning unit 60 are stacked and arranged in this order from above. The first machining position A1 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis positive direction side of the rotary table 30, and the rough grinding unit 80 is arranged. The second machining position A2 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis positive direction side of the rotary table 30, and the intermediate grinding unit 90 is arranged. The third machining position A3 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 30, and the finish grinding unit 100 is arranged.

チャック31はチャックベース32に保持されている。チャック31及びチャックベース32は、回転機構(図示せず)によって回転可能に構成されている。 The chuck 31 is held by the chuck base 32. The chuck 31 and the chuck base 32 are configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).

搬送ユニット40は、複数、例えば3つのアーム41〜43を備えた多関節型のロボットである。3つのアーム41〜43は関節部(図示せず)によって接続され、これら関節部によって、第1のアーム41と第2のアーム42はそれぞれ基端部を中心に旋回自在に構成されている。3つのアーム41〜43のうち、先端の第1のアーム41には、ウェハWを吸着保持する搬送パッド44が取り付けられている。搬送パッド44は、平面視においてウェハWの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハWの裏面W2を吸着保持する。また、搬送パッド44は、第1のアーム41に設けられた回転部(図示せず)によって、回転自在に構成されている。また、3つのアーム41〜43のうち、基端の第3のアーム43は、アーム41〜43を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構45に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット40は、受渡位置A0、アライメントユニット50、第1の洗浄ユニット60、及び第2の洗浄ユニット70に対して、ウェハWを搬送できる。なお、本実施形態では第2の洗浄ユニット70が、本発明における洗浄装置を構成している。 The transport unit 40 is an articulated robot provided with a plurality of, for example, three arms 41 to 43. The three arms 41 to 43 are connected by joints (not shown), and these joints allow the first arm 41 and the second arm 42 to swing around the base end, respectively. A transport pad 44 that attracts and holds the wafer W is attached to the first arm 41 at the tip of the three arms 41 to 43. The transport pad 44 has a circular shape having a diameter longer than the diameter of the wafer W in a plan view, and attracts and holds the back surface W2 of the wafer W. Further, the transport pad 44 is rotatably configured by a rotating portion (not shown) provided on the first arm 41. Further, of the three arms 41 to 43, the third arm 43 at the base end is attached to a vertical movement mechanism 45 that moves the arms 41 to 43 in the vertical direction. Then, the transfer unit 40 having such a configuration can transfer the wafer W to the delivery position A0, the alignment unit 50, the first cleaning unit 60, and the second cleaning unit 70. In the present embodiment, the second cleaning unit 70 constitutes the cleaning device according to the present invention.

アライメントユニット50では、研削処理前のウェハWの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック(図示せず)に保持されたウェハWを回転させながら、検出部(図示せず)でウェハWのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハWの水平方向の向きを調節する。 The alignment unit 50 adjusts the horizontal orientation of the wafer W before the grinding process. For example, while rotating the wafer W held by the spin chuck (not shown), the position of the notch portion of the wafer W is detected by the detection unit (not shown) to adjust the position of the notch portion of the wafer. Adjust the horizontal orientation of W.

第1の洗浄ユニット60では、研削処理後のウェハWの裏面W2を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。例えばスピンチャック(図示せず)に保持されたウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル(図示せず)からウェハWの裏面W2に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は裏面W2上を拡散し、当該裏面W2が洗浄される。 In the first cleaning unit 60, the back surface W2 of the wafer W after the grinding process is cleaned, and more specifically, spin cleaning is performed. For example, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle (not shown) to the back surface W2 of the wafer W while rotating the wafer W held by the spin chuck (not shown). Then, the supplied cleaning liquid diffuses on the back surface W2, and the back surface W2 is washed.

第2の洗浄ユニット70では、研削処理後のウェハWが搬送パッド44に保持された状態のウェハWの表面W1、すなわち表面W1に貼り付けられた保護テープPを洗浄するとともに、搬送パッド44のウェハWの保持面を洗浄する。なお、この第2の洗浄ユニット70の構成は後述する。 In the second cleaning unit 70, the surface W1 of the wafer W in a state where the grounded wafer W is held by the transport pad 44, that is, the protective tape P attached to the surface W1 is cleaned, and the transport pad 44 is cleaned. The holding surface of the wafer W is cleaned. The configuration of the second cleaning unit 70 will be described later.

粗研削ユニット80では、ウェハWの裏面W2を粗研削する。粗研削ユニット80は、環状形状で回転自在な粗研削砥石(図示せず)を備えた粗研削部81を有している。また、粗研削部81は、支柱82に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を粗研削砥石に当接させた状態で、チャック31と粗研削砥石をそれぞれ回転させることによって、ウェハWの裏面W2を粗研削する。 In the rough grinding unit 80, the back surface W2 of the wafer W is roughly ground. The rough grinding unit 80 has a rough grinding unit 81 provided with a circularly rotatable rough grinding wheel (not shown). Further, the rough grinding portion 81 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support column 82. Then, the back surface W2 of the wafer W is roughly ground by rotating the chuck 31 and the rough grinding wheel in a state where the back surface W2 of the wafer W held by the chuck 31 is in contact with the rough grinding wheel.

中研削ユニット90では、ウェハWの裏面W2を中研削する。中研削ユニット90は、環状形状で回転自在な中研削砥石(図示せず)を備えた中研削部91を有している。また、中研削部91は、支柱92に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を中研削砥石に当接させた状態で、チャック31と中研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面W2を中研削する。 In the medium grinding unit 90, the back surface W2 of the wafer W is medium ground. The medium grinding unit 90 has a medium grinding unit 91 provided with an annular shape and rotatable medium grinding wheel (not shown). Further, the middle grinding portion 91 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support column 92. The particle size of the abrasive grains of the medium grinding wheel is smaller than the particle size of the abrasive grains of the coarse grinding wheel. Then, in a state where the back surface W2 of the wafer W held by the chuck 31 is in contact with the medium grinding wheel, the back surface W2 is medium ground by rotating the chuck 31 and the medium grinding wheel, respectively.

仕上研削ユニット100では、ウェハWの裏面W2を仕上研削する。仕上研削ユニット100は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石(図示せず)を備えた仕上研削部101を有している。また、仕上研削部101は、支柱102に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック31と仕上研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面W2を仕上研削する。 In the finish grinding unit 100, the back surface W2 of the wafer W is finish grinded. The finish grinding unit 100 has a finish grinding unit 101 having an annular shape and a rotatable finish grinding wheel (not shown). Further, the finish grinding unit 101 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support column 102. The particle size of the abrasive grains of the finishing grinding wheel is smaller than the particle size of the abrasive grains of the medium grinding wheel. Then, in a state where the back surface W2 of the wafer W held by the chuck 31 is in contact with the finish grinding wheel, the back surface W2 is finished and ground by rotating the chuck 31 and the finish grinding wheel, respectively.

(後処理装置)
後処理装置5では、加工装置4で加工処理されたウェハWに対して後処理が行われる。後処理としては、例えばウェハWをダイシングテープを介してダイシングフレームに保持するマウント処理、ウェハWに貼り付けられた保護テープPを剥離する剥離処理などが行われる。そして、後処理装置5は、後処理が行われダイシングフレームに保持されたウェハWを搬出ステーション3のカセットCに搬送する。後処理装置5で行われるマウント処理や剥離処理はそれぞれ、公知の装置が用いられる。
(Post-processing device)
In the post-processing device 5, post-processing is performed on the wafer W processed by the processing device 4. As the post-treatment, for example, a mounting process for holding the wafer W on the dicing frame via the dicing tape, a peeling process for peeling off the protective tape P attached to the wafer W, and the like are performed. Then, the post-processing device 5 transfers the wafer W, which has been post-processed and held in the dicing frame, to the cassette C of the unloading station 3. A known device is used for each of the mounting process and the peeling process performed by the post-processing device 5.

(搬送ステーション)
搬送ステーション6には、ウェハ搬送領域110が設けられている。ウェハ搬送領域110には、X軸方向に延伸する搬送路111上を移動自在なウェハ搬送装置112が設けられている。ウェハ搬送装置112は、ウェハWを保持するウェハ保持部として、搬送フォーク113と搬送パッド114を有している。搬送フォーク113は、その先端が2本に分岐し、ウェハWを吸着保持する。搬送フォーク113は、研削処理前のウェハWを搬送する。搬送パッド114は、平面視においてウェハWの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハWを吸着保持する。搬送パッド114は、研削処理後のウェハWを搬送する。そして、これら搬送フォーク113と搬送パッド114はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
(Transport station)
The transfer station 6 is provided with a wafer transfer area 110. The wafer transfer region 110 is provided with a wafer transfer device 112 that is movable on a transfer path 111 that extends in the X-axis direction. The wafer transfer device 112 has a transfer fork 113 and a transfer pad 114 as a wafer holding unit for holding the wafer W. The tip of the transport fork 113 is branched into two to attract and hold the wafer W. The transport fork 113 transports the wafer W before the grinding process. The transport pad 114 has a circular shape having a diameter longer than the diameter of the wafer W in a plan view, and sucks and holds the wafer W. The transport pad 114 transports the wafer W after the grinding process. The transport fork 113 and the transport pad 114 are configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, the horizontal axis, and the vertical axis, respectively.

(制御部)
基板処理システム1には、制御部120が設けられている。制御部120は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、基板処理システム1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム1における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部120にインストールされたものであってもよい。
(Control unit)
The substrate processing system 1 is provided with a control unit 120. The control unit 120 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program that controls the processing of the wafer W in the substrate processing system 1. Further, the program storage unit also stores a program for controlling the operation of the drive system of the above-mentioned various processing devices and transfer devices to realize the wafer processing described later in the substrate processing system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnet optical desk (MO), or memory card. It may have been installed in the control unit 120 from the storage medium H.

<第1の実施形態>
次に、上述した加工装置4の第2の洗浄ユニット70の構成について説明する。図3及び図4に示すように第2の洗浄ユニット70は、処理容器200を有している。処理容器200の側面には、搬送ユニット40の搬送パッド44と、搬送パッド44に保持されたウェハWが搬入及び搬出される搬入出口201が形成されている。また、搬入出口201には開閉シャッタ(図せず)が設けられている。
<First Embodiment>
Next, the configuration of the second cleaning unit 70 of the processing apparatus 4 described above will be described. As shown in FIGS. 3 and 4, the second cleaning unit 70 has a processing container 200. On the side surface of the processing container 200, a transport pad 44 of the transport unit 40 and a carry-in outlet 201 into which the wafer W held by the transport pad 44 is carried in and out are formed. Further, the carry-in / outlet 201 is provided with an opening / closing shutter (not shown).

なお、図示の例においては、処理容器200は筐体であったが、処理容器200の形状はこれに限定されない。例えば処理容器200の上面が開口し、搬入出口201が省略された形状を有していてもよい。また、処理容器200自体を省略してもよい。かかる場合、後述する洗浄機構210、回転機構220及び洗浄液槽230はそれぞれ、シンク33の内部に設けられる。 In the illustrated example, the processing container 200 was a housing, but the shape of the processing container 200 is not limited to this. For example, the upper surface of the processing container 200 may be open and the carry-in / outlet 201 may be omitted. Further, the processing container 200 itself may be omitted. In such a case, the cleaning mechanism 210, the rotating mechanism 220, and the cleaning liquid tank 230, which will be described later, are provided inside the sink 33, respectively.

処理容器200の内部には、ウェハWの表面W1(保護テープP)と搬送パッド44のウェハWの保持面44aを洗浄する洗浄機構210、洗浄機構210を回転させる回転機構220、及びウェハWの表面W1の洗浄液を貯留する洗浄液槽230が設けられている。なお、本実施形態では、ウェハWと搬送パッド44が本発明の被処理体を構成し、表面W1と保持面44aが本発明の洗浄面を構成している。 Inside the processing container 200, a cleaning mechanism 210 for cleaning the surface W1 (protective tape P) of the wafer W and the holding surface 44a of the wafer W of the transfer pad 44, a rotating mechanism 220 for rotating the cleaning mechanism 210, and the wafer W A cleaning liquid tank 230 for storing the cleaning liquid on the surface W1 is provided. In the present embodiment, the wafer W and the transport pad 44 form the object to be processed of the present invention, and the surface W1 and the holding surface 44a form the cleaning surface of the present invention.

図4に示すように洗浄機構210は、回転体211の表面に複数、例えば4つの洗浄具212〜215が取り付けられた構成を有している。回転体211は、ウェハWの表面W1の径方向(X軸方向)であって搬送パッド44の保持面44aの径方向(X軸方向)を中心軸として回転する。また、回転体211は、例えば直方体形状を有している。 As shown in FIG. 4, the cleaning mechanism 210 has a configuration in which a plurality of, for example, four cleaning tools 212 to 215 are attached to the surface of the rotating body 211. The rotating body 211 rotates about the radial direction (X-axis direction) of the surface W1 of the wafer W and the radial direction (X-axis direction) of the holding surface 44a of the transport pad 44 as the central axis. Further, the rotating body 211 has, for example, a rectangular parallelepiped shape.

図3及び図4に示すように洗浄機構210(回転体211)は、回転機構220に取り付けられている。回転機構220は、回転体211の軸方向(X軸方向)の両端部に接続されたシャフト221、一方のシャフト221に設けられ回転体211を回転させる駆動部222、及び他方のシャフト221に設けられ回転体211を支持する支持部223を有している。駆動部222は、例えばアクチュエータ(図示せず)を内蔵し、シャフト221を介して回転体211を回転させることができる。 As shown in FIGS. 3 and 4, the cleaning mechanism 210 (rotating body 211) is attached to the rotating mechanism 220. The rotating mechanism 220 is provided on a shaft 221 connected to both ends of the rotating body 211 in the axial direction (X-axis direction), a drive unit 222 provided on one shaft 221 to rotate the rotating body 211, and the other shaft 221. It has a support portion 223 that supports the rotating body 211. The drive unit 222 has, for example, an actuator (not shown) built in, and can rotate the rotating body 211 via the shaft 221.

図5に示すように4つの洗浄具212〜215は、基板洗浄具としてのスポンジ洗浄具212、基板乾燥具としてのエア洗浄具213、パッド洗浄具としてのストーン洗浄具214、及びパッド洗浄具としてのブラシ洗浄具215を有している。これら洗浄具212〜215はそれぞれ、回転体211の表面において軸方向(X軸方向)に延伸している。また、洗浄具212〜215は回転体211の4つの表面に設けられ、すなわち回転体211の周方向に並べて配置されている。 As shown in FIG. 5, the four cleaning tools 212 to 215 include a sponge cleaning tool 212 as a substrate cleaning tool, an air cleaning tool 213 as a substrate dryer, a stone cleaning tool 214 as a pad cleaning tool, and a pad cleaning tool. Has a brush cleaning tool 215. Each of these cleaning tools 212 to 215 extends in the axial direction (X-axis direction) on the surface of the rotating body 211. Further, the cleaning tools 212 to 215 are provided on the four surfaces of the rotating body 211, that is, they are arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body 211.

スポンジ洗浄具212は、ウェハWの表面W1(保護テープP)を洗浄する。スポンジ洗浄具212は、例えば表面W1の径よりも長く延伸するスポンジを有している。スポンジ洗浄具212には、図3及び図4に示す洗浄液槽230によって洗浄液、例えば純水が供給されるようになっている。そして、スポンジ洗浄具212は、そのスポンジが洗浄液を含んでおり、ウェハWの表面W1に洗浄液を供給しつつ接触して、当該表面W1を洗浄する。 The sponge cleaning tool 212 cleans the surface W1 (protective tape P) of the wafer W. The sponge cleaning tool 212 has, for example, a sponge that extends longer than the diameter of the surface W1. A cleaning liquid, for example, pure water, is supplied to the sponge cleaning tool 212 by the cleaning liquid tank 230 shown in FIGS. 3 and 4. Then, in the sponge cleaning tool 212, the sponge contains a cleaning liquid, and the surface W1 of the wafer W is contacted with the cleaning liquid while being supplied to clean the surface W1.

洗浄液槽230は、洗浄機構210の下方に設けられている。洗浄液槽230には、洗浄液槽230の内部に洗浄液を供給する給液部231と、洗浄液槽230の内部の洗浄液を排出する排液部232とが接続されている。そして、給液部231から洗浄液を供給しつつ、排液部232から洗浄液を排出して、洗浄液槽230の内部には常時、洗浄液が貯留されている。なお、洗浄液槽230の上面から洗浄液をオーバーフローさせて、常時、洗浄液槽230の内部の洗浄液を排出させてもよい。 The cleaning liquid tank 230 is provided below the cleaning mechanism 210. The cleaning liquid tank 230 is connected to a liquid supply unit 231 that supplies the cleaning liquid to the inside of the cleaning liquid tank 230 and a drainage unit 232 that discharges the cleaning liquid inside the cleaning liquid tank 230. Then, while supplying the cleaning liquid from the liquid supply unit 231, the cleaning liquid is discharged from the drainage unit 232, and the cleaning liquid is always stored inside the cleaning liquid tank 230. The cleaning liquid may be overflowed from the upper surface of the cleaning liquid tank 230 to constantly discharge the cleaning liquid inside the cleaning liquid tank 230.

また、洗浄液槽230は、昇降機構233によって昇降自在に構成されている。なお、洗浄液槽230と回転体211(スポンジ洗浄具212)は相対的に昇降できればよく、回転体211を昇降自在に構成してもよいし、あるいは洗浄液槽230と回転体211の両方を昇降自在に構成してもよい。また、洗浄液槽230と回転体211のそれぞれを固定してもよい。かかる場合、洗浄液槽230に貯留された洗浄液により常に、回転体211に設けられた洗浄具212〜215を洗浄しながら、ウェハWや搬送パッド44の被処理体を洗浄することが可能となる。 Further, the cleaning liquid tank 230 is configured to be vertically movable by the elevating mechanism 233. The cleaning liquid tank 230 and the rotating body 211 (sponge cleaning tool 212) may be relatively movable, and the rotating body 211 may be configured to be able to move up and down, or both the cleaning liquid tank 230 and the rotating body 211 can be moved up and down. It may be configured as. Further, each of the cleaning liquid tank 230 and the rotating body 211 may be fixed. In such a case, it is possible to clean the wafer W and the object to be processed of the transport pad 44 while constantly cleaning the cleaning tools 212 to 215 provided on the rotating body 211 with the cleaning liquid stored in the cleaning liquid tank 230.

かかる場合、スポンジ洗浄具212でウェハWの表面W1を洗浄する際には、先ず、スポンジ洗浄具212を回転体211の下面に位置させた状態で洗浄液槽230を上昇させて、スポンジ洗浄具212を洗浄液に浸漬させる。これにより、スポンジ洗浄具212に洗浄液が供給される。その後、回転体211を回転させ、洗浄液を含んだスポンジ洗浄具212を回転体211の上面に配置した状態で、当該スポンジ洗浄具212をウェハWの表面W1に当接させる。この状態で搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、表面W1に洗浄液を供給しつつ、スポンジ洗浄具212を表面W1に当接させることで、表面W1の全面が洗浄される。 In such a case, when cleaning the surface W1 of the wafer W with the sponge cleaning tool 212, first, the cleaning liquid tank 230 is raised with the sponge cleaning tool 212 positioned on the lower surface of the rotating body 211, and the sponge cleaning tool 212 is used. Is immersed in the cleaning solution. As a result, the cleaning liquid is supplied to the sponge cleaning tool 212. After that, the rotating body 211 is rotated, and the sponge cleaning tool 212 containing the cleaning liquid is brought into contact with the surface W1 of the wafer W in a state of being arranged on the upper surface of the rotating body 211. In this state, the entire surface of the surface W1 is cleaned by bringing the sponge cleaning tool 212 into contact with the surface W1 while supplying the cleaning liquid to the surface W1 while rotating the wafer W by the transport pad 44.

エア洗浄具213は、スポンジ洗浄具212で洗浄されたウェハWの表面W1を乾燥させる。具体的には、図5に示すようにエア洗浄具213は、例えば表面W1にエアを噴射するノズル213aを有している。そして、回転体211を回転させ、エア洗浄具213を回転体211の上面に配置する。その後、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、エア洗浄具213のノズル213aから表面W1にエアを噴射することで、表面W1の全面が乾燥される。なお、図示の例では、ノズル213aは円形状を有していたが、ノズル213aの形状はこれに限定されない。例えばノズルは、エア洗浄具213の長手方向(X軸方向)に延伸するスリット形状を有していてもよい。 The air cleaning tool 213 dries the surface W1 of the wafer W cleaned by the sponge cleaning tool 212. Specifically, as shown in FIG. 5, the air cleaning tool 213 has, for example, a nozzle 213a that injects air onto the surface W1. Then, the rotating body 211 is rotated, and the air cleaning tool 213 is arranged on the upper surface of the rotating body 211. After that, the entire surface of the surface W1 is dried by injecting air from the nozzle 213a of the air cleaning tool 213 onto the surface W1 while rotating the wafer W by the transport pad 44. In the illustrated example, the nozzle 213a has a circular shape, but the shape of the nozzle 213a is not limited to this. For example, the nozzle may have a slit shape extending in the longitudinal direction (X-axis direction) of the air cleaner 213.

ストーン洗浄具214は、搬送パッド44の保持面44aを洗浄する。ストーン洗浄具214は、例えば保持面44aの径よりも長く延伸する砥石を有している。そして、回転体211を回転させ、ストーン洗浄具214を回転体211の上面に配置する。その後、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、ストーン洗浄具214を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。 The stone cleaning tool 214 cleans the holding surface 44a of the transport pad 44. The stone washer 214 has, for example, a grindstone that extends longer than the diameter of the holding surface 44a. Then, the rotating body 211 is rotated, and the stone cleaning tool 214 is arranged on the upper surface of the rotating body 211. After that, the entire surface of the holding surface 44a is cleaned by bringing the stone cleaning tool 214 into contact with the holding surface 44a while rotating the wafer W by the transport pad 44.

ブラシ洗浄具215は、搬送パッド44の保持面44aを洗浄する。ブラシ洗浄具215は、例えば保持面44aの径よりも長く延伸するブラシを有している。そして、回転体211を回転させ、ブラシ洗浄具215を回転体211の上面に配置する。その後、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、ブラシ洗浄具215を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。 The brush cleaning tool 215 cleans the holding surface 44a of the transport pad 44. The brush cleaning tool 215 has, for example, a brush that extends longer than the diameter of the holding surface 44a. Then, the rotating body 211 is rotated, and the brush cleaning tool 215 is arranged on the upper surface of the rotating body 211. After that, the entire surface of the holding surface 44a is cleaned by bringing the brush cleaning tool 215 into contact with the holding surface 44a while rotating the wafer W by the transport pad 44.

<ウェハ処理>
次に、以上のように構成された基板処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。
<Wafer processing>
Next, the wafer processing performed by using the substrate processing system 1 configured as described above will be described.

先ず、複数のウェハWを収納したカセットCが、搬入ステーション2のカセット載置台10に載置される。カセットC内には、保護テープが変形するのを抑制するため、当該保護テープが貼り付けられたウェハWの表面が上側を向くようにウェハWが収納されている。 First, the cassette C containing the plurality of wafers W is placed on the cassette mounting table 10 of the carry-in station 2. In order to prevent the protective tape from being deformed, the wafer W is housed in the cassette C so that the surface of the wafer W to which the protective tape is attached faces upward.

次に、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりカセットC内のウェハWが取り出され、加工装置4に搬送される。この際、搬送フォーク113によりウェハWの裏面が上側に向くように、表裏面が反転される。 Next, the wafer W in the cassette C is taken out by the transfer fork 113 of the wafer transfer device 112 and transferred to the processing device 4. At this time, the front and back surfaces are inverted so that the back surface of the wafer W faces upward by the transport fork 113.

加工装置4に搬送されたウェハWは、アライメントユニット50に受け渡される。そして、アライメントユニット50において、ウェハWの水平方向の向きが調節される(図6のステップS1)。 The wafer W conveyed to the processing apparatus 4 is delivered to the alignment unit 50. Then, in the alignment unit 50, the horizontal orientation of the wafer W is adjusted (step S1 in FIG. 6).

次に、ウェハWは搬送ユニット40により、アライメントユニット50から受渡位置A0に搬送され、当該受渡位置A0のチャック31に受け渡される。チャック31では、ウェハWの表面W1が保持される。その後、チャック31を第1の加工位置A1に移動させる。そして、粗研削ユニット80によって、ウェハWの裏面W2が粗研削される(図6のステップS2)。 Next, the wafer W is conveyed from the alignment unit 50 to the delivery position A0 by the transfer unit 40, and is delivered to the chuck 31 at the delivery position A0. The chuck 31 holds the surface W1 of the wafer W. After that, the chuck 31 is moved to the first processing position A1. Then, the back surface W2 of the wafer W is roughly ground by the rough grinding unit 80 (step S2 in FIG. 6).

次に、チャック31を第2の加工位置A2に移動させる。そして、中研削ユニット90によって、ウェハWの裏面W2が中研削される(図6のステップS3)。 Next, the chuck 31 is moved to the second processing position A2. Then, the back surface W2 of the wafer W is medium-ground by the medium-grinding unit 90 (step S3 in FIG. 6).

次に、チャック31を第3の加工位置A3に移動させる。そして、仕上研削ユニット100によって、ウェハWの裏面W2が仕上研削される(図6のステップS4)。 Next, the chuck 31 is moved to the third processing position A3. Then, the back surface W2 of the wafer W is finish-ground by the finish grinding unit 100 (step S4 in FIG. 6).

次に、チャック31を受渡位置A0に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって粗洗浄される(図6のステップS5)。このステップS6では、裏面W2の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。 Next, the chuck 31 is moved to the delivery position A0. Here, the back surface W2 of the wafer W is roughly cleaned by the cleaning liquid using a cleaning liquid nozzle (not shown) (step S5 in FIG. 6). In this step S6, cleaning is performed to remove dirt on the back surface W2 to some extent.

次に、ウェハWは搬送ユニット40により、受渡位置A0から第2の洗浄ユニット70に搬送される。第2の洗浄ユニット70では、先ず、図7(a)に示すようにスポンジ洗浄具212を回転体211の下面に位置させた状態で洗浄液槽230を上昇させて、スポンジ洗浄具212を洗浄液Lに浸漬させる。これにより、スポンジ洗浄具212に洗浄液Lが供給される。その後、図7(b)に示すように回転体211を回転させ、洗浄液Lを含んだスポンジ洗浄具212を回転体211の上面に配置した状態、すなわちスポンジ洗浄具212をウェハWの表面W1に対向配置した状態で、当該スポンジ洗浄具212を表面W1に当接させる。そして、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、表面W1に洗浄液を供給しつつ、スポンジ洗浄具212を表面W1に当接させることで、表面W1(保護テープP)の全面が洗浄される(図6のステップS6)。 Next, the wafer W is conveyed from the delivery position A0 to the second cleaning unit 70 by the transfer unit 40. In the second cleaning unit 70, first, as shown in FIG. 7A, the cleaning liquid tank 230 is raised with the sponge cleaning tool 212 positioned on the lower surface of the rotating body 211, and the sponge cleaning tool 212 is cleaned with the cleaning liquid L. Immerse in. As a result, the cleaning liquid L is supplied to the sponge cleaning tool 212. After that, as shown in FIG. 7B, the rotating body 211 is rotated, and the sponge cleaning tool 212 containing the cleaning liquid L is arranged on the upper surface of the rotating body 211, that is, the sponge cleaning tool 212 is placed on the surface W1 of the wafer W. The sponge cleaning tool 212 is brought into contact with the surface W1 in a state of facing each other. Then, the entire surface of the surface W1 (protective tape P) is cleaned by bringing the sponge cleaning tool 212 into contact with the surface W1 while supplying the cleaning liquid to the surface W1 while rotating the wafer W by the transport pad 44. Step S6 in FIG.

その後、図7(c)に示すように回転体211を回転させ、エア洗浄具213を回転体211の上面に配置するとともに、搬送パッド44によりウェハWを上昇させる。そして、エア洗浄具213をウェハWの表面W1に対向配置した状態で、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、エア洗浄具213から表面W1にエアを噴射することで、表面W1の全面が乾燥される(図6のステップS7)。 After that, as shown in FIG. 7C, the rotating body 211 is rotated, the air cleaning tool 213 is arranged on the upper surface of the rotating body 211, and the wafer W is raised by the transport pad 44. Then, in a state where the air cleaning tool 213 is arranged to face the surface W1 of the wafer W, air is injected from the air cleaning tool 213 to the surface W1 while rotating the wafer W by the transport pad 44, so that the entire surface of the surface W1 is covered. It is dried (step S7 in FIG. 6).

これらステップS6、S7においてウェハWが搬送パッド44に保持される前に、搬送パッド44は、第2の洗浄ユニット70のストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215を用いて洗浄されている(図6のステップT1)。具体的には、図8(a)に示すようにストーン洗浄具214を回転体211の上面に配置した状態、すなわちストーン洗浄具214を搬送パッド44の保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、ストーン洗浄具214を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。また、図8(b)に示すようにブラシ洗浄具215を回転体211の上面に配置した状態、すなわちブラシ洗浄具215を保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、ブラシ洗浄具215を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。 Before the wafer W is held by the transfer pad 44 in steps S6 and S7, the transfer pad 44 is cleaned by using the stone cleaning tool 214 and the brush cleaning tool 215 of the second cleaning unit 70 (FIG. 6). Step T1). Specifically, as shown in FIG. 8A, the stone cleaning tool 214 is arranged on the upper surface of the rotating body 211, that is, the stone cleaning tool 214 is arranged facing the holding surface 44a of the conveying pad 44, and is conveyed. The entire surface of the holding surface 44a is cleaned by bringing the stone cleaning tool 214 into contact with the holding surface 44a while rotating the wafer W by the pad 44. Further, as shown in FIG. 8B, the wafer W is rotated by the transport pad 44 in a state where the brush cleaning tool 215 is arranged on the upper surface of the rotating body 211, that is, in a state where the brush cleaning tool 215 is arranged facing the holding surface 44a. By bringing the brush cleaning tool 215 into contact with the holding surface 44a, the entire surface of the holding surface 44a is cleaned.

なお、搬送パッド44の洗浄は、ストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215のいずれか一方で行われてもよいし、あるいは両方で行われてもよい。また、搬送パッド44の洗浄は、ステップS6までの任意のタイミングで行われる。 The transport pad 44 may be cleaned by either one of the stone cleaning tool 214 and the brush cleaning tool 215, or both of them. Further, the washing of the transport pad 44 is performed at an arbitrary timing up to step S6.

次に、ウェハWは搬送ユニット40により、第2の洗浄ユニット70から第1の洗浄ユニット60に搬送される。そして、第1の洗浄ユニット60では、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって仕上洗浄される(図6のステップS8)。このステップS8では、裏面W2が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。 Next, the wafer W is transferred from the second cleaning unit 70 to the first cleaning unit 60 by the transfer unit 40. Then, in the first cleaning unit 60, the back surface W2 of the wafer W is finished and cleaned with the cleaning liquid using a cleaning liquid nozzle (not shown) (step S8 in FIG. 6). In this step S8, the back surface W2 is washed and dried to a desired cleanliness.

その後、ウェハWはウェハ搬送装置112によって、第1の洗浄ユニット60から後処理装置5に搬送される。そして、後処理装置5では、ウェハWをダイシングフレームに保持するマウント処理や、ウェハWに貼り付けられた保護テープPを剥離する剥離処理などの後処理が行われる(図6のステップS9)。 After that, the wafer W is transferred from the first cleaning unit 60 to the aftertreatment device 5 by the wafer transfer device 112. Then, the post-processing device 5 performs post-processing such as a mounting process for holding the wafer W on the dicing frame and a peeling process for peeling off the protective tape P attached to the wafer W (step S9 in FIG. 6).

その後、すべての処理が施されたウェハWは、搬出ステーション3のカセット載置台20のカセットCに搬送される。こうして、基板処理システム1における一連のウェハ処理が終了する。 After that, the wafer W that has been subjected to all the processing is conveyed to the cassette C of the cassette mounting table 20 of the unloading station 3. In this way, a series of wafer processing in the substrate processing system 1 is completed.

以上の実施形態のとおり、第2の洗浄ユニット70では、ウェハWの表面W1と搬送パッド44の保持面44aを洗浄するに際し、複数の洗浄具212〜215が必要になる。かかる場合であっても、本実施形態の洗浄機構210のように、複数の洗浄具212〜215が回転体211の表面に取り付けられているので、第2の洗浄ユニット70の省スペース化を実現することができる。しかも、回転体211を回転させるだけで、適切な洗浄具212〜215を選択することができ、ウェハWの表面W1又は搬送パッド44の保持面44aを適切に洗浄することができる。 As described above, in the second cleaning unit 70, a plurality of cleaning tools 212 to 215 are required to clean the surface W1 of the wafer W and the holding surface 44a of the transport pad 44. Even in such a case, since a plurality of cleaning tools 212 to 215 are attached to the surface of the rotating body 211 as in the cleaning mechanism 210 of the present embodiment, space saving of the second cleaning unit 70 is realized. can do. Moreover, an appropriate cleaning tool 212 to 215 can be selected simply by rotating the rotating body 211, and the surface W1 of the wafer W or the holding surface 44a of the transport pad 44 can be appropriately cleaned.

また、本実施形態のように第2の洗浄ユニット70において、洗浄機構210は搬入出口201からX軸方向に延伸するように配置されている。ここで、例えば4つの洗浄具212〜215を平面視において並べて配置した場合、第2の洗浄ユニット70の占有面積は大きくなるが、本実施形態によれば、第2の洗浄ユニット70の占有面積を小さくすることができる。なお、洗浄機構210はY軸方向に延伸して配置されていてもよい。 Further, in the second cleaning unit 70 as in the present embodiment, the cleaning mechanism 210 is arranged so as to extend in the X-axis direction from the carry-in outlet 201. Here, for example, when four cleaning tools 212 to 215 are arranged side by side in a plan view, the occupied area of the second cleaning unit 70 becomes large, but according to the present embodiment, the occupied area of the second cleaning unit 70 is large. Can be made smaller. The cleaning mechanism 210 may be arranged so as to extend in the Y-axis direction.

<第2の実施形態>
以上の実施形態において、第2の洗浄ユニット70の構成は上述に限定されるものではない。
<Second embodiment>
In the above embodiment, the configuration of the second cleaning unit 70 is not limited to the above.

以上の実施形態の洗浄機構210において、回転体211は直方体形状を有していたが、回転体211の形状はこれに限定されない。例えば回転体211は三角柱形状を有し、回転体211の表面にはスポンジ洗浄具212、ストーン洗浄具214、及びブラシ洗浄具215が設けられていてもよい。かかる場合、図9に示すようにエア洗浄具213は、洗浄機構210の搬入出口201側において、Y軸方向に延伸するように配置される。そして、搬送パッド44に保持されたウェハWがエア洗浄具213を通過する際に、エア洗浄具213から表面W1にエアが噴射され、当該表面W1が乾燥される。 In the cleaning mechanism 210 of the above embodiment, the rotating body 211 has a rectangular parallelepiped shape, but the shape of the rotating body 211 is not limited to this. For example, the rotating body 211 has a triangular prism shape, and a sponge cleaning tool 212, a stone cleaning tool 214, and a brush cleaning tool 215 may be provided on the surface of the rotating body 211. In such a case, as shown in FIG. 9, the air cleaning tool 213 is arranged so as to extend in the Y-axis direction on the carry-in / outlet 201 side of the cleaning mechanism 210. Then, when the wafer W held by the transport pad 44 passes through the air cleaning tool 213, air is ejected from the air cleaning tool 213 to the surface W1 to dry the surface W1.

なお、エア洗浄具213は、Y軸方向に延伸する形状ではなく、例えばエアを噴射する単一のノズルであってもよい。かかる場合、エア洗浄具213のノズルは移動機構(図示せず)によってY軸方向に移動自在であるのが好ましい。そして、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、エア洗浄具213のノズルから表面W1にエアが噴射され、当該表面W1が乾燥される。 The air cleaning tool 213 may not have a shape extending in the Y-axis direction, but may be, for example, a single nozzle for injecting air. In such a case, it is preferable that the nozzle of the air cleaner 213 is movable in the Y-axis direction by a moving mechanism (not shown). Then, while rotating the wafer W by the transport pad 44, air is ejected from the nozzle of the air cleaning tool 213 to the surface W1 to dry the surface W1.

また、回転体211は、側面形状が五角形以上の、多角柱形状を有していてもよい。かかる場合、回転体211の側面には、4つの洗浄具212〜215の他、例えばウェハWの裏面W2を洗浄する洗浄具を設けてもよい。 Further, the rotating body 211 may have a polygonal prism shape having a pentagonal or larger side surface shape. In such a case, in addition to the four cleaning tools 212 to 215, a cleaning tool for cleaning the back surface W2 of the wafer W may be provided on the side surface of the rotating body 211.

以上の実施形態の洗浄機構210において、回転体211及び洗浄具212〜215はそれぞれ、搬送パッド44の保持面44aの径(ウェハWの表面W1の径)よりも長く延伸していたが、洗浄具212〜215の軸方向の長さはこれに限定されない。上述したようにステップS6、S7において、ウェハWの表面W1の洗浄は、ウェハWを回転させながら行われる。このため、スポンジ洗浄具212とエア洗浄具213はそれぞれ、少なくとも表面W1の径の半分以上であれば、当該表面W1の全面を洗浄し、乾燥させることができる。同様に、ステップT1において、搬送パッド44の保持面44aの洗浄も、搬送パッド44を回転させながら行われるため、ストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215はそれぞれ、少なくとも保持面44aの径の半分以上であれば、当該保持面44aの全面を洗浄することができる。 In the cleaning mechanism 210 of the above embodiment, the rotating body 211 and the cleaning tools 212 to 215 are each extended longer than the diameter of the holding surface 44a of the transport pad 44 (the diameter of the surface W1 of the wafer W), but cleaning is performed. The axial length of the tools 212 to 215 is not limited to this. As described above, in steps S6 and S7, the cleaning of the surface W1 of the wafer W is performed while rotating the wafer W. Therefore, if the sponge cleaning tool 212 and the air cleaning tool 213 are at least half the diameter of the surface W1, the entire surface of the surface W1 can be cleaned and dried. Similarly, in step T1, the holding surface 44a of the transport pad 44 is also cleaned while rotating the transport pad 44, so that the stone cleaning tool 214 and the brush cleaning tool 215 are each at least half the diameter of the holding surface 44a or more. If so, the entire surface of the holding surface 44a can be cleaned.

以上の実施形態では、ウェハWの表面W1と搬送パッド44の保持面44aを洗浄する際、搬送パッド44を鉛直軸回りに回転させていたが、搬送パッド44と洗浄機構210は相対的に回転すればよい。例えば回転機構(図示せず)によって洗浄機構210を鉛直軸回りに回転させてもよいし、あるいは搬送パッド44と洗浄機構210の両方を鉛直軸回りに回転させてもよい。 In the above embodiment, when cleaning the surface W1 of the wafer W and the holding surface 44a of the transport pad 44, the transport pad 44 is rotated around the vertical axis, but the transport pad 44 and the cleaning mechanism 210 rotate relatively. do it. For example, the cleaning mechanism 210 may be rotated about the vertical axis by a rotation mechanism (not shown), or both the transport pad 44 and the cleaning mechanism 210 may be rotated about the vertical axis.

以上の実施形態では、洗浄液槽230からスポンジ洗浄具212に洗浄液を供給していたが、スポンジ洗浄具212への洗浄液の供給方法はこれに限定されない。例えば、スポンジ洗浄具212は洗浄液ノズル(図示せず)を内蔵し、当該洗浄液ノズルからスポンジ洗浄具212のスポンジに洗浄液を供給してもよい。 In the above embodiment, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid tank 230 to the sponge cleaning tool 212, but the method of supplying the cleaning liquid to the sponge cleaning tool 212 is not limited to this. For example, the sponge cleaning tool 212 may have a built-in cleaning liquid nozzle (not shown), and the cleaning liquid may be supplied from the cleaning liquid nozzle to the sponge of the sponge cleaning tool 212.

また、以上の実施形態では、ウェハWの表面W1にはデバイスを保護するために保護テープPが貼り付けられていたが、デバイスの保護材はこれに限定されない。例えばウェハWの表面W1には、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本発明を適用することができる。 Further, in the above embodiment, the protective tape P is attached to the surface W1 of the wafer W in order to protect the device, but the protective material for the device is not limited to this. For example, a support substrate such as a support wafer or a glass substrate may be bonded to the surface W1 of the wafer W, and the present invention can be applied even in such a case.

<第3の実施形態>
なお、以上の実施形態の洗浄機構210において、洗浄具212〜215はそれぞれ回転体211の側面に設けられたが、洗浄機構210の構成はこれに限定されない。
<Third embodiment>
In the cleaning mechanism 210 of the above embodiment, the cleaning tools 212 to 215 are provided on the side surfaces of the rotating body 211, respectively, but the configuration of the cleaning mechanism 210 is not limited to this.

図10に示すように第3の実施形態によれば、洗浄機構210には、ワーク乾燥ツール300、チャック洗浄ツール301及びワーク洗浄ツール302がY軸方向にこの順で並べて配置されている。 As shown in FIG. 10, according to the third embodiment, the work drying tool 300, the chuck cleaning tool 301, and the work cleaning tool 302 are arranged side by side in this order in the Y-axis direction in the cleaning mechanism 210.

ワーク乾燥ツール300には、ウェハWの表面W1にエアを噴射して、当該表面W1を乾燥するエア洗浄具213が設けられている。また、ワーク乾燥ツール300は、移動機構303により第2の洗浄ユニット70の内部において、X軸方向に移動自在に構成されている。 The work drying tool 300 is provided with an air cleaning tool 213 that injects air onto the surface W1 of the wafer W to dry the surface W1. Further, the work drying tool 300 is configured to be movable in the X-axis direction inside the second cleaning unit 70 by the moving mechanism 303.

チャック洗浄ツール301には回転体211が設けられ、当該回転体211の表面には、少なくともストーン洗浄具214及びブラシ洗浄具215が設けられている。なお、ストーン洗浄具214及びブラシ洗浄具215は、例えば、それぞれX軸方向において保持面44aの径よりも長く延伸する砥石及びブラシを有している。 The chuck cleaning tool 301 is provided with a rotating body 211, and at least a stone cleaning tool 214 and a brush cleaning tool 215 are provided on the surface of the rotating body 211. The stone cleaning tool 214 and the brush cleaning tool 215 each have a grindstone and a brush that extend longer than the diameter of the holding surface 44a in the X-axis direction, respectively.

ワーク洗浄ツール302には、スポンジ洗浄具212、スポンジ洗浄ノズル304及びスポンジ洗浄ローラー305が設けられている。また、スポンジ洗浄具212はアクチュエータ(図示せず)を内蔵する回転機構(図示せず)に取り付けられており、シャフト(図示せず)を介して回転自在に構成されている。また更に、ワーク洗浄ツール302は、昇降機構(図示せず)によって昇降自在に構成され、ウェハWの表面W1を洗浄する際にチャック洗浄ツール301の上端部よりも上方に突出するように制御される。なお、スポンジ洗浄具212は、例えばX軸方向においてウェハWの表面W1の径よりも長く延伸するスポンジを有している。 The work cleaning tool 302 is provided with a sponge cleaning tool 212, a sponge cleaning nozzle 304, and a sponge cleaning roller 305. Further, the sponge cleaning tool 212 is attached to a rotation mechanism (not shown) incorporating an actuator (not shown), and is configured to be rotatable via a shaft (not shown). Further, the work cleaning tool 302 is configured to be vertically movable by an elevating mechanism (not shown), and is controlled so as to project upward from the upper end portion of the chuck cleaning tool 301 when cleaning the surface W1 of the wafer W. Ru. The sponge cleaning tool 212 has, for example, a sponge that extends longer than the diameter of the surface W1 of the wafer W in the X-axis direction.

次に、第3の実施形態にかかる洗浄機構210を用いた、被処理体としてのウェハWの表面W1及び搬送パッド44の保持面44aの洗浄方法について説明する。 Next, a method of cleaning the surface W1 of the wafer W as the object to be processed and the holding surface 44a of the transport pad 44 using the cleaning mechanism 210 according to the third embodiment will be described.

ウェハWの表面W1に洗浄にあたっては、先ずスポンジ洗浄ノズル304からスポンジ洗浄具212に洗浄液L(例えば純水等)を供給する。その後、図11(a)に示すようにスポンジ洗浄具212及びスポンジ洗浄ローラー305を回転させた状態でワーク洗浄ツール302を昇降機構によって上昇させ、洗浄液Lを含んだスポンジ洗浄具212をウェハWの表面W1に当接させる。そして、搬送パッド44によりウェハWをY軸方向に移動させながらスポンジ洗浄具212を表面W1に当接させることで、表面W1(保護テープP)の全面が洗浄される。 When cleaning the surface W1 of the wafer W, first, the cleaning liquid L (for example, pure water) is supplied from the sponge cleaning nozzle 304 to the sponge cleaning tool 212. After that, as shown in FIG. 11A, the work cleaning tool 302 is raised by the elevating mechanism while the sponge cleaning tool 212 and the sponge cleaning roller 305 are rotated, and the sponge cleaning tool 212 containing the cleaning liquid L is placed on the wafer W. It is brought into contact with the surface W1. Then, the entire surface of the surface W1 (protective tape P) is cleaned by bringing the sponge cleaning tool 212 into contact with the surface W1 while moving the wafer W in the Y-axis direction by the transport pad 44.

この際、スポンジ洗浄具212は洗浄液Lを含んでいるため、ウェハWの表面W1の汚れを適切に除去することができる。また、スポンジ洗浄具212によって除去された汚れは、スポンジ洗浄ローラー305により適切にスポンジ洗浄具212から除去される。 At this time, since the sponge cleaning tool 212 contains the cleaning liquid L, dirt on the surface W1 of the wafer W can be appropriately removed. Further, the dirt removed by the sponge cleaning tool 212 is appropriately removed from the sponge cleaning tool 212 by the sponge cleaning roller 305.

なお、かかる表面W1の洗浄にあたっては、ウェハWは搬送パッド44により回転されていてもよい。 In cleaning the surface W1, the wafer W may be rotated by the transport pad 44.

その後、図11(b)に示すように搬送パッド44によりウェハWをワーク乾燥ツール300の上方に移動させる。そして、図11(c)に示すようにエア洗浄具213をウェハWの表面W1に対向配置した状態で、搬送パッド44によりウェハWを回転させながら、エア洗浄具213から表面W1にエアを噴射した状態で、エア洗浄具213をX軸方向に移動させることで、表面W1(保護テープP)の全面が乾燥される。 After that, as shown in FIG. 11B, the wafer W is moved above the work drying tool 300 by the transport pad 44. Then, as shown in FIG. 11C, with the air cleaning tool 213 arranged facing the surface W1 of the wafer W, air is injected from the air cleaning tool 213 to the surface W1 while rotating the wafer W by the transport pad 44. By moving the air cleaning tool 213 in the X-axis direction in this state, the entire surface W1 (protective tape P) is dried.

これらウェハWの表面W1(保護テープP)の洗浄においてウェハWが搬送パッド44に保持される前に、搬送パッド44は、チャック洗浄ツール301を用いて洗浄されている。具体的には、図12(a)に示すようにストーン洗浄具214を回転体211の上面に配置した状態、すなわちストーン洗浄具214を搬送パッド44の保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44を回転させながら、ストーン洗浄具214を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。また、図12(b)に示すようにブラシ洗浄具215を回転体211の上面に配置した状態、すなわちブラシ洗浄具215を保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44を回転させながら、ブラシ洗浄具215を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。 In cleaning the surface W1 (protective tape P) of the wafer W, the transfer pad 44 is cleaned using the chuck cleaning tool 301 before the wafer W is held by the transfer pad 44. Specifically, as shown in FIG. 12A, the stone cleaning tool 214 is arranged on the upper surface of the rotating body 211, that is, the stone cleaning tool 214 is arranged to face the holding surface 44a of the conveying pad 44, and is conveyed. By bringing the stone cleaning tool 214 into contact with the holding surface 44a while rotating the pad 44, the entire surface of the holding surface 44a is cleaned. Further, as shown in FIG. 12B, with the brush cleaning tool 215 arranged on the upper surface of the rotating body 211, that is, with the brush cleaning tool 215 arranged facing the holding surface 44a, while rotating the transport pad 44, By bringing the brush cleaning tool 215 into contact with the holding surface 44a, the entire surface of the holding surface 44a is cleaned.

なお、搬送パッド44の洗浄にあたっては、搬送パッド44の保持面44aに接続された洗浄液供給ライン(図示せず)から洗浄液(例えば純水等)が供給されてもよい。洗浄液供給ラインは、例えば搬送パッド44の内部においてウェハWの吸着ラインと切り替え可能に接続され、搬送パッド44の洗浄に際して、吸着ラインから切り替えられる。このように、搬送パッド44に洗浄液が供給されることにより、搬送パッド44の保持面44aの汚れを適切に除去することができる。 When cleaning the transport pad 44, a cleaning liquid (for example, pure water) may be supplied from a cleaning liquid supply line (not shown) connected to the holding surface 44a of the transport pad 44. The cleaning liquid supply line is switchably connected to, for example, the suction line of the wafer W inside the transport pad 44, and is switched from the suction line when cleaning the transport pad 44. By supplying the cleaning liquid to the transport pad 44 in this way, dirt on the holding surface 44a of the transport pad 44 can be appropriately removed.

なお、搬送パッド44の洗浄は、ストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215のいずれか一方で行われてもよいし、あるいは両方で行われてもよい。また、搬送パッド44の洗浄は、ウェハWの表面W1の洗浄までの任意のタイミングで行われる。 The transport pad 44 may be cleaned by either one of the stone cleaning tool 214 and the brush cleaning tool 215, or both of them. Further, the transfer pad 44 is washed at an arbitrary timing until the surface W1 of the wafer W is washed.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to such examples. It is clear that a person skilled in the art can come up with various modifications or modifications within the scope of the technical ideas described in the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. It is understood that it belongs.

1 基板処理システム
2 搬入ステーション
3 搬出ステーション
4 加工装置
5 後処理装置
6 搬送ステーション
40 搬送ユニット
44 搬送パッド
44a 保持面
70 第2の洗浄ユニット
120 制御部
210 洗浄機構
211 回転体
212 スポンジ洗浄具
213 エア洗浄具
214 ストーン洗浄具
215 ブラシ洗浄具
220 回転機構
230 洗浄液槽
300 ワーク乾燥ツール
301 チャック洗浄ツール
302 ワーク洗浄ツール
L 洗浄液
P 保護テープ
W ウェハ
W1 表面
W2 裏面
1 Substrate processing system 2 Carry-in station 3 Carry-out station 4 Processing equipment 5 Post-treatment equipment 6 Conveyance station 40 Conveyance unit 44 Conveyance pad 44a Holding surface 70 Second cleaning unit 120 Control unit 210 Cleaning mechanism 211 Rotating body 212 Sponge cleaning tool 213 Air Cleaning tool 214 Stone cleaning tool 215 Brush cleaning tool 220 Rotating mechanism 230 Cleaning liquid tank 300 Work drying tool 301 Chuck cleaning tool 302 Work cleaning tool L Cleaning liquid P Protective tape W Wafer W1 Front surface W2 Back surface

図5に示すように洗浄機構210は、回転体211の表面に複数、例えば4つの洗浄具212〜215が取り付けられた構成を有している。回転体211は、ウェハWの表面W1の径方向(X軸方向)であって搬送パッド44の保持面44aの径方向(X軸方向)を中心軸として回転する。また、回転体211は、例えば直方体形状を有している。
As shown in FIG. 5 , the cleaning mechanism 210 has a configuration in which a plurality of, for example, four cleaning tools 212 to 215 are attached to the surface of the rotating body 211. The rotating body 211 rotates about the radial direction (X-axis direction) of the surface W1 of the wafer W and the radial direction (X-axis direction) of the holding surface 44a of the transport pad 44 as the central axis. Further, the rotating body 211 has, for example, a rectangular parallelepiped shape.

次に、チャック31を受渡位置A0に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって粗洗浄される(図6のステップS5)。このステップS5では、裏面W2の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
Next, the chuck 31 is moved to the delivery position A0. Here, the back surface W2 of the wafer W is roughly cleaned by the cleaning liquid using a cleaning liquid nozzle (not shown) (step S5 in FIG. 6). In this step S5 , cleaning is performed to remove dirt on the back surface W2 to some extent.

これらステップS6、S7においてウェハWが搬送パッド44に保持される前に、搬送パッド44は、第2の洗浄ユニット70のストーン洗浄具214とブラシ洗浄具215を用いて洗浄されている(図6のステップT1)。具体的には、図8(a)に示すようにストーン洗浄具214を回転体211の上面に配置した状態、すなわちストーン洗浄具214を搬送パッド44の保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44を回転させながら、ストーン洗浄具214を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。また、図8(b)に示すようにブラシ洗浄具215を回転体211の上面に配置した状態、すなわちブラシ洗浄具215を保持面44aに対向配置した状態で、搬送パッド44を回転させながら、ブラシ洗浄具215を保持面44aに当接させることで、保持面44aの全面が洗浄される。
Before the wafer W is held by the transfer pad 44 in steps S6 and S7, the transfer pad 44 is cleaned by using the stone cleaning tool 214 and the brush cleaning tool 215 of the second cleaning unit 70 (FIG. 6). Step T1). Specifically, as shown in FIG. 8A, the stone cleaning tool 214 is arranged on the upper surface of the rotating body 211, that is, the stone cleaning tool 214 is arranged to face the holding surface 44a of the conveying pad 44, and is conveyed. while rotating the pad 4 4, that is brought into contact with the holding surface 44a of the stone cleaner 214, the entire surface of the holding surface 44a is cleaned. The state of arranging the brush cleaner 215 as shown in FIG. 8 (b) on the upper surface of the rotary member 211, i.e., in a state of facing the holding surface 44a of the brush cleaner 215, while rotating the conveying pad 4 4 By bringing the brush cleaning tool 215 into contact with the holding surface 44a, the entire surface of the holding surface 44a is cleaned.

Claims (15)

被処理体を洗浄する洗浄装置であって、
前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、
前記回転体に設けられ、前記洗浄面を洗浄する複数の洗浄具と、を有し、
前記複数の洗浄具は、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置されている。
A cleaning device that cleans the object to be processed.
A rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed, and
It has a plurality of cleaning tools provided on the rotating body and for cleaning the cleaning surface.
The plurality of cleaning tools extend axially on the surface of the rotating body and are arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body.
請求項1に記載の洗浄装置において、
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を含み、
前記洗浄面は、前記基板の表面に設けられた前記保護材であり、
前記複数の洗浄具は、前記洗浄面に洗浄液を供給しつつ当接して、当該洗浄面を洗浄する基板洗浄具を含む。
In the cleaning device according to claim 1,
The object to be treated includes a substrate provided with a protective material on the surface thereof.
The cleaning surface is the protective material provided on the surface of the substrate.
The plurality of cleaning tools include a substrate cleaning tool that cleans the cleaning surface by abutting the cleaning surface while supplying the cleaning liquid.
請求項2に記載の洗浄装置において、
前記複数の洗浄具は、前記洗浄面に気体を供給して、当該洗浄面を乾燥させる基板乾燥具を含む。
In the cleaning device according to claim 2,
The plurality of cleaning tools include a substrate dryer that supplies a gas to the cleaning surface to dry the cleaning surface.
請求項2に記載の洗浄装置において、
前記洗浄液を貯留し、前記基板洗浄具に当該洗浄液を供給する洗浄液槽をさらに有する。
In the cleaning device according to claim 2,
It further has a cleaning liquid tank for storing the cleaning liquid and supplying the cleaning liquid to the substrate cleaning tool.
請求項1に記載の洗浄装置において、
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を保持して搬送する搬送パッドを含み、
前記洗浄面は、前記搬送パッドの前記基板の保持面であり、
前記複数の洗浄具は、前記洗浄面に当接して当該洗浄面を洗浄するパッド洗浄具を含む。
In the cleaning device according to claim 1,
The object to be processed includes a transport pad that holds and transports a substrate provided with a protective material on its surface.
The cleaning surface is a holding surface of the substrate of the transport pad.
The plurality of cleaning tools include a pad cleaning tool that comes into contact with the cleaning surface to clean the cleaning surface.
請求項5に記載の洗浄装置において、
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を含み、
前記洗浄面は、第2の洗浄面としての前記基板の表面に設けられた前記保護材を含み、
前記洗浄装置は、
前記回転体とは独立して設けられ、洗浄液を含んだ状態で前記第2の洗浄面に当接して、当該第2の洗浄面を洗浄する基板洗浄具と、
前記回転体とは独立して設けられ、前記第2の洗浄面に気体を供給して、当該第2の洗浄面を乾燥させる基板乾燥具を有する。
In the cleaning apparatus according to claim 5,
The object to be treated includes a substrate provided with a protective material on the surface thereof.
The cleaning surface includes the protective material provided on the surface of the substrate as a second cleaning surface.
The cleaning device
A substrate cleaning tool that is provided independently of the rotating body and that comes into contact with the second cleaning surface in a state of containing a cleaning liquid to clean the second cleaning surface.
It is provided independently of the rotating body, and has a substrate dryer that supplies gas to the second cleaning surface to dry the second cleaning surface.
請求項1に記載の洗浄装置において、
前記洗浄具は、少なくとも前記洗浄面の径方向の半分以上の長さで、前記回転体の表面において軸方向に延伸する。
In the cleaning device according to claim 1,
The cleaning tool extends axially on the surface of the rotating body with a length of at least half the radial direction of the cleaning surface.
請求項1に記載の洗浄装置において、
前記被処理体と前記洗浄具は、前記洗浄面と直交する方向を中心軸として相対的に回転する。
In the cleaning device according to claim 1,
The object to be processed and the cleaning tool rotate relatively with respect to a direction orthogonal to the cleaning surface as a central axis.
被処理体を洗浄する洗浄方法であって、
前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置された複数の洗浄具とを備えた洗浄装置を用い、
前記被処理体に応じて前記複数の洗浄具のうち一の洗浄具を選択し、
前記回転体を回転させて前記洗浄面に前記一の洗浄具を対向配置し、当該一の洗浄具を用いて前記洗浄面を洗浄する。
A cleaning method for cleaning the object to be processed.
A rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed as a central axis, and a plurality of cleaning tools that extend in the axial direction on the surface of the rotating body and are arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body. Using the equipped cleaning device
One of the plurality of cleaning tools is selected according to the object to be treated.
The rotating body is rotated to dispose the one cleaning tool on the cleaning surface so as to face the cleaning surface, and the cleaning surface is cleaned using the one cleaning tool.
請求項9に記載の洗浄方法において、
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を含み、
前記洗浄面は、前記基板の表面に設けられた前記保護材であり、
前記一の洗浄具から前記洗浄面に洗浄液を供給しつつ、前記一の洗浄具を前記洗浄面に当接させて、当該洗浄面を洗浄する。
In the cleaning method according to claim 9,
The object to be treated includes a substrate provided with a protective material on the surface thereof.
The cleaning surface is the protective material provided on the surface of the substrate.
While supplying the cleaning liquid from the one cleaning tool to the cleaning surface, the one cleaning tool is brought into contact with the cleaning surface to clean the cleaning surface.
請求項10に記載の洗浄方法において、
前記一の洗浄具とは異なる他の洗浄具から前記洗浄面に気体を供給して、当該洗浄面を乾燥させる。
In the cleaning method according to claim 10,
Gas is supplied to the cleaning surface from another cleaning tool different from the one cleaning tool to dry the cleaning surface.
請求項9に記載の洗浄方法において、
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を保持して搬送する搬送パッドを含み、
前記洗浄面は、前記搬送パッドの前記基板の保持面であり、
前記一の洗浄具を前記洗浄面に当接させて、当該洗浄面を洗浄する。
In the cleaning method according to claim 9,
The object to be processed includes a transport pad that holds and transports a substrate provided with a protective material on its surface.
The cleaning surface is a holding surface of the substrate of the transport pad.
The cleaning tool is brought into contact with the cleaning surface to clean the cleaning surface.
請求項12に記載の洗浄方法において、
前記被処理体は、表面に保護材が設けられた基板を含み、
前記洗浄面は、第2の洗浄面としての前記基板の表面に設けられた前記保護材を含み、
前記回転体とは独立して設けられる別の洗浄具を、洗浄液を含んだ状態で前記第2の洗浄面に当接させて当該第2の洗浄面を洗浄し、
前記回転体とは独立して設けられる更に別の洗浄具から、前記第2の洗浄面に気体を供給して、当該第2の洗浄面を乾燥させる。
In the cleaning method according to claim 12,
The object to be treated includes a substrate provided with a protective material on the surface thereof.
The cleaning surface includes the protective material provided on the surface of the substrate as a second cleaning surface.
Another cleaning tool provided independently of the rotating body is brought into contact with the second cleaning surface in a state of containing the cleaning liquid to clean the second cleaning surface.
Gas is supplied to the second cleaning surface from yet another cleaning tool provided independently of the rotating body to dry the second cleaning surface.
請求項9に記載の洗浄方法において、
前記一の洗浄具を用いて前記洗浄面を洗浄する際、前記被処理体と前記一の洗浄具を、前記洗浄面と直交する方向を中心軸として相対的に回転させる。
In the cleaning method according to claim 9,
When cleaning the cleaning surface with the one cleaning tool, the object to be processed and the one cleaning tool are relatively rotated about a direction orthogonal to the cleaning surface as a central axis.
被処理体を洗浄する洗浄方法を洗浄装置によって実行させるように、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記洗浄方法は、
前記被処理体の洗浄面の径方向を中心軸として回転する回転体と、前記回転体の表面において軸方向に延伸し、且つ当該回転体の周方向に並べて配置された複数の洗浄具とを備えた洗浄装置を用い、
前記被処理体に応じて前記複数の洗浄具のうち一の洗浄具を選択し、
前記回転体を回転させて前記洗浄面に前記一の洗浄具を対向配置し、当該一の洗浄具を用いて前記洗浄面を洗浄する。
A readable computer storage medium containing a program that operates on the computer of the control unit that controls the cleaning device so that the cleaning method for cleaning the object to be processed is executed by the cleaning device.
The cleaning method is
A rotating body that rotates about the radial direction of the cleaning surface of the object to be processed as a central axis, and a plurality of cleaning tools that extend in the axial direction on the surface of the rotating body and are arranged side by side in the circumferential direction of the rotating body. Using the equipped cleaning device
One of the plurality of cleaning tools is selected according to the object to be treated.
The rotating body is rotated to dispose the one cleaning tool on the cleaning surface so as to face the cleaning surface, and the cleaning surface is cleaned using the one cleaning tool.
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