JPWO2018012174A1 - 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 258
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 187
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 386
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 155
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims abstract description 49
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 12
- 239000002609 medium Substances 0.000 claims description 11
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 59
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 43
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 34
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 29
- -1 2-Nitrobenzyl Ester Chemical class 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 15
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 10
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 10
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 7
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000417 fungicide Substances 0.000 description 4
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical group 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- GLVYLTSKTCWWJR-UHFFFAOYSA-N 2-carbonoperoxoylbenzoic acid Chemical compound OOC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O GLVYLTSKTCWWJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000685 Carr-Purcell-Meiboom-Gill pulse sequence Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N benzopyrazine Natural products N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N isethionic acid Chemical compound OCCS(O)(=O)=O SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N isocaproic acid Chemical compound CC(C)CCC(O)=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MPNNOLHYOHFJKL-UHFFFAOYSA-N peroxyphosphoric acid Chemical compound OOP(O)(O)=O MPNNOLHYOHFJKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OCC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXQGTIUCKGYOAA-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutanoic acid Chemical compound CCC(CC)C(O)=O OXQGTIUCKGYOAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100555 2-methyl-4-isothiazolin-3-one Drugs 0.000 description 1
- WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutyric acid Chemical compound CCC(C)C(O)=O WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(C)C(O)=O CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbutyric acid Chemical compound CC(C)(C)CC(O)=O MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 3-(5-amino-1h-indol-3-yl)-2-azaniumylpropanoate Chemical compound C1=C(N)C=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUUULVAMQJLDSY-UHFFFAOYSA-N 4,5-dihydro-1,2-thiazole Chemical compound C1CC=NS1 GUUULVAMQJLDSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100484 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one Drugs 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMQLKJBTEOYOSI-GPIVLXJGSA-N Inositol-hexakisphosphate Chemical compound OP(O)(=O)O[C@H]1[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H](OP(O)(O)=O)[C@H](OP(O)(O)=O)[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H]1OP(O)(O)=O IMQLKJBTEOYOSI-GPIVLXJGSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMQLKJBTEOYOSI-UHFFFAOYSA-N Phytic acid Natural products OP(O)(=O)OC1C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C1OP(O)(O)=O IMQLKJBTEOYOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N Purine Natural products N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYDQMRVDDPZFMM-UHFFFAOYSA-N [Ag+2] Chemical class [Ag+2] XYDQMRVDDPZFMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 1
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 1
- 239000004599 antimicrobial Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N barium peroxide Chemical compound [Ba+2].[O-][O-] ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N benzopyrrole Natural products C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 description 1
- DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N chloromethylisothiazolinone Chemical compound CN1SC(Cl)=CC1=O DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077239 chlorous acid Drugs 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- CEJLBZWIKQJOAT-UHFFFAOYSA-N dichloroisocyanuric acid Chemical compound ClN1C(=O)NC(=O)N(Cl)C1=O CEJLBZWIKQJOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical compound O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000855 fungicidal effect Effects 0.000 description 1
- JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N furazan Chemical class C=1C=NON=1 JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUILPNURFADTPE-UHFFFAOYSA-N hypobromous acid Chemical compound BrO CUILPNURFADTPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAUNBWYUJICUKP-UHFFFAOYSA-N hypoiodite Chemical compound I[O-] AAUNBWYUJICUKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003406 indolizinyl group Chemical class C=1(C=CN2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229940045996 isethionic acid Drugs 0.000 description 1
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N iso-quinoline Natural products C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N methylisothiazolinone Chemical compound CN1SC=CC1=O BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N peroxydisulfuric acid Chemical compound OS(=O)(=O)OOS(O)(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 235000002949 phytic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000467 phytic acid Substances 0.000 description 1
- 229940068041 phytic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000004892 pyridazines Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N sodium peroxide Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][O-] PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAXOELSVPTZZQG-UHFFFAOYSA-N tiglic acid Natural products CC(C)=C(C)C(O)=O UAXOELSVPTZZQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
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Abstract
本発明は、研磨対象物を高い研磨速度でかつ少ないスクラッチ(欠陥)で研磨できる研磨用組成物を提供する。本発明は、シリカと、分散媒と、を含む研磨用組成物であって、パルスNMRで測定した際の、下記式1:[ただし、R(silica)は、シリカの緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わし、およびR(medium)は、分散媒の緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わす]で求められる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下である、研磨用組成物に関する。
Description
本発明は、研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法に関する。
近年、半導体基板表面の多層配線化に伴い、デバイスを製造する際に、半導体基板を研磨して平坦化する、いわゆる、化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)技術が利用されている。CMPは、シリカやアルミナ、セリア等の砥粒、防食剤、界面活性剤などを含む研磨用組成物(スラリー)を用いて、半導体基板等の研磨対象物(被研磨物)の表面を平坦化する方法であり、研磨対象物(被研磨物)は、シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜(酸化ケイ素)、シリコン窒化物や、金属等からなる配線、プラグなどである。
例えば、酸化ケイ素などの酸素原子及びケイ素原子を含む基板を研磨するためのCMPスラリーとして、特表2001−507739号公報(米国特許第5759917号明細書に相当)では、塩、可溶性セリウム、カルボン酸、およびシリカ(特にヒュームドシリカ)を含む水性化学機械的研磨組成物が開示されている。また、特開2015−063687号公報(米国特許第9012327号明細書に相当)では、水、0.1〜40重量%のコロイダルシリカ粒子、および0.001〜5重量%の添加剤(ピリジン誘導体)を含む化学機械研磨組成物が開示されている。
しかしながら、特表2001−507739号公報(米国特許第5759917号明細書に相当)に記載の水性化学機械的研磨組成物によれば、基板の研磨速度は向上するものの、基板表面のスクラッチが多く発生するという問題がある。
また、特開2015−063687号公報(米国特許第9012327号明細書に相当)に記載の化学機械研磨組成物によれば、板表面のスクラッチは抑制されるものの、研磨速度が十分でないという問題がある。
このように、酸素原子とケイ素原子とを含む研磨対象物の研磨においては、研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減という、いわば相反する課題を解決することができる研磨用組成物が求められていた。
そこで、本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、研磨対象物(特に酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物)を高い研磨速度で研磨することができ、かつ該研磨対象物表面のスクラッチ(欠陥)を低減させることができる研磨用組成物を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記の問題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、研磨用組成物の比緩和速度を適切に制御することによって、上記課題が解決することを見出した。そして、上記知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
すなわち、上記目的は、シリカと、分散媒と、を含む研磨用組成物であって、パルスNMRで測定した際の、下記式1:
ただし、R(silica)は、シリカの緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わし、およびR(medium)は、分散媒の緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わす、
で求められる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下である、研磨用組成物によって達成できる。
で求められる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下である、研磨用組成物によって達成できる。
本発明の一形態は、シリカと、分散媒と、を含む研磨用組成物であって、パルスNMRで測定した際の、下記式1:
ただし、R(silica)は、シリカの緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わし、およびR(medium)は、分散媒の緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わす、
で求められる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下である、研磨用組成物である。このような構成を有する研磨用組成物は、研磨対象物(特に酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物)を高い研磨速度で研磨することができ、かつ該研磨対象物表面のスクラッチ(欠陥)を低減させることができる。
で求められる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下である、研磨用組成物である。このような構成を有する研磨用組成物は、研磨対象物(特に酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物)を高い研磨速度で研磨することができ、かつ該研磨対象物表面のスクラッチ(欠陥)を低減させることができる。
本明細書において、パルスNMRで測定した際の、上記式1で求められる比緩和速度(R2sp)を、単に「比緩和速度(R2sp)」、「比緩和速度」または「R2sp」とも称する。
従来、多層化の進む半導体デバイスにおいて、層間絶縁膜(例えば、SiO2膜)をより高い研磨速度で研磨する技術の開発が求められている。一般的に、砥粒が研磨対象物を研磨する機械的作用は下記のようなメカニズムによる。すなわち、図1に示されるように、砥粒が研磨対象物に接近する(図1中のa))。次に、砥粒が研磨対象物上で移動することによって、基板表面が掻き取られ(研磨され)(図1中のb))、最終的に砥粒が研磨対象物から脱離する(図1中のc))。上記作用のうち、従来、高研磨速度を達成するために、上記砥粒が研磨対象物に接近する工程(図1中のa))に着目し、砥粒の研磨対象物への接近および/または接触頻度を高めることで砥粒の作用による研磨を向上することが試みられてきた。砥粒の研磨対象物への接近および/または接触頻度を高める方法としては、例えば、砥粒数を増加させる、砥粒の大きさを大きくする、異形の砥粒を使用する、研磨対象物と符号が異なるゼータ電位を有する砥粒を使用する、塩を添加し砥粒と研磨対象物のゼータ電位の絶対値を小さくする、などの方法が提案されてきた。しかしながら、近年のより高い研磨速度の要求、さらにはスクラッチ(欠陥)の低減に対する要求を十分満足するためには、上記したような既存技術を単に組み合わせたのみでは困難であった。
上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討を行った。その結果、シリカ(砥粒)表面への分散媒の結合量が研磨速度の向上および欠陥の低減に有効であることに着目した。当該着目について、さらに鋭意検討を行った結果、砥粒表面への被膜量の指標となる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下という特定範囲にある研磨用組成物を使用することによって、高い研磨速度およびスクラッチ(欠陥)の低減を両立できることを見出した。なお、下記に詳述するように、比緩和速度(R2sp)は、砥粒表面への分散媒の結合量(ゆえに、砥粒表面に結合しない自由な分散媒の量)の指標であり、比緩和速度(R2sp)が高いことは砥粒表面への分散媒の結合量が多い(即ち、砥粒表面への被膜量や被膜厚が大きい)ことを意味する。
上記効果を奏する詳細なメカニズムは依然として不明であるが、以下のように考えられる。すなわち、シリカ(砥粒)および分散媒(溶媒)を含む研磨用組成物では、シリカ表面に分散媒が結合して、シリカは分散媒で被覆されている。例えば、シリカ及び水を含む研磨用組成物では、シリカ粒子表面に存在するシラノール基と水分子とが水素結合し、砥粒表面に水分子膜を形成する。この水分子膜が薄い(結合水量が少ない、ゆえに比緩和速度(R2sp)が小さい)ほど、シリカと研磨対象物との距離が短いため、シリカが研磨対象物に高頻度でかつ容易に接近、付着する。このため、より少量(低濃度)のシリカであっても、シリカが効率よく(高頻度で)研磨対象物に接近・付着し、研磨対象物表面を効率よく掻き取る(研磨する)。また、水分子膜が薄い(結合水量が少ない、ゆえに比緩和速度(R2sp)が小さい)場合には、シリカ粒子と研磨対象物表面との距離が短いため、シリカ表面のシラノール基と研磨対象物表面の分散媒とがより結合しやすい。例えば、シリカ及び水を含む研磨用組成物では、シリカ粒子表面のシラノール基が研磨対象物表面の水被膜と水素結合する。このため、シリカ粒子が研磨対象物表面に強固に保持され、シリカ粒子が研磨対象物表面を移動する時間が長くなる。ゆえに、シリカ粒子が研磨対象物から脱離するまでの時間が長いため、シリカ粒子は基板表面をより長時間(より効率よく)掻き取る(研磨する)。したがって、水分子膜が薄い(結合水量が少ない)と、研磨速度を向上できる。また、上述したようにシリカ粒子の研磨対象物表面への移動距離が長いため、その移動中に研磨対象物表面に存在するスクラッチを掻き取る(除去する)ことができる。このため、比緩和速度(R2sp)が小さいことにより、研磨速度を向上でき、また、スクラッチ(欠陥)を低減できる。一方、シリカ粒子表面の水被膜はシリカ粒子同士の凝集を抑制・防止するため、シリカ粒子が研磨対象物表面に接近・付着した際に発生するスクラッチ(欠陥)の大きさを低減できる。このため、シリカ粒子表面には、シリカ粒子同士の凝集を防げる程度の厚さの水分子被膜が存在することが好ましい。ゆえに、スクラッチ(欠陥)の低減の観点からは、水分子膜が一定の厚みを有する、すなわち、比緩和速度(結合水量)を一定範囲に制御することが好ましい。上記したような研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減との相反する効果の両立について鋭意検討を行った結果、比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下であれば、研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減をバランスよく両立できる。
したがって、本発明の一形態に係る研磨用組成物によると、研磨対象物を高研磨速度でかつ少ないスクラッチ(欠陥)で研磨できる。また、上述したように、本発明の研磨用組成物によれば、シリカ(砥粒)が研磨対象物に高頻度でかつ容易に接近・付着し、また、長時間研磨対象物表面に存在する。このため、本発明の一形態に係る研磨用組成物によると、より低濃度のシリカであっても、研磨対象物を高研磨速度でかつ少ないスクラッチ(欠陥)で研磨できるため、コストの観点からも好ましい。
以下、本発明を詳細に説明する。なお、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温(20〜25℃)/相対湿度40〜50%RHの条件で行う。
[研磨対象物]
本発明の一形態に係る研磨対象物は、特に制限されず、金属、酸素原子及びケイ素原子を有する研磨対象物、ケイ素−ケイ素結合を有する研磨対象物、窒素原子及びケイ素原子を有する研磨対象物などが挙げられる。
本発明の一形態に係る研磨対象物は、特に制限されず、金属、酸素原子及びケイ素原子を有する研磨対象物、ケイ素−ケイ素結合を有する研磨対象物、窒素原子及びケイ素原子を有する研磨対象物などが挙げられる。
金属としては、例えば、銅、アルミニウム、ハフニウム、コバルト、ニッケル、チタン、タングステン等が挙げられる。
酸素原子及びケイ素原子を有する研磨対象物としては、例えば、酸化ケイ素(SiO2)、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)等が挙げられる。
ケイ素−ケイ素結合を有する研磨対象物としては、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン、単結晶シリコン、n型ドープ単結晶シリコン、p型ドープ単結晶シリコン、SiGe等のSi系合金等が挙げられる。
窒素原子及びケイ素原子を有する研磨対象物としては、窒化ケイ素膜、SiCN(炭窒化ケイ素)等のケイ素−窒素結合を有する研磨対象物などが挙げられる。
これら材料は、単独で用いてもよいしまたは2種以上組み合わせて用いてもよい。
これらのうち、酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物である場合に、本発明による効果をより有効に発揮でき、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)を原料とした酸化ケイ素膜含む研磨対象物である場合に、本発明による効果をさらに有効に発揮できる。すなわち、本発明の好ましい形態によると、本発明の一形態に係る研磨用組成物は、酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物を研磨するために用いられる。本発明の特に好ましい形態によると、研磨対象物がオルトケイ酸テトラエチルを原料とした酸化ケイ素膜を含む基板である。
このため、本発明のその他の一形態は、酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物を、本発明の一形態に係る研磨用組成物を用いて研磨することを有する、研磨方法を提供するものである。また、本発明の好ましい形態によると、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)を原料とした酸化ケイ素膜を含む研磨対象物を、本発明の一形態に係る研磨用組成物を用いて研磨することを有する、研磨方法が提供される。そして、本発明のさらなる他の一形態は、本発明のその他の一形態に係る研磨方法を用いて、研磨対象物を研磨することを有する、研磨済研磨対象物の製造方法を提供するものである。
なお、本発明の一形態に係る研磨対象物は酸素原子とケイ素原子とを含む材料であることが好ましいが、この場合であっても、上記以外に他の材料を含んでいてもよい。他の材料の例としては、例えば、窒化ケイ素(SiN)、炭化ケイ素(SiC)、サファイア(Al2O3)、シリコンゲルマニウム(SiGe)等が挙げられる。
また、これらの研磨対象物は、本発明の一形態に係る研磨用組成物で研磨することができるものであれば、特に制限されないが、基板であることが好ましく、半導体基板であることがより好ましい。
[研磨用組成物]
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、シリカおよび分散媒を含み、比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下である。ここで、比緩和速度(R2sp)は、パルスNMRで測定した際の、下記式1:
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、シリカおよび分散媒を含み、比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下である。ここで、比緩和速度(R2sp)は、パルスNMRで測定した際の、下記式1:
で求められる。ここで、上記式1において、R(silica)は、シリカの緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わし、およびR(medium)は、分散媒の緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わす。
ここで、比緩和速度(R2sp)が1.60未満であると、シリカに結合する分散媒量が少なすぎて(シリカ粒子表面の水分子被膜が薄すぎて)、シリカ粒子同士が凝集して、研磨後の研磨対象物表面のスクラッチ(欠陥)を低減できない(下記比較例1参照)。また、シリカの凝集によって粒子の実個数も減少するため、研磨速度も低い。逆に、比緩和速度(R2sp)が4.20を超えると、シリカに結合する分散媒量が多すぎて(シリカ粒子表面の水分子被膜が厚すぎて)、シリカ粒子と研磨対象物表面との距離が離れすぎ、シリカと研磨対象物表面とが十分接近・付着できない。このため、シリカ粒子が研磨対象物表面に十分な時間存在できず、研磨効率(研磨速度)が低くなる(下記比較例2〜4参照)。また、シリカに結合した多くの分散媒が、研磨くず等と積極的に水素結合などをし、凝集体になることで研磨後の研磨対象物表面のスクラッチを低減できない。研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減のより高いバランスのとれた両立の観点から、比緩和速度(R2sp)の下限は、好ましくは2.00以上、より好ましくは2.50以上、より好ましくは3.00以上、さらに好ましくは3.50以上である。また、研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減のより高いバランスのとれた両立の観点から、比緩和速度(R2sp)の上限は、好ましくは4.15以下、より好ましくは4.15未満、さらに好ましくは4.10以下、よりさらに好ましくは4.00以下、特に好ましくは3.90以下、最も好ましくは3.80以下である。すなわち、比緩和速度(R2sp)は、好ましくは1.60以上4.15以下、より好ましくは2.00以上4.15未満、さらに好ましくは3.00以上4.10以下、よりさらに好ましくは3.00以上4.00以下、特に好ましくは3.50以上3.90以下、最も好ましくは3.50以上3.80以下である。このような範囲であれば、研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減をより高いバランスで両立できる。特に上記範囲であれば、研磨速度をより有効に向上できる。
本発明の一形態に係る研磨用組成物では、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間(ゆえに、シリカの緩和時間の逆数)や水の緩和時間(ゆえに、水の緩和時間の逆数)は、比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下であれば、特に制限されない。研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減のより高いバランスのとれた両立の観点から、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間の下限が、好ましくは460ミリ秒以上、より好ましくは470ミリ秒以上、さらに好ましくは475ミリ秒以上、よりさらに好ましくは480ミリ秒以上、特に好ましくは490ミリ秒以上、最も好ましくは500ミリ秒以上である。また、研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減のより高いバランスのとれた両立の観点から、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間の上限が、好ましくは900ミリ秒以下、より好ましくは800ミリ秒以下、さらに好ましくは600ミリ秒以下、特に好ましくは525ミリ秒以下である。すなわち、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間は、好ましくは460ミリ秒以上900ミリ秒以下、より好ましくは470ミリ秒以上800ミリ秒以下、さらに好ましくは475ミリ秒以上600ミリ秒以下、よりさらに好ましくは480ミリ秒以上600ミリ秒以下、特に好ましくは490ミリ秒以上600ミリ秒以下、最も好ましくは500ミリ秒以上525ミリ秒以下である。すなわち、本発明の好ましい形態によると、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間が、460ミリ秒以上900ミリ秒以下である。本発明のより好ましい形態によると、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間が、470ミリ秒以上800ミリ秒以下である。本発明のさらに好ましい形態によると、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間が、475ミリ秒以上600ミリ秒以下である。本発明のよりさらに好ましい形態によると、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間が、480ミリ秒以上600ミリ秒以下である。本発明の特に好ましい形態によると、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間が、490ミリ秒以上600ミリ秒以下である。本発明の最も好ましい形態によると、パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間が、500ミリ秒以上525ミリ秒以下である。このような範囲であれば、研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減をより高いバランスで両立できる。特に上記範囲であれば、研磨速度をより有効に向上できる。
ここで、比緩和速度(R2sp)は、シリカ粒子表面(シラノール基)に結合する分散媒の量(分散媒結合量)の指標である。一般的に、下記に示されるように、サンプルに電磁波を与えると、サンプル中のプロトンの核スピンは、向きの揃った励起状態となる。これが元のランダムな基底状態に戻るまでの過程を「緩和」と呼び、この時にかかった時間を「緩和時間」と呼ぶ。パルスNMRは、粒子表面に接触または吸着している溶媒(分散媒)分子と、シリカ表面に固定化されていない溶媒分子(粒子表面と接触していない自由な状態の溶媒分子)とでは、磁場の変化に対する応答が異なるため、緩和時間が異なることを応用した分析法である。粒子表面に吸着している液体分子(粒子表面に接触または吸着している溶媒分子)の運動は束縛されるが、シリカ表面に固定化されていない溶媒分子(粒子表面に吸着していない自由な状態の溶媒分子)は自由に運動できる。このため、粒子表面に吸着している液体分子の緩和時間は、シリカ表面に固定化されていない溶媒分子の緩和時間よりも短時間となる。
このため、本発明では、シリカ粒子表面のシラノール基に結合する水分子の量(砥粒表面の結合水量)を、緩和時間の差(即ち、比緩和速度)によって評価したものである。
本明細書では、比緩和速度(R2sp)および緩和時間は、以下の方法に従って、測定された値を採用する。
(研磨用組成物の緩和時間および比緩和速度(R2sp)の測定方法)
シリカ及び分散媒の緩和時間をパルスNMRによって測定する。詳細には、シリカ濃度を10質量%に調製した研磨用組成物(シリカ分散液)および分散媒を、それぞれ、NMR管に入れる。測定は次の条件に設定することで求める。パルスの印加の方法あるいは順序を示すパルス系列は、スピンエコー法においてパルスの位相を変えて信号を収集するCPMG法(Carr−Purcell Meiboom−Gill sequence)を用い、90°パルス印加から180°パルス印加にかかるまでの時間間隔τを0.5ミリ秒として、スキャンを4回行い、減衰の速さを示すT2を各々の試料で測定する。測定部を温調で25℃一定にした測定機(Xigo Nanotools社製、Acorn Drop)に、分散媒をいれたNMR管を測定部に入れ、分散媒の緩和時間(Tmedium(ミリ秒))を測定する。ここで、分散媒の緩和時間は、バルク液中の液体分子(粒子表面に吸着していない自由な状態の溶媒分子)の緩和時間に相当する。次いで、シリカ濃度を10質量%に調製した研磨用組成物(シリカ分散液)をいれたNMR管を測定部に入れ、シリカの緩和時間(Tsample(ミリ秒))を測定する。ここで、シリカの緩和時間は、粒子表面に吸着している液体分子(粒子表面に接触または吸着している溶媒分子)の緩和時間とバルク液中の液体分子(粒子表面に吸着していない自由な状態の溶媒分子)の緩和時間との合計時間に相当する。さらに、分散媒の緩和時間(Tmedium(ミリ秒))および、シリカの緩和時間(Tsample(ミリ秒))の逆数を求める(それぞれ、Rmedium(/ミリ秒)およびRsample(/ミリ秒))とする)。これらのRmedium(/ミリ秒)およびRsample(/ミリ秒))を用いて、下記式1により、比緩和速度(R2sp)を求める。
シリカ及び分散媒の緩和時間をパルスNMRによって測定する。詳細には、シリカ濃度を10質量%に調製した研磨用組成物(シリカ分散液)および分散媒を、それぞれ、NMR管に入れる。測定は次の条件に設定することで求める。パルスの印加の方法あるいは順序を示すパルス系列は、スピンエコー法においてパルスの位相を変えて信号を収集するCPMG法(Carr−Purcell Meiboom−Gill sequence)を用い、90°パルス印加から180°パルス印加にかかるまでの時間間隔τを0.5ミリ秒として、スキャンを4回行い、減衰の速さを示すT2を各々の試料で測定する。測定部を温調で25℃一定にした測定機(Xigo Nanotools社製、Acorn Drop)に、分散媒をいれたNMR管を測定部に入れ、分散媒の緩和時間(Tmedium(ミリ秒))を測定する。ここで、分散媒の緩和時間は、バルク液中の液体分子(粒子表面に吸着していない自由な状態の溶媒分子)の緩和時間に相当する。次いで、シリカ濃度を10質量%に調製した研磨用組成物(シリカ分散液)をいれたNMR管を測定部に入れ、シリカの緩和時間(Tsample(ミリ秒))を測定する。ここで、シリカの緩和時間は、粒子表面に吸着している液体分子(粒子表面に接触または吸着している溶媒分子)の緩和時間とバルク液中の液体分子(粒子表面に吸着していない自由な状態の溶媒分子)の緩和時間との合計時間に相当する。さらに、分散媒の緩和時間(Tmedium(ミリ秒))および、シリカの緩和時間(Tsample(ミリ秒))の逆数を求める(それぞれ、Rmedium(/ミリ秒)およびRsample(/ミリ秒))とする)。これらのRmedium(/ミリ秒)およびRsample(/ミリ秒))を用いて、下記式1により、比緩和速度(R2sp)を求める。
次に、本発明の一形態に係る研磨用組成物の構成について、詳細に説明する。
[シリカ(砥粒)]
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、シリカ(シリカ粒子)を砥粒として必須に含み、より好ましくはコロイダルシリカを砥粒として含む。すなわち、本発明の好ましい形態によると、シリカはコロイダルシリカである。コロイダルシリカの製造方法としては、ケイ酸ソーダ法、ゾルゲル法等が挙げられ、いずれの製造方法で製造されたコロイダルシリカでも好適に用いられる。しかしながら、金属不純物低減の観点から、高純度で製造できるゾルゲル法により製造されたコロイダルシリカが好ましい。
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、シリカ(シリカ粒子)を砥粒として必須に含み、より好ましくはコロイダルシリカを砥粒として含む。すなわち、本発明の好ましい形態によると、シリカはコロイダルシリカである。コロイダルシリカの製造方法としては、ケイ酸ソーダ法、ゾルゲル法等が挙げられ、いずれの製造方法で製造されたコロイダルシリカでも好適に用いられる。しかしながら、金属不純物低減の観点から、高純度で製造できるゾルゲル法により製造されたコロイダルシリカが好ましい。
ここで、シリカ(シリカ砥粒)の形状は、特に制限されず、球形状であってもよいし、非球形状であってもよい。非球形状の具体例としては、三角柱や四角柱などの多角柱状、円柱状、円柱の中央部が端部よりも膨らんだ俵状、円盤の中央部が貫通しているドーナツ状、板状、中央部にくびれを有するいわゆる繭型形状、複数の粒子が一体化しているいわゆる会合型球形状、表面に複数の突起を有するいわゆる金平糖形状、ラグビーボール形状等、種々の形状が挙げられ、特に制限されない。なお、シリカが球形状である場合の、シリカのアスペクト比(長径/短径)は、特に制限されないが、1.0以上1.2未満であることが好ましい。本明細書において、シリカ(砥粒)のアスペクト比は、FE−SEMによって測定された粒子像をランダムで300個抜き取り、アスペクト比を測定した値の平均値を採用する。
シリカ(シリカ砥粒)の大きさは特に制限されない。例えば、シリカが球形状である場合には、シリカ(砥粒)の平均一次粒子径は、5nm以上であることが好ましく、10nm以上であることがより好ましく、20nm以上であることがさらに好ましい。シリカの平均一次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度が向上する。また、シリカの平均一次粒子径は、200nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがより好ましく、50nm以下であることがさらに好ましい。シリカの平均一次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いた研磨により低欠陥で粗度の小さい表面を得ることが容易である。すなわち、シリカ(砥粒)の平均一次粒子径は、好ましくは5nm以上200nm以下、より好ましくは10nm以上100nm以下、特に好ましくは20nm以上50nm以下である。なお、シリカの平均一次粒子径(シリカ粒子(一次粒子)の直径)は、例えば、BET法から算出したシリカ粒子の比表面積(SA)を基に、シリカ粒子の形状が真球であると仮定して、算出することができる。本明細書では、シリカの平均一次粒子径は、下記実施例に記載の方法によって測定された値を採用する。
また、シリカ(シリカ砥粒)の平均二次粒子径は、25nm以上であることが好ましく、35nm以上であることがより好ましく、55nm以上であることがさらに好ましい。シリカの平均二次粒子径が大きくなるにつれて、研磨中の抵抗が小さくなり、安定的に研磨が可能になる。また、シリカ粒子の平均二次粒子径は、1μm以下であることが好ましく、500nm以下であることがより好ましく、100nm以下であることがさらに好ましい。コロイダルシリカ粒子の平均二次粒子径が小さくなるにつれて、コロイダルシリカ粒子の単位質量当たりの表面積が大きくなり、研磨対象物との接触頻度が向上し、研磨能率が向上する。すなわち、シリカ(砥粒)の平均二次粒子径は、好ましくは25nm以上1μm以下、より好ましくは35nm以上500nm以下、特に好ましくは55nm以上100nm以下である。本明細書では、シリカの平均二次粒子径は、下記実施例に記載の方法によって測定された値を採用する。なお、これらの値から算出される会合度(平均二次粒子径/平均一次粒子径)の値についても特に制限はなく、好ましくは1.5〜5.0程度である。
シリカ(砥粒)のシラノール基密度は、特に制限されないが、シリカのシラノール基密度(数)が比緩和速度(R2sp)の制御に重要な役割を果たす。詳細には、シリカのシラノール基密度(数)を上げると、比緩和速度(R2sp)が増加する。このため、研磨用組成物の比緩和速度(R2sp)の所定の範囲への制御しやすさなどを考慮すると、シリカのシラノール基密度は、5.0個/nm2以下であることが好ましく、3.0個/nm2以下であることがより好ましく、2.0個/nm2以下であることが特に好ましい。また、シリカのシラノール基密度の下限は、0.5個/nm2以上であることが好ましく、0.8個/nm2以上であることがより好ましく、1.0個/nm2以上であることが特に好ましい。すなわち、シリカ(砥粒)のシラノール基密度は、好ましくは0.5個/nm2以上5.0個/nm2以下、より好ましくは0.8個/nm2以上3.0個/nm2以下、特に好ましくは1.0個/nm2以上2.0個/nm2以下である。このようなシラノール基密度を有するシリカを用いることによって、研磨用組成物を所望の比緩和速度(R2sp)を有するようにより容易に制御できる。シリカ(砥粒)のシラノール基密度は、G.W.シアーズによるAnalytical Chemistry, vol.28, No.12, 1956, 1982〜1983に記載された中和滴定を用いたシアーズ法により算出することができる。本明細書では、シリカ(砥粒)のシラノール基密度は、下記実施例に記載の方法によって測定された値を採用する。
なお、砥粒の平均シラノール基密度と真密度とは反比例する。このため、シリカの真密度も比緩和速度(R2sp)の制御に重要な役割を果たす。なお、シリカのシラノール基密度が低いということは、シリカの真密度は高い(硬度が高い)ことを意味する。特にコロイダルシリカ(砥粒)は、製造方法(例えば、ゾル−ゲル法、珪酸ソーダ法など)によって異なる密度となる。また、一つの製造方法(例えば、ゾル−ゲル法)をとっても、反応温度や反応に要した時間などで空隙率は変化する。空隙率はシリカそのものの硬さに影響を与えると考えられるため、真密度を把握しておくことが好ましい。ここで、シリカ(砥粒)の真密度は、特に制限されないが、シリカのシラノール基密度と同様、比緩和速度(R2sp)の制御に重要な役割を果たす。このため、研磨用組成物の比緩和速度(R2sp)の所定の範囲への制御しやすさなどを考慮すると、シリカの真密度は、1.80g/cm3を超えることが好ましく、1.90g/cm3以上であることがより好ましく、2.00g/cm3以上であることが特に好ましい。ゆえに、本発明の好ましい形態によると、シリカは1.80g/cm3を超える真密度を有する。本発明のより好ましい形態によると、シリカは1.90g/cm3以上の真密度を有する。本発明の特に好ましい形態によると、シリカは2.0g/cm3以上の真密度を有する。また、シリカの真密度の上限は、2.20g/cm3以下であることが好ましく、2.18g/cm3以下であることがより好ましく、2.15g/cm3以下であることが特に好ましい。すなわち、シリカ(砥粒)の真密度は、好ましくは1.80g/cm3を超え2.20g/cm3以下、より好ましくは1.90g/cm3以上2.18g/cm3以下、特に好ましくは2.00g/cm3以上2.15g/cm3以下である。このような真密度を有するシリカを用いることによって、研磨用組成物を所望の比緩和速度(R2sp)を有するようにより容易に制御できる。本明細書では、シリカ(砥粒)の真密度は、下記実施例に記載の方法によって測定された値を採用する。
シリカ(砥粒)のBET比表面積は、特に制限されないが、60m2/g以上であることが好ましく、70m2/g以上であることがより好ましく、80m2/g以上であることがさらに好ましい。また、シリカのBET比表面積の上限は、120m2/g以下であることが好ましく、100m2/g以下であることがより好ましい。すなわち、シリカ(砥粒)のBET比表面積は、好ましくは60m2/g以上120m2/g以下、より好ましくは70m2/g以上120m2/g以下、さらに好ましくは80m2/g以上100m2/g以下である。本明細書では、シリカ(砥粒)のBET比表面積は、下記実施例に記載の方法によって測定された値を採用する。
さらに、シリカは、表面修飾されていてもよい。表面修飾したシリカを砥粒として用いる場合には、有機酸または有機アミンを固定化したコロイダルシリカが好ましく使用される。研磨用組成物中に含まれるコロイダルシリカの表面への有機酸または有機アミンの固定化は、例えばコロイダルシリカの表面に有機酸または有機アミンの官能基が化学的に結合することにより行われている。コロイダルシリカと有機酸または有機アミンを単に共存させただけではコロイダルシリカへの有機酸の固定化は果たされない。有機酸の一種であるスルホン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun. 246-247 (2003)に記載の方法で行うことができる。具体的には、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のチオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に過酸化水素でチオール基を酸化することにより、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。あるいは、カルボン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”, Chemistry Letters, 3, 228-229 (2000)に記載の方法で行うことができる。具体的には、光反応性2−ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。有機アミンの一種であるアルキルアミンをコロイダルシリカに固定するのであれば、特開2012−211080号公報に記載の方法で行うことができる。具体的には、3−アミノプロピルトリエトキシシラン等のアルキルアミン基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせることにより、有機アミンが表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。
シリカの大きさ(平均一次粒子径、平均二次粒子径、アスペクト比)、シラノール基密度、真密度、BET比表面積は、シリカ(砥粒)の製造方法の選択等により適切に制御することができる。
研磨用組成物は、シリカを砥粒として含む。ここで、シリカの含有量は、特に制限されない。しかし、上述したように、本発明の一形態に係る研磨用組成物であれば、少量(低濃度)のシリカであっても、シリカが効率よく研磨対象物に存在するため、研磨対象物表面を効率よく研磨できる。具体的には、シリカの含有量(濃度)は、研磨用組成物に対して、0.002質量%以上であることが好ましく、0.02質量%以上であることがより好ましく、0.1質量%以上であることがさらに好ましい。また、シリカの含有量の上限は、研磨用組成物に対して、8質量%未満であることが好ましく、5質量%以下であることがより好ましく、2質量%以下であることがさらに好ましい。すなわち、シリカの含有量は、研磨用組成物に対して、好ましくは0.002質量%以上8質量%未満、より好ましくは0.02質量%以上5質量%以下、さらに好ましくは0.1質量%以上2質量%以下である。このような範囲であれば、コストを抑えながら、研磨速度の向上およびスクラッチ(欠陥)の低減をバランスよく両立できる。なお、研磨用組成物が2種以上のシリカを含む場合には、シリカの含有量は、これらの合計量を意図する。
[分散媒]
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、各成分を分散するための分散媒を含む。分散媒としては、水;メタノール、エタノール、エチレングリコール等のアルコール類;アセトン等のケトン類等や、これらの混合物などが例示できる。これらのうち、分散媒としては水が好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態によると、分散媒は水を含む。本発明のより好ましい形態によると、分散媒は実質的に水からなる。なお、上記の「実質的に」とは、本発明の目的効果が達成され得る限りにおいて、水以外の分散媒が含まれ得ることを意図し、より具体的には、90質量%以上100質量%以下の水と0質量%以上10質量%以下の水以外の分散媒とからなり、好ましくは99質量%以上100質量%以下の水と0質量%以上1質量%以下の水以外の分散媒とからなる。最も好ましくは、分散媒は水である。他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましく、具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後、フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、各成分を分散するための分散媒を含む。分散媒としては、水;メタノール、エタノール、エチレングリコール等のアルコール類;アセトン等のケトン類等や、これらの混合物などが例示できる。これらのうち、分散媒としては水が好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態によると、分散媒は水を含む。本発明のより好ましい形態によると、分散媒は実質的に水からなる。なお、上記の「実質的に」とは、本発明の目的効果が達成され得る限りにおいて、水以外の分散媒が含まれ得ることを意図し、より具体的には、90質量%以上100質量%以下の水と0質量%以上10質量%以下の水以外の分散媒とからなり、好ましくは99質量%以上100質量%以下の水と0質量%以上1質量%以下の水以外の分散媒とからなる。最も好ましくは、分散媒は水である。他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましく、具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後、フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
本発明の一形態に係る研磨用組成物のpHは、特に制限されないが、組成物のpHが比緩和速度(R2sp)の制御に重要な役割を果たす。詳細には、組成物のpHを下げると、比緩和速度(R2sp)が増加する。このため、研磨用組成物の比緩和速度(R2sp)の所定の範囲への制御しやすさなどを考慮すると、研磨用組成物の25℃におけるpHは、7.5未満であることが好ましく、6.0未満であることがより好ましく、4.0以下であることが特に好ましい。ゆえに、本発明の好ましい形態によると、研磨用組成物は、25℃におけるpHが7.5未満である。なお、本明細書では、特記しない限り、「pH」は「25℃におけるpH」を意味する。また、研磨用組成物の25℃におけるpHの上限は、1.0以上であることが好ましく、2.0以上であることがより好ましく、3.0以上であることが特に好ましい。すなわち、研磨用組成物の25℃におけるpHは、好ましくは1.0以上7.5未満、より好ましくは2.0以上6.0未満、特に好ましくは3.0以上4.0以下である。このようなpHの研磨用組成物であれば、所望の比緩和速度(R2sp)を有するようにより容易に制御できる。また、シリカ(砥粒)を安定して分散できる。本明細書では、pHは、25℃でpHメータ(株式会社堀場製作所製 型番:LAQUA(登録商標))により測定される値を採用する。
上記pHは、pH調整剤を適量添加することにより、調整することができる。すなわち、研磨用組成物は、pH調整剤をさらに含んでもよい。ここで、研磨用組成物のpHを所望の値に調整するために必要に応じて使用されるpH調整剤は酸およびアルカリのいずれであってもよく、また、無機化合物および有機化合物のいずれであってもよい。酸の具体例としては、例えば、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸およびリン酸等の無機酸;ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、2−メチル酪酸、n−ヘキサン酸、3,3−ジメチル酪酸、2−エチル酪酸、4−メチルペンタン酸、n−ヘプタン酸、2−メチルヘキサン酸、n−オクタン酸、2−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸および乳酸などのカルボン酸、ならびにメタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびイセチオン酸等の有機硫酸、フィチン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸等の有機リン系の酸等の有機酸等が挙げられる。これらの中でも、乳酸が特に好ましい。本発明の好ましい形態では、研磨用組成物は7.5未満という比較的低いpHである。このため、研磨用組成物はさらに酸を含むことが好ましい。
アルカリの具体例としては、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、アンモニア、エチレンジアミンおよびピペラジンなどのアミン、ならびにテトラメチルアンモニウムおよびテトラエチルアンモニウムなどの第4級アンモニウム塩が挙げられる。これらpH調整剤は、単独でもまたは2種以上混合しても用いることができる。
[他の成分]
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、必要に応じて、酸化剤、金属防食剤、防腐剤、防カビ剤、水溶性高分子、難溶性の有機物を溶解するための有機溶媒等の他の成分をさらに含んでもよい。以下、好ましい他の成分である、酸化剤、金属防食剤、防腐剤、および防カビ剤について説明する。
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、必要に応じて、酸化剤、金属防食剤、防腐剤、防カビ剤、水溶性高分子、難溶性の有機物を溶解するための有機溶媒等の他の成分をさらに含んでもよい。以下、好ましい他の成分である、酸化剤、金属防食剤、防腐剤、および防カビ剤について説明する。
(酸化剤)
研磨用組成物に添加し得る酸化剤は、研磨対象物の表面を酸化する作用を有し、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度を向上させる。
研磨用組成物に添加し得る酸化剤は、研磨対象物の表面を酸化する作用を有し、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度を向上させる。
使用可能な酸化剤は、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、オゾン水、銀(II)塩、鉄(III)塩、過マンガン酸、クロム酸、重クロム酸、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、亜塩素酸、過塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過硫酸、ジクロロイソシアヌル酸およびそれらの塩等が挙げられる。これら酸化剤は、単独でもまたは2種以上混合して用いてもよい。
研磨用組成物中の酸化剤の含有量は0.1g/L以上であることが好ましく、より好ましくは1g/L以上であり、さらに好ましくは3g/L以上である。酸化剤の含有量が多くになるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度はより向上する。
研磨用組成物中の酸化剤の含有量はまた、200g/L以下であることが好ましく、より好ましくは100g/L以下であり、さらに好ましくは40g/L以下である。酸化剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、研磨使用後の研磨用組成物の処理、すなわち廃液処理の負荷を軽減することができる。また、酸化剤による研磨対象物表面の過剰な酸化が起こる虞を少なくすることもできる。
(金属防食剤)
研磨用組成物中に金属防食剤を加えることにより、研磨用組成物を用いた研磨で配線の脇に凹みが生じるのをより抑えることができる。また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシングが生じるのをより抑えることができる。
研磨用組成物中に金属防食剤を加えることにより、研磨用組成物を用いた研磨で配線の脇に凹みが生じるのをより抑えることができる。また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシングが生じるのをより抑えることができる。
使用可能な金属防食剤は、特に制限されないが、好ましくは複素環式化合物または界面活性剤である。複素環式化合物中の複素環の員数は特に限定されない。また、複素環式化合物は、単環化合物であってもよいし、縮合環を有する多環化合物であってもよい。該金属防食剤は、単独でもまたは2種以上混合して用いてもよい。また、該金属防食剤は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
金属防食剤として使用可能な複素環化合物の具体例としては、例えば、ピロール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物、ピリダジン化合物、ピリンジン化合物、インドリジン化合物、インドール化合物、イソインドール化合物、インダゾール化合物、プリン化合物、キノリジン化合物、キノリン化合物、イソキノリン化合物、ナフチリジン化合物、フタラジン化合物、キノキサリン化合物、キナゾリン化合物、シンノリン化合物、プテリジン化合物、チアゾール化合物、イソチアゾール化合物、オキサゾール化合物、イソオキサゾール化合物、フラザン化合物等の含窒素複素環化合物が挙げられる。
(防腐剤および防カビ剤)
本発明で用いられる防腐剤および防カビ剤としては、例えば、2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オンや5−クロロ−2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、およびフェノキシエタノール等が挙げられる。これら防腐剤および防カビ剤は、単独でもまたは2種以上混合して用いてもよい。
本発明で用いられる防腐剤および防カビ剤としては、例えば、2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オンや5−クロロ−2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、およびフェノキシエタノール等が挙げられる。これら防腐剤および防カビ剤は、単独でもまたは2種以上混合して用いてもよい。
[研磨用組成物の製造方法]
本発明の一形態に係る研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、砥粒、および必要に応じて他の成分を、分散媒中で、攪拌混合することにより得ることができる。すなわち、本発明の他の一形態は、パルスNMRで測定した際の、下記式1:
本発明の一形態に係る研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、砥粒、および必要に応じて他の成分を、分散媒中で、攪拌混合することにより得ることができる。すなわち、本発明の他の一形態は、パルスNMRで測定した際の、下記式1:
ただし、R(silica)は、シリカの緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わし、およびR(medium)は、分散媒の緩和時間の逆数(単位:/ミリ秒)を表わす、
で求められる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下となるように、シリカを分散媒と混合することを有する、研磨用組成物の製造方法をも提供するものである。ここで、上述したように、比緩和速度(R2sp)を1.60以上4.20以下に調節するために、種々の条件を制御すればよいが、特にシリカのシラノール基密度及び真密度ならびに組成物のpHを制御することが重要である。ゆえに、シリカのシラノール基密度及び組成物のpHの少なくとも一方(好ましくは双方)を上記好ましい範囲に制御することによって、比緩和速度(R2sp)を所望の値に設定することが特に好ましい。
で求められる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下となるように、シリカを分散媒と混合することを有する、研磨用組成物の製造方法をも提供するものである。ここで、上述したように、比緩和速度(R2sp)を1.60以上4.20以下に調節するために、種々の条件を制御すればよいが、特にシリカのシラノール基密度及び真密度ならびに組成物のpHを制御することが重要である。ゆえに、シリカのシラノール基密度及び組成物のpHの少なくとも一方(好ましくは双方)を上記好ましい範囲に制御することによって、比緩和速度(R2sp)を所望の値に設定することが特に好ましい。
各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、10〜40℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
[研磨方法および基板の製造方法]
上述のように、本発明の一形態に係る研磨用組成物は、酸素原子と、ケイ素原子と、を含む研磨対象物の研磨に特に好適に用いられる。よって、本発明のその他の一形態は、酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物を、本発明の一形態に係る研磨用組成物を用いて研磨することを有する、研磨方法を提供するものである。
上述のように、本発明の一形態に係る研磨用組成物は、酸素原子と、ケイ素原子と、を含む研磨対象物の研磨に特に好適に用いられる。よって、本発明のその他の一形態は、酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物を、本発明の一形態に係る研磨用組成物を用いて研磨することを有する、研磨方法を提供するものである。
研磨装置としては、研磨対象物を有する基板等を保持するホルダーと回転数を変更可能なモータ等とが取り付けてあり、研磨パッド(研磨布)を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。
前記研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、および多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤(プラテン)の回転速度は、10〜500rpmが好ましく、研磨対象物を有する基板にかける圧力(研磨圧力)は、0.5〜10psiが好ましい。研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に本発明の一形態に係る研磨用組成物で覆われていることが好ましい。
研磨終了後、基板を流水中で洗浄し、スピンドライヤ等により基板上に付着した水滴を払い落として乾燥させることにより、酸素原子とケイ素原子とを有する基板が得られる。
本発明の一形態に係る研磨用組成物は一液型であってもよいし、研磨用組成物の一部または全部を任意の混合比率で混合した二液型をはじめとする多液型であってもよい。また、研磨用組成物の供給経路を複数有する研磨装置を用いた場合、研磨装置上で研磨用組成物が混合されるように、予め調整された2つ以上の研磨用組成物を用いてもよい。
また、本発明の一形態に係る研磨用組成物は、原液の形態であってもよく、研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。研磨用組成物が二液型であった場合には、混合および希釈の順序は任意であり、例えば一方の組成物を水で希釈後それらを混合する場合や、混合と同時に水で希釈する場合、また、混合された研磨用組成物を水で希釈する場合等が挙げられる。
本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、特記しない限り、「%」および「部」は、それぞれ、「質量%」および「質量部」を意味する。また、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温(25℃)/相対湿度40〜50%RHの条件下で行われた。
なお、シリカ(砥粒)の平均一次粒子径(nm)、平均二次粒子径(nm)、シラノール基密度(個/nm2)、真密度(g/cm3)およびBET比表面積(m2/g)は、以下の方法により測定した。
[シリカの平均粒子径(nm)]
シリカ(砥粒)の平均一次粒子径(nm)は、0.2gのシリカサンプルについて、BET法で3〜5回連続で測定した値から算出したシリカ粒子の比表面積(SA)の平均値を基に、シリカ粒子の形状が真球であると仮定して算出した。なお、これらの値から、会合度(平均二次粒子径/平均一次粒子径)の値についても算出できる。
シリカ(砥粒)の平均一次粒子径(nm)は、0.2gのシリカサンプルについて、BET法で3〜5回連続で測定した値から算出したシリカ粒子の比表面積(SA)の平均値を基に、シリカ粒子の形状が真球であると仮定して算出した。なお、これらの値から、会合度(平均二次粒子径/平均一次粒子径)の値についても算出できる。
シリカ(砥粒)の平均二次粒子径(nm)は、シリカサンプルについて、動的光散乱式の粒子径分布測定装置(UPA−UT151、日機装株式会社製)を用いて測定した。まず、砥粒を純水中へ分散させ、ローディングインデックス(レーザーの散乱強度)が0.01である分散液を調製した。次いで、この分散液を用いて、UTモードでの体積平均粒子径Mvの値を3〜5回連続で測定し、得られた値の平均値を平均二次粒子径とした。
[シリカのシラノール基密度(個/nm2)]
シリカ(砥粒)のシラノール基密度(平均シラノール基密度)(個/nm2)は、G.W.シアーズによる Analytical Chemistry, vol.28, No.12, 1956, 1982〜1983に記載された中和滴定を用いたシアーズ滴定法により算出する。シアーズ滴定法は、コロイダルシリカメーカーがシラノール基の数を評価する際に一般的に使用される分析手法で、pH4からpH9まで変化させるのに必要な水酸化ナトリウム水溶液量から算出する方法である。
シリカ(砥粒)のシラノール基密度(平均シラノール基密度)(個/nm2)は、G.W.シアーズによる Analytical Chemistry, vol.28, No.12, 1956, 1982〜1983に記載された中和滴定を用いたシアーズ滴定法により算出する。シアーズ滴定法は、コロイダルシリカメーカーがシラノール基の数を評価する際に一般的に使用される分析手法で、pH4からpH9まで変化させるのに必要な水酸化ナトリウム水溶液量から算出する方法である。
具体的には、まず、固形分として1.50gのコロイダルシリカを200mlビーカーに採取し、約100mlの純水を加えてスラリーとした後、30gの塩化ナトリウムを添加して溶解する。次に、1N 塩酸を添加してスラリーのpHを約3.0〜3.5に調整した後、スラリーが150mlになるまで純水を加える。このスラリーに対して、自動滴定装置(平沼産業株式会社製、COM−1700)使用して、25℃で0.1N 水酸化ナトリウムを用いてpHが4.0になるよう調整し、さらに、pH滴定によってpHを4.0から9.0に上げるのに要した0.1N 水酸化ナトリウム溶液の容量V[L]を測定する。シラノール基密度(シラノール基の数)は、下記式2により算出できる。
[シリカの真密度(g/cm3)]
シリカ(砥粒)の真密度(g/cm3)は、下記方法によって測定される。詳細には、まず、るつぼにシリカ水溶液を固形分(シリカ)で約15gとなるよう入れ、市販のホットプレートを使用して、約200℃で水分を蒸発させる。さらに、シリカの空隙に残留した水分も除去するために、電気炉(アドバンテック株式会社製、焼成炉)にて300℃で1時間の熱処理を行い、処理後の乾燥シリカを乳鉢で擂り潰す。次に、あらかじめ精密天秤(株式会社エー・アンド・デイ製、GH−202)にて重量を測定した100ml比重瓶(Wa(g))に、上記にて作製した乾燥シリカを10g入れて重量を測定した(Wb(g))後、エタノールを20ml加えて、減圧したデシケータ内で30分間脱気する。その後、比重瓶内をエタノールで満たし、栓をして重量を測定する(Wc(g))。シリカの重量測定を終えた比重瓶は内容物を廃棄し、洗浄後にエタノールで満たし重量を測定する(Wd(g))。これらの重量と測定時のエタノールの温度(t(℃))から、式3および式4で真密度を算出する。
シリカ(砥粒)の真密度(g/cm3)は、下記方法によって測定される。詳細には、まず、るつぼにシリカ水溶液を固形分(シリカ)で約15gとなるよう入れ、市販のホットプレートを使用して、約200℃で水分を蒸発させる。さらに、シリカの空隙に残留した水分も除去するために、電気炉(アドバンテック株式会社製、焼成炉)にて300℃で1時間の熱処理を行い、処理後の乾燥シリカを乳鉢で擂り潰す。次に、あらかじめ精密天秤(株式会社エー・アンド・デイ製、GH−202)にて重量を測定した100ml比重瓶(Wa(g))に、上記にて作製した乾燥シリカを10g入れて重量を測定した(Wb(g))後、エタノールを20ml加えて、減圧したデシケータ内で30分間脱気する。その後、比重瓶内をエタノールで満たし、栓をして重量を測定する(Wc(g))。シリカの重量測定を終えた比重瓶は内容物を廃棄し、洗浄後にエタノールで満たし重量を測定する(Wd(g))。これらの重量と測定時のエタノールの温度(t(℃))から、式3および式4で真密度を算出する。
[シリカのBET比表面積(m2/g)]
シリカ(砥粒)の比表面積(m2/g)は、BET法を用いて測定する。詳細には、試料(シリカ)を105℃で12時間以上加温して水分を除去する。乾燥したシリカを乳鉢で擂り潰し、あらかじめ重量を測定したセル(Wa’(g))にシリカを約0.2g入れて重量を測定した(Wb’(g))後、5分以上、比表面積計(株式会社島津製作所製、flowsorb II 2300)の加温部で180℃に保温する。その後、測定部に装着し、脱気時の吸着面積(A[m2])を計測する。当該A値を用いて、下記式6により、比表面積SA[m2/g]を求める。
シリカ(砥粒)の比表面積(m2/g)は、BET法を用いて測定する。詳細には、試料(シリカ)を105℃で12時間以上加温して水分を除去する。乾燥したシリカを乳鉢で擂り潰し、あらかじめ重量を測定したセル(Wa’(g))にシリカを約0.2g入れて重量を測定した(Wb’(g))後、5分以上、比表面積計(株式会社島津製作所製、flowsorb II 2300)の加温部で180℃に保温する。その後、測定部に装着し、脱気時の吸着面積(A[m2])を計測する。当該A値を用いて、下記式6により、比表面積SA[m2/g]を求める。
<実施例1>
砥粒として砥粒1を準備した。砥粒1は、平均一次粒子径が35nm、平均二次粒子径が69nm、会合度が2.0、BET比表面積が68m2/g、シラノール基密度が2.3個/nm2、真密度が1.8g/cm3である球状のコロイダルシリカである。
砥粒として砥粒1を準備した。砥粒1は、平均一次粒子径が35nm、平均二次粒子径が69nm、会合度が2.0、BET比表面積が68m2/g、シラノール基密度が2.3個/nm2、真密度が1.8g/cm3である球状のコロイダルシリカである。
上記砥粒1を、組成物中の濃度が1質量%となるように、分散媒(純水)中で攪拌・分散させ、さらに、pH調整剤として乳酸を研磨用組成物のpHが4.0となるように加えることにより、研磨用組成物(研磨用組成物1−1)を作製した(混合温度:約25℃、混合時間:約10分)。なお、研磨用組成物(液温:25℃)のpHは、pHメータ(株式会社堀場製作所製 型番:LAQUA(登録商標))により確認した。
また、組成物中の砥粒1の濃度を10質量%とした以外は上記と同様にして、研磨用組成物(研磨用組成物1−2)を作製した。当該研磨用組成物1−2を用いて、下記方法に従って、コロイダルシリカ及び水の緩和時間を求め、さらにこれらの値に基づいて、比緩和速度(R2sp)を算出した。結果を下記表1に示す。
[研磨用組成物の緩和時間および比緩和速度(R2sp)]
コロイダルシリカ及び水の緩和時間をパルスNMRによって測定する。詳細には、研磨用組成物1−2(シリカ分散液)および水(分散媒)を、それぞれ、NMR管に入れる。測定は次の条件に設定することで求める。パルスの印加の方法あるいは順序を示すパルス系列は、スピンエコー法においてパルスの位相を変えて信号を収集するCPMG法(Carr−Purcell Meiboom−Gill sequence)を用い、90°パルス印加から180°パルス印加にかかるまでの時間間隔τを0.5ミリ秒として、スキャンを4回行い、減衰の速さを示すT2を各々の試料で測定する。測定部を温調で25℃一定にした測定機(Xigo Nanotools社製、Acorn Drop)に、水をいれたNMR管を測定部に入れ、水の緩和時間(Twater(ミリ秒))を測定する。次いで、研磨用組成物1−2をいれたNMR管を測定部に入れ、コロイダルシリカの緩和時間(Tsample(ミリ秒))を測定する。水の緩和時間(Twater(ミリ秒))および、コロイダルシリカの緩和時間(Tsample(ミリ秒))の逆数(それぞれ、Rwater(/ミリ秒)およびRsample(/ミリ秒))を用いて、下記式7により、比緩和速度(R2sp)を求める。
コロイダルシリカ及び水の緩和時間をパルスNMRによって測定する。詳細には、研磨用組成物1−2(シリカ分散液)および水(分散媒)を、それぞれ、NMR管に入れる。測定は次の条件に設定することで求める。パルスの印加の方法あるいは順序を示すパルス系列は、スピンエコー法においてパルスの位相を変えて信号を収集するCPMG法(Carr−Purcell Meiboom−Gill sequence)を用い、90°パルス印加から180°パルス印加にかかるまでの時間間隔τを0.5ミリ秒として、スキャンを4回行い、減衰の速さを示すT2を各々の試料で測定する。測定部を温調で25℃一定にした測定機(Xigo Nanotools社製、Acorn Drop)に、水をいれたNMR管を測定部に入れ、水の緩和時間(Twater(ミリ秒))を測定する。次いで、研磨用組成物1−2をいれたNMR管を測定部に入れ、コロイダルシリカの緩和時間(Tsample(ミリ秒))を測定する。水の緩和時間(Twater(ミリ秒))および、コロイダルシリカの緩和時間(Tsample(ミリ秒))の逆数(それぞれ、Rwater(/ミリ秒)およびRsample(/ミリ秒))を用いて、下記式7により、比緩和速度(R2sp)を求める。
<実施例2>
砥粒として砥粒2を準備した。砥粒2は、平均一次粒子径が32nm、平均二次粒子径が61nm、会合度が1.9、BET比表面積が90m2/g、シラノール基密度が1.5個/nm2、真密度が2.1g/cm3である球状のコロイダルシリカである。
砥粒として砥粒2を準備した。砥粒2は、平均一次粒子径が32nm、平均二次粒子径が61nm、会合度が1.9、BET比表面積が90m2/g、シラノール基密度が1.5個/nm2、真密度が2.1g/cm3である球状のコロイダルシリカである。
上記砥粒2を、組成物中の濃度が1質量%となるように、分散媒(純水)中で攪拌・分散させ、さらに、pH調整剤として乳酸を研磨用組成物のpHが5.0となるように加えることにより、研磨用組成物(研磨用組成物2−1)を作製した(混合温度:約25℃、混合時間:約10分)。なお、研磨用組成物(液温:25℃)のpHは、pHメータ(株式会社堀場製作所製 型番:LAQUA)により確認した。
また、組成物中の砥粒2の濃度を10質量%とした以外は上記と同様にして、研磨用組成物(研磨用組成物2−2)を作製した。当該研磨用組成物2−2を用いて、実施例1と同様にして、コロイダルシリカ及び水の緩和時間を求め、さらにこれらの値に基づいて、比緩和速度(R2sp)を算出した。結果を下記表1に示す。
<実施例3>
実施例2において、乳酸(pH調整剤)を研磨用組成物のpH(液温:25℃)が4.0になるように添加した以外は、実施例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒1の濃度が1質量%のものを研磨用組成物3−1と、および組成物中の砥粒1の濃度が10質量%のものを研磨用組成物3−2と、それぞれ、称する。
実施例2において、乳酸(pH調整剤)を研磨用組成物のpH(液温:25℃)が4.0になるように添加した以外は、実施例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒1の濃度が1質量%のものを研磨用組成物3−1と、および組成物中の砥粒1の濃度が10質量%のものを研磨用組成物3−2と、それぞれ、称する。
研磨用組成物3−2を用いて、実施例1と同様にして、コロイダルシリカ及び水の緩和時間を求め、さらにこれらの値に基づいて、比緩和速度(R2sp)を算出した。結果を下記表1に示す。
<実施例4>
実施例2において、乳酸(pH調整剤)を研磨用組成物のpH(液温:25℃)が3.0になるように添加した以外は、実施例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒1の濃度が1質量%のものを研磨用組成物4−1と、および組成物中の砥粒1の濃度が10質量%のものを研磨用組成物4−2と、それぞれ、称する。
実施例2において、乳酸(pH調整剤)を研磨用組成物のpH(液温:25℃)が3.0になるように添加した以外は、実施例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒1の濃度が1質量%のものを研磨用組成物4−1と、および組成物中の砥粒1の濃度が10質量%のものを研磨用組成物4−2と、それぞれ、称する。
研磨用組成物4−2を用いて、実施例1と同様にして、コロイダルシリカ及び水の緩和時間を求め、さらにこれらの値に基づいて、比緩和速度(R2sp)を算出した。結果を下記表1に示す。
<実施例5>
実施例2において、乳酸(pH調整剤)を研磨用組成物のpH(液温:25℃)が2.0になるように添加した以外は、実施例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒1の濃度が1質量%のものを研磨用組成物5−1と、および組成物中の砥粒1の濃度が10質量%のものを研磨用組成物5−2と、それぞれ、称する。
実施例2において、乳酸(pH調整剤)を研磨用組成物のpH(液温:25℃)が2.0になるように添加した以外は、実施例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒1の濃度が1質量%のものを研磨用組成物5−1と、および組成物中の砥粒1の濃度が10質量%のものを研磨用組成物5−2と、それぞれ、称する。
研磨用組成物5−2を用いて、実施例1と同様にして、コロイダルシリカ及び水の緩和時間を求め、さらにこれらの値に基づいて、比緩和速度(R2sp)を算出した。結果を下記表1に示す。
<比較例1>
実施例2において、乳酸を添加しなかった以外は、実施例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、このようにして得られた研磨用組成物のpH(液温:25℃)は、7.5であった。また、組成物中の砥粒1の濃度が1質量%のものを比較研磨用組成物1−1と、および組成物中の砥粒1の濃度が10質量%のものを比較研磨用組成物1−2と、それぞれ、称する。
実施例2において、乳酸を添加しなかった以外は、実施例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、このようにして得られた研磨用組成物のpH(液温:25℃)は、7.5であった。また、組成物中の砥粒1の濃度が1質量%のものを比較研磨用組成物1−1と、および組成物中の砥粒1の濃度が10質量%のものを比較研磨用組成物1−2と、それぞれ、称する。
比較研磨用組成物1−2を用いて、実施例1と同様にして、コロイダルシリカ及び水の緩和時間を求め、さらにこれらの値に基づいて、比緩和速度(R2sp)を算出した。結果を下記表1に示す。
<比較例2>
砥粒として砥粒3を準備した。砥粒3は、平均一次粒子径が35nm、平均二次粒子径が67nm、会合度が1.9、BET比表面積が78m2/g、平均シラノール基密度が5.7個/nm2、真密度が1.8g/cm3である繭型のコロイダルシリカである。
砥粒として砥粒3を準備した。砥粒3は、平均一次粒子径が35nm、平均二次粒子径が67nm、会合度が1.9、BET比表面積が78m2/g、平均シラノール基密度が5.7個/nm2、真密度が1.8g/cm3である繭型のコロイダルシリカである。
上記砥粒3を、組成物中の濃度が1質量%となるように、分散媒(純水)中で攪拌・分散させ、研磨用組成物(比較研磨用組成物2−1)を作製した(混合温度:約25℃、混合時間:約10分)。なお、得られた研磨用組成物のpH(液温:25℃)は、7.5であった。
また、組成物中の濃度を10質量%とした以外は上記と同様にして、研磨用組成物(比較研磨用組成物2−2)を作製した。当該比較研磨用組成物2−2を用いて、実施例1と同様にして、コロイダルシリカ及び水の緩和時間を求め、さらにこれらの値に基づいて、比緩和速度(R2sp)を算出した。結果を下記表1に示す。
<比較例3>
比較例2において、pH調整剤として乳酸を研磨用組成物のpHが4.0となるように加えた以外は、比較例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒3の濃度が1質量%のものを比較研磨用組成物3−1と、および組成物中の砥粒3の濃度が10質量%のものを比較研磨用組成物3−2と、それぞれ、称する。
比較例2において、pH調整剤として乳酸を研磨用組成物のpHが4.0となるように加えた以外は、比較例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒3の濃度が1質量%のものを比較研磨用組成物3−1と、および組成物中の砥粒3の濃度が10質量%のものを比較研磨用組成物3−2と、それぞれ、称する。
比較研磨用組成物3−2を用いて、実施例1と同様にして、コロイダルシリカ及び水の緩和時間を求め、さらにこれらの値に基づいて、比緩和速度(R2sp)を算出した。結果を下記表1に示す。
<比較例4>
比較例2において、pH調整剤として乳酸を研磨用組成物のpHが3.0となるように加えた以外は、比較例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒3の濃度が1質量%のものを比較研磨用組成物4−1と、および組成物中の砥粒3の濃度が10質量%のものを比較研磨用組成物4−2と、それぞれ、称する。
比較例2において、pH調整剤として乳酸を研磨用組成物のpHが3.0となるように加えた以外は、比較例2と同様にして、研磨用組成物を作製した。なお、組成物中の砥粒3の濃度が1質量%のものを比較研磨用組成物4−1と、および組成物中の砥粒3の濃度が10質量%のものを比較研磨用組成物4−2と、それぞれ、称する。
比較研磨用組成物4−2を用いて、実施例1と同様にして、コロイダルシリカ及び水の緩和時間を求め、さらにこれらの値に基づいて、比緩和速度(R2sp)を算出した。結果を下記表1に示す。
上記実施例1〜5で得られた研磨用組成物1−1、2−1、3−1、4−1及び5−1ならびに比較例1〜4で得られた比較研磨用組成物1−1、2−1、3−1及び4−1について、下記方法に従って、研磨速度および欠陥(スクラッチ数)を評価した。これらの結果を下記表1に示す。なお、下記表1において、「TEOS RR」は研磨速度を意味する。
[研磨速度]
上記で得られた各研磨用組成物を用いて、研磨対象物(TEOS基板)を以下の研磨条件で研磨した際の研磨速度(TEOS RR)を測定した。
上記で得られた各研磨用組成物を用いて、研磨対象物(TEOS基板)を以下の研磨条件で研磨した際の研磨速度(TEOS RR)を測定した。
(研磨条件)
研磨機:小型卓上研磨機(日本エンギス株式会社製、EJ380IN)
研磨パッド:硬質ポリウレタン製パッド(ニッタ・ハース株式会社製、IC1000)
プラテン(定盤)回転速度:60[rpm]
ヘッド(キャリア)回転速度:60[rpm]
研磨圧力:3.0[psi]
研磨用組成物(スラリー)の流量:100[ml/min]
研磨時間:1[min]
研磨速度(研磨レート)は、研磨対象物の研磨前後の膜厚を光干渉式膜厚測定装置(株式会社SCREENホールディングス製、ラムダエースVM2030)によって求めて、その差を研磨時間で除することにより評価した(下記式参照)。
研磨機:小型卓上研磨機(日本エンギス株式会社製、EJ380IN)
研磨パッド:硬質ポリウレタン製パッド(ニッタ・ハース株式会社製、IC1000)
プラテン(定盤)回転速度:60[rpm]
ヘッド(キャリア)回転速度:60[rpm]
研磨圧力:3.0[psi]
研磨用組成物(スラリー)の流量:100[ml/min]
研磨時間:1[min]
研磨速度(研磨レート)は、研磨対象物の研磨前後の膜厚を光干渉式膜厚測定装置(株式会社SCREENホールディングス製、ラムダエースVM2030)によって求めて、その差を研磨時間で除することにより評価した(下記式参照)。
[欠陥(スクラッチ数)]
上記で得られた各研磨用組成物を用いて、下記方法に従って、欠陥(スクラッチ数)を評価した。詳細には、研磨対象物表面のスクラッチの個数は、ケーエルエー・テンコール(KLA−TENCOR)株式会社製の欠陥検出装置(ウエハ検査装置)“Surfscan(登録商標) SP2”を用いて、ウエハ全面(ただし外周2mmは除く)上の0.13μm以上の欠陥を検出した。検出した欠陥を、Review−SEM(RS−6000、株式会社日立ハイテクノロジーズ製)で全数観察することで、欠陥(スクラッチ)数を集計した。得られた欠陥(スクラッチ)数を下記の判断基準に従って評価した。
上記で得られた各研磨用組成物を用いて、下記方法に従って、欠陥(スクラッチ数)を評価した。詳細には、研磨対象物表面のスクラッチの個数は、ケーエルエー・テンコール(KLA−TENCOR)株式会社製の欠陥検出装置(ウエハ検査装置)“Surfscan(登録商標) SP2”を用いて、ウエハ全面(ただし外周2mmは除く)上の0.13μm以上の欠陥を検出した。検出した欠陥を、Review−SEM(RS−6000、株式会社日立ハイテクノロジーズ製)で全数観察することで、欠陥(スクラッチ)数を集計した。得られた欠陥(スクラッチ)数を下記の判断基準に従って評価した。
(スクラッチ判断基準)
◎:0.13μm以上の欠陥が20個以下
○:0.13μm以上の欠陥が21個以上30個以下
△:0.13μm以上の欠陥31個以上50個以下
×:0.13μm以上の欠陥51個以上
◎:0.13μm以上の欠陥が20個以下
○:0.13μm以上の欠陥が21個以上30個以下
△:0.13μm以上の欠陥31個以上50個以下
×:0.13μm以上の欠陥51個以上
上記表1から明らかなように、実施例の研磨用組成物は、比較例の研磨用組成物に比べて、TEOS基板の研磨速度をより向上させ、かつTEOS基板表面のスクラッチも低減させうることが分かる。
本出願は、2016年7月15日に出願された日本特許出願番号2016−140613号および2016年11月18日に出願された日本特許出願番号2016−224956号に基づいており、その開示内容は、参照により全体として組み入れられている。
Claims (9)
- シリカと、分散媒と、を含む研磨用組成物であって、
パルスNMRで測定した際の、下記式1:
で求められる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下である、研磨用組成物。 - パルスNMRで測定した際の、シリカの緩和時間が、460ミリ秒以上900ミリ秒以下である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記シリカはコロイダルシリカである、請求項1または2に記載の研磨用組成物。
- 前記分散媒は水を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 25℃におけるpHが7.5未満である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記シリカは1.90g/cm3以上の真密度を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物を研磨するために用いられる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- パルスNMRで測定した際の、下記式1:
で求められる比緩和速度(R2sp)が1.60以上4.20以下となるように、シリカを分散媒と混合することを有する、研磨用組成物の製造方法。 - 酸素原子およびケイ素原子を含む研磨対象物を、請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨用組成物を用いて研磨することを有する、研磨方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016140613 | 2016-07-15 | ||
JP2016140613 | 2016-07-15 | ||
JP2016224956 | 2016-11-18 | ||
JP2016224956 | 2016-11-18 | ||
PCT/JP2017/021692 WO2018012174A1 (ja) | 2016-07-15 | 2017-06-12 | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018012174A1 true JPWO2018012174A1 (ja) | 2019-06-13 |
Family
ID=60952924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018527455A Pending JPWO2018012174A1 (ja) | 2016-07-15 | 2017-06-12 | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190256742A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2018012174A1 (ja) |
TW (1) | TW201807153A (ja) |
WO (1) | WO2018012174A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018179061A1 (ja) | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 |
JP6708994B2 (ja) | 2017-03-27 | 2020-06-10 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
SG11202008797WA (en) | 2018-03-22 | 2020-10-29 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing liquid, polishing liquid set, and polishing method |
WO2020021680A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
EP3876264A4 (en) * | 2018-11-01 | 2022-07-20 | Nissan Chemical Corporation | POLISHING COMPOSITION WITH HIGH WATER AFFINITY POLISHING PARTICLES |
CN114026195A (zh) * | 2019-06-27 | 2022-02-08 | 日产化学株式会社 | 含有碱性物质的使用了亲水性高的研磨粒子的研磨用组合物 |
CN113912070A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-01-11 | 湖北鼎龙控股股份有限公司 | 一种硅溶胶及其制备方法 |
JP7110504B1 (ja) * | 2021-12-23 | 2022-08-01 | 扶桑化学工業株式会社 | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
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2017
- 2017-06-12 JP JP2018527455A patent/JPWO2018012174A1/ja active Pending
- 2017-06-12 WO PCT/JP2017/021692 patent/WO2018012174A1/ja active Application Filing
- 2017-06-12 US US16/317,383 patent/US20190256742A1/en not_active Abandoned
- 2017-06-30 TW TW106122070A patent/TW201807153A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018012174A1 (ja) | 2018-01-18 |
US20190256742A1 (en) | 2019-08-22 |
TW201807153A (zh) | 2018-03-01 |
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