JPWO2018212268A1 - フィルム、組成物の製造方法、硬化物の製造方法、及びフィルムの製造方法 - Google Patents

フィルム、組成物の製造方法、硬化物の製造方法、及びフィルムの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2018212268A1
JPWO2018212268A1 JP2018569189A JP2018569189A JPWO2018212268A1 JP WO2018212268 A1 JPWO2018212268 A1 JP WO2018212268A1 JP 2018569189 A JP2018569189 A JP 2018569189A JP 2018569189 A JP2018569189 A JP 2018569189A JP WO2018212268 A1 JPWO2018212268 A1 JP WO2018212268A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
film
composition
compound
dispersion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018569189A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6612477B2 (ja
Inventor
孝 有村
孝 有村
剛志 宮本
剛志 宮本
翔太 内藤
翔太 内藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Publication of JPWO2018212268A1 publication Critical patent/JPWO2018212268A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6612477B2 publication Critical patent/JP6612477B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G21/00—Compounds of lead
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G21/00—Compounds of lead
    • C01G21/006—Compounds containing, besides lead, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/62—Nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/02—Making solutions, dispersions, lattices or gels by other methods than by solution, emulsion or suspension polymerisation techniques
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/10—Metal compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0091—Complexes with metal-heteroatom-bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/544—Silicon-containing compounds containing nitrogen
    • C08K5/5445—Silicon-containing compounds containing nitrogen containing at least one Si-N bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C08L33/12—Homopolymers or copolymers of methyl methacrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/16—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C09K11/701—Chalcogenides
    • C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/30—Three-dimensional structures
    • C01P2002/34—Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/76—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by a space-group or by other symmetry indications
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2383/16—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2433/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2433/04—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2433/06—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2433/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C08J2433/12—Homopolymers or copolymers of methyl methacrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2206—Oxides; Hydroxides of metals of calcium, strontium or barium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/30—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C08K2003/3009—Sulfides
    • C08K2003/3036—Sulfides of zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/32—Phosphorus-containing compounds
    • C08K2003/321—Phosphates
    • C08K2003/328—Phosphates of heavy metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本発明は、（１）、（２）、及び（４）を含む組成物からなるフィルムであって、海島状相分離構造を有し、前記海島状相分離構造において（４）が海状の疎水性領域に、（１）及び（２）が島状の親水性領域に、各々存在し、前記島状の親水性領域が０．１μｍ以上１００μｍ以下であるフィルムに関する。（１）発光性を有する半導体微粒子（２）シラザン、又はその改質体（４）重合性化合物、又は重合体

Description

本発明は、フィルム、組成物の製造方法、硬化物の製造方法、及びフィルムの製造方法に関する。
本願は、２０１７年５月１７日に、日本に出願された特願２０１７−０９７９６２号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
近年、発光性を有する半導体微粒子を含むフィルムに対する関心が高まっている。半導体微粒子は、水蒸気と接触することで劣化することが知られていることから、水蒸気に対する耐久性を有するフィルム、及び前記フィルムの製造に用いる組成物の開発が求められている。
そこで、前記組成物の製造方法として、例えば、ＩｎＰをＺｎＳが覆っている半導体微粒子とパーヒドロポリシラザンとを混合し、乾燥させることで、パーヒドロポリシラザンで覆われた半導体微粒子を得る工程と、前記パーヒドロポリシラザンに覆われた半導体微粒子をトルエンに分散させ分散液を得る工程と、前記分散液にＵＶ硬化樹脂を混合する工程とを有する製造方法が報告されている（特許文献１）。
国際公開第２０１４／１９６３１９号
しかしながら、上記特許文献１に記載された組成物を用いて製造したフィルムは、必ずしも水蒸気に対する耐久性が十分ではない。
また、上記特許文献１に記載された組成物の製造方法は、多数の工程を必要とするため、量産する場合に高コストになってしまう問題がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、水蒸気に対する耐久性を有するフィルムを提供することを目的とする。さらに、水蒸気に対する耐久性を有する組成物、硬化物、及びフィルムを、簡便な工程で製造する方法をあわせて提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。
すなわち、本発明の実施形態は、下記［１］〜［９］の発明を包含する。
［１］ （１）、（２）、及び（４）を含む組成物からなるフィルムであって、
海島状相分離構造を有し、
前記海島状相分離構造において（４）が海状の疎水性領域に、（１）及び（２）が島状の親水性領域に、各々存在し、
前記島状の親水性領域が０．１μｍ以上１００μｍ以下であるフィルム。
（１）発光性を有する半導体微粒子
（２）シラザン、又はその改質体
（４）重合性化合物、又は重合体
［２］ （１）がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物である、［１］に記載のフィルム。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
［３］ 発光波長ＰＬｔｏｐとバンド端Ｅｇのエネルギー値の差Ｄが０．２以下である、［１］又は［２］に記載のフィルム。
［４］ （３）の存在下、（１）、（２）、及び（４）を混合する工程を含む、組成物の製造方法。
（１）発光性を有する半導体微粒子
（２）シラザン、又はその改質体
（３）溶媒
（４）重合性化合物、又は重合体
［５］ （１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、（２）、及び（４）を混合する工程とを含む、［４］に記載の組成物の製造方法。
［６］（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（４）を混合する工程とを含む、［５］に記載の組成物の製造方法。
［７］（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液に、改質処理を施し、シラザン改質体を含む混合液を得る工程と、
前記シラザン改質体を含む混合液、及び（４）を混合する工程とを含む、［５］に記載の組成物の製造方法。
（２’）シラザン
［８］ （１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液に、改質処理を施し、シラザン改質体を含む混合液を得る工程と、
前記シラザン改質体を含む混合液、及び（４’’）を混合し、組成物を得る工程と、
前記組成物から（３）を除去する工程とを含む、硬化物の製造方法。
（１）発光性を有する半導体微粒子
（２’）シラザン
（３）溶媒
（４’’）重合体
［９］（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液に、改質処理を施し、シラザン改質体を含む混合液を得る工程と、
前記シラザン改質体を含む混合液、及び（４’’）を混合し、組成物を得る工程と、
前記組成物を基板に塗布し、塗布膜を得る工程と、
前記塗布膜から（３）を除去する工程とを含む、フィルムの製造方法。
（１）発光性を有する半導体微粒子
（２’）シラザン
（３）溶媒
（４’’）重合体
本発明によれば、水蒸気に対する耐久性を有するフィルム、及び水蒸気に対する耐久性を有する組成物、硬化物、及びフィルムを簡便な工程で製造する方法を提供することができる。
本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。 実施例１において取得された、本発明に係る硬化物（フィルム）のＴＥＭ像である。 実施例２において取得された、本発明に係る硬化物（フィルム）のＴＥＭ像である。 実施例３において取得された、本発明に係る硬化物（フィルム）のＴＥＭ像である。 実施例５において取得された、本発明に係る硬化物（フィルム）のＴＥＭ像である。 実施例７において取得された、本発明に係る硬化物（フィルム）のＴＥＭ像である。
以下、実施形態を示して本発明を詳細に説明する。
（１）半導体微粒子
本発明の半導体微粒子は、発光性を有する。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ〜７００ｎｍであってもよく、３００ｎｍ〜６００ｎｍであってもよい。
以下、（１）に関し、（１−１）ＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＶ−ＶＩ化合物を含む半導体微粒子、及びＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、及び、（１−２）ペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子を、実施形態を示して説明する。なお、（１）は、以下の半導体微粒子に限定されるものではない。
（１）は、良好な量子収率を得る観点から、カドミウム（１２族）元素を含有する化合物を含む半導体微粒子、インジウム（１３族）元素を含有する化合物を含む半導体微粒子、及びペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子が好ましく、インジウム（１３族）元素を含有する化合物を含む半導体微粒子、及びペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子がより好ましく、粒径制御がそれほど厳しく求められずに半値幅の狭い発光ピークが得られ易い点から、ペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子がさらに好ましい。
（１−１）ＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＶ−ＶＩ化合物を含む半導体微粒子、及びＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子
ＩＩ−Ｖ族化合物は、ＩＩ族元素と、Ｖ族元素とを含む化合物を意味し、
ＩＩ−ＶＩ族化合物は、ＩＩ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物を意味し、
ＩＩＩ−ＩＶ族化合物は、ＩＩＩ族元素と、ＩＶ族元素とを含む化合物を意味し、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物は、ＩＩＩ族元素と、Ｖ族元素とを含む化合物を意味し、
ＩＩＩ−ＶＩ族化合物は、ＩＩＩ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物を意味し、
ＩＶ−ＶＩ化合物は、ＩＶ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物を意味し、
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物は、Ｉ族元素と、ＩＩＩ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物を意味する。
ここで、Ｉ族は、周期表の１１族を意味し、ＩＩ族は、周期表の２族又は１２族を意味し、ＩＩＩ族は、周期表の１３族を意味し、ＩＶ族は、周期表の１４族を意味し、Ｖ族は、周期表の１５族を意味し、ＶＩ族は、周期表の１６族を意味する（以下同様である。）。
なお、本明細書において、「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。
これらの化合物は、それぞれ、二元系であってもよく、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
（ＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子）
二元系のＩＩ−Ｖ族化合物としては、例えば、Ｚｎ３Ｐ２、Ｚｎ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｐ２、Ｃｄ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｎ２、及びＺｎ３Ｎ２が挙げられる。
三元系のＩＩ−Ｖ族化合物は、周期表の２族又は１２族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩ−Ｖ族化合物であってもよいし、周期表の２族又は１２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩ−Ｖ族化合物であってもよい。三元系のＩＩ−Ｖ族化合物としては、例えば、Ｃｄ３ＰＮ、Ｃｄ３ＰＡｓ、Ｃｄ３ＡｓＮ、Ｃｄ２ＺｎＰ２、Ｃｄ２ＺｎＡｓ２、及びＣｄ２ＺｎＮ２等が挙げられる。
四元系のＩＩ−Ｖ族化合物は、周期表の２族又は１２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩ−Ｖ族化合物であってもよい。四元系のＩＩ−Ｖ族化合物としては、例えば、ＣｄＺｎＰＮ、ＣｄＺｎＰＡｓ、及びＣｄ２ＺｎＡｓＮ等が挙げられる。
ＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子は、周期表の２族、又は１２族及び１５族以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
（ＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子）
周期表の１２族元素を含む二元系のＩＩ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、及びＨｇＴｅ等が挙げられる。
周期表の２族元素を含む二元系のＩＩ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、及びＢａＴｅが挙げられる。
三元系のＩＩ−ＶＩ族化合物は、周期表の２族又は１２族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩ−ＶＩ族化合物であってもよいし、周期表の２族又は１２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩ−ＶＩ族化合物であってもよい。三元系のＩＩ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、及びＣｄＨｇＴｅが挙げられる。
四元系のＩＩ−ＶＩ族化合物は、周期表の２族又は１２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩ−ＶＩ族化合物であってもよい。四元系のＩＩ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、及びＣｄＨｇＳＴｅが挙げられる。
ＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子は、周期表の２族、１２族、及び１６族以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
（ＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含む半導体微粒子）
二元系のＩＩＩ−ＩＶ族化合物としては、例えば、Ｂ４Ｃ３、Ａｌ４Ｃ３、及びＧａ４Ｃ３が挙げられる。
三元系のＩＩＩ−ＩＶ族化合物は、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１４族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩＩ−ＩＶ族化合物であってもよいし、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１４族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩＩ−ＩＶ族化合物であってもよい。
四元系のＩＩＩ−ＩＶ族化合物は、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１４族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩＩ−ＩＶ族化合物であってもよい。
ＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含む半導体微粒子は、周期表の１３族、及び１４族以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
（ＩＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子）
二元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物としては、例えば、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、及びＢＮが挙げられる。
三元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物は、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物であってもよいし、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物であってもよい。三元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物としては、例えば、ＩｎＰＮ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、及びＩｎＧａＰ等が挙げられる。
四元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物は、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩＩ族−Ｖ族化合物であってもよい。四元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物としては、例えば、ＩｎＧａＰＮ、ＩｎＧａＰＡｓ、及びＩｎＧａＰＳｂ等が挙げられる。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子は、周期表の１３族、及び１５族以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
本発明の一つの側面としては、ＩＩＩ−Ｖ族化合物としては、ＩｎＰが好ましい。
（ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子）
二元系のＩＩＩ−ＶＩ族化合物としては、例えば、Ａｌ２Ｓ３、Ａｌ２Ｓｅ３、Ａｌ２Ｔｅ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｔｅ３、ＧａＴｅ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、及びＩｎＴｅが挙げられる。
三元系のＩＩＩ−ＶＩ族化合物は、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩＩ−ＶＩ族化合物であってもよいし、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩＩ−ＶＩ族化合物であってもよい。三元系のＩＩＩ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３、ＩｎＧａＴｅ３、Ｉｎ２ＳＳｅ２、及びＩｎ２ＴｅＳｅ２が挙げられる。
四元系のＩＩＩ−ＶＩ族化合物は、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩＩ−ＶＩ族化合物であってもよい。四元系のＩＩＩ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＩｎＧａＳＳｅ２、ＩｎＧａＳｅＴｅ２、及びＩｎＧａＳＴｅ２が挙げられる。
ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子は、周期表の１３族、及び１６族以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
（ＩＶ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子）
二元系のＩＶ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、及びＳｎＴｅが挙げられる。
三元系のＩＶ−ＶＩ族化合物は、周期表の１４族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＶ−ＶＩ族化合物であってもよいし、周期表の１４族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＶ−ＶＩ族化合物であってもよい。
四元系のＩＩＩ−ＶＩ族化合物は、周期表の１４族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＶ−ＶＩ族化合物であってもよい。
ＩＶ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子は、周期表の１４族、及び１６族以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
（Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物）
三元系のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳ２が挙げられる。
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子は、周期表の１１族、１３族、及び１６族以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
（１−２）ペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子
半導体微粒子の一例としてペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子が挙げられる。
ペロブスカイト化合物は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物である。
本発明において、Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。
Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元構造のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される。
ここで、δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、−０．７以上０．７以下である。
例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、前記化合物が電気的に中性（すなわち前記化合物の電荷が０）となるようにδを選択することができる。
上記３次元構造の場合、Ｂを中心とし、頂点をＸとする、ＢＸ６で表される頂点共有八面体の三次元ネットワークを有する。
上記２次元構造の場合、Ｂを中心とし、頂点をＸとする、ＢＸ６で表される八面体が同一平面の４つの頂点のＸを共有することにより、２次元的に連なったＢＸ６からなる層とＡからなる層が交互に積層された構造を形成する。
ＢはＸに対して八面体配位をとることができる金属カチオンである。
本明細書において、ペロブスカイト型結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。
前記３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の場合、Ｘ線回折パターンにおいて、通常、２θ＝１２〜１８°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが、又は２θ＝１８〜２５°の位置に（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認される。２θ＝１３〜１６°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００１）に由来するピークが、又は２θ＝２０〜２３°の位置に、(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認されることがより好ましい。
前記２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の場合、Ｘ線回折パターンにおいて、通常、２θ＝１〜１０°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）に由来するピークが確認される。２θ＝２〜８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）に由来するピークが確認されることがより好ましい。
ペロブスカイト化合物は、下記一般式（Ｐ１）で表されるペロブスカイト化合物であることが好ましい。
ＡＢＸ（３＋δ） （−０．７≦δ≦０．７） …（Ｐ１）
Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。
（Ａ）
ペロブスカイト化合物中、Ａは前記ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。１価の陽イオンとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される、３次元構造を有する。
ペロブスカイト化合物中のＡはセシウムイオン、又は有機アンモニウムイオンが好ましい。
Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記一般式（Ａ１）で表される陽イオンが挙げられる。
一般式（Ａ１）中、Ｒ６〜Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ６〜Ｒ９が同時に水素原子となることはない。
Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ６〜Ｒ９がアルキル基である場合、炭素原子数は、それぞれ独立に、通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
Ｒ６〜Ｒ９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に、置換基としてアルキル基を有していてもよく、アミノ基を有していてもよい。
Ｒ６〜Ｒ９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に、通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
Ｒ６〜Ｒ９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
一般式（Ａ１）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を得ることができる。
アルキル基又はシクロアルキル基の炭素原子数が４以上の場合、２次元、及び／又は擬似二次元（ｑｕａｓｉ―２Ｄ）のペロブスカイト型結晶構造を一部あるいは全体に有する化合物を得ることができる。２次元のペロブスカイト型結晶構造が無限大に積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．Ｐ．Ｂｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８−９０７など）。
Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ６〜Ｒ９のうちの１つが炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ６〜Ｒ９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。
Ｒ６〜Ｒ９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒ６〜Ｒ９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立に、Ｒ６〜Ｒ９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられ、一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。
Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ３ＮＨ３ ＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ２Ｈ５ＮＨ３ ＋（エチルアンモニウムイオンともいう。）、又はＣ３Ｈ７ＮＨ３ ＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋、又はＣ２Ｈ５ＮＨ３ ＋であることより好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋であることがさらに好ましい。
Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記一般式（Ａ２）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ１０Ｒ１１Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ１２Ｒ１３）＋・・・（Ａ２）
一般式（Ａ２）中、Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に、通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に、置換基としてアルキル基を有していてもよく、アミノ基を有していてもよい。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に、通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１０〜Ｒ１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立に、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ１０〜Ｒ１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立に、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基が好ましい。
一般式（Ａ２）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
アルキル基又はシクロアルキル基の炭素原子数が４以上の場合、２次元、及び／又は擬似二次元（ｑｕａｓｉ―２Ｄ）のペロブスカイト型結晶構造を一部あるいは全体に有する化合物を得ることができる。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ１０が炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ１１〜Ｒ１３が水素原子であることがより好ましい。
（Ｂ）
ペロブスカイト化合物中、Ｂは前記ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。Ｂの金属イオンは１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上からなるイオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、又はスズからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属イオンを含むことがより好ましい。
（Ｘ）
ペロブスカイト化合物中、Ｘは前記ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｘは、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンであってよい。
Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができるが、例えば、Ｘは臭化物イオンを含むことができる。
Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、前記ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができ、例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。
ペロブスカイト化合物であって、ＡＢＸ（３＋δ）で表される、３次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物の具体例としては、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２) ＰｂＢｒ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２) ＰｂＣｌ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２) ＰｂＩ３、
ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＳｒａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＢａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＤｙａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２) Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２) Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２)Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２)Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＺｎａＢｒ３）（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．０＜ｙ＜３）等が好ましいものとして挙げられる。
本発明の一つの側面としては、ペロブスカイト化合物であって、ＡＢＸ（３＋δ）で表される、３次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物としては、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）が好ましい。
ペロブスカイト化合物であって、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される、２次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物の具体例としては、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＣｌ４、 (Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＩ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＣｌ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＩ４、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）等が好ましいものとして挙げられる。
（発光スペクトル）
ペロブスカイト化合物は、可視光波長領域に蛍光を発することができる発光体であり、Ｘが臭化物イオンの場合は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上、また、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０〜７００ｎｍであり、５００〜６００ｎｍであることが好ましく、５２０〜５８０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘがヨウ化物イオンの場合は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上、また、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０〜８００ｎｍであり、５３０〜７５０ｎｍであることが好ましく、５４０〜７３０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘが塩化物イオンの場合は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上、また、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００〜６００ｎｍであり、３１０〜５８０ｎｍであることが好ましく、３３０〜５５０ｎｍであることがより好ましい。
組成物に含まれる、（１）の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させる観点から、平均粒径が１ｎｍ以上であることが好ましく、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、（１）を沈降させにくくする観点から、平均粒径が１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物に含まれる、（１）の平均粒径は、特に限定されるものではないが、（１）を沈降させにくくする観点、及び良好に結晶構造を維持させる観点から、平均粒径が１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本明細書において、組成物に含まれる（１）の平均粒径は、例えば透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう。）、又は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう。）により測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭを用いて、前記組成物中に含まれる（１）を２０個以上観察し、それぞれの（１）の最大フェレー径の平均値を取る方法が挙げられる。本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、（１）を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。
（２）シラザン、又はその改質体
シラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する化合物である。
シラザンは、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。また、シラザンは、低分子であっても、高分子（本明細書では、ポリシラザンと記載することがある。）であってもよい。
本明細書において「低分子」とは、数平均分子量が６００未満であることを意味し、「高分子」とは、数平均分子量が６００以上２０００以下であることを意味する。
本明細書において「数平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
例えば、下記の一般式（Ｂ１）、又は（Ｂ２）で表される低分子のシラザン、及び、一般式（Ｂ３）で表される構成単位、又は一般式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンであることが好ましい。
本実施形態の組成物に含まれるシラザンは、前述の方法により改質された、シラザンの改質体であってもよい。
改質とは、シラザンに含まれる少なくとも一部のＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合において、ＮをＯで置換し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成させることをいい、シラザンの改質体は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物である。
シラザンの改質体としては、例えば、上述した、一般式（Ｂ１）、又は（Ｂ２）に含まれる少なくとも１つのＮが、Ｏで置換された低分子の化合物、及び、一般式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンに含まれる少なくとも１つのＮがＯで置換された高分子の化合物、又は一般式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンに含まれる少なくとも１つのＮがＯで置換された高分子の化合物が好ましい。
一般式（Ｂ２）に含まれるＮの総量に対する、置換されたＯの数の割合は０．１〜１００％であることが好ましく、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。
一般式（Ｂ３）に含まれるＮの総量に対する、置換されたＯの数の割合は０．１〜１００％であることが好ましく、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。
一般式（Ｂ４）に含まれるＮの総量に対する、置換されたＯの数の割合は０．１〜９９％であることが好ましく、１０〜９７％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。
シラザンの改質体は１種類であっても２種類以上の混合物であってもよい。
シラザンの改質体に含まれるＳｉ原子数、Ｎ原子数、Ｏ原子数は、核磁気共鳴分光法（以下、ＮＭＲともいう。）、Ｘ線光電子分光法（以下、ＸＰＳともいう。）、又はＴＥＭを用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（以下、ＥＤＸともいう。）等で算出することができる。
特に好ましい方法としては、ＸＰＳによって、組成物中のＳｉ原子数、Ｎ原子数、Ｏ原子数を測定することで、算出することができる。
上述の方法によって測定されるシラザン及びその改質体に含まれるＮ原子数に対するＯ原子数の割合は０．１〜９９％であることが好ましく、１０〜９５％であることがより好ましく、３０〜９０％であることがさらに好ましい。
シラザン、又はその改質体の少なくとも一部は、組成物に含まれる（１）に吸着していてもよく、組成物中に分散していてもよい。
一般式（Ｂ１）中、Ｒ１４及びＲ１５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基を表す。炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基は、アミノ基などの置換基を有していてもよい。複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
一般式（Ｂ１）で表される低分子のシラザンとしては、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。
一般式（Ｂ２）中、Ｒ１４、及びＲ１５は上記同様である。
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ｎ１は１以上２０以下の整数を表す。ｎ１は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
一般式（Ｂ２）で表される低分子のシラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン、及び２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザンが挙げられる。
低分子のシラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、及び１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザンが好ましく、オクタメチルシクロテトラシラザンがより好ましい。
ポリシラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する高分子化合物であり、特に制限されないが、例えば、下記の一般式（Ｂ３）で表される構成単位を有する高分子化合物が挙げられる。ポリシラザンに含まれる一般式（Ｂ３）で表される構成単位は、１種類であっても、複数種類であってもよい。
一般式（Ｂ３）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記同様である。
＊は、結合手を表す。末端のＮ原子の結合手は、Ｒ１４と同様の置換基を有していてもよく、末端のＳｉ原子の結合手は、Ｒ１５と同様の置換基を有していてもよい。
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ｍは、２以上１００００以下の整数を表す。
一般式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンは、例えば、Ｒ１４、及びＲ１５のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンでもよい。
また、一般式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンは、例えば、少なくとも１つのＲ１５が水素原子以外の基であるオルガノポリシラザンであってもよい。用途に応じて、適宜にパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。
ポリシラザンは、分子内の一部に環構造を有していてもよく、例えば、一般式（Ｂ４）で表される構造を有していてもよい。
一般式（Ｂ４）中、＊は、結合手を表す。
結合手は、一般式（Ｂ３）で表される構成単位の結合手と結合していてもよい。ポリシラザンが、分子内に複数の一般式（Ｂ４）で表される構造を含む場合、一般式（Ｂ４）で表される構造の結合手は、他の一般式（Ｂ４）で表される構造の結合手と結合していてもよい。
一般式（Ｂ３）で表される構成単位の結合手、又は他の一般式（Ｂ４）で表される構造の結合手と結合していないＮ原子の結合手は、Ｒ１４と同様の置換基を有していてもよく、一般式（Ｂ３）で表される構成単位の結合手、又は他の一般式（Ｂ４）で表される構造の結合手と結合していないＳｉ原子の結合手は、Ｒ１５と同様の置換基を有していてもよい。
ｎ２は、１以上１００００以下の整数を表す。ｎ２は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
（２）は、特に制限は無いが、分散性を向上させ、凝集を抑制できる観点からオルガノポリシラザン、又はその改質体が好ましい。オルガノポリシラザンは、例えば、一般式（Ｂ３）中のＲ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基である、一般式（Ｂ３）で表される構成単位を有するオルガノポリシラザンであってもよく、一般式（Ｂ４）中の少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、前記Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基である、一般式（Ｂ４）で表される構造を含むオルガノポリシラザンであってもよい。
オルガノポリシラザンは、一般式（Ｂ３）中のＲ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基である一般式（Ｂ３）で表される構成単位を有するオルガノポリシラザン、又は、一般式（Ｂ４）中の少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、前記Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基である一般式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンであることが好ましい。
一般的なポリシラザンは、例えば、直鎖構造と、６員環、又は８員環等の環構造とが存在した構造である。前述したように、その分子量は数平均分子量（Ｍｎ）で６００〜２０００（ポリスチレン換算）であり、分子量によって液体又は固体の物質である。前記ポリシラザンは、市販品を使用してもよく、市販品としては、ＮＮ１２０−１０、ＮＮ１２０−２０、ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＡＸ１２０、ＮＡＸ１１０、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）並びに、ＡＺＮＮ−１２０−２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標） １５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標） １５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標） １８００（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）、及びＤｕｒａｚａｎｅ（登録商標） １０３３（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。
一般式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンは、好ましくはＡＺＮＮ−１２０−２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標） １５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標） １５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅであり、より好ましくはＤｕｒａｚａｎｅ（登録商標） １５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅである。
（３）溶媒
溶媒は、（１）を分散させることができる媒体であれば特に限定されないが、（１）を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態をとる物質のことをいう（但し、重合性化合物、及び重合体を除く）。
本明細書において「分散している」とは、（１）が、溶媒、重合性化合物、重合体等に浮遊あるいは懸濁している状態のことをいい、一部は沈降していてもよい。
溶媒としては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
これらの中でもメチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒は、極性が低く、（１）を溶解し難いと考えられるため好ましく、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒がより好ましい。
（４）重合性化合物、又は重合体
重合性化合物としては、特に限定されるものではなく、１種類であっても２種類以上であってもよい。重合性化合物としては、本実施形態の組成物を製造する温度において、（１）の溶解度が低い重合性化合物が好ましい。
また、重合性化合物は、後述する海島状相分離構造を形成しやすい観点から、疎水性の重合性化合物、又は重合体であることが好ましい。
本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体の化合物を意味する。
室温、常圧下において製造する場合、前記重合性化合物としては、特に制限はないが、例えば、スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル等の公知の重合性化合物が挙げられる。
なかでも、重合性化合物としては、溶解度の観点、及び海島状相分離構造の形成しやすさの観点から、アクリル系樹脂の単量体成分であるアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルが好ましい。
本実施形態の組成物に含まれる重合体は、特に限定されるものではなく、１種類であっても２種類以上であってもよい。重合体としては、本実施形態の組成物を製造する温度において、（１）の溶解度が低い重合体が好ましい。
室温、常圧下において製造する場合、前記重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、溶解度の観点、及び海島状相分離構造の形成しやすさの観点から、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルに由来する構成単位を含む。
本実施形態の組成物において、（４）に含まれる全ての構成単位に対し、アクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステル、並びにそれらに由来する構成単位は、モル％で表した場合、１０％以上であってもよく、３０％以上であってもよく、５０％以上であってもよく、８０％以上であってもよく、１００％であってもよい。
前記重合体の重量平均分子量は、１００〜１２０００００であることが好ましく、１０００〜８０００００であることがより好ましく、５０００〜１５００００であることがさらに好ましい。
本明細書において「重量平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオン
本実施形態の組成物は、アンモニア、アミン、及びカルボン酸並びに、前記化合物がとり得る形態として、これらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを含んでいてもよい。
すなわち、本実施形態の組成物は、アンモニア、アミン、カルボン酸、アンモニアの塩、アミンの塩、カルボン酸の塩、アンモニアのイオン、アミンのイオン、及びカルボン酸のイオンからなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを含んでいてもよい。
アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンは、通常、キャッピング配位子として作用する。キャッピング配位子とは、（１）の表面に吸着して、（１）を組成物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。アンモニア又はアミンの、イオン若しくは塩（アンモニウム塩等）としては、後述する一般式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、それを含むアンモニウム塩が挙げられる。カルボン酸のイオン又は塩（カルボン酸塩等）としては、後述する一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンと、それを含むカルボン酸塩が挙げられる。本実施形態の組成物は、アンモニウム塩等、及びカルボン酸塩等のいずれか一方を含んでいてもよく、両方を含んでいてもよい。
（５）は、一般式（Ａ３）で表されるアンモニウムカチオン、又はそれを含むアンモニウム塩であってもよい。
一般式（Ａ３）中、Ｒ１〜Ｒ３は、水素原子を表し、Ｒ４は、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。Ｒ４で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基（すなわちアルキル基、又はシクロアルキル基）であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
Ｒ４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
Ｒ４で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ４で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ４で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
Ｒ４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ４は、炭素原子数８〜２０のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ４で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ４で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ４で表されるアルケニル基としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示した前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。
このようなアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。
アンモニウムカチオンが塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無いが、Ｂｒ―、Ｃｌ―、Ｉ―、Ｆ―のハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい例として挙げられる。
一般式（Ａ３）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ−オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。
（５）は、一般式（Ａ４）で表されるカルボキシレートアニオン、又はそれを含むカルボン酸塩であってもよい。
Ｒ５―ＣＯ２ -・・・（Ａ４）
一般式（Ａ４）中、Ｒ５は、一価の炭化水素基を表す。Ｒ５で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基（すなわちアルキル基、又はシクロアルキル基）であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
Ｒ５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
Ｒ５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
Ｒ５で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
Ｒ５はアルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。
Ｒ５で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ５で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ５で表されるアルケニル基の具体例としては、Ｒ４において例示したアルケニル基が挙げられる。
一般式（Ａ４）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。
カルボキレートアニオンが塩を形成する場合、カウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。
＜組成物の製造方法＞
本実施形態の組成物の製造方法は、
（３）の存在下、（１）、（２）、及び（４）を混合する工程を含む。
但し、添加される（１）は（２）に被覆されているものを除く。
本実施形態の組成物の製造方法は、予め（１）と（２）とを混合し反応させる工程と、得られた反応生成物を乾燥させることによって（２）で覆われた（１）を得る工程を行うことなく、水蒸気に対する耐久性を有する組成物を製造することができる。
（３）の存在下、（１）、（２）、及び（４）を混合する工程を含む本実施形態の組成物の製造方法は、
（ａ）（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、（２）、及び（４）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法であってもよく、
（ｂ）（２）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、（１）、及び（４）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法であってもよく、
本実施形態の組成物の製造方法は、（１）の分散性を向上させる観点から、製造方法（ａ）であることが好ましい。
製造方法（ａ）は、
（ａ１）（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（４）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（２）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法であってもよく、
（ａ２）（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（４）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法であってもよい。
製造方法（ｂ）は、
（ｂ１）（２）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（４）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（１）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法であってもよく、
（ｂ２）（２）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（１）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（４）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法であってもよい。
上述の製造方法に含まれる各工程では、攪拌を行うことが（１）又は（２）の分散性を高める観点から好ましい。
上述の製造方法に含まれる各工程では、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０〜８０℃の範囲であることがより好ましい。
上述の製造方法に含まれるいずれかの工程において、（５）を添加してもよい。
また、後述する半導体微粒子の製造方法に含まれるいずれかの工程で、（５）を混合してもよい。
本実施形態の組成物の製造方法において、（２）としてシラザンを採用する場合、本実施形態の組成物の製造方法は、シラザンを含む混合液に改質処理を施す工程を含んでいてもよい。
改質処理を施すタイミングは特に制限されないが、前記製造方法（ａ）において、例えば、
（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液に、改質処理を施し、シラザン改質体を含む混合液を得る工程と、
前記シラザン改質体を含む混合液、及び（４）を混合する工程とを含んでいてもよい。
（２’）シラザン
（２’）は、上述の（２）に含まれる、シラザンの説明と同様である。
改質処理を施す方法は、シラザンに含まれる少なくとも一部のＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合において、ＮをＯで置換し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成させる方法であれば特に限定されない。改質処理を施す方法としては、例えば、紫外線を照射する方法、及び、シラザンと水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法が挙げられる。
中でもシラザンと水蒸気とを反応させる（以下、加湿処理を施すということがある。）ことによって、改質処理を施すことが、（１）の近傍により強固な保護領域を形成する観点から好ましい。
紫外線を照射する方法で用いられる紫外線の波長は、通常１０〜４００ｎｍであり、１０〜３５０ｎｍが好ましく、１００〜１８０ｎｍがより好ましい。紫外線を発生させる光源としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶレーザー光等が挙げられる。
加湿処理を施す場合、例えば、後述する温度、及び湿度条件下で一定の時間、組成物を静置、又は攪拌してもよい。
組成物に含まれるシラザンの分散性を高める観点から、攪拌することが好ましい。
加湿処理における温度は、十分に改質が進行する温度であればよく、例えば、５〜１５０℃であることが好ましく、１０〜１００℃であることがより好ましく、１５〜８０℃であることがさらに好ましい。
加湿処理における湿度は、組成物中のシラザンを有する化合物に十分に水分が供給される湿度であればよく、例えば３０％〜１００％、好ましくは、４０％〜９５％、より好ましくは６０％〜９０％である。
本明細書において「湿度」とは加湿処理を行う温度における相対湿度を意味する。
加湿処理に要する時間は、十分に改質が進行する時間であればよく、例えば１０分間以上１週間以下、好ましくは、１時間以上５日間以下、より好ましくは１２時間以上３日間以下である。
＜各成分の配合比について＞
本実施形態の組成物の製造方法において、組成物の総質量に対する、（１）の配合割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な量子収率を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する、（１）の配合割合は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
組成物の総質量に対する、（１）の配合割合は、０．０００１〜１質量％であることが好ましく、０．０００５〜１質量％であることがより好ましく、０．００１〜０．５質量％であることがさらに好ましい。
組成物の総質量に対する（１）の配合割合に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
本実施形態の組成物の製造方法において、組成物の総質量に対する、（２）の配合割合は、特に限定されるものではないが、組成物に含まれる（２）の分散性を高める観点から、３０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以下であることがより好ましく、７質量％以下であることがさらに好ましく、また、（２）による水蒸気に対する耐久性向上の作用が良好になる観点から、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する、（２）の配合割合は、通常、０．００１〜３０質量％である。
組成物の総質量に対する、（２）の配合割合は、０．０１〜１５質量％であることが好ましく、０．１〜１０質量％であることがより好ましく、０．２〜７質量％であることがさらに好ましい。
組成物の総質量に対する（２）の配合割合に係る範囲が上記範囲内である組成物は、組成物に含まれる（２）の分散性が高く、（２）による水蒸気に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。
本実施形態の組成物の製造方法において、（１）と、（３）及び（４）の合計との配合割合は、特に限定されるものではないが、（１）による発光作用が良好に発揮される程度であればよく、（１）〜（４）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
（１）と、（３）及び（４）の合計との質量比［（１）／（（３）及び（４）の合計）］は、通常０．００００１〜１０であり、０．０００１〜２であることが好ましく、０．０００５〜１であることがより好ましい。
（１）と、（３）及び（４）の合計との配合割合に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
本実施形態の組成物の製造方法において、（５）を用いる場合、（１）と、（５）との配合割合は、特に限定されるものではないが、（１）による発光作用が良好に発揮される程度であればよく、（１）〜（５）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
（１）、（２）、（３）、（４）、及び（５）を含む実施形態の組成物の製造方法において、（１）と、（５）とのモル比［（１）／（５）］は、０．０００１〜１０００であってもよく、０．０１〜１００であってもよい。
（１）と、（５）との配合割合に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
本実施形態の組成物の製造方法において、組成物の総質量に対する、（１）及び（２）の合計の配合割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、６０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、３０質量％以下であることがさらに好ましく、２０質量％以下であることが特に好まく、また、良好な量子収率を得る観点から、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する、（１）及び（２）の合計の配合割合は、通常、０．０００２〜６０質量％である。
組成物の総質量に対する、（１）及び（２）の合計の配合割合は、０．００１〜４０質量％であることが好ましく、０．００２〜３０質量％であることがより好ましく、０．００５〜２０質量％であることがさらに好ましい。
組成物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の配合割合に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
本実施形態の組成物の製造方法において、（１）と、（２）との配合割合は、（２）による水蒸気に対する耐久性向上の作用が発揮される程度であればよく、（１）及び（２）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
本実施形態の組成物の製造方法において、（１）として、後述する、インジウム元素を含有する化合物を採用する場合、インジウム元素を含有する化合物のＩｎ元素と、（２）のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｉｎ］は、０．００１〜２０００であってもよく、０．０１〜５００であってもよい。
本実施形態の組成物の製造方法において、（２）が、一般式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるシラザン、及びその改質体である場合、（１）のインジウム元素を含有する化合物のＩｎ元素と、（２）のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｉｎ］は、１〜１０００であってもよく、１０〜５００であってもよく、２０〜３００であってもよい。
本実施形態の組成物の製造方法において、（２）が、一般式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンである場合、（１）のインジウム元素を含有する化合物のＩｎ元素と、（２）のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｉｎ］は、０．００１〜２０００であってもよく、０．０１〜２０００であってもよく、０．１〜１０００であってもよく、１〜５００であってもよく、２〜３００であってもよい。
本実施形態の組成物の製造方法において、（１）として、後述する、Ａ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物を採用する場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分の金属イオンと、（２）のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜２０００であってもよく、０．０１〜５００であってもよい。
本実施形態の組成物の製造方法において、（２）が、一般式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるシラザン、及びその改質体である場合、（１）のペロブスカイト化合物のＢ成分の金属イオンと、（２）のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、１〜１０００であってもよく、１０〜５００であってもよく、２０〜３００であってもよい。
本実施形態の組成物の製造方法において、（２）が、一般式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンである場合、（１）のペロブスカイト化合物のＢ成分の金属イオンと、（２）のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜２０００であってもよく、０．０１〜２０００であってもよく、０．１〜１０００であってもよく、１〜５００であってもよく、２〜３００であってもよい。
（１）と、（２）との配合割合に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（２）による水蒸気に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。
（１）半導体微粒子の製造方法
以下、（１）の製造方法について説明する。
（１−１）ＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＶ−ＶＩ化合物を含む半導体微粒子、及びＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子の製造方法、並びに、（１−２）ペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子の製造方法を、実施形態を示して説明する。（１）の製造方法は、以下の製造方法によって製造されるものに限定されるものではない。
（１−１）ＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＶ−ＶＩ化合物を含む半導体微粒子、及びＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子の製造方法
ＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子、ＩＶ−ＶＩ化合物を含む半導体微粒子、及びＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物を含む半導体微粒子は、市販品を用いてもよいが、公知の製造方法により製造してもよい。公知の製造方法としては、半導体微粒子を構成する元素の単体又はその化合物と脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法が挙げられる。
半導体微粒子を構成する元素の単体又はその化合物の例としては、特に制限は無いが、金属、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。
脂溶性溶媒としては、例えば、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などの飽和脂肪族炭化水素基；オレイル基などの不飽和脂肪族炭化水素基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの脂環式炭化水素基；フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などの芳香族炭化水素基などが挙げられ、このうち飽和脂肪族炭化水素基や不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。含窒素化合物としてはアミン類やアミド類が挙げられ、含酸素化合物としては脂肪酸類などが挙げられる。このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましく、例えばｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。こうした脂溶性溶媒は、半導体微粒子表面に結合可能であり、その結合の様式は、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。
混合液の加熱温度は、使用する単体や化合物の種類によって適宜設定すればよいが、例えば、１３０〜３００℃の範囲で設定することが好ましく、２４０〜３００℃の範囲で設定することがより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると結晶構造が単一化しやすいため好ましい。また、加熱時間も、使用する単体や化合物の種類、加熱温度によって適宜設定すればよいが、通常は数秒間〜数時間の範囲で設定するのが好ましく、１〜６０分間の範囲で設定するのがより好ましい。
本発明の半導体微粒子の製法において、加熱後の混合液を冷却したあと、上澄み液と沈殿物に分離し、前記分離した半導体微粒子（沈殿物）を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ−ブタノールなど）に入れて半導体微粒子を含む溶液としてもよい。あるいは、加熱後の混合液を冷却したあと、上澄み液と沈殿物に分離し、前記分離した上澄み液にナノ粒子が不溶又は難溶な溶媒（例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなど）を添加して沈殿物を発生させ、前記沈殿物を集めて前述の有機溶媒に入れて半導体微粒子を含む溶液としてもよい。
（１−２）ペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子の製造方法
ペロブスカイト化合物は、既知文献（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ． ２０１５， １５， ３６９２−３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３−４５４２）を参考に、以下に述べる第１実施形態又は第２実施形態の方法によって製造することができる。
（ペロブスカイト化合物の製造方法の第１実施形態）
例えば、本発明に係るペロブスカイト化合物の製造方法としては、
Ｂ成分、Ｘ成分、及びＡ成分を溶媒ｘに溶解させ溶液ｇを得る工程と、
得られた溶液ｇと、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶液ｇを得る工程で用いた溶媒ｘよりも低い溶媒ｙとを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
より具体的には、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶媒ｘに溶解させ、溶液ｇを得る工程と、
得られた溶液ｇと、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶液ｇを得る工程で用いた溶媒ｘよりも低い溶媒ｙとを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
溶液ｇと、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶液ｇを得る工程で用いた溶媒ｘよりも低い溶媒ｙとを混合することによりペロブスカイト化合物が析出する。
以下、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶媒ｘに溶解させ溶液ｇを得る工程と、得られた溶液ｇと、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶液ｇを得る工程で用いた溶媒ｘよりも低い溶媒ｙとを混合する工程とを含む製造方法について説明する。
なお、溶解度とは、混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。
前記製造方法は、ペロブスカイト化合物を安定して分散できる観点から、キャッピング配位子を加える工程を含んでいることが好ましい。キャッピング配位子は、前述の混合する工程の前に添加することが好ましく、Ａ成分、Ｂ成分、及びＸ成分を溶解させた溶液ｇにキャッピング配位子を添加してもよいし、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶液ｇを得る工程で用いた溶媒ｘよりも低い溶媒ｙに添加してもよく、溶媒ｘ、及び溶媒ｙの両方に添加してもよい。
前記製造方法は、前述の混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいることが好ましい。前記除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。
前述の、溶液ｇと、溶媒ｙとを混合する工程は、
（Ｉ）溶液ｇを、溶媒ｙに滴下する工程であってもよく、
（ＩＩ）溶液ｇに、溶媒ｙを滴下する工程であってもよいが、（１）の分散性を高める観点から（Ｉ）であることが好ましい。
滴下する際には攪拌を行うことが（１）の分散性を高める観点から好ましい。
溶液ｇと、溶媒ｙとを混合する工程において、温度には特に制限は無いが、（１）のペロブスカイト化合物の析出し易さを確保する観点から、−２０〜４０℃の範囲であることが好ましく、−５〜３０℃の範囲であることがより好ましい。
前記製造方法で用いるペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度の異なる２種類の溶媒ｘ、及びｙとしては、特に限定されるものではないが、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシドからなる群より選ばれる２種類の溶媒が挙げられる。
前記製造方法に含まれる、溶液ｇを得る工程で用いる溶媒ｘとしては、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が高い溶媒が好ましく、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で前記工程を行う場合、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシドが挙げられる。
前記製造方法に含まれる、混合する工程で用いる溶媒ｙとしては、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が低い溶媒が好ましく、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で前記工程を行う場合、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒が挙げられる。
溶解度の異なる２種類の溶媒において、溶解度の差は（１００μｇ／溶媒１００ｇ）〜（９０ｇ／溶媒１００ｇ）であることが好ましく、（１ｍｇ／溶媒１００ｇ）〜（９０ｇ／溶媒１００ｇ）であることがより好ましい。溶解度の差を（１００μｇ／溶媒１００ｇ）〜（９０ｇ／溶媒１００ｇ）にする観点から、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で混合する工程を行う場合、溶液を得る工程で用いる溶媒ｘが、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、混合する工程で用いる溶媒ｙが塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒であることが好ましい。
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液から、ペロブスカイト化合物を取り出す方法としては、固液分離を行うことでペロブスカイト化合物のみを回収する方法が挙げられる。
前述の固液分離方法は、ろ過などの方法や、溶媒の蒸発を利用した方法などが挙げられる。固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物のみを回収することができる。
（ペロブスカイト化合物の製造方法の第２実施形態）
ペロブスカイト化合物の製造方法は、
Ｂ成分、Ｘ成分、及びＡ成分を高温の溶媒ｚに添加して溶解させ溶液ｈを得る工程と、
得られた溶液ｈを冷却する工程とを含む製造方法であってもよい。
より具体的には、
Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを高温の溶媒ｚに添加して溶解させ溶液ｈを得る工程と、
得られた溶液ｈを冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを高温の溶媒ｚに添加して溶解させ溶液ｈを得る工程は、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物ととを溶媒ｚに添加後、昇温することで溶液ｈを得る工程であってもよい。
前記製造方法では、温度の差による溶解度の差によって本発明に係るペロブスカイト化合物を析出させ、本発明に係るペロブスカイト化合物を製造することができる。
前記製造方法は、ペロブスカイト化合物を安定して分散できる観点から、キャッピング配位子を加える工程を含んでいることが好ましい。キャッピング配位子は、前述の冷却する工程の前に添加することが好ましく、Ａ成分、Ｂ成分、及びＸ成分を溶解させた溶液ｈに添加することが好ましい。
前記製造方法は、前述の冷却する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいることが好ましい。前記除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。
ここで、高温の溶媒ｚとは、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とが、溶解する温度の溶媒であればよく、例えば、６０〜６００℃の溶媒であることが好ましく、８０〜４００℃の溶媒であることがより好ましい。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃であることが好ましく、−１０〜３０℃であることがより好ましい。
冷却温度としては０．１〜１５００℃／分であることが好ましく、１０〜１５０℃／分であることがより好ましい。
前記製造方法に用いる溶媒ｚとしては、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶解しうる溶媒であれば、特に限定されるものではないが、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド、１−オクタデセンが挙げられる。
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液から、ペロブスカイト化合物を取り出す方法としては、固液分離を行うことでペロブスカイト化合物のみを回収する方法が挙げられる。
前述の固液分離方法は、ろ過などの方法や、溶媒の蒸発を利用した方法などが挙げられる。固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物のみを回収することができる。
（１）がペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子であり、ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で（５）を混合する実施形態の組成物の製造方法としては、
（ａ−１）Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物と、（５）とを溶媒ｘに溶解させ、溶液ｇを得る工程と、
溶液ｇと、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶媒ｘよりも低い溶媒ｙとを混合し、分散液ａを得る工程と、
分散液ａからペロブスカイト化合物を含む（１）を分取する工程と、
（１）を（３）に分散させ、分散液ｂを得る工程と、
分散液ｂ、（２）、及び（４）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法、
（ａ−２）Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物と、（５）と、溶媒ｚとの混合物を、加熱し溶液ｈを得る工程と、
溶液ｈを冷却し、分散液ａを得る工程と、
分散液ａからペロブスカイト化合物を含む（１）を分取する工程と、
（１）を（３）に分散させ、分散液ｂを得る工程と、
分散液ｂ、（２）、及び（４）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法、
（ｂ−１）Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物と、（５）とを溶媒ｘに溶解させ、溶液ｇを得る工程と、
溶液ｇと、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶媒ｘよりも低い溶媒ｙとを混合し、分散液ａを得る工程と、
分散液ａからペロブスカイト化合物を含む（１）を分取する工程と、
（２）を（３）に分散させ分散液ｂを得る工程と、
分散液ｂ、（１）、及び（４）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法、並びに
（ｂ−２）Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物と、（５）と、溶媒ｚとの混合物を、加熱し溶液ｈを得る工程と、
溶液ｈを冷却し、分散液ａを得る工程と、
分散液ａからペロブスカイト化合物を含む（１）を分取する工程と、
（２）を（３）に分散させ分散液ｂを得る工程と、
分散液ｂ、（１）、及び（４）を混合する工程とを含む、組成物の製造方法、
が挙げられる。
＜硬化物の製造方法＞
上述の製造方法によって得られた組成物を用いて、硬化物を製造することができる。
本実施形態の硬化物の製造方法は、
（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（４’）を混合し、組成物を得る工程と、
組成物に含まれる重合性化合物を重合させ、重合体を含む組成物を得る工程と、
重合体を含む組成物から（３）を除去する工程とを含む、硬化物の製造方法であってもよい。
（４’）重合性化合物
本実施形態の硬化物の製造方法は、
（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（４’’）を混合し、組成物を得る工程と、
前記組成物から（３）を除去する工程とを含む、硬化物の製造方法であってもよい。
（４’’）重合体
また、本実施形態の硬化物の製造方法は、
（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（４’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（２）を混合し、組成物を得る工程と、
前記組成物から（３）を除去する工程とを含む、硬化物の製造方法であってもよい。
さらに、本実施形態の硬化物の製造方法は、
（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（４’’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（２）を混合し、組成物を得る工程と、
前記組成物から（３）を除去する工程とを含む、硬化物の製造方法であってもよい。
（４’）、及び（４’’）は、上述の（４）に含まれる、それぞれ重合性化合物、及び重合体の説明と同様である。
組成物の製造方法と同様に、上述の硬化物の製造方法は（５）を混合する工程を含んでいてもよく、半導体微粒子の製造方法に含まれるいずれかの工程で、（５）を混合してもよい。
（１）として、ペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子を採用する場合、（１）の分散性を高める観点から、（５）は、ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で混合されることが好ましい。
（１）がペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子であり、ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で（５）を混合する実施形態の硬化物の製造方法としては、例えば、
（ａ−２−１）Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物と、（５）と、溶媒ｚとの混合物を、加熱し溶液ｈを得る工程と、
溶液ｈを冷却し、分散液ａを得る工程と、
分散液ａからペロブスカイト化合物を含む（１）を分取する工程と、
（１）を（３）に分散させ、分散液ｂを得る工程と、
分散液ｂ、（２）、及び（４’）を混合し、組成物を得る工程と、
組成物に含まれる重合性化合物を重合させ、重合体を含む組成物を得る工程と、
重合体を含む組成物から（３）を除去する工程とを含む、硬化物の製造方法、並びに
（ａ−２−２）Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分、又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物と、（５）と、溶媒ｚとの混合物を、加熱し溶液ｈを得る工程と、
溶液ｈを冷却し、分散液ａを得る工程と、
分散液ａからペロブスカイト化合物を含む（１）を分取する工程と、
（１）を（３）に分散させ、分散液ｂを得る工程と、
分散液ｂ、（２）、及び（４’’）を混合し、組成物を得る工程と、
前記組成物から（３）を除去する工程とを含む、硬化物の製造方法、
が挙げられる。
上述の製造方法において、（２）としてシラザンを採用する場合、本実施形態の硬化物の製造方法は、シラザンを含む混合液に改質処理を施す工程を含んでいてもよい。
改質処理を施すタイミングは特に制限されないが、本実施形態の硬化物の製造方法は、例えば、
（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液に、改質処理を施し、シラザン改質体を含む混合液を得る工程と、
前記シラザン改質体を含む混合液、及び（４’’）を混合し、組成物を得る工程と、
前記組成物から（３）を除去する工程とを含んでいてもよい。
（３）を除去する工程は、組成物を室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、組成物を、真空乾燥機を用いて減圧乾燥する、又は加熱する工程であってもよい。
（３）を除去する工程において、温度や時間は、（３）の種類によって適宜選択することができる。
例えば、０〜３００℃で、１分間〜７日間、静置して乾燥させることで、（３）を除去することができる。
（４’）を用いる場合、重合性化合物を重合させる方法としては、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることができる。
例えばラジカル重合の場合は、上述の、分散液を得る工程、混合液を得る工程、又は、組成物を得る工程のいずれかの工程において、ラジカル重合開始剤を添加し、重合性化合物を重合させる工程において、ラジカルを発生させることで、重合反応を進行させることができる。
ラジカル重合開始剤は特に制限は無いが、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。
上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。
（４’’）を用いる場合、重合体は、溶媒に溶解している重合体であってもよい。
上述の重合体が溶解している溶媒は、重合体（樹脂）を溶解しうる溶媒であれば特に限定されないが、上述の本発明に係る（１）を溶解し難いものが好ましい。
上述の重合体が溶解している溶媒としては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシドが挙げられる。
中でもメチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒は極性が低く、本発明に係る（１）を溶解し難いと考えられるため好ましく、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒がより好ましい。
＜フィルムの製造方法＞
上述の製造方法によって得られた組成物を用いて、フィルムを製造することができる。
本実施形態のフィルムの製造方法は、
（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（４’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（２）を混合し、組成物を得る工程と、
前記組成物を基板に塗布し、塗布膜を得る工程と、
塗布膜に含まれる重合性化合物を重合させ、重合体を含む塗布膜を得る工程と、
前記重合体を含む塗布膜から（３）を除去する工程とを含む、フィルムの製造方法であってもよく、
（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（４’’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液、及び（２）を混合し、組成物を得る工程と、
前記組成物を基板に塗布し、塗布膜を得る工程と、
前記塗布膜から（３）を除去する工程とを含む、フィルムの製造方法であってもよい。
上述の製造方法に含まれるいずれかの工程において、（５）を添加してもよい。
また、半導体微粒子の製造方法に含まれるいずれかの工程で、（５）を混合し、（５）を含む粒子を、（１）として用いてもよい。
（１）として、ペロブスカイト化合物を含む半導体微粒子を採用する場合、（１）の分散性を高める観点から、（５）は、ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で混合されることが好ましい。
上述の製造方法において、（２）としてシラザンを採用する場合、本実施形態のフィルムの製造方法は、シラザンを含む混合液に改質処理を施す工程を含んでいてもよい。
改質処理を施すタイミングは特に制限されないが、本実施形態のフィルムの製造方法は、例えば、
（１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
前記分散液、及び（２’）を混合し、混合液を得る工程と、
前記混合液に、改質処理を施し、シラザン改質体を含む混合液を得る工程と、
前記シラザン改質体を含む混合液、及び（４’’）を混合し組成物を得る工程と、
前記組成物を基板に塗布し、塗布膜を得る工程と、
前記塗布膜から（３）を除去する工程とを含んでいてもよい。
本実施形態のフィルムの製造方法に含まれる、組成物を基板に塗布し、塗布膜を得る工程の具体的な手法としては、特に制限は無いが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、ドロップキャスト法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法などの、公知の塗布、塗工方法を用いることができる。
本実施形態のフィルムの製造方法に含まれる、（３）を除去する工程は、上述と同様である。
（４’）を用いる場合、重合性化合物を重合させる方法は、上述と同様である。
（４’’）を用いる場合、重合体は、溶媒に溶解している重合体であってもよく、好ましい溶媒は、上述と同様である。
フィルムは、前記フィルムの製造方法により、基板上に形成されたフィルムとして得ることができる。また、フィルムは基板から剥がして得ることができる。
＜積層構造体の製造方法＞
本実施形態の積層構造体の製造方法は、
上述のフィルムの製造方法により得られたフィルム上に、さらに、後述するその他のフィルムを形成する工程を有する。
その他のフィルムは、上述のフィルムの製造方法と同様に、塗布する工程により形成してもよいし、その他のフィルムを張り合わせる工程により形成してもよい。
張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。
接着剤は、（１）、及び（２）の化合物を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
＜発光装置の製造方法＞
本実施形態の発光装置の製造方法としては、例えば、光源と、光源から後段の光路上に本発明の組成物、硬化物、フィルム、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。
＜組成物＞
本実施形態の組成物は、発光性を有する。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ〜７５０ｎｍであってもよく、３００ｎｍ〜７００ｎｍであってもよい。
本実施形態の組成物は、上述の（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む。
本実施形態の組成物は、（５）を含んでいてもよい。
本実施形態の組成物は、上述の（１）〜（５）以外のその他の成分を有していてもよい。
その他の成分としては、例えば、若干の不純物、並びに（１）として、ペロブスカイト化合物を採用する場合、ペロブスカイト化合物を構成する元素成分からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤が挙げられる。
その他の成分の含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
＜硬化物＞
上述の本願実施形態の製造方法により、例えば（１）、（２）、及び（４）を含み、硬化物の総質量に対する（１）、（２）、及び（４）の合計含有割合が９０質量％以上である硬化物を得ることができる。
硬化物において、硬化物の総質量に対する（１）、（２）、及び（４）の合計含有割合は、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
硬化物は、（５）を含んでいてもよく、（１）、（２）、（４）、及び（５）を含み、硬化物の総質量に対する（１）、（２）、（４）、及び（５）の合計含有割合が９０質量％以上である硬化物であってもよい。
硬化物において、硬化物の総質量に対する（１）、（２）、（４）、及び（５）の合計含有割合は、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
硬化物において、（１）は、（４）に分散していることが好ましい。
＜フィルム＞
本実施形態のフィルムは、（１）、（２）、及び（４）を含む組成物からなるフィルムであって、海島状相分離構造を有し、前記海島状相分離構造において（４）が海状の疎水性領域に、（１）及び（２）が島状の親水性領域に、各々存在し、前記島状の親水性領域が０．１μｍ以上１００μｍ以下であるフィルムである。また、（１）が前述したペロブスカイト型結晶構造を有する化合物であることが好ましい。
上述の本願実施形態の製造方法により、例えば、（１）、（２）、及び（４）を含み、フィルムの総質量に対する（１）、（２）、及び（４）の合計含有割合が９０質量％以上であるフィルムを得ることができる。
フィルムにおいて、フィルムの総質量に対する（１）、（２）、及び（４）の合計含有割合は、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
フィルムは、（５）を含んでいてもよく、（１）、（２）、（４）、及び（５）を含み、フィルムの総質量に対する（１）、（２）、（４）、及び（５）の合計含有割合が９０質量％以上であるフィルムであってもよい。
フィルムにおいて、フィルムの総質量に対する（１）、（２）、（４）、及び（５）の合計含有割合は、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
フィルムにおいて、（１）は、（４）に分散していることが好ましい。
フィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、異方性を有する形状を意味する。異方性を有する形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。
フィルムの厚みは、０．０１μｍ〜１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ〜１０ｍｍであってもよく、１μｍ〜１ｍｍであってもよい。
本明細書において前記フィルムの厚みは、マイクロメータにより任意の３点において測定し、その平均値を算出することにより得ることができる。
フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の実施形態の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の実施形態の組成物が用いられていてもよい。
≪海島状相分離構造≫
本実施形態の製造方法によって得られる組成物、硬化物、又はフィルムは、海島状相分離構造を有することを特徴とする。
海島状相分離構造とは、互いに非相溶である海状の疎水性領域と、島状の親水性領域とを有する相分離構造である。
海状の疎水性領域は、（３）、及び（４）が存在する領域、又は（４）が存在する領域であり、島状の親水性領域は、（１）が（２）に内包されている粒子、又はその粒子の凝集体が存在する領域である（以下、島状相と呼ぶことがある。）。
このような構造を有することで、（２）が（１）を劣化させる原因物質である酸素や水分を吸着し、（１）が外部に存在する酸素や水分と十分に遮断され保護されるため、水蒸気に対する耐久性が向上すると考えられる。
例えば、組成物全体に対する、（１）及び（２）の合計の配合割合、又は（１）と、（２）との配合割合が前述した範囲内である組成物では、自然と（１）が（２）に内包されている粒子、又はその粒子の凝集体が生じる。
（１）の全数量に対する、（２）に内包されている（１）の個数の割合としては、３０〜１００％であることが好ましく、５０〜１００％であることがより好ましく、７０〜１００％であることがさらに好ましい。
（１）の全数量に対する、（２）に内包されている（１）の個数の割合は、例えば、硬化物、又はフィルムを、ＴＥＭを用いて観察する方法が挙げられる。硬化物、又はフィルムについて、縦５００μｍ、横５００μｍの領域を、ＴＥＭを用いて観察し、観察した領域内で、（１）の全数量に対する、（２）に内包されている（１）の個数の割合を算出する方法が挙げられる。
海島状相分離構造、及び島状の親水性領域において（１）が（２）に内包されている形態を観察する方法としては、例えば、硬化物、又はフィルムをＳＥＭ、又はＴＥＭなどを用いて観察する方法が挙げられる。さらに、ＳＥＭ、又はＴＥＭを用いたＥＤＸ測定によって、詳細な元素分布を解析することができる。
島状相の形状は球状、歪んだ球状、碁石状、又はラグビーボール状など、特に制限は無い。島状相の平均サイズに、特に制限は無いが、平均最大フェレー径が０．１〜１００μｍであり、０．１〜３０μｍが好ましく、０．１〜２０μｍがより好ましい。島状相の平均最大フェレー径が０．１μｍ以上であることによって、外部からの水分を有効に遮断することができ、島状相内部に存在する（１）を十分保護することができる。可視光透過率を維持する観点で、島状相の平均最大フェレー径は、１００μｍ以下であることが好ましい。平均最大フェレー径を算出する方法としては、例えば、ＴＥＭを用いて島状相を２０個以上観察し、それぞれの島状相の最大フェレー径の平均値を取る方法が挙げられる。
具体的には、ＴＥＭを用いて島状相を２０個観察し、それぞれの島状相の最大フェレー径の平均値を取る方法が例として挙げられる。
≪半導体微粒子の分散性≫
組成物、硬化物、又はフィルムの発光特性を向上させる観点から、（１）は高い分散性を有することが好ましい。（１）の分散性を評価する手法としては、ＴＥＭによる観察、Ｘ線小角散乱法（以下、ＳＡＸＳともいう。）、発光波長ＰＬｔｏｐとバンド端（もしくは、バンドギャップともいう。）Ｅｇのエネルギー値の差を用いる方法などが挙げられる。
≪発光波長ＰＬｔｏｐとバンド端Ｅｇのエネルギー値の差を用いた分散性Ｄ≫
既知文献（参考文献：Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ ２０１５，１５，頁３６９２−３６９６）で知られているように、（１）の平均粒径が大きくなると、バンド端Ｅｇがレッドシフトを起こす。平均粒径の小さな（１）が高分散で存在する場合は、発光波長ＰＬｔｏｐとバンド端Ｅｇのエネルギー値の差は小さい。しかし、（１）の分散性が悪く、（１）が凝集して、平均粒径の大きな粒子が生成すると、バンド端Ｅｇのレッドシフト化が起こり、一方で発光波長ＰＬｔｏｐには大きな変化が生じないため、発光波長ＰＬｔｏｐとバンド端Ｅｇのエネルギー値の差は大きくなる。
したがって、下記式（Ｅ１）により、発光波長ＰＬｔｏｐとバンド端Ｅｇのエネルギー値の差Ｄを算出して、その値の大きさから、（１）の分散性を評価することができる。
Ｄ＝ＰＬｔｏｐ（ｅＶ）−Ｅｇ（ｅＶ） ・・・ 式（Ｅ１）
平均粒径の小さな（１）が高分散で存在する観点から、Ｄは０．２０以下であることが好ましく、０．１５以下であることがより好ましく、０．１２以下であることがさらに好ましく、０．１０以下であることが特に好ましい。
本発明の別の側面としては、平均粒径の小さな（１）が高分散で存在する観点から、Ｄは０．０００１以上０．２０以下であることが好ましく、０．０００２以上０．１５以下であることがより好ましく、０．０００５以上０．１２以下であることがさらに好ましく、０．００１以上０．１０以下であることが特に好ましい。
≪発光波長ＰＬｔｏｐ≫
発光波長ＰＬｔｏｐは、発光スペクトルにおいて、発光が最大となる波長をエネルギー値（ｅＶ）に変換した値を用いることができる。波長λ（ｎｍ）をエネルギー値Ｅ（ｅＶ）に換算する式としては、一般的に下記式（Ｅ２）が知られており、下記式（Ｅ２）を用いて算出できる。
Ｅ（ｅＶ）＝ｈｃ／λ＝１２４０／λ（ｎｍ） ・・・ 式（Ｅ２）
（Ｅ：エネルギー値（ｅＶ）、ｈ：プランク定数、ｃ：光速、λ：波長（ｎｍ））
≪バンド端Ｅｇ≫
バンド端Ｅｇは、紫外可視吸収スペクトルを測定し、透過率データから算出した光吸収係数αを用いて算出する、いわゆるＴａｕｓ Ｐｌｏｔ法によって求められる。下記式（Ｅ３）を用いて、αｈνの平方根をｈνに対してプロットすれば、Ｅｇが求まる。
αｈν∝（ｈν−Ｅｇ）２ ・・・ 式（Ｅ３）
（α：光吸収係数、ｈ：プランク定数、ν：振動数、Ｅｇ：バンド端（ｅＶ））
≪半導体微粒子の濃度測定≫
分散液に含まれる（１）の量は、誘導結合プラズマ質量分析計ＩＣＰ−ＭＳ（例えば、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ）、及びイオンクロマトグラフ（例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いて測定する。
（１）を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の（１）の溶解度が高い良溶媒を用いて溶解した後に測定を行う。
≪発光スペクトルの測定≫
本実施形態の硬化物の発光スペクトルは、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。
≪量子収率の測定≫
本実施形態の硬化物の量子収率は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。
≪紫外可視吸収スペクトルの測定≫
本実施形態の硬化物の紫外可視吸収スペクトルは、紫外可視近赤外分光光度計（例えば、日本分光株式会社製、Ｖ−６７０）を用いて、室温、大気下で測定する。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムを、厚み１００μｍ、１ｃｍ×１ｃｍとして、組成物、硬化物、及びフィルムに含まれる（１）の濃度が１０００μｇ／ｍＬ程度となるように調整し、６０〜６５℃の温度、８０〜９０％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に置き、水蒸気に対する耐久性試験を行う。試験前後に量子収率を測定し、水蒸気に対する耐久性の指標として、（Ｘ’日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値を用いて評価することができる。
本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムは、上記の測定方法により測定された３日間の水蒸気に対する耐久性試験における、水蒸気に対する耐久性が、０．４以上であってもよく、０．６以上であってもよく、０．７以上であってもよい。
本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムは、上記の測定方法により測定された３日間の水蒸気に対する耐久性試験における、水蒸気に対する耐久性が、１．０以下であってもよい。
本発明の別の側面としては、本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムは、上記測定方法により測定された３日間の水蒸気に対する耐久性試験における、水蒸気に対する耐久性が、０．４以上１．０以下であることが好ましく、０．６以上１．０以下であることがより好ましく、０．７以上１．０以下であることがさらに好ましい。
本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムは、上記の測定方法により測定された５日間の水蒸気に対する耐久性試験における、水蒸気に対する耐久性が、０．３以上であってもよく、０．４以上であってもよく、０．５以上であってもよい。
本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムは、上記の測定方法により測定された５日間の水蒸気に対する耐久性試験における、水蒸気に対する耐久性が、１．０以下であってもよい。
本発明の別の側面としては、本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムは、上記測定方法により測定された５日間の水蒸気に対する耐久性試験における、水蒸気に対する耐久性が、０．３以上１．０以下であることが好ましく、０．４以上１．０以下であることがより好ましく、０．５以上１．０以下であることがさらに好ましい。
本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムは、上記の測定方法により測定された７日間の水蒸気に対する耐久性試験における、水蒸気に対する耐久性が、０．３以上であってもよく、０．４以上であってもよく、０．５以上であってもよい。
本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムは、上記の測定方法により測定された７日間の水蒸気に対する耐久性試験における、水蒸気に対する耐久性が、１．０以下であってもよい。
本発明の別の側面としては、本実施形態の組成物、硬化物、及びフィルムは、上記測定方法により測定された７日間の水蒸気に対する耐久性試験における、水蒸気に対する耐久性が、０．３以上１．０以下であることが好ましく、０．４以上１．０以下であることがより好ましく、０．５以上１．０以下であることがさらに好ましい。
＜積層構造体＞
本発明に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。
積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。
（基板）
本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、基板が挙げられる。
基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよく、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラスなどの公知の基板を用いることができる。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。
図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。
本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、前記封止層が、前記フィルム１０の前記第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。
（バリア層）
本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物、硬化物、又はフィルムを保護する観点から、バリア層を含んでいても良い。
バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。バリア層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラス膜などの公知のバリア層を用いることができる。
（光散乱層）
本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。
＜発光装置＞
本発明に係る発光装置は、本発明の実施形態の組成物又は前記積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、後段に設置した組成物又は積層構造体に照射することで、組成物又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。前記発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。
本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。
（光源）
本発明に係る発光装置を構成する光源は、特に制限は無いが、前述の組成物、硬化物、フィルム、又は積層構造体中の半導体微粒子を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を用いることができる。
（光反射部材）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光源の光を前記の組成物、硬化物、フィルム、又は積層構造体に向かって照射する観点から、光反射部材を含んでいても良い。光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであっても良い。
反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。
（輝度強化部）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいても良い。
（プリズムシート）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。
（導光板）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側及び／又は視認側にプリズム形状等が形成された導光板などの任意の適切な導光板が用いることができる。
（要素間の媒体材料層）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層（要素間の媒体材料層）が挙げられる。
要素間の媒体材料層に含まれる１つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は前記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。
本発明に係る発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、
（ｅ１）本発明の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）、
（ｅ２）本発明の組成物をシート化し、これを２枚のバリアフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）、
（ｅ３）本発明の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）、及び
（ｅ４）本発明の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト
が挙げられる。
また、本発明に係る発光装置の具体例としては、本発明の実施形態の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。
＜ディスプレイ＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。
（液晶パネル）
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。
（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、前記基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。
（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。
本発明の組成物の用途としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）用の波長変換材料が挙げられる。
＜ＬＥＤ＞
本発明の組成物は、例えば、ＬＥＤの発光層の材料として用いることができる。
本発明の組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本発明の組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面にｐ型輸送層で積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる（１）及び（２）の粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。
＜太陽電池＞
本発明の組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本発明の組成物を含む活性層、２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＭｅＯＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。
活性層に含まれる、本発明の組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。
なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
≪ペロブスカイト化合物のＸ線回折パターンの測定≫
実施例及び比較例で得られた沈殿物のＸ線回折パターンの測定は、Ｘ線回折装置（以下、ＸＲＤともいう。）（ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社製、Ｘ’Ｐｒｔ ＰＲＯ）を用いて行った。得られた沈殿物を専用の基板に充填し、Ｃｕ−Ｋα線源を用いて、回折角２θ＝１０°〜９０°の範囲にて測定を行うことで、Ｘ線回折パターンを得た。Ｘ線回折パターン総合解析ソフトウェアＪＡＤＥ５を用い、Ｘ線回折図形のピークを解析した。
≪半導体微粒子の濃度測定≫
実施例及び比較例で得られた分散液における半導体微粒子の濃度は、それぞれ、半導体微粒子を再分散させることで得られた半導体微粒子及び溶媒を含む分散液に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを添加することで半導体微粒子を溶解させた後、ＩＣＰ−ＭＳ（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ）、及びイオンクロマトグラフ（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いて測定した。
≪分散性Ｄの評価≫
実施例及び比較例で得られた硬化物の発光スペクトル、及び紫外可視吸収スペクトルを測定し、それぞれ発光波長ＰＬｔｏｐ、バンド端Ｅｇを算出して、式（Ｅ１）を用いて半導体微粒子の分散性Ｄを評価した。発光スペクトルは絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用い、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。紫外可視吸収スペクトルは紫外可視近赤外分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ−６７０）を用いて、室温、大気下で測定した。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
実施例１、２で得られた硬化物を、６５℃の温度、９５％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に７日間置き、水蒸気に対する耐久性試験を行った。７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率を測定し、水蒸気に対する耐久性の指標として、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値を用いて評価した。
実施例３〜６で得られた硬化物を、６０℃の温度、８０％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に７日間置き、水蒸気に対する耐久性試験を行った。７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率を測定し、水蒸気に対する耐久性の指標として、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値を用いて評価した。
実施例７〜９で得られた硬化物を、６０℃の温度、８０％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に３日間置き、水蒸気に対する耐久性試験を行った。３日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率を測定し、水蒸気に対する耐久性の指標として、（３日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値を用いて評価した。
実施例１０、１１で得られた硬化物を、６０℃の温度、８０％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に５日間置き、水蒸気に対する耐久性試験を行った。５日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率を測定し、水蒸気に対する耐久性の指標として、（５日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値を用いて評価した。
比較例１、２で得られた硬化物を、６５℃の温度、９５％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に７日間置き、水蒸気に対する耐久性試験を行った。７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率を測定し、水蒸気に対する耐久性の指標として、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値を用いて評価した。
比較例３で得られた硬化物を、６０℃の温度、８０％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に３日間置き、水蒸気に対する耐久性試験を行った。３日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率を測定し、水蒸気に対する耐久性の指標として、（３日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値を用いて評価した。
≪量子収率の測定≫
実施例及び比較例で得られた硬化物の量子収率は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。
≪ＴＥＭによる観察≫
実施例及び比較例で得られた分散液における半導体微粒子は、透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）を用いて観察した。観察用の試料は、支持膜付きグリッドに分散液を滴下して乾燥させた後、加速電圧を２００ｋＶとして観察を行った。半導体微粒子の平均粒径は、２０個の半導体微粒子の最大フェレー径の平均値とした。
実施例及び比較例で得られた硬化物は透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）を用いて観察した。観察用の試料は、室温にてエポキシ樹脂で包埋したものをアイソメットで切り出し、ミクロトームで薄片することで作製した。試料切片は支持膜付きグリッドに採取後、加速電圧を２００ｋＶとして観察を行った。
島状相が観察された硬化物において、平均最大フェレー径は、２０個の島状相の最大フェレー径の平均値とした。
（組成物の合成）
［実施例１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセン４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛０．２７６ｇと、１−オクタデセン２０ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１２０℃で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。
臭化鉛分散液を１６０℃に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を得た。
次いで、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を１００００ｒｐｍで５分間、遠心分離し、デカンテーションにより沈殿物を分取することで、ペロブスカイト化合物を得た。
ペロブスカイト化合物のＸ線回折パターンをＸＲＤで測定したところ、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来のピークを有しており、３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均最大フェレー径（平均粒径）は１１ｎｍであった。
ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定した分散液１中のペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡと、トルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
上述のペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１と、オルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ １５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）とを混合した後、ペロブスカイト化合物、オルガノポリシラザン、及び溶媒を含む混合液１ ０．３ｇと、上述の重合体が溶解した溶液１．８３ｇとを混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物１を得た。組成物１において、モル比はＳｉ／Ｐｂ＝７６．０であった。
さらに、上述の組成物１ １．１３ｇをフラットシャーレ（φ３２ｍｍ）に滴下し、室温で１２時間静置し、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの硬化物１（フィルム１）を得た。硬化物１（フィルム１）の膜厚は１１０μｍであった。硬化物１（フィルム１）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物１（フィルム１）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５２３．０ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３７ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物１（フィルム１）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．３１ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物１（フィルム１）の分散性Ｄは、０．０６ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物１（フィルム１）の量子収率を測定したところ、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．８０（８０％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物１（フィルム１）をＴＥＭで観察した。観察で得られた画像を図３に示す。海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は５００ｎｍであった。
［実施例２］
ＩｎＰ／ＺｎＳ（ＺｎＳで被覆されたＩｎＰを意味する）コアシェル型半導体微粒子の分散液２（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、製品番号７７６７５０）を用意した。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定した分散液２中のＩｎＰ／ＺｎＳの濃度は、４２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
ＴＥＭで観察した半導体微粒子の平均最大フェレー径（平均粒径）は８ｎｍであった。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡと、トルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
上述のＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型半導体微粒子、及び溶媒を含む分散液２ ０．４５ｇと、上述の重合体が溶解した溶液０．９８ｇとを混合した後、さらにオルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ １５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）を混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物２を得た。組成物２において、モル比はＳｉ／Ｐ＝１１０であった。
さらに、上述の組成物２をフラットシャーレ（φ３２ｍｍ）に滴下し、室温で１２時間静置し、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型半導体微粒子の濃度が１００００μｇ／ｍＬの硬化物２（フィルム２）を得た。硬化物２（フィルム２）の膜厚は９０μｍであった。硬化物２（フィルム２）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物２（フィルム２）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５３７．９ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３１ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物２（フィルム２）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視赤外分光硬度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは２．２９ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物２（フィルム２）の分散性Ｄは、０．０２ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物２（フィルム２）の量子収率を測定したところ、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．５９（５９％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物２（フィルム２）をＴＥＭで観察した。観察で得られた画像を図４に示す。海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は８００ｎｍであった。
実施例１及び２の結果を表１に示す。
［実施例３］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセン４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛０．２７６ｇと、１−オクタデセン２０ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１２０℃で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。
臭化鉛分散液を１６０℃に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を得た。
次いで、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を１００００ｒｐｍで５分間、遠心分離し、デカンテーションにより沈殿物を分取することで、ペロブスカイト化合物を得た。
ペロブスカイト化合物のＸ線回折パターンをＸＲＤで測定したところ、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来のピークを有しており、３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均最大フェレー径（平均粒径）は１１ｎｍであった。
ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液３を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定した分散液３中のペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、上述のペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液３と、オルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ １５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）とを混合した。混合液において、モル比はＳｉ／Ｐｂ＝２０．０であった。上述の混合液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで攪拌しながら、１日間改質処理し、混合液３を得た。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡと、トルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱し、重合体が溶解した溶液を得た。
上記のペロブスカイト化合物、オルガノポリシラザン改質体、及び溶媒を含む混合液３ ０．１５ｇと、上述の重合体が溶解した溶液０．９１３ｇとを混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物３を得た。
さらに、上述の組成物３ １．１３ｇをフラットシャーレ（φ３２ｍｍ）に滴下し、室温で１２時間静置し、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの硬化物３（フィルム３）を得た。硬化物３（フィルム３）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物３（フィルム３）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５２３．２ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３７ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物３（フィルム３）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．３１ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物３（フィルム３）の分散性Ｄは、０．０６ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物３（フィルム３）の量子収率を測定したところ、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．７９（７９％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物３（フィルム３）をＴＥＭで観察した。観察で得られた画像を図５に示す。海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は５００ｎｍであった。
［実施例４］
混合液におけるモル比をＳｉ／Ｐｂ＝６６．８とした以外は、上記実施例３と同様の方法で１ｃｍ×１ｃｍのサイズの硬化物４（フィルム４）を得た。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物４（フィルム４）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５２４．５ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３６ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物４（フィルム４）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．３５ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物４（フィルム４）の分散性Ｄは、０．０１ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物４（フィルム４）の量子収率を測定したところ、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．７８（７８％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物４（フィルム４）をＴＥＭで観察したところ、海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は６００ｎｍであった。
［実施例５］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセン４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛０．２７６ｇと、１−オクタデセン２０ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１２０℃で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。
臭化鉛分散液を１６０℃に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を得た。
次いで、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を１００００ｒｐｍで５分間、遠心分離し、デカンテーションにより沈殿物を分取することで、ペロブスカイト化合物を得た。
ペロブスカイト化合物のＸ線回折パターンをＸＲＤで測定したところ、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来のピークを有しており、３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均最大フェレー径（平均粒径）は１１ｎｍであった。
ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液５を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定した分散液５中のペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、上述のペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液５と、オルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ １５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）とを混合した。混合液において、モル比はＳｉ／Ｐｂ＝７６．０であった。上述の混合液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで攪拌しながら、１日間改質処理し、混合液５を得た。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡとトルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱し、重合体が溶解した溶液を得た。
上記のペロブスカイト化合物、オルガノポリシラザン改質体、及び溶媒を含む混合液５ ０．１５ｇと、上述の重合体が溶解した溶液０．９１３ｇとを混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物５を得た。
さらに、上述の組成物５ １．１３ｇをフラットシャーレ（φ３２ｍｍ）に滴下し、室温で１２時間静置し、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの硬化物５（フィルム５）を得た。硬化物５（フィルム５）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物５（フィルム５）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５２２．０ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３８ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物５（フィルム５）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．３３ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物５（フィルム５）の分散性Ｄは、０．０５ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物５（フィルム５）の量子収率を測定したところ、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．８７（８７％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物５（フィルム５）をＴＥＭで観察した。観察で得られた画像を図６に示す。海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は１１００ｎｍであった。
［実施例６］
混合液におけるモル比をＳｉ／Ｐｂ＝２２８とした以外は、上記実施例５と同様の方法で１ｃｍ×１ｃｍのサイズの硬化物６（フィルム６）を得た。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物６（フィルム６）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５２２．７ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３７ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物６（フィルム６）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．３６ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物６（フィルム６）の分散性Ｄは、０．０１ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物６（フィルム６）の量子収率を測定したところ、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．９３（９３％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物６（フィルム６）をＴＥＭで観察したところ、海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は１２００ｎｍであった。
実施例３〜６の結果を表２に示す。
［実施例７］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセン４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛０．１１０ｇと、ヨウ化鉛０．２０８ｇと、１−オクタデセン２０ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１２０℃で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛‐ヨウ化鉛分散液を調製した。
臭化鉛‐ヨウ化鉛分散液を１６０℃に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を得た。
次いで、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を１００００ｒｐｍで５分間、遠心分離し、デカンテーションにより沈殿物を分取することで、ペロブスカイト化合物を得た。
ペロブスカイト化合物のＸ線回折パターンをＸＲＤで測定したところ、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来のピークを有しており、３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均最大フェレー径（平均粒径）は１９ｎｍであった。
ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液７を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定した分散液７中のペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、上述のペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液７と、オルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ １５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）とを混合した。混合液において、モル比はＳｉ／Ｐｂ＝１０．６であった。上述の混合液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで攪拌しながら、１日間改質処理し、混合液７を得た。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡと、トルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱し、重合体が溶解した溶液を得た。
上記のペロブスカイト化合物、オルガノポリシラザン改質体、及び溶媒を含む混合液７ ０．１５ｇと、上述の重合体が溶解した溶液０．９１３ｇとを混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物７を得た。
さらに、上述の組成物７ １．１３ｇをフラットシャーレ（φ３２ｍｍ）に滴下し、室温で１２時間静置し、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの硬化物７（フィルム７）を得た。硬化物７（フィルム７）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物７（フィルム７）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、６３２．１ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、１．９６ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物７（フィルム７）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、１．９３ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物７（フィルム７）の分散性Ｄは、０．０３ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物７（フィルム７）の量子収率を測定したところ、（３日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．６２（６２％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物７（フィルム７）をＴＥＭで観察した。観察で得られた画像を図７に示す。海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は８００ｎｍであった。
［実施例８］
混合液におけるモル比をＳｉ／Ｐｂ＝３１．８とした以外は、上記実施例７と同様の方法で１ｃｍ×１ｃｍのサイズの硬化物８（フィルム８）を得た。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物８（フィルム８）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、６１７．８ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．００ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物８（フィルム８）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、１．９８ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物８（フィルム８）の分散性Ｄは、０．０２ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物８（フィルム８）の量子収率を測定したところ、（３日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．７７（７７％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物８（フィルム８）をＴＥＭで観察したところ、海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は５００ｎｍであった。
［実施例９］
混合液におけるモル比をＳｉ／Ｐｂ＝５３．０とした以外は、上記実施例７と同様の方法で１ｃｍ×１ｃｍのサイズの硬化物９（フィルム９）を得た。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物９（フィルム９）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、６１１．３ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．０３ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物９（フィルム９）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．００ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物９（フィルム９）の分散性Ｄは、０．０３ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物９（フィルム９）の量子収率を測定したところ、（３日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．８６（８６％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物９（フィルム９）をＴＥＭで観察したところ、海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は７００ｎｍであった。
実施例７〜９の結果を表３に示す。
［実施例１０］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセン４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛０．２７６ｇと、１−オクタデセン２０ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１２０℃で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。
臭化鉛分散液を１６０℃に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を得た。
次いで、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を１００００ｒｐｍで５分間、遠心分離し、デカンテーションにより沈殿物を分取することで、ペロブスカイト化合物を得た。
ペロブスカイト化合物のＸ線回折パターンをＸＲＤで測定したところ、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来のピークを有しており、３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均最大フェレー径（平均粒径）は１１ｎｍであった。
ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１０を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定した分散液１０中のペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、上述のペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１０と、オクタメチルシクロテトラシラザン（東京化成工業株式会社製）とを混合した。混合液において、モル比はＳｉ／Ｐｂ＝９１．４であった。上述の混合液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで攪拌しながら、１日間改質処理し、混合液１０を得た。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡとトルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱し、重合体が溶解した溶液を得た。
上記のペロブスカイト化合物、オクタメチルシクロテトラシラザン改質体、及び溶媒を含む混合液１０ ０．１５ｇと、上述の重合体が溶解した溶液０．９１３ｇとを混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物１０を得た。
さらに、上述の組成物１０ １．１３ｇをフラットシャーレ（φ３２ｍｍ）に滴下し、室温で１２時間静置し、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの硬化物１０（フィルム１０）を得た。硬化物１０（フィルム１０）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物１０（フィルム１０）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５２１．７ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３８ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物１０（フィルム１０）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．２９ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物１０（フィルム１０）の分散性Ｄは、０．０９ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物１０（フィルム１０）の量子収率を測定したところ、（５日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．６７（６７％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物１０（フィルム１０）をＴＥＭで観察したところ、海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は１５００ｎｍであった。
［実施例１１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセン４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛０．２７６ｇと、１−オクタデセン２０ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１２０℃で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。
臭化鉛分散液を１６０℃に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を得た。
次いで、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を１００００ｒｐｍで５分間、遠心分離し、デカンテーションにより沈殿物を分取することで、ペロブスカイト化合物を得た。
ペロブスカイト化合物のＸ線回折パターンをＸＲＤで測定したところ、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来のピークを有しており、３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均最大フェレー径（平均粒径）は１１ｎｍであった。
ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１１を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定した分散液１１中のペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、上述のペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１１と、パーヒドロポリシラザン（ＡＺＮＮ−１２０−２０、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）とを混合した。混合液において、モル比はＳｉ／Ｐｂ＝１０．４であった。上述の混合液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで攪拌しながら、１日間改質処理し、混合液１１を得た。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡと、トルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱し、重合体が溶解した溶液を得た。
上記のペロブスカイト化合物、パーヒドロポリシラザン改質体、及び溶媒を含む混合液１１ ０．１５ｇと、上述の重合体が溶解した溶液０．９１３ｇとを混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物１１を得た。
さらに、上述の組成物１１ １．１３ｇをフラットシャーレ（φ３２ｍｍ）に滴下し、室温で１２時間静置し、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの硬化物１１（フィルム１１）を得た。硬化物１１（フィルム１１）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物１１（フィルム１１）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５２２．５ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３７ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物１１（フィルム１１）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．３４ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物１１（フィルム１１）の分散性Ｄは、０．０３ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物１１（フィルム１１）の量子収率を測定したところ、（５日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．７０（７０％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物１１（フィルム１１）をＴＥＭで観察したところ、海島状相分離構造を形成していることがわかった。ＴＥＭを用いたＥＤＸ測定を行ったところ、島状相はポリシラザン、海状相はＰＭＭＡであった。さらに、ペロブスカイト化合物の半導体微粒子は島状相内に存在していた。島状相の平均最大フェレー径は１０００ｎｍであった。
実施例１０及び１１の結果を表４に示す。
［比較例１］
ＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型半導体微粒子の分散液２（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、製品番号７７６７５０）を用意した。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡと、トルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
上述のＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型半導体微粒子、及び溶媒を含む分散液２ １．３ｇを４０℃に調整し、攪拌した状態で、パーヒドロポリシラザン（ＡＺＮＮ−１２０−２０、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）３９μＬを添加し、その後、４０℃で１時間攪拌した。得られた混合液１２を減圧下で乾燥させ、パーヒドロポリシラザンを含む半導体微粒子を得た。
ＩｎＰ／ＺｎＳの重量含有率が１％となるように、上記のパーヒドロポリシラザンを含む半導体微粒子と、上述の重合体が溶解した溶液とを混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物１２を得た。
さらに、組成物１２ ０．９８ｇをフラットシャーレ（φ３２ｍｍ）に滴下し、６０℃で１２時間静置し、トルエンを蒸発させ、硬化物１２（フィルム１２）を得た。硬化物１２（フィルム１２）の膜厚は１００μｍであった。硬化物１２（フィルム１２）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物１２（フィルム１２）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５３７．９ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３１ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物１２（フィルム１２）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．２３ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物１２（フィルム１２）の分散性Ｄは、０．０８ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物１２（フィルム１２）の量子収率を測定したところ、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．５３（５３％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物１２（フィルム１２）をＴＥＭで観察したところ、ＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型半導体微粒子がコア、パーヒドロポリシラザンがシェルとなるように、一つ一つのＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型半導体微粒子の周囲数ｎｍにパーヒドロポリシラザンが存在していたが、島状相がポリシラザン、海状相がＰＭＭＡであるような、海島状相分離構造は形成されていなかった。
［比較例２］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセン４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛０．２７６ｇと、１−オクタデセン２０ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１２０℃で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。
臭化鉛分散液を１６０℃に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を得た。
次いで、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を１００００ｒｐｍで５分間、遠心分離し、デカンテーションにより沈殿物を分取することで、ペロブスカイト化合物を得た。
ペロブスカイト化合物のＸ線回折パターンをＸＲＤで測定したところ、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来のピークを有しており、３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均最大フェレー径（平均粒径）は１１ｎｍであった。
ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１３を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定した分散液１３中のペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡと、トルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
上記のペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１３ ０．１５ｇと、上述の重合体が溶解した溶液０．９１３ｇとを混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物１３を得た。
さらに、上述の組成物１３全量をアルミ製のカップ（φ４．５ｃｍ）に滴下し、室温で１２時間静置し、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの硬化物１３（フィルム１３）を得た。硬化物１３（フィルム１３）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物１３（フィルム１３）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、５１９．０ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、２．３８ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物１３（フィルム１３）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、２．２２ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物１３（フィルム１３）の分散性Ｄは、０．１６ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物１３（フィルム１３）の量子収率を測定したところ、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．００（０％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物１３（フィルム１３）をＴＥＭで観察したところ、海島状相分離構造は形成されていなかった。
［比較例３］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセン４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛０．１１０ｇと、ヨウ化鉛０．２０８ｇと、１−オクタデセン２０ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１２０℃で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛‐ヨウ化鉛分散液を調製した。
臭化鉛‐ヨウ化鉛分散液を１６０℃に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を得た。
次いで、ペロブスカイト化合物が沈殿した分散液を１００００ｒｐｍで５分間、遠心分離し、デカンテーションにより沈殿物を分取することで、ペロブスカイト化合物を得た。
ペロブスカイト化合物のＸ線回折パターンをＸＲＤで測定したところ、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来のピークを有しており、３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均最大フェレー径（平均粒径）は１９ｎｍであった。
ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１４を得た。ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定した分散液１４中のペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、ＰＭＭＡと、トルエンとを混合した後、６０℃で３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
上記のペロブスカイト化合物、及び溶媒を含む分散液１４ ０．１５ｇと、上述の重合体が溶解した溶液０．９１３ｇとを混合し、（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む組成物１４を得た。
さらに、上述の組成物１４全量をアルミ製のカップ（φ４．５ｃｍ）に滴下し、室温で１２時間静置し、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの硬化物１４（フィルム１４）を得た。硬化物１４（フィルム１４）は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
≪発光波長ＰＬｔｏｐの測定≫
硬化物１４（フィルム１４）の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定したところ、発光波長ＰＬｔｏｐは、６２６．２ｎｍであった。エネルギー値に換算すると、１．９８ｅＶであった。
≪バンド端Ｅｇの測定≫
硬化物１４（フィルム１４）の紫外可視吸収スペクトルを、紫外可視近赤外分光光度計を用いて測定したところ、バンド端Ｅｇは、１．７７ｅＶであった。
≪分散性Ｄの評価≫
硬化物１４（フィルム１４）の分散性Ｄは、０．２１ｅＶであった。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
硬化物１４（フィルム１４）の量子収率を測定したところ、（３日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は０．０４（４％）であった。
≪ＴＥＭ観察≫
硬化物１４（フィルム１４）をＴＥＭで観察したところ、海島状相分離構造は形成されていなかった。
比較例１〜３の結果を表５に示す。
実施例では、本願実施形態によって得られる組成物を用いることで、予め（１）と（２）とを混合し反応させる工程と、得られた反応生成物を乾燥させることによって（２）で覆われた（１）を得る工程を行うことなく、水蒸気に対する耐久性を有する硬化物を製造することができた。
［参考例１］
実施例１〜１１に記載の硬化物１〜１１を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例２］
実施例１〜１１に記載の硬化物１〜１１をシート化することで樹脂組成物を得ることができ、これを２枚のバリアフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例３］
実施例１〜１１に記載の硬化物１〜１１を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例４］
実施例１〜１１に記載の組成物１〜１１とレジストを混合した後に、溶媒を除去することで波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例５］
実施例１〜１１に記載の組成物１〜１１をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。
［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１〜１１に記載の組成物１〜１１を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。
［参考例７］
実施例１〜１１に記載の組成物１〜１１と樹脂を混合した後に、溶媒を除去して成形することで本発明の組成物を含む樹脂組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから前記樹脂成形体に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
［参考例８］
実施例１〜１１に記載の硬化物１〜１１を青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから前記樹脂成形体に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
本発明によれば、水蒸気に対する耐久性を有する組成物、硬化物、及びフィルムを、簡便な工程で製造する方法、及び前記製造方法により製造された組成物を提供することが可能となる。
したがって、本発明の組成物を含む積層構造体、及び前記組成物を用いたディスプレイは発光用途において好適に使用することができる。
１ａ，１ｂ…積層構造体、１０…フィルム、２０，２１…基板、２２…封止材、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims (9)

  1. （１）、（２）、及び（４）を含む組成物からなるフィルムであって、
    海島状相分離構造を有し、
    前記海島状相分離構造において（４）が海状の疎水性領域に、（１）及び（２）が島状の親水性領域に、各々存在し、
    前記島状の親水性領域が０．１μｍ以上１００μｍ以下であるフィルム。
    （１）発光性を有する半導体微粒子
    （２）シラザン、又はその改質体
    （４）重合性化合物、又は重合体
  2. （１）がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物である、請求項１に記載のフィルム。
    （Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
    Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
    Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
  3. 発光波長ＰＬｔｏｐとバンド端Ｅｇのエネルギー値の差Ｄが０．２以下である、請求項１又は２に記載のフィルム。
  4. （３）の存在下、（１）、（２）、及び（４）を混合する工程を含む、組成物の製造方法。
    （１）発光性を有する半導体微粒子
    （２）シラザン、又はその改質体
    （３）溶媒
    （４）重合性化合物、又は重合体
  5. （１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
    前記分散液、（２）、及び（４）を混合する工程とを含む、請求項４に記載の組成物の製造方法。
  6. （１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
    前記分散液、及び（２）を混合し、混合液を得る工程と、
    前記混合液、及び（４）を混合する工程とを含む、請求項５に記載の組成物の製造方法。
  7. （１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
    前記分散液、及び（２’）を混合し、混合液を得る工程と、
    前記混合液に、改質処理を施し、シラザン改質体を含む混合液を得る工程と、
    前記シラザン改質体を含む混合液、及び（４）を混合する工程とを含む、請求項５に記載の組成物の製造方法。
    （２’）シラザン
  8. （１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
    前記分散液、及び（２’）を混合し、混合液を得る工程と、
    前記混合液に、改質処理を施し、シラザン改質体を含む混合液を得る工程と、
    前記シラザン改質体を含む混合液、及び（４’’）を混合し、組成物を得る工程と、
    前記組成物から（３）を除去する工程とを含む、硬化物の製造方法。
    （１）発光性を有する半導体微粒子
    （２’）シラザン
    （３）溶媒
    （４’’）重合体
  9. （１）を（３）に分散させ分散液を得る工程と、
    前記分散液、及び（２’）を混合し、混合液を得る工程と、
    前記混合液に、改質処理を施し、シラザン改質体を含む混合液を得る工程と、
    前記シラザン改質体を含む混合液、及び（４’’）を混合し、組成物を得る工程と、
    前記組成物を基板に塗布し、塗布膜を得る工程と、
    前記塗布膜から（３）を除去する工程とを含む、フィルムの製造方法。
    （１）発光性を有する半導体微粒子
    （２’）シラザン
    （３）溶媒
    （４’’）重合体
JP2018569189A 2017-05-17 2018-05-17 フィルム Active JP6612477B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017097962 2017-05-17
JP2017097962 2017-05-17
PCT/JP2018/019072 WO2018212268A1 (ja) 2017-05-17 2018-05-17 フィルム、組成物の製造方法、硬化物の製造方法、及びフィルムの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018212268A1 true JPWO2018212268A1 (ja) 2019-06-27
JP6612477B2 JP6612477B2 (ja) 2019-11-27

Family

ID=64273861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018569189A Active JP6612477B2 (ja) 2017-05-17 2018-05-17 フィルム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20200165397A1 (ja)
EP (1) EP3626782A4 (ja)
JP (1) JP6612477B2 (ja)
KR (1) KR102547846B1 (ja)
CN (1) CN110621745B (ja)
TW (1) TWI766999B (ja)
WO (1) WO2018212268A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6332522B1 (ja) * 2017-05-17 2018-05-30 住友化学株式会社 組成物、および組成物の製造方法
JP2019131655A (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層体構造、発光装置およびディスプレイ
JP7133437B2 (ja) * 2018-10-26 2022-09-08 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP6549778B1 (ja) * 2018-10-26 2019-07-24 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
US20220064483A1 (en) * 2018-12-14 2022-03-03 Merck Patent Gmbh Surface coating compositions
JP7257184B2 (ja) * 2019-03-01 2023-04-13 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
KR102246585B1 (ko) * 2019-12-30 2021-04-30 이화여자대학교 산학협력단 광전 디바이스, 및 상기 광전 디바이스의 제조 방법
EP3936585A1 (en) * 2020-07-07 2022-01-12 Avantama AG A solid polymer composition, a self-supporting film and a light emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016114846A (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 コニカミノルタ株式会社 透明基材シートおよびこれを用いた投射型画像表示方法
JP6332522B1 (ja) * 2017-05-17 2018-05-30 住友化学株式会社 組成物、および組成物の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02283616A (ja) * 1989-04-24 1990-11-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 酸化物超伝導体の耐水性改善方法
DE10022037A1 (de) * 2000-05-05 2001-11-08 Bayer Ag IR-absorbierende Zusammensetzungen
CN105264042A (zh) * 2013-06-05 2016-01-20 柯尼卡美能达株式会社 光学材料、光学膜及发光器件
WO2014208356A1 (ja) * 2013-06-25 2014-12-31 コニカミノルタ株式会社 光学フィルム及び発光デバイス
JP6363487B2 (ja) 2014-12-10 2018-07-25 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法
KR101756522B1 (ko) * 2015-03-16 2017-07-10 엘지전자 주식회사 양자점-수지 복합체의 제조 방법, 양자점-수지 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치
JP6628087B2 (ja) 2015-11-18 2020-01-08 株式会社ユーシン 操作装置
CN105895726A (zh) * 2016-05-11 2016-08-24 徐翔星 含钙钛矿纳米晶下转换层的太阳能电池及其制备方法
CN106486602B (zh) * 2016-10-27 2019-01-11 北京科技大学 一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法
CN110785473B (zh) * 2017-06-23 2022-12-16 住友化学株式会社 组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016114846A (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 コニカミノルタ株式会社 透明基材シートおよびこれを用いた投射型画像表示方法
JP6332522B1 (ja) * 2017-05-17 2018-05-30 住友化学株式会社 組成物、および組成物の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102547846B1 (ko) 2023-06-27
KR20200010226A (ko) 2020-01-30
EP3626782A4 (en) 2021-03-10
CN110621745A (zh) 2019-12-27
CN110621745B (zh) 2022-03-29
US20200165397A1 (en) 2020-05-28
TWI766999B (zh) 2022-06-11
TW201903028A (zh) 2019-01-16
WO2018212268A1 (ja) 2018-11-22
EP3626782A1 (en) 2020-03-25
JP6612477B2 (ja) 2019-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6600759B2 (ja) ペロブスカイト化合物を含む混合物
JP6612477B2 (ja) フィルム
JP7133741B1 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP6830965B2 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイ
JP6830964B2 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、ディスプレイ、及び組成物の製造方法
WO2018117141A1 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイ
JP6549778B1 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP6830966B2 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイ
WO2020179579A1 (ja) 化合物、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、ディスプレイ及び化合物の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190305

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190305

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20190305

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20190328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190521

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190708

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20190805

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191015

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191030

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6612477

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350