JPWO2019012766A1

JPWO2019012766A1 - Ｒｆｉｄタグ付きメガネおよびｒｆｉｄタグ付き物品

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Publication number: JPWO2019012766A1
Application number: JP2018545522A
Authority: JP
Inventors: 越智　達也; 達也越智; 加藤　登; 登加藤; 哲平三浦
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2017-07-14
Filing date: 2018-04-12
Publication date: 2019-07-11
Anticipated expiration: 2038-04-12
Also published as: JP6531873B1; JP2019149168A; WO2019012766A1; JP6857676B2

Abstract

ＲＦＩＤタグ付きメガネ（４１０）は、メガネレンズ（４１１）と金属製リム（４１２）とを有するメガネと、ＲＦＩＤタグ（３０１）と、を備える。ＲＦＩＤタグ（３０１）は、第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナを備える。ＲＦＩＤタグは、第１ダイポールエレメントの第１側部が金属製リム（４１２）に沿うようにメガネレンズ（４１１）に貼着されている。

Description

本発明は、所定の物品の管理を行うためにＲＦＩＤタグが付された物品に関し、特に、ＲＦＩＤタグの付与に適さない物品についても、ＲＦＩＤタグを使用できるようにしたＲＦＩＤタグ付き物品に関する。

ＲＦＩＤタグを用いて、装着者を顧客として管理できるようにしたＲＦＩＤタグ付きメガネが特許文献１に示されている。また、顧客の購入したメガネに関する情報を、ＲＦＩＤタグを用いて管理できるようにしたＲＦＩＤタグ付きメガネが特許文献２に示されている。

特開２０１６−１１９７０号公報特開２００５−２１５３２４号公報

特許文献１に示されているＲＦＩＤタグ付きメガネにおいては、メガネのテンプルにＲＦＩＤタグが貼着されている。この構造の場合、テンプルが絶縁樹脂であれば、ＲＦＩＤタグの読取りが可能であるが、テンプルが金属であると、ＲＦＩＤタグの読取りは困難となる。また、たとえ、テンプルが絶縁樹脂製であっても、リムが金属であれば、メガネに対するリーダライタの位置関係によっては、ＲＦＩＤタグの読取りが難しいことがある。電磁気的にはリムは二つのループ状の導体であるので、ＵＨＦ帯においては面状に拡がった導体板として作用する。そのため、例えばリムの正面側にリーダ／ライタを向けた場合に、リムがＲＦＩＤタグを電磁気的に遮蔽することになり、ＲＦＩＤタグとの通信が困難になる。

特許文献２に示されているＲＦＩＤタグ付きメガネにおいては、レンズの凹部にＲＦＩＤタグが埋め込まれている。この構造であれば、リムが金属であってもその影響を受け難いが、ＲＦＩＤタグのアンテナを大きくすることが難しく、十分な通信距離は得られない。そのため、リーダライタを近接させないとタグの読取りが難しく、ＲＦＩＤタグの利用用途が限定される。

そこで、本発明の目的は、電磁気的にループ状導体が形成される物品についても、ＲＦＩＤタグとの通信が可能なＲＦＩＤタグ付き物品、特にＲＦＩＤタグ付きメガネを提供することにある。

（１）本発明のＲＦＩＤタグ付きメガネは、メガネレンズと、当該メガネレンズを保持する金属製リムと、を有するメガネと、平面寸法が前記メガネレンズより小さなＲＦＩＤタグと、を備え、
前記ＲＦＩＤタグは、
基材と、
前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記基材に形成され、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
で構成され、
前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向および短手方向をもち、前記長手方向の互いに対向する端部である第１端部および第２端部を有し、前記短手方向の互いに対向する側部である第１側部および第２側部を有し、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１接続端から前記第１端部方向へ延伸するとともに前記第１側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第２ダイポールエレメントは、前記第２接続端から前記第２端部方向へ延伸するとともに前記第２側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記ＲＦＩＤタグは、前記第１側部が前記金属製リムに沿うように前記メガネレンズに貼着された、
ことを特徴とする。

上記の構成により、第１ダイポールエレメントの開放端およびその近傍がリムに沿って配置されることになるので、リムがＲＦＩＤタグのアンテナの一部として作用する。すなわち、ループ状導体内にＲＦＩＤタグが配置されているにも拘わらず、ループ状導体が有効に利用され、ＲＦＩＤタグはリーダ／ライタと通信可能となる。

（２）本発明のＲＦＩＤタグ付き物品は、絶縁体部と、当該絶縁体部の周縁の全部または一部を囲む金属部と、を有する物品と、平面寸法が前記絶縁体部より小さなＲＦＩＤタグと、を備え、
前記ＲＦＩＤタグは、
基材と、
前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記基材に形成され、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
で構成され、
前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向および短手方向をもち、前記長手方向の互いに対向する端部である第１端部および第２端部を有し、前記短手方向の互いに対向する側部である第１側部および第２側部を有し、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１接続端から前記第１端部方向へ延伸するとともに前記第１側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第２ダイポールエレメントは、前記第２接続端から前記第２端部方向へ延伸するとともに前記第２側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記ＲＦＩＤタグは、前記第１側部が前記金属部に沿うように前記絶縁体部に貼着された、
ことを特徴とする。

上記の構成により、第１ダイポールエレメントの開放端およびその近傍が金属部に沿って配置されることになるので、金属部がＲＦＩＤタグのアンテナの一部として作用する。すなわち、ループ状導体内にＲＦＩＤタグが配置されているにも拘わらず、ループ状導体が有効に利用され、ＲＦＩＤタグはリーダ／ライタと通信可能となる。

（３）前記第１開放端は前記第１側部寄りの位置にあることが好ましい。このことにより、第１開放端と金属部との間の電界結合度が大きくなり、金属部に誘導される電流が増大することで、金属部は放射体として効果的に作用する。

（４）前記ＲＦＩＣ素子は、ＲＦＩＣチップと、前記ＲＦＩＣチップと前記ダイポール型アンテナとのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路とを一体化した素子であることが好ましい。この構成により、貼付などによりＲＦＩＤタグを設ける先である物品の誘電率や透磁率の影響を受けず、ＲＦＩＤタグ単体での電気的特性を保てる。

（５）前記第１ダイポールエレメントの一部は前記ＲＦＩＣ素子と前記第１側部との間に配置されていて、前記第２ダイポールエレメントの一部は前記ＲＦＩＣ素子と前記第２側部との間に配置されていることが好ましい。この構造により、限られた面積の基材に所定線長の第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントを形成できる。

（６）前記ダイポール型アンテナは、前記長手方向の寸法が前記短手方向の寸法の２倍以上であることが好ましい。この構造により、第１開放端と金属部との間の電界結合度が大きくなり、金属部に誘導される電流が増大することで、金属部は放射体として効果的に作用する。また、ＲＦＩＣ素子から互いに概略反対方向へ延びる第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントの範囲を長く確保でき、アンテナの所定の利得が得やすい。

（７）前記ＲＦＩＣ素子は前記ダイポール型アンテナを介してＵＨＦ帯で通信することが好ましい。これにより、ＵＨＦ帯を利用するＲＦＩＤシステムに適合できる。

本発明によれば、電磁気的にループ状導体が形成される物品についても、ＲＦＩＤタグとの通信が可能なＲＦＩＤタグ付き物品が得られる。また、特にＲＦＩＤタグ付きメガネが得られる。

図１は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ付きメガネ４１０の部分正面図である。図２（Ａ）はＲＦＩＤタグ３０１の平面図である。図２（Ｂ）はＲＦＩＤタグ３０１と、メガネレンズ４１１およびリム４１２との関係を示す正面図である。図３（Ａ）は、特にＲＦＩＤタグ３０１に流れる電流とリム４１２に流れる電流との関係を示す図である。図３（Ｂ）はＲＦＩＤタグ付きメガネのアンテナ部分の等価回路図である。図４は、ＲＦＩＣ素子１００の斜視図である。図５は、図４に示すＲＦＩＣ素子の縦断面図である。図６Ａは、多層基板１２０の上位の絶縁層を真上から見た状態を示す平面図である。図６Ｂは、多層基板１２０の中位の絶縁層の平面図である。図６Ｃは、多層基板１２０の下位の絶縁層の示す平面図である。図７Ａは、図６Ａに示す絶縁層のＢ１−Ｂ１線断面図である。図７Ｂは、図６Ｂに示す絶縁層のＢ２−Ｂ２線断面図である。図７Ｃは、図６Ｃに示す絶縁層のＢ３−Ｂ３線断面図である。図８は、ＲＦＩＣ素子１００の等価回路を示す図である。図９は、ＲＦＩＣ素子１００のインダクタＬ１〜Ｌ４に生じる磁界の方向を示す図である。図１０は、ＲＦＩＣ素子１００におけるリジッド領域およびフレキシブル領域の分布を示す図である。図１１は、ＲＦＩＣ素子１００をランドＬＡ１，ＬＡ２に取り付けたＲＦＩＤタグが撓んだ状態を示す図である。図１２は、図１１のＲＦＩＤタグの等価回路を流れる電流の一例を示す図である。図１３は、図１１のＲＦＩＤタグにおいて、ＲＦＩＣチップに接続される回路をＲＦＩＣチップから視た反射損失の周波数特性を示す図である。図１４は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０２Ａの平面図である。図１５は第２の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｂの平面図である。図１６は第２の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｃの平面図である。図１７は第２の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｄの平面図である。図１８は第２の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｅの平面図である。図１９はＲＦＩＤタグ付き名札４２１の内部構造を示す平面図である。図２０はＲＦＩＤタグ付き携帯電子機器４２２の主要構成を示す図である。図２１はＲＦＩＤタグ付きクリップボード４２３の平面図である。図２２はＲＦＩＤタグ付き自動車４２４の斜視図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ付きメガネ４１０の部分正面図である。このＲＦＩＤタグ付きメガネ４１０は、メガネレンズ４１１と、このメガネレンズ４１１を保持する金属製リム（以下、単に「リム」）４１２と、を有するメガネと、平面寸法がメガネレンズ４１１より小さなＲＦＩＤタグ３０１と、を備える。リム４１２はループ状導体である。上記メガネレンズ４１１は、例えばメガネフレームの展示用に予め嵌め込まれた、度数の無い樹脂製のレンズである。

図２（Ａ）はＲＦＩＤタグ３０１の平面図である。このＲＦＩＤタグ３０１は、矩形板状の基材１、この基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０、基材１に搭載されたＲＦＩＣ素子１００を備える。

基材１は、平面視で長手方向（図２（Ａ）におけるＸ軸方向）および短手方向（図２（Ａ）におけるＹ軸方向）をもち、長手方向の互いに対向する端部である第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２を有し、短手方向の互いに対向する側部である第１側部Ｓ１および第２側部Ｓ２を有する。本実施形態では、基材のほぼ全面が、ダイポール型アンテナの形成領域であるので、基材１の「長手方向」、「短手方向」、「第１端部Ｅ１」、「第２端部Ｅ２」、「第１側部Ｓ１」および「第２側部Ｓ２」は、本発明に係る「長手方向」、「短手方向」、「第１端部」、「第２端部」、「第１側部」および「第２側部」にそれぞれ対応する。

基材１の中央には、ＲＦＩＣ素子１００を実装するためのランドＬＡ１，ＬＡ２が形成されている。このランドＬＡ１，ＬＡ２にＲＦＩＣ素子１００の第１入出力端子および第２入出力端子がそれぞれ接続される。

基材１には第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０が形成されている。この第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０で１つのダイポール型アンテナが構成される。このダイポール型アンテナは基本的に１／４波長共振を利用するが、後述するように、それに限るものではない。

第１ダイポールエレメント１０は主導体パターン部１１と先端部１２とで構成される。第２ダイポールエレメント２０は主導体パターン部２１と先端部２２とで構成される。

第１ダイポールエレメント１０の主導体パターン部１１は側部導体パターン１１Ｓを含む。この側部導体パターン１１ＳはＲＦＩＣ素子１００と先端部１２との間に配置されている。同様に、第２ダイポールエレメント２０の主導体パターン部２１の一部である側部導体パターン２１ＳはＲＦＩＣ素子１００と先端部２２との間に配置されている。

第１ダイポールエレメント１０の一端は、ランドＬＡ１に接続される（ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子に接続される）第１接続端ＣＥ１である。第１ダイポールエレメント１０の他端は第１開放端ＯＥ１である。第２ダイポールエレメント２０の一端は、ランドＬＡ２に接続される（ＲＦＩＣ素子の第２入出力端子に接続される）第２接続端ＣＥ２である。第２ダイポールエレメント２０の他端は第２開放端ＯＥ２である。

第１ダイポールエレメント１０は、第１接続端ＣＥ１から第１端部Ｅ１方向へ延伸するとともに第１側部Ｓ１方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンである。同様に、第２ダイポールエレメント２０は、第２接続端ＣＥ２から第２端部Ｅ２方向へ延伸するとともに第２側部Ｓ２方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンである。本実施形態では、ＲＦＩＣ素子１００と先端部１２，２２との間に側部導体パターン１１Ｓ，２１Ｓが配置されているので、基材１の面積を、ダイポールエレメントを形成するためのスペースとして有効に利用でき、ＲＦＩＤタグの小型化が図れる。また、同サイズであれば、高利得化が図れる。

第１開放端ＯＥ１は第１ダイポールエレメント１０の形成領域のうち第１側部Ｓ１寄りの位置にある。同様に、第２開放端ＯＥ２は第２ダイポールエレメント２０の形成領域のうち第２側部Ｓ２寄りの位置にある。

第１ダイポールエレメント１０は、第１開放端ＯＥ１が、基材１の第１端部Ｅ１より第２端部Ｅ２方向へ折り返されている。同様に、第２ダイポールエレメント２０は、第２開放端ＯＥ２が、基材１の第２端部Ｅ２より第１端部Ｅ１方向へ折り返されている。

本実施形態では、第１ダイポールエレメント１０のうち、先端部１２の線幅は主導体パターン部１１の線幅より２倍以上太い。同様に、第２ダイポールエレメント２０のうち、先端部２２の線幅は主導体パターン部２１の線幅より２倍以上太い。また、先端部１２は側部導体パターン１１Ｓの形成領域より第２端部Ｅ２方向へ更に延出している。同様に、先端部２２は側部導体パターン２１Ｓの形成領域より第１端部Ｅ１方向へ更に延出している。

第１ダイポールエレメント１０の先端部１２および第２ダイポールエレメント２０の先端部２２は、ダイポールエレメントの開放端およびその付近に容量を付加するための導体パターンである。この容量付加によって、ダイポールエレメントを短縮化している。

第１ダイポールエレメント１０の主導体パターン部１１のうち、第１側部Ｓ１に近接して沿う部分および先端部１２は容量結合部ＣＣを構成する。

本実施形態のＲＦＩＤタグ３０１は、長手方向の寸法は２４ｍｍ、短手方向の寸法は８ｍｍであり、短手方向と長手方向の寸法比は１：３である。すなわち長手方向の寸法は短手方向の寸法の２倍以上である（図２（Ｂ）参照）。

図２（Ｂ）はＲＦＩＤタグ３０１と、メガネレンズ４１１およびリム４１２との関係を示す正面図である。図３（Ａ）は、特にＲＦＩＤタグ３０１に流れる電流とリム４１２に流れる電流との関係を示す図である。図３（Ａ）においては、第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０のミアンダ状パターンの折り返し回数を簡略化して表している。図３（Ｂ）はＲＦＩＤタグ付きメガネのアンテナ部分の等価回路図である。

図２（Ｂ）における正面と、図２（Ａ）における平面とは、同方向に視た面である。

図１、図２（Ｂ）、図３（Ａ）に表れているように、ＲＦＩＤタグ３０１は、第１側部Ｓ１（第１開放端）がリム４１２に沿うように、且つ、第２側部Ｓ２（第２開放端）が第１側部Ｓ１（第１開放端）よりもリム４１２の中央（メガネレンズ３１１の中央）寄りに位置するように、メガネレンズ４１１に貼着されている。このオフセット配置構造により、容量結合部ＣＣ（第１ダイポールエレメント１０の開放端ＯＥ１およびその近傍）がリム４１２に沿って配置される。

容量結合部ＣＣとリム４１２とが近接して沿うことにより、図２（Ｂ）、図３（Ａ）中にキャパシタの回路記号で示すように、容量結合部ＣＣとリム４１２との間に容量が生じる。この容量を介して、容量結合部ＣＣとリム４１２とが容量結合する。これにより、図３（Ａ）に示すように電流が誘導される。図３（Ａ）において、例えば第１接続端ＣＥ１から第１開放端ＯＥ１方向へ電流が流れるとき、容量結合部ＣＣに右向きの電流が流れ、リム４１２に右向きの電流が流れる。

なお、このとき、第２ダイポールエレメント２０のうちリム４１２に近接して沿う部分には左向きの電流が流れるが、この部分は第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２から遠く、第２接続端ＣＥ２に近い位置であるので、電圧強度は低く、この部分とリム４１２との容量結合は殆ど無い。また、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２およびその近傍はリム４１２から相対的に離れているので、第２開放端ＯＥ２およびその近傍とリム４１２との間には大きな容量は形成されない。したがって、第２ダイポールエレメント２０とリム４１２との不要な結合は小さい。

上記リム４１２は図３（Ｂ）においてループ状導体で示すグランドＧＮＤとして表すことができる。そして、第２ダイポールエレメント２０はモノポールアンテナとして表すことができる。

以降、ＲＦＩＣ素子の構成と作用について説明する。

図４は、ＲＦＩＣ素子１００の斜視図である。ＲＦＩＣ素子１００は、例えば、９００ＭＨｚ帯、すなわちＵＨＦ帯の通信周波数に対応するＲＦＩＣ素子である。ＲＦＩＣ素子１００は、主面が矩形をなす多層基板１２０を有する。多層基板１２０は、可撓性を有している。多層基板１２０は、例えば、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する樹脂絶縁層を積層した積層体の構造を有する。これらの材料で構成される各絶縁層の誘電率は、ＬＴＣＣに代表されるセラミック基材層の誘電率よりも小さい。

ここでは、多層基板１２０の長さ方向をＸ軸とし、多層基板１２０の幅方向をＹ軸とし、多層基板１２０の厚み方向をＺ軸とする。

図５は、図４に示すＲＦＩＣ素子の縦断面図である。図６Ａは、多層基板１２０の上位の絶縁層を真上から見た状態を示す平面図である。図６Ｂは、多層基板１２０の中位の絶縁層の平面図である。図６Ｃは、多層基板１２０の下位の絶縁層の示す平面図である。図７Ａは、図６Ａに示す絶縁層のＢ１−Ｂ１線断面図である。図７Ｂは、図６Ｂに示す絶縁層のＢ２−Ｂ２線断面図である。図７Ｃは、図６Ｃに示す絶縁層のＢ３−Ｂ３線断面図である。

多層基板１２０には、図５に示すように、ＲＦＩＣチップ１６０およびインピーダンス整合回路１８０が内蔵されている。多層基板１２０の一方の主面には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂが形成されている。整合回路１８０はＲＦＩＣチップ１６０と、第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０とをインピーダンス整合させるとともに、アンテナの共振周波数特性を定める。

ＲＦＩＣチップ１６０は、シリコン等の半導体を素材とする硬質の半導体基板に各種の素子を内蔵した構造を有している。ＲＦＩＣチップ１６０の両主面は正方形である。また、ＲＦＩＣチップ１６０の他方の主面には、図６Ｃに示すように、第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂが形成されている。多層基板１２０の内部において、ＲＦＩＣチップ１６０は、正方形の各辺がＸ軸またはＹ軸方向に沿って延び、且つ一方の主面および他方の主面がＸ−Ｙ面に平行な状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸の各々における中央に位置する。

整合回路１８０は、コイル導体２００および層間接続導体２４０ａ，２４０ｂによって構成されている。コイル導体２００は、図６Ｂまたは図６Ｃに示すコイルパターン２００ａ〜２００ｃによって構成されている。コイルパターン２００ａの一部は、第１コイル部ＣＩＬ１により構成されている。コイルパターン２００ｂの一部は、第２コイル部ＣＩＬ２により構成されている。コイルパターン２００ｃの一部は、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４により構成されている。

第１コイル部ＣＩＬ１、第３コイル部ＣＩＬ３、および層間接続導体２４０ａは、Ｚ軸方向に並ぶように配置されている。第２コイル部ＣＩＬ２、第４コイル部ＣＩＬ４、および層間接続導体２４０ｂも、Ｚ軸方向に並ぶように配置されている。

ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＺ軸方向から見たとき、第１コイル部ＣＩＬ１と第２コイル部ＣＩＬ２との間に配置されている。また、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＹ軸方向から見たとき、第３コイル部ＣＩＬ３と第４コイル部ＣＩＬ４との間に配置されている。

第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、いずれも可撓性を有する銅箔を素材として短冊状に形成されている。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの各々の主面のサイズは、互いに一致する。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの短辺は、Ｘ軸方向に延びている。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの長辺は、Ｙ軸方向に延びている。

従って、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＹ軸方向から見たとき、整合回路１８０の一部と整合回路１８０の他の一部とによって挟まれる。また、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＸ軸方向から見たとき、整合回路１８０と重なる。整合回路１８０は、多層基板１２０を平面視したとき、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの各々と部分的に重なる。

多層基板１２０は、図６Ａ〜図６Ｃに示すように、積層された３つのシート状の絶縁層１２０ａ〜１２０ｃによって構成されている。絶縁層１２０ａは上位に位置し、絶縁層１２０ｂは中位に位置し、絶縁層１２０ｃは下位に位置する。

絶縁層１２０ａの一方の主面には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂが形成されている。絶縁層１２０ｂの一方の主面の中央位置には、他方主面に達する矩形の貫通孔ＨＬ１が形成されている。貫通孔ＨＬ１は、ＲＦＩＣチップ１６０を包含するサイズに形成されている。また、絶縁層１２０ｂの一方の主面のうち貫通孔ＨＬ１の周辺には、コイルパターン２００ｃが形成されている。コイルパターン２００ｃは、可撓性を有する銅箔を素材として構成されている。

コイルパターン２００ｃの一端部は、平面視において、第１端子電極１４０ａと重なる位置に配置され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２０ａによって第１端子電極１４０ａと接続されている。また、コイルパターン２００ｃの他端部は、平面視において、第２端子電極１４０ｂと重なる位置に配置され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２０ｂによって第２端子電極１４０ｂと接続されている。層間接続導体２２０ａ，２２０ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクで構成されている。

絶縁層１２０ｃの一方の主面には、コイルパターン２００ａ，２００ｂが形成されている。コイルパターン２００ａ，２００ｂは、可撓性を有する銅箔を素材として構成されている。

第１コイル端Ｔ１および第２コイル端Ｔ２は、いずれも、絶縁層１２０ｃを平面視したとき、矩形に形成されている。

コイルパターン２００ａの一端部は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４０ａによってコイルパターン２００ｃの一端部と接続されている。コイルパターン２００ｂの一端部は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４０ｂによってコイルパターン２００ｃの他端部と接続されている。層間接続導体２４０ａ，２４０ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクで構成されている。

絶縁層１２０ｂ，１２０ｃを平面視したとき、コイルパターン２００ａの一部の区間はコイルパターン２００ｃの一部の区間と重なり、コイルパターン２００ｂの一部の区間もコイルパターン２００ｃの他の一部の区間と重なる。ここでは、コイルパターン２００ａ，２００ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２００ａ側の区間を“第１コイル部ＣＩＬ１”といい、コイルパターン２００ｃ側の区間を“第３コイル部ＣＩＬ３”という。また、コイルパターン２００ｂ，２００ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２００ｂ側の区間を“第２コイル部ＣＩＬ２”といい、コイルパターン２００ｃ側の区間を“第４コイル部ＣＩＬ４”という。さらに、コイルパターン２００ａの一端部またはコイルパターン２００ｃの一端部の位置を“第１位置Ｐ１”といい、コイルパターン２００ｂの一端部またはコイルパターン２００ｃの他端部の位置を“第２位置Ｐ２”という。

絶縁層１２０ｃの一方の主面には、矩形のダミー導体２６０ａ，２６０ｂが形成されている。ダミー導体２６０ａ，２６０ｂは、可撓性を有する銅箔を素材として構成されている。絶縁層１２０ｂ，１２０ｃを平面視したとき、ダミー導体２６０ａ，２６０ｂは、矩形の貫通孔ＨＬ１の４つのコーナー部のうち、２つのコーナー部にそれぞれ重なるように配置されている。

ＲＦＩＣチップ１６０は、他方の主面の４つのコーナー部が第１コイル端Ｔ１、第２コイル端Ｔ２、およびダミー導体２６０ａ，２６０ｂとそれぞれ対向するように、絶縁層１２０ｃに実装されている。第１入出力端子１６０ａは、平面視において第１コイル端Ｔ１と重なるように、ＲＦＩＣチップ１６０の他方の主面に配置されている。同様に、第２入出力端子１６０ｂは、平面視において第２コイル端Ｔ２と重なるように、ＲＦＩＣチップ１６０の他方の主面に配置されている。

その結果、ＲＦＩＣチップ１６０は、第１入出力端子１６０ａによって第１コイル端Ｔ１と接続され、第２入出力端子１６０ｂによって第２コイル端Ｔ２と接続されている。

なお、絶縁層１２０ａ〜１２０ｃの厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下である。このため、多層基板１２０に内蔵されたＲＦＩＣチップ１６０および整合回路１８０は、外側から透けて見える。従って、ＲＦＩＣチップ１６０および整合回路１８０の接続状態（断線の有無）を容易に確認することができる。

図８は、上述したように構成されるＲＦＩＣ素子１００の等価回路を示す図である。図８において、インダクタＬ１は、第１コイル部ＣＩＬ１に対応している。インダクタＬ２は、第２コイル部ＣＩＬ２に対応している。インダクタＬ３は、第３コイル部ＣＩＬ３に対応している。インダクタＬ４は、第４コイル部ＣＩＬ４に対応している。整合回路１８０によるインピーダンス整合の特性は、インダクタＬ１〜Ｌ４の値によって規定される。

インダクタＬ１の一端部は、ＲＦＩＣチップ１６０に設けられた第１入出力端子１６０ａに接続されている。インダクタＬ２の一端部は、ＲＦＩＣチップ１６０に設けられた第２入出力端子１６０ｂに接続されている。インダクタＬ１の他端部は、インダクタＬ３の一端部に接続されている。インダクタＬ２の他端部は、インダクタＬ４の一端部に接続されている。インダクタＬ３の他端部は、インダクタＬ４の他端部に接続されている。第１端子電極１４０ａは、インダクタＬ１，Ｌ３の接続点に接続されている。第２端子電極１４０ｂは、インダクタＬ２，Ｌ４の接続点に接続されている。

図８に示す等価回路から分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１、第２コイル部ＣＩＬ２、第３コイル部ＣＩＬ３、および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁界が同相となるように巻回され且つ互いに直列接続されている。従って、磁界は、ある時点において、図９において矢印で示す方向に向くように発生する。一方、磁界は、別の時点において、図９において矢印で示す方向とは反対の方向に向くように発生する。

また、図６Ｂおよび図６Ｃから分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３は、ほぼ同一のループ形状で且つ同一の第１巻回軸を有している。同様に、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４は、ほぼ同一のループ形状で且つ同一の第２巻回軸を有している。第１巻回軸および第２巻回軸は、ＲＦＩＣチップ１６０を挟む位置に配置されている。

すなわち、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３は、磁気的且つ容量的に結合している。同様に、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁気的且つ容量的に結合している。

以上の説明から分かるように、ＲＦＩＣチップ１６０は、第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂを有し、多層基板１２０に内蔵されている。また、整合回路１８０は、コイルパターン２００ａ〜２００ｃを含んで多層基板１２０に内蔵されている。このうち、コイルパターン２００ａは第１入出力端子１６０ａに接続された他端部（＝第１コイル端Ｔ１）を有し、コイルパターン２００ｂは第２入出力端子１６０ｂに接続された他方に端部（＝第２コイル端Ｔ２）を有する。また、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、多層基板１２０の一方の主面に設けられている。第１端子電極１４０ａは、コイルパターン２００ａの一端部（＝第１位置Ｐ１）に接続されている。第２端子電極１４０ｂは、コイルパターン２００ｂの一端部（＝第２位置Ｐ２）にそれぞれ接続されている。

また、第１コイル部ＣＩＬ１は、第１コイル端Ｔ１から第１位置Ｐ１までの区間に存在し、多層基板１２０の一方の主面と交差する方向に第１巻回軸を有する。第２コイル部ＣＩＬ２は、第２コイル端Ｔ２から第２位置Ｐ２までの区間に存在し、多層基板１２０の一方の主面と交差する方向に第２巻回軸を有する。第３コイル部ＣＩＬ３は、平面視において第１コイル部ＣＩＬ１と重なるように配置されている。第４コイル部ＣＩＬ４は、平面視において第２コイル部ＣＩＬ２と重なるように配置されている。第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３と第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４とは、ＲＦＩＣチップ１６０を挟む位置に配置されている。多層基板１２０には、整合回路１８０と、ＲＦＩＣチップ１６０とが内蔵されている。

ＲＦＩＣチップ１６０は、半導体基板で構成されている。このため、第１コイル部ＣＩＬ１、第２コイル部ＣＩＬ２、第３コイル部ＣＩＬ３、および第４コイル部ＣＩＬ４にとって、ＲＦＩＣチップ１６０は、グランドまたはシールドとして機能する。その結果、第１コイル部ＣＩＬ１および第２コイル部ＣＩＬ２、並びに、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなる。これによって、通信信号の通過帯域の狭帯域化が抑制される。

次に、ＲＦＩＣ素子１００をはんだ等の導電性接合材１３ａ，１３ｂによってランドＬＡ１，ＬＡ２上に取り付けた例について説明する。図１０は、ＲＦＩＣ素子１００におけるリジッド領域およびフレキシブル領域の分布を示す図である。図１１は、ＲＦＩＣ素子１００をランドＬＡ１，ＬＡ２に取り付けたＲＦＩＤタグが撓んだ状態を示す図である。

上述したように、多層基板１２０、コイルパターン２００ａ〜２００ｃ、第１端子電極１４０ａ、および第２端子電極１４０ｂは、可撓性を有する部材で構成されている。一方、層間接続導体２２０ａ，２２０ｂ，２４０ａ，２４０ｂ、およびＲＦＩＣチップ１６０は、硬質の部材で構成されている。また、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、比較的サイズが大きいため、可撓性が低い。また、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂにＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｓｎ等のめっき膜を施した場合には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの可撓性はさらに低くなる。

このため、ＲＦＩＣ素子１００には、図１０に示すように、リジッド領域およびフレキシブル領域が形成される。より具体的には、第１端子電極１４０ａ、第２端子電極１４０ｂ、およびＲＦＩＣチップ１６０が配置された領域はリジッド領域になり、他の領域はフレキシブル領域となる。特に、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂはＲＦＩＣチップ１６０から離れた位置に設けられるため、第１端子電極１４０ａとＲＦＩＣチップ１６０との間、および第２端子電極１４０ｂとＲＦＩＣチップ１６０との間はフレキシブル領域になる。

このため、ＲＦＩＣ素子１００が基材１のランドＬＡ１，ＬＡ２に貼り付けたＲＦＩＤタグを曲面に貼り付けた場合、ＲＦＩＣ素子１００は、例えば、図１１に示すように撓む。

図１２は、図１１のＲＦＩＤタグの等価回路を流れる電流の一例を示す図である。図１３は、図１１のＲＦＩＤタグにおいて、ＲＦＩＣチップに接続される回路をＲＦＩＣチップから視た反射損失の周波数特性を示す図である。

図１２に示すように、第１入出力端子１６０ａとび第２入出力端子１６０ｂとの間には、ＲＦＩＣチップ１６０が有する寄生容量（浮遊容量）Ｃｐが存在する。このため、ＲＦＩＣ素子１００では２つの共振が発生する。１つ目の共振は、第１ダイポールエレメント１０、第２ダイポールエレメント２０、インダクタＬ３，Ｌ４で構成される電流経路に生じる共振である。２つ目の共振は、インダクタＬ１〜Ｌ４および寄生容量Ｃｐで構成される電流経路（電流ループ）に生じる共振である。これらの２つの共振は、各電流経路に共有されるインダクタＬ３〜Ｌ４によって結合される。２つの共振にそれぞれ対応する２つの電流Ｉ１およびＩ２は、図１２において破線の矢印で示すように流れる。

また、１つ目の共振周波数および２つ目の共振周波数のいずれも、インダクタＬ３〜Ｌ４の影響を受ける。これにより、図１３に示すように、１つ目の共振周波数ｆ１と２つ目の共振周波数ｆ２との間には、数１０ＭＨｚ（具体的には５ＭＨｚ以上５０ＭＨｚ以下程度）の差が生じる。このように二つの共振を結合させることで、図１３に示すような広帯域の共振周波数特性が得られる。

本実施形態によれば、リム４１２がループ状導体でありながらも、そのリム４１２がＲＦＩＤタグ３０１のアンテナの一部として作用する。すなわち、ループ状導体内にＲＦＩＤタグが配置されているにも拘わらず、ループ状導体が有効に利用され、ＲＦＩＤタグはリーダ／ライタと通信可能となる。このようにループ状導体はＲＦＩＤタグのアンテナの一部として作用するので、つまり、ＲＦＩＤタグのダイポール型アンテナだけで放射するのではないので、ダイポール型アンテナは１／４波長共振のための大きさでなくてもよい。特に、リムに相対的に近い第１ダイポールエレメントは、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示したように、リムと相互に作用するので、１／４波長相当の長さでなくてもよい。

本実施形態のＲＦＩＤタグは、メガネフレームの展示用に予め嵌め込まれた、度数の無い樹脂製のレンズに貼り付けられた従来のメガネシールと同様に、メガネレンズに貼付するだけで、つまりメガネの意匠性を大きく損なうことなく、ＲＦＩＤタグ付きメガネを構成できる。

このようにして、ＲＦＩＤタグ付きメガネは、その在庫管理、店頭での管理、流通時の管理等に用いることができる。

なお、以上に示した例では、リムが閉ループのループ状導体を構成する例を示したが、いわゆるハーフリムタイプのメガネフレームやアンダーリムタイプのメガネフレームのように、リムが開ループのループ状導体であっても同様に適用できる。

また、本実施形態によれば、ＲＦＩＣ素子１００内にＲＦＩＣチップ１６０と、第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０とのインピーダンスを整合させるとともに、アンテナの共振周波数特性を定めるインピーダンス整合回路を設けたので、次のような作用効果を奏する。

先ず、インピーダンス整合および共振周波数特性設定用の回路を基材に形成する必要が無いので、基材の面積を、ダイポールエレメントを形成するためのスペースとして有効に利用でき、ＲＦＩＤタグの小型化が図れる。また、同サイズであれば、高利得化が図れる。

また、ＲＦＩＣ素子１００を実装するランドＬＡ１，ＬＡ２は、平面視でＲＦＩＣ素子１００の第１コイル部ＣＩＬ１、第２コイル部ＣＩＬ２、第３コイル部ＣＩＬ３、および第４コイル部ＣＩＬ４と重なるので、コイル部ＣＩＬ１〜ＣＩＬ４はランドＬＡ１，ＬＡ２で電磁気的に遮蔽される、このことにより、ＲＦＩＤタグの貼付先の物品の電磁気的特性の影響を受けにくい。つまり、比誘電率や比透磁率の高い物品にＲＦＩＤタグ３０１を貼付する場合でも、その貼付した状態と貼付前の単体状態とで、ＲＦＩＤタグの電磁気的特性の変化が少ない。

《第２の実施形態》
第２の実施形態ではダイポール型アンテナの形状が第１の実施形態で示したものとは異なる幾つかのＲＦＩＤタグについて示す。

図１４は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０２Ａの平面図である。ＲＦＩＤタグ３０２Ａは、矩形板状の基材１、この基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０、基材１に搭載されたＲＦＩＣ素子１００を備える。

図２（Ａ）に示したＲＦＩＤタグ３０１とは、先端部１２の形状、大きさ、位置が異なる。また、側部導体パターン１１Ｓ，２１Ｓを備えない点で異なる。この例では、先端部１２，２２の線幅は主導体パターン部１１，２１の線幅より３倍以上太い。また、主導体パターン部１１，２１の長手方向の形成領域の寸法より長い。第１ダイポールエレメント１０の先端部１２で容量結合部ＣＣが構成されている。その他の構成は第１の実施形態で示したものと同じである。

このＲＦＩＤタグ３０２Ａによれば、容量結合部ＣＣの線幅が太いので、この容量結合部ＣＣに近接して沿うリム（図３（Ａ）のリム４１２参照）との容量結合が大きい。

図１５は本実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｂの平面図である。本実施形態のＲＦＩＤタグ３０２Ｂでは、第１ダイポールエレメント１０は、第１開放端ＯＥ１が、基材１の第１端部Ｅ１に近接する位置にある。同様に、第２ダイポールエレメント２０は、第２開放端ＯＥ２が、基材１の第２端部Ｅ２に近接する位置にある。その他の構成は第１の実施形態で示したものと同じである。

図１６は本実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｃの平面図である。本実施形態のＲＦＩＤタグ３０２Ｃでは、第１ダイポールエレメント１０の一部である側部導体パターン１０ＳはＲＦＩＣ素子１００と第１側部Ｓ１との間に配置されていて、第２ダイポールエレメント２０の一部である側部導体パターン２０ＳはＲＦＩＣ素子１００と第２側部Ｓ２との間に配置されていている。その他の構成は図１５に示したＲＦＩＤタグ３０２Ｂと同じである。

図１７は本実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｄの平面図である。本実施形態のＲＦＩＤタグ３０２Ｄでは、第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１は第１端部Ｅ１寄りの位置ではなく、第１端部Ｅ１や第２端部Ｅ２よりも中央寄りの位置にある。同様に、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２は第２端部Ｅ２寄りの位置ではなく、第１端部Ｅ１や第２端部Ｅ２よりも中央寄りの位置にある。

また、第１ダイポールエレメント１０の側部導体パターン１０Ｓは、ランドＬＡ１とランドＬＡ２との中間点よりも第２端部Ｅ２方向へ延出する位置まで形成されている。同様に、第２ダイポールエレメント２０の側部導体パターン２０Ｓは、ランドＬＡ１とランドＬＡ２との中間点よりも第１端部Ｅ１方向へ延出する位置まで形成されている。

その他の構成は図１６に示したＲＦＩＤタグ３０２Ｃと同じである。

図１８は本実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｅの平面図である。第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１が側部導体パターン１０Ｓの主要部より突出している。同様に、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２が側部導体パターン２０Ｓの主要部より突出している。その他の構成は図１７に示したＲＦＩＤタグ３０２Ｄと同じである。

本実施形態で示したＲＦＩＤタグをリムに沿って貼ったときも、第１ダイポールエレメント１０もしくは第２ダイポールエレメント２０がリムと容量結合し、リムが放射に寄与する。したがって、リムによって電磁気的に遮蔽されていた電波到来方向からも通信可能となり、且つ、通信可能距離も向上する。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、ＲＦＩＤタグ付きメガネ以外のＲＦＩＤタグ付き物品について示す。

図１９はＲＦＩＤタグ付き名札４２１の内部構造を示す平面図である。ＲＦＩＤタグ付き名札４２１は、基材９１、コイルアンテナ９２、ＨＦ帯のＲＦＩＣ素子９３、およびＵＨＦ帯のＲＦＩＤタグ３０１を備える。ＨＦ帯ＲＦＩＤ用のコイルアンテナ９２は基材９１に形成されている。また、ＨＦ帯のＲＦＩＣ素子９３は基材９１に実装され、コイルアンテナ９２に接続される。そして、ＵＨＦ帯のＲＦＩＤタグ３０１はコイルアンテナ９２の内周に沿うように基材９１に設けられている。ＵＨＦ帯においてコイルアンテナ９２はループ状導体として作用する。つまり、このコイルアンテナ９２は本発明における「金属部」に相当する。

図２０はＲＦＩＤタグ付き携帯電子機器４２２の主要構成を示す図である。ＲＦＩＤタグ付き携帯電子機器４２２は、ＲＦＩＤタグ３０１が設けられた回路基板９５と、枠状の金属部９４とを備える。ＲＦＩＤタグ３０１は金属部９４に近接して沿うように配置される。この構造により、金属部９４はＲＦＩＤタグ３０１のアンテナの一部として作用する。

図２１はＲＦＩＤタグ付きクリップボード４２３の平面図である。ＲＦＩＤタグ付きクリップボード４２３は、そのベース部９６の周囲に金属フレームが形成されていて、この金属フレームに近接して沿う位置にＲＦＩＤタグ３０１が設けられたものである。金属フレームはループ状導体を構成するので、この構造により、そのループ状導体はＲＦＩＤタグ３０１のダイポールエレメントと容量結合する。すなわち金属フレームはＲＦＩＤタグ３０１のアンテナの一部として作用する。

図２１において、金属製のクリップ部９７をループ状導体として利用してもよい。その場合には、クリップ部９７に近接して沿う位置にＲＦＩＤタグ３０１を設ける。この構造により、そのループ状導体はＲＦＩＤタグ３０１のダイポールエレメントと容量結合する。すなわちクリップ部９７はＲＦＩＤタグ３０１のアンテナの一部として作用する。

図２２はＲＦＩＤタグ付き自動車４２４の斜視図である。ＲＦＩＤタグ付き自動車４２４は、そのフロントガラス９８にＲＦＩＤタグ３０１が貼付されている。ＲＦＩＤタグ３０１はフロントガラス９８の枠に近接して沿う位置に配置される。フロントガラス９８の枠はループ状導体を構成するので、この構造により、そのループ状導体はＲＦＩＤタグ３０１のアンテナの一部として作用する。

これらの用途例においても、ＲＦＩＤタグを、第１側部（または第１開放端）が絶縁体部の縁部分に設けられた金属部に沿うように、且つ、第２側部（または第２開放端）が第１側部（または第１開放端）よりも絶縁体部の中央寄り（金属部から離れた部分）に配置（オフセット配置）することにより、物品の意匠性を大きく損なうことなく、ＲＦＩＤタグとの通信が可能なＲＦＩＤタグ付き物品が得られる。

ＲＦＩＤタグ付き物品として、その他に、金属枠部を備える表示装置において、その金属枠部にＲＦＩＤタグを近接配置することで、ＲＦＩＤタグ付き表示装置を構成することもできる。

また、以上の各実施形態で示したダイポール型アンテナは、各ダイポールエレメントの電気長が１／４波長相当で、第１開放端から第２開放端までの電気長が１／２波長相当のダイポールアンテナであるが、第１開放端から第２開放端までの電気長が１／２波長未満であってもよいし、第１ダイポールエレメントと第２ダイポールの電気長が異なる非対称ダイポール型アンテナであってもよい。

また、以上の各実施形態で示したＲＦＩＤタグでは、基材のほぼ全面にダイポール型アンテナを形成したが、基材の一部がダイポール型アンテナの形成領域であってもよい。また、基材の外形はダイポール型アンテナの形成領域の相似形でなくてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＣＣ…容量結合部
ＣＥ１…第１接続端
ＣＥ２…第２接続端
Ｅ１…第１端部
Ｅ２…第２端部
ＧＮＤ…グランド
ＬＡ１，ＬＡ２…ランド
ＯＥ１…第１開放端
ＯＥ２…第２開放端
Ｓ１…第１側部
Ｓ２…第２側部
１…基材
１０…第１ダイポールエレメント
１０Ｓ，２０Ｓ…側部導体パターン
１１，２１…主導体パターン部
１１Ｓ，２１Ｓ…側部導体パターン
１２，２２…先端部
１３ａ，１３ｂ…導電性接合材
２０…第２ダイポールエレメント
９１…基材
９２…コイルアンテナ
９３…ＲＦＩＣ素子
９４…金属部
９５…回路基板
９６…ベース部
９７…クリップ部
９８…フロントガラス
１００…ＲＦＩＣ素子
１２０…多層基板
１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ…絶縁層
１４０ａ…第１端子電極
１４０ｂ…第２端子電極
１６０…ＲＦＩＣチップ
１６０ａ…第１入出力端子
１６０ｂ…第２入出力端子
１８０…整合回路
２００…コイル導体
２００ａ，２００ｂ，２００ｃ…コイルパターン
２２０ａ，２２０ｂ…層間接続導体
２４０ａ，２４０ｂ…層間接続導体
２６０ａ，２６０ｂ…ダミー導体
３０１，３０２Ａ，３０２Ｂ，３０２Ｃ，３０２Ｄ，３０２Ｅ…ＲＦＩＤタグ
４１０…ＲＦＩＤタグ付きメガネ
４１１…メガネレンズ
４１２…金属製リム
４２１…ＲＦＩＤタグ付き名札
４２２…ＲＦＩＤタグ付き携帯電子機器
４２３…ＲＦＩＤタグ付きクリップボード
４２４…ＲＦＩＤタグ付き自動車

Claims

メガネレンズと、当該メガネレンズを保持する金属製リムと、を有するメガネと、平面寸法が前記メガネレンズより小さなＲＦＩＤタグと、を備え、
前記ＲＦＩＤタグは、
基材と、
前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記基材に形成され、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
で構成され、
前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向および短手方向をもち、前記長手方向の互いに対向する端部である第１端部および第２端部を有し、前記短手方向の互いに対向する側部である第１側部および第２側部を有し、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１接続端から前記第１端部方向へ延伸するとともに前記第１側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第２ダイポールエレメントは、前記第２接続端から前記第２端部方向へ延伸するとともに前記第２側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記ＲＦＩＤタグは、前記第１側部が前記金属製リムに沿うように前記メガネレンズに貼着された、
ことを特徴とするＲＦＩＤタグ付きメガネ。
絶縁体部と、当該絶縁体部の周縁の全部または一部を囲む金属部と、を有する物品と、平面寸法が前記絶縁体部より小さなＲＦＩＤタグと、を備え、
前記ＲＦＩＤタグは、
基材と、
前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記基材に形成され、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
で構成され、
前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向および短手方向をもち、前記長手方向の互いに対向する端部である第１端部および第２端部を有し、前記短手方向の互いに対向する側部である第１側部および第２側部を有し、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１接続端から前記第１端部方向へ延伸するとともに前記第１側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第２ダイポールエレメントは、前記第２接続端から前記第２端部方向へ延伸するとともに前記第２側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記ＲＦＩＤタグは、前記第１側部が前記金属部に沿うように前記絶縁体部に貼着された、
ことを特徴とするＲＦＩＤタグ付き物品。
前記第１開放端は前記第１ダイポールエレメントの形成領域のうち前記第１側部寄りの位置にある、請求項２に記載のＲＦＩＤタグ付き物品。
前記ＲＦＩＣ素子は、ＲＦＩＣチップと、前記ＲＦＩＣチップと前記ダイポール型アンテナとのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路とを一体化した素子である、請求項２または３に記載のＲＦＩＤタグ付き物品。
前記第１ダイポールエレメントの一部は前記ＲＦＩＣ素子と前記第１側部との間に配置されていて、前記第２ダイポールエレメントの一部は前記ＲＦＩＣ素子と前記第２側部との間に配置されている、請求項２から４のいずれかに記載のＲＦＩＤタグ付き物品。
前記ダイポール型アンテナは、前記長手方向の寸法が前記短手方向の寸法の２倍以上である、請求項２から５のいずれかに記載のＲＦＩＤタグ付き物品。
前記ＲＦＩＣ素子は前記ダイポール型アンテナを介してＵＨＦ帯で通信する、請求項２から６のいずれかに記載のＲＦＩＤタグ付き物品。