JPWO2019066056A1 - Image sensor and image sensor - Google Patents
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Abstract
撮像素子は、第1波長域の光を透過する第1透過部を透過した光を光電変換して電荷を生成し、第1方向および第2方向に配置される複数の第1光電変換部と、第2波長域の光を透過する第2透過部を透過した光を光電変換して電荷を生成し、前記第1方向および前記第2方向に配置される複数の第2光電変換部と、点対称または線対称な配線を有し、複数の前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第1信号線と、点対称または線対称な配線を有し、複数の前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第2信号線と、を備える。The image pickup element has a plurality of first photoelectric conversion units arranged in the first direction and the second direction by photoelectrically converting the light transmitted through the first transmission unit that transmits light in the first wavelength region to generate a charge. , A plurality of second photoelectric conversion units arranged in the first direction and the second direction by photoelectric conversion of the light transmitted through the second transmission unit that transmits light in the second wavelength region to generate a charge. A plurality of first signal lines having point-symmetrical or line-symmetrical wiring and outputting signals based on charges generated by the plurality of first photoelectric conversion units, and a plurality of point-symmetrical or line-symmetrical wirings It includes a second signal line from which a signal based on the charge generated by the second photoelectric conversion unit is output.
Description
本発明は、撮像素子および撮像装置に関する。 The present invention relates to an image sensor and an image pickup device.
複数の画素をブロックにまとめて、ブロック単位で信号を並列に読出す撮像素子が知られている(特許文献1参照)。このような撮像素子では、同色信号間のビニング処理が困難であった。 An image pickup device is known in which a plurality of pixels are grouped into blocks and signals are read out in parallel in block units (see Patent Document 1). With such an image sensor, it has been difficult to perform binning processing between signals of the same color.
発明の第1の態様によると、撮像素子は、第1波長域の光を透過する第1透過部を透過した光を光電変換して電荷を生成し、第1方向および第2方向に配置される複数の第1光電変換部と、第2波長域の光を透過する第2透過部を透過した光を光電変換して電荷を生成し、前記第1方向および前記第2方向に配置される複数の第2光電変換部と、点対称または線対称な配線を有し、複数の前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第1信号線と、点対称または線対称な配線を有し、複数の前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第2信号線と、を備える。
発明の第2の態様によると、撮像素子は、第1波長域の光を透過する第1透過部を透過した光を光電変換して電荷を生成し、第1方向および第2方向に配置される複数の第1光電変換部と、第2波長域の光を透過する第2透過部を透過した光を光電変換して電荷を生成し、前記第1方向および前記第2方向に配置される複数の第2光電変換部と、複数の前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第1信号線と、複数の前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第2信号線と、前記第1信号線と前記第2信号線とが配置される配線層と、を備える。
発明の第3の態様によると、撮像装置は、第1または第2の態様による撮像素子と、前記撮像素子から出力される信号に基づいて画像データを生成する生成部と、を備える。According to the first aspect of the invention, the image pickup element is arranged in the first direction and the second direction by photoelectrically converting the light transmitted through the first transmitting portion that transmits the light in the first wavelength region to generate a charge. The light transmitted through the plurality of first photoelectric conversion units and the second transmission unit that transmits light in the second wavelength region is photoelectrically converted to generate a charge, which is arranged in the first direction and the second direction. A first signal line having a plurality of second photoelectric conversion units and a point-symmetrical or line-symmetrical wiring and outputting a signal based on the charge generated by the plurality of first photoelectric conversion units, and a point-symmetrical or line-symmetrical line. It has a symmetric wiring, and includes a second signal line from which a signal based on the charges generated by the plurality of second photoelectric conversion units is output.
According to the second aspect of the invention, the image pickup device is arranged in the first direction and the second direction by photoelectrically converting the light transmitted through the first transmitting portion that transmits the light in the first wavelength region to generate a charge. The light transmitted through the plurality of first photoelectric conversion units and the second transmission unit that transmits light in the second wavelength region is photoelectrically converted to generate a charge, which is arranged in the first direction and the second direction. Based on a plurality of second photoelectric conversion units, a first signal line for which signals based on charges generated by the plurality of first photoelectric conversion units are output, and charges generated by the plurality of second photoelectric conversion units. It includes a second signal line from which a signal is output, and a wiring layer in which the first signal line and the second signal line are arranged.
According to the third aspect of the invention, the image pickup apparatus includes an image pickup device according to the first or second aspect, and a generation unit that generates image data based on a signal output from the image pickup device.
本実施の形態による撮像素子は、複数の画素をブロックにまとめて、画素で生成された信号をブロック単位で並列に読出すことが可能に構成される。以下、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、一実施の形態による撮像素子101を備えるデジタルカメラの構成例を模式的に示す図である。デジタルカメラは、交換レンズ110とカメラボディ100とから構成され、交換レンズ110がレンズ取り付け部105を介してカメラボディ100に装着される。
なお、デジタルカメラをレンズ交換式ではなく、レンズ一体式のカメラとして構成してもよい。The image sensor according to the present embodiment is configured to be capable of grouping a plurality of pixels into blocks and reading signals generated by the pixels in parallel in block units. Hereinafter, a detailed description will be given with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration example of a digital camera including an
The digital camera may be configured as a camera with an integrated lens instead of an interchangeable lens type.
図1において、互いに直交する座標系を構成するxyz軸を規定する。被写体からの光は、図1のz軸プラス方向に向かって入射するものとする。また、座標軸に示すように、z軸に直交する紙面手前方向をx軸プラス方向、z軸およびx軸に直交する上方向をy軸プラス方向とする。以降のいくつかの図においては、図1の座標軸を基準として、それぞれの図の向きがわかるように座標軸を表示する。 In FIG. 1, xyz axes constituting a coordinate system orthogonal to each other are defined. It is assumed that the light from the subject is incident in the positive direction of the z-axis of FIG. Further, as shown in the coordinate axes, the front direction of the paper surface orthogonal to the z-axis is defined as the x-axis plus direction, and the upward direction orthogonal to the z-axis and the x-axis is defined as the y-axis plus direction. In some subsequent figures, the coordinate axes are displayed so that the orientation of each figure can be understood with reference to the coordinate axes of FIG.
交換レンズ110は、例えば、レンズ制御部111、ズームレンズ112、フォーカスレンズ113、防振レンズ114、絞り115、レンズ操作部116などを備えている。
レンズ制御部111は、CPUとメモリなどの周辺部品とを含む。レンズ制御部111は、フォーカスレンズ113および絞り115の駆動制御、ズームレンズ112やフォーカスレンズ113の位置検出、カメラボディ100へのレンズ情報の送信およびカメラボディ100からのカメラ情報の受信などを行う。The
The
カメラボディ100は、例えば、撮像素子101、ボディ制御部102、ボディ操作部103、および表示部104などを備えている。撮像素子101は、交換レンズ110の予定結像面(予定焦点面)に配置され、交換レンズ110により結像された被写体像を光電変換する。ボディ操作部103は、シャッターボタンや、各種設定のための操作部材などを含む。表示部104は、例えばカメラボディ100の背面に搭載された液晶モニタ(背面モニタとも称される)によって構成される。
The
ボディ制御部102は、CPUとメモリなどの周辺部品とを含む。ボディ制御部102は、撮像素子101の駆動制御、撮像素子101からの画像信号の読み出し、焦点検出演算および交換レンズ110の焦点調節、画像信号の処理および記録などデジタルカメラの動作制御を行う。また、ボディ制御部102は、レンズ取り付け部105に設けられた電気接点106を介してレンズ制御部111と通信を行い、レンズ情報の受信およびカメラ情報(デフォーカス量や絞り値など)の送信を行う。
The
交換レンズ110を通過した光束により、撮像素子101の受光面上に被写体像が形成される。この被写体像は撮像素子101によって光電変換され、光電変換後の信号がボディ制御部102へ送られる。
The light flux passing through the
ボディ制御部102は、撮像素子101からの信号に基づいて公知の焦点検出演算を行うことにより、交換レンズ110の焦点調節状態(デフォーカス量)を検出する。ボディ制御部102によって検出されたデフォーカス量は、レンズ制御部111へ送出される。
レンズ制御部111は、受信したデフォーカス量に基づいてフォーカスレンズ113の駆動量を算出する。そして、算出した駆動量に基づいて不図示のモーター等を駆動することにより、フォーカスレンズ113を合焦位置へ移動させる。The
The
また、ボディ制御部102は、撮像素子101からの信号を処理して画像データを生成し、不図示のメモリカードに格納する。ボディ制御部102はさらに、撮像素子101からの信号に基づくモニタ用画像(スルー画像とも称される)を表示部104に表示させる。
Further, the
<撮像素子の構成>
図2は、撮像素子101の概要を説明する模式図である。撮像素子101は、CMOSイメージセンサによって構成される。撮像素子101は、画素エリア201と、垂直制御部202と、水平制御部203と、出力部204と、制御部205とを有する。なお、図2では、電源部や詳細回路は省略している。<Structure of image sensor>
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an outline of the
画素エリア201には、例えばx軸と平行な水平方向(行方向)、および、y軸と平行な垂直方向(列方向)に二次元状に配置された複数の画素を有する。各画素は、入射光量に応じた電荷を生成するフォトダイオード(光電変換部)を有する。複数の画素は、それぞれが垂直制御部202および水平制御部203によって駆動され、各画素のフォトダイオードで生成された電荷に基づく信号が、信号線210を介して読出される。
The
出力部204は、各画素から読出された信号に対して相関二重サンプリング(CDS)を行ったり、必要に応じてゲインをかけたりする。出力部204で処理された信号は、後段の信号処理部(不図示)へ出力される。
The
なお、以上の説明では、出力部204が後段の信号処理部へアナログ信号として出力する例を説明したが、出力部204にA/Dコンバータを備え、A/D変換後の信号をデジタル出力する構成にしてもよい。
In the above description, an example in which the
本実施の形態では、上述したように、複数の画素をまとめてブロックを構成し、ブロック内の画素で生成された信号を、同じ信号線210を介して読出す。このため、信号線210の数はブロックの数と等しい。このように構成したので、出力部204は、複数のブロックからの信号を並列に入力し、入力した複数のブロックからの信号に対して並列に処理を行い、後段の信号処理部(不図示)へ並列に出力することができる。
In the present embodiment, as described above, a plurality of pixels are grouped together to form a block, and the signal generated by the pixels in the block is read out via the
制御部205は、上述した撮像素子101の各部を制御する。すなわち、以降に説明する撮像素子101の動作は、ボディ制御部102の指令を受けた制御部205の制御に基づいて行われる。
なお、本実施の形態では、フォトダイオードと、フォトダイオードで生成された電荷に基づく信号を読出す読出し部とを含めて「画素」と呼ぶ。読出し部は、後述する各転送トランジスタ、フローティングディフュージョン(FD)領域、増幅トランジスタ、および選択トランジスタを含む例を説明するが、読出し部の範囲は、必ずしも本例の通りでなくてもよい。The
In the present embodiment, the photodiode and the reading unit that reads a signal based on the electric charge generated by the photodiode are referred to as "pixels". An example in which the reading unit includes each transfer transistor, a floating diffusion (FD) region, an amplification transistor, and a selection transistor described later will be described, but the range of the reading unit does not necessarily have to be as in this example.
図3は、撮像素子101の断面を説明する図である。なお図3では、撮像素子101の全体のうち、一部の断面のみを示している。撮像素子101は、いわゆる裏面照射型の撮像素子である。撮像素子101は、z軸プラス方向に向かう入射光を光電変換する。撮像素子101は、例えば、第1半導体基板70と、第2半導体基板80とが積層して構成されている。
FIG. 3 is a diagram illustrating a cross section of the
第1半導体基板70は、少なくともPD層71と、配線層72とを備える。PD層71は、配線層72の裏面側(z軸マイナス側)に配置される。PD層71には、複数のフォトダイオードPDが二次元状に配置される。配線層72には、配線61、配線62、配線63、配線64によって信号線210等が形成される。配線61から配線64は、それぞれ配線層72の異なる層に形成される。図3には4層の配線を例示したが、層数は適宜変更して構わない。配線層72の層間は、例えば不図示のビア(via)によって接続することができる。第2半導体基板80には、例えば、上記出力部204等の各種回路が配置される。第2半導体基板80も多層に構成されて構わない。
The
PD層71における入射光の入射側(z軸マイナス側)には、複数のフォトダイオードPDの各々に対応する複数のカラーフィルタ73が設けられる。カラーフィルタ73には、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)にそれぞれ対応する波長領域の光を透過する複数の種類が存在する。カラーフィルタ73は、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)に対応する3種類が、図4に例示するベイヤー配列を為すように配列される。
なお、本実施の形態ではベイヤー配列を例に説明するが、カラーフィルタ73をベイヤー配列以外の配列にしてもよい。ベイヤー配列では、異なる波長領域の光を透過するカラ−フィルタ73が設けられたフォトダイオードPDが隣接しているのに対し、ベイヤー配列以外の配列では、同じ波長領域の光を透過するカラ−フィルタ73が設けられたフォトダイオードPDが隣接する場合がある。A plurality of
Although the Bayer array will be described as an example in the present embodiment, the
カラーフィルタ73における入射光の入射側(z軸マイナス側)には、複数のカラーフィルタ73の各々に対応する複数のマイクロレンズ74が設けられる。マイクロレンズ74は、対応するフォトダイオードPDに向けて入射光を集光する。マイクロレンズ74を通過した入射光は、カラーフィルタ73により一部の波長領域のみが透過され、フォトダイオードPDに入射する。フォトダイオードPDは、入射光を光電変換して電荷を生成する。
A plurality of
配線層72の表面(z軸プラス側)には複数の接合パッド75が配置される。第2半導体基板80の、配線層72に対向する面(z軸マイナス側)には、複数の接合パッド75に対向する複数の接合パッド76が配置される。複数の接合パッド75と複数の接合パッド76とは互いに接合されている。複数の接合パッド75と複数の接合パッド76とを介して、第1半導体基板70と第2半導体基板80とが電気的に接続される。
接合パッド75および複数の接合パッド76の数は、それぞれ上述したブロックの数と等しくすることができる。すなわち、一つのブロックに対応して一組の接合パッド75、接合パッド76が設けられる。以上のように構成することにより、ブロックごとの信号線の長さを略等しく構成できるので、配線のインピーダンスがブロック間でばらつくことを抑えるというメリットがある。A plurality of joining
The number of the joining
本実施の形態では、撮像素子101の1つの画素部30が、第1半導体基板70に設けられた第1画素部30xと、第2半導体基板80に設けられた第2画素部30yとによって構成される。第1画素部30xには、マイクロレンズ74、カラーフィルタ73、フォトダイオードPDの他に、後に詳述するトランジスタや、画素部30間を接続する配線61から配線64等が含まれる。第2画素部30yには、上記出力部204等の回路が含まれる。
In the present embodiment, one
<ブロックの説明>
図5は、撮像素子101のブロックの構成を説明する回路図である。一つのブロックは、複数(例えばN個)の第1画素部30x−1〜30x−Nを含む。一つの第1画素部30xは、フォトダイオードPDと、4つのトランジスタ(転送トランジスタTx、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタSF、選択トランジスタSEL)と、FD領域とを有する。第1画素部30xの各部は、図5に示すように接続されている。図5において符号VDDは、電源電圧を示す。<Explanation of blocks>
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a block configuration of the
転送トランジスタTxは、フォトダイオードPDで生成された電荷をFD領域へ転送する。転送トランジスタTxは、制御信号φTxがHighレベルになるとオンして電荷を転送し、制御信号φTxがLowレベルになるとオフする。 The transfer transistor Tx transfers the electric charge generated by the photodiode PD to the FD region. The transfer transistor Tx turns on when the control signal φTx reaches the High level to transfer charges, and turns off when the control signal φTx reaches the Low level.
FD領域は、転送された電荷を電圧に変換する。増幅トランジスタSFは、ソースフォロワ回路を形成し、FD領域の電位に応じた信号を増幅する。リセットトランジスタRSTは、FD領域やフォトダイオードPDの電荷をリセットする。リセットトランジスタRSTは、制御信号φRSTがHighレベルになるとオンし、制御信号φRSTがLowレベルになるとオフする。 The FD region converts the transferred charge into a voltage. The amplification transistor SF forms a source follower circuit and amplifies a signal corresponding to the potential in the FD region. The reset transistor RST resets the electric charge in the FD region and the photodiode PD. The reset transistor RST turns on when the control signal φRST reaches the High level, and turns off when the control signal φRST reaches the Low level.
選択トランジスタSELは、増幅トランジスタSFで増幅された信号を、ブロック信号線60へ出力する。ブロック信号線60は、ブロック内の第1画素部30x−1〜30x−Nを相互に接続する。ブロック信号線60は、そのブロックに対応する信号線210と接続されている。選択トランジスタSELは、制御信号φSELがHighレベルになるとオンして信号を出力し、制御信号φSELがLowレベルになるとオフする。
The selection transistor SEL outputs the signal amplified by the amplification transistor SF to the
ブロック内の第1画素部30x−1〜30x−Nの選択トランジスタSELには、それぞれ独立した制御信号φSEL−1〜φSEL−Nが供給される。このため、例えば、制御部205によってHighレベルの制御信号φSEL−1〜φSEL−Nが順番に供給される場合には、選択トランジスタSEL−1〜SEL−Nが、順番にオンしてブロック信号線60を介して信号線210へ信号を出力する。
Independent control signals φSEL-1 to φSEL-N are supplied to the selection transistors SEL of the
また、制御部205によってHighレベルの制御信号φSEL−1〜φSEL−Nが一斉に供給される場合には、選択トランジスタSEL−1〜SEL−Nが、一斉にオンしてブロック信号線60を介して信号線210へ信号を出力する。選択トランジスタSEL−1〜SEL−Nが一斉に信号を出力する場合、信号線210において第1画素部30x−1〜30x−Nから出力された信号が加算されるので、ブロック内の第1画素部30x−1〜30x−Nによるビニングを行うことができる。
なお、選択トランジスタSEL−1〜SEL−Nのうち任意の組み合わせによりブロック信号線60を介して信号線210へ信号を出力させてもよい。この場合は、信号線210において第1画素部30x−1〜30x−Nのうちの一部から出力された信号が加算されるので、ブロック内の第1画素部30x−1〜30x−Nの任意の組み合わせによるビニングを行うことができる。Further, when the high level control signals φSEL-1 to φSEL-N are supplied all at once by the
A signal may be output to the
以上の構成により、ブロック内の第1画素部30x−1〜30x−Nのいずれからも、個別に信号を読出したり、第1画素部30x−1〜30x−Nのうち少なくとも2つの間でビニングを行ったりすることができる。
With the above configuration, signals can be individually read from any of the
本実施の形態では、同色の複数の画素によって一つのブロックを構成する。すなわち、上述したカラーフィルタ73を透過する光の波長域が同じ画素部30を組み合わせて一つのブロックとする。図6は、ブロックを説明する模式図である。赤(R)に対応する波長領域の光を透過するカラーフィルタ73を有する画素部30(R画素と称する)を中心に実線で囲む範囲において、そのR画素およびそのR画素を囲む8つのR画素からなる9つのR画素によってR色ブロック301を構成する。また、青(B)に対応する波長領域の光を透過するカラーフィルタ73を有する画素部30(B画素と称する)を中心に破線で囲む範囲において、そのB画素およびそのB画素を囲む8つのB画素からなる9つのB画素によってB色ブロック302を構成する。
In the present embodiment, one block is composed of a plurality of pixels of the same color. That is, the
さらに、GR列上に位置して緑(G)に対応する波長領域の光を透過するカラーフィルタ73を有する画素部30(G画素と称する)を中心に一点鎖線で囲む範囲において、そのG画素およびそのG画素を囲む8つのG画素からなる9つのG画素によって第1のG色ブロック303を構成する。さらにまた、GB列上に位置して緑(G)に対応する波長領域の光を透過するカラーフィルタ73を有する画素部30(G画素と称する)を中心に二点鎖線で囲む範囲において、そのG画素およびそのG画素を中心に囲む8つのG画素からなる9つのG画素によって第2のG色ブロック304を構成する。
Further, the G pixel is located in a range surrounded by a one-point chain line around a pixel portion 30 (referred to as G pixel) having a
図6によると、R色ブロック301と、第1のG色ブロック303とは、互いにブロックの上下部分が重なり合う。また、B色ブロック302と、第1のG色ブロック303とは、互いにブロックの左右部分が重なり合う。
According to FIG. 6, the upper and lower portions of the
さらに、B色ブロック302と、第2のG色ブロック304とは、互いにブロックの上下部分が重なり合う。さらにまた、R色ブロック301と、第2のG色ブロック304とは、互いにブロックの左右部分が重なり合う。
Further, the B color block 302 and the second
一方、図5の回路図を参照して説明すると、同色のブロック内のN個の画素部30は、それぞれが配線層72(図3)においてそのブロックに対応するブロック信号線60と接続される。このため、同色のブロック内のN個の画素部30の選択トランジスタSELの出力端子同士が接続されることになる。当然ながら、他色のブロックのブロック信号線60とは接続されない。上述したように、同色のブロック内でブロック信号線60と接続する配線は、配線層72における配線61から配線64によって形成される。
本実施の形態では、画素エリア201(図2)において空間的に重なり合う他色のブロックとの間で、ブロック内の配線が接触しないように、ブロックの色によって配線層72の異なる層で配線する。
なお、第1のG色ブロック303と第2のG色ブロック304とは、便宜上異なる色として扱うものとする。また、「空間的に重なり合う」とは、図6において異なる色のブロックとの間で上下部分または左右部分が重なり合う関係をいう。On the other hand, to explain with reference to the circuit diagram of FIG. 5, each of the
In the present embodiment, wiring is performed in different layers of the
The first
図7(a)〜図7(d)は、各色の配線を説明する模式図である。図7(a)は、R色ブロック301のR画素の選択トランジスタSELの出力同士を接続するブロック信号線60の配線61を例示する図である。配線61は、網掛けで示される。図7(b)は、B色ブロック302のB画素の選択トランジスタSELの出力同士を接続するブロック信号線60の配線62を例示する図である。配線62は、縦縞で示される。
7 (a) to 7 (d) are schematic views illustrating wiring of each color. FIG. 7A is a diagram illustrating the
図7(c)は、第1のG色ブロック303のG画素の選択トランジスタSELの出力同士を接続するブロック信号線60の配線63を例示する図である。配線63は、ドットで示される。図7(d)は、第2のG色ブロック304のG画素の選択トランジスタSELの出力同士を接続するブロック信号線60の配線64を例示する図である。配線64は、横縞で示される。
FIG. 7C is a
配線61〜配線64は、配線層72において異なる層に形成される。このように、配線層72において色別に異なる配線61〜64を形成し、各配線61〜64によって各色のブロック内の画素部30を配線接続したので、画素エリア201においてブロックが他色のブロックと空間的に重なり合う場合に、各ブロックにおいて同色のブロック内の画素部30のみを適切に接続することができる。なお、図7の配線は、「日」字状である。
図7(a)〜図7(d)に示されるように、配線61〜64は、各色のブロック301〜304の中心に位置する画素部30に対して点対称である。また、配線61〜64は、各色のブロック301〜304の中心に位置する画素部30を通る水平方向(行方向)または垂直方向(列方向)の直線に対して線対称である。The
As shown in FIGS. 7 (a) to 7 (d), the
以上説明したブロック301〜304において、各色のブロック301〜304におけるN個の画素部30の重心を色重心と呼ぶ。本実施の形態では、各色のブロック301〜304を構成する9つの画素部30の中心に位置する画素部30の位置が、そのブロック301〜304の色重心となる。図6および図7において、本例の色重心に相当する画素部30をそれぞれ異なる態様で表示した。すなわち、R色ブロック301の色重心を網掛けで示し、B色ブロック302の色重心を縦縞で示し、第1のG色ブロック303の色重心をドットで示し、第2のG色ブロック304の色重心を横縞で示した。図6において各ブロック301〜304の色重心に注目すると、ベイヤー配列であることがわかる。このことは、各色のブロック301〜304内の第1画素部30x−1〜30x−Nによるビニングを行った場合に、ビニング後の信号がベイヤー配列を保つことを意味する。本実施の形態によれば、各色のブロック301〜304の色重心は等間隔に配置され、色重心に偏りが生じていない。
In the
各色のブロック301〜304において接合パッド75が設けられる位置は、N個の画素部30の近傍に設けることが好ましいが、必ずしも色重心の位置に設ける必要はない。
The positions where the
上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)撮像素子101は、光を光電変換する複数の画素30が行方向(x軸方向)および列方向(y軸)に配置された画素エリア201と、画素エリア201が共通の波長域の光を光電変換する複数の画素30に小分けされた複数のブロック301〜304と、複数のブロック301〜304にそれぞれ設けられた複数の信号線210と、複数のブロック301〜304にそれぞれ設けられ、ブロック301〜304毎の複数の画素30を相互に接続するブロック信号線60とを備える。
各ブロック301〜304が共通の波長域の光を光電変換する複数の画素30で構成されるので、各ブロック301〜304内の信号を加算するだけで同色の信号ビニングを簡単に行うことができる。例えば、ブロック内に異なる波長域の光を光電変換する画素が混在する従来技術に比べて、同色の信号ビニング処理が圧倒的に簡単になる。
また、信号線210をブロック301〜304毎に設けたので、色毎の信号を並行して出力させることができる。例えば、ブロック内に異なる波長域の光を光電変換する画素が混在する場合において色毎の信号を時分割で出力させる場合と比較して、短時間で出力させることができる。According to the above-described embodiment, the following effects can be obtained.
(1) In the
Since each
Further, since the
(2)撮像素子101において、ブロック信号線60は、ブロック301〜304に対応する信号線210と接続され、ブロック301〜304内の複数の画素30はそれぞれ、画素30の増幅トランジスタSFの出力端子とブロック信号線60との間を接続または切断する選択トランジスタSELを備える。このように構成したので、ブロック301〜304内の全画素30の信号を信号線210へ出力したり、各ブロックにおいて任意の画素30の信号のみを信号線210へ出力したりすることができる。
(2) In the
(3)撮像素子101において、画素エリア201は異なる波長域の光を光電変換する複数の画素30が行方向および列方向に繰り返し配置される。そして、ブロック301〜304は、画素エリア201において例えば、図6の赤(R)に対応する波長領域の光を光電変換する画素部30(注目画素とする)から2ピクセルの範囲内(5ピクセル×5ピクセル)で注目画素と同じ波長域の光を光電変換する画素30により構成されるようにした。このように構成したので、例えば、図6の赤(R)に対応する波長領域の光を光電変換する画素部30(注目画素とする)を中心に、そのR画素およびそのR画素の近傍に位置するR画素を用いてR色ブロック301を構成することができる。B色ブロック302、第1のG色ブロック303および第2のG色ブロック304についても同様である。
(3) In the
(4)撮像素子101において、ブロック301〜304は画素エリア201において、例えば、図6の赤(R)に対応する波長領域の光を光電変換する画素部30(注目画素とする)を中心に、そのR画素およびそのR画素を囲む8つのR画素からなる9つのR画素によってR色ブロック301を構成する。B色ブロック302、第1のG色ブロック303および第2のG色ブロック304についても同様である。
このように構成したので、R画素、G画素、B画素がベイヤー配列されている場合はブロック301〜304の色重心もベイヤー配列を保つこととなるので、ビニングの有無にかかわらず、ベイヤー配列を前提とした画像処理エンジンをそのまま用いることができる。(4) In the
With this configuration, when the R pixels, G pixels, and B pixels are Bayer-arranged, the color center of gravity of
(5)撮像素子101において、複数のブロック301〜304は、画素エリア201において空間的に重なり合うようにした。ブロックが空間的に重ならない場合に比べて、ブロックの重心の密度を高くすることができる。
(5) In the
(6)撮像素子101は、ブロック信号線60を接続する配線層72を備える。そして、複数のブロック301〜304のうち、例えば赤(R)の波長域の光を光電変換する複数の画素30を有するR色ブロック301のブロック信号線60は、配線層72の第1の層の配線61(図7(a))により接続され、青(B)の波長域の光を光電変換する複数の画素30を有するB色ブロック302のブロック信号線60は、配線層72の第2の層の配線62(図7(b))により接続される。また、緑(G)の波長域の光を光電変換する複数の画素30を有する第1のG色ブロック303のブロック信号線60は、配線層72の第3の層の配線63(図7(c))により接続され、緑(G)の波長域の光を光電変換する複数の画素30を有する第2のG色ブロック304のブロック信号線60は、配線層72の第4の層の配線64(図7(d))により接続される。
このように構成したので、各ブロック301〜304におけるブロック信号線60が、空間的に重なり合う他色のブロックのブロック信号線60と接触しないように適切に接続することができる。(6) The
With this configuration, the
次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。
(変形例1)
変形例1では、画素エリア201においてブロック内の配線が、空間的に重なり合う他色のブロック内の配線と接触しないように配線を分け、配線層の1層に2色分の配線を行う。なお、上記実施の形態と同様に、G色の第1ブロックとG色の第2ブロックとは、便宜上異なる色として扱うものとする。The following modifications are also within the scope of the present invention, and one or more of the modifications can be combined with the above-described embodiment.
(Modification example 1)
In the first modification, the wiring in the block is divided so that the wiring in the block does not come into contact with the wiring in the blocks of other colors that overlap spatially in the
図8(a)、図8(b)は、変形例1による各色の配線を説明する模式図である。変形例1では、例えば図8(a)に例示するように、R色ブロックのR画素を接続する配線61−1と、B色ブロックのB画素を接続する配線61−2とを同じ層に形成する。配線61−1は、網掛けで示される。配線61−2は、縦縞で示される。
さらに、図8(b)に例示するように、G色の第1ブロックのG画素を接続する配線62−1と、G色の第2ブロックのG画素を接続する配線62−2とを同じ層に形成する。
配線62−1は、ドットで示される。配線62−2は、横縞で示される。
配線61−1および61−2と、配線62−1および62−2とは、配線層72において異なる層に形成される。8 (a) and 8 (b) are schematic views illustrating wiring of each color according to the first modification. In the first modification, for example, as illustrated in FIG. 8A, the wiring 61-1 connecting the R pixels of the R color block and the wiring 61-2 connecting the B pixels of the B color block are in the same layer. Form. Wiring 61-1 is shaded. Wiring 61-2 is indicated by vertical stripes.
Further, as illustrated in FIG. 8B, the wiring 62-1 connecting the G pixels of the first block of G color and the wiring 62-2 connecting the G pixels of the second block of G color are the same. Form in layers.
Wiring 62-1 is indicated by dots. Wiring 62-2 is indicated by horizontal stripes.
Wiring 61-1 and 61-2 and wiring 62-1 and 62-2 are formed in different layers in the
このように配線することにより、上記実施の形態の配線(図7)に比べて、ブロック内の画素部30を配線接続するために配線層72に形成する層数を4から2へ減らし、コストを抑えることができる。
また、このように配線層72に形成する層数を減らしても、画素エリア201においてブロックが他色のブロックと空間的に重なり合う場合に、各ブロックにおいて同色のブロック内の画素部30のみを適切に接続することができる。
図8(a)、図8(b)に示されるように、配線61−1、2〜62−1、2は、各色のブロック301〜304の中心に位置する画素部30に対して点対称である。また、配線61−1、2〜62−1、2は、各色のブロック301〜304の中心に位置する画素部30を通る水平方向(行方向)または垂直方向(列方向)の直線に対して線対称である。By wiring in this way, the number of layers formed in the
Further, even if the number of layers formed in the
As shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b), the wirings 61-1, 2 to 62-1 and 2 are point-symmetric with respect to the
上述した変形例1によれば、以下の作用効果が得られる。すなわち、撮像素子101は、ブロック信号線60を接続する配線層72を備える。そして、複数のブロック301〜304のうち、例えば赤(R)の波長域の光を光電変換する複数の画素30を有するR色ブロック301のブロック信号線60と、青(B)の波長域の光を光電変換する複数の画素30を有するB色ブロック302のブロック信号線60とを、それぞれ、配線層72の同じ層の配線61−1、配線61−2により接続する(図8(a))。このように配線することにより、ブロック301、302においてブロック信号線60を配線接続するために配線層72を2層分使用する場合に比べて、使用層数を2から1へ減らし、コストを抑えることができる。
According to the above-mentioned
また、緑(G)の波長域の光を光電変換する複数の画素30を有する第1のG色ブロック303のブロック信号線60と、緑(G)の波長域の光を光電変換する複数の画素30を有する第2のG色ブロック304のブロック信号線60とを、それぞれ、配線層72の同じ層の配線62−1、配線62−2により接続する(図8(b))。このように配線することにより、ブロック303、304においてブロック信号線60を配線接続するために配線層72を2層分使用する場合に比べて、使用層数を2から1へ減らし、コストを抑えることができる。
Further, the
さらに、配線層72を使用する層数を減らすことは、層間を接続するためのviaの数を減らすことにもつながるので、配線のインピーダンスのばらつきを抑えるというメリットを得ることもできる。なお、図8の配線は、「王」字状である。
Further, reducing the number of layers using the
(変形例2)
変形例2では、画素エリア201においてブロック内の配線が、空間的に重なり合う他色のブロック間の配線と接触しないように配線を分け、配線層の1層に4色分の配線を行う。なお、上記実施の形態や変形例1と同様に、G色の第1ブロックとG色の第2ブロックとは、便宜上異なる色として扱うものとする。(Modification 2)
In the second modification, the wiring in the block is divided so that the wiring in the block does not come into contact with the wiring between blocks of other colors that are spatially overlapped in the
図9は、変形例2による各色の配線を説明する模式図である。変形例2では、ブロックの中心に位置する画素部30を起点に、渦巻き状に画素部30間をつないで配線する。例えば、R色ブロック301の中心に位置するR画素から、上方向に2画素ピッチ離れたR画素まで配線61−1でつなぎ、さらに右方向に2画素ピッチ離れたR画素まで配線61−1つなぐ。続いて、上記R色ブロック301の中心に位置するR画素から、右方向に2画素ピッチ離れたR画素まで配線61−1でつなぎ、さらに下方向に2画素ピッチ離れたR画素まで配線61−1でつなぐ。
FIG. 9 is a schematic diagram illustrating wiring of each color according to the second modification. In the second modification, starting from the
同様に、上記R色ブロック301の中心に位置するR画素から、下方向に2画素ピッチ離れたR画素まで配線61−1でつなぎ、さらに左方向に2画素ピッチ離れたR画素まで配線61−1でつなぐ。さらに続けて、上記R色ブロック301の中心に位置するR画素から、左方向に2画素ピッチ離れたR画素まで配線61−1でつなぎ、さらに上方向に2画素ピッチ離れたR画素まで配線61−1でつなぐ。R色ブロック内の配線61−1は、網掛けで示される。
Similarly, the R pixel located at the center of the
第1のG色ブロック303、第2のG色ブロック304、およびB色ブロック302についても、同様に、各ブロックの中心に位置する画素部30を起点に、同色の画素部30間をつないで配線する。図9において、B色ブロック内の配線61−2は、縦縞で示される。また、第1のG色ブロック内の配線61−3は、ドットで示される。さらに、第2のG色ブロック内の配線61−4は、横縞で示される。各色の配線61−1〜61−4は、配線層72の同一層に形成される。図9に示されるように、配線61−1〜61−4は、各色のブロックの中心に位置する画素部30に対して点対称である。
Similarly, for the first
このように配線することにより、上記変形例1に比べて、ブロック内の画素部30を配線接続するために配線層72に形成する層数を2から1へ減らし、コストを抑えることができる。
また、このように配線層72に形成する層数を減らしても、画素エリア201においてブロックが他色のブロックと空間的に重なり合う場合に、各ブロックにおいて同色のブロック内の画素部30のみを適切に接続することができる。By wiring in this way, the number of layers formed in the
Further, even if the number of layers formed in the
上述した変形例2によれば、以下の作用効果が得られる。すなわち、撮像素子101のブロック信号線60は、画素エリア201において、配線61−1により、R色ブロック301の注目画素(例えばR画素)と、注目画素から行方向へ2画素ピッチ離れた第1画素(R画素)と、第1画素(R画素)から列方向へ2画素ピッチ離れた第2画素(R画素)とを相互に接続するとともに、注目画素(R画素)と、注目画素(R画素)から列方向へ2画素ピッチ離れた第3画素(R画素)と、第3画素(R画素)から行方向へ2画素ピッチ離れた第4画素(R画素)とを相互に接続する。このような接続を行って、R色ブロック301において注目画素および注目画素を囲むR画素を相互に接続する。
According to the above-mentioned
B色ブロック302、第1のG色ブロック303、および第2のG色ブロック304についても同様に接続する。すなわち、B色ブロック302は配線61−2により接続し、第1のG色ブロック303は配線61−3により接続し、第2のG色ブロック304は配線61−4により接続する。このように構成したので、ブロック信号線60を配線接続するために配線層72を1層分使用するだけでよくなり、変形例1の場合に比べて、さらにコストを抑えることができる。
また、層間を接続するためのviaの数を減らすことにもつながるので、配線のインピーダンスのばらつきを抑えるというメリットを得ることもできる。The B color block 302, the first
In addition, since the number of vias for connecting the layers can be reduced, it is possible to obtain the merit of suppressing the variation in the impedance of the wiring.
(変形例3)
変形例1および変形例2では、ブロック301〜304は、画素エリア201において注目画素から2ピクセルの範囲内(ブロックのサイズは行方向5ピクセル×列方向5ピクセル)で、注目画素と同じ波長域の光を光電変換する画素30により構成したが、ブロックのサイズをさらに拡げてもよい。(Modification 3)
In the first modification and the second modification, the
図10は、変形例3による各色の配線を説明する模式図である。図10において、例えば、赤(R)に対応する波長領域の光を光電変換する画素部30(注目画素とする)を中心に、そのR画素およびそのR画素を囲む24個のR画素からなる25個のR画素によってR色ブロック301を構成する。すなわち、画素エリア201において注目画素から4ピクセルの範囲内(ブロックのサイズは行方向9ピクセル×列方向9ピクセル)で、注目画素と同じ波長域の光を光電変換する画素30により構成する。このように、ブロックサイズを大きくする場合でも、ブロックの中心に位置する画素部30を起点に、渦巻き状に画素部30間をつないで配線することができる。図10に示されるように、配線61−1〜61−4は、各色のブロックの中心に位置する画素部30に対して点対称である。
FIG. 10 is a schematic diagram illustrating wiring of each color according to the modified example 3. In FIG. 10, for example, the pixel unit 30 (referred to as a pixel of interest) that photoelectrically converts light in the wavelength region corresponding to red (R) is centered on the R pixel and 24 R pixels surrounding the R pixel. The
(変形例4)
ブロックのサイズをさらに大型にする場合は、配線層72を1層分使用するだけではブロック内の画素部30を相互に接続することが困難になる。このような場合には、配線層72を2層分使用してもよい。例えば、図10に例示したような行方向9ピクセル×列方向9ピクセルの小ブロックを、行方向に3個、列方向に3個の計9個を組み合わせて大ブロックを構成するものとする。この場合は、各小ブロックにおける画素部30を接続する配線(ローカル配線と称する)のために配線層72を1層分使用する。そして、9個の小ブロックの中心に位置する9個の画素部30を接続する配線(グローバル配線と称する)のために配線層72の他の層を使用する。グローバル配線は、ローカル配線と同様に、大ブロックの中心に位置する画素部30を起点に、渦巻き状に小ブロックの中心に位置する画素部30間をつないで配線する。(Modification example 4)
When the size of the block is further increased, it becomes difficult to connect the
変形例4によれば、ブロックのサイズの大型化にともなって、ブロック信号線60の配線のレイアウトが複雑化してしまう場合でも、ローカル配線とグローバル配線とで配線層72の異なる層を使用することで、配線層72における使用層数を抑えつつ、適切にブロック内の画素部30を接続することができる。
According to the fourth modification, even if the wiring layout of the
以上の説明では、撮像素子101をデジタルカメラに搭載する例を説明したが、撮像素子101は、デジタルカメラ以外にもスマートフォンやタブレット端末、ウェアラブル端末等の電子機器に搭載してもよい。
In the above description, an example in which the
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
例えば、各色のブロックの中心に位置する画素部30に対して点対称な配線の形状として、上記「日」字状や「王」字状、渦巻き状の配線を例示したが、「N」字状や「Z」字状や「H」字状に配線してもよい。また、各色のブロックの中心に位置する画素部30に対して線対称な配線の形状として、上記「日」字状や「王」字状の配線を例示したが、「H」字状に配線してもよい。Although various embodiments and modifications have been described above, the present invention is not limited to these contents. Other aspects conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included within the scope of the present invention.
For example, as the shape of the wiring point-symmetrical to the
次の優先権基礎出願の開示内容は引用文としてここに組み込まれる。
日本国特許出願2017年第192212号(2017年9月29日出願)The disclosure content of the next priority basic application is incorporated here as a quotation.
Japanese Patent Application No. 192212, 2017 (filed on September 29, 2017)
30…画素部
30x−1〜30x−N…第1画素部
60…ブロック信号線
61〜64…配線
71…PD層
72…配線層
73…カラーフィルタ
100…カメラボディ
101…撮像素子
102…ボディ制御部
201…画素エリア
204…出力部
205…制御部
210…信号線
301〜304…ブロック
PD…フォトダイオード
SEL…選択トランジスタ
SF…増幅トランジスタ
Tx…転送トランジスタ
30 ...
Claims (15)
第2波長域の光を透過する第2透過部を透過した光を光電変換して電荷を生成し、前記第1方向および前記第2方向に配置される複数の第2光電変換部と、
点対称または線対称な配線を有し、複数の前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第1信号線と、
点対称または線対称な配線を有し、複数の前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第2信号線と、
を備える撮像素子。A plurality of first photoelectric conversion units arranged in the first direction and the second direction by photoelectric conversion of the light transmitted through the first transmission unit that transmits light in the first wavelength region to generate an electric charge.
A plurality of second photoelectric conversion units arranged in the first direction and the second direction by photoelectric conversion of the light transmitted through the second transmission unit that transmits light in the second wavelength region to generate an electric charge.
A first signal line having point-symmetrical or line-symmetrical wiring and outputting a signal based on the charges generated by the plurality of first photoelectric conversion units, and
A second signal line having point-symmetrical or line-symmetrical wiring and outputting a signal based on the charges generated by the plurality of second photoelectric conversion units, and
An image sensor comprising.
前記第1信号線と前記第2信号線とが配置される配線層を備える撮像素子。In the image pickup device according to claim 1,
An image pickup device including a wiring layer in which the first signal line and the second signal line are arranged.
第2波長域の光を透過する第2透過部を透過した光を光電変換して電荷を生成し、前記第1方向および前記第2方向に配置される複数の第2光電変換部と、
複数の前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第1信号線と、
複数の前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される第2信号線と、
前記第1信号線と前記第2信号線とが配置される配線層と、
を備える撮像素子。A plurality of first photoelectric conversion units arranged in the first direction and the second direction by photoelectric conversion of the light transmitted through the first transmission unit that transmits light in the first wavelength region to generate an electric charge.
A plurality of second photoelectric conversion units arranged in the first direction and the second direction by photoelectric conversion of the light transmitted through the second transmission unit that transmits light in the second wavelength region to generate an electric charge.
A first signal line to which a signal based on the electric charge generated by the plurality of first photoelectric conversion units is output, and
A second signal line that outputs a signal based on the electric charges generated by the plurality of second photoelectric conversion units, and
A wiring layer in which the first signal line and the second signal line are arranged, and
An image sensor comprising.
前記第1信号線と前記第2信号線とは、点対称または線対称な配線を有する撮像素子。In the image pickup device according to claim 3,
The first signal line and the second signal line are image pickup devices having point-symmetrical or line-symmetrical wiring.
複数の前記配線層を備え、
前記第1信号線と前記第2信号線とは、複数の前記配線層のうち第1配線層に配置される撮像素子。In the image pickup device according to any one of claims 2 to 4.
With a plurality of the wiring layers,
The first signal line and the second signal line are image pickup devices arranged in the first wiring layer among the plurality of wiring layers.
前記第1信号線は、前記第1配線層において、前記第2信号線が設けられていない領域に配置される撮像素子。In the image pickup device according to claim 5,
The first signal line is an image pickup device arranged in a region where the second signal line is not provided in the first wiring layer.
前記第1信号線は、複数の前記第1光電変換部で生成された電荷に基づく信号を加算した信号が出力され、
前記第2信号線は、複数の前記第2光電変換部で生成された電荷に基づく信号を加算した信号が出力される撮像素子。In the image pickup device according to any one of claims 1 to 6.
As the first signal line, a signal obtained by adding signals based on charges generated by the plurality of first photoelectric conversion units is output.
The second signal line is an image pickup device that outputs a signal obtained by adding signals based on charges generated by a plurality of the second photoelectric conversion units.
複数の前記第1光電変換部をそれぞれ有する複数の第1画素群と、
複数の前記第2光電変換部をそれぞれ有する複数の第2画素群と、を備え、
複数の前記第1画素群のそれぞれの重心と、複数の前記第2画素群のそれぞれの重心とは等間隔に配置される撮像素子。In the image pickup device according to any one of claims 1 to 7.
A plurality of first pixel groups each having a plurality of the first photoelectric conversion units, and
A plurality of second pixel groups each having a plurality of the second photoelectric conversion units are provided.
An image pickup device in which the center of gravity of each of the plurality of first pixel groups and the center of gravity of each of the plurality of second pixel groups are arranged at equal intervals.
複数の前記第1光電変換部と複数の前記第2光電変換部と前記第1信号線と前記第2信号線とを有する第1基板と、
前記第1信号線により出力された信号を処理する第1処理部と、前記第2信号線により出力された信号を処理する第2処理部とを有し、前記第1基板と積層される第2基板を備える撮像素子。In the image pickup device according to any one of claims 1 to 8.
A first substrate having a plurality of the first photoelectric conversion units, a plurality of the second photoelectric conversion units, the first signal line, and the second signal line.
A first processing unit that processes a signal output by the first signal line and a second processing unit that processes a signal output by the second signal line, and is laminated with the first substrate. An image sensor including two substrates.
複数の前記第1光電変換部と複数の前記第2光電変換部とを有する第1基板と、
複数の配線層と、前記第1信号線により出力された信号を処理する第1処理部と、前記第2信号線により出力された信号を処理する第2処理部とを有し、前記第1基板と積層される第2基板と、
を備える撮像素子。In the image pickup device according to any one of claims 1 to 8.
A first substrate having a plurality of the first photoelectric conversion units and a plurality of the second photoelectric conversion units,
It has a plurality of wiring layers, a first processing unit that processes a signal output by the first signal line, and a second processing unit that processes a signal output by the second signal line. The second substrate laminated with the substrate and
An image sensor comprising.
前記第1信号線を含み、前記第1光電変換部と前記第1処理部とを接続する第1接続線と、
前記第2信号線を含み、前記第2光電変換部と前記第2処理部とを接続する第2接続線と、を備え、
前記第1接続線の長さと前記第2接続線の長さとは略同じである撮像素子。In the image pickup device according to claim 9 or 10.
A first connection line including the first signal line and connecting the first photoelectric conversion unit and the first processing unit, and
A second connection line including the second signal line and connecting the second photoelectric conversion unit and the second processing unit is provided.
An image sensor in which the length of the first connecting line and the length of the second connecting line are substantially the same.
第3波長域の光を透過する第3透過部を透過した光を光電変換して電荷を生成し、第1方向および第2方向に配置される複数の第3光電変換部と、
複数の前記第3光電変換部で生成された電荷に基づく信号を出力し、前記第1信号線と前記第2信号線とが配置される配線層に配置される第3信号線と、
を備える撮像素子。In the image pickup device according to any one of claims 1 to 11.
A plurality of third photoelectric conversion units arranged in the first direction and the second direction by photoelectric conversion of the light transmitted through the third transmission unit that transmits light in the third wavelength region to generate an electric charge.
A third signal line that outputs a signal based on the electric charge generated by the plurality of third photoelectric conversion units and is arranged in a wiring layer in which the first signal line and the second signal line are arranged, and
An image sensor comprising.
前記第3信号線は、点対称または線対称な配線を有する撮像素子。In the image pickup device according to claim 12,
The third signal line is an image sensor having point-symmetrical or line-symmetrical wiring.
前記第1光電変換部と前記第2光電変換部と前記第3光電変換部はベイヤー配列に基づいて配置される撮像素子。In the image pickup device according to claim 12 or 13.
The first photoelectric conversion unit, the second photoelectric conversion unit, and the third photoelectric conversion unit are image pickup devices arranged based on a Bayer arrangement.
前記撮像素子から出力される信号に基づいて画像データを生成する生成部と、
を備える撮像装置。
The image sensor according to any one of claims 1 to 14.
A generator that generates image data based on the signal output from the image sensor,
An imaging device comprising.
Priority Applications (2)
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