JPWO2018203478A1 - 有機ｅｌディスプレイの製造方法 - Google Patents

Abstract

有機発光ダイオードが予め形成された基板上に、液晶分子と溶媒を含む光学膜用塗布液を塗布して乾燥することにより、液晶分子が配向された光学膜を形成する光学部材形成工程を有する、有機ＥＬディスプレイの製造方法。

Description

本発明は、有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。

例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）を用いたディスプレイ（以下、「有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ」とも呼ぶ。）には、外光反射の抑制のために円偏光板が用いられている。円偏光板は、直線偏光板と波長板（位相差板）を、その偏光軸が４５度で交差するように積層して作製される。

また、例えば波長板のみを、その偏光軸が１５度や７５度に傾くように形成する場合がある。したがって、偏光板や波長板を任意の角度で形成する必要がある。さらに、偏光板や波長板の偏光軸を任意の角度で交差させるため、これら偏光板や波長板を個別に形成する必要もある。

従来、このような偏光板や波長板は、例えば延伸フィルムを用いて作製されている。延伸フィルムは、フィルムを一方向に延伸させて貼り付けることで、その材料中の分子を一方向に配向させたものである。

ところで、近年、有機ＥＬディスプレイの薄型化に伴い、偏光板や波長板の薄板化も求められている。しかしながら、偏光板や波長板を作製するにあたり、従来のように延伸フィルムを用いた場合、当該延伸フィルム自体の膜厚を小さくするのに限界があり、十分な薄板を得ることができない。

そこで、基板上に所定材料を有する塗布液を塗布し、必要な膜厚の偏光板や波長板を形成することで、薄板化が図られている。具体的には、例えば所定材料として液晶性を有する塗布液を基板に塗布し、流延・配向させる。液晶分子は塗布液中で超分子会合体を形成しており、せん断応力を加えながら塗布液を流動させると超分子会合体の長軸方向が流動方向に配向する。

このように基板に対して塗布液を塗布できるようにするため、従来、種々の装置が提案されている。例えば特許文献１に記載された偏光膜印刷装置は、基板を保持するためのテーブルと、基板にインク液を吐出するスロットダイとを有する。スロットダイを印刷方向に移動させて基板にインク液を塗布する。

日本国特開２００５−６２５０２号公報

基板上に塗布液を塗布して乾燥することにより、円偏光板などの光学部材を形成する技術が開発、検討されている。

従来、光学部材用の塗布液が塗布される基板は、有機発光ダイオードが形成された基板とは別に用意され、貼り合わされていた。

そのため、基板や接着層などの部品点数が多く、有機ＥＬディスプレイの薄型化が十分ではなく、有機ＥＬディスプレイのフレキシブル性が十分ではなかった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、薄型化およびフレキシブル性を向上した、光学部材を備える有機ＥＬディスプレイの提供を主な目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
有機発光ダイオードが予め形成された基板上に、液晶分子と溶媒を含む光学膜用塗布液を塗布して乾燥することにより、液晶分子が配向された光学膜を形成する光学部材形成工程を有する、有機ＥＬディスプレイの製造方法が提供される。

本発明の一態様によれば、薄型化およびフレキシブル性を向上した、光学部材を備える有機ＥＬディスプレイが提供される。

一実施形態による有機ＥＬディスプレイを示す平面図である。 一実施形態による有機ＥＬディスプレイの要部を示す断面図である。 一実施形態による有機ＥＬディスプレイの製造方法を示すフローチャートである。 一実施形態によるタッチセンサ形成工程を示すフローチャートである。 一実施形態による基板上に形成された第１金属膜を示す断面図である。 一実施形態による第１金属膜上に形成されたレジスト膜を示す断面図である。 一実施形態による露光および現像後のレジスト膜を示す断面図である。 一実施形態によるエッチング後の第１金属膜を示す断面図である。 一実施形態によるレジスト膜の除去後の第１金属膜を示す断面図である。 一実施形態による第１金属膜上に形成された絶縁膜を示す断面図である。 一実施形態による絶縁膜上に形成された第２金属膜の一部除去後の状態を示す平面図である。 第１実施形態による光学部材形成工程を示すフローチャートである。 第１実施形態による基板上に塗布された第１光学膜用塗布液の液膜を示す側面図である。 第１実施形態による第１光学膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された第１光学膜を示す側面図である。 第１実施形態による一部不溶化された第１光学膜を示す側面図である。 第１実施形態による第１光学膜上に塗布された中間膜用塗布液の液膜を示す側面図である。 第１実施形態による中間膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された中間膜を示す側面図である。 第１実施形態による中間膜で覆われていない部分が除去された第１光学膜を示す側面図である。 第１実施形態による中間膜上に塗布された第２光学膜用塗布液の液膜を示す側面図である。 第１実施形態による第２光学膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された第２光学膜を示す側面図である。 第１実施形態による一部不溶化された第２光学膜を示す側面図である。 第１実施形態による第２光学膜上に塗布された保護膜用塗布液の液膜を示す側面図である。 第１実施形態による保護膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された保護膜を示す側面図である。 第１実施形態による保護膜で覆われていない部分が除去された第２光学膜を示す側面図である。 第２実施形態による光学部材形成工程を示すフローチャートである。 第２実施形態による不溶化されていない部分が除去された第１光学膜を示す側面図である。 第２実施形態による第１光学膜上に塗布された中間膜用塗布液の液膜を示す側面図である。 第２実施形態による中間膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された中間膜を示す側面図である。 第２実施形態による中間膜上に塗布された第２光学膜用塗布液の液膜を示す側面図である。 第２実施形態による第２光学膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された第２光学膜を示す側面図である。 第２実施形態による一部不溶化された第２光学膜を示す側面図である。 第２実施形態による不溶化されていない部分が除去された第２光学膜を示す側面図である。 第２実施形態による第２光学膜上に塗布された保護膜用塗布液の液膜を示す側面図である。 第２実施形態による保護膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された保護膜を示す側面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。

＜有機ＥＬディスプレイ＞
図１は、一実施形態による有機ＥＬディスプレイを示す平面図である。図１において、一の単位回路１１の回路を拡大して示す。

有機ＥＬディスプレイ１は、基板１０と、基板１０上に配列される複数の単位回路１１と、基板１０上に設けられる走査線駆動回路１４と、基板１０上に設けられるデータ線駆動回路１５とを有する。走査線駆動回路１４に接続される複数の走査線１６と、データ線駆動回路１５に接続される複数のデータ線１７とで囲まれる領域に、単位回路１１が設けられる。単位回路１１は、ＴＦＴ層１２と、有機発光ダイオード１３とを含む。

ＴＦＴ層１２は、複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有する。一のＴＦＴはスイッチング素子としての機能を有し、他の一のＴＦＴは有機発光ダイオード１３に流す電流量を制御する電流制御用素子としての機能を有する。ＴＦＴ層１２は、走査線駆動回路１４およびデータ線駆動回路１５によって作動され、有機発光ダイオード１３に電流を供給する。ＴＦＴ層１２は単位回路１１毎に設けられており、複数の単位回路１１は独立に制御される。尚、ＴＦＴ層１２は、一般的な構成であればよく、図１に示す構成には限定されない。

尚、有機ＥＬディスプレイ１の駆動方式は、本実施形態ではアクティブマトリックス方式であるが、パッシブマトリックス方式であってもよい。

図２は、一実施形態による有機ＥＬディスプレイの要部を示す断面図である。図２に示す有機ＥＬディスプレイ１は、トップエミッション方式であり、基板１０、有機発光ダイオード１３、封止層３０、タッチセンサ４０、および光学部材５０をこの順で有する。タッチセンサ４０は、有機ＥＬディスプレイ１がタッチパネルである場合に、有機ＥＬディスプレイ１に組み込まれる。

基板１０は、樹脂基板、ガラス基板、半導体基板、金属基板などのいずれでもよく、フレキシブル性向上の観点から樹脂基板であることが好ましい。基板１０は、フレキシブル性向上と水分透過性低下の観点から、樹脂基板とガラス基板の積層基板でもよい。基板１０上には、ＴＦＴ層１２が形成されている。ＴＦＴ層１２上には、ＴＦＴ層１２によって形成される段差を平坦化する平坦化層１８が形成されている。

平坦化層１８は、絶縁性を有している。平坦化層１８を貫通するコンタクトホールには、コンタクトプラグ１９が形成されている。コンタクトプラグ１９は、平坦化層１８の平坦面に形成される画素電極２１と、ＴＦＴ層１２とを電気的に接続する。コンタクトプラグ１９は、画素電極２１と同じ材料で、同時に形成されてよい。

有機発光ダイオード１３は、平坦化層１８の平坦面上に形成される。有機発光ダイオード１３は、画素電極２１と、画素電極２１を基準として基板１０とは反対側に設けられる対向電極２２と、画素電極２１と対向電極２２の間に形成される有機層２３とを有する。ＴＦＴ層１２を作動させることで、画素電極２１と対向電極２２との間に電圧が印加され、有機層２３が発光する。

画素電極２１は、例えば陰極であり、アルミニウムなどの金属材料で形成され、有機層２３からの光を有機層２３に向けて反射する。画素電極２１で反射した光は、有機層２３や対向電極２２を透過し、外部に取り出される。画素電極２１は、単位回路１１毎に設けられる。

対向電極２２は、例えば陽極であって、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明材料で形成され、有機層２３からの光を透過する。対向電極２２を透過した光は、封止層３０やタッチセンサ４０、光学部材５０を通過し、外部に取り出される。対向電極２２は、複数の単位回路１１に共通のものである。

有機層２３は、例えば、陰極側から陽極側に向けて、電子注入層２４、電子輸送層２５、発光層２６、正孔輸送層２７、正孔注入層２８をこの順で有する。陰極と陽極との間に電圧がかかると、陰極から電子注入層２４に電子が注入されると共に、陽極から正孔注入層２８に正孔が注入される。電子注入層２４に注入された電子は、電子輸送層２５によって発光層２６へ輸送される。また、正孔注入層２８に注入された正孔は、正孔輸送層２７によって発光層２６へ輸送される。そうして、発光層２６内で正孔と電子が再結合して、発光層２６の発光材料が励起され、発光層２６が発光する。発光層２６としては、例えば、赤色に発光する赤色発光層、緑色に発光する緑色発光層、および青色に発光する青色発光層が形成される。

尚、有機層２３は、本実施形態では、陰極側から陽極側に向けて、電子注入層２４、電子輸送層２５、発光層２６、正孔輸送層２７、正孔注入層２８をこの順で有するが、少なくとも発光層２６を有していればよい。有機層２３は、図２に示す構成には限定されない。

封止層３０は、基板１０との間に、有機発光ダイオード１３を封止する。封止層３０としては、酸化珪素層や窒化珪素層などが用いられ、例えば成膜温度が１００℃以下の低温ＣＶＤにより形成される。あるいは、防湿層が形成された樹脂フィルムを貼着して封止層３０としてもよい。

タッチセンサ４０は、有機ＥＬディスプレイ１の画面に対する指などの物体の接触または近接を検出する。タッチセンサ４０の検出方式は、特に限定されないが、例えば静電容量方式であってよい。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式などがある。投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。

タッチセンサ４０は、詳しくは後述するが、有機発光ダイオード１３が予め形成された基板１０上に形成される。よって、従来のようにタッチセンサ４０が基板１０とは別の基板に形成され、基板１０と貼り合わされる場合に比べて、基板や接着層などの部品点数を削減できるので、有機ＥＬディスプレイ１を薄型化でき、有機ＥＬディスプレイ１のフレキシブル性を向上できる。

タッチセンサ４０は、有機発光ダイオード１３と光学部材５０との間に形成される。光学部材５０が外光反射を抑制する円偏光膜である場合に、円偏光膜がタッチセンサ４０よりも光取出側に配設されるため、外光反射の抑制効率を向上できる。

光学部材５０は、例えば外光反射を抑制する円偏光膜であって、本実施形態では、第１光学膜として１／４波長膜（λ／４膜）を有し、第２光学膜として直線偏光膜とを有する。１／４波長膜と直線偏光膜は、その偏光軸が４５度で交差するように形成される。尚、光学部材５０を構成する光学膜の数は特に限定されない。

光学部材５０は、詳しくは後述するが、有機発光ダイオード１３が予め形成された基板１０上に形成される。よって、従来のように光学部材５０が基板１０とは別の基板に形成され、基板１０と貼り合わされる場合に比べて、基板や接着層などの部品点数を削減できるので、有機ＥＬディスプレイ１を薄型化でき、有機ＥＬディスプレイ１のフレキシブル性を向上できる。

光学部材５０は、有機層２３の紫外線による劣化を抑制するため、紫外線照射を用いることなく製造される。また、光学部材５０は、有機層２３の熱による劣化を抑制するため、１００℃以下の温度で製造される。

尚、図２に示す有機ＥＬディスプレイ１は、トップエミッション方式であるが、ボトムエミッション方式であってもよい。ボトムエミッション方式の場合、発光層２６からの光は画素電極２１を透過し基板１０から取り出されるため、透明電極である陽極が画素電極２１として用いられ、反射電極である陰極が対向電極２２として用いられる。つまり、ボトムエミッション方式の場合、陽極と陰極の配置が逆になる。また、ボトムエミッション方式の場合、基板１０は透明基板である。さらに、ボトムエミッション方式の場合、タッチセンサ４０や光学部材５０は、基板１０を基準として、有機発光ダイオード１３とは反対側に形成される。

＜有機ＥＬディスプレイの製造方法＞
図３は、一実施形態による有機ＥＬディスプレイの製造方法を示すフローチャートである。図３に示すように、有機ＥＬディスプレイ１の製造方法は、タッチセンサ形成工程Ｓ１１０と、光学部材形成工程Ｓ１２０とを有する。尚、タッチセンサ形成工程Ｓ１１０は、有機ＥＬディスプレイ１がタッチパネルである場合に行われる。以下、各工程について説明する。

＜タッチセンサ形成工程＞
タッチセンサ形成工程Ｓ１１０は、光学部材形成工程Ｓ１２０の前に、有機発光ダイオード１３が予め形成された基板１０上に、タッチセンサ４０を形成する。よって、従来のようにタッチセンサ４０が基板１０とは別の基板に形成され、基板１０と貼り合わされる場合に比べて、基板や接着層などの部品点数を削減できるので、有機ＥＬディスプレイ１を薄型化でき、有機ＥＬディスプレイ１のフレキシブル性を向上できる。

図４は、一実施形態によるタッチセンサ形成工程を示すフローチャートである。図５は、一実施形態による基板上に形成された第１金属膜を示す断面図である。図６は、一実施形態による第１金属膜上に形成されたレジスト膜を示す断面図である。図７は、一実施形態による露光および現像後のレジスト膜を示す断面図である。図８は、一実施形態によるエッチング後の第１金属膜を示す断面図である。図９は、一実施形態によるレジスト膜の除去後の第１金属膜を示す断面図である。図１０は、一実施形態による第１金属膜上に形成された絶縁膜を示す断面図である。図１１は、一実施形態による絶縁膜上に形成された第２金属膜の一部除去後の状態を示す平面図である。図５〜図１０は、図１１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図５〜図１１において、図２に示す有機発光ダイオード１３や封止層３０などの図示を省略する。

タッチセンサ形成工程Ｓ１１０は、基板１０上に遮光性の第１金属膜４１を形成する工程Ｓ１１１と、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によって第１金属膜４１の一部を選択的に除去する工程Ｓ１１２とを有する。第１金属膜４１は、図５に示すように基板１０上（より詳細には例えば封止層３０上）に形成される。第１金属膜４１上には、図６に示すようにレジスト膜４２が形成される。レジスト膜４２は、露光および現像によって図７に示すようにパターンニングされる。レジスト膜４２は、露光された部分が現像で除去されるポジ型でもよいし、露光された部分が現像後に残るネガ型でもよい。露光の光は、第１金属膜４１で遮光されるため、有機発光ダイオード１３を劣化させることがない。その後、パターンニングされたレジスト膜４２をマスクとして用いて、図８に示すように第１金属膜４１の一部が選択的に除去される。一部が選択的に除去された第１金属膜４１は、図１１に破線で示すように平面視で、縞状に形成される。その後、第１金属膜４１のパターンニングに用いたレジスト膜４２は、図９に示すように除去される。

尚、本明細書において、第１金属膜４１が遮光性を有するとは、第１金属膜４１の透過率が５％以下であることを意味する。第１金属膜４１の透過率は、好ましくは３％以下である。ここで、第１金属膜４１の透過率は、第１金属膜４１上に形成されるレジスト膜４２の露光の光（例えば波長３６５ｎｍの光）が第１金属膜４１を透過する割合のことである。第１金属膜４１は、例えば銅で形成される。

また、タッチセンサ形成工程Ｓ１１０は、一部が選択的に除去された第１金属膜４１上に絶縁膜４３を形成する工程Ｓ１１３を有する。絶縁膜４３は、第１金属膜４１と第２金属膜４５とを絶縁する。絶縁膜４３としては、酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられ、例えば成膜温度が１００℃以下の低温ＣＶＤにより形成される。

さらに、タッチセンサ形成工程Ｓ１１０は、絶縁膜４３上に遮光性の第２金属膜４５を形成する工程Ｓ１１４と、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によって第２金属膜４５の一部を選択的に除去する工程Ｓ１１５とを有する。第２金属膜４５の形成および第２金属膜の一部除去は、第１金属膜４１の形成および第１金属膜４１の一部除去と同様に行われる。一部が選択的に除去された第２金属膜４５は、図１１に示すように平面視で、縞状に形成される。その後、第２金属膜４５のパターンニングに用いたレジスト膜は、除去される。

尚、本明細書において、第２金属膜４５が遮光性を有するとは、第２金属膜４５の透過率が５％以下であることを意味する。第２金属膜４５の透過率は、好ましくは３％以下である。ここで、第２金属膜４５の透過率は、第２金属膜４５上に形成されるレジスト膜の露光の光（例えば波長３６５ｎｍの光）が第２金属膜４５を透過する割合のことである。第２金属膜４５は、例えば銅で形成される。

さらに、タッチセンサ形成工程Ｓ１１０は、一部が選択的に除去された第２金属膜４５上にタッチセンサ保護膜４７を形成する工程Ｓ１１６を有する。タッチセンサ保護膜４７は、絶縁膜４３と同様に形成される。例えば、タッチセンサ保護膜４７としては、酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられ、例えば成膜温度が１００℃以下の低温ＣＶＤにより形成される。

このようにして、第１金属膜４１、絶縁膜４３、第２金属膜４５、およびタッチセンサ保護膜４７とで構成されるタッチセンサ４０が得られる。ワイヤー状の第１金属膜４１やワイヤー状の第２金属膜４５は、平面視で有機発光ダイオード１３の有機層２３と重ならないように、図１１に示すように四角格子状に形成される。つまり、平面視で、四角格子の開口部に有機層２３が配設される。有機層２３からの光を外部に取り出しやすい。第１金属膜４１および第２金属膜４５は、いずれか１つが駆動電極として用いられ、残りの１つが受信電極として用いられる。タッチセンサ４０は、駆動電極と受信電極の間の容量変化を検出することで、有機ＥＬディスプレイ１の画面に対する指などの物体の接触または近接を検出する。

本実施形態のタッチセンサ形成工程Ｓ１１０によれば、フォトリソグラフィ法の露光による有機発光ダイオード１３の有機層２３の劣化を抑制しながら、予め有機発光ダイオード１３が形成された基板１０上にタッチセンサ４０を形成できる。従来のようにタッチセンサ４０が基板１０とは別の基板に形成され、基板１０と貼り合わされる場合に比べて、基板や接着層などの部品点数を削減できるので、有機ＥＬディスプレイ１を薄型化でき、有機ＥＬディスプレイ１のフレキシブル性を向上できる。

本実施形態のタッチセンサ形成工程Ｓ１１０は、光学部材形成工程Ｓ１２０の前に行われるので、タッチセンサ４０は有機発光ダイオード１３と光学部材５０との間に形成される。光学部材５０が外光反射を抑制する円偏光膜である場合に、円偏光膜がタッチセンサ４０よりも光取出側に配設されるため、外光反射の抑制効率を向上できる。

＜光学部材形成工程＞
光学部材形成工程Ｓ１２０は、有機発光ダイオード１３が予め形成された基板１０上に、液晶分子と溶媒を含む光学膜用塗布液を塗布して乾燥することにより、液晶分子が配向された光学膜を形成する。光学膜などで光学部材５０が構成される。

光学部材５０は、例えば第１光学膜と第２光学膜を有する。第１光学膜および第２光学膜は、いずれか１つが位相差膜であり、残りの１つが偏光膜である。

光学部材５０は、例えば外光反射を抑制する円偏光膜であって、本実施形態では、第１光学膜として１／４波長膜（λ／４膜）を有し、第２光学膜として直線偏光膜とを有する。１／４波長膜と直線偏光膜は、その偏光軸が４５度で交差するように形成される。尚、光学部材５０を構成する光学膜の数は特に限定されない。

本実施形態の光学部材形成工程Ｓ１２０によれば、光学部材５０は、有機発光ダイオード１３が予め形成された基板１０上に形成される。よって、従来のように光学部材５０が基板１０とは別の基板に形成され、基板１０と貼り合わされる場合に比べて、基板や接着層などの部品点数を削減できるので、有機ＥＬディスプレイ１を薄型化でき、有機ＥＬディスプレイ１のフレキシブル性を向上できる。

本実施形態の光学部材形成工程Ｓ１２０によれば、光学部材５０は、有機層２３の紫外線による劣化を抑制するため、紫外線照射を用いることなく製造される。また、光学部材５０は、有機層２３の熱による劣化を抑制するため、１００℃以下の温度で製造される。

＜第１実施形態の光学部材形成工程＞
図１２は、第１実施形態による光学部材形成工程を示すフローチャートである。光学部材形成工程Ｓ１２０は、図１２に示すように、第１光学膜形成工程Ｓ１２１と、中間膜形成工程Ｓ１２２と、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３と、第２光学膜形成工程Ｓ１２４と、保護膜形成工程Ｓ１２５と、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６とをこの順で有する。以下、各工程について説明する。

尚、図１２に示す全ての工程が行われなくてもよい。例えば詳しくは後述するが、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３や第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６は、光学部材５０を基板１０上に間隔をおいて複数形成する場合には有効であるが、光学部材５０を基板１０上に１つのみ形成する場合には省略してもよい。後述の一部不溶化の処理について同様である。

また、図１２に示す工程以外の工程が行われてもよい。例えば、第１光学膜形成工程Ｓ１２１の前に、基板１０に対する第１光学膜の密着性を改善するため、基板１０の第１光学膜が形成される面（より具体的には封止層３０またはタッチセンサ保護膜４７）を表面改質する工程が行われてもよい。表面改質膜として、シランカップリング剤などの有機膜、または窒化珪素などの無機膜が形成されてよい。

＜第１実施形態の第１光学膜形成工程＞
図１２の第１光学膜形成工程Ｓ１２１では、図１３〜図１５に示すように、液晶分子と溶媒を含む第１光学膜用塗布液６１を基板１０上に塗布して乾燥することにより第１光学膜６２を形成する。第１光学膜６２は、例えば１／４波長膜である。

図１３は、第１実施形態による基板上に塗布された第１光学膜用塗布液の液膜を示す側面図である。図１４は、第１実施形態による第１光学膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された第１光学膜を示す側面図である。図１５は、第１実施形態による一部不溶化された第１光学膜を示す側面図である。

図１３〜図１５において、図２に示す有機発光ダイオード１３や封止層３０などの図示を省略する。尚、図１６〜図２４において、同様に、図２に示す有機発光ダイオード１３や封止層３０などの図示を省略する。

図１３に示すように、第１光学膜形成工程Ｓ１２１では、基板１０上に塗布ノズル６０から第１光学膜用塗布液６１を塗布する。塗布ノズル６０は、例えば下面にスリット状の吐出口を有するスリットコータである。

第１光学膜用塗布液６１は、リオトロピック液晶分子やサーモトロピック液晶分子などの液晶分子と、液晶分子を溶かす溶媒とを含む。溶媒としては、例えば水などが用いられる。尚、溶媒として、有機溶媒が用いられてもよい。

塗布ノズル６０と基板１０とを相対的に一方向に移動させることにより、基板１０に塗布される第１光学膜用塗布液６１にせん断応力を加えることができる。せん断応力の作用方向は、塗布ノズル６０と基板１０の相対的な移動方向と一致する。せん断応力の作用方向を制御することで、液晶分子の配向方向を制御できる。

尚、本実施形態では第１光学膜用塗布液６１の塗布にスリットコータが用いられるが、ディップコータなどが用いられてもよい。第１光学膜用塗布液６１にせん断応力を加えることができ、そのせん断応力の作用方向を制御できればよい。

図１４に示すように、第１光学膜形成工程Ｓ１２１では、基板１０上に塗布された第１光学膜用塗布液６１の液膜（図１３参照）を乾燥して、第１光学膜６２を形成する。第１光学膜用塗布液６１の液膜から溶媒が除去され、液晶分子の配向が適切に維持される。第１光学膜６２は、例えば１／４波長膜である。

第１光学膜用塗布液６１の液膜の乾燥には、減圧乾燥、自然乾燥、加熱乾燥、風乾燥などが用いられる。減圧乾燥は、自然乾燥よりも、処理時間を短縮できる。また、減圧乾燥は、加熱乾燥や風乾燥に比べて、液膜の対流を抑制でき、液晶分子の配向の乱れを抑制できる。減圧乾燥で溶媒が残留している場合、さらに加熱乾燥が行われてもよい。

図１５に示すように、第１光学膜形成工程Ｓ１２１では、第１光学膜６２の一部６３のみを第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で用いられる洗浄液に対し不溶化してもよい。この一部不溶化は、必要に応じて行われる。

尚、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で用いられる洗浄液としては、第１光学膜用塗布液６１の溶媒と同じものが用いられてよく、例えば水が用いられてよい。この場合、水に対する不溶化が行われる。

第１光学膜６２の一部６３を不溶化する定着液１１０は、例えばインクジェット方式の塗布ノズル１１１から吐出される。塗布ノズル１１１は、下面に定着液１１０の液滴を吐出する吐出ノズルを複数有する。

塗布ノズル１１１と基板１０とを相対的に移動させながら、塗布ノズル１１１から定着液１１０の液滴を吐出することで、第１光学膜６２の一部６３に定着液１１０を選択的に塗布する。これにより、第１光学膜６２の一部６３が不溶化される。

定着液１１０は、例えば、第１光学膜６２の末端の官能基（例えばＯＨ基などの水溶性の官能基）を別の官能基に置換することで、第１光学膜６２の一部６３を不溶化する。また、定着液１１０は、縮合反応（例えばＯＨ基などの脱水縮合反応）によって高分子化させることで、第１光学膜６２の一部６３を不溶化してもよい。後者の場合、前者の場合に比べて、高分子化が進むため、不溶化が進みやすい。

定着液１１０は、第１光学膜６２の一部６３を不溶化した後、除去される。定着液１１０は、水を含んでもよいし、有機溶媒を含んでもよい。

定着液１１０が塗布される領域は、例えば、ＯＬＥＤなどの画素が複数形成される領域（以下、「画素エリア」とも呼ぶ。）であってよい。

尚、本実施形態では、第１光学膜６２の一部６３のみに定着液１１０を塗布するため、インクジェット方式の塗布ノズル１１１を用いるが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１光学膜６２の残部のみをマスクで覆い、その後、基板１０全体を定着液１１０に浸漬することで、第１光学膜６２の一部６３のみに定着液を塗布してもよい。

＜第１実施形態の中間膜形成工程＞
図１２の中間膜形成工程Ｓ１２２では、図１６〜図１７に示すように、第１光学膜用塗布液６１とは異なる中間膜用塗布液７１を第１光学膜６２上に塗布して乾燥することにより中間膜７２を形成する。

図１６は、第１実施形態による第１光学膜上に塗布された中間膜用塗布液の液膜を示す側面図である。図１７は、第１実施形態による中間膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された中間膜を示す側面図である。

図１６に示すように、中間膜形成工程Ｓ１２２では、第１光学膜６２が形成された基板１０上に塗布ノズル７０から中間膜用塗布液７１を塗布する。塗布ノズル７０は、インクジェット方式であってよく、下面に中間膜用塗布液７１の液滴を吐出する吐出ノズルを複数有する。

塗布ノズル７０と基板１０とを相対的に移動させながら、塗布ノズル７０から中間膜用塗布液７１の液滴を吐出することで、第１光学膜６２の一部６３に中間膜用塗布液７１を選択的に塗布する。

中間膜用塗布液７１は、第１光学膜６２上に塗布される。そのため、第１光学膜６２を形成する液晶分子は、中間膜用塗布液７１の溶媒に対し不溶性を有してよい。中間膜用塗布液７１の塗布によって第１光学膜６２が溶けることを防止できる。

中間膜用塗布液７１は、中間膜７２を形成する有機材料と、その有機材料を溶かす溶媒とを含む。中間膜７２を形成する有機材料は、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で用いられる洗浄液に対し不溶性の高分子などを含む。

中間膜用塗布液７１としては、例えば、熱硬化型の透明塗料、化学反応型の透明塗料、乾燥硬化型の透明塗料などが用いられる。具体的には、油性エナメル塗料、フタル酸樹脂塗料などが用いられる。

熱硬化型の透明塗料、化学反応型の透明塗料、乾燥硬化型の透明塗料などは、熱硬化や化学反応または乾燥硬化によって高分子化されるため、緻密な中間膜７２を形成できる。よって、中間膜７２の第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で用いられる洗浄液に対する不溶性を向上できる。

中間膜用塗布液７１は、定着液１１０と同様の機能を有してもよい。第１光学膜６２の一部不溶化を促進できる。尚、中間膜用塗布液７１によって第１光学膜６２の一部不溶化を行う場合、上記第１光学膜形成工程Ｓ１２１で第１光学膜６２の一部不溶化を行わなくてもよい。

例えば、中間膜用塗布液７１は、第１光学膜６２の末端の官能基（例えばＯＨ基などの水溶性の官能基）を別の官能基に置換することで、第１光学膜６２の一部６３を不溶化してもよい。また、中間膜用塗布液７１は、縮合反応（例えばＯＨ基などの脱水縮合反応）によって高分子化させることで、第１光学膜６２の一部６３を不溶化してもよい。後者の場合、前者の場合に比べて、高分子化が進むため、不溶化が進みやすい。

中間膜用塗布液７１が塗布される領域は、定着液１１０が塗布される領域と一致してよい。例えば、中間膜用塗布液７１が塗布される領域は、基板１０上の画素エリアであってよい。

図１７に示すように、中間膜形成工程Ｓ１２２では、基板１０上に塗布された中間膜用塗布液７１の液膜（図１６参照）を乾燥して、中間膜７２を形成する。中間膜用塗布液７１の液膜から溶媒が除去され、中間膜７２が形成される。

中間膜用塗布液７１の液膜の乾燥には、減圧乾燥、自然乾燥、加熱乾燥、風乾燥などが用いられる。減圧乾燥は、自然乾燥よりも、処理時間を短縮できる。減圧乾燥で溶媒が残留している場合、さらに加熱乾燥が行われてもよい。

中間膜７２は、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で用いられる洗浄液に対し不溶性を有する。中間膜７２は、第１光学膜６２とは異なり、等方的な光学特性を有する。中間膜７２の可視光透過率は９５％以上であることが好ましい。また、中間膜７２の膜厚は、１０μｍ以下であることが好ましい。また、中間膜７２の残留応力は、光学部材の変形を抑制するため、小さいほど好ましい。

中間膜７２は、第１光学膜６２の一部６３の主表面を覆う。中間膜７２は、第１光学膜６２の一部６３に傷や異物などが付かないように、第１光学膜６２の一部６３を保護する役割も果たす。中間膜７２の鉛筆硬度は、２Ｈ以上であることが好ましい。光学部材の製造が途中で一時的に中断され、再開までに時間がかかる場合、傷や異物が付くリスクが高いため、特に有効である。

尚、第１光学膜６２の残部は、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で除去されるため、傷や異物が付くことは問題にならない。また、中間膜７２に付いた異物は洗浄で除去でき、その洗浄によって第１光学膜６２の一部６３が傷つくことは無い。

＜第１実施形態の第１光学膜パターンニング工程＞
図１２の第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３では、中間膜形成工程Ｓ１２２の後、第２光学膜形成工程Ｓ１２４の前に、第１光学膜６２の一部６３（図１７参照）のみを覆う中間膜７２をマスクとして用いて、図１８に示すように第１光学膜６２の残部を除去する。

図１８は、第１実施形態による中間膜で覆われていない部分が除去された第１光学膜を示す側面図である。第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３の間、第１光学膜６２の一部６３を中間膜７２で保護でき、第１光学膜６２の一部６３の形状崩れを抑制できる。よって、光学部材の品質を向上できる。

例えば、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３では、第１光学膜６２を溶かす洗浄液を用いる。洗浄液は、例えばスピンチャックで基板１０を回転させながら、基板１０に供給される。基板１０に供給された洗浄液は、遠心力によって基板１０の全体に広がり、基板１０の外周縁から振り切られる。

第１光学膜６２の一部６３は、中間膜７２で覆われているため、洗浄液と接触することがなく、洗浄液によって型崩れしない。一方、第１光学膜６２の残部は、洗浄液と接触するため、洗浄液で溶かされ、除去される。

尚、洗浄液は洗浄槽に貯えられ、洗浄槽の洗浄液に基板１０を浸漬することで、第１光学膜６２の一部６３を残しつつ、第１光学膜６２の残部を溶かして除去してもよい。洗浄槽の洗浄液は、撹拌翼などで撹拌されてもよい。

第１光学膜６２の一部６３が確実に残るように、上記第１光学膜形成工程Ｓ１２１や上記中間膜形成工程Ｓ１２２において、第１光学膜６２の一部６３を洗浄液に対し不溶化することは有効である。洗浄液の回り込みによる過剰な除去を防止でき、第１光学膜６２の一部６３を確実に残すことができる。

尚、中間膜７２は洗浄液に対する不溶性を有するため、上記第１光学膜形成工程Ｓ１２１や上記中間膜形成工程Ｓ１２２において、第１光学膜６２の一部不溶化を行わなくても、第１光学膜６２のパターンニングは可能である。この場合、工程数を削減できる。

上記第１光学膜形成工程Ｓ１２１では、せん断応力を加えながら第１光学膜用塗布液６１を塗布するため、画素エリアのみに第１光学膜用塗布液６１を塗布するのは困難である。従って、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３を行うことは有効である。

尚、本実施形態では洗浄液を用いて第１光学膜６２の残部を除去するが、第１光学膜６２の残部の除去方法は特に限定されない。例えば、エッチング法が用いられてもよい。エッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれでもよい。

以下、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で残る第１光学膜６２の一部６３を、「第１光学膜６３」とも称する。

＜第１実施形態の第２光学膜形成工程＞
図１２の第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、図１９〜図２１に示すように、液晶分子と溶媒を含む第２光学膜用塗布液８１を中間膜７２上に塗布して乾燥することにより第２光学膜８２を形成する。第２光学膜８２は、例えば直線偏光膜である。

図１９〜図２１は、第１実施形態による第２光学膜形成工程の説明側面図である。図１９は、第１実施形態による中間膜上に塗布された第２光学膜用塗布液の液膜を示す側面図である。図２０は、第１実施形態による第２光学膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された第２光学膜を示す側面図である。図２１は、第１実施形態による一部不溶化された第２光学膜を示す側面図である。

図１９に示すように、第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、基板１０上に塗布ノズル８０から第２光学膜用塗布液８１を塗布する。塗布ノズル８０は、例えば下面にスリット状の吐出口を有するスリットコータである。

第２光学膜用塗布液８１は、中間膜７２上に塗布される。そのため、中間膜７２を形成する有機材料は、第２光学膜用塗布液８１の溶媒に対し不溶性を有してよい。第２光学膜用塗布液８１の塗布によって中間膜７２が溶けることを防止できる。

第２光学膜用塗布液８１は、リオトロピック液晶分子やサーモトロピック液晶分子などの液晶分子と、液晶分子を溶かす溶媒とを含む。溶媒としては、例えば水などが用いられる。尚、溶媒として、有機溶媒が用いられてもよい。

塗布ノズル８０と基板１０とを相対的に一方向に移動させることにより、基板１０に塗布される第２光学膜用塗布液８１にせん断応力を加えることができる。せん断応力の作用方向は、塗布ノズル８０と基板１０の相対的な移動方向と一致する。せん断応力の作用方向を制御することで、液晶分子の配向方向を制御できる。

第２光学膜形成工程Ｓ１２４でのせん断応力の作用方向は、第１光学膜形成工程Ｓ１２１でのせん断応力の作用方向に対し斜め４５°で交わる方向とされる。これにより、１／４波長膜と直線偏光膜は、その偏光軸が４５度で交差するように形成される。

尚、本実施形態では第２光学膜用塗布液８１の塗布にスリットコータが用いられるが、ディップコータなどが用いられてもよい。第２光学膜用塗布液８１にせん断応力を加えることができ、そのせん断応力の作用方向を制御できればよい。

図２０に示すように、第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、基板１０上に塗布された第２光学膜用塗布液８１の液膜（図１９参照）を乾燥して、第２光学膜８２を形成する。第２光学膜用塗布液８１の液膜から溶媒が除去され、液晶分子の配向が適切に維持される。第２光学膜８２は、例えば直線偏光膜である。

第２光学膜用塗布液８１の液膜の乾燥には、減圧乾燥、自然乾燥、加熱乾燥、風乾燥などが用いられる。減圧乾燥は、自然乾燥よりも、処理時間を短縮できる。また、減圧乾燥は、加熱乾燥や風乾燥に比べて、液膜の対流を抑制でき、液晶分子の配向の乱れを抑制できる。減圧乾燥で溶媒が残留している場合、さらに加熱乾燥が行われてもよい。

図２１に示すように、第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、第２光学膜８２の一部８３のみを第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で用いられる洗浄液に対し不溶化してもよい。この一部不溶化は、必要に応じて行われる。

尚、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で用いられる洗浄液としては、第２光学膜用塗布液８１の溶媒と同じものが用いられてよく、例えば水が用いられてよい。この場合、水に対する不溶化が行われる。

第２光学膜８２の一部８３を不溶化する定着液１２０は、例えばインクジェット方式の塗布ノズル１２１から吐出される。塗布ノズル１２１は、下面に定着液１２０の液滴を吐出する吐出ノズルを複数有する。

塗布ノズル１２１と基板１０とを相対的に移動させながら、塗布ノズル１２１から定着液１２０の液滴を吐出することで、第２光学膜８２の一部８３に定着液１２０を選択的に塗布する。これにより、第２光学膜８２の一部８３が不溶化される。

定着液１２０は、例えば、第２光学膜８２の末端の官能基（例えばＯＨ基などの水溶性の官能基）を別の官能基に置換することで、第２光学膜８２の一部８３を不溶化する。また、定着液１２０は、縮合反応（例えばＯＨ基などの脱水縮合反応）によって高分子化させることで、第２光学膜８２の一部８３を不溶化してもよい。後者の場合、前者の場合に比べて、高分子化が進むため、不溶化が進みやすい。

定着液１２０は、第２光学膜８２の一部８３を不溶化した後、除去される。定着液１２０は、水を含んでもよいし、有機溶媒を含んでもよい。

定着液１２０が塗布される領域は、例えば画素エリアであってよい。

尚、本実施形態では、第２光学膜８２の一部８３のみに定着液１２０を塗布するため、インクジェット方式の塗布ノズル１２１を用いるが、本発明はこれに限定されない。例えば、第２光学膜８２の残部のみをマスクで覆い、その後、基板１０全体を定着液１２０に浸漬することで、第２光学膜８２の一部８３のみに定着液を塗布してもよい。

＜第１実施形態の保護膜形成工程＞
図１２の保護膜形成工程Ｓ１２５では、図２２〜図２３に示すように、第２光学膜用塗布液８１とは異なる保護膜用塗布液９１を第２光学膜８２上に塗布して乾燥することにより保護膜９２を形成する。

図２２は、第１実施形態による第２光学膜上に塗布された保護膜用塗布液の液膜を示す側面図である。図２３は、第１実施形態による保護膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された保護膜を示す側面図である。

図２２に示すように、保護膜形成工程Ｓ１２５では、第２光学膜８２が形成された基板１０上に塗布ノズル９０から保護膜用塗布液９１を塗布する。塗布ノズル９０は、インクジェット方式であってよく、下面に保護膜用塗布液９１の液滴を吐出する吐出ノズルを複数有する。

塗布ノズル９０と基板１０とを相対的に移動させながら、塗布ノズル９０から保護膜用塗布液９１の液滴を吐出することで、第２光学膜８２の一部８３に保護膜用塗布液９１を選択的に塗布する。

保護膜用塗布液９１は、第２光学膜８２上に塗布される。そのため、第２光学膜８２を形成する液晶分子は、保護膜用塗布液９１の溶媒に対し不溶性を有してよい。保護膜用塗布液９１の塗布によって第２光学膜８２が溶けることを防止できる。

保護膜用塗布液９１は、保護膜９２を形成する有機材料と、その有機材料を溶かす溶媒とを含む。保護膜９２を形成する有機材料は、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で用いられる洗浄液に対し不溶性の高分子などを含む。

保護膜用塗布液９１としては、例えば、熱硬化型の透明塗料、化学反応型の透明塗料、乾燥硬化型の透明塗料などが用いられる。具体的には、油性エナメル塗料、フタル酸樹脂塗料などが用いられる。

熱硬化型の透明塗料、化学反応型の透明塗料、乾燥硬化型の透明塗料などは、熱硬化や化学反応または乾燥硬化によって高分子化されるため、緻密な保護膜９２を形成できる。よって、保護膜９２の第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で用いられる洗浄液に対する不溶性を向上できる。

保護膜用塗布液９１は、定着液１２０と同様の機能を有してもよい。第２光学膜８２の一部不溶化を促進できる。尚、保護膜用塗布液９１によって第２光学膜８２の一部不溶化を行う場合、上記第２光学膜形成工程Ｓ１２４で第２光学膜８２の一部不溶化を行わなくてもよい。

例えば、保護膜用塗布液９１は、第２光学膜８２の末端の官能基（例えばＯＨ基などの水溶性の官能基）を別の官能基に置換することで、第２光学膜８２の一部８３を不溶化してもよい。また、保護膜用塗布液９１は、縮合反応（例えばＯＨ基などの脱水縮合反応）によって高分子化させることで、第２光学膜８２の一部８３を不溶化してもよい。後者の場合、前者の場合に比べて、高分子化が進むため、不溶化が進みやすい。

保護膜用塗布液９１が塗布される領域は、定着液１２０が塗布される領域と一致してよい。例えば、保護膜用塗布液９１が塗布される領域は、基板１０上の画素エリアであってよい。

図２３に示すように、保護膜形成工程Ｓ１２５では、基板１０上に塗布された保護膜用塗布液９１の液膜（図２２参照）を乾燥して、保護膜９２を形成する。保護膜用塗布液９１の液膜から溶媒が除去され、保護膜９２が形成される。

保護膜用塗布液９１の液膜の乾燥には、減圧乾燥、自然乾燥、加熱乾燥、風乾燥などが用いられる。減圧乾燥は、自然乾燥よりも、処理時間を短縮できる。減圧乾燥で溶媒が残留している場合、さらに加熱乾燥が行われてもよい。

保護膜９２は、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で用いられる洗浄液に対し不溶性を有する。保護膜９２は、第２光学膜８２とは異なり、等方的な光学特性を有する。保護膜９２の可視光透過率は９５％以上であることが好ましい。また、保護膜９２の膜厚は、１０μｍ以下であることが好ましい。また、保護膜９２の残留応力は、光学部材の変形を抑制するため、小さいほど好ましい。

保護膜９２は、第２光学膜８２の一部８３の主表面を覆う。保護膜９２は、第２光学膜８２の一部８３に傷や異物などが付かないように、第２光学膜８２の一部８３を保護する役割も果たす。中間膜７２の鉛筆硬度は、２Ｈ以上であることが好ましい。

尚、第２光学膜８２の残部は、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で除去されるため、傷や異物が付くことは問題にならない。また、保護膜９２に付いた異物は洗浄で除去でき、その洗浄によって第２光学膜８２の一部８３が傷つくことは無い。

尚、本実施形態の保護膜９２は、保護膜用塗布液９１を第２光学膜８２上に塗布して乾燥することにより形成するが、フィルムの形態で第２光学膜８２に貼り付けられてもよい。

＜第１実施形態の第２光学膜パターンニング工程＞
図１２の第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６では、保護膜形成工程Ｓ１２５の後に、第２光学膜８２の一部８３のみを覆う保護膜９２（図２３参照）をマスクとして用いて、図２４に示すように第２光学膜８２の残部を除去する。

図２４は、第１実施形態による保護膜で覆われていない部分が除去された第２光学膜を示す側面図である。第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６の間、第２光学膜８２の一部８３を保護膜９２で保護でき、第２光学膜８２の一部８３の形状崩れを抑制できる。よって、光学部材の品質を向上できる。

例えば、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６では、第２光学膜８２を溶かす洗浄液を用いる。洗浄液は、例えばスピンチャックで基板１０を回転させながら、基板１０に供給される。基板１０に供給された洗浄液は、遠心力によって基板１０の全体に広がり、基板１０の外周縁から振り切られる。

第２光学膜８２の一部８３は、保護膜９２で覆われているため、洗浄液と接触することがなく、洗浄液によって型崩れしない。一方、第２光学膜８２の残部は、洗浄液と接触するため、洗浄液で溶かされ、除去される。

尚、洗浄液は洗浄槽に貯えられ、洗浄槽の洗浄液に基板１０を浸漬することで、第２光学膜８２の一部８３を残しつつ、第２光学膜８２の残部を溶かして除去してもよい。洗浄槽の洗浄液は、撹拌翼などで撹拌されてもよい。

第２光学膜８２の一部８３が確実に残るように、上記第２光学膜形成工程Ｓ１２４や上記保護膜形成工程Ｓ１２５において、第２光学膜８２の一部８３を洗浄液に対し不溶化することは有効である。洗浄液の回り込みによる過剰な除去を防止でき、第２光学膜８２の一部８３を確実に残すことができる。

尚、保護膜９２は洗浄液に対する不溶性を有するため、上記第２光学膜形成工程Ｓ１２４や上記保護膜形成工程Ｓ１２５において、第２光学膜８２の一部不溶化を行わなくても、第２光学膜８２のパターンニングは可能である。この場合、工程数を削減できる。

上記第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、せん断応力を加えながら第２光学膜用塗布液８１を塗布するため、画素エリアのみに第２光学膜用塗布液８１を塗布するのは困難である。従って、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６を行うことは有効である。

尚、本実施形態では洗浄液を用いて第２光学膜８２の残部を除去するが、第２光学膜８２の残部の除去方法は特に限定されない。例えば、エッチング法が用いられてもよい。エッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれでもよい。

以下、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で残る第２光学膜８２の一部８３を、「第２光学膜８３」とも称する。

本実施形態によれば、図２４に示すように、第１光学膜６３、中間膜７２、第２光学膜８３および保護膜９２で構成される光学部材５０が、基板１０上に間隔をおいて複数形成される。よって、光学部材５０の多面取りが可能であり、有機ＥＬディスプレイ１の多面取りが可能である。また、光学部材５０は画素エリアに選択的に形成されるため、画素エリアの周囲に設けられた端子が適切に機能できる。

＜第１実施形態の光学部材形成工程のまとめ＞
以上説明したように、本実施形態によれば、第１光学膜形成工程Ｓ１２１と、中間膜形成工程Ｓ１２２と、第２光学膜形成工程Ｓ１２４とがこの順で行われる。第１光学膜６３と第２光学膜８３との間に中間膜７２が形成される。中間膜７２は、第１光学膜６３に傷や異物などが付かないように、第１光学膜６３を保護できる。よって、光学部材５０の品質を向上できる。光学部材５０の製造が途中で一時的に中断され、再開までに時間がかかる場合、傷や異物が付くリスクが高いため、特に有効である。

本実施形態によれば、中間膜形成工程Ｓ１２２の後であって第２光学膜形成工程Ｓ１２４の前に、第１光学膜６２の一部６３のみを覆う中間膜７２をマスクとして用いて、第１光学膜６２の残部を除去する第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３が行われる。第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３の間、第１光学膜６２の一部６３を中間膜７２で保護でき、第１光学膜６２の一部６３の形状崩れを抑制できる。よって、光学部材５０の品質を向上できる。

本実施形態によれば、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３では、第１光学膜６２を溶かす洗浄液を用いる。第１光学膜６２の一部６３は、中間膜７２で覆われているため、洗浄液と接触することがなく、洗浄液によって型崩れしない。一方、第１光学膜６２の残部は、洗浄液と接触するため、洗浄液で溶かされ、除去される。

本実施形態によれば、第１光学膜形成工程Ｓ１２１では、第１光学膜６２の一部６３のみを第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で用いられる洗浄液に対し不溶化する。よって、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３において、洗浄液の回り込みによる過剰な除去を防止でき、第１光学膜６２の一部６３を確実に残すことができる。

本実施形態によれば、中間膜形成工程Ｓ１２２では、第１光学膜６２の一部６３のみに中間膜用塗布液７１を塗布することで、第１光学膜６２の一部６３のみを第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で用いられる洗浄液に対し不溶化する。よって、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３において、洗浄液の回り込みによる過剰な除去を防止でき、第１光学膜６２の一部６３を確実に残すことができる。

本実施形態によれば、第２光学膜８３を保護する保護膜９２を形成する保護膜形成工程Ｓ１２５が行われる。保護膜９２は、光学部材５０の製造後に、第２光学膜８３に傷や異物などが付かないように、第２光学膜８３を保護できる。よって、光学部材５０の品質を向上できる。

本実施形態によれば、保護膜形成工程Ｓ１２５の後であって第２光学膜８２の一部８３のみを覆う保護膜９２をマスクとして用いて、第２光学膜８２の残部を除去する第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６が行われる。第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６の間、第２光学膜８２の一部８３を保護膜９２で保護でき、第２光学膜８２の一部８３の形状崩れを抑制できる。よって、光学部材５０の品質を向上できる。

本実施形態によれば、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６では、第２光学膜８２を溶かす洗浄液を用いる。第２光学膜８２の一部８３は、保護膜９２で覆われているため、洗浄液と接触することがなく、洗浄液によって型崩れしない。一方、第２光学膜８２の残部は、洗浄液と接触するため、洗浄液で溶かされ、除去される。

本実施形態によれば、第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、第２光学膜８２の一部８３のみを第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で用いられる洗浄液に対し不溶化する。よって、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６において、洗浄液の回り込みによる過剰な除去を防止でき、第２光学膜８２の一部８３を確実に残すことができる。

本実施形態によれば、保護膜形成工程Ｓ１２５では、第２光学膜８２の一部８３のみに保護膜用塗布液９１を塗布することで、第２光学膜８２の一部８３のみを第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で用いられる洗浄液に対し不溶化する。よって、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６において、洗浄液の回り込みによる過剰な除去を防止でき、第２光学膜８２の一部８３を確実に残すことができる。

＜第２実施形態の光学部材形成工程＞
上記第１実施形態では中間膜形成工程Ｓ１２２の後に第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３が行われるの対し、本実施形態では第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３の後に中間膜形成工程Ｓ１２２が行われる点で相違する。

そのため、本実施形態の中間膜７２は、上記第１実施形態と異なり、第１光学膜６２の一部６３を残し第１光学膜６２の残部を除去するためのマスクの役割を果たさない。本実施形態の中間膜７２は、第１光学膜６２の一部６３に傷や異物などが付かないように第１光学膜６２の一部６３を保護する役割を果たす。

また、上記第１実施形態では保護膜形成工程Ｓ１２５の後に第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６が行われるのに対し、本実施形態では第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６の後に保護膜形成工程Ｓ１２５が行われる点で相違する。

そのため、本実施形態の保護膜９２は、上記第１実施形態と異なり、第２光学膜８２の一部８３を残し第２光学膜８２の残部を除去するためのマスクの役割を果たさない。本実施形態の保護膜９２は、第２光学膜８２の一部８３に傷や異物が付かないように第２光学膜８２の一部８３を保護する役割を果たす。

以下、図２５などを参照して相違点について主に説明する。図２５は、第２実施形態による光学部材形成工程を示すフローチャートである。図２５に示すように、光学部材形成工程Ｓ１２０は、第１光学膜形成工程Ｓ１２１と、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３と、中間膜形成工程Ｓ１２２と、第２光学膜形成工程Ｓ１２４と、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６と、保護膜形成工程Ｓ１２５とをこの順で有する。

尚、図２５に示す全ての工程が行われなくてもよい。例えば詳しくは後述するが、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３や第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６は、光学部材５０を基板１０上に間隔をおいて複数形成する場合には有効であるが、光学部材５０を基板１０上に１つのみ形成する場合には省略してもよい。後述の一部不溶化の処理について同様である。

また、図２５に示す工程以外の工程が行われてもよい。例えば、第１光学膜形成工程Ｓ１２１の前に、基板に対する第１光学膜の密着性を改善するため、基板の第１光学膜が形成される面を表面改質する工程が行われてもよい。表面改質膜として、シランカップリング剤などの有機膜、または窒化珪素などの無機膜が形成されてよい。

さらに、図２５に示す第１光学膜形成工程Ｓ１２１、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３および中間膜形成工程Ｓ１２２、ならびに図１２に示す第２光学膜形成工程Ｓ１２４、保護膜形成工程Ｓ１２５および第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６が、この順で行われてもよい。

さらにまた、図１２に示す第１光学膜形成工程Ｓ１２１、中間膜形成工程Ｓ１２２および第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３、ならびに図２５に示す第２光学膜形成工程Ｓ１２４、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６および保護膜形成工程Ｓ１２５が、この順で行われてもよい。

＜第２実施形態の第１光学膜形成工程＞
図２５の第１光学膜形成工程Ｓ１２１では、図１３〜図１４に示すように、液晶分子と溶媒を含む第１光学膜用塗布液６１を基板１０上に塗布して乾燥することにより第１光学膜６２を形成する。第１光学膜６２は、例えば１／４波長膜である。

本実施形態の第１光学膜形成工程Ｓ１２１では、図１５に示す第１光学膜６２の一部６３を不溶化する処理は行われない。この処理は、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で行われる。

＜第２実施形態の第１光学膜パターンニング工程＞
図２５の第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３では、第１光学膜形成工程Ｓ１２１の後であって中間膜形成工程Ｓ１２２の前に、第１光学膜６２の一部６３を残し第１光学膜６２の残部を除去する。

例えば、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３では、図１５に示すように第１光学膜６２の一部６３のみを洗浄液に対し不溶化し、その後、図２６に示すように第１光学膜６２の残部を洗浄液で溶かす。図２６は、第２実施形態による不溶化されていない部分が除去された第１光学膜を示す側面図である。

洗浄液は、例えばスピンチャックで基板１０を回転させながら、基板１０に供給される。基板１０に供給された洗浄液は、遠心力によって基板１０の全体に広がり、基板１０の外周縁から振り切られる。

第１光学膜６２の一部６３は、洗浄液に対し不溶化されているため、洗浄液によって型崩れしない。一方、第１光学膜６２の残部は、洗浄液に対し不溶化されていないため、洗浄液で溶かされ、除去される。

尚、洗浄液は洗浄槽に貯えられ、洗浄槽の洗浄液に基板１０を浸漬することで、第１光学膜６２の一部６３を残しつつ、第１光学膜６２の残部を溶かして除去してもよい。洗浄槽の洗浄液は、撹拌翼などで撹拌されてもよい。

図２６に示すように、本実施形態では、中間膜７２（図２８参照）が形成される前に、第１光学膜６２の一部６３を残し第１光学膜６２の残部が除去され、第１光学膜６２がパターンニングされる。

上記第１光学膜形成工程Ｓ１２１では、せん断応力を加えながら第１光学膜用塗布液６１を塗布するため、画素エリアのみに第１光学膜用塗布液６１を塗布するのは困難である。従って、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３を行うことは有効である。

以下、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３で残る第１光学膜６２の一部６３を、「第１光学膜６３」とも称する。

＜第２実施形態の中間膜形成工程＞
図２５の中間膜形成工程Ｓ１２２では、図２７〜図２８に示すように、第１光学膜用塗布液６１とは異なる中間膜用塗布液７１を第１光学膜６３上に塗布して乾燥することにより中間膜７２を形成する。

図２７は、第２実施形態による第１光学膜上に塗布された中間膜用塗布液の液膜を示す図である。図２８は、第２実施形態による中間膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された中間膜を示す図である。

図２７に示すように、中間膜形成工程Ｓ１２２では、第１光学膜６３が形成された基板１０上に塗布ノズル７０から中間膜用塗布液７１を塗布する。塗布ノズル７０は、インクジェット方式であってよく、下面に中間膜用塗布液７１の液滴を吐出する吐出ノズルを複数有する。

塗布ノズル７０と基板１０とを相対的に移動させながら、塗布ノズル７０から中間膜用塗布液７１の液滴を吐出することで、第１光学膜６３およびその近傍のみ（例えば画素エリアおよびその近傍のみ）に中間膜用塗布液７１を選択的に塗布する。

中間膜用塗布液７１は、第１光学膜６３上に塗布される。そのため、第１光学膜６３を形成する液晶分子は、中間膜用塗布液７１の溶媒に対し不溶性を有してよい。中間膜用塗布液７１の塗布によって第１光学膜６３が溶けることを防止できる。

中間膜用塗布液７１は、中間膜７２を形成する有機材料と、その有機材料を溶かす溶媒とを含む。中間膜７２を形成する有機材料は、中間膜７２上に塗布される第２光学膜用塗布液８１（図２９参照）の溶媒に対し不溶性の高分子などを含む。

中間膜用塗布液７１としては、例えば、熱硬化型の透明塗料、化学反応型の透明塗料、乾燥硬化型の透明塗料などが用いられる。具体的には、油性エナメル塗料、フタル酸樹脂塗料などが用いられる。

熱硬化型の透明塗料、化学反応型の透明塗料、乾燥硬化型の透明塗料などは、熱硬化や化学反応または乾燥硬化によって高分子化されるため、緻密な中間膜７２を形成できる。

中間膜用塗布液７１は、図２７に示すように、第１光学膜６３の主表面のみならず、第１光学膜６３の端面を覆うように塗布されてよい。第１光学膜６３の主表面のみならず、第１光学膜６３の端面に傷や異物が付かないように、第１光学膜６３を中間膜７２で保護できる。

中間膜用塗布液７１が塗布される領域は、基板１０上の画素エリアおよびその近傍に限定されてよい。

尚、中間膜用塗布液７１が塗布される領域を限定するため、基板１０上にフィルムなどのマスクを貼り付けてもよい。このマスクは、後で剥離される際に第１光学膜６３を損傷しないように、第１光学膜６３との間に隙間を形成してよい。

図２８に示すように、中間膜形成工程Ｓ１２２では、基板１０上に塗布された中間膜用塗布液７１の液膜（図２７参照）を乾燥して、中間膜７２を形成する。中間膜用塗布液７１の液膜から溶媒が除去され、中間膜７２が形成される。

中間膜７２は、第１光学膜６３とは異なり、等方的な光学特性を有する。中間膜７２の可視光透過率は９５％以上であることが好ましい。また、中間膜７２の膜厚は、１０μｍ以下であることが好ましい。また、中間膜７２の残留応力は、光学部材の変形を抑制するため、小さいほど好ましい。

中間膜７２は、第１光学膜６３の主表面のみならず第１光学膜６３の端面を覆う。中間膜７２は、第１光学膜６３に傷や異物などが付かないように、第１光学膜６３を保護する役割を果たす。中間膜７２の鉛筆硬度は、２Ｈ以上であることが好ましい。光学部材の製造が途中で一時的に中断され、再開までに時間がかかる場合、傷や異物が付くリスクが高いため、特に有効である。

中間膜７２は、基板１０上の画素エリアおよびその近傍のみに形成され、基板１０上に間隔をおいて複数形成される。尚、画素エリアの周辺に設けられた端子の取出しが不要である場合、基板１０の略全体に中間膜７２が形成されてもよい。中間膜７２上に第２光学膜用塗布液８１を塗布する際に、第２光学膜用塗布液８１の液晶分子の配向制御性が良い。

＜第２実施形態の第２光学膜形成工程＞
図２５の第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、図２９〜図３０に示すように、液晶分子と溶媒を含む第２光学膜用塗布液８１を中間膜７２上に塗布して乾燥することにより第２光学膜８２を形成する。第２光学膜８２は、例えば直線偏光膜である。

図２９は、第２実施形態による中間膜上に塗布された第２光学膜用塗布液の液膜を示す側面図である。図３０は、第２実施形態による第２光学膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された第２光学膜を示す側面図である。

図２９に示すように、第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、基板１０上に塗布ノズル８０から第２光学膜用塗布液８１を塗布する。塗布ノズル８０は、例えば下面にスリット状の吐出口を有するスリットコータである。

第２光学膜用塗布液８１は、中間膜７２上に塗布される。そのため、中間膜７２を形成する有機材料は、第２光学膜用塗布液８１の溶媒に対し不溶性を有してよい。第２光学膜用塗布液８１の塗布によって中間膜７２が溶けることを防止できる。

尚、本実施形態では第２光学膜用塗布液８１の塗布にスリットコータが用いられるが、ディップコータなどが用いられてもよい。第２光学膜用塗布液８１にせん断応力を加えることができ、そのせん断応力の作用方向を制御できればよい。

図３０に示すように、第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、基板１０上に塗布された第２光学膜用塗布液８１の液膜（図２９参照）を乾燥して、第２光学膜８２を形成する。第２光学膜用塗布液８１の液膜から溶媒が除去され、液晶分子の配向が適切に維持される。第２光学膜８２は、例えば直線偏光膜である。

＜第２実施形態の第２光学膜パターンニング工程＞
図２５の第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６では、第２光学膜形成工程Ｓ１２４の後であって保護膜形成工程Ｓ１２５の前に、第２光学膜８２の一部８３を残し第２光学膜８２の残部を除去する。

例えば、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６では、図３１に示すように第２光学膜８２の一部８３のみを洗浄液に対し不溶化し、その後、図３２に示すように第２光学膜８２の残部を洗浄液で溶かす。

図３１は、第２実施形態による一部不溶化された第２光学膜を示す側面図である。図３２は、第２実施形態による不溶化されていない部分が除去された第２光学膜を示す側面図である。

図３１に示すように、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６では、第２光学膜８２の一部８３のみを洗浄液に対し不溶化する。洗浄液としては、第２光学膜用塗布液８１の溶媒と同じものが用いられてよく、例えば水が用いられてよい。この場合、水に対する不溶化が行われる。

第２光学膜８２の一部８３を不溶化する定着液１２０は、例えばインクジェット方式の塗布ノズル１２１から吐出される。塗布ノズル１２１は、下面に定着液１２０の液滴を吐出する吐出ノズルを複数有する。

塗布ノズル１２１と基板１０とを相対的に移動させながら、塗布ノズル１２１から定着液１２０の液滴を吐出することで、第２光学膜８２の一部８３に定着液１２０を選択的に塗布する。これにより、第２光学膜８２の一部８３が不溶化される。

定着液１２０が塗布される領域は、例えば画素エリアであってよい。

図３２に示すように、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６では、第２光学膜８２の一部８３のみを残し、第２光学膜８２の残部を除去する。第２光学膜８２の残部の除去には、例えば洗浄液が用いられる。

洗浄液は、例えばスピンチャックで基板１０を回転させながら、基板１０に供給される。基板１０に供給された洗浄液は、遠心力によって基板１０の全体に広がり、基板１０の外周縁から振り切られる。

第２光学膜８２の一部８３は、洗浄液に対し不溶化されているため、洗浄液によって型崩れしない。一方、第２光学膜８２の残部は、洗浄液に対し不溶化されていないため、洗浄液で溶かされ、除去される。

尚、洗浄液は洗浄槽に貯えられ、洗浄槽の洗浄液に基板１０を浸漬することで、第２光学膜８２の一部８３を残しつつ、第２光学膜８２の残部を溶かして除去してもよい。洗浄槽の洗浄液は、撹拌翼などで撹拌されてもよい。

図３２に示すように、本実施形態では、保護膜９２（図３４参照）が形成される前に、第２光学膜８２の一部８３を残し第２光学膜８２の残部が除去され、第２光学膜８２がパターンニングされる。

上記第２光学膜形成工程Ｓ１２４では、せん断応力を加えながら第２光学膜用塗布液８１を塗布するため、画素エリアのみに第２光学膜用塗布液８１を塗布するのは困難である。従って、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６を行うことは有効である。

以下、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６で残る第２光学膜８２の一部８３を、「第２光学膜８３」とも称する。

＜第２実施形態の保護膜形成工程＞
図２５の保護膜形成工程Ｓ１２５では、図３３〜図３４に示すように、第２光学膜用塗布液８１とは異なる保護膜用塗布液９１を第２光学膜８３上に塗布して乾燥することにより保護膜９２を形成する。

図３３は、第２実施形態による第２光学膜上に塗布された保護膜用塗布液の液膜を示す側面図である。図３４は、第２実施形態による保護膜用塗布液の液膜の乾燥により形成された保護膜を示す側面図である。

図３３に示すように、保護膜形成工程Ｓ１２５では、第２光学膜８３が形成された基板１０上に塗布ノズル９０から保護膜用塗布液９１を塗布する。塗布ノズル９０は、インクジェット方式であってよく、下面に保護膜用塗布液９１の液滴を吐出する吐出ノズルを複数有する。

塗布ノズル９０と基板１０とを相対的に移動させながら、塗布ノズル９０から保護膜用塗布液９１の液滴を吐出することで、第２光学膜８３およびその近傍のみ（例えば画素エリアおよびその近傍のみ）に保護膜用塗布液９１を選択的に塗布する。

保護膜用塗布液９１は、第２光学膜８３上に塗布される。そのため、第２光学膜８３を形成する液晶分子は、保護膜用塗布液９１の溶媒に対し不溶性を有してよい。保護膜用塗布液９１の塗布によって第２光学膜８３が溶けることを防止できる。

保護膜用塗布液９１は、保護膜９２を形成する有機材料と、その有機材料を溶かす溶媒とを含む。

保護膜用塗布液９１としては、例えば、熱硬化型の透明塗料、化学反応型の透明塗料、乾燥硬化型の透明塗料などが用いられる。具体的には、油性エナメル塗料、フタル酸樹脂塗料などが用いられる。

熱硬化型の透明塗料、化学反応型の透明塗料、乾燥硬化型の透明塗料などは、熱硬化や化学反応または乾燥硬化によって高分子化されるため、緻密な保護膜９２を形成できる。

保護膜用塗布液９１は、図３３に示すように、第２光学膜８３の主表面だけではなく、第２光学膜８３の端面を覆うように塗布されてよい。第２光学膜８３の主表面のみならず、第２光学膜８３の端面に傷や異物が付かないように、第２光学膜８３を保護膜９２で保護できる。

尚、保護膜用塗布液９１は、図３３では中間膜７２の端面を覆っていないが、中間膜７２の端面を覆うように塗布されてもよい。

保護膜用塗布液９１が塗布される領域は、基板１０上の画素エリアおよびその近傍に限定されてよい。

尚、保護膜用塗布液９１が塗布される領域を限定するため、基板１０上にフィルムなどのマスクを貼り付けてもよい。このマスクは、後で剥離される際に第２光学膜８３を損傷しないように、第２光学膜８３との間に隙間を形成してよい。

図３４に示すように、保護膜形成工程Ｓ１２５では、基板１０上に塗布された保護膜用塗布液９１の液膜（図３３参照）を乾燥して、保護膜９２を形成する。保護膜用塗布液９１の液膜から溶媒が除去され、保護膜９２が形成される。

保護膜９２は、第２光学膜８３とは異なり、等方的な光学特性を有する。保護膜９２の可視光透過率は９５％以上であることが好ましい。また、保護膜９２の膜厚は、１０μｍ以下であることが好ましい。また、保護膜９２の残留応力は、光学部材の変形を抑制するため、小さいほど好ましい。

保護膜９２は、第２光学膜８３の主表面のみならず第２光学膜８３の端面を覆う。保護膜９２は、第２光学膜８３に傷や異物などが付かないように、第２光学膜８３を保護する役割を果たす。保護膜９２の鉛筆硬度は、２Ｈ以上であることが好ましい。

保護膜９２は、基板１０上の画素エリアおよびその近傍のみに形成され、基板１０上に間隔をおいて複数形成される。尚、画素エリアの周辺に設けられた端子の取出しが不要である場合、基板１０の略全体に保護膜９２が形成されてもよい。

尚、本実施形態の保護膜９２は、保護膜用塗布液９１を第２光学膜８３上に塗布して乾燥することにより形成するが、フィルムの形態で第２光学膜８３に貼り付けられてもよい。

本実施形態によれば、図３４に示すように、第１光学膜６３、中間膜７２、第２光学膜８３および保護膜９２で構成される光学部材５０が、基板１０上に間隔をおいて複数形成される。よって、光学部材５０の多面取りが可能であり、有機ＥＬディスプレイ１の多面取りが可能である。また、光学部材５０は画素エリアおよびその近傍に選択的に形成されるため、画素エリアの周囲に設けられた端子が適切に機能できる。

＜第２実施形態の光学部材形成工程のまとめ＞
以上説明したように、本実施形態によれば、第１光学膜形成工程Ｓ１２１と、中間膜形成工程Ｓ１２２と、第２光学膜形成工程Ｓ１２４とがこの順で行われる。第１光学膜６３と第２光学膜８３との間に中間膜７２が形成される。中間膜７２は、第１光学膜６３に傷や異物などが付かないように、第１光学膜６３を保護できる。よって、光学部材５０の品質を向上できる。光学部材５０の製造が途中で一時的に中断され、再開までに時間がかかる場合、傷や異物が付くリスクが高いため、特に有効である。

本実施形態によれば、第１光学膜形成工程Ｓ１２１の後であって中間膜形成工程Ｓ１２２の前に、第１光学膜６２の一部６３を残し第１光学膜６２の残部を除去する第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３が行われる。よって、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３の後に残る第１光学膜６３の主表面のみならず第１光学膜６３の端面を中間膜７２で覆うことが可能になる。

本実施形態によれば、第１光学膜パターンニング工程Ｓ１２３では、第１光学膜６２を溶かす洗浄液に対し第１光学膜６２の一部６３のみを不溶化し、その後、第１光学膜６２の残部を洗浄液で溶かす。第１光学膜６２の一部６３は、洗浄液に対し不溶化されているため、洗浄液によって型崩れしない。一方、第１光学膜６２の残部は、洗浄液に対し不溶化されていないため、洗浄液で溶かされ、除去される。

本実施形態によれば、中間膜形成工程Ｓ１２２では、第１光学膜６３の主表面および第１光学膜６３の端面を覆うように中間膜７２を形成する。中間膜７２は、第１光学膜６３の主表面のみならず第１光学膜６３の端面に傷や異物などが付かないように、第１光学膜６３を保護できる。よって、光学部材５０の品質を向上できる。光学部材５０の製造が途中で一時的に中断され、再開までに時間がかかる場合、傷や異物が付くリスクが高いため、特に有効である。

本実施形態によれば、第２光学膜８３を保護する保護膜９２を形成する保護膜形成工程Ｓ１２５が行われる。保護膜９２は、光学部材５０の製造後に、第２光学膜８３に傷や異物などが付かないように、第２光学膜８３を保護できる。よって、光学部材５０の品質を向上できる。

本実施形態によれば、第２光学膜形成工程Ｓ１２４の後であって保護膜形成工程Ｓ１２５の前に、第２光学膜８２の一部８３を残し第２光学膜８２の残部を除去する第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６が行われる。よって、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６の後に残る第２光学膜８３の主表面のみならず第２光学膜８３の端面を保護膜９２で覆うことが可能になる。

本実施形態によれば、第２光学膜パターンニング工程Ｓ１２６では、第２光学膜８２を溶かす洗浄液に対し第２光学膜８２の一部８３のみを不溶化し、その後、第２光学膜８２の残部を洗浄液で溶かす。第２光学膜８２の一部８３は、洗浄液に対し不溶化されているため、洗浄液によって型崩れしない。一方、第２光学膜８２の残部は、洗浄液に対し不溶化されていないため、洗浄液で溶かされ、除去される。

本実施形態によれば、保護膜形成工程Ｓ１２５では、第２光学膜８３の主表面および第２光学膜８３の端面を覆うように保護膜９２を形成する。保護膜９２は、第２光学膜８３の主表面のみならず第２光学膜８３の端面に傷や異物などが付かないように、第２光学膜８３を保護できる。よって、光学部材５０の品質を向上できる。光学部材５０の製造が途中で一時的に中断され、再開までに時間がかかる場合、傷や異物が付くリスクが高いため、特に有効である。

＜変形、改良＞
以上、有機ＥＬディスプレイの製造方法の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

例えば、光学部材５０は、上記実施形態では第１光学膜６３、中間膜７２、第２光学膜８３および保護膜９２を含むが、本発明はこれに限定されない。光学部材５０は液晶分子が配向された光学膜を含んでいればよく、光学膜の数も限定されない。

本出願は、２０１７年５月１日に日本国特許庁に出願された特願２０１７−０９１４７１号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１７−０９１４７１号の全内容を本出願に援用する。

１０ 基板
１３ 有機発光ダイオード
３０ 封止層
４０ タッチセンサ
４１ 第１金属膜
４３ 絶縁膜
４５ 第２金属膜
４７ タッチセンサ保護膜
５０ 光学部材
６１ 第１光学膜用塗布液
６２ 第１光学膜
６３ 第１光学膜
７１ 中間膜用塗布液
７２ 中間膜
８１ 第２光学膜用塗布液
８２ 第２光学膜
８３ 第２光学膜
９１ 保護膜用塗布液
９２ 保護膜

Claims (19)

1. 有機発光ダイオードが予め形成された基板上に、液晶分子と溶媒を含む光学膜用塗布液を塗布して乾燥することにより、液晶分子が配向された光学膜を形成する光学部材形成工程を有する、有機ＥＬディスプレイの製造方法。
2. 前記光学部材形成工程は、
   前記有機発光ダイオードが予め形成された前記基板上に、液晶分子と溶媒を含む第１光学膜用塗布液を塗布して乾燥することにより、位相差膜および偏光膜のいずれか１つとしての第１光学膜を形成する第１光学膜形成工程と、
   前記第１光学膜形成工程の後に、液晶分子と溶媒を含む第２光学膜用塗布液を前記第１光学膜上に塗布して乾燥することにより、前記位相差膜および前記偏光膜の残りの１つとしての第２光学膜を形成する第２光学膜形成工程とを有する、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
3. 前記光学部材形成工程は、
   前記第１光学膜形成工程の後であって前記第２光学膜形成工程の前に、前記第１光学膜用塗布液とは異なる中間膜用塗布液を前記第１光学膜上に塗布して乾燥することにより中間膜を形成する中間膜形成工程を有する、請求項２に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
4. 前記光学部材形成工程は、
   前記中間膜形成工程の後であって前記第２光学膜形成工程の前に、前記第１光学膜の一部のみを覆う前記中間膜をマスクとして用いて、前記第１光学膜の残部を除去する第１光学膜パターンニング工程を有する、請求項３に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
5. 前記第１光学膜パターンニング工程では、前記第１光学膜を溶かす洗浄液を用いる、請求項４に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
6. 前記第１光学膜形成工程では、前記第１光学膜の前記一部のみを前記第１光学膜パターンニング工程で用いられる前記洗浄液に対し不溶化する、請求項５に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
7. 前記中間膜形成工程では、前記第１光学膜の前記一部のみに前記中間膜用塗布液を塗布することで、前記第１光学膜の前記一部のみを前記第１光学膜パターンニング工程で用いられる前記洗浄液に対し不溶化する、請求項５または６に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
8. 前記光学部材形成工程は、
   前記第１光学膜形成工程の後であって前記中間膜形成工程の前に、前記第１光学膜の一部を残し前記第１光学膜の残部を除去する第１光学膜パターンニング工程を有する、請求項３に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
9. 前記第１光学膜パターンニング工程では、前記第１光学膜を溶かす洗浄液に対し前記第１光学膜の前記一部のみを不溶化し、その後、前記第１光学膜の前記残部を前記洗浄液で溶かす、請求項８に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
10. 前記中間膜形成工程では、前記第１光学膜の主表面および前記第１光学膜の端面を覆うように前記中間膜を形成する、請求項８または９に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
11. 前記光学部材形成工程は、
    前記第２光学膜形成工程の後に、前記第２光学膜用塗布液とは異なる保護膜用塗布液を前記第２光学膜上に塗布して乾燥することにより前記第２光学膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程を有する、請求項３〜１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
12. 前記光学部材形成工程は、
    前記保護膜形成工程の後に、前記第２光学膜の一部のみを覆う前記保護膜をマスクとして用いて、前記第２光学膜の残部を除去する第２光学膜パターンニング工程を有する、請求項１１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
13. 前記第２光学膜パターンニング工程では、前記第２光学膜を溶かす洗浄液を用いる、請求項１２に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
14. 前記第２光学膜形成工程では、前記第２光学膜の前記一部のみを前記第２光学膜パターンニング工程で用いられる前記洗浄液に対し不溶化する、請求項１３に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
15. 前記保護膜形成工程では、前記第２光学膜の前記一部のみに前記保護膜用塗布液を塗布することで、前記第２光学膜の前記一部のみを前記第２光学膜パターンニング工程で用いられる前記洗浄液に対し不溶化する、請求項１３または１４に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
16. 前記光学部材形成工程は、
    前記第２光学膜形成工程の後であって前記保護膜形成工程の前に、前記第２光学膜の一部を残し前記第２光学膜の残部を除去する第２光学膜パターンニング工程を有する、請求項１１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
17. 前記第２光学膜パターンニング工程では、前記第２光学膜を溶かす洗浄液に対し前記第２光学膜の前記一部のみを不溶化し、その後、前記第２光学膜の前記残部を前記洗浄液で溶かす、請求項１６に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
18. 前記保護膜形成工程では、前記第２光学膜の主表面および前記第２光学膜の端面を覆うように前記保護膜を形成する、請求項１６または１７に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
19. 前記光学部材形成工程の前に、前記有機発光ダイオードが予め形成された前記基板上に、タッチセンサを形成するタッチセンサ形成工程を有し、
    前記タッチセンサ形成工程は、
    前記有機発光ダイオードが予め形成された前記基板上に、遮光性の第１金属膜を形成する工程と、
    フォトリソグラフィ法およびエッチング法によって前記第１金属膜の一部を選択的に除去する工程と、
    一部が選択的に除去された前記第１金属膜上に絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜上に、遮光性の第２金属膜を形成する工程と、
    フォトリソグラフィ法およびエッチング法によって前記第２金属膜の一部を選択的に除去する工程とを有する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。

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