JPWO2018131162A1 - 太陽電池モジュールの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 153
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 68
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 87
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 41
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims description 5
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 ester compound Chemical class 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 85
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 55
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012552 review Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000002897 diene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000003673 groundwater Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の手順を示すフローチャートである。本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法は、主たる工程として、フラックス塗布工程と、積層工程と、押さえ工程と、予備加熱工程と、加熱工程と、を含む。また、積層工程は、第1タブ線配置工程と、太陽電池セル配置工程と、第2タブ線配置工程と、を有する。以下、本実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法について工程順に説明する。
まず、本実施の形態にかかる太陽電池モジュールの製造方法の主要な工程に先立って、ステップS10において、タブ線1を準備するタブ線準備工程が実施される。図2は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、タブ線1を準備する工程のうちボビン2から引き出されるタブ線1を示す図である。図3は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、タブ線1を準備する工程のうちタブ線1の「くせ」を取り除く工程を示す図である。図4は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、タブ線1を準備する工程のうち「くせ」が取り除かれたタブ線1がタブ線切断装置5により切断されてタブ線移載装置6により保持される状態を示す模式図である。
タブ線準備工程の後、ステップS20において、太陽電池セル11の表裏面のバス電極にフラックスを塗布するフラックス塗布工程が実施される。図5は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法において用いられる太陽電池セル11を受光面側から見た模式斜視図である。図6は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法において用いられる太陽電池セル11を受光面と対向する裏面側から見た模式斜視図である。
フラックス塗布工程の後、ホットプレート23上に太陽電池セル11とタブ線とを積層する積層工程が実施される。積層工程においては、第1タブ線配置工程と、太陽電池セル配置工程と、第2タブ線配置工程と、が実施される。図10は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、タブ線1を用いて隣接する太陽電池セル11同士を相互接続する際の構成部材の位置関係を概念とした模式的分解斜視図である。
図11は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、タブ線1がホットプレート23に配置されて押さえ装置25により上部から押さえられた状態を示す斜視図である。図12は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、タブ線1がタブ線溝24に配置される状態を示す断面図である。図13は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法において用いられるホットプレート23の上面に形成されたタブ線溝24を示す斜視図である。
図14は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、太陽電池セル11がホットプレート23上に配置された状態を示す斜視図である。ステップS40の太陽電池セル配置工程では、図14に示すように、第1面である裏側が下向きとされ、第2面である受光面側が上向きとされた太陽電池セル11が、ホットプレート23上、すなわちホットプレート23に配置された4本のタブ線1上に、図示しない搬送装置によって配置される。太陽電池セル11は、第1面接続電極である裏面バス電極17の位置をホットプレート23上のタブ線1の位置に合わせてホットプレート23上に配置される。太陽電池セル11は、ホットプレート23の上面に形成された吸着穴からなる図示しない吸着部によってホットプレート23に吸着されて固定された状態となる。
図15は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、タブ線1が太陽電池セル11上に配置された状態を示す斜視図である。ステップS50の第2タブ線配置工程では、図15に示すように4本の第2タブ線であるタブ線1が、太陽電池セル11上に図示しないタブ線移載装置6によって配置される。タブ線1は、太陽電池セル11の上面において太陽電池セル11の第2接続電極である受光面銀バス電極14上に配置される。
図16は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、太陽電池セル11上に配置されたタブ線1が押さえ装置25により上部から押さえられた状態を示す斜視図である。ステップS60の押さえ工程では、図16に示すように、押さえ装置25により上部から押さえられる。適切なはんだ付けを実現するためには、はんだ付け時のタブ線1の押さえ付け力を適切に設定することが必要である。押さえ装置25による押さえ付け力を、1点あたり1.0Nから3.5Nに設定することにより、均一で、接合信頼性の高いはんだのフィレットを形成可能となり、接合信頼性の高いはんだ接合が可能となる。1点あたりの押さえ付け力が1.0N未満の場合には、タブ線1と太陽電池セル11の接続電極とを適切に密着させることができない場合がある。1点あたりの押さえ付け力が3.5Nより大の場合は、押さえ装置25の力により、はんだの溶融時に裏面銀バス電極17とタブ線1との間のはんだの厚みが変化する可能性がある。
つぎに、ステップS70の予備加熱工程において、タブ線1および太陽電池セル11をホットプレート23により予備加熱する。ホットプレート23は、はんだ付け前のタブ線1および太陽電池セル11の温度が常に所望の予備加熱温度になるように、既定の予備加熱温度に設定されている。本実施の形態1では、ホットプレート23の予備加熱温度を180±3℃、すなわち177℃から183℃としている。ホットプレート23の予備加熱は、タブ線1の予備加熱を確実に既定の温度、すなわち180±3℃で行うために、タブ線1により接続される隣り合う太陽電池セル11の加熱工程が終了するまで、予備加熱状態を保持する。予備加熱は、太陽電池ストリングの全ての太陽電池セル11の加熱工程が終了するまで予備加熱を保持してもよい。
図17は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、加熱工程の実施状態を示す斜視図である。ステップS80の加熱工程では、予備加熱により180±3℃に昇温されているタブ線1および太陽電池セル11を、ホットプレート23上に載せた状態でランプヒータ28から赤外線29を照射することにより、タブ線1と太陽電池セル11とについて所望の温度プロファイルが得られる様に、既定の加熱温度にタブ線1と太陽電池セル11とを昇降温させる。これにより、タブ線1が太陽電池セル11の第2接続電極である受光面銀バス電極14および第1面接続電極である裏面バス電極17にはんだ付けされ、太陽電池セル11とタブ線1とが接合される。
図14は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、太陽電池セル11がホットプレート23上に配置された状態を示す斜視図である。ステップS40の太陽電池セル配置工程では、図14に示すように、第1面である裏側が下向きとされ、第2面である受光面側が上向きとされた太陽電池セル11が、ホットプレート23上、すなわちホットプレート23に配置された4本のタブ線1上に、図示しない搬送装置によって配置される。太陽電池セル11は、第1面接続電極である裏面銀バス電極17の位置をホットプレート23上のタブ線1の位置に合わせてホットプレート23上に配置される。太陽電池セル11は、ホットプレート23の上面に形成された吸着穴からなる図示しない吸着部によってホットプレート23に吸着されて固定された状態となる。
図15は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、タブ線1が太陽電池セル11上に配置された状態を示す斜視図である。ステップS50の第2タブ線配置工程では、図15に示すように4本の第2タブ線であるタブ線1が、太陽電池セル11上に図示しないタブ線移載装置6によって配置される。タブ線1は、太陽電池セル11の上面において太陽電池セル11の第2面接続電極である受光面銀バス電極14上に配置される。
図17は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池モジュールの製造方法の一例を説明するための工程図であり、加熱工程の実施状態を示す斜視図である。ステップS80の加熱工程では、予備加熱により180±3℃に昇温されているタブ線1および太陽電池セル11を、ホットプレート23上に載せた状態でランプヒータ28から赤外線29を照射することにより、タブ線1と太陽電池セル11とについて所望の温度プロファイルが得られる様に、既定の加熱温度にタブ線1と太陽電池セル11とを昇降温させる。これにより、タブ線1が太陽電池セル11の第2面接続電極である受光面銀バス電極14および第1面接続電極である裏面銀バス電極17にはんだ付けされ、太陽電池セル11とタブ線1とが接合される。
Claims (9)
- 第1面と前記第1面に対向する第2面とを有する太陽電池セルにおける、前記第1面に設けられた第1面接続電極と、前記第2面に設けられた第2面接続電極と、にフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、
表面が無鉛はんだで被覆された第1タブ線と、前記第2面が上向きにされた前記太陽電池セルと、表面が無鉛はんだで被覆された第2タブ線と、をホットプレート上に積層する積層工程と、
前記第2タブ線を押さえ装置により上部から押さえる押さえ工程と、
前記太陽電池セルを前記ホットプレートにより既定の予備加熱温度に予備加熱する予備加熱工程と、
前記太陽電池セルをランプヒータの赤外線により前記第2面側から既定の加熱温度に加熱する加熱工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記積層工程は、
前記ホットプレートの上面において前記太陽電池セルの第1面接続電極に対応する位置に設けられたタブ線溝に前記第1タブ線を配置する第1タブ線配置工程と、
前記第1面接続電極の位置を前記第1タブ線の位置に合わせて前記太陽電池セルを前記ホットプレート上に配置する太陽電池セル配置工程と、
前記太陽電池セルの前記第2面接続電極上に前記第2タブ線を配置する第2タブ線配置工程と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記フラックス塗布工程では、前記太陽電池セルである第1太陽電池セルと第2太陽電池セルに対してフラックスを塗布し、
前記積層工程では、前記第1太陽電池セルと前記第2太陽電池セルとを隣り合わせて配置し、前記第1太陽電池セルの前記第1面接続電極と第2太陽電池セルの前記第2面接続電極とを前記第1タブ線により接続して、太陽電池ストリングを形成し、
前記加熱工程では、前記第1太陽電池セルと前記第2太陽電池セルとに対して個別に加熱が実施され、
前記予備加熱工程では、前記第1太陽電池セルと前記第2太陽電池セルとの前記加熱工程が終了するまで予備加熱を保持すること、
を特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記予備加熱工程における前記予備加熱温度が、177℃から183℃であり、
前記加熱工程における前記加熱温度が248℃から264℃であること、
を特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記加熱工程において前記太陽電池セルを前記予備加熱温度から前記加熱温度に加熱する時間が3.6秒から3.8秒であり、
前記加熱工程後に前記太陽電池セルを前記加熱温度から前記予備加熱温度に冷却する時間が7.0秒から9.0秒であること、
を特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記押さえ工程において前記第2タブ線を押さえる力が、1点あたり1.0Nから3.5Nであること、
を特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記第1タブ線および前記第2タブ線は、銅線の表面がSn−Ag−Cu系はんだにより被覆されてなること、
を特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記Sn−Ag−Cu系はんだの組成は、銀が2.0wt%から3.3wt%であり、銅が0.4wt%から3.0wt%であり、残りが錫であること、
を特徴とする請求項7に記載の太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記フラックスは、エステル化合物と、ロジン系樹脂酸または変性ロジンと、を有すること、
を特徴とする請求項1から8のいずれか1つに記載の太陽電池モジュールの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/001254 WO2018131162A1 (ja) | 2017-01-16 | 2017-01-16 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018131162A1 true JPWO2018131162A1 (ja) | 2019-06-27 |
JP6656424B2 JP6656424B2 (ja) | 2020-03-04 |
Family
ID=62840406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018561774A Expired - Fee Related JP6656424B2 (ja) | 2017-01-16 | 2017-01-16 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6656424B2 (ja) |
CN (1) | CN110168743A (ja) |
TW (1) | TWI705659B (ja) |
WO (1) | WO2018131162A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110176506B (zh) * | 2019-05-31 | 2024-05-07 | 信利半导体有限公司 | 薄膜光伏电池串联结构及薄膜光伏电池串联的制备工艺 |
CN115719781A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-02-28 | 苏州小牛自动化设备有限公司 | 电池串串联方法及串联设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11267884A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュール用フラックスおよびクリームはんだ |
JP2011146482A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュールの製造装置及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2013211266A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-10-10 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | テープ状導電材料、太陽電池用インターコネクター及び太陽電池モジュール |
JP2014036069A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
CN105436730A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-30 | 宁夏小牛自动化设备有限公司 | 红外线加热焊接装置及其方法和串焊机 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112012001641T5 (de) * | 2011-04-11 | 2014-02-06 | Mitsubishi Electric Corp. | Solarbatteriemodul und Herstellungsverfahren dafür |
JP5762316B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2015-08-12 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュールの製造装置 |
-
2017
- 2017-01-16 CN CN201780078929.8A patent/CN110168743A/zh active Pending
- 2017-01-16 JP JP2018561774A patent/JP6656424B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-01-16 WO PCT/JP2017/001254 patent/WO2018131162A1/ja active Application Filing
- 2017-11-22 TW TW106140522A patent/TWI705659B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11267884A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュール用フラックスおよびクリームはんだ |
JP2011146482A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュールの製造装置及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2013211266A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-10-10 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | テープ状導電材料、太陽電池用インターコネクター及び太陽電池モジュール |
JP2014036069A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
CN105436730A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-30 | 宁夏小牛自动化设备有限公司 | 红外线加热焊接装置及其方法和串焊机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201841463A (zh) | 2018-11-16 |
CN110168743A (zh) | 2019-08-23 |
TWI705659B (zh) | 2020-09-21 |
WO2018131162A1 (ja) | 2018-07-19 |
JP6656424B2 (ja) | 2020-03-04 |
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