JPWO2018097256A1 - 光ファイバ線路および光ファイバ線路製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に本願発明の実施形態の内容をそれぞれ個別に列挙して説明する。
以下、本実施形態に係る光ファイバ線路および光ファイバ線路製造方法の具体的な構造を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。また、図面の説明において同一の要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。
図6は、本実施形態のサンプルにおいて第1光ファイバとして用いられたファイバ1および比較例において用いられた比較ファイバそれぞれの諸元を纏めた表である。この表には、波長1550nmでのAeff、波長1550nmでのMFD、コアのGeO2濃度、第1クラッドのF濃度およびコア形状が示されている。ファイバ1は、図2に示された屈折率プロファイルを有し、クラッドに添加物が含まれている。比較ファイバは、図3に示された屈折率プロファイルを有し、コアに添加物が含まれている。
Claims (14)
- 第1光ファイバと、
前記第1光ファイバの端部に融着接続された端部を有する第2光ファイバと、
を備えた光ファイバ線路であって、
前記第1光ファイバは、シリカガラスを主成分とするとともに、第1コアと前記第1コアを取り囲む第1クラッドとを有する一方、前記第2光ファイバは、シリカガラスを主成分とするとともに、第2コアと前記第2コアを取り囲む第2クラッドとを有し、
当該光ファイバ線路は、前記第1光ファイバ側に設定された第1定常区間と、前記第2光ファイバ側に設定された第2定常区間と、前記第1および第2定常区間の間に位置し、当該光ファイバ線路の長手方向に沿ってモードフィールド径MFDが遷移する遷移区間と、を含み、
前記第1定常区間において、前記第1光ファイバは、波長1550nmにおいて90μm2以下の実効断面積Aeffと、前記長手方向に沿った変動幅が1.0μm未満であるモードフィールド径MFDと、を有し、
前記第1クラッドのうち前記第1コアに隣接する前記第1クラッドの内側領域は、4000〜15000ppmのフッ素を含み、
前記第2定常区間において、前記第2光ファイバは、前記波長1550nmにおいて100〜200μm2の実効断面積Aeffと、前記長手方向に沿った変動幅が1.0μm未満であるモードフィールド径MFDと、を有し、
前記遷移区間において、基底導波モードのデシベル表示での接続損失は、前記波長1550nmにおけるデシベル表示での理想突合せ損失の55%以下である、
光ファイバ線路。 - 前記第2クラッドは、フッ素を含み、
前記第2光ファイバにおいて、前記第2クラッドに対する前記第2コアの比屈折率差は、0.2%以上である、
請求項1に記載の光ファイバ線路。 - 前記第1クラッドの前記内側領域におけるフッ素濃度は、前記第2クラッドのうち前記第2コアに隣接する前記第2クラッドの内側領域のフッ素濃度より大きい、
請求項2に記載の光ファイバ線路。 - 前記第1クラッドの前記内側領域のフッ素濃度は、前記第2クラッドの前記内側領域のフッ素濃度の1.05倍より大きい、
請求項3に記載の光ファイバ線路。 - 前記遷移区間のうち前記第1光ファイバに設定された部分に含まれる、前記長手方向に沿った長さ50μmの任意区間において、前記第2光ファイバ側に位置する前記任意区間の端部におけるモードフィールド径MFDは、前記第1光ファイバ側に位置する前記任意区間の端部におけるモードフィールド径MFDの1.2倍以下である、
請求項1〜4の何れか一項に記載の光ファイバ線路。 - 前記第2光ファイバは、リングコア型の屈折率プロファイルを有する、
請求項1〜5の何れか一項に記載の光ファイバ線路。 - 前記遷移区間における前記第1および第2コアそれぞれのフッ素濃度は、コア中心から半径方向に連続的に増大している、
請求項1〜6の何れか一項に記載の光ファイバ線路。 - 前記長手方向に沿った前記遷移区間の長さは、1cm以下である、
請求項1〜7の何れか一項に記載の光ファイバ線路。 - 前記第1光ファイバは、前記第1クラッドを被覆するポリイミド樹脂層を有する、
請求項1〜8の何れか一項に記載の光ファイバ線路。 - 全長に亘り200kpsi以上の強度を有する、
請求項1〜9の何れか一項に記載の光ファイバ線路。 - 請求項1〜10の何れか一項に記載の光ファイバ線路を製造する光ファイバ線路製造方法であって、
第1光ファイバの端部と第2光ファイバの端部とを互いに対向させた状態で、前記第1光ファイバおよび前記第2光ファイバを融着機に配置する工程であって、前記第1光ファイバは、シリカガラスを主成分とし、第1コアと前記第1コアを取り囲む第1クラッドとを有し、波長1550nmにおいて90μm2以下の実効断面積Aeffおよび当該第1光ファイバの長手方向に沿った変動量が1.0μm未満であるモードフィールド径MFDを有し、前記第1クラッドのうち前記第1コアに隣接する内側領域は、4000〜15000ppmのフッ素を含み、第2光ファイバは、シリカガラスを主成分とし、第2コアと前記第2コアを取り囲む第2クラッドとを有し、波長1550nmにおいて100〜200μm2の実効断面積Aeffおよび当該第2光ファイバの長手方向に沿った変動量が1.0μm未満であるモードフィールド径MFDを有する、配置工程と、
前記第1光ファイバの端部と前記第2光ファイバの端部とを加熱により溶融させつつ互いに突き合わせることにより、前記第1光ファイバの端部と前記第2光ファイバの端部を一体化する融着工程と、
前記第1光ファイバの長手方向に沿って規定される前記第1光ファイバの一定範囲であって、前記第1および第2光ファイバの接続点を含む一定範囲を、更に加熱する追加加熱工程と、
を備えた光ファイバ線路製造方法。 - 前記追加加熱工程において、前記第1光ファイバの端部は、前記第1クラッドが溶けずかつフッ素が拡散する放電パワーで、50秒以上の時間に亘って放電加熱される、
請求項11に記載の光ファイバ線路製造方法。 - 前記追加加熱工程において、前記第1光ファイバの前記長手方向に沿った前記一定範囲の長さは、前記第1クラッドの直径の1倍以上である、
請求項11または12に記載の光ファイバ線路製造方法。 - 前記追加加熱工程において、前記一定範囲と加熱部を相対的に移動させることにより、前記一定範囲における加熱位置は、前記第1光ファイバの前記長手方向に沿って移動する、
請求項11〜13の何れか一項に記載の光ファイバ線路製造方法。
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