JPWO2018008414A1 - エポキシ樹脂とその硬化物 - Google Patents

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Abstract

誘電率及び誘電正接が極めて低い特徴を有するエポキシ樹脂、これを含有する硬化性樹脂組成物とその硬化物、プリント配線基板及び半導体封止材料を提供すること。フェノール性水酸基含有化合物(a1)と芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)とのエステル化物(A)と、2官能エポキシ化合物(B)とを必須の反応原料とすることを特徴とするエポキシ樹脂、これを含有する硬化性樹脂組成物とその硬化物、プリント配線基板及び半導体封止材料。

Description

本発明は、耐熱性に優れ誘電正接が極めて低い特徴を有するエポキシ樹脂、これを含有する硬化性樹脂組成物とその硬化物、プリント配線基板及び半導体封止材料に関する。
半導体や多層プリント基板等に用いられる絶縁材料の技術分野では、各種電子部材の動作温度の上昇や信号の高速化及び高周波数化に伴い、これらの市場動向に合わせた新たな樹脂材料の開発が求められている。例えば、電子部材の動作温度の上昇に伴い、耐熱性が高い樹脂材料の開発が進められている。また、信号の高速化及び高周波数化に伴う発熱等のエネルギー損失を低減させるため、誘電正接が低い樹脂材料の開発が進められている。
誘電正接が比較的低い樹脂材料として、例えば、ビフェノールジグリシジルエーテル等のエポキシ樹脂と、ジアセトキシジフェニル等のエステル化合物とを反応させて得られる、重量平均分子量(Mw)5,000〜200,000の高分子量エポキシ樹脂が知られている(下記特許文献1参照)。特許文献1記載のエポキシ樹脂は従来の樹脂材料と比較すると誘電正接が低い特徴を有するが、昨今の市場要求レベルを満たすものではなく、耐熱性においては低いものであった。
特開2016−89165号公報
従って、本発明が解決しようとする課題は、耐熱性に優れ誘電正接が極めて低い特徴を有するエポキシ樹脂、これを含有する硬化性樹脂組成物とその硬化物、プリント配線基板及び半導体封止材料を提供することにある。
本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、フェノール性水酸基含有化合物と芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物とのエステル化物と、2官能エポキシ化合物とを必須の反応原料とするエポキシ樹脂が、耐熱性に優れ誘電正接が極めて低い特徴を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、フェノール性水酸基含有化合物(a1)と芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)とのエステル化物(A)と、2官能エポキシ化合物(B)とを必須の反応原料とすることを特徴とするエポキシ樹脂に関する。
本発明は更に、前記エポキシ樹脂と、硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物に関する。
本発明は更に、前記硬化性樹脂組成物の硬化物に関する。
本発明は更に、前記硬化性樹脂組成物を用いてなるプリント配線基板に関する。
本発明は更に、前記硬化性樹脂組成物を用いてなる半導体封止材料に関する。
本発明によれば、耐熱性に優れ誘電正接が極めて低い特徴を有するエポキシ樹脂、これを含有する硬化性樹脂組成物とその硬化物、プリント配線基板及び半導体封止材料を提供することができる。
図1は、実施例1で得られたエポキシ樹脂(1)のGPCチャート図である。 図2は、実施例2で得られたエポキシ樹脂(2)のGPCチャート図である。 図3は、実施例3で得られたエポキシ樹脂(3)のGPCチャート図である。 図4は、実施例4で得られたエポキシ樹脂(4)のGPCチャート図である。 図5は、実施例5で得られたエポキシ樹脂(5)のGPCチャート図である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のエポキシ樹脂は、フェノール性水酸基含有化合物(a1)と芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)とのエステル化物(A)と、2官能エポキシ化合物(B)とを必須の反応原料とすることを特徴とする。
前記フェノール性水酸基含有化合物(a1)は、芳香環上に水酸基を有する芳香族化合物であれば何れの化合物でもよく、その他の具体構造は特に限定されない。本発明では、フェノール性水酸基含有化合物(a1)は一種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を併用して用いてもよい。前記フェノール性水酸基含有化合物(a1)は、具体的には、フェノール、ナフトール、アントラセノール、これらの芳香核上に一つ乃至複数の置換基を有する化合物が挙げられる。芳香核上の置換基は、例えば、メチル基、エチル基、ビニル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、シクロへキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基等の脂肪族炭化水素基;メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;フェニル基、ナフチル基、アントリル基、及びこれらの芳香核上に前記脂肪族炭化水素基やアルコキシ基、ハロゲン原子等が置換したアリール基;フェニルメチル基、フェニルエチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、及びこれらの芳香核上に前記脂肪族炭化水素基やアルコキシ基、ハロゲン原子等が置換したアラルキル基等が挙げられる。
これらの中でも、誘電正接が一層低いエポキシ樹脂となることからナフトール化合物が好ましく、1−ナフトール又は2−ナフトールが特に好ましい。
前記芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)は、前記フェノール性水酸基含有化合物(a1)が有するフェノール性水酸基と反応してエステル化物(A)を生成し得る芳香族化合物であれば具体構造は特に限定されず、何れの化合物であっても良い。また、芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)は一種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を併用して用いてもよい。前記芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)の具体例としては、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸等のベンゼンジカルボン酸、トリメリット酸等のベンゼントリカルボン酸、ナフタレン−1,4−ジカルボン酸、ナフタレン−2,3−ジカルボン酸、ナフタレン−2,6−ジカルボン酸、ナフタレン−2,7−ジカルボン酸等のナフタレンジカルボン酸、これらの酸ハロゲン化物、及びこれらの芳香核上に前記脂肪族炭化水素基やアルコキシ基、ハロゲン原子等が置換した化合物等が挙げられる。酸ハロゲン化物は、例えば、酸塩化物、酸臭化物、酸フッ化物、酸ヨウ化物等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。中でも、誘電正接が一層低いエポキシ樹脂となることから、イソフタル酸やテレフタル酸等のベンゼンジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物が好ましい。
前記フェノール性水酸基含有化合物(a1)と前記芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)とを反応させてエステル化物(A)を得る反応は、例えば、アルカリ触媒の存在下、40〜65℃程度の温度条件下で加熱撹拌する方法により行うことができる。反応は必要に応じて有機溶媒中で行っても良い。また、反応終了後は所望に応じて、水洗や再沈殿等により反応生成物を精製しても良い。
前記アルカリ触媒は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。また、3.0〜30%程度の水溶液として用いても良い。中でも、触媒能の高い水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムが好ましい。
前記有機溶媒は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル溶媒、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上の混合溶媒としても良い。
前記フェノール性水酸基含有化合物(a1)と前記芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)との反応割合は、目的のエステル化物(A)を高収率で得られることから、前記芳香族ポリカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)が有するカルボキシル基又は酸ハライド基の合計1モルに対し、前記フェノール性水酸基含有化合物(a1)が0.95〜1.05モルとなる割合であることが好ましい。
前記2官能エポキシ化合物(B)は、分子構造中に2つのエポキシ基を有する化合物であれば、その他の具体構造や官能基の有無等は特に限定されず、何れの化合物であっても良い。また、2官能エポキシ化合物(B)は一種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を併用して用いてもよい。
前記2官能エポキシ化合物(B)が有するエポキシ基とは下記構造式(1)で表されるオキシラン構造のことであり、エポキシ基の具体例としては、グリシジルエーテル基や、エポキシシクロヘキシル基等が挙げられる。
Figure 2018008414
(式中Rは水素原子や各種炭化水素基等を表し、複数のR同士で環構造を形成していても良い。)
前記2官能エポキシ化合物(B)のうち、分子構造中にグリシジルエーテル基を有する化合物の具体例としては、例えば、各種のジオール化合物のジグリシジルーテル化物等が挙げられる。
前記ジオール化合物は、例えば、下記構造式(2−1)〜(2−17)の何れで表されるジオール化合物や、これらのジオール化合物とラクトン化合物との開環重合物、ポリオキシアルキレン変性物等が挙げられる。
Figure 2018008414
Figure 2018008414

[式(2−1)〜(2−17)中、Rは炭素原子数2〜10の脂肪族炭化水素基或いはその炭素原子上にアルコキシ基又はハロゲン原子を一つ乃至複数有する構造部位である。R、Rはそれぞれ独立に脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アリール基、アラルキル基の何れかである。kは1〜4の整数、lは0又は1〜4の整数、mは0又は1〜6の整数、pは0又は1〜3の整数、qは0又は1〜5の整数である。Arは置換基を有してもよいアリール基、Arは置換基を有してもよいモノヒドロキシアリール基を表す。式(2−13)、(2−14)中xとyとは互いに隣接する炭素原子に結合し、それぞれキサンテン構造又はジナフトフラン構造を形成する。式(2−17)中Zは炭化水素基、酸素原子、カルボニル基の何れかである。]
前記ジオール化合物のジグリシジルーテル化は、例えば、前記ジオール化合物の一種乃至複数種と、過剰量のエピハロヒドリンとを塩基性触媒の存在下、20〜120℃の温度で0.5〜10時間反応させる方法にて行うことができる。このような方法にて2官能エポキシ化合物(B)を得る場合、生成したジグリシジルーテル化物と反応原料であるジオール化合物との反応物等、副生成物が生じることがある。この場合、得られる2官能エポキシ化合物(B)のエポキシ基当量は、理論値の2.0倍以内であることが好ましい。
前記2官能エポキシ化合物(B)のうち、分子構造中にエポキシシクロヘキシル基を有する化合物の具体例としては、3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等が挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂は、前記エステル化物(A)と前記2官能エポキシ化合物(B)の他、更にその他の化合物を反応原料としても良い。その他の化合物は、例えば、3官能以上のエポキシ化合物(B’)や、得られるエポキシ樹脂の芳香核上の置換基として脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アリール基、アラルキル基を導入するための置換基導入剤(C)等が挙げられる。前記3官能以上のエポキシ化合物(B’)を用いる場合、フィルム形成能を得るためには、エポキシ化合物原料の平均官能基数が2.5以下となる範囲で用いることが好ましい。
前記エステル化物(A)と前記2官能エポキシ化合物(B)との反応は、例えば、適当な反応触媒の存在下、100〜180℃程度の温度条件下で加熱撹拌する方法により行うことができる。反応は必要に応じて有機溶媒中で行っても良い。また、反応終了後は所望に応じて、水洗や再沈殿等により反応生成物を精製しても良い。
前記反応触媒は、例えば、リン系化合物、第3級アミン、イミダゾール化合物、ピリジン化合物、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等が挙げられる。中でも触媒能に優れる点から、リン系化合物ではトリフェニルホスフィン、第3級アミンでは1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−ウンデセン(DBU)、イミダゾール化合物では2−エチル−4−メチルイミダゾール、ピリジン化合物では4−ジメチルアミノピリジンが好ましい。
前記有機溶媒は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル溶媒、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上の混合溶媒としても良い。
前記エステル化物(A)と前記2官能エポキシ化合物(B)との反応割合は、前記エポキシ化合物(B)が有するエポキシ基1モルに対し、前記エステル化物(A)中のエステル構造部位のモル数が0.5〜1となる範囲で用いることが好ましい。
本発明のエポキシ樹脂のエポキシ基当量は、誘電正接が一層低いエポキシ樹脂となることからとなることから5,000〜100,000g/当量の範囲であることが好ましく、7,500〜50,000g/当量の範囲であることがより好ましい。
本発明のエポキシ樹脂の重量平均分子量(Mw)は、フィルム形成能が得られ誘電正接が一層低いエポキシ樹脂となることからとなることから5,000〜100,000の範囲であることが好ましく、7,500〜60,000の範囲であることがより好ましく、8,000〜50,000の範囲であることが特に好ましい。また、その分子量分布(Mw/Mn)は1.5〜20の範囲であることが好ましく、2〜12の範囲であることがより好ましい。
なお、本発明のエポキシ樹脂の重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)は、下記条件で測定されるGPCにて測定される値である。
測定装置 :東ソー株式会社製「HLC−8320 GPC」、
カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HXL−L」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G4000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G3000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
検出器: RI(示差屈折計)
データ処理:東ソー株式会社製「GPCワークステーション EcoSEC−WorkStation」
測定条件: カラム温度 40℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 1.0ml/分
標準 : 前記「GPC−8320」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
(使用ポリスチレン)
東ソー株式会社製「A−500」
東ソー株式会社製「A−1000」
東ソー株式会社製「A−2500」
東ソー株式会社製「A−5000」
東ソー株式会社製「F−1」
東ソー株式会社製「F−2」
東ソー株式会社製「F−4」
東ソー株式会社製「F−10」
東ソー株式会社製「F−20」
東ソー株式会社製「F−40」
東ソー株式会社製「F−80」
東ソー株式会社製「F−128」
試料 : 樹脂固形分換算で1.0質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの(50μl)
本発明のエポキシ樹脂の具体構造の一例として、例えば、前記フェノール性水酸基含有化合物(a1)としてナフトールを用い、前記芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)としてイソフタル酸クロライドを用い、前記2官能エポキシ化合物(B)としてビスフェノールAのジグリシジルエーテルを用いた場合の理論構造例を下記構造式(3)に示す。なお、下記構造式(3)は本発明のエポキシ樹脂の具体構造の一例に過ぎず、前記フェノール性水酸基含有化合物(a1)と前記芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)とのエステル化物(A)と、前記2官能エポキシ化合物(B)との反応により生じ得るその他の樹脂構造を排除するものではない。
Figure 2018008414
本発明のエポキシ樹脂は、硬化剤や硬化促進剤と配合して硬化性樹脂組成物として用いても良い。前記硬化剤は本発明のエポキシ樹脂と反応し得る化合物であれば良く、特に限定なく様々な化合物が利用できる。硬化剤の一例としては、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソホロンジアミン、イミダゾ−ル、BF−アミン錯体、グアニジン誘導体等のアミン化合物;ジシアンジアミド、リノレン酸の2量体とエチレンジアミンとより合成されるポリアミド樹脂等のアミド化合物;無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等の酸無水物;フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂、ビフェニルノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノール付加型樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、テトラフェノールエタン型樹脂、アミノトリアジン変性フェノール樹脂等のフェノール樹脂;活性エステル樹脂;シアン酸エステル樹脂;ビスマレイミド樹脂;ベンゾオキサジン樹脂;スチレン−無水マレイン酸樹脂;ジアリルビスフェノールやトリアリルイソシアヌレートに代表されるアリル基含有樹脂、ポリリン酸エステルやリン酸エステル−カーボネート共重合体等を含有しても良い。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。
本発明の硬化性樹脂組成物は、前記エポキシ樹脂以外のその他のエポキシ樹脂を併用しても良い。その他のエポキシ樹脂は、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、テトラフェノールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等が挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂、前記硬化剤、及び前記その他のエポキシ樹脂の配合割合は特に限定なく、所望の硬化物性能等に応じて適宜調整することができる。配合の一例としては、硬化性樹脂組成物中のエポキシ基の合計1モルに対して、硬化剤中の官能基の合計が0.7〜1.5モルとなる割合であることが好ましい。
本発明の硬化性樹脂組成物は必要に応じて硬化促進剤、難燃剤、無機質充填材、シランカップリング剤、離型剤、顔料、乳化剤等の各種添加剤を含有しても良い。
前記硬化促進剤は、例えば、リン系化合物、第3級アミン、イミダゾール化合物、ピリジン化合物、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等が挙げられる。中でも、硬化性、耐熱性、電気特性、耐湿信頼性等に優れる点から、リン系化合物ではトリフェニルホスフィン、第3級アミンでは1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−ウンデセン(DBU)、イミダゾール化合物では2−エチル−4−メチルイミダゾール、ピリジン化合物では4−ジメチルアミノピリジンが好ましい。
前記難燃剤は、例えば、赤リン、リン酸一アンモニウム、リン酸二アンモニウム、リン酸三アンモニウム、ポリリン酸アンモニウム等のリン酸アンモニウム、リン酸アミド等の無機リン化合物;リン酸エステル化合物、ホスホン酸化合物、ホスフィン酸化合物、ホスフィンオキシド化合物、ホスホラン化合物、有機系含窒素リン化合物、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド、10−(2,5―ジヒドロオキシフェニル)―10H−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド、10―(2,7−ジヒドロオキシナフチル)−10H−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド等の環状有機リン化合物、及びそれをエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の化合物と反応させた誘導体等の有機リン化合物;トリアジン化合物、シアヌル酸化合物、イソシアヌル酸化合物、フェノチアジン等の窒素系難燃剤;シリコーンオイル、シリコーンゴム、シリコーン樹脂等のシリコーン系難燃剤;金属水酸化物、金属酸化物、金属炭酸塩化合物、金属粉、ホウ素化合物、低融点ガラス等の無機難燃剤等が挙げられる。これら難燃剤を用いる場合は、硬化性樹脂組成物中0.1〜20質量%の範囲であることが好ましい。
前記無機質充填材は、例えば、本発明の硬化性樹脂組成物を半導体封止材料用途に用いる場合などに配合される。前記無機質充填材は、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、水酸化アルミ等が挙げられる。中でも、無機質充填材をより多く配合することが可能となることから、前記溶融シリカが好ましい。前記溶融シリカは破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、且つ、硬化性組成物の溶融粘度の上昇を抑制するためには、球状のものを主に用いることが好ましい。更に、球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布を適当に調整することが好ましい。その充填率は硬化性樹脂組成物100質量部中、0.5〜95質量部の範囲で配合することが好ましい。
この他、本発明の硬化性樹脂組成物を導電ペーストなどの用途に使用する場合は、銀粉や銅粉等の導電性充填剤を用いることができる。
以上詳述した通り、本発明のエポキシ樹脂は、耐熱性に優れ誘電正接が極めて低い特徴を有する。この他、汎用有機溶剤への溶解性や、各種硬化剤との硬化性等、樹脂材料に求められる一般的な要求性能も十分に高いものであり、プリント配線基板や半導体封止材料、レジスト材料等の電子材料用途の他、塗料や接着剤、成型品等の用途にも広く利用することができる。
本発明の硬化性樹脂組成物をプリント配線基板用途やビルドアップ接着フィルム用途に用いる場合、一般には有機溶剤を配合して希釈して用いることが好ましい。前記有機溶剤は、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、メトキシプロパノール、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エチルジグリコールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。有機溶剤の種類や配合量は硬化性樹脂組成物の使用環境に応じて適宜調整できるが、例えば、プリント配線板用途では、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン等の沸点が160℃以下の極性溶剤であることが好ましく、不揮発分が25〜80質量%となる割合で使用することが好ましい。ビルドアップ接着フィルム用途では、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等を用いることが好ましく、不揮発分が25〜60質量%となる割合で使用することが好ましい。
また、本発明の硬化性樹脂組成物を用いてプリント配線基板を製造する方法は、例えば、硬化性樹脂組成物を補強基材に含浸し硬化させてプリプレグを得、これと銅箔とを重ねて加熱圧着させる方法が挙げられる。前記補強基材は、紙、ガラス布、ガラス不織布、アラミド紙、アラミド布、ガラスマット、ガラスロービング布などが挙げられる。硬化性樹脂組成物の含浸量は特に限定されないが、通常、プリプレグ中の樹脂分が20〜60質量%となるように調製することが好ましい。
本発明の硬化性樹脂組成物を半導体封止材料用途に用いる場合、一般には無機質充填材を配合することが好ましい。半導体封止材料は、例えば、押出機、ニーダー、ロール等を用いて配合物を混合して調製することができる。得られた半導体封止材料を用いて半導体パッケージを成型する方法は、例えば、該半導体封止材料を注型或いはトランスファー成形機、射出成型機などを用いて成形し、更に50〜200℃の温度条件下で2〜10時間加熱する方法が挙げられ、このような方法により、成形物である半導体装置を得ることが出来る。
次に本発明を実施例、比較例により具体的に説明する。実施例中の「部」及び「%」の記載は、特に断わりのない限り質量基準である。なお、本実施例におけるGPCの測定条件は以下の通りである。
GPCの測定条件
測定装置 :東ソー株式会社製「HLC−8320 GPC」、
カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HXL−L」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G4000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G3000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
検出器: RI(示差屈折計)
データ処理:東ソー株式会社製「GPCワークステーション EcoSEC−WorkStation」
測定条件: カラム温度 40℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 1.0ml/分
標準 : 前記「GPC−8320」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
(使用ポリスチレン)
東ソー株式会社製「A−500」
東ソー株式会社製「A−1000」
東ソー株式会社製「A−2500」
東ソー株式会社製「A−5000」
東ソー株式会社製「F−1」
東ソー株式会社製「F−2」
東ソー株式会社製「F−4」
東ソー株式会社製「F−10」
東ソー株式会社製「F−20」
東ソー株式会社製「F−40」
東ソー株式会社製「F−80」
東ソー株式会社製「F−128」
試料 : 樹脂固形分換算で1.0質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの(50μl)
実施例1 エポキシ樹脂(1)溶液の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、イソフタル酸クロリド202質量部とトルエン1250質量部を仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。次いで、1−ナフトール288質量部を仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。次いで、テトラブチルアンモニウムブロマイド0.6質量部を加え、窒素ガスパージを施しながら、系内を60℃以下に制御して、20%水酸化ナトリウム水溶液400質量部を3時間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま1時間撹拌を続けて反応させた。反応終了後、反応混合物を静置して分液し、水層を取り除いた。残った有機層に水を加えて約15分間攪拌混合した後、混合物を静置して分液し、水層を取り除いた。水層のpHが7になるまでこの操作を繰り返した後、加熱減圧乾燥して、下記構造式(a)で表されるエステル化物(A−1)395質量部を得た。
Figure 2018008414
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC株式会社製「EXA−850CRP」エポキシ基当量173g/当量)176質量部、先で得たエステル化物(A−1)209質量部、シクロヘキサノン165質量部を仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。次いで、ジメチルアミノピリジン0.15質量部を加え、窒素ガスパージを施しながら、系内を150℃まで加温した。150℃で24時間反応させた後、シクロヘキサノン285質量部とメチルエチルケトン450質量部とを加えて希釈し、エポキシ樹脂(1)溶液1220質量部を得た。エポキシ樹脂(1)のエポキシ基当量は19,450g/当量、重量平均分子量(Mw)は37,180、分子量分布(Mw/Mn)は9.3であった。得られたエポキシ樹脂(1)のGPCチャートを図1に示す。
実施例2 エポキシ樹脂(2)溶液の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂(DIC株式会社製「HP−4032D」エポキシ基当量141g/当量)72質量部、先で得たエステル化物(A−1)105質量部、シクロヘキサノン76質量部を仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。次いで、ジメチルアミノピリジン0.07質量部を加え、窒素ガスパージを施しながら、系内を150℃まで加温した。150℃で12時間反応させた後、シクロヘキサノン130質量部とメチルエチルケトン206質量部とを加えて希釈し、エポキシ樹脂(1)溶液549質量部を得た。エポキシ樹脂(2)のエポキシ基当量は34,860g/当量、重量平均分子量(Mw)は23,940、分子量分布(Mw/Mn)は6.8であった。得られたエポキシ樹脂(2)のGPCチャートを図2に示す。
実施例3 エポキシ樹脂(3)溶液の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、脂環式エポキシ樹脂(ダイセル株式会社製「CEL2021P」エポキシ基当量130g/当量)66質量部、先で得たエステル化物(A−1)105質量部、シクロヘキサノン73質量部を仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。次いで、ジメチルアミノピリジン0.07質量部を加え、窒素ガスパージを施しながら、系内を150℃まで加温した。150℃で12時間反応させた後、シクロヘキサノン126質量部とメチルエチルケトン199質量部とを加えて希釈し、エポキシ樹脂(3)溶液532質量部を得た。エポキシ樹脂(3)のエポキシ基当量は8,210g/当量、重量平均分子量(Mw)は10,000、分子量分布(Mw/Mn)は5.7であった。得られたエポキシ樹脂(3)のGPCチャートを図3に示す。
実施例4 エポキシ樹脂(4)溶液の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、下記構造式(b)で表されるキサンテン型エポキシ化合物を主成分とするエポキシ樹脂(エポキシ基当量265g/当量)136質量部、先で得たエステル化物(A−1)105質量部、シクロヘキサノン103質量部を仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。次いで、ジメチルアミノピリジン0.10質量部を加え、窒素ガスパージを施しながら、系内を150℃まで加温した。150℃で12時間反応させた後、シクロヘキサノン178質量部とメチルエチルケトン281質量部とを加えて希釈し、エポキシ樹脂(4)溶液750質量部を得た。エポキシ樹脂(4)のエポキシ基当量は8,520g/当量、重量平均分子量(Mw)は23,530、分子量分布(Mw/Mn)は8.3であった。得られたエポキシ樹脂(4)のGPCチャートを図4に示す。
Figure 2018008414
実施例5 エポキシ樹脂(5)溶液の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、下記構造式(c)で表されるフルオレン型エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂(エポキシ基当量246g/当量)127質量部、先で得たエステル化物(A−1)105質量部、シクロヘキサノン99質量部を仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。次いで、ジメチルアミノピリジン0.09質量部を加え、窒素ガスパージを施しながら、系内を150℃まで加温した。150℃で12時間反応させた後、シクロヘキサノン171質量部とメチルエチルケトン270質量部とを加えて希釈し、エポキシ樹脂(5)溶液738質量部を得た。エポキシ樹脂(5)のエポキシ基当量は13,270g/当量、重量平均分子量(Mw)は21,000、分子量分布(Mw/Mn)は5.8であった。得られたエポキシ樹脂(5)のGPCチャートを図5に示す。
Figure 2018008414
比較製造例1 エポキシ樹脂(1’)溶液の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850−S」エポキシ基当量188g/当量)97質量部、ビスフェノールAジベンゾイル化物109質量部、シクロヘキサノン88質量部を仕込み、系内を減圧窒素置換して溶解させた。次いで、ジメチルアミノピリジン0.08質量部を加え、窒素ガスパージを施しながら、系内を150℃まで加温した。150℃で36時間反応させた後、シクロヘキサノン152質量部とメチルエチルケトン240質量部とを加えて希釈し、エポキシ樹脂(1’)溶液650質量部を得た。エポキシ樹脂(1’)のエポキシ基当量は6,650g/当量、重量平均分子量(Mw)は7,380、分子量分布(Mw/Mn)は2.3であった。
実施例6〜10及び比較例1
フィルムの作成、評価
実施例1〜5及び比較製造例1で得たエポキシ樹脂溶液をセパレータ(シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィルム)上にアプリケータで塗布し、80℃で10分、更に150℃で1時間乾燥させ、厚さ70μmのエポキシ樹脂フィルムを作成した。フィルムの形状を保持出来るものはA、保持出来ないものはBと判断した。
耐熱性測定(DSC−Tg)
上記で作成したエポキシ樹脂フィルムをMETTLER TOLEDO社製DSC822eを用いて、10℃/minの条件でDSC−Tgを測定した。
誘電正接の測定
得られたエポキシ樹脂フィルムを加熱真空乾燥後、23℃、湿度50%の室内に24時間保管した。その後、JIS−C−6481に準拠し、アジレント・テクノロジー株式会社製インピーダンス・マテリアル・アナライザ「HP4291B」を用いて、エポキシ樹脂フィルムの1GHzでの誘電正接を測定した。
Figure 2018008414

Claims (7)

  1. フェノール性水酸基含有化合物(a1)と芳香族ジカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a2)とのエステル化物(A)と、2官能エポキシ化合物(B)とを必須の反応原料とすることを特徴とするエポキシ樹脂。
  2. エポキシ基当量が5,000〜100,000g/当量の範囲である請求項1記載のエポキシ樹脂。
  3. 重量平均分子量(Mw)が5,000〜100,000の範囲である請求項1記載のエポキシ樹脂。
  4. 請求項1〜3の何れか一つに記載のエポキシ樹脂を含有する硬化性樹脂組成物。
  5. 請求項4記載の硬化性樹脂組成物の硬化物。
  6. 請求項4記載の硬化性組成物を用いてなるプリント配線基板。
  7. 請求項4記載の硬化性組成物を用いてなる半導体封止材料。
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