JPWO2018116418A1 - 半導体製造装置および半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2018116418A1 JPWO2018116418A1 JP2018557462A JP2018557462A JPWO2018116418A1 JP WO2018116418 A1 JPWO2018116418 A1 JP WO2018116418A1 JP 2018557462 A JP2018557462 A JP 2018557462A JP 2018557462 A JP2018557462 A JP 2018557462A JP WO2018116418 A1 JPWO2018116418 A1 JP WO2018116418A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- class
- thickness
- representative value
- value
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 215
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 117
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 80
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 49
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 59
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000010749 BS 2869 Class C1 Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B3/00—Measuring instruments characterised by the use of mechanical techniques
- G01B3/002—Details
- G01B3/004—Scales; Graduations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明の実施形態を説明する前に、前提技術におけるウエハ厚み算出方法を説明する。図15は、前提技術に係る厚み算出方法を説明するための測定値を示す図であり、図16は、前提技術に係る厚み算出方法を説明するために図15で示した測定値の同値頻度を示す図である。
<構成>
図1は本実施の形態1における半導体製造装置の厚み算出機能100の構成を示す図である。半導体製造装置は厚み測定対象であるウエハに半導体の製造のための処理を施す。ここで、半導体の製造のための処理とは、例えば、ウエハの主面に膜を形成する成膜処理、ウエハのエッチングを行うエッチング処理などである。また、ウエハは例えばシリコンウエハである。
図3は本実施の形態1における半導体製造装置の厚み算出機能100の動作を示すフローチャートである。図4は、本実施の形態における半導体製造装置或いは前工程の半導体製造装置でのエッチング処理によりトレンチ20が形成されたウエハ10の断面図である。図4に示すように、ウエハ10にはトレンチ20が形成されているため、ウエハ表面11とトレンチの底21とでウエハの厚みが異なる。
以上のように、本実施の形態1における厚み算出機能100およびウエハの厚みを算出する工程によれば、測定値に基づいて作成されたヒストグラムデータから階級グループを抽出し、階級グループに含まれる階級に基づいて測定領域の厚みの代表値を算出する。従って、他の階級グループの影響を受けずに、測定領域の厚みの代表値を得ることが可能である。
本実施の形態2における半導体製造装置の厚み算出機能100の構成は、実施の形態1(図1)と同じため、説明を省略する。
この算出方法によれば、ヒストグラムデータ作成部2が作成したヒストグラムデータにおいて、ウエハ表面におけるウエハの厚みを示す測定値が支配的である場合においても、ウエハ表面に形成されたトレンチの底におけるウエハの厚みを得ることが可能である。
本実施の形態3における半導体製造装置の厚み算出機能100の構成は、実施の形態1(図1)と同じため、説明を省略する。本実施の形態3において、代表値算出部4は、階級グループにおいて、度数が最も大きい階級の中央値を代表値とする。
この算出方法によれば、干渉している階級に度数が最も大きい階級が存在しなければ、干渉している階級が代表値となる可能性が無いため、階級グループ間での干渉が若干ある場合において有効な算出方法である。
本実施の形態4における半導体製造装置の厚み算出機能100の構成は、実施の形態1(図1)と同じため、説明を省略する。本実施の形態4において、代表値算出部4は、最も大きい階級を含む階級グループD1において、大きい階級側から度数が増から減に変化する境の階級の中央値、つまり、度数が5→6→5と変化している境の階級C1は80μmであり、その中央値である79.9μmを代表値とする。
この算出方法によれば、最も大きい階級を含む階級グループD1においては、大きい階級側から度数が増から減に変化する境の階級の中央値を代表値とし、最も小さい階級を含む階級グループD2においては、小さい階級側から度数が増から減に変化する境の階級の中央値を代表値としているので、増から減に変化する境が最初に現れた階級の中央値を代表値とすることになり、実施の形態3で示した度数が最も大きい階級の中央値を代表値とするよりも、さらに干渉が少ないと考えられる階級側で代表値を算出していることになり、階級グループ間での干渉が若干ある場合において有効な算出方法である。
本実施の形態5における半導体製造装置の厚み算出機能100の構成は、実施の形態1(図1)と同じため、説明を省略する。図9は、本実施の形態5における代表値算出部4の動作を説明するためにヒストグラムデータをグラフにした図である。
この算出方法によれば、最も大きい階級を含む階級グループD1よりも小さい階級側に広い階級範囲D11に含まれる階級に基づいて代表値を算出するので、階級グループ間での干渉はないものの裾引きが大きい場合に、より真値に近い値が得られることになる。
本実施の形態6における半導体製造装置の厚み算出機能100の構成は、実施の形態1(図1)と同じため、説明を省略する。図10は、本実施の形態6における代表値算出部4の動作を説明するためにヒストグラムデータをグラフにした図である。
この算出方法によれば、最も大きい階級を含む階級グループD1よりも小さい階級側に狭い階級範囲D12に含まれる階級に基づいて代表値を算出するので、階級グループ間で広く干渉していてもその範囲の階級を除外することにより干渉の影響を抑制できるようになる。
図11は、本実施の形態7における半導体製造装置の厚み算出機能200の構成を示す図である。本実施の形態7における厚み算出機能200は、厚み算出機能100(図1)に対してエッチング厚み判定部5をさらに備える。後述するように、エッチング厚み判定部5は、エッチング処理前後の測定領域の厚みの代表値に基づいて、予め定められた厚みにエッチングされたか否かを判定する。
エッチング処理前の厚みの代表値の分布、エッチング処理後の厚みの代表値の分布、厚みの代表値の差分の分布のそれぞれに関して、最大値、最小値、平均値、標準偏差を算出し、それらの値が予め設定された範囲内に収まっているか判定することにより、エッチングの品質を管理できるようになる。もちろん、エッチング処理前の厚みの代表値の分布の判定をエッチング処理(サブフローSF102:(e)エッチングする工程)の前に行うことで、対象外のウエハをエッチングしないようにもできる。
図13は、本実施の形態8における半導体製造装置の厚み算出機能300の構成を示す図である。本実施の形態8における厚み算出機能300は、厚み算出機能100(図1)に対して成膜厚み判定部6をさらに備える。後述するように、成膜厚み判定部6は、成膜処理前後の測定領域の厚みの代表値に基づいて、予め定められた厚みに成膜されたか否かを判定する。
成膜処理前の厚みの代表値の分布、成膜処理後の厚みの代表値の分布、厚みの代表値の差分の分布のそれぞれに関して、最大値、最小値、平均値、標準偏差を算出し、それらの値が予め設定された範囲内に収まっているか判定することにより、成膜の品質を管理できるようになる。もちろん、成膜処理前の厚みの代表値の分布の判定を成膜処理(サブフローSF202:(g)成膜する工程)の前に行うことで、対象外のウエハに成膜しないようにもできる。
Claims (32)
- ウエハに半導体の製造のための処理を施す半導体製造装置であって、
前記半導体製造装置は厚み算出機能を備え、
前記厚み算出機能は、
前記ウエハあるいは前記ウエハに形成された厚み測定対象の厚みを前記ウエハの表面に沿って測定する厚み測定機能から、前記ウエハの異なる測定位置における複数の測定値を取得する測定値取得部と、
前記複数の測定値に基づいてヒストグラムデータを作成するヒストグラムデータ作成部と、
前記ヒストグラムデータから階級グループを抽出する階級グループ抽出部と、
を備え、
前記階級グループとは、予め定められた度数以上の度数を有する連続した階級であり、
抽出された前記階級グループに含まれる階級に基づいて測定領域の厚みの代表値を算出する代表値算出部をさらに備える、
半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記代表値を最も大きい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出する、
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記代表値を最も小さい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出する、
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記代表値を最も大きい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出し、算出された前記代表値から予め定められた厚み値を減じた値を、最も小さい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出されるべき代表値の代替値として算出する、
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記代表値を最も小さい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出し、算出された前記代表値に予め定められた厚み値を加えた値を、最も大きい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出されるべき代表値の代替値として算出する、
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記階級グループにおいて、各階級の中央値に当該階級の度数を乗じた値の総和を、前記階級グループに含まれる度数の合計で除算して前記代表値とする、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記階級グループにおいて、最も大きい階級の中央値と最も小さい階級の中央値の平均値を前記代表値とする、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記階級グループにおいて、度数が最も大きい階級の中央値を前記代表値とする、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、最も大きい階級を含む前記階級グループにおいて、大きい階級側から度数が増から減に変化する境の階級の中央値を代表値とする、
請求項1、請求項2、請求項4のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、最も小さい階級を含む前記階級グループにおいて、小さい階級側から度数が増から減に変化する境の階級の中央値を代表値とする、
請求項1、請求項3、請求項5のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記階級グループに含まれる最も大きい階級から小さい階級側に新たに設定した、前記階級グループよりも小さい階級側に広い階級範囲に含まれる階級に基づいて、前記代表値を算出する、
請求項1、請求項2、請求項4のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記階級グループに含まれる最も小さい階級から大きい階級側に新たに設定した、前記階級グループよりも大きい階級側に広い階級範囲に含まれる階級に基づいて、前記代表値を算出する、
請求項1、請求項3、請求項5のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記階級グループに含まれる最も大きい階級から小さい階級側に新たに設定した、前記階級グループよりも小さい階級側に狭い階級範囲に含まれる階級に基づいて、前記代表値を算出する、
請求項1、請求項2、請求項4のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記代表値算出部は、前記階級グループに含まれる最も小さい階級から大きい階級側に新たに設定した、前記階級グループよりも大きい階級側に狭い階級範囲に含まれる階級に基づいて、前記代表値を算出する、
請求項1、請求項3、請求項5のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記厚み算出機能はエッチング厚み判定部をさらに備え、
前記測定値取得部は、エッチングが行われる前の前記厚み測定対象において測定された前記複数の測定値を取得し、
前記測定値取得部は、エッチングが行われた後の前記厚み測定対象において測定された前記複数の測定値を取得し、
前記代表値算出部は、エッチング処理前後の前記厚み測定対象のそれぞれにおいて、前記階級グループに含まれる階級に基づいて前記代表値を算出し、
前記エッチング厚み判定部は、エッチング処理前後の前記厚み測定対象の前記代表値に基づいて、前記厚み測定対象が予め定められた厚みにエッチングされたか否かを判定する、
請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記厚み算出機能は成膜厚み判定部をさらに備え、
前記測定値取得部は、成膜が行われる前の前記厚み測定対象において測定された前記複数の測定値を取得し、
前記測定値取得部は、成膜が行われた後の前記厚み測定対象において測定された前記複数の測定値を取得し、
前記代表値算出部は、成膜処理前後の前記厚み測定対象のそれぞれにおいて、前記階級グループに含まれる階級に基づいて前記代表値を算出し、
前記成膜厚み判定部は、成膜処理前後の前記厚み測定対象の前記代表値に基づいて、前記厚み測定対象が予め定められたように成膜されたか否かを判定する、
請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - ウエハに半導体の製造のための処理を施す半導体製造方法であって、
前記半導体製造方法は、厚みを算出する工程を備え、
前記厚みを算出する工程は、
(a)ウエハあるいは前記ウエハに形成された厚み測定対象の厚みを測定する厚み測定機能から、前記ウエハの異なる測定位置における複数の測定値を取得する工程と、
(b)前記複数の測定値に基づいてヒストグラムデータを作成する工程と、
(c)ヒストグラムデータから階級グループを抽出する工程と、
を備え、
前記階級グループとは、予め定められた度数以上の度数を有する連続した階級であり、
(d)抽出された前記階級グループに含まれる階級に基づいて測定領域の厚みの代表値を算出する工程をさらに備える、
半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記代表値を最も大きい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出する、
請求項17に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記代表値を最も小さい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出する、
請求項17に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記代表値を最も大きい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出し、算出された前記代表値から予め定められた厚み値を減じた値を、最も小さい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出されるべき代表値の代替値として算出する、
請求項17に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記代表値を最も小さい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出し、算出された前記代表値に予め定められた厚み値を加えた値を、最も大きい階級を含む前記階級グループに含まれる階級に基づいて算出されるべき代表値の代替値として算出する、
請求項17に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記階級グループにおいて、各階級の中央値に当該階級の度数を乗じた値の総和を、前記階級グループに含まれる度数の合計で除算して前記代表値とする、
請求項17から請求項21のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記階級グループにおいて、最も大きい階級の中央値と最も小さい階級の中央値の平均値を前記代表値とする、
請求項17から請求項21のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記階級グループにおいて、度数が最も大きい階級の中央値を前記代表値とする、
請求項17から請求項21のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、最も大きい階級を含む前記階級グループにおいて、大きい階級側から度数が増から減に変化する境の階級の中央値を代表値とする、
請求項17、請求項18、請求項20のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、最も小さい階級を含む前記階級グループにおいて、小さい階級側から度数が増から減に変化する境の階級の中央値を代表値とする、
請求項17、請求項19、請求項21のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記階級グループに含まれる最も大きい階級から小さい階級側に新たに設定した、前記階級グループよりも小さい階級側に広い階級範囲に含まれる階級に基づいて、前記代表値を算出する、
請求項17、請求項18、請求項20のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記階級グループに含まれる最も小さい階級から大きい階級側に新たに設定した、前記階級グループよりも大きい階級側に広い階級範囲に含まれる階級に基づいて、前記代表値を算出する、
請求項17、請求項19、請求項21のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記階級グループに含まれる最も大きい階級から小さい階級側に新たに設定した、前記階級グループよりも小さい階級側に狭い階級範囲に含まれる階級に基づいて、前記代表値を算出する、
請求項17、請求項18、請求項20のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記工程(d)において、前記階級グループに含まれる最も小さい階級から大きい階級側に新たに設定した、前記階級グループよりも大きい階級側に狭い階級範囲に含まれる階級に基づいて、前記代表値を算出する、
請求項17、請求項19、請求項21のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - (e)前記厚み測定対象をエッチングする工程をさらに備え、
前記厚み測定対象の厚みを算出する工程は、
(f)前記工程(e)の後に、前記厚み測定対象が予め定められた厚みにエッチングされたか否かを判定する工程をさらに備え、
前記工程(a)は、
(a1)エッチングされる前の前記厚み測定対象において測定された前記複数の測定値を取得する工程と、
(a2)エッチングされた後の前記厚み測定対象において測定された前記複数の測定値を取得する工程と、
を備え、
前記工程(d)において、エッチング処理前後の前記厚み測定対象のそれぞれにおいて、前記階級グループに含まれる階級に基づいて前記代表値を算出し、
前記工程(f)において、エッチング処理前後の前記厚み測定対象の前記代表値に基づいて、前記厚み測定対象が予め定められた厚みにエッチングされたか否かを判定する、
請求項17から請求項30のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - (g)前記厚み測定対象を成膜する工程をさらに備え、
前記厚み測定対象の厚みを算出する工程は、
(h)前記工程(g)の後に、前記厚み測定対象が予め定められた厚みに成膜されたか否かを判定する工程をさらに備え、
前記工程(a)は、
(a3)成膜される前の前記厚み測定対象において測定された前記複数の測定値を取得する工程と、
(a4)成膜された後の前記厚み測定対象において測定された前記複数の測定値を取得する工程と、
を備え、
前記工程(d)において、成膜処理前後の前記厚み測定対象のそれぞれにおいて、前記階級グループに含まれる階級に基づいて前記代表値を算出し、
前記工程(h)において、成膜処理前後の前記厚み測定対象の前記代表値に基づいて、前記厚み測定対象が予め定められた厚みに成膜されたか否かを判定する、
請求項17から請求項30のいずれか一項に記載の半導体製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/088158 WO2018116418A1 (ja) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018116418A1 true JPWO2018116418A1 (ja) | 2019-03-07 |
JP6667669B2 JP6667669B2 (ja) | 2020-03-18 |
Family
ID=62627021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018557462A Active JP6667669B2 (ja) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11069582B2 (ja) |
JP (1) | JP6667669B2 (ja) |
CN (1) | CN110073479B (ja) |
DE (1) | DE112016007534T5 (ja) |
WO (1) | WO2018116418A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6667669B2 (ja) * | 2016-12-21 | 2020-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002243417A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Toray Ind Inc | 糸条の形状特性の測定方法および測定装置並びに糸条の製造方法 |
JP2002261139A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体の製造方法およびそのシステム |
JP2003075124A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハの厚み測定装置 |
JP2006142737A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Mutoh Ind Ltd | プリンタ |
JP2013531227A (ja) * | 2010-05-18 | 2013-08-01 | マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ | 物体の厚さを干渉法により光学的に計測する方法及び装置 |
JP2013205175A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 3次元対象面認識装置および方法、ならびにプログラム |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0493044A (ja) | 1990-08-09 | 1992-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの厚さ測定装置 |
JP5275017B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-08-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
WO2011009159A1 (en) * | 2009-07-20 | 2011-01-27 | Bt Imaging Pty Ltd | Separation of doping density and minority carrier lifetime in photoluminescence measurements on semiconductor materials |
JP6667669B2 (ja) * | 2016-12-21 | 2020-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2020506541A (ja) * | 2017-01-23 | 2020-02-27 | テソロ・サイエンティフィック・インコーポレーテッド | 発光ダイオード(led)検査装置及び製造方法 |
-
2016
- 2016-12-21 JP JP2018557462A patent/JP6667669B2/ja active Active
- 2016-12-21 WO PCT/JP2016/088158 patent/WO2018116418A1/ja active Application Filing
- 2016-12-21 DE DE112016007534.0T patent/DE112016007534T5/de active Pending
- 2016-12-21 US US16/461,995 patent/US11069582B2/en active Active
- 2016-12-21 CN CN201680091640.5A patent/CN110073479B/zh active Active
-
2021
- 2021-04-20 US US17/235,053 patent/US20210242095A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002243417A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Toray Ind Inc | 糸条の形状特性の測定方法および測定装置並びに糸条の製造方法 |
JP2002261139A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体の製造方法およびそのシステム |
JP2003075124A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハの厚み測定装置 |
JP2006142737A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Mutoh Ind Ltd | プリンタ |
JP2013531227A (ja) * | 2010-05-18 | 2013-08-01 | マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ | 物体の厚さを干渉法により光学的に計測する方法及び装置 |
JP2013205175A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 3次元対象面認識装置および方法、ならびにプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190326185A1 (en) | 2019-10-24 |
CN110073479B (zh) | 2023-07-18 |
JP6667669B2 (ja) | 2020-03-18 |
WO2018116418A1 (ja) | 2018-06-28 |
US11069582B2 (en) | 2021-07-20 |
US20210242095A1 (en) | 2021-08-05 |
CN110073479A (zh) | 2019-07-30 |
DE112016007534T5 (de) | 2019-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8065109B2 (en) | Localized substrate geometry characterization | |
JP5793155B2 (ja) | 走査電子顕微鏡画像を用いた3次元マッピング | |
JP2009267159A (ja) | 半導体ウェーハの製造装置及び方法 | |
KR20140069352A (ko) | 신규 웨이퍼 지오메트리 메트릭을 이용한 오버레이 및 반도체 처리 제어 | |
JP4846635B2 (ja) | パターン情報生成方法 | |
TWI668733B (zh) | 使用干涉儀用於預測及控制在晶圓中之關鍵尺寸問題及圖案缺陷之方法與系統 | |
JP5963774B2 (ja) | 進歩したウェーハ表面ナノトポグラフィのためのオブジェクトに基づく計測方法及びシステム | |
TWI687897B (zh) | 用於圖案化晶圓量測之混合相展開系統及方法 | |
TWI603070B (zh) | 使用於複雜之圖案化結構的量測之方法及系統 | |
WO2018116418A1 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP5880134B2 (ja) | パターン計測方法およびパターン計測装置 | |
TW201432831A (zh) | 校正目標値的方法以及用來校正該目標値的處理系統 | |
JP5758423B2 (ja) | マスクレイアウトの作成方法 | |
US9194692B1 (en) | Systems and methods for using white light interferometry to measure undercut of a bi-layer structure | |
Renegar et al. | Stylus tip-size effect on the calibration of periodic roughness specimens with rectangular profiles | |
TW202336696A (zh) | 用於目標分割和計量的基於模板的影像處理 | |
TW202331277A (zh) | 藉由對取樣的結構元件的形狀分析來穩定取樣的製造製程 | |
KR20230093247A (ko) | 반도체 디바이스 제조 방법 및 반도체 제조 어셈블리를 위한 공정 제어 시스템 | |
TW202230203A (zh) | 用於計量的基於最佳化的圖像處理 | |
JP2007024502A (ja) | データ処理装置、およびデータ処理方法、データ処理プログラム | |
JP2011187713A (ja) | 合わせずれ誤差検査方法およびプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6667669 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |