JPWO2019111755A1 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019111755A1 JPWO2019111755A1 JP2019558145A JP2019558145A JPWO2019111755A1 JP WO2019111755 A1 JPWO2019111755 A1 JP WO2019111755A1 JP 2019558145 A JP2019558145 A JP 2019558145A JP 2019558145 A JP2019558145 A JP 2019558145A JP WO2019111755 A1 JPWO2019111755 A1 JP WO2019111755A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- vent
- semiconductor device
- cooling air
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 242
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 142
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims abstract description 73
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 24
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 24
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- -1 Polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/467—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing gases, e.g. air
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/20009—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating using a gaseous coolant in electronic enclosures
- H05K7/20136—Forced ventilation, e.g. by fans
- H05K7/20154—Heat dissipaters coupled to components
- H05K7/20163—Heat dissipaters coupled to components the components being isolated from air flow, e.g. hollow heat sinks, wind tunnels or funnels
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
- H05K7/20909—Forced ventilation, e.g. on heat dissipaters coupled to components
- H05K7/20918—Forced ventilation, e.g. on heat dissipaters coupled to components the components being isolated from air flow, e.g. hollow heat sinks, wind tunnels or funnels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
(半導体装置の構成)
実施の形態1における半導体装置を説明する。図1は、実施の形態1における半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。図2は、実施の形態1における半導体装置の構成を概略的に示す断面図であり、図1に示されるA−A’における断面を示す。図3は、実施の形態1における半導体装置が含むヒートシンク5の構成を概略的に示す斜視図である。実施の形態1において、半導体装置の取り付け方向は、ヒートシンク5の一端3aが下側であり、他端3bが上側である。
次に、半導体装置の動作を説明する。図4は、実施の形態1における半導体装置の内部および外部の送風時の圧力分布を示す図である。図5は、実施の形態1における半導体装置の内部および外部の送風時の流速分布を示す図である。図6は、実施の形態1における半導体装置の内部および外部の送風時の温度分布を示す図である。図4から図6のいずれも、有限要素法による解析結果を示す。
以上をまとめると、実施の形態1における半導体装置は、一端3aから他端3bに第1冷却風が流れる第1風路WP1を形成するフィン3と板状の形状を有するベース部4とを含み、ベース部4の一方面4aには半導体モジュール2が設けられ、他方面4bにはフィン3が立てて設けられるヒートシンク5と、ベース部4の一方面4aと、半導体モジュール2と、半導体モジュール2と関連して動作する電子部品10と、電子部品10が実装された回路基板1と、を覆ってヒートシンク5のベース部4に取り付けられ、一方面4aとの間に形成される空間に半導体モジュール2を収容する筐体6と、第1風路WP1に第1冷却風を送風し、フィン3を冷却するファン7と、筐体6内と筐体6外とを連通し、筐体6内に第2冷却風を取り込む第1通気口8と、筐体6内と筐体6外とを連通し、筐体6内に取り込まれた第2冷却風を筐体6外に排気する第2通気口9と、を含む。第1通気口8は、筐体6内の回路基板1の一面(表面1a)に実装された電子部品10の回路基板1からの高さが最も高い部分(最上部110a)の半分の高さ15よりも上部に設けられる。第2通気口9は、筐体6内におけるベース部4の一方面4aと他方面4bとを貫通してなる。第1通気口8と第2通気口9とは、第1冷却風の流れに起因して第2通気口9に形成される筐体6内と筐体6外との圧力差によって、第2冷却風が第1通気口8から取り込まれ第2通気口9から筐体6外に排気される第2風路WP2を筐体6内に形成する。回路基板1の一面(表面1a)における第2冷却風の風速は、電子部品10上における第2冷却風の風速よりも小さい。
実施の形態1に示された半導体装置においては、回路基板1に実装された別の半導体モジュール10bおよびコンデンサ10a等の大型の電子部品10の上方に第2冷却風の第2風路WP2が形成されていた。そして第2冷却風が回路基板1に実装された部品を冷却していた。半導体装置の構成および動作はそれに限られるものではない。第1通気口8の位置、第2通気口9の位置、もしくは回路基板1に実装される電子部品10の配置の変更により、筐体6内に形成される第2冷却風の第2風路WP2の変更が可能であり、また、冷却対象の電子部品10の変更も可能である。
図8は、実施の形態1の変形例2における半導体装置の構成を示す断面図である。変形例2における回路基板1は、図2に示された実施の形態1における半導体装置の回路基板1の取り付け位置に対して、90度回転した位置に取り付けられている。第1通気口8は、筐体6の側面6bに設けられている。その側面6bは、フィン3の一端3a側に位置する。つまり、第1通気口8と第2通気口9とは、回路基板1の対角をなす位置にそれぞれ設けられている。第1通気口8は、電子部品10の回路基板1の表面1aからの高さが最も高い部分(最上部110a)の半分の高さよりも上方に設けられる。図8に示される半導体装置おいて、図面手前側が上方である。また、第2通気口9も、最上部110aの半分の高さよりも上方に設けられることが好ましい。また、回路基板1に実装されるコンデンサ10a等の大型の電子部品10は、第2冷却風の第2風路WP2を完全には遮らないよう配置される。また、冷却が必要な電子部品10は第2冷却風の第2風路WP2付近に配置される。
図9は、実施の形態1の変形例3における半導体装置の構成を示す断面図である。変形例3における回路基板1は、図2に示された実施の形態1における半導体装置の回路基板1の取り付け位置に対して、90度回転した位置に取り付けられている。第1通気口8の位置および第2通気口9の位置は、実施の形態1と同様である。すなわち、第1通気口8は、電子部品の回路基板1の表面1aからの高さが最も高い部分(最上部110a)の半分の高さよりも上方に設けられる。図9に示される半導体装置おいて、図面手前側が上方である。また、第2通気口9も、最上部110aの半分の高さよりも上方に設けられることが好ましい。筐体6内には、電子部品10および電子部品10を冷却する電子部品用ヒートシンク12がさらに設けられている。電子部品用ヒートシンク12が取り付けられた電子部品10の実装位置は、第1通気口8から第2通気口9に流れる第2冷却風の第2風路WP2に重なる位置である。ここでは、電子部品10は、ヒートシンク5に取り付けられた半導体モジュール2とは異なる別の半導体モジュール10bである。電子部品用ヒートシンク12は、例えば、半導体モジュール2が取り付けられているヒートシンク5よりも小型のヒートシンクである。
実施の形態1における半導体装置は、切欠き部4cとは反対側つまりフィン3の一端3a側に設けられるファン7を有していたが、ファン7の配置はこれに限られるものではない。図10は、実施の形態1の変形例4における半導体装置の構成を示す斜視図である。図11は、実施の形態1の変形例4における半導体装置の構成を示す断面図であり、図10に示されるB−B’における断面を示す。
ファン7は、通風速度、すなわち回転速度が可変のファン7であってもよい。ファン7の通風速度が速くなるほど、フィン3を流れる空気の圧力は低下する。その結果、筐体6内と筐体6外との圧力差は大きくなる。これにより、ファン7の通風速度が遅い場合と比較し、第1通気口8と第2通気口9との間に流れる第2冷却風の風量は増加する。このように第2冷却風の風量は、ファン7の通風速度に依存する。ファン7の通風速度が可変な半導体装置は、筐体6内の冷却効果を可変に制御することができる。
実施の形態2における半導体装置を説明する。なお、実施の形態1と同様の構成および動作については説明を省略する。
このような構成により、半導体装置は、第2冷却風の第2風路WP2付近に実装された部品の冷却効果を向上させることが可能である。半導体モジュール2は、ヒートシンク5による冷却に加え、第2冷却風によっても空冷される。そのため、ファン7の性能を向上させることなく、半導体モジュール2の冷却性能が向上する。その結果、半導体装置は、半導体モジュール2の温度変化による特性変化を抑制できるとともに、半導体装置自身の信頼性を高めることができる。また、半導体装置は、半導体モジュール2だけでなく、第2冷却風の第2風路WP2付近に実装されたコンデンサ10a等他の電子部品10の冷却効果を向上させる。これにより、電子部品10が長寿化し、ひいては半導体装置の信頼性が高まる。
実施の形態1の変形例4と同様に、ファン7が切欠き部4c側つまりフィン3の他端3b側に設けられてもよい(図示せず)。実施の形態2の変形例における半導体装置が含むファン7は、フィン3の一端3a側から他端3b側に風を吸い込むことにより第1冷却風を送風する。このような構成を有する半導体装置であっても、実施の形態2と同様の効果を奏する。
実施の形態3における半導体装置を説明する。図16は、実施の形態3における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。実施の形態3における半導体装置は、ファン7の構成が実施の形態2と異なる。実施の形態2と同様の構成および動作については説明を省略する。実施の形態3において、半導体装置の取り付け方向は、図16の図面奥が下側であり、図面手前が上側である。
このような構成により、半導体モジュール2は、ヒートシンク5に接している面にて放熱するだけでなく、ヒートシンク5に接している面とは反対側の面からも第2冷却風によっても強制的に空冷される。半導体装置は、ヒートシンク5のサイズまたはフィン3の性能を向上させることなく、冷却効果を向上させることが可能である。半導体装置は、半導体モジュール2の温度変化による特性変化を抑制し、半導体装置自身の信頼性を高めることができる。実施の形態3においては、第1通気口8は段差部4dによって構成され、第2通気口9は切欠き部4cによって構成されたが、第1通気口8および第2通気口9の構成は、これらに限られるものではない。第1通気口8は、ファン7が第1通気口8に第2冷却風を送風でき、かつ、第1冷却風をフィン3に送風できる構成であって、第2通気口9との間に第2風路を形成できる構成でれば、他の構成であってもよい。
実施の形態3の変形例において、第1通気口8は、電子部品10の回路基板1の表面1aからの高さが最も高い部分(最上部110a)の半分の高さよりも上方に設けられる。図16に示される半導体装置おいて、図面手前側が上方である。例えば、第1通気口8は、第1通気口8の中心がその半分の高さよりも上方に位置するように設けられる。
実施の形態4における半導体装置を説明する。図17は、実施の形態4における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。実施の形態4における半導体装置は、筐体6内の第2風路WP2と回路基板1との間にプレート20を有する点で実施の形態1から3に示された半導体装置と異なる。実施の形態1から3と同様の構成および動作については説明を省略する。
このような半導体装置において、プレート20は、第2冷却風により外部から筐体6内に流入する埃や虫などの異物が回路基板1に堆積するのを防止する。そのため、回路基板1に異物付着防止のためのコーティングを行う必要がなくなる。また、第1通気口8にフィルターやラビリンス構造を設ける必要がなくなる。その結果、半導体装置の小型化および低コスト化が可能となる。
Claims (13)
- 一端から他端に第1冷却風が流れる第1風路を形成するフィンと板状の形状を有するベース部とを含み、前記ベース部の一方面には半導体モジュールが設けられ、他方面には前記フィンが立てて設けられるヒートシンクと、
前記ベース部の前記一方面と、前記半導体モジュールと、前記半導体モジュールに関連して動作する電子部品と、前記電子部品が実装された回路基板と、を覆って前記ヒートシンクの前記ベース部に取り付けられ、前記一方面との間に形成される空間に前記半導体モジュールを収容する筐体と、
前記第1風路に前記第1冷却風を送風し、前記フィンを冷却するファンと、
前記筐体内と前記筐体外とを連通し、前記筐体内に第2冷却風を取り込む第1通気口と、
前記筐体内と前記筐体外とを連通し、前記筐体内に取り込まれた前記第2冷却風を前記筐体外に排気する第2通気口と、を備え、
前記第1通気口は、前記筐体内の前記回路基板の一面に実装された前記電子部品の前記回路基板からの高さが最も高い部分の半分の高さよりも上部に設けられ、
前記第2通気口は、前記筐体内における前記ベース部の前記一方面と前記他方面とを貫通してなり、
前記第1通気口と前記第2通気口とは、前記第1冷却風の流れに起因して前記第2通気口に形成される前記筐体内と前記筐体外との圧力差によって、前記第2冷却風が前記第1通気口から取り込まれ前記第2通気口から前記筐体外に排気される第2風路を前記筐体内に形成し、
前記回路基板の前記一面における前記第2冷却風の風速は、前記電子部品上における前記第2冷却風の風速よりも小さい、半導体装置。 - 前記第2通気口は、前記最も高い前記電子部品の前記半分の高さよりも上部に設けられる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1通気口は、前記筐体に設けられ、
前記ベース部は、前記板状の形状をなす一辺の少なくとも一部に、前記一方面と前記他方面とを貫通する切欠き部を含み、
前記切欠き部が設けられる前記一辺は、前記フィンの前記他端側に位置し、
前記第2通気口は、前記切欠き部の少なくとも一部を含む請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ベース部は、前記板状の形状をなす第1辺の少なくとも一部を含んで前記一方面に設けられる段差部と、前記板状の形状をなす第2辺の少なくとも一部に前記一方面と前記他方面とを貫通する切欠き部と、を含み、
前記段差部が設けられる前記第1辺は、前記フィンの前記一端側に位置し、
前記切欠き部が設けられる前記第2辺は、前記フィンの前記他端側に位置し、
前記第1通気口は、前記段差部の少なくとも一部を含み、
前記第2通気口は、前記切欠き部の少なくとも一部を含む請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ファンは、前記フィンの前記一端側に設けられ、前記一端側から前記他端側に風を送り出すことにより前記第1冷却風を送風する請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記ファンは、前記ファンの上端部が前記ベース部の前記他方面により規定される面よりも下方に位置するよう設けられる請求項5に記載の半導体装置。
- 前記ファンは、前記フィンの前記他端側に設けられ、前記一端側から前記他端側に風を吸い込むことにより前記第1冷却風を送風する請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記筐体内に形成される前記第2風路に設けられ、前記電子部品を冷却する電子部品用ヒートシンクをさらに備える請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 一端から他端に第1冷却風が流れる第1風路を形成するフィンと板状の形状を有するベース部とを含み、前記ベース部の一方面には半導体モジュールが設けられ、他方面には前記フィンが立てて設けられるヒートシンクと、
前記ベース部の前記一方面と、前記半導体モジュールと、前記半導体モジュールに関連して動作する電子部品と、前記電子部品が実装された回路基板と、を覆って前記ヒートシンクの前記ベース部に取り付けられ、前記一方面との間に形成される空間に前記半導体モジュールを収容する筐体と、
前記第1風路に前記第1冷却風を送風し、前記フィンを冷却するファンと、
前記筐体内と前記筐体外とを連通し、前記筐体内に第2冷却風を取り込む第1通気口と、
前記筐体内と前記筐体外とを連通し、前記筐体内に取り込まれた前記第2冷却風を前記筐体外に排気する第2通気口と、を備え、
前記ファンは、前記第2冷却風を前記第1通気口に向けてさらに送風し、
前記第1通気口と前記第2通気口とは、前記ファンが前記第2冷却風を前記第1通気口に向けて送風することにより、前記第2冷却風が前記第1通気口から取り込まれ前記第2通気口から前記筐体外に排気される第2風路を前記筐体内に形成する半導体装置。 - 前記第1通気口は、前記筐体内の前記回路基板の一面に実装された前記電子部品の前記回路基板からの高さが最も高い部分の半分の高さよりも上部に設けられ、
前記回路基板の前記一面における前記第2冷却風の風速は、前記電子部品上における前記第2冷却風の風速よりも小さい、請求項9に記載の半導体装置。 - 前記第2通気口は、前記最も高い前記電子部品の前記半分の高さよりも上部に設けられる、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記ベース部は、前記板状の形状をなす第1辺の少なくとも一部を含んで前記一方面に設けられる段差部と、前記板状の形状をなす第2辺の少なくとも一部に前記一方面と前記他方面とを貫通する切欠き部と、を含み、
前記段差部が設けられる前記第1辺は、前記フィンの前記一端側に位置し、
前記切欠き部が設けられる前記第2辺は、前記フィンの前記他端側に位置し、
前記第1通気口は、前記段差部の少なくとも一部を含み、
前記第2通気口は、前記切欠き部の少なくとも一部を含み、
前記ファンは、前記フィンの前記一端側に、かつ、前記ファンの上端部が前記ベース部の前記段差部の底面により規定される面よりも上方に位置するよう設けられる請求項9から請求項11のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記筐体内に形成される前記第2風路に設けられ、前記電子部品を冷却する電子部品用ヒートシンクをさらに備える請求項9から請求項12のいずれか一項に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017234991 | 2017-12-07 | ||
JP2017234991 | 2017-12-07 | ||
PCT/JP2018/043527 WO2019111755A1 (ja) | 2017-12-07 | 2018-11-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019111755A1 true JPWO2019111755A1 (ja) | 2020-04-09 |
JP6833067B2 JP6833067B2 (ja) | 2021-02-24 |
Family
ID=66750594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019558145A Active JP6833067B2 (ja) | 2017-12-07 | 2018-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200294887A1 (ja) |
JP (1) | JP6833067B2 (ja) |
CN (1) | CN111418057B (ja) |
DE (1) | DE112018006234T5 (ja) |
WO (1) | WO2019111755A1 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62120398U (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-30 | ||
JPH10200282A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-31 | Kenwood Corp | 強制空冷放熱器 |
JP2004281484A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | ヒートシンク冷却装置、及びこれを備えたパワーエレクトロニクス装置 |
JP2007043011A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子機器の放熱構造 |
JP2008078423A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体電力変換装置の冷却構造 |
JP2011061201A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Jianzhun Electric Mach Ind Co Ltd | 放熱モジュール |
JP2011138960A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Toshiba Corp | 車両用電力変換装置 |
JP2013093364A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 強制空冷式ヒートシンク |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09116286A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Hitachi Ltd | 電子装置の冷却装置 |
US6621700B1 (en) * | 2002-09-26 | 2003-09-16 | Chromalox, Inc. | Heat sink for a silicon controlled rectifier power controller |
JP2005348533A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | インバータ装置 |
US7218517B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-05-15 | International Business Machines Corporation | Cooling apparatus for vertically stacked printed circuit boards |
JP5034316B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2012-09-26 | トヨタ自動車株式会社 | 電源装置 |
CN101202529A (zh) * | 2006-12-11 | 2008-06-18 | 丹佛斯传动有限公司 | 电子装置及电动机变频器 |
CN101202528B (zh) * | 2006-12-11 | 2012-10-10 | 丹佛斯传动有限公司 | 电子装置及电动机变频器 |
US7724521B2 (en) * | 2008-06-11 | 2010-05-25 | Adc Telecommunications, Inc. | Systems and methods for Venturi fan-assisted cooling |
US8031470B2 (en) * | 2008-06-11 | 2011-10-04 | Adc Telecommunications, Inc. | Systems and methods for thermal management |
JP2012119588A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Fuji Electric Co Ltd | 冷却機能付き制御装置 |
JP2012151424A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-09 | Nakamura Mfg Co Ltd | 発熱体冷却装置および発熱体冷却方法 |
JP5965779B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2016-08-10 | 株式会社日立産機システム | 電力変換装置 |
JP6226074B2 (ja) * | 2014-07-01 | 2017-11-08 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2017156482A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 日本精機株式会社 | 画像投影装置 |
-
2018
- 2018-11-27 CN CN201880074038.XA patent/CN111418057B/zh active Active
- 2018-11-27 DE DE112018006234.1T patent/DE112018006234T5/de not_active Withdrawn
- 2018-11-27 US US16/758,960 patent/US20200294887A1/en not_active Abandoned
- 2018-11-27 WO PCT/JP2018/043527 patent/WO2019111755A1/ja active Application Filing
- 2018-11-27 JP JP2019558145A patent/JP6833067B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62120398U (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-30 | ||
JPH10200282A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-31 | Kenwood Corp | 強制空冷放熱器 |
JP2004281484A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | ヒートシンク冷却装置、及びこれを備えたパワーエレクトロニクス装置 |
JP2007043011A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子機器の放熱構造 |
JP2008078423A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体電力変換装置の冷却構造 |
JP2011061201A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Jianzhun Electric Mach Ind Co Ltd | 放熱モジュール |
JP2011138960A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Toshiba Corp | 車両用電力変換装置 |
JP2013093364A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 強制空冷式ヒートシンク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019111755A1 (ja) | 2019-06-13 |
DE112018006234T5 (de) | 2020-09-17 |
CN111418057B (zh) | 2023-09-12 |
JP6833067B2 (ja) | 2021-02-24 |
CN111418057A (zh) | 2020-07-14 |
US20200294887A1 (en) | 2020-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4655987B2 (ja) | 電子機器 | |
US20180158748A1 (en) | Heat dissipation apparatus for semiconductor module | |
JP4936022B2 (ja) | モータ制御装置 | |
US5940268A (en) | Heat sink and electronic device employing the same | |
KR101479897B1 (ko) | 전자기기 | |
JP2008140803A (ja) | ヒートシンク | |
JP2006332154A (ja) | 電子機器の空冷装置 | |
JP2005348533A (ja) | インバータ装置 | |
US8562291B2 (en) | Heat dissipation device and centrifugal fan thereof | |
JP2021039966A (ja) | 電気機器、電子制御装置 | |
JP4725338B2 (ja) | モータ駆動装置の冷却構造 | |
EP3349555B1 (en) | Electronic apparatus | |
JPH09307034A (ja) | 半導体素子の冷却構造 | |
JP6833067B2 (ja) | 半導体装置 | |
USRE38382E1 (en) | Heat sink and electronic device employing the same | |
JP2010165761A (ja) | 電子部品冷却構造 | |
JP7211107B2 (ja) | 排熱構造および電子機器 | |
JP2017157686A (ja) | 電子機器、及び、ストレージ装置 | |
JP5299205B2 (ja) | 電子装置およびその冷却装置 | |
US20180347915A1 (en) | Heat dissipation apparatus and assembly method for heat dissipation apparatus | |
WO2022270024A1 (ja) | 電子機器 | |
JP6888978B2 (ja) | 放熱ユニットを備えた電気・電子機器 | |
JP2018032803A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2007251045A (ja) | ヒートシンク及びヒートシンクの取付構造 | |
JP2017011235A (ja) | ヒートシンク及び電気接続箱 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191125 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6833067 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |